CN1187483C - 铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 - Google Patents
铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1187483C CN1187483C CNB021110026A CN02111002A CN1187483C CN 1187483 C CN1187483 C CN 1187483C CN B021110026 A CNB021110026 A CN B021110026A CN 02111002 A CN02111002 A CN 02111002A CN 1187483 C CN1187483 C CN 1187483C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- growing
- lead
- growth
- solid solution
- titanate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及晶体生长技术，提供了一种规模化生长高质量的弛豫基铁电单晶——铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的方法，属晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括了原料预处理、晶体生长一系列完整的单晶生长过程。其特点是：按化学式组成(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配比，其中x＝0.05～0.20；原料预处理是分二步合成；用PMNT固溶体单晶作籽晶，不加助熔剂，异质同构坩埚下降法生长，炉温控制在1380-1420℃范围，固液生长界面的温度梯度为40-80℃，下降速度为0.5-1.0mn/h。生长的PZNT单晶结构完整，有望满足新一代压电超声换能器的需求。
Description
技术领域
本发明涉及一种弛豫基铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅(PZNT)固溶体单晶的生长方法，更确切的说是涉及坩埚下降法生长(制备)弛豫基铁电体PZNT单晶。其中，晶体的化学组成可以表示为(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3，简写为PZNT或PZN-PT。属于晶体生长领域。
背景技术
铌锌酸铅-钛酸铅固溶体是一种弛豫基铁电材料。该固溶体存在一个准同型相界，在准同型相界附近，铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶具有很好的压电性能和很大的介电常数，其综合性能远远高于目前应用的锆钛酸铅系压电材料，压电应变常量d33达2000pC/N，机电耦合因数k33达0.90～0.95，场致应变最大达1.7％。弛豫基铁电单晶的优越的压电和机电耦合性能，使得该材料在医用超声成像仪、高应变固体驱动器、高灵敏度声纳等新一代机电换能器方面有着广泛的应用。用该材料作探头的新一代B型扫描超声波成像仪(B超)，其图像分辨率和频带宽度大大提高。弛豫基铁电单晶的高应变特性，使得它在高应变驱动器中有着广泛的应用，这将对超声换能器及驱动器等高技术的应用产生重大的影响。
与同组成的陶瓷相比，铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶具有更为优越的压电、铁电性能，因此弛豫基铁电材料的单晶化研究是目前国际铁电界的研究热点。目前，铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的生长主要采用助熔剂法，例如用PbO助熔剂[K.Harada，S.Shimanuki，T.Kobayashi，S.Saitoh and Y.Yamashita，J.Am.Ceram.Soc.，81(11)(1998)2785-2788]。助熔剂法生长弛豫基铁电单晶有其固有的缺点：由于组分的复杂及氧化铅、氧化锌在高温下的易挥发性，使得对生长过程的防护要求极为严格，而且由于氧化物的挥发导致生长溶液的过饱和度变化较大、晶体生长过程重复性差；晶体生长过程中自发成核难以控制，容易生成包裹体，难以得到高质量、大尺寸的固溶体单晶；生产效率较低，晶体生长难以实现规模化[K.Harada，Y.Hosono，S.Saitoh and Y.Yamashita，Jpn.J.Appl.Phys.，39(2000)3117-3120]。目前，助熔剂法还不能够实现规模化生产大尺寸、高质量的弛豫基铁电单晶，晶体的尺寸和质量都满足不了超声成像及高应变驱动器等应用的要求，晶体生长工艺还没有突破实验室的研究水平。
与助熔剂法相比，坩埚下降法生长技术可以实现规模化生长单晶，通过引进籽晶生长，实现晶体尺寸的可控制生长，晶体生长过程重复性好。遗憾的是，迄今为止尚未有任何出版物公开报道用熔体法生长铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生长铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的可靠的方法，该生长工艺容易实现晶体生长的规模化，生长过程可控、重复性好。该方法生长的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶为纯的钙钛矿结构，晶体结构完整，压电性能良好，容易实现晶体尺寸的放大，有望生产出满足超声成像及高应变驱动器等应用需求的大尺寸、高性能的弛豫基铁电单晶。
本发明的目的是通过一种坩埚下降法进行PZNT单晶的熔体法生长来实施的，该方法包括：以氧化锌、五氧化二铌、二氧化钛和氧化铅为原料，采用B位预合成法制备晶体生长所需的原料；将预合成的原料密封在铂金坩埚中，用坩埚下降法法进行晶体的熔体法生长。其特征在于原料配比按照化学式(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3进行，x为0.05～0.20；坩埚下降速率为0.5～1.0mm/h。固液生长界面的温度梯度为40-80℃/cm，晶体生长过程的炉温控制在1380-1420℃之间。
