JP2003068637A - リソグラフィ装置、デバイスを製造する方法、およびその方法によって製造したデバイス - Google Patents

リソグラフィ装置、デバイスを製造する方法、およびその方法によって製造したデバイス

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 寸法が小さくなるように極めて接近して位置
することができる別個のセンサ及びそのそれぞれの検出
構造を有するイメージ・センシング・デバイスを提供す
る。 【解決手段】 リソグラフィ投射装置は、放射システム
と、パターン形成手段の支持構造と、基板テーブルと、
ビームを基板に投射する投射システムと、イメージ・セ
ンシング・デバイスとを含む。イメージ・センシング・
デバイスは、少なくとも１つの放射線感応センサをその
第１の側面に備えたスラブ、および投射ビームの放射を
透過させない材料の膜を含み、このセンサは前記スラブ
の一体部品であり、かつ投射ビームの放射に感応し、こ
の膜はスラブの第１の側面上に前記センサを覆って設け
られ、かつ投射ビームの放射を前記センサまで選択的に
通すパターン形成された区画を前記センサの上に有す
る。前記スラブは、第１の表面の反対側の第２の表面
で、中間プレートのスラブ支承表面上に取り付けられ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投射放射ビームを
供給する放射システムと、所望のパターンに従って投射
ビームをパターン形成する働きをするパターン形成手段
を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブル
と、パターン形成したビームを基板の目標部分に投射す
る投射システムとを含むリソグラフィ投射装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ここで使用されるような「パターン形成
手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパタ
ーンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビ
ームに与えるために使用することができる手段のことを
言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語
「光弁」は、この背景で使用することができる。一般
に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスの
ような目標部分に作られるデバイス内の特定の機能層に
対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形
成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、マス
ク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られてお
り、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位
相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフトのよ
うなマスクの種類が含まれる。そのようなマスクを放射
ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じ
て、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場
合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスク
の場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、こ
のマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放
射ビーム内の所望の位置に保持することができるように
なり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移
動させることができるようになる。プログラム可能ミラ
ー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御
層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定
可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折
光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射
光を非回折光として反射する。適当なフィルタを使用し
て、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去し
て、後に回折光だけを残すことができる。このようにし
て、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指
定パターンに従って、ビームはパターン形成されるよう
になる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施形態
では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。
この小さなミラーの各々は、適当な局部電界を加えるこ
とで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわ
りに個々に傾斜させることができる。再び、アドレス指
定されたミラーが、アドレス指定されないミラーに対し
て異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラ
ーはアドレス指定可能なマトリックである。このように
して、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能
ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成さ
れる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電
子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の
状況で、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラ
ム可能ミラー・アレイを含むことができる。ここで言及
したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許
第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，
１９３号、およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７
およびＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集
することができる。これらは参照して本明細書に組み込
む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持
構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化
することができ、必要に応じて、固定するか、可動にす
ることができる。プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのよ
うな構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号
に与えられている。この特許は、参照して本明細書に組
