JP2003073114A - シリコンの製造装置および方法 - Google Patents

シリコンの製造装置および方法

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JP2003073114A
JP2003073114A JP2001308028A JP2001308028A JP2003073114A JP 2003073114 A JP2003073114 A JP 2003073114A JP 2001308028 A JP2001308028 A JP 2001308028A JP 2001308028 A JP2001308028 A JP 2001308028A JP 2003073114 A JP2003073114 A JP 2003073114A
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Hideo Yamase
英夫 山瀬
Yutaka Kamaike
豊 蒲池
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造
装置において、反応炉内の構造物に付着した製品取り出
しが容易なようにした製造装置及び製造方法を提供す
る。 【解決手段】反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用
し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取
り出すことにより、作業の簡易化を図り製造時間の短縮
を図り製品コストの削減を図ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度シリコンの
製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素
及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元
反応を行う反応炉の内部構造を処理の容易な方式にし
た、太陽電池用原料となる高純度シリコンの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の気相法亜鉛還元法による高純度シ
リコンの製造は、反応炉内の内壁に直接シリコン結晶を
付着成長させる方式であるため、付着したシリコンの取
り出し作業が簡単ではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、気相
法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用反応炉の内部
構造物をそのっま製品として使用できる材質のシリコン
により構成し、反応終了後にその構造物毎一緒にまとめ
て製品とすることによりこの処理作業を簡略化できる装
置および方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願で特許請求される発明は以下の通りである。 （１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩
化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわ
り、内部構造物を製品として使用できる品質のシリコン
により構成し、反応時そのシリコン構造物に付着成長し
たシリコン製品をそのまま取り出して製品とする内部構
造物を持つ高純度シリコン製造装置。 （２）上記１項記載の装置を用い、反応後の製品取り出
しを容易にすることにより製造時間の短縮を図り又は／
且つ製品コストの削減を図ることを特徴とする高純度シ
リコンの製造方法。
【０００５】上記記載の内部構造物としては、邪魔板状
のものを複数枚備えたもの、板と塊の混合物によるもの
や棒状のものなどが行われる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
【実施例】図１は、本発明装置の実施例を示す説明図で
ある。反応炉内に、邪魔板状のものシリコン板を設
置することにより、シリコン板上に還元反応したシリ
コンが付着成長し、反応終了後シリコン板を取り出す
ことにより容易に製品を取り出すことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による反応炉内部構造の例
【符号の説明】 ・・・反応炉 ・・・邪魔板状のシリコン
板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用し
    た四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造に
    かかわり、内部構造物を製品として使用できる品質のシ
    リコンにより構成し、反応時そのシリコン構造物に付着
    成長したシリコン製品をそのまま取り出して製品とする
    内部構造物を持つ高純度シリコン製造装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の装置を用い、反応後の製品
    取り出しを容易にすることにより製造時間の短縮を図り
    又は／且つ製品コストの削減を図ることを特徴とする高
    純度シリコンの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007112691A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Yutaka Kamaike シリコンの製造装置及び方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000086225A (ja) * 1998-09-17 2000-03-28 Ngk Insulators Ltd 高純度シリコン及び高純度チタンの製造法

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