本发明的具体实施分为两大步：第一步是晶体生长原料的预处理；第二步是用坩埚下降技术进行熔体法生长PZNT单晶。
(1)原料的预处理
本发明使用的原料是分析纯的氧化锌、五氧化二铌、二氧化钛和氧化铅，原料干燥后按照设计的晶体化学组成(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配比，其中X＝0.05～0.20优先推荐的化学配比为X＝0.09，即0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3。
原料的预处理包括配料、混合、热处理和等静压成块。原料的纯度要求较高，以减少生长晶体的缺陷。原料的混合没有严格限制，一般的混合器械都可以使用，只要能使原料混合均匀即可，根据配料的多少，优先采用“V”型不锈钢混料桶和湿法球磨混合。原料可以冷等静压也可不等静压成块，为了增大生长晶体的尺寸，增加铂金坩埚中装料的质量，优选冷等静压成块。
混合均匀的氧化锌、五氧化二铌和二氧化钛，置于加盖的铂金坩埚中在850-1150℃，反应1-4小时热处理，得主成份为铌铁矿结构的铌酸锌(ZnNb2O6)，少量具有金红石结构的锌铌钛的氧化物(Zn0.17Nb0.33Ti0.5O2)和微量的锐钛矿结构的二氧化钛(TiO2)。所得产物细磨、过筛，加入计量比的氧化铅混合均匀，然后，置于加盖的铂金坩埚中在700-800℃热处理1-2小时，得主成份为钙钛矿结构的黄色铌锌酸铅-钛酸铅固溶体(Pb[(Zn1/3Nb2/3)1-xTix]O3)和少量焦绿石相的铌锌钛的氧化物(Pb1.83Nb1.71Zn0.29O6.39)。上述产物细磨、过筛、经冷静水压或模压成型作为晶体生长的预处理粉料。
(2)铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长
坩埚下降法进行PZNT单晶的熔体法生长其难度在于确定合适的生长工艺条件，包括确定生长炉的温场分布，固液界面的温度梯度，坩埚的下降速率及随着生长的进行，炉内温场的及时调节。所有这些工艺的优选都是为了避免焦绿石相的生成，确保生长出组分均匀的PZNT单晶。
晶体生长采用异质同构的Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.69Ti0.31]O3单晶作为籽晶，这是本发明的又一重要技术特征，所以选择PMNT单晶作为生长PZNT的籽晶，是基于以下三点原因：
一是Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.69Ti0.31]O3单晶与所生长PZNT晶体结构差别较小；二是二者组分中只有Mg元素一种杂质，可以减少杂质的引入。当然，用PZNT籽晶生长从理论上说是最理想的，但PZNT单晶制备过程困难，往往易开裂。三是本申请人具有较为成熟的PMNT单晶生长技术，可以稳定地提供大量的PMNT籽晶。
籽晶生长技术的应用，有效地抑制了晶体生长过程中自发成核的发生，有利于实现晶体的可控制生长、得到大尺寸、高性能的PZNT单晶。晶体生长沿籽晶的<111>或<110>方向，根据坩埚尺寸，选用籽晶的横截面积与生长晶体的横截面积之比大于70％，以实现晶体尺寸的连续放大。
晶体生长所用的坩埚，要求能承受生长温度，同时不与生长原料发生反应，例如贵金属或合金坩埚，特别是贵金属制成的坩埚或涂覆的氧化物坩埚或氮化物坩埚等等，其中优选铂金坩埚，便于加工、重复使用。装好籽晶和生长原料的铂金坩埚容易焊接密封，实现密封状态下的晶体生长，抑制了PbO的挥发，减少了对环境的污染。坩埚的厚度、形状没有特别要求，在能够承受生长条件的前提下尽量减少铂金坩埚的厚度以降低生成成本。晶体生长过程采用一炉多埚，以提高生产效率，这方面的技术中科院上海硅酸盐研究所已经有多个专利公开，例如CN1113970A，其内容本发明结合参照。
晶体生长设备可以采用一般的温梯法装置，也可采用自制的坩埚下降装置，例如我们用氧化铝保温材料自制的单晶下降炉(图5)，生长炉内可以放入4～10个铂金坩埚，同时进行晶体的生长，有利于实现PZNT单晶生长的规模化。生长炉的发热体为MoSi2棒，生长炉温为1200℃～1440℃，沿坩埚下降方向的最大温度梯度为60-80℃/cm。主要的控温设备为DWK-702精密温度控制仪，控温精度大±0.5℃。坩埚下降速率的机械精度一般控制在±0.1％，以生长出组分均匀的PZNT单晶。
预处理的原料密封在铂金坩埚中，采用坩埚下降法进行铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长。晶体生长采用异质同构籽晶生长技术，利用铌镁酸铅钛酸铅Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.69Ti0.31]O3单晶作为籽晶，晶体生长沿籽晶的(111)或(110)面。晶体生长过程不加入助熔剂。生长炉的炉温控制在1380℃，随着生长的进行，生长炉的炉温按照6℃/24hrs的速率升温，生长炉的温度用DWK-702 PID(Proportional integral differential controller)精密温度控制仪控制。固液生长界面的温度梯度为40～80℃/cm，下降速度为0.5-1.0mm/h。晶体生长降温阶段，所有坩埚在700℃保温4小时，然后，生长炉的温度以50-80℃/h的速率降至室温。
与助熔剂法生长PZNT单晶相比，本发明提供的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的生长方法的特点是：1.采用B位预合成法进行原料的预处理，有效地抑制了晶体生长过程中焦绿石相的生成。2.采用坩埚下降法和异质同构籽晶生长技术，实现了晶体生长过程的控制和规模化，提高了重复性；抑制了晶体生长过程中自发成核的发生，晶体完整性好。3.采用熔体法生长铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶，不加入助熔剂，减少了晶体中包裹体的产生，提高了晶体质量。4.晶体生长设备简单，生长工艺参数容易控制，采用多个坩埚同时进行晶体生长，提高了生产效率。