み込む。上記のように、この場合の支持構造は、例え
ば、フレームまたはテーブルとして具体化することがで
き、それは、必要に応じて、固定するか、可動にするこ
とができる。簡単にするために、本明細書の残りは、あ
る場所で、特別に、マスクおよびマスク・テーブルを含
む実施例に向けられる。しかし、そのような例で述べる
一般的な原理は、上で述べたようなパターン形成手段の
より広い背景の中で理解すべきである。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような
場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する
回路パターンを生成することができる。このパターンの
像が、放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板
（シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つまた
は複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単
一のウェハは全体として網の目のような隣接する目標部
分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムによ
り、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。マス
ク・テーブルのマスクによるパターン形成を使用する現
在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することが
できる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マ
スクパターンを一括して目標部分に露出させることで、
各目標部分が放射を照射される。そのような装置は、通
常、ウェハ・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置
と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマス
ク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進
的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行
または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標
部分が放射を照射される。一般に、投影システムは、拡
大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが
走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速
度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフ
ィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９
２号から、もっと多くの情報を収集することができる。
この特許は、参照して本明細書に組み込む。
【０００４】リソグラフィ投影装置を使用する製造プロ
セスでは、放射線感応材料（レジスト）の層で少なくと
も部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク
内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基
板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークの
ような様々な手順を経る可能性がある。露出後に、基板
は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、
および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手
順に供される可能性がある。この手順の配列は、デバイ
ス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として
使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッ
チング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーシ
ョン、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層
を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可
能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手
順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければ
ならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェハ）
上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引
きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、
それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキ
ャリアに取り付けることができる。そのようなプロセス
に関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈ
ｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ ｐｒａｃｔｉｃａ
ｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体
処理への実用的入門書）」、Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏ
ｎ、ｂｙ Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ、ＭｃＧｒａ
ｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．、１９９
７、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得る
ことができる。この本を参照して本明細書に組み込む。
【０００５】簡単にするために、投影システムを以下で
「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例
えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカ
タディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影
システムを包含するものとして広く解釈すべきである。
また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに
従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、
または制御する部品を含むことができる。さらに、その
ような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レン
ズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、
２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク
・テーブル）を有する種類のものであることがある。そ