本方法生长的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶，取大小为10×12mm2、(001)方向的晶片进行压电性能测试。晶片镀上烧银电极(550℃热处理0.5小时)、极化后(极化条件：150℃硅油浴中加1kV/mm电场15分钟，电场减半的条件下冷却至室温)，测量压电常量d33，表1给出了每2mm取一个点的测试结果，表明该方法生长的单晶具有良好的压电性能。测试单晶的电学性能，室温下该单晶(001)晶片具有较大的介电常数，约为4000，介电损耗较低，小于0.1％。
表1是铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶(001)晶片的压电性能d33(pC/N)。晶片尺寸为10×12mm2，每隔2mm取一个点进行测试。
表1
| 2066 | 1894 | 1976 | 1896 | 1898 | 2015 |
| 2100 | 1965 | 1995 | 1907 | 2016 | 1990 |
| 1908 | 2004 | 2010 | 1945 | 1895 | 1890 |
| 2036 | 1989 | 1998 | 2006 | 1976 | 2045 |
用本发明的技术能够生长出压电常量d33大于2000pC/N的高质量的PZNT单晶。本发明的方法为解决弛豫基铁电单晶的生长的困难、实现PZNT单晶的规模化工业生产，提供了一种可行的方案。由此看出，本发明提供的熔体法生长弛豫基铁电单晶——铌锌酸铅-钛酸铅(PZNT)固溶体单晶的方法，可以稳定地生长出高质量的PZNT单晶、容易实现晶体尺寸的放大，有望制备出满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用要求的PZNT单晶。
附图说明
图1是预处理粉料的XRD衍射曲线。(a)ZnO、Nb2O5和TiO2混合料950℃热处理1.5小时；(b)系(a)所得的粉料加入计量比的PbO，750℃热处理1.5小时。
图2是熔体法生长的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的XRD衍射曲线，分别对应于同一单晶顶部和底部的XRD测试结果。
图3是铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶(001)晶片极化前的介电常数、损耗温谱。
具体实施方式
为进一步理解本发明的实质性特点和显著的进步，下面参照附图结合非限定性的实施例进一步说明本发明的实施方式及效果：
实施例1
用B位预合成法得到晶体生长的原料，生长原料按照化学式(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 X＝0.09配比。高纯的氧化锌、五氧化二铌和二氧化钛粉料，用湿法球磨混合均匀，所得粉料干燥后置于加盖的铂金烧料坩埚中，在950℃热处理1.5小时，得主成份为铌铁矿结构的铌酸锌(ZnNb2O6)。上述粉料加入计量比的氧化铅，湿法球磨混合均匀，所得粉料干燥后置于加盖的铂金烧料坩埚中，在750℃热处理1.5小时，所得预处理原料主成份为钙钛矿结构的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3。将上述粉料冷等静压法压料成块。然而用坩埚下降法进行铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长。采用异质同构的Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.69Ti0.31]O3单晶作为籽晶，晶体生长沿籽晶的(111)面，籽晶的横截面积与生长晶体的横截面积之比为80％以实现晶体尺寸的连续放大。单晶炉的炉温升至1380℃熔化压块料和籽晶顶部的小部分，保温6小时后，以0.65mm/h速率下降坩埚，生长PZNT晶体。随着生长的进行，单晶炉的炉温以6℃/24h速率升温，生长结束时炉温最高可达1420℃。晶体生长阶段，沿坩埚下降方向的最大温度梯度达80℃/cm，稳态生长阶段固液生长界面的温度梯度可以维持在50℃/cm。晶体生长结束后，用降温马达降温，降温速率为15℃/h。晶体生长降温阶段，在700℃时所有生长坩埚摇至初始生长位置保温4小时，然后，生长炉的温度以60℃/h的速率降至室温。
实施例2
X＝0.15先配置主成份为铌铁矿结构的铌酸锌，处理温度980℃处理1.2小时，再加入PbO，处理温度为700℃ 2小时，然后沿(110)面生长，温度梯度60℃/cm，生长炉温控制在1400℃，降温速度为10℃/h，其余同实施例1，其性能如表1所示。
Claims (9)
1、一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，包括原料处理、升温熔化、生长和降温晶体生长工艺，其特征在于：
a、按化学式组成(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配比，其中x＝0.05～0.20；
b、原料预处理是将混合均匀的氧化锌、五氧化铌和二氧化钛的混合原料，在850-1150℃反应1-4小时热处理，然后加入计量比氧化铅700-800℃热处理1-2小时；
c、用铌镁酸铅钛酸铅固溶体单晶作籽晶，不加助熔剂，异质同构坩埚下降法生长，生长过程的炉温控制在1380-1420℃范围，固液生长界面的温度梯度为40-80℃/cm，下降速度为0.5-1.0mm/h。
2、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：化学组成为0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3。
3、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：晶体沿PMNT籽晶<111>或<110>方向生长。
4、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：混合均匀的氧化锌、五氧化铌和二氧化钛混合料热处理后主成份为铌铁矿结构的铌酸锌；加入计量PbO，热处理后主成份为钙钛矿结构的黄色粉料。
5、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：选用籽晶的横截面积与生长晶体的横截面积之比为80％。