のような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテー
ブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１
つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１
つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われること
がある。双子ステージ・リソグラフィ装置は、例えば、
米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９
８／４０７９１に記載されている。これらを参照して、
本明細書に組み込む。
【０００６】基板テーブルに取り付けることができるイ
メージ・センシング・デバイスを使用してパターン形成
手段中にあるマーク・パターンを測定し、レンズが最も
良く合焦する平面およびレンズ収差を決定し、パターン
形成手段に対して基板テーブルを位置合わせする。現
在、イメージ・センサは、格子形状にすることができる
検出構造の後方に位置するいくつかの別々のセンサを含
む。一般には、１タイプの検出構造が１つのセンサの上
にあり、いくつかの検出構造およびそのそれぞれのセン
サが、上述のようなパターンの特徴を決定する必要があ
る。検出構造は、一般に、単一のプレートに加工するこ
とができ、その後方に別個のセンサが位置している。別
々のセンサを使用すると、隣接するセンサ間にかなり大
きな距離が必要になる。これにより、相補的なセンサお
よび検出構造をいくつか含む撮像デバイスはかなり大き
くなり、このことは、使用する照明フィールドが狭いと
きに問題になり、また像面の縁部での測定を制限するこ
とになる。さらに、ここでセンサの上に構築したプレー
トは、検出構造を作製してこれらを個別のセンサの上に
取り付けるための機械的処置により、平坦にならない。
これにより、全ての検出構造が同時に最も良く焦点の合
った状態にならないので、取込みに問題が生じることに
なる。
【０００７】特に、１０から１５ｎｍの範囲となる極紫
外線などの波長の短い放射を使用するときには、照明フ
ィールドはさらに狭くなり、検出構造を置く面の平坦さ
についての要件はさらに厳しくなる。また、放射の波長
が短くなると、検出構造を置く面をさらに薄くし、検出
構造の線幅も小さくする必要がある。基板テーブルの高
さおよび傾斜を決定するために使用することができるレ
ベル・センサには、非常に平坦なイメージ・センシング
・プレートも必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、寸法
が小さくなるように極めて接近して位置することができ
る別個のセンサおよびそのそれぞれの検出構造を有する
イメージ・センシング・デバイスを提供することであ
る。
【０００９】本発明の別の目的は、様々な検出構造が明
確に画定された一平面内に収まるように非常に平坦な前
面を有するイメージ・センシング・デバイスを提供する
ことである。
【００１０】本発明のさらに別の目的は、その寸法が温
度変化の影響を極めて受けにくいイメージ・センシング
・デバイスを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上その他の目的は、本
発明により、投射放射ビームを供給する放射システム
と、所望のパターンに従って投射ビームをパターン形成
してパターン形成された投射ビームを生じる働きをする
パターン形成手段を支持する支持構造と、基板を保持す
る基板テーブルと、パターン形成されたビームを基板の
目標部分に投射する投射システムと、少なくとも１つの
放射線感応センサをその第１の側面に備えたスラブ、お
よび投射ビームの放射を透過させない材料の膜を含む、
パターン形成された投射ビームのパターンを測定するイ
メージ・センシング・デバイスであって、前記センサが
前記スラブの一体部品であり、かつ投射ビームの放射に
感応し、前記膜がスラブの第１の側面上に前記センサを
覆って設けられ、かつ投射ビームの放射を前記センサま
で選択的に通すパターン形成された区画を前記センサの
上に有するイメージ・センシング・デバイスとを含み、
前記スラブが、第１の表面の反対側の第２の表面で、約
１２×１０-6Ｋ-1未満の熱膨張係数を有する材料で作製
した中間プレートのスラブ支承表面上に取り付けられる
ことを特徴とする、リソグラフィ投射装置において達成
される。
【００１２】これにより、半導体製造技術を使用して、
好ましくはシリコン・ウェハなどの半導体材料のウェハ
などの材料のスラブに正確にセンサを作製することがで
き、このスラブは、研磨されて非常に平坦な表面を有す
ることが好ましい。次いで、やはり研磨して非常に平坦
なスラブ支承面を有することが好ましい中間プレート上
にスラブを取り付けることにより、機械的な安定性およ
び極めて良好な全体の平坦さを達成する。スラブの中間
プレートへの直接接合は、非常に強力かつ効率的な取付
け手段であることが分かっている。センサへの電気接続
を、スラブおよび中間プレートを通してさらに別の電子
機器まで設けることができるので有利である。
【００１３】本発明のさらに別の態様によれば、リソグ
ラフィ投射装置であって、投射放射ビームを供給する放
射システムと、所望のパターンに従って投射ビームをパ
ターン形成してパターン形成された投射ビームを生じる
働きをするパターン形成手段を支持する支持構造と、基
板を保持する基板テーブルと、パターン形成されたビー
ムを基板の目標部分に投射する投射システムと、少なく
とも１つの放射線感応センサをその第１の側面に備えた
スラブ、および投射ビームの放射を透過させない材料の
膜を含む、パターン形成された投射ビームのパターンを
測定するイメージ・センシング・デバイスであって、前
記センサが前記スラブの一体部品であり、かつ投射ビー
ムの放射に感応し、前記膜がスラブの第１の側面上に前
記センサを覆って設けられ、かつ投射ビームの放射を前
記センサまで選択的に通すパターン形成された区画を前
記センサの上に有するイメージ・センシング・デバイス
とを含み、少なくとも２つの隣接するセンサが設けら
れ、前記センサの１つが前記パターン形成された投射ビ
ームの断面のパターン形成されていない領域の強度を測
定するようになされ、他の１つが、前記パターン形成さ
れた投射ビームの前記断面の隣接するパターン形成され
た領域を測定するようになされ、前記材料膜およびパタ
ーン形成された区画が両センサを覆って設けられ、前記
膜の前記パターン形成された区画が、少なくとも前記区
画にわたってほぼ等しい幅を有する透過構造を含む、リ
ソグラフィ投射装置が提供される。
【００１４】本発明のさらに別の態様によれば、デバイ
スを製造する方法であって、放射線感応材料の層で少な
くとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、放
射システムを使用して投射放射ビームを供給するステッ
プと、パターン形成手段を使用して投射ビームの断面に
パターンを与えるステップと、パターン形成された放射
ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投影するステ
ップと、少なくとも１つの放射線感応センサをその第１
の側面に備えたスラブ、および投射ビームの放射を透過
させない材料の膜を含み、前記センサが前記スラブの一
体部品であり、かつ投射ビームの放射に感応し、前記膜
がスラブの第１の側面上に前記センサを覆って設けら
れ、かつ投射ビームの放射を前記センサまで選択的に通
すパターン形成された区画を前記センサの上に有するイ
メージ・センシング・デバイスを使用して、パターン形
成された投射ビームのパターンを測定するステップとを
含み、前記スラブが、第１の表面の反対側の第２の表面
で、約１２×１０-6Ｋ-1未満の熱膨張係数を有する材料
で作製した中間プレートのスラブ支承表面上に取り付け
られることを特徴とする、デバイスを製造する方法が提
供される。
【００１５】本明細書では、本発明による装置をＩＣの
製造に使用する場合について特に言及するが、この装置
はその他にも多くの分野に適用することができることを
理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学系、
磁区メモリの誘導および検出パターン、液晶ディスプレ
イ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に利用すること
もできる。当業者なら、このような代替の適用分野の状
況では、本明細書で任意に使用した「レチクル」、「ウ
ェハ」、「ダイ」などの用語はそれぞれ「マスク」、
「基板」、「目標部分」など、より一般的な用語で置き
換えられているものと見なすべきであることを理解する
であろう。
【００１６】本明細書では、「放射」および「ビーム」
という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば３６５、２
４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍのは長を有す
る）や極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの
範囲の波長を有する）などの全ての種類の電磁放射、な
らびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを
含むものとして使用している。
【００１７】以下、例示のみを目的として、対応する参
照符が対応する部分を指す添付の概略図を参照して、本
発明の実施形態について説明する。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の特定の実施形態
によるリソグラフィ投射装置を示す概略図である。この
装置は以下を含む。投射放射ビームＰＢ（例えばＵＶま
たはＥＵＶ放射）を供給する放射システムＥｘ、ＩＬ。
この特定の場合では、放射システムは放射源ＬＡも含
む。マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスク・
ホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位
置決めするための第１の位置決め手段に接続されたた第
１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）Ｍ
Ｔ。基板Ｗ（例えばレジストで被覆したシリコン・ウェ
ハ）を保持する基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段
に接続された第２のオブジェクト・テーブル（基板テー
ブル）ＷＴ。マスクＭＡの照射部分を基板Ｗの目標部分
Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影する投
射システム（レンズ）ＰＬ（例えば反射、屈折、または
反射屈折性のレンズ設計）。
【００１９】ここで述べたように、この装置は反射タイ
プである（すなわち反射マスクを有する）。しかし、一
般には、例えば透過タイプ（透過マスクを備える）であ
ってもよい。あるいは、この装置では、上述のようなタ
イプのプログラム可能なミラー・アレイなど、別の種類
のパターン形成手段を利用することもできる。
【００２０】放射源ＬＡ（例えばエキシマ・レーザ、レ
ーザ生成プラズマ源、または放電プラズマ源）は、放射
ビームを生成する。このビームは、直接、または例えば
ビーム拡大器などの調整手段を通った後で、照明システ
ム（照明器）ＩＬに送られる。照明器ＩＬは、ビームの
強度分布の外側および／または内側の径方向範囲（それ
ぞれ一般にσ外径、σ内径と呼ばれる）を設定する調節
手段ＡＭを含むことができる。さらに、一般に照明器
は、積分器ＩＮや集光レンズＣＯなど、その他の様々な
構成部品を含むことになる。このようにして、マスクＭ
Ａに入射したビームＰＢは、その断面で所望の均一性お
よび強度分布を有する。
【００２１】図１に関して、放射源ＬＡはリソグラフィ
投射装置のハウジング内にあることもある（放射源ＬＡ
が例えば水銀ランプである場合にはよく見られる）が、
リソグラフィ投射装置から離れており、放射源が生成し
た放射ビームを（例えば適当な方向ミラーを援用して）
装置に導入することもできることに留意されたい。この
後者のケースは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである
場合によく見られる。本発明およびその特許請求の範囲
は、この両方のケースを含む。
【００２２】その後、ビームＰＢは、マスク・テーブル
ＭＴ上に保持されたマスクＭＡに当たる。ビームＰＢ
は、マスクＭＡで選択的に反射された後で、レンズＰＬ
を通過し、このレンズによって基板Ｗの目標部分Ｃ上に
収束する。第２の位置決め手段（および干渉測定手段Ｉ
Ｆ）を援用して基板テーブルＷＴを正確に移動させ、例
えば様々な目標部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決め
することができる。同様に、例えばマスク・ライブラリ
からマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査
中に、第１の位置決め手段を使用して、ビームＰＢの経
路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができ
る。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動
は、図１には明示していないが、長行程モジュール（粗
い位置決め）および短行程モジュール（精密な位置決
め）を援用して実現する。しかし、ウェハ・ステッパの
場合（走査ステップ装置とは対照的）には、マスク・テ
ーブルＭＴは、短行程アクチュエータに接続するだけで
よい、または固定してもよい。マスクＭＡと基板Ｗは、
マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２および基板位置合わ
せマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることがで
きる。
【００２３】図示の装置は、以下の異なる２つのモード
で使用することができる。１．ステップ・モードでは、
マスク・テーブルＭＴは基本的に静止状態に保ち、マス
ク像全体を一度で（すなわち一度の「フラッシュ」で）
目標部分Ｃ上に投射する。次いで、基板テーブルＷＴを
ｘ方向および／またはｙ方向に変位させ、別の目標部分
ＣにビームＰＢを照射できるようにする。２．走査モー
ドも、基本的には同じ流れで行われるが、所与の目標部
分Ｃを一度の「フラッシュ」で露光しない。そのかわり
に、マスク・テーブルＭＴを速度ｖで所与の方向（いわ
ゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に移動可能とし、投
射ビームＰＢでマスク像を走査できるようにしている。
同時に、基板テーブルＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同じまたは
反対の方向に移動させる。ここでＭはレンズＰＬの倍率
（通常はＭ＝１／４または１／５）である。このように
して、解像度を落とすことなく、比較的大きな目標部分
Ｃを露光することができる。
【００２４】イメージ・センシング・デバイス（イメー
ジ・センサ）１１０を含むセンサ・プレート１００は、
基板テーブルＷＴ上に取り付けられ、イメージ・センサ
を使用して、マスク・テーブルＭＴ上のマスクのパター
ンの空中像を測定する。この測定により、レンズ収差、
レンズ倍率、およびレンズの焦点面を決定することがで
きるが、基板テーブルとマスク・パターン（マスク・テ
ーブル）の位置合わせも行うことができる。
【００２５】図２は、イメージ・センサの断面図であ
る。イメージ・センサは、ダイオード技術をベースにし
たものである。シリコン・フォトダイオードは、光子に
反応する半導体デバイスである。光子は、吸収されると
電子−正孔対を生成し、入射したパワーに比例した外部
電気回路を流れる電流を生成する。フォトダイオード
は、少量の光の存在または変動を検出するために使用す
ることができ、１１桁のダイナミック・レンジを有する
強度を極めて正確に測定するように較正することができ
る。
【００２６】図２のイメージ・センサは、必要な平坦さ
（超平坦）および６００から１０００μｍの厚さが得ら
れるように両面を研磨したシリコン・ウェハ１０１（ま
たはゲルマニウム（Ｇｅ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）
など別の半導体材料のウェハ）に作製される。ウェハの
片面（表面とする）には、１から１０μｍのシリコンの
薄層１０２をエピタキシャル成長させ、この層の中で、
リソグラフィ投射法やイオン注入法を含む既知の半導体
製造技術の技法によってウェハ中の数ヶ所にダイオード
１１１を加工する。ダイオードは、図２では概略的にし
か示していない。ダイオードまでの電子接点１２０は、
ウェハの反対側（裏面とする）から加工する。これらの
接点は、表面にあるダイオードのイオン注入領域１１２
までウェハを貫通する孔を裏面にエッチングし、エッチ
ングした孔に導電性のタングステンを充填することによ
って作成される。タングステン・ピラーは、ウェハ裏面
でそれより大きなボンド・フラップ１２１に電気的に接
続され、このボンド・フラップが、加工中の電子機器に
接続されることになる。別の実施形態では、この段階で
は、エッチングした孔を開いた状態で残しておく。後
に、例えば中間ベース・プレート上に取り付けるとき
に、これらを完全にまたは部分的に（例えば壁面のみ、
など）導電性接着剤で充填することができる。
【００２７】ダイオードを加工したウェハの表面を、プ
ラズマ・エッチングの停止および保護層として働く１０
から２０ｎｍの厚さの窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）層１０３
で被覆する。その後、５０から１００ｎｍの厚さの金属
層１０４を、窒化ケイ素層の上面にスパッタリングす
る。既知のリソグラフィ投射技法を使用してシリコンダ
イオード１１１の上の金属層にマーカ・パターン１１３
をプラズマ・エッチングし、マーカ・パターンを画定す
る。フォトダイオードの上のパターン形成された金属層
は、そのパターンに従ってＥＵＶ放射を選択的にフォト
ダイオードまで通す。さらに、１００ｎｍ程度の追加の
ジルコニウム（Ｚｒ）層を、ダイオードの上、例えば図
示の実施形態では層１０３のすぐ下に設けることができ
る。このようなジルコニウム層を設けると、深紫外線お
よび可視光線が効果的に遮断され、入射したＥＵＶ放射
の７０％程度がその下のダイオードに届くことになる。
したがって、放射を遮断しても、センサのダイナミック
・レンジおよび信号対雑音比が低下する、あるいはその
他の形でＥＵＶ放射の空中層の検出が影響を受けること
はない。
【００２８】センサ・プレート１００の大部分はシリコ
ン・ウェハであり、その中にマーカ・パターンで覆われ
たいくつかのフォトダイオードが設けられている。図３
は、イメージ・センサ・プレート１００が中間ベース・
プレート２００の上面によって担持されて、安定し、イ
メージ・センサの加工中の電子機器３００を担持するよ
うになっている状態を示している。ベース・プレート
は、上面および下面を両方とも研磨され、上面は超平坦
な仕様に従って研磨される。イメージ・センサおよびベ
ース・プレートは、ともに基板テーブルＷＴ上に取り付
けられる。ベース・プレートは、Ｚｅｒｏｄｕｒｅ（商
標）（Ｓｃｈｏｔｔ ｇｌａｓｓ社（Ｈａｔｔｅｎｂｅ
ｒｇｓｔｒａｓｓｅ １０、５５１２０、Ｍａｉｎｚ、
ドイツ）より入手できる材料）やＵＬＥ（商標）（Ｃｏ
ｒｎｉｎｇ社（１ Ｒｉｖｅｒ Ｆｒｏｎｔ Ｐｌａｚ
ａ、Ｃｏｒｎｉｎｇ、ＮＹ １４８３１）より入手でき
る材料）などのガラスセラミック材料（好ましい特性を
得るためにセラミックをいくらか添加したガラス）など
の熱膨張の少ない材料、または１２×１０-6Ｋ-1未満の
熱膨張係数を有する石英などのガラスで作成されること
が好ましい。これらの材料でセンサ・プレートを作製す
ることも考えられる。
【００２９】図３の左側に示すように、接着剤を使用し
て、イメージ・センサ・プレート１００をベース・プレ
ート２００に取り付けることができる。そのために、収
縮した後でセンサ・プレートをベース・プレートに対し
て引き付ける接着剤１３０を収容する溝２１０を上面に
設ける。センサ・プレートは、直接接合（２つの（極め
て平坦な）面の間の物理的な引力）によってベース・プ
レートに取り付けることもでき、この場合はセンサ・プ
レート１００の表面全体をより良好に平坦にすることが
できる。直接接合に適した実施形態では、二酸化ケイ素
層の物理的特性が石英ベース・プレートに似ていること
から、石英ベース・プレートへの直接接合のために、セ
ンサ・プレートの裏面に二酸化ケイ素層（例えば厚さ１
０から１０００ｎｍ）を設ける。直接接合の一般的な要
件は、接触面の清浄度および平坦さが良好であることで
ある。直接接合の場合、図３の右側に示すように、セン
サ・プレートに極めて平坦な面を与えて支持することに
なる。
【００３０】イメージ・センサのための前置増幅電子機
器を含む電子回路プレート３００を取り付けるために、
ベース・プレートに空洞２２０を形成する。例えば、ベ
ース・プレートの厚さを６ｍｍとし、空洞の深さを３ｍ
ｍとすることができる。センサ・プレートと電子回路プ
レートを電気的に接続するために、ベース・プレートに
孔を開けることができる。これらの孔は、装置全体を組
み立てた後でセンサ・プレートおよび電子回路プレート
のそれぞれのボンド・フラップと接触する何らかの導電
性接着剤（エポキシ）で充填することができる。導電性
接着剤を使用してそれぞれのボンド・フラップに接続さ
れた孔を通して、ロッド２３０（例えば金製のロッド、
または金めっきした鋼製のロッド）を設けることもでき
る。電子回路プレート３００は、例えばシリコンゲルを
使用するなど、様々な方法でベース・プレート中の空洞
に取り付けることができる。一般的には、センサ・プレ
ートを最初にベース・プレートに取り付け、その後、ベ
ース・プレート中の孔を通して電気接続を形成し、電子
回路プレートを取り付ける。電子回路プレートからさら
に、システム中の他の箇所にあるさらに別の加工中の電
子機器までの電気接続を形成する。
【００３１】ベース・プレート２００は、例えば磁石２
５０による磁気結合など、何らかの脱着可能な方法で基
板テーブルＷＴに取り付けられ、保守のために取り外す
ことができるようになっている。基板は、真空状態で基
板をチャックに引き付け、かつチャックを基板テーブル
に引き付けて基板を保持する両面静電チャックを使用し
て、基板テーブル上に保持することができる。センサ・
プレート１００の上面は、基板の上面と同一平面にある
か、またはできる限りこれに近いことが好ましい。様々
なタイプおよび厚さのチャックをこの目的のために利用
することができる。ベース・プレートと基板テーブルの
間でスペーサ・プレート２６０を使用し、それにしたが
ってセンサ・プレートおよびベース・プレートのアセン
ブリの厚さを調節することができる。このようなスペー
サは、ベース・プレートを基板上に保持する磁石２５０
の周りに設けることが好ましく、また、直接接合によっ
てベース・プレートに取り付けることもできる。
【００３２】例えばＥＵＶプラズマ源が作動したことに
よる電磁放射などの外部の電磁気的影響から、空洞２２
０内の電子機器およびベース・プレート２００を通る電
気接続を保護するために、ベース・プレートの全体また
は一部を、十分な厚さの金属層２０１で覆うことが好ま
しい。ほとんどの金属では、１Ｈｚから１ＧＨｚ程度の
無線周波電磁放射を遮断するには、１μｍ程度の層厚で
十分である。金属層は、ベース・プレートの外側表面上
にスパッタリングで形成することができる。導電性が高
く、酸化しにくく、スパッタ層の品質が高いことから、
金属としてはクロムが好ましい。センサ・プレートを直
接接合でベース・プレートに取り付ける場合には、ベー
ス・プレート表面上の後の段階でセンサ・プレートを直
接接合することになる部分には金属層を形成しないよう
にしなければならない。そのために、金属層２０１を形
成している間、ダミー・センサ・プレートをベース・プ
レート上に配置しておく。窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）スキ
ン層を有するシリコン・ウェハは、ダミー・プレートの
容易な取外しおよび一様な直接接合を保証するので、ダ
ミー・プレートとして使用することができる。ダミー・
プレートは、それほど強くない機械的力で、または無極
流体を用いて取り外すことができる。センサ・プレート
１００をベース・フレート２００の被覆されていない領
域に取り付けた後で、例えばセンサ・プレートの外周部
に沿った導電性接着剤により、センサ・プレートと金属
層２０１の間の電気接続を確立する。層２０１は、例え
ば、アセンブリ全体を基板テーブルＷＴ上に取り付けた
ときに、大地電位に接続される。直接接合によってスペ
ーサ・プレートをベース・プレートに取り付ける場合に
は、スペーサ・プレートのための領域をあけておかなけ
ればならない。
【００３３】図４は、ウェハに加工した、ＥＵＶ放射を
検出するためのフォトダイオードの一例の断面をより詳
細に示す図である。ｐ型エピタキシャル成長シリコン層
１０２を、ｐ型基板（シリコン・ウェハ）１０１上で成
長させる。エピタキシャル層１０２中の欠陥のないｎ型
領域１０６の両側に、ｎ型領域１０５ならびにｐ型領域
１０７を設ける。フィールド酸化膜１０８でこれらのｎ
型領域およびｐ型領域を覆い、ｎ型領域およびｐ型領域
と接触する電気接点１２０を形成する。検出のために放
射を入射させる欠陥のないｎ型領域１０６の上に、厚さ
数ナノメートルの白金シリサイドまたはチタンシリサイ
ドの層１０９を設ける。金属層１０４のパターン形成さ
れた領域１１３は、欠陥のないｎ型領域１０６の上に設
けられる。
【００３４】空中像を感知するために、それぞれ独自の
パターンが最上部の金属層に形成されたいくつかのフォ
トダイオードをセンサ・プレート１００上に設ける。図
５のＡは、それぞれのフォトダイオードの上に設けられ
る、連続した４つの隣接したイメージ・センサ・マーク
・パターンを示す図である。各パターンは、例えば２０
０μｍ×２００μｍの正方形であり、各パターン（およ
びそれぞれのダイオード）は互いに例えば約２００μｍ
離間している。この連続したパターンは、−４５°のマ
ーク４１３、ｘ方向のマーク４１１、ｙ方向のマーク４
１２、および＋４５°のマーク４１４を含む。これらの
パターンは、特定のピッチおよび線幅を有し、かつその
線が図示のように配向された格子である。この透過構造
の幅（本明細書では溝幅または線幅と呼ぶ）は１００ｎ
ｍ程度、例えば３０から３００ｎｍであり、ピッチは１
μｍ程度、例えば０．３から９μｍにすることができ
る。
【００３５】図５のＢおよび図５のＣは、図５のＡのセ
ンサ・マーク・パターンの連続と協働する２通りのマス
ク・マーク・パターンの連続を示す図である。図５のＢ
の連続は、レシオ・マーク４２０、ｘ方向のマーク４２
１、ｙ方向のマーク４２２、およびレシオ・マーク４２
０を含み、図５のＣの連続は、−４５°のマーク４２
３、２つのレシオ・マーク４２０、および＋４５°のマ
ーク４２４を含む。これらのマークは、マスク上に設け
られた一定反射領域であるレシオ・マークを除けば、上
記と同様の格子である。これらは、例えば全反射または
５０％反射にすることができる。連続したマスク・マー
クの第１のマークはそれぞれ、連続したセンサ・マーク
の第１のマークに投影され、第２のマスク・マークはそ
れぞれ第２のセンサ・マークに投影され、以下同様に続
く。マスク・マークの外形寸法は、マスク・マークおよ
びイメージ・センサ・マークを相対的に走査動作させる
ことができるように、マスク・マークの像が一般に大き
く、または対応するイメージ・センサ・マークより小さ
くなるように選択される。ただし、マスク・マークの像
のピッチおよび線幅の寸法は、一般にそれぞれのイメー
ジ・センサ・マークに対応することになる（レンズの拡
大（縮小）倍率を考慮に入れる）。
【００３６】図示のマークは、マーク全体で一定のピッ
チおよび線幅を有する。一般に、ピッチおよび線幅は、
例えば異なる線幅を有する線（本明細書の文脈では溝と
も呼ぶ）の三重線にするなど、マーク全体で変化させる
こともできる。さらに、追加の機能のために、例えば、
マーク全体で線幅を等しくし、各三重線（溝）ごとにピ
ッチを変化させる、あるいは線幅およびピッチを両方と
もマーク全体で変化させることもできる。
【００３７】ｘ方向およびｙ方向に走査し、図５のＢの
マスク・マークの連続を図５のＡのセンサ・マークの連
続に投影してｘ方向およびｙ方向のマークについての空
中像情報を生じると、−４５°のマークはそれぞれのフ
ォトダイオードとともにレシオ・センサの役割を果たす
一様な強度分布を生じる。これらのレシオ・センサによ
って検出した信号を使用して、格子およびそのそれぞれ
のフォトダイオードによって生じた信号を正規化し、放
射源の変動を補正する。図５のＣの連続は、４５°の方
向についての空中像情報を生じる。
【００３８】レシオ・マスク・マーク４２０の外形寸法
は、格子マスク・マークの外形寸法と同じものとして示
してある（レンズの拡大（縮小）倍率を考慮に入れ
る）。しかし、一方のレシオ・マスク・マークの寸法は
それぞれのイメージ・センサ・マークより小さくなるよ
うに選択し、走査しながらの粗い取込み方式のために他
方のレシオ・マスク・マークの寸法はそれぞれのイメー
ジ・センサ・マークより大きくなるように選択すること
もできる。その後、走査によって、それぞれのイメージ
・センサ・マークの取込み範囲小さなレシオ・マーク・
スポットの位置を生じ、レシオ・マスク・マークより小
さいイメージ・センサ・マークの信号を使用して、対応
する信号を放射源の変動について補正することができ
る。
【００３９】図６は、２通りの代替のイメージ・センサ
・マークの連続を示す図であり、上側のセットはレシオ
・マーク４１０、ｙ方向マーク４１２、ｘ方向マーク４
１１、およびもう１つのレシオ・マーク４１０を含み、
下側の連続は、レシオ・マーク４１０、−４５°のマー
ク４１３、＋４５°のマーク４１４、およびもう１つの
レシオ・マーク４１０を含む。レシオ・マーク４１０の
正方形の透過表面積は、ｘ方向マーク４１１およびｙ方
向マーク４１２の透過表面積ならびに−４５°のマーク
４１３および＋４５°のマーク４１４の透過表面積と等
しい。これらのイメージ・センサ・マークの連続ととも
に使用されるマスク・マークの連続は、イメージ・セン
サ・マークの連続の構成を反映している。前述の実施形
態では１つの連続しか必要でなかったが、この実施形態
では、ｘ、ｙ、−４５°、および＋４５°の情報を得る
ために、イメージ・センサ・マークの連続を２つ提供す
る。マークの寸法については、上述と同様である。図６
では、マーク・パターンの下にあるフォトダイオードの
外形寸法もファントムとしてさらに示してある。
【００４０】ただし、レシオ・マークを、隣接するイメ
ージ・センサ・マーク・パターンの線幅と等しい溝幅
（本明細書では線幅とも呼ぶ）を有するフォトダイオー
ドの上の格子の形態にし、レシオ・センサおよびイメー
ジ・センサの両方でスペクトル感度が同じになるように
すると有利である。さらに、これらの格子を同じ方向に
して、偏光依存性を等しくすることも好ましい。ピッチ
は、イメージ・センサと対応するレシオ・センサの間で
変えることができる。
【００４１】図６に戻ると、基板テーブルＷＴ上の基板
Ｗを基板テーブルに対して位置合わせするために使用さ
れる２つの位置合わせマーク４５０も示してある。この
目的のために、位置合わせマークは、基板テーブルＷＴ
およびイメージ・センサ・プレート１００の両方に設け
てある。位置合わせモジュールにより、位置合わせ放射
ビームを使用して位置合わせマークを基準に合わせなが
ら、干渉測定手段ＩＦを使用して基板テーブルの対応す
る位置を読み取ることができる。イメージ・センサを使
用して基板テーブルがマスクに対して位置合わせされて
いるときには、マスクに対する基板の位置も分かってい
る。図示の実施形態では、位置合わせマークは、エッチ
ングなどのリソグラフィ投射および製造方法を利用して
センサ・プレートの表面に設けた位相マークである。こ
のような技術により、位置合わせマークおよびイメージ
・センサ・マークを互いに対して高い確度で加工するこ
とができ、このことは、マスク中のパターンに対して基
板を正確に位置決めすることを可能にする上で非常に有
利である。
【００４２】イメージ・センサ・マーク、レシオ・マー
ク、その下のフォトダイオード、および位置合わせマー
クのセットを、センサ・プレート上に複数も受けること
ができる。各マークのセットは、特定の目的および／ま
たは測定のために設計することができる。図７は、セン
サ・プレート上にある図６のセットに対応する複数のセ
ットを示す図である。
【００４３】図８は、基板Ｗをその上に配置した基板テ
ーブルＷＴを示す上面図である。センサ・プレート１０
０は、基板テーブルの隅、基板位置の隣に位置する。任
意選択で、別の隅に別のセンサ・プレートを配置するこ
ともできる。その他の種類のセンサをその他の隅に配置
することもできる。
【００４４】図９のＡおよびＢはそれぞれ、６インチ・
ウェハおよび４インチ・ウェハからどのようにしてセン
サ・プレート１００を切り出すかを示す図である。ファ
ントムで示す領域に、半導体製造技術を使用して上述の
イメージ・センサおよびマークを加工する。レベル・セ
ンサ（図示せず）によって反射領域を用いて、基板テー
ブルの高さおよび傾きを決定することもできる。
【００４５】上述のイメージ・センサおよびレシオ・セ
ンサを使用して、投射ビームの強度を測定し、投影プロ
セスで基板に入射させる放射線量を制御することもでき
る。しかし、これらのセンサは、主にＥＵＶ放射の下で
の炭化水素分子のクラックによる（アモルファス）炭素
層によって、時間経過とともに汚染されることになる。
炭素はＥＵＶ放射の高い吸収を示し、入射したＥＵＶ放
射の１％は厚さ０．５ｎｍの炭素層に吸収される。厚さ
の分からない炭素層が存在すると、較正ＥＵＶ放射線量
の測定にイメージ・センサ（および／またはレシオ・セ
ンサ）を使用することができなくなる。可視光、または
赤外線を使用して、炭素層の厚さを正確に測定し、吸収
されたＥＵＶ放射についての補正を行うことができるよ
うにし、短い間隔でセンサを洗浄しなくても済むように
することもできる。
【００４６】４００から１１００ｎｍの間の放射は、そ
の放射が溝に対して垂直に偏光している場合（ＴＥ偏光
に対してＴＭ偏光）には、１００ｎｍ程度の幅を有する
溝にある程度まで進入することができることが分かっ
た。このような放射はフォトダイオードの上でマーク構
造となり、４００ｎｍ超の放射に感応するフォトダイオ
ードによって検出されることになる。
【００４７】さらに、４００から１１００ｎｍの範囲の
放射は、（アモルファス）炭素層によって吸収されやす
く（ＥＵＶ放射の場合より吸収率が高い）、炭素層の厚
さを正確に決定することができることが分かっている。
４００から１１００ｎｍの範囲の放射ビームの一部を、
ビーム・スプリッタを使用して分割し、参照検出器に向
けて送り、強度変動を補正することができる。ＥＵＶ放
射の場合はこの参照センサに入射しないので、入射ＥＵ
Ｖ放射によって炭化水素がクラックすることによる参照
センサ上の炭素の堆積を生じない。したがって、基準セ
ンサは清浄なままとなる。極めて安定した光源の場合に
は、参照ブランチを利用しないこと、およびＴＭ偏光放
射を利用しないことを企図することもできる。
【００４８】以上、本発明の特定の実施形態について述
べたが、上述以外の方法で本発明を実施することもでき
ることを理解されたい。上記の説明は、本発明を限定す
るものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ投射装置
を示す概略図である。
【図２】図１の装置の一部であるイメージ・センシング
・デバイスの概略断面図である。
【図３】図１に示す基板テーブルに取り付けられた図２
のイメージ・センシング・デバイスを示す概略図であ
る。
【図４】イメージ・センシング・デバイスの一部である
センサをさらに詳細に示す図である。
【図５】Ａは、イメージ・センシング・デバイスにおい
て各センサの上にある隣接するイメージ・センサ・マー
カを示す図であり、ＢはＡのセンサ・マークと協働する
様々なマークを示す図であり、ＣはＡのセンサ・マーク
と協働する様々なマークを示す図である。
【図６】さらに別の２組のイメージ・センサ・マークお
よび隣接する位置合わせマークを示す図である。
【図７】イメージ・センサ・マークおよび位置合わせマ
ークのいくつかのセットを含むイメージ・センサ・プレ
ートの領域を示す図である。
【図８】基板およびイメージ・センサ・プレートを保持
する基板テーブルを示す上面図である。
【図９】Ａは、６インチのウェハから加工した、本発明
による２枚のイメージ・センサ・プレートを示す図であ
り、Ｂは１枚の４インチのウェハから加工した、本発明
による１枚のイメージ・センサ・プレートを示す図であ
る。
【符号の説明】 １００ センサ・プレート １１３ マーカ・パターン １３０ 接着剤 ２００ ベース・プレート ２６０ スペーサ・プレート ３００ 電子回路プレート
フロントページの続き (72)発明者 ヤン エヴェルト ファン デル ウェル フ オランダ国 ワールレ、フェルドドレーフ ４ (72)発明者 ハイコ ヴィクトル コック オランダ国 エインドホーヴェン、リッダ ーザール 69 Ｆターム(参考） 5F046 BA03 DB05 DB11 DC11 GA14 GB09

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リソグラフィ投射装置であって、 投射放射ビームを供給する放射システムと、 所望のパターンに従って投射ビームをパターン形成して
    パターン形成された投射ビームを生じる働きをするパタ
    ーン形成手段を支持する支持構造と、 基板を保持する基板テーブルと、 パターン形成されたビームを基板の目標部分に投射する
    投射システムと、 少なくとも１つの放射線感応センサをその第１の側面に
    備えたスラブ、および投射ビームの放射を透過させない
    材料の膜を含む、パターン形成された投射ビームのパタ
    ーンを測定するイメージ・センシング・デバイスであっ
    て、前記センサが前記スラブの一体部品であり、かつ投
    射ビームの放射に感応し、前記膜がスラブの第１の側面
    上に前記センサを覆って設けられ、かつ投射ビームの放
    射を前記センサまで選択的に通すパターン形成された区
    画を前記センサの上に有するイメージ・センシング・デ
    バイスとを含み、 前記スラブが、第１の表面の反対側の第２の表面で、約
    １２×１０-6Ｋ-1未満の熱膨張係数を有する材料で作製
    した中間プレートのスラブ支承表面上に取り付けられる
    ことを特徴とする、リソグラフィ投射装置。
  2. 【請求項２】 前記中間プレートの前記材料がガラスま
    たはガラス・セラミックを含む、請求項１に記載の装
    置。
  3. 【請求項３】 前記材料がＵＬＥ（商標）、Ｚｅｒｏｄ
    ｕｒ（商標）、または石英を含む、請求項２に記載の装
    置。
  4. 【請求項４】 前記中間プレートのスラブ支承表面が研
    磨されている、請求項１、請求項２、または請求項３に
    記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記スラブの第１および第２の表面の少
    なくとも一方が研磨されている、請求項１から請求項４
    までのいずれか一項に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記スラブが、直接接合によって前記中
    間プレートに取り付けられた、請求項１から請求項５ま
    でのいずれか一項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記放射線感応センサへの電気接続が、
    前記スラブの第２の表面から前記スラブを通して設けら
    れた、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載
    の装置。
  8. 【請求項８】 前記電気接点が、前記第２の表面から前
    記スラブを貫通して設けた、金属を充填したコンタクト
    ・ホールを含む、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 前記スラブの第２の表面から前記中間プ
    レートを通してさらに別の電気接続が設けられた、請求
    項７または請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記スラブの第２の側面が前記電気接
    続に電気的に接続された電気接触パッドを備えた、請求
    項７、請求項８、または請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 スラブが、半導体製造技術を使用して
    前記センサがその中に作製された半導体材料のウェハを
    含む、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記
    載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記半導体材料がシリコンを含む、請
    求項１１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記センサが放射線感応ダイオードで
    ある、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記
    載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記スラブが複数の放射線感応センサ
    を含む、請求項１から請求項１３までのいずれか一項に
    記載の装置。
  15. 【請求項１５】 スラブの前記第１の側面が、前記基板
    テーブルを基準に対して位置合わせするための少なくと
    も１つの位置合わせマークをさらに含む、請求項１から
    請求項１４までのいずれか一項に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 リソグラフィ投射装置であって、 投射放射ビームを供給する放射システムと、 所望のパターンに従って投射ビームをパターン形成して
    パターン形成された投射ビームを生じる働きをするパタ
    ーン形成手段を支持する支持構造と、 基板を保持する基板テーブルと、 パターン形成されたビームを基板の目標部分に投射する
    投射システムと、 少なくとも１つの放射線感応センサをその第１の側面に
    備えたスラブ、および投射ビームの放射を透過させない
    材料の膜を含む、パターン形成された投射ビームのパタ
    ーンを測定するイメージ・センシング・デバイスであっ
    て、前記センサが前記スラブの一体部品であり、かつ投
    射ビームの放射に感応し、前記膜がスラブの第１の側面
    上に前記センサを覆って設けられ、かつ投射ビームの放
    射を前記センサまで選択的に通すパターン形成された区
    画を前記センサの上に有するイメージ・センシング・デ
    バイスとを含み、 少なくとも２つの隣接するセンサが設けられ、前記セン
    サの１つが前記パターン形成された投射ビームの断面の
    パターン形成されていない領域の強度を測定するように
    なされ、他の１つが、前記パターン形成された投射ビー
    ムの前記断面の隣接するパターン形成された領域を測定
    するようになされ、前記材料膜およびパターン形成され
    た区画が両センサを覆って設けられ、前記膜の前記パタ
    ーン形成された区画が、少なくとも前記区画にわたって
    ほぼ等しい幅を有する透過構造を含む、リソグラフィ投
    射装置。
  17. 【請求項１７】 前記区画の前記透過構造が少なくとも
    ほぼ等しい向きに配向される、請求項１６に記載の装
    置。
  18. 【請求項１８】 前記区画の透過表面積を統合するとほ
    ぼ同じ規模になる、請求項１６または請求項１７に記載
    の装置。
  19. 【請求項１９】 区画の少なくとも１つが、各セットご
    とに別々のピッチを有する溝のセットを含む、請求項１
    ６、請求項１７、または請求項１８に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 区画の透過構造の幅が、３０から３０
    ０ｎｍの範囲内である、請求項１６、請求項１７、請求
    項１８、または請求項１９に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 投射放射ビームが、５から２０ｎｍの
    波長を有する極紫外線を含む、請求項１から請求項２０
    までのいずれか一項に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 デバイスを製造する方法であって、 放射線感応材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板
    を提供するステップと、 放射システムを使用して投射放射ビームを供給するステ
    ップと、 パターン形成手段を使用して投射ビームの断面にパター
    ンを与えるステップと、 パターン形成された放射ビームを放射線感応材料の層の
    目標部分に投影するステップと、 少なくとも１つの放射線感応センサをその第１の側面に
    備えたスラブ、および投射ビームの放射を透過させない
    材料の膜を含み、前記センサが前記スラブの一体部品で
    あり、かつ投射ビームの放射に感応し、前記膜がスラブ
    の第１の側面上に前記センサを覆って設けられ、かつ投
    射ビームの放射を前記センサまで選択的に通すパターン
    形成された区画を前記センサの上に有するイメージ・セ
    ンシング・デバイスを使用して、パターン形成された投
    射ビームのパターンを測定するステップとを含み、 前記スラブが、第１の表面の反対側の第２の表面で、約
    １２×１０-6Ｋ-1未満の熱膨張係数を有する材料で作製
    した中間プレートのスラブ支承表面上に取り付けられる
    ことを特徴とする、デバイスを製造する方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２に記載の方法によって製造
    されたデバイス。
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