6、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：生长时使用的坩埚是贵金属坩埚或涂覆的氧化物坩埚或氮化物坩埚。
7、按权利要求1或6所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：生长时使用铂坩埚。
8、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：原料预处理过程加入计量的氧化铅混后均匀后，置于加盖的铂坩埚中。
9、按权利要求1所述的一种制备铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长，其特征在于：沿坩埚下降方向的最大温度梯度为60-80℃/cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021110026A CN1187483C (zh) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB021110026A CN1187483C (zh) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1382841A CN1382841A (zh) | 2002-12-04 |
| CN1187483C true CN1187483C (zh) | 2005-02-02 |
Family
ID=4741357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021110026A Expired - Fee Related CN1187483C (zh) | 2002-03-12 | 2002-03-12 | 铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1187483C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100437950C (zh) * | 2006-12-22 | 2008-11-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100437949C (zh) * | 2003-06-05 | 2008-11-26 | 上海交通大学 | 液相外延制备铁电厚膜的方法 |
| KR100537137B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2005-12-16 | (주)아이블포토닉스 | 강유전체 세라믹 단결정 및 그 제조 방법 |
| CN100336944C (zh) * | 2004-04-02 | 2007-09-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅的两步法生长方法 |
| CN100429334C (zh) * | 2004-12-03 | 2008-10-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种铌镁酸铅-钛酸铅热释电单晶材料及其应用 |
| CN100390327C (zh) * | 2005-08-03 | 2008-05-28 | 清华大学 | 一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法 |
| CN101723677B (zh) * | 2009-02-24 | 2012-11-28 | 江苏工业学院 | 一种高介电常数低介电损耗铁电陶瓷的制备方法 |
| CN101747036B (zh) * | 2009-12-22 | 2012-07-04 | 河北理工大学 | 低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷及其制备方法 |
| CN101805185B (zh) * | 2010-03-19 | 2013-03-13 | 江苏工业学院 | 一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷的方法 |
| CN101851091B (zh) * | 2010-04-14 | 2012-09-12 | 河北理工大学 | 抗温变复合高介电子材料及其制备方法 |
| CN102383189B (zh) * | 2011-11-02 | 2013-12-18 | 南京航空航天大学 | 铌锌酸铅-钛酸铅单晶的制备方法 |
| CN102492991A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 常州大学 | 一种铌锌酸铅-钛酸铅单晶材料及其热释电应用 |
| CN104152997B (zh) * | 2013-05-14 | 2018-07-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 |
| CN104153000B (zh) * | 2013-05-14 | 2016-08-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 |
| CN104480530A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-01 | 西安交通大学 | 弛豫型铁电单晶原料的制备方法 |
| CN112899780A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-04 | 吉林大学 | 弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅的定向生长方法 |
-
2002
- 2002-03-12 CN CNB021110026A patent/CN1187483C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100437950C (zh) * | 2006-12-22 | 2008-11-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1382841A (zh) | 2002-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1187483C (zh) | 铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长 | |
| Luo et al. | Growth and characterization of relaxor ferroelectric PMNT single crystals | |
| EP2235762B1 (en) | Method of making ternary piezoelectric crystals | |
| Harada et al. | Crystal growth and electrical properties of Pb ((Zn1/3Nb2/3) 0.91 Ti0. 09) O3 single crystals produced by solution Bridgman method | |
| CN101985775A (zh) | 一种三元系弛豫铁电单晶材料及其制备方法 | |
| CN1080777C (zh) | 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法 | |
| Xu et al. | Growth and some electrical properties of lead-free piezoelectric crystals (Na1/2Bi1/2) TiO3 and (Na1/2Bi1/2) TiO3–BaTiO3 prepared by a Bridgman method | |
| CN104419984B (zh) | 钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅的制备方法 | |
| Chen et al. | Bridgman growth, crystallographic characterization and electrical properties of relaxor-based ferroelectric single crystal PIMNT | |
| Guo et al. | Growth and electrical properties of Pb (Sc1/2Nb1/2) O3–Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–PbTiO3 ternary single crystals by a modified Bridgman technique | |
| Fang et al. | Growth mechanism and electrical properties of Pb [(Zn1/3Nb2/3) 0.91 Ti0. 09] O3 single crystals by a modified Bridgman method | |
| CN1196817C (zh) | 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶 | |
| CN104372409B (zh) | 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 | |
| CN110318097B (zh) | 一种铌酸镓镧单晶的制备方法 | |
| CN102383189A (zh) | 铌锌酸铅-钛酸铅单晶的制备方法 | |
| Benayad et al. | Segregation study and segregation modeling of Ti in Pb [(Mg1/3Nb2/3) 0.60 Ti0. 40] O3 single crystal grown by Bridgman method | |
| JP2004509049A (ja) | ニオブ酸鉛マグネシウム−チタン酸鉛の単結晶 | |
| CN104152997B (zh) | 四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | |
| Xu et al. | Seeded growth of relaxor ferroelectric single crystals Pb [(Zn1/3Nb2/3) 0.91 Ti0. 09] O3 by the vertical bridgman method | |
| KR102493602B1 (ko) | 판상형 (Pb,Ba)TiO3 복합체 템플릿 세라믹의 제조 방법 | |
| CN1847470A (zh) | 非线性光学晶体铌酸钙 | |
| Wang et al. | Growth and properties of 4-in. diameter ferroelectric single crystal Pb (In1/2Nb1/2) O3–Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–PbTiO3 by the seed-induced modified Bridgman technique | |
| US8597535B2 (en) | Method of making ternary piezoelectric crystals | |
| Karaki et al. | Top-seeded solution growth of Pb [(In1/2Nb1/2),(Mg1/3Nb2/3), Ti] O3 single crystals | |
| Benayad et al. | Characteristics of Pb [(Zn1/3Nb2/3) 0.955 Ti0. 045] O3 single crystals versus growth method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |