JP2003063831A - ハードディスク用ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
ハードディスク用ガラス基板およびその製造方法Info
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便かつ低コストで製造することができる、
外周端面が十分に鏡面化されたハードディスク用ガラス
基板およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板。ガラス外周部の端面を規制することなく、ガ
ラスを上型と下型との間でプレス成形処理し、結晶化処
理またはアニール処理した後、第1ラッピング処理、第2
ラッピング処理、ポリッシング処理および洗浄処理を行
う外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板の製
造方法。ガラス外周部の端面を規制することなく、ガラ
スを上型と下型との間でプレス成形処理し、結晶化処理
またはアニール処理した後、重心を中心として中央孔を
形成する重心コアリング処理を行い、第1ラッピング処
理、内周端面精密加工処理、内周端面研磨加工処理、第
2ラッピング処理、ポリッシング処理および洗浄処理を
行う外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板の
製造方法。
外周端面が十分に鏡面化されたハードディスク用ガラス
基板およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板。ガラス外周部の端面を規制することなく、ガ
ラスを上型と下型との間でプレス成形処理し、結晶化処
理またはアニール処理した後、第1ラッピング処理、第2
ラッピング処理、ポリッシング処理および洗浄処理を行
う外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板の製
造方法。ガラス外周部の端面を規制することなく、ガラ
スを上型と下型との間でプレス成形処理し、結晶化処理
またはアニール処理した後、重心を中心として中央孔を
形成する重心コアリング処理を行い、第1ラッピング処
理、内周端面精密加工処理、内周端面研磨加工処理、第
2ラッピング処理、ポリッシング処理および洗浄処理を
行う外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板の
製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスク用ガ
ラス基板、特に外周部が加工されていないハードディス
ク用ガラス基板、およびその製造方法に関する。
ラス基板、特に外周部が加工されていないハードディス
ク用ガラス基板、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの情報記録媒体として使用
されるハードディスクは、ガラス製の円盤状基板の表面
（外周部端面を含む）に下地層、記録層および保護層を
順次、積層したタイプのものが知られており、該円盤状
基板の中心を回転中心として回転させて使用される。そ
のようなガラス基板は外周部が精密に加工され、特に、
中央孔を備えたハードディスク用ガラス基板において中
央孔はガラス基板の中心を中心として形成される。
されるハードディスクは、ガラス製の円盤状基板の表面
（外周部端面を含む）に下地層、記録層および保護層を
順次、積層したタイプのものが知られており、該円盤状
基板の中心を回転中心として回転させて使用される。そ
のようなガラス基板は外周部が精密に加工され、特に、
中央孔を備えたハードディスク用ガラス基板において中
央孔はガラス基板の中心を中心として形成される。
【０００３】ハードディスク用ガラス基板の製造方法
を、図6のフローチャートを用いて簡単に説明する。ま
ず、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラ
スを下型上に流し込み、上型によってプレス成形する
（プレス成形工程）。プレス成形工程においては、一般
に、図4および図5に示されるような方法が採用されてい
る。図4では、平面形状を有する成形面を備えた上型101
および下型102によって、ガラス素材103を単に所定厚み
にプレス成形する(特開平11-255524号公報）。図5で
は、平面形状を有する成形面を備えた上型105と下型106
との間にリング状外径規制枠107を介在させて、ガラス
素材108をプレス成形する。図5に示される方法におい
て、詳しくは、ガラス素材108はプレス成形時に外周端
面がリング状外径規制枠107と接触し、ガラス基板の外
径が規制される(特開平7-133121号公報）。
を、図6のフローチャートを用いて簡単に説明する。ま
ず、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラ
スを下型上に流し込み、上型によってプレス成形する
（プレス成形工程）。プレス成形工程においては、一般
に、図4および図5に示されるような方法が採用されてい
る。図4では、平面形状を有する成形面を備えた上型101
および下型102によって、ガラス素材103を単に所定厚み
にプレス成形する(特開平11-255524号公報）。図5で
は、平面形状を有する成形面を備えた上型105と下型106
との間にリング状外径規制枠107を介在させて、ガラス
素材108をプレス成形する。図5に示される方法におい
て、詳しくは、ガラス素材108はプレス成形時に外周端
面がリング状外径規制枠107と接触し、ガラス基板の外
径が規制される(特開平7-133121号公報）。
【０００４】プレス成形されたガラス素材（ガラス基
板）は結晶化またはアニ−ルされ、冷却される（結晶化
工程またはアニール工程）。冷却されたガラス基板は、
所望により中心部を孔開けされた後、少なくともガラス
基板の外周端部を切断されてガラス基板の外径寸法およ
び真円度が予備調整される（コアリング工程または外周
粗加工工程）。外径寸法等が予備調整されたガラス基板
は第1ラッピング処理に供され、両表面を研削加工さ
れ、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行
度、平坦度および厚みを予備調整される（第1ラッピン
グ工程）。平行度等が予備調整されたガラス基板は、少
なくとも外周端面、所望によりガラス基板における孔の
内周端面を研削されたり、面取りされて、ガラス基板の
外径寸法および真円度、孔の内径寸法、ならびにガラス
基板と孔との同心度を微調整される（端面精密加工工程
（内外））。外径寸法等が微調整されたガラス基板は、
少なくとも外周端面、所望により孔の内周端面を研磨さ
れて端面の鏡面化を行う（端面研磨加工工程（内
外））。端面を研磨されたガラス基板は両表面を再度、
研削加工され、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス
基板の平行度、平坦度および厚みを微調整される（第2
ラッピング工程）。平行度等が微調整されたガラス基板
はポリッシング工程に供されて、両表面を研磨加工さ
れ、表面の凹凸を均される（ポリッシング工程）。ポリ
ッシング加工されたガラス基材は最後に洗浄および検査
され、合格したものだけが、ハードディスク用基板とし
て使用され得る。
板）は結晶化またはアニ−ルされ、冷却される（結晶化
工程またはアニール工程）。冷却されたガラス基板は、
所望により中心部を孔開けされた後、少なくともガラス
基板の外周端部を切断されてガラス基板の外径寸法およ
び真円度が予備調整される（コアリング工程または外周
粗加工工程）。外径寸法等が予備調整されたガラス基板
は第1ラッピング処理に供され、両表面を研削加工さ
れ、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行
度、平坦度および厚みを予備調整される（第1ラッピン
グ工程）。平行度等が予備調整されたガラス基板は、少
なくとも外周端面、所望によりガラス基板における孔の
内周端面を研削されたり、面取りされて、ガラス基板の
外径寸法および真円度、孔の内径寸法、ならびにガラス
基板と孔との同心度を微調整される（端面精密加工工程
（内外））。外径寸法等が微調整されたガラス基板は、
少なくとも外周端面、所望により孔の内周端面を研磨さ
れて端面の鏡面化を行う（端面研磨加工工程（内
外））。端面を研磨されたガラス基板は両表面を再度、
研削加工され、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス
基板の平行度、平坦度および厚みを微調整される（第2
ラッピング工程）。平行度等が微調整されたガラス基板
はポリッシング工程に供されて、両表面を研磨加工さ
れ、表面の凹凸を均される（ポリッシング工程）。ポリ
ッシング加工されたガラス基材は最後に洗浄および検査
され、合格したものだけが、ハードディスク用基板とし
て使用され得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法では、ガラス基板の表面および裏面の鏡面化は達成で
きるが、外周部端面の鏡面化には限界があった。すなわ
ち、従来の方法では上記のようにガラス基板の外周部を
加工し、特に端面研磨加工工程においてはガラス基板の
外周部端面を研磨するにもかかわらず、当該端面の処理
は煩雑であり、かつ製造コストの観点から当該端面の研
磨に時間をそれほどかけることはできないために、外周
部端面を十分に鏡面化することはできなかった。詳しく
は従来の方法で得られるガラス基板の外周部端面は微小
キズが残存し、表面粗さで少なくとも約5nm、最大表面
粗さで約250nmを有していた。このように外周部端面に
微小キズが残存すると、当該キズの上に下地層、記録層
および保護層等を積層することは困難であった。また、
微小キズの上に下地層、記録層および保護層等を積層で
きたとしても、時間の経過とともに当該微小キズから滲
出するアルカリ成分の量が顕著に増大するため、ガラス
基板表面（外周部端面を含む）に積層されている下地
層、記録層および保護層等が比較的早期に基板外周部か
ら侵食され、結果として蓄積されたデータが比較的容易
に破壊されるという問題が生じていた。
法では、ガラス基板の表面および裏面の鏡面化は達成で
きるが、外周部端面の鏡面化には限界があった。すなわ
ち、従来の方法では上記のようにガラス基板の外周部を
加工し、特に端面研磨加工工程においてはガラス基板の
外周部端面を研磨するにもかかわらず、当該端面の処理
は煩雑であり、かつ製造コストの観点から当該端面の研
磨に時間をそれほどかけることはできないために、外周
部端面を十分に鏡面化することはできなかった。詳しく
は従来の方法で得られるガラス基板の外周部端面は微小
キズが残存し、表面粗さで少なくとも約5nm、最大表面
粗さで約250nmを有していた。このように外周部端面に
微小キズが残存すると、当該キズの上に下地層、記録層
および保護層等を積層することは困難であった。また、
微小キズの上に下地層、記録層および保護層等を積層で
きたとしても、時間の経過とともに当該微小キズから滲
出するアルカリ成分の量が顕著に増大するため、ガラス
基板表面（外周部端面を含む）に積層されている下地
層、記録層および保護層等が比較的早期に基板外周部か
ら侵食され、結果として蓄積されたデータが比較的容易
に破壊されるという問題が生じていた。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、簡便かつ低コストで製造することができる、外周
端面が十分に鏡面化されたハードディスク用ガラス基板
およびその製造方法を提供することを目的とする。
って、簡便かつ低コストで製造することができる、外周
端面が十分に鏡面化されたハードディスク用ガラス基板
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、外周部加工フ
リーのハードディスク用ガラス基板に関する。
リーのハードディスク用ガラス基板に関する。
【０００８】本発明はまた、ガラス外周部の端面を規制
することなく、ガラスを上型と下型との間でプレス成形
処理し、結晶化処理またはアニール処理した後、第1ラ
ッピング処理、第2ラッピング処理、ポリッシング処理
および洗浄処理を行うことを特徴とする外周部加工フリ
ーのハードディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
することなく、ガラスを上型と下型との間でプレス成形
処理し、結晶化処理またはアニール処理した後、第1ラ
ッピング処理、第2ラッピング処理、ポリッシング処理
および洗浄処理を行うことを特徴とする外周部加工フリ
ーのハードディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【０００９】本発明はまた、ガラス外周部の端面を規制
することなく、ガラスを上型と下型との間でプレス成形
処理し、結晶化処理またはアニール処理した後、重心を
中心として中央孔を形成する重心コアリング処理を行
い、第1ラッピング処理、内周端面精密加工処理、内周
端面研磨加工処理、第2ラッピング処理、ポリッシング
処理および洗浄処理を行うことを特徴とする外周部加工
フリーのハードディスク用ガラス基板の製造方法に関す
る。
することなく、ガラスを上型と下型との間でプレス成形
処理し、結晶化処理またはアニール処理した後、重心を
中心として中央孔を形成する重心コアリング処理を行
い、第1ラッピング処理、内周端面精密加工処理、内周
端面研磨加工処理、第2ラッピング処理、ポリッシング
処理および洗浄処理を行うことを特徴とする外周部加工
フリーのハードディスク用ガラス基板の製造方法に関す
る。
【００１０】本発明の発明者等は、従来のガラス基板外
周部（外周端部、外周端面）の加工処理、すなわちコア
リング工程または外周粗加工工程、端面精密加工工程、
および端面研磨加工工程におけるガラス基板の外周端部
および外周端面の処理に着目し、これらの処理を省略し
て十分に鏡面化された外周端面を未加工のまま残すこと
により、本発明の上記目的が達成されることを見い出し
た。本発明の発明者等は、上記の処理を省略して得られ
るガラス基板は、外周部が未加工であるため、回転時に
面ブレが起こるという新たな問題に直面したが、当該問
題は、当該ガラス基板の重心を回転中心とすることによ
り解決できることも見い出した。
周部（外周端部、外周端面）の加工処理、すなわちコア
リング工程または外周粗加工工程、端面精密加工工程、
および端面研磨加工工程におけるガラス基板の外周端部
および外周端面の処理に着目し、これらの処理を省略し
て十分に鏡面化された外周端面を未加工のまま残すこと
により、本発明の上記目的が達成されることを見い出し
た。本発明の発明者等は、上記の処理を省略して得られ
るガラス基板は、外周部が未加工であるため、回転時に
面ブレが起こるという新たな問題に直面したが、当該問
題は、当該ガラス基板の重心を回転中心とすることによ
り解決できることも見い出した。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のハードディスク用ガラス
基板は、外周部が加工されておらず、外周部端面におい
て自由曲面を有している。本発明のガラス基板におい
て、自由曲面を有する外周部端面は未加工のまま残され
ているため、当該外周部端面は優れた鏡面精度を有し得
る。すなわち、本発明のガラス基板における外周部端面
の自由曲面は表面粗さ（Ra）で2.5nm以下、最大表面粗
さ（Rmax）で150nm以下を有し、これらの値は小さいほ
ど好ましい。本発明において外周部端面の自由曲面は通
常、Raとして0.1〜2.5nm、特に0.1〜2.0nm、Rmaxとして
1〜150nm、特に1〜100nmを有している。Raが2.5nmを超
えるか、またはRmaxが150nmを超えると、平滑性が不十
分となり、微小キズが存在し、当該キズの上に下地層、
記録層および保護層等を積層することは困難となる。ま
た、微小キズの上に下地層、記録層および保護層等を積
層できたとしても、時間の経過とともに微小キズから滲
出するアルカリ成分の量が顕著に増大するため、ガラス
基板表面（外周部端面を含む）に積層されている下地
層、記録層および保護層等が比較的早期に基板外周部か
ら侵食され、蓄積されたデータが比較的容易に破壊され
る。
基板は、外周部が加工されておらず、外周部端面におい
て自由曲面を有している。本発明のガラス基板におい
て、自由曲面を有する外周部端面は未加工のまま残され
ているため、当該外周部端面は優れた鏡面精度を有し得
る。すなわち、本発明のガラス基板における外周部端面
の自由曲面は表面粗さ（Ra）で2.5nm以下、最大表面粗
さ（Rmax）で150nm以下を有し、これらの値は小さいほ
ど好ましい。本発明において外周部端面の自由曲面は通
常、Raとして0.1〜2.5nm、特に0.1〜2.0nm、Rmaxとして
1〜150nm、特に1〜100nmを有している。Raが2.5nmを超
えるか、またはRmaxが150nmを超えると、平滑性が不十
分となり、微小キズが存在し、当該キズの上に下地層、
記録層および保護層等を積層することは困難となる。ま
た、微小キズの上に下地層、記録層および保護層等を積
層できたとしても、時間の経過とともに微小キズから滲
出するアルカリ成分の量が顕著に増大するため、ガラス
基板表面（外周部端面を含む）に積層されている下地
層、記録層および保護層等が比較的早期に基板外周部か
ら侵食され、蓄積されたデータが比較的容易に破壊され
る。
【００１２】本明細書中、表面粗さ（Ra）はJIS B0601
に基づく平均の値である。最大表面粗さ（Rmax）は JIS
B0601に基づく最大の値である。
に基づく平均の値である。最大表面粗さ（Rmax）は JIS
B0601に基づく最大の値である。
【００１３】上記のような鏡面精度を有する自由曲面は
ガラス基板の厚みに対して約１/2の曲率半径を有し得
る。ガラス基板の厚みは通常、0.2〜2.5mmが好適であ
る。
ガラス基板の厚みに対して約１/2の曲率半径を有し得
る。ガラス基板の厚みは通常、0.2〜2.5mmが好適であ
る。
【００１４】本発明の外周部加工フリーのハードディス
ク用ガラス基板は外周部端面においてキズをほとんど有
さないため、アルカリ成分溶出量は有効に低減され得
る。アルカリ成分溶出量は外周端面の面精度だけでな
く、ガラス基板の大きさ、中央孔の有無および大きさ、
ガラス素材の溶け易さ（組成）等にも依存するため、一
概に規定できないが、例えば、外径65mm、厚み0.635m
m、表面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nm、中央孔
内径20mmを有し、SiO２；69.0重量％、Al２O３；8.5重
量％、MgO；2.0重量％、TiO２；0.5重量％、Li２O；7.0
重量％、ZnO；7.0重量％、P２O５；2.5重量％、ZrO２；
3.5重量％のガラス組成を有する本発明の外周部加工フ
リーのハードディスク用ガラス基板は0.21μg/cm２以
下、好ましくは0.20μg/cm２以下のアルカリ成分溶出量
を達成する。外周端面が加工され、外周端面のRaが2.5n
mを超え、Rmaxが150nmを超えること以外、上記と同様の
ガラス基板はアルカリ溶出量が0.22μg/cm２以上とな
り、当該ガラス基板表面（外周部端面を含む）に下地層
等を積層することが困難となるか、または積層できたと
しても下地層等が比較的早期に基板外周部から侵食され
る。
ク用ガラス基板は外周部端面においてキズをほとんど有
さないため、アルカリ成分溶出量は有効に低減され得
る。アルカリ成分溶出量は外周端面の面精度だけでな
く、ガラス基板の大きさ、中央孔の有無および大きさ、
ガラス素材の溶け易さ（組成）等にも依存するため、一
概に規定できないが、例えば、外径65mm、厚み0.635m
m、表面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nm、中央孔
内径20mmを有し、SiO２；69.0重量％、Al２O３；8.5重
量％、MgO；2.0重量％、TiO２；0.5重量％、Li２O；7.0
重量％、ZnO；7.0重量％、P２O５；2.5重量％、ZrO２；
3.5重量％のガラス組成を有する本発明の外周部加工フ
リーのハードディスク用ガラス基板は0.21μg/cm２以
下、好ましくは0.20μg/cm２以下のアルカリ成分溶出量
を達成する。外周端面が加工され、外周端面のRaが2.5n
mを超え、Rmaxが150nmを超えること以外、上記と同様の
ガラス基板はアルカリ溶出量が0.22μg/cm２以上とな
り、当該ガラス基板表面（外周部端面を含む）に下地層
等を積層することが困難となるか、または積層できたと
しても下地層等が比較的早期に基板外周部から侵食され
る。
【００１５】また例えば、外径48mm、厚み0.381mm、表
面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nmを有し、Si
O２；64.0重量％、B２O３；5.5重量％、Al２O３；11.5
重量％、Li ２O；5.4重量％、Na２O；4.0重量％、K２O；
9.0重量％、CaO；0.5重量％、Ta２O ５；0.1重量％のガ
ラス組成を有する本発明の中央孔を有さない外周部加工
フリーのハードディスク用ガラス基板は0.32μg/cm２以
下、好ましくは0.31μg/cm２以下のアルカリ成分溶出量
を達成する。外周端面が加工され、外周端面のRaが2.5n
mを超え、Rmaxが150nmを超えること以外、上記と同様の
ガラス基板はアルカリ溶出量が0.33μg/cm２以上とな
り、当該ガラス基板表面（外周部端面を含む）に下地層
等を積層することが困難となるか、または積層できたと
しても下地層等が比較的早期に基板外周部から侵食され
る。
面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nmを有し、Si
O２；64.0重量％、B２O３；5.5重量％、Al２O３；11.5
重量％、Li ２O；5.4重量％、Na２O；4.0重量％、K２O；
9.0重量％、CaO；0.5重量％、Ta２O ５；0.1重量％のガ
ラス組成を有する本発明の中央孔を有さない外周部加工
フリーのハードディスク用ガラス基板は0.32μg/cm２以
下、好ましくは0.31μg/cm２以下のアルカリ成分溶出量
を達成する。外周端面が加工され、外周端面のRaが2.5n
mを超え、Rmaxが150nmを超えること以外、上記と同様の
ガラス基板はアルカリ溶出量が0.33μg/cm２以上とな
り、当該ガラス基板表面（外周部端面を含む）に下地層
等を積層することが困難となるか、または積層できたと
しても下地層等が比較的早期に基板外周部から侵食され
る。
【００１６】また例えば、外径95mm、厚み1.270mm、表
面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nm、中央孔内径25
mmを有し、SiO２；45.0重量％、Al２O３；18.0重量％、
MgO；19.0重量％、TiO２；10.0重量％、ZnO；1.5重量
％、P２O５；1.5重量％、ZrO２；3.0重量％、Nb2O5；2.
0重量％のガラス組成を有する本発明の外周部加工フリ
ーのハードディスク用ガラス基板はアルカリ成分がほと
んど溶出しない。
面および裏面のRa0.5nmおよびRmax5.0nm、中央孔内径25
mmを有し、SiO２；45.0重量％、Al２O３；18.0重量％、
MgO；19.0重量％、TiO２；10.0重量％、ZnO；1.5重量
％、P２O５；1.5重量％、ZrO２；3.0重量％、Nb2O5；2.
0重量％のガラス組成を有する本発明の外周部加工フリ
ーのハードディスク用ガラス基板はアルカリ成分がほと
んど溶出しない。
【００１７】本明細書中、アルカリ成分溶出量の測定は
以下の方法により行った。ガラス基板を80℃の逆浸透膜
水50ml中に24時間浸漬した後、ICP発光分析装置（セイ
コーインスツルメンツ社製）で溶出液を分析し、基板の
面積当たりのアルカリ成分溶出量を算出した。
以下の方法により行った。ガラス基板を80℃の逆浸透膜
水50ml中に24時間浸漬した後、ICP発光分析装置（セイ
コーインスツルメンツ社製）で溶出液を分析し、基板の
面積当たりのアルカリ成分溶出量を算出した。
【００１８】本発明の外周部加工フリーのハードディス
ク用ガラス基板は該基板の重心を回転中心とする。「重
心を回転中心とする」とは、本発明のハードディスク用
ガラス基板を用いたハードディスクの使用時において、
該ガラス基板の重心を中心として回転させることを意味
する。詳しくは、本発明のハードディスク用ガラス基板
が中央孔を有する場合には、該基板の重心を中心として
中央孔が形成されることを意味し、本発明のハードディ
スク用ガラス基板が中央孔を有しない場合には、該基板
の重心に対応する位置に回転軸が連結されることを意味
する。本発明においては、上記のように外周部加工フリ
ーのガラス基板における重心を回転中心とすることによ
り、外周部が未加工であっても、面ブレを防止すること
ができる。
ク用ガラス基板は該基板の重心を回転中心とする。「重
心を回転中心とする」とは、本発明のハードディスク用
ガラス基板を用いたハードディスクの使用時において、
該ガラス基板の重心を中心として回転させることを意味
する。詳しくは、本発明のハードディスク用ガラス基板
が中央孔を有する場合には、該基板の重心を中心として
中央孔が形成されることを意味し、本発明のハードディ
スク用ガラス基板が中央孔を有しない場合には、該基板
の重心に対応する位置に回転軸が連結されることを意味
する。本発明においては、上記のように外周部加工フリ
ーのガラス基板における重心を回転中心とすることによ
り、外周部が未加工であっても、面ブレを防止すること
ができる。
【００１９】本明細書中、重心とはガラス基板を厚み方
向から二次元の平面でとらえたときの該基板の形状にお
ける重心を意味し、ガラス基板の厚み方向からの二次元
画像をレーザービームによる方式を用いた非接触光学式
形状測定装置（VIVID900：ミノルタ社製）等によって画
像処理することによって自動的に検出することができ
る。
向から二次元の平面でとらえたときの該基板の形状にお
ける重心を意味し、ガラス基板の厚み方向からの二次元
画像をレーザービームによる方式を用いた非接触光学式
形状測定装置（VIVID900：ミノルタ社製）等によって画
像処理することによって自動的に検出することができ
る。
【００２０】本発明のガラス基板の外径は特に制限され
ず、例えば、15〜120mmが好適である。当該外径は後述
の製造方法において下型上に流し込まれる溶融ガラスの
量とプレス成形処理完了直前の上型成形面と下型成形面
との距離（ガラス基板の厚み）に依存して決定される。
外径は最大外径と最小外径との平均値で表している。
ず、例えば、15〜120mmが好適である。当該外径は後述
の製造方法において下型上に流し込まれる溶融ガラスの
量とプレス成形処理完了直前の上型成形面と下型成形面
との距離（ガラス基板の厚み）に依存して決定される。
外径は最大外径と最小外径との平均値で表している。
【００２１】また本発明のガラス基板は、面ブレ防止と
生産性向上の観点から、E/ρ（Eはヤング率（GPa）であ
り、ρは比重である）が27〜52であることが好ましく、
より好ましくは29〜50である。Eは得られたハードディ
スク用ガラス基板をヤング率測定装置（京都電子社製）
に供することによって得られた値を用いているが、上記
装置によって測定されなければならないわけではなく、
上記装置と同様の原理によって測定できる装置であれ
ば、いかなる装置によって測定されてよい。ρは得られ
たハードディスク用ガラス基板の重量および体積から容
易に算出できる値である。Eは65〜160 GPaが好ましい。
ρは2.2〜3.3が好ましい。
生産性向上の観点から、E/ρ（Eはヤング率（GPa）であ
り、ρは比重である）が27〜52であることが好ましく、
より好ましくは29〜50である。Eは得られたハードディ
スク用ガラス基板をヤング率測定装置（京都電子社製）
に供することによって得られた値を用いているが、上記
装置によって測定されなければならないわけではなく、
上記装置と同様の原理によって測定できる装置であれ
ば、いかなる装置によって測定されてよい。ρは得られ
たハードディスク用ガラス基板の重量および体積から容
易に算出できる値である。Eは65〜160 GPaが好ましい。
ρは2.2〜3.3が好ましい。
【００２２】また本発明のガラス基板は、使用時の面ブ
レと温度変化による割れを有効に防止する観点から、α
ｓ（αｓは0〜100℃の範囲における線熱膨張係数であ
る）が40×10-７〜130×10-７/℃であることが好まし
く、より好ましくは45×10-７〜125×10-７/℃である。
αｓは得られたハードディスク用ガラス基板を熱膨張測
定装置（リガク社製）に供することによって得られた値
を用いているが、上記装置によって測定されなければな
らないわけではなく、上記装置と同様の原理によって測
定できる装置であれば、いかなる装置によって測定され
てよい。
レと温度変化による割れを有効に防止する観点から、α
ｓ（αｓは0〜100℃の範囲における線熱膨張係数であ
る）が40×10-７〜130×10-７/℃であることが好まし
く、より好ましくは45×10-７〜125×10-７/℃である。
αｓは得られたハードディスク用ガラス基板を熱膨張測
定装置（リガク社製）に供することによって得られた値
を用いているが、上記装置によって測定されなければな
らないわけではなく、上記装置と同様の原理によって測
定できる装置であれば、いかなる装置によって測定され
てよい。
【００２３】以下、本発明の外周部加工フリーのハード
ディスク用ガラス基板の製造方法を、図1のフローチャ
ートを用いて詳しく説明する。図1のフローチャート
は、中央孔を備えたハードディスク用ガラス基板を製造
する場合と中央孔を備えていないハードディスク用ガラ
ス基板を製造する場合とが示されている。詳しくは、中
央孔を備えたハードディスク用ガラス基板を製造する場
合はガラスを溶融し、プレス成形して得られたガラス基
板を、結晶化処理またはアニ−ル処理した後、順次、重
心コアリング処理、第1ラッピング処理、内周端面精密
加工処理、内周端面研磨加工処理、第2ラッピング処理
およびポリッシング処理する。一方、中央孔を備えてい
ないハードディスク用ガラス基板を製造する場合はガラ
スを溶融し、プレス成形して得られたガラス基板を、結
晶化処理またはアニ−ル処理した後、順次、第1ラッピ
ング処理、第2ラッピング処理およびポリッシング処理
する。このように、本発明の製造方法においては、従来
のガラス基板外周部（外周端部、外周端面）の加工処理
（コアリング工程または外周粗加工工程、端面精密加工
工程、および端面研磨加工工程におけるガラス基板の外
周端部および外周端面の処理）を省略できるため、製造
コストを有効に低減できる。
ディスク用ガラス基板の製造方法を、図1のフローチャ
ートを用いて詳しく説明する。図1のフローチャート
は、中央孔を備えたハードディスク用ガラス基板を製造
する場合と中央孔を備えていないハードディスク用ガラ
ス基板を製造する場合とが示されている。詳しくは、中
央孔を備えたハードディスク用ガラス基板を製造する場
合はガラスを溶融し、プレス成形して得られたガラス基
板を、結晶化処理またはアニ−ル処理した後、順次、重
心コアリング処理、第1ラッピング処理、内周端面精密
加工処理、内周端面研磨加工処理、第2ラッピング処理
およびポリッシング処理する。一方、中央孔を備えてい
ないハードディスク用ガラス基板を製造する場合はガラ
スを溶融し、プレス成形して得られたガラス基板を、結
晶化処理またはアニ−ル処理した後、順次、第1ラッピ
ング処理、第2ラッピング処理およびポリッシング処理
する。このように、本発明の製造方法においては、従来
のガラス基板外周部（外周端部、外周端面）の加工処理
（コアリング工程または外周粗加工工程、端面精密加工
工程、および端面研磨加工工程におけるガラス基板の外
周端部および外周端面の処理）を省略できるため、製造
コストを有効に低減できる。
【００２４】本発明のハードディスク用ガラス基板を製
造するに際しては、まず、ガラス素材を溶融する（ガラ
ス溶融工程）。使用されるガラス素材は特に制限され
ず、例えば、リチウム・アルミノシリケート系ガラス、
マグネシウム・アルミノシリケート系ガラス等の非晶質
ガラスまたは結晶化ガラス素材、ホウケイ酸系ガラス等
の非晶質ガラス素材を、得ようとするガラス基板の所望
の形態（結晶化ガラスまたは非晶質ガラス）に応じて適
宜選択して用いればよい。
造するに際しては、まず、ガラス素材を溶融する（ガラ
ス溶融工程）。使用されるガラス素材は特に制限され
ず、例えば、リチウム・アルミノシリケート系ガラス、
マグネシウム・アルミノシリケート系ガラス等の非晶質
ガラスまたは結晶化ガラス素材、ホウケイ酸系ガラス等
の非晶質ガラス素材を、得ようとするガラス基板の所望
の形態（結晶化ガラスまたは非晶質ガラス）に応じて適
宜選択して用いればよい。
【００２５】リチウム・アルミノシリケート系ガラスと
しては、下記組成を有するガラス素材を用いることが好
ましい。SiO２；65〜85重量％、Al２O３；3〜15重量
％、MgO；0〜12重量％、TiO２；0〜10重量％、Li２O；3
〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P２O５；0〜5重量％、
ZrO２；0〜10重量％。このような組成を有するガラス素
材を用いることによって、アルカリ成分溶出量、特に外
周部端面からのアルカリ成分溶出量を容易に低減でき、
アルカリ成分の滲出による下地層、記録層および保護層
等の侵食をより有効に防止できる。
しては、下記組成を有するガラス素材を用いることが好
ましい。SiO２；65〜85重量％、Al２O３；3〜15重量
％、MgO；0〜12重量％、TiO２；0〜10重量％、Li２O；3
〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P２O５；0〜5重量％、
ZrO２；0〜10重量％。このような組成を有するガラス素
材を用いることによって、アルカリ成分溶出量、特に外
周部端面からのアルカリ成分溶出量を容易に低減でき、
アルカリ成分の滲出による下地層、記録層および保護層
等の侵食をより有効に防止できる。
【００２６】マグネシウム・アルミノシリケート系ガラ
スとしては、下記組成を有するガラス素材を用いること
が好ましい。SiO２；45〜60重量％、Al２O３；12〜25重
量％、MgO；12〜25重量％、TiO２；0〜12重量％、Li
２O；0〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P２O５；0〜5重
量％、ZrO２；0〜10重量％、Nb2O5；0〜5重量％、Ta
2O5；0〜5重量％、Y2O3；0〜5重量％。このような組成
を有するガラス素材を用いることによって、アルカリ成
分溶出量、特に外周部端面からのアルカリ成分溶出量を
容易に低減でき、アルカリ成分の滲出による下地層、記
録層および保護層等の侵食をより有効に防止できる。さ
らにはE/ρが前記範囲内であるガラス基板を容易に得る
ことができ、面ブレ等を有効に防止できる。
スとしては、下記組成を有するガラス素材を用いること
が好ましい。SiO２；45〜60重量％、Al２O３；12〜25重
量％、MgO；12〜25重量％、TiO２；0〜12重量％、Li
２O；0〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P２O５；0〜5重
量％、ZrO２；0〜10重量％、Nb2O5；0〜5重量％、Ta
2O5；0〜5重量％、Y2O3；0〜5重量％。このような組成
を有するガラス素材を用いることによって、アルカリ成
分溶出量、特に外周部端面からのアルカリ成分溶出量を
容易に低減でき、アルカリ成分の滲出による下地層、記
録層および保護層等の侵食をより有効に防止できる。さ
らにはE/ρが前記範囲内であるガラス基板を容易に得る
ことができ、面ブレ等を有効に防止できる。
【００２７】ホウケイ酸系ガラスとしては、下記組成を
有するガラス素材を用いることが好ましい。SiO２；50
〜69重量％、B２O３；0〜15重量％、Al２O３；4〜25重
量％、Li２O；2〜7重量％、Na２O；0〜14重量％、K
２O；0〜18重量％、CaO；0〜6重量％、Ta２O５；0〜3重
量％、BaO；0〜6重量％、MgO；0〜6重量％、SrO；0〜6
重量％、ZnO；0〜6重量％。このような組成を有するガ
ラス素材を用いることによって結晶化処理を行わなくて
も、αｓが前記範囲内であるガラス基板を容易に得るこ
とができ、面ブレや割れを有効に防止できる。
有するガラス素材を用いることが好ましい。SiO２；50
〜69重量％、B２O３；0〜15重量％、Al２O３；4〜25重
量％、Li２O；2〜7重量％、Na２O；0〜14重量％、K
２O；0〜18重量％、CaO；0〜6重量％、Ta２O５；0〜3重
量％、BaO；0〜6重量％、MgO；0〜6重量％、SrO；0〜6
重量％、ZnO；0〜6重量％。このような組成を有するガ
ラス素材を用いることによって結晶化処理を行わなくて
も、αｓが前記範囲内であるガラス基板を容易に得るこ
とができ、面ブレや割れを有効に防止できる。
【００２８】次いで、溶融されたガラスをノズルから下
型上に流し込み、ガラス外周部の端面を規制することな
く、ガラスを上型と下型との間でプレスする（プレス成
形工程）。プレス成形処理の方法は、ガラス外周部の端
面が規制されない限り、すなわちガラス外周部の端面が
いかなる部材にも接触しない限り、公知のハードディス
ク用ガラス基板の製造方法におけるプレス成形処理の方
法と同様の方法を採用することができる。例えば、図2
（A）および（B）に示すように、平面形状を有する成形
面（3、4）を備えた上下型（1、2）間でガラス素材6を
所定厚みにプレスする（プレス成形工程）。当該工程に
おいては、ガラスの外周部端面15（図2（B）参照）が規
制されないように、プレス成形がなされるため、得られ
るガラス基板の外周部端面は優れた鏡面精度を有する自
由曲面を達成する。
型上に流し込み、ガラス外周部の端面を規制することな
く、ガラスを上型と下型との間でプレスする（プレス成
形工程）。プレス成形処理の方法は、ガラス外周部の端
面が規制されない限り、すなわちガラス外周部の端面が
いかなる部材にも接触しない限り、公知のハードディス
ク用ガラス基板の製造方法におけるプレス成形処理の方
法と同様の方法を採用することができる。例えば、図2
（A）および（B）に示すように、平面形状を有する成形
面（3、4）を備えた上下型（1、2）間でガラス素材6を
所定厚みにプレスする（プレス成形工程）。当該工程に
おいては、ガラスの外周部端面15（図2（B）参照）が規
制されないように、プレス成形がなされるため、得られ
るガラス基板の外周部端面は優れた鏡面精度を有する自
由曲面を達成する。
【００２９】一般に、プレス圧は20〜100kg/cm２、プレ
ス時間は0.3〜2.0秒が適当である。
ス時間は0.3〜2.0秒が適当である。
【００３０】プレス成形処理を行った後は、通常、ガラ
ス基板の結晶化処理またはアニール処理を行い、結果と
して冷却する（結晶化工程またはアニール工程）。結晶
化処理またはアニール処理のいずれを行うかは、得よう
とするガラス基板の所望の形態（結晶化ガラスまたは非
晶質ガラス）に依存し、すなわち結晶化ガラス基板を得
たい場合には結晶化処理を行い、また非晶質ガラスを基
板にする場合には内部歪み除去のためアニール処理を行
う。
ス基板の結晶化処理またはアニール処理を行い、結果と
して冷却する（結晶化工程またはアニール工程）。結晶
化処理またはアニール処理のいずれを行うかは、得よう
とするガラス基板の所望の形態（結晶化ガラスまたは非
晶質ガラス）に依存し、すなわち結晶化ガラス基板を得
たい場合には結晶化処理を行い、また非晶質ガラスを基
板にする場合には内部歪み除去のためアニール処理を行
う。
【００３１】結晶化処理およびアニール処理の方法は公
知のハードディスク用ガラス基板の製造方法における結
晶化処理およびアニール処理の方法と同様の方法を採用
することができる。例えば、結晶化処理においては、通
常、ガラス基板をガラス材料のガラス転移点(Tg)＋50℃
〜Tg＋300℃まで加熱した後、一定温度を保持したり、
温度制御しながらガラスのガラス転移温度（Tg）付近ま
で冷却し、それ以降は徐冷するが、加熱温度、保持時間
およびTgまでの冷却速度等を適宜選択することによって
ガラス基板の物性、例えば、熱膨張率（線熱膨張係
数）、ヤング率、結晶化度等を制御することができる。
アニール処理においては、通常、ガラスのTg付近で一定
時間保持後、歪点まで比較的小さな冷却速度で冷却し、
それ以降は比較的大きな冷却速度で冷却する。本発明に
おいて結晶化処理またはアニール処理、特に結晶化処理
では、処理装置内での省スペース化とハードディスク用
ガラス基板の平坦度向上の観点から、複数のガラス基板
を重ね、その上から重し等によって加圧して処理するこ
とが好ましい。このときガラス基板は、基板同士の融着
防止の観点から、セッター材と交互に重ねられて処理さ
れることが好ましい。平坦度はガラス基板の反りの程度
を表す一つの指標である。
知のハードディスク用ガラス基板の製造方法における結
晶化処理およびアニール処理の方法と同様の方法を採用
することができる。例えば、結晶化処理においては、通
常、ガラス基板をガラス材料のガラス転移点(Tg)＋50℃
〜Tg＋300℃まで加熱した後、一定温度を保持したり、
温度制御しながらガラスのガラス転移温度（Tg）付近ま
で冷却し、それ以降は徐冷するが、加熱温度、保持時間
およびTgまでの冷却速度等を適宜選択することによって
ガラス基板の物性、例えば、熱膨張率（線熱膨張係
数）、ヤング率、結晶化度等を制御することができる。
アニール処理においては、通常、ガラスのTg付近で一定
時間保持後、歪点まで比較的小さな冷却速度で冷却し、
それ以降は比較的大きな冷却速度で冷却する。本発明に
おいて結晶化処理またはアニール処理、特に結晶化処理
では、処理装置内での省スペース化とハードディスク用
ガラス基板の平坦度向上の観点から、複数のガラス基板
を重ね、その上から重し等によって加圧して処理するこ
とが好ましい。このときガラス基板は、基板同士の融着
防止の観点から、セッター材と交互に重ねられて処理さ
れることが好ましい。平坦度はガラス基板の反りの程度
を表す一つの指標である。
【００３２】次いで、結晶化工程またはアニール工程に
おいて冷却されたガラス基板に対して、順次、重心コア
リング処理および第1ラッピング処理を行うか（中央孔
を備えたハードディスク用ガラス基板を製造する場
合）、または重心コアリング処理を行うことなく、第1
ラッピング処理を行う（中央孔を備えていないハードデ
ィスク用ガラス基板を製造する場合）。
おいて冷却されたガラス基板に対して、順次、重心コア
リング処理および第1ラッピング処理を行うか（中央孔
を備えたハードディスク用ガラス基板を製造する場
合）、または重心コアリング処理を行うことなく、第1
ラッピング処理を行う（中央孔を備えていないハードデ
ィスク用ガラス基板を製造する場合）。
【００３３】中央孔を備えたハードディスク用ガラス基
板を製造する場合に行われる重心コアリング処理におい
ては、ガラス基板の重心を中心として中央孔を形成す
る。詳しくは、ガラス基板の厚み方向からの該基板の二
次元画像をレーザービームによる方式を用いた非接触光
学式形状測定装置で画像処理して重心を検出し、該重心
を中心とした円形状の中央部を切断する。切断方法は公
知のハードディスク用ガラス基板の製造方法における中
心孔を開けるための切断方法と同様の方法を採用するこ
とができる。例えば、内周精密加工する方法、ガラス基
板の少なくとも一方の面における所望の切断領域の輪郭
に、ダイヤモンドカッター等によりケガキを入れ、当該
面を上側にした状態で所望の切断領域に衝撃体によって
衝撃を付与する方法、ガラス基板における所望の切断領
域の輪郭にレーザービームで切れ目を入れることにより
切断する方法等が挙げられる。本発明においては上記の
ような重心コアリング処理を行うため、中央孔を備えた
外周部加工フリーのガラス基板における面ブレを防止す
ることができる。
板を製造する場合に行われる重心コアリング処理におい
ては、ガラス基板の重心を中心として中央孔を形成す
る。詳しくは、ガラス基板の厚み方向からの該基板の二
次元画像をレーザービームによる方式を用いた非接触光
学式形状測定装置で画像処理して重心を検出し、該重心
を中心とした円形状の中央部を切断する。切断方法は公
知のハードディスク用ガラス基板の製造方法における中
心孔を開けるための切断方法と同様の方法を採用するこ
とができる。例えば、内周精密加工する方法、ガラス基
板の少なくとも一方の面における所望の切断領域の輪郭
に、ダイヤモンドカッター等によりケガキを入れ、当該
面を上側にした状態で所望の切断領域に衝撃体によって
衝撃を付与する方法、ガラス基板における所望の切断領
域の輪郭にレーザービームで切れ目を入れることにより
切断する方法等が挙げられる。本発明においては上記の
ような重心コアリング処理を行うため、中央孔を備えた
外周部加工フリーのガラス基板における面ブレを防止す
ることができる。
【００３４】次いで、重心コアリング処理されたガラス
基板に対して第1ラッピング処理を行う（第1ラッピング
(Lapping)工程）（中央孔を備えたハードディスク用ガ
ラス基板を製造する場合）。中央孔を備えていないハー
ドディスク用ガラス基板を製造する場合においては、結
晶化工程またはアニール工程において冷却されたガラス
基板に対して第1ラッピング処理を行う。上記いずれの
場合の第1ラッピング工程も同様であり、当該工程にお
いては、ガラス基板の両面を研削処理することによって
ガラス基板の平行度、平坦度および厚みを予備調整す
る。ここで予備調整とは、以降の別の工程において寸法
等を規定の寸法等に調整できる程度に大まかに調整する
ことをいう。
基板に対して第1ラッピング処理を行う（第1ラッピング
(Lapping)工程）（中央孔を備えたハードディスク用ガ
ラス基板を製造する場合）。中央孔を備えていないハー
ドディスク用ガラス基板を製造する場合においては、結
晶化工程またはアニール工程において冷却されたガラス
基板に対して第1ラッピング処理を行う。上記いずれの
場合の第1ラッピング工程も同様であり、当該工程にお
いては、ガラス基板の両面を研削処理することによって
ガラス基板の平行度、平坦度および厚みを予備調整す
る。ここで予備調整とは、以降の別の工程において寸法
等を規定の寸法等に調整できる程度に大まかに調整する
ことをいう。
【００３５】本明細書中、平行度は上型中心軸および下
型中心軸の一方の軸が他方の軸に対して傾くことにより
生じる「成形面における上型成形面が転写される面（上
面）と下型成形面が転写される面（下面）との傾き」の
程度を表す一つの指標である。本発明において上面と下
面との傾きは「下面を水平面とみなしたときの上面の傾
き」であり、平行度は当該傾きが最も大きな断面におけ
る下面の幅100mm長あたりの上面の傾きによる高低差で
表される。本発明において、そのような平行度はデジマ
チックインジケーター（ミツトヨ社製）によって測定さ
れた値を用いているが、上記装置によって測定されなけ
ればならないわけではなく、上記した平行度を測定可能
な装置であればいかなる装置によって測定されてもよ
い。
型中心軸の一方の軸が他方の軸に対して傾くことにより
生じる「成形面における上型成形面が転写される面（上
面）と下型成形面が転写される面（下面）との傾き」の
程度を表す一つの指標である。本発明において上面と下
面との傾きは「下面を水平面とみなしたときの上面の傾
き」であり、平行度は当該傾きが最も大きな断面におけ
る下面の幅100mm長あたりの上面の傾きによる高低差で
表される。本発明において、そのような平行度はデジマ
チックインジケーター（ミツトヨ社製）によって測定さ
れた値を用いているが、上記装置によって測定されなけ
ればならないわけではなく、上記した平行度を測定可能
な装置であればいかなる装置によって測定されてもよ
い。
【００３６】平坦度は成形品の反りの程度を表す一つの
指標であり、成形品を水平面上に置いたときの上面最高
点と水平面との距離で表される。本発明において、その
ような平坦度はデジマチックインジケーター（ミツトヨ
社製）によって測定された値を用いているが、上記装置
によって測定されなければならないわけではなく、上記
した平坦度を測定可能な装置であればいかなる装置によ
って測定されてもよい。
指標であり、成形品を水平面上に置いたときの上面最高
点と水平面との距離で表される。本発明において、その
ような平坦度はデジマチックインジケーター（ミツトヨ
社製）によって測定された値を用いているが、上記装置
によって測定されなければならないわけではなく、上記
した平坦度を測定可能な装置であればいかなる装置によ
って測定されてもよい。
【００３７】本発明において厚みはデジタルマイクロメ
ーター（ミツトヨ社製）によって測定された値を用いて
いるが、いかなる装置によって測定されてもよい。
ーター（ミツトヨ社製）によって測定された値を用いて
いるが、いかなる装置によって測定されてもよい。
【００３８】第1ラッピング処理の方法は公知のハード
ディスク用ガラス基板の製造方法における第1ラッピン
グ処理の方法と同様の方法を採用することができる。詳
しくは、粒度♯600以上、♯2000以下、好ましくは♯800
以上、♯2000以下の固定砥粒（ダイヤペレット）または
遊離砥粒（アルミナ、SiC等のスラリー）等の研削材を
用いて研削する。第1ラッピング工程で使用されるラッ
ピング装置としては公知のラッピング装置が使用可能で
あり、例えば、両面ラッピング装置（ハマイ社製）、両
面ラッピング装置（スピードファム社製）が挙げられ
る。
ディスク用ガラス基板の製造方法における第1ラッピン
グ処理の方法と同様の方法を採用することができる。詳
しくは、粒度♯600以上、♯2000以下、好ましくは♯800
以上、♯2000以下の固定砥粒（ダイヤペレット）または
遊離砥粒（アルミナ、SiC等のスラリー）等の研削材を
用いて研削する。第1ラッピング工程で使用されるラッ
ピング装置としては公知のラッピング装置が使用可能で
あり、例えば、両面ラッピング装置（ハマイ社製）、両
面ラッピング装置（スピードファム社製）が挙げられ
る。
【００３９】次いで、第1ラッピング処理されたガラス
基板に対して、順次、内周端面処理（内周端面精密加工
処理および内周端面研磨加工処理）および第2ラッピン
グ処理を行うか（中央孔を備えたハードディスク用ガラ
ス基板を製造する場合）、またはそれらの内周端面処理
を行うことなく、第2ラッピング処理を行う（中央孔を
備えていないハードディスク用ガラス基板を製造する場
合）。
基板に対して、順次、内周端面処理（内周端面精密加工
処理および内周端面研磨加工処理）および第2ラッピン
グ処理を行うか（中央孔を備えたハードディスク用ガラ
ス基板を製造する場合）、またはそれらの内周端面処理
を行うことなく、第2ラッピング処理を行う（中央孔を
備えていないハードディスク用ガラス基板を製造する場
合）。
【００４０】中央孔を備えたハードディスク用ガラス基
板を製造する場合に行われる内周端面精密加工処理にお
いては、ガラス基板の外周端面を処理することなく、ガ
ラス基板における中央孔の内周端面のみを研削処理して
中央孔の内径寸法およびガラス基板と孔との同心度を規
定の寸法および度合いに微調整する。内周端面精密加工
処理の方法は、処理対象となる面が孔の内周端面に限定
されること以外、公知のハードディスク用ガラス基板の
製造方法における端面精密加工処理の方法と同様の方法
を採用することができる。例えば、研削材として固定砥
粒（ダイヤペレット）、遊離砥粒（アルミナ、SiCなど
のスラリー）などを用いて孔の内周端面を研削したり、
面取りしたりする。
板を製造する場合に行われる内周端面精密加工処理にお
いては、ガラス基板の外周端面を処理することなく、ガ
ラス基板における中央孔の内周端面のみを研削処理して
中央孔の内径寸法およびガラス基板と孔との同心度を規
定の寸法および度合いに微調整する。内周端面精密加工
処理の方法は、処理対象となる面が孔の内周端面に限定
されること以外、公知のハードディスク用ガラス基板の
製造方法における端面精密加工処理の方法と同様の方法
を採用することができる。例えば、研削材として固定砥
粒（ダイヤペレット）、遊離砥粒（アルミナ、SiCなど
のスラリー）などを用いて孔の内周端面を研削したり、
面取りしたりする。
【００４１】内周端面研磨加工処理においては、ガラス
基板の外周端面を処理することなく、ガラス基板におけ
る中央孔の内周端面のみを研磨処理して微小キズを除去
する。ガラス基板の外周端面を処理しないのは、ガラス
基板は外周端面において既に優れた鏡面精度の自由曲面
を有しているためである。内周端面に微小キズを有して
いると、ガラス基板が衝撃によって破損し易い。ハード
ディスク基板において内周端面から積層される記録層ま
で1mm程度であり、内周端面からのアルカリ成分の滲出
による下地層、記録層および保護層等の侵食は現状のRa
およびRmaxでは問題となっていない。このため本発明に
おいては外周部加工フリーにして外周部端面の微小キズ
を有効に低減するだけで、下地層、記録層および保護層
等の侵食による蓄積データ破壊の可能性は顕著に低減さ
れ得る。従って、当該工程において、内周端面の微小キ
ズはガラス基板が衝撃によって破損し難い程度に、除去
されればよい。
基板の外周端面を処理することなく、ガラス基板におけ
る中央孔の内周端面のみを研磨処理して微小キズを除去
する。ガラス基板の外周端面を処理しないのは、ガラス
基板は外周端面において既に優れた鏡面精度の自由曲面
を有しているためである。内周端面に微小キズを有して
いると、ガラス基板が衝撃によって破損し易い。ハード
ディスク基板において内周端面から積層される記録層ま
で1mm程度であり、内周端面からのアルカリ成分の滲出
による下地層、記録層および保護層等の侵食は現状のRa
およびRmaxでは問題となっていない。このため本発明に
おいては外周部加工フリーにして外周部端面の微小キズ
を有効に低減するだけで、下地層、記録層および保護層
等の侵食による蓄積データ破壊の可能性は顕著に低減さ
れ得る。従って、当該工程において、内周端面の微小キ
ズはガラス基板が衝撃によって破損し難い程度に、除去
されればよい。
【００４２】そのような内周端面研磨加工処理の方法
は、処理対象となる面が孔の内周端面に限定されること
以外、公知のハードディスク用ガラス基板の製造方法に
おける端面研磨加工処理の方法と同様の方法を採用する
ことができる。例えば、研磨材として酸化セリウムを用
いて孔の内周端面を研磨する。
は、処理対象となる面が孔の内周端面に限定されること
以外、公知のハードディスク用ガラス基板の製造方法に
おける端面研磨加工処理の方法と同様の方法を採用する
ことができる。例えば、研磨材として酸化セリウムを用
いて孔の内周端面を研磨する。
【００４３】次いで、内周端面研磨加工処理されたガラ
ス基板に対して第2ラッピング処理を行う（第2ラッピン
グ(Lapping)工程）（中央孔を備えたハードディスク用
ガラス基板を製造する場合）。中央孔を備えていないハ
ードディスク用ガラス基板を製造する場合においては、
第1ラッピング処理されたガラス基板に対して第2ラッピ
ング処理を行う。上記いずれの場合の第2ラッピング工
程も同様であり、当該工程においては、ガラス基板の両
表面を研削加工して面の形状精度を創生（修正）する
（第2ラッピング工程）。すなわち最終的なディスクと
しての形状品質（平行度、平坦度および厚み）を達成
し、同時に後述のポリッシング工程で調整可能な表面粗
さおよび最大表面粗さを達成する。
ス基板に対して第2ラッピング処理を行う（第2ラッピン
グ(Lapping)工程）（中央孔を備えたハードディスク用
ガラス基板を製造する場合）。中央孔を備えていないハ
ードディスク用ガラス基板を製造する場合においては、
第1ラッピング処理されたガラス基板に対して第2ラッピ
ング処理を行う。上記いずれの場合の第2ラッピング工
程も同様であり、当該工程においては、ガラス基板の両
表面を研削加工して面の形状精度を創生（修正）する
（第2ラッピング工程）。すなわち最終的なディスクと
しての形状品質（平行度、平坦度および厚み）を達成
し、同時に後述のポリッシング工程で調整可能な表面粗
さおよび最大表面粗さを達成する。
【００４４】第2ラッピング処理の方法は公知のハード
ディスク用ガラス基板の製造方法における第2ラッピン
グ処理の方法と同様の方法を採用することができる。詳
しくは、粒度♯1000以上、♯2000以下、好ましくは♯12
00以上、♯2000以下の固定砥粒（ダイヤペレット）また
は遊離砥粒（アルミナ、SiC等のスラリー）等の研削材
を用いて研削する。第2ラッピング工程で使用されるラ
ッピング装置としては、第1ラッピング工程で使用され
るラッピング装置として例示した装置と同様のものが挙
げられる。
ディスク用ガラス基板の製造方法における第2ラッピン
グ処理の方法と同様の方法を採用することができる。詳
しくは、粒度♯1000以上、♯2000以下、好ましくは♯12
00以上、♯2000以下の固定砥粒（ダイヤペレット）また
は遊離砥粒（アルミナ、SiC等のスラリー）等の研削材
を用いて研削する。第2ラッピング工程で使用されるラ
ッピング装置としては、第1ラッピング工程で使用され
るラッピング装置として例示した装置と同様のものが挙
げられる。
【００４５】次いで、ラッピング処理されたガラス基板
を研磨加工して面の平滑性を創生（調整）する（ポリッ
シング(Polishing)工程）。すなわち、表面の凹凸を均
して最終的なディスクとしての平滑度（表面粗さ、最大
表面粗さ）を達成する。
を研磨加工して面の平滑性を創生（調整）する（ポリッ
シング(Polishing)工程）。すなわち、表面の凹凸を均
して最終的なディスクとしての平滑度（表面粗さ、最大
表面粗さ）を達成する。
【００４６】ポリッシング処理の方法は公知のハードデ
ィスク用ガラス基板の製造方法におけるポリッシング処
理の方法と同様の方法を採用することができる。詳しく
は、平均一次粒径2μm以下、好ましくは1μm以下の酸化
セリウム等の研磨材を用いて研磨し、表面粗さ（Ra）1n
m以下、好ましくは0.5nm以下、最大表面粗さ（Rmax）20
nm以下、好ましくは10nm以下を達成する。このようにガ
ラス基板の表面および裏面は優れた鏡面精度を比較的容
易に達成できるので、表面および裏面の微小キズに由来
する下地層、記録層および保護層等の侵食は比較的容易
に防止できる。ポリッシング装置としては、例えば、両
面ポリッシュ盤（ハマイ社製）が使用される。
ィスク用ガラス基板の製造方法におけるポリッシング処
理の方法と同様の方法を採用することができる。詳しく
は、平均一次粒径2μm以下、好ましくは1μm以下の酸化
セリウム等の研磨材を用いて研磨し、表面粗さ（Ra）1n
m以下、好ましくは0.5nm以下、最大表面粗さ（Rmax）20
nm以下、好ましくは10nm以下を達成する。このようにガ
ラス基板の表面および裏面は優れた鏡面精度を比較的容
易に達成できるので、表面および裏面の微小キズに由来
する下地層、記録層および保護層等の侵食は比較的容易
に防止できる。ポリッシング装置としては、例えば、両
面ポリッシュ盤（ハマイ社製）が使用される。
【００４７】最後には、一般的にポリッシング処理され
たガラス基材を洗浄および検査する（洗浄工程および検
査工程）。洗浄工程においてはガラス基板を常温の流水
にさらすなどして基板表面のガラスくずを除去すればよ
い。検査工程においては、基板の平行度、平坦度、厚
み、表面粗さ、最大表面粗さ、同心度、真円度、端部形
状（ロールオフ）、微小ウネリ等が所望の範囲内である
ことが確認され、ハードディスク用基板として使用され
る。
たガラス基材を洗浄および検査する（洗浄工程および検
査工程）。洗浄工程においてはガラス基板を常温の流水
にさらすなどして基板表面のガラスくずを除去すればよ
い。検査工程においては、基板の平行度、平坦度、厚
み、表面粗さ、最大表面粗さ、同心度、真円度、端部形
状（ロールオフ）、微小ウネリ等が所望の範囲内である
ことが確認され、ハードディスク用基板として使用され
る。
【００４８】本発明の外周部加工フリーのハードディス
ク用ガラス基板の製造方法の別の態様においては、上記
のプレス成形処理において、上型と下型との間に平行ス
ペーサーを介在させ、かつガラスの外周部と平行スペー
サーとが非接触の状態を維持しながら、上型と下型との
間でガラスをプレスすることが好ましい。平行スペーサ
ーはプレス成形完了直前に上型成形面と下型成形面とを
平行に保持する機能を有する。そのようなプレス成形処
理を行うことによって、得られるガラス基板の平行度、
平坦度および厚みバラツキの精度が向上する。このた
め、主として平行度、平坦度および厚みを予備調整する
目的で行われる第1ラッピング処理を省略することがで
きる。また、たとえ第1ラッピング処理を行うにしても
当該処理時間を短縮でき、製造コストを低減できる。
ク用ガラス基板の製造方法の別の態様においては、上記
のプレス成形処理において、上型と下型との間に平行ス
ペーサーを介在させ、かつガラスの外周部と平行スペー
サーとが非接触の状態を維持しながら、上型と下型との
間でガラスをプレスすることが好ましい。平行スペーサ
ーはプレス成形完了直前に上型成形面と下型成形面とを
平行に保持する機能を有する。そのようなプレス成形処
理を行うことによって、得られるガラス基板の平行度、
平坦度および厚みバラツキの精度が向上する。このた
め、主として平行度、平坦度および厚みを予備調整する
目的で行われる第1ラッピング処理を省略することがで
きる。また、たとえ第1ラッピング処理を行うにしても
当該処理時間を短縮でき、製造コストを低減できる。
【００４９】詳しくは、例えば図3（A）および（B）に
示すように、上型1と下型2とを接近移動させてガラスを
プレスすると、当該接近移動は平行スペーサー5によっ
て制限され、溶融ガラス6の厚みが規定される（図3
（B）参照）。このとき、平行スペーサー5は、プレス成
形時においてガラスの外周部と平行スペーサーとが非接
触の状態を維持できるように（図3（B）参照）、成形面
における外縁部に設置されており、ガラスの外周部は平
行スペーサー5と接触しないため、平行度、平坦度およ
び厚みバラツキについての優れた精度を達成することが
できる。また金型成形面を有効にガラス基板表面に転写
させることもできる。図3（A）は平行スペーサーを備え
た上型および下型の概略断面図、上型を下から見たとき
の概略見取り図および下型を上から見たときの概略見取
り図を示す。図3（B）は図3（A）の上型および下型を用
いてプレスしたときの上型および下型の概略状態図を示
す。
示すように、上型1と下型2とを接近移動させてガラスを
プレスすると、当該接近移動は平行スペーサー5によっ
て制限され、溶融ガラス6の厚みが規定される（図3
（B）参照）。このとき、平行スペーサー5は、プレス成
形時においてガラスの外周部と平行スペーサーとが非接
触の状態を維持できるように（図3（B）参照）、成形面
における外縁部に設置されており、ガラスの外周部は平
行スペーサー5と接触しないため、平行度、平坦度およ
び厚みバラツキについての優れた精度を達成することが
できる。また金型成形面を有効にガラス基板表面に転写
させることもできる。図3（A）は平行スペーサーを備え
た上型および下型の概略断面図、上型を下から見たとき
の概略見取り図および下型を上から見たときの概略見取
り図を示す。図3（B）は図3（A）の上型および下型を用
いてプレスしたときの上型および下型の概略状態図を示
す。
【００５０】当該態様においては平行度、平坦度および
厚みバラツキついての精度の向上を達成するため、平行
スペーサーにおける上型および下型との接触面、上型お
よび下型における平行スペーサーとの接触面、および上
型および下型の成形面は平行度10μm以下、好ましくは5
μm以下、平坦度10μm以下、好ましくは5μm以下である
ことが好ましい。
厚みバラツキついての精度の向上を達成するため、平行
スペーサーにおける上型および下型との接触面、上型お
よび下型における平行スペーサーとの接触面、および上
型および下型の成形面は平行度10μm以下、好ましくは5
μm以下、平坦度10μm以下、好ましくは5μm以下である
ことが好ましい。
【００５１】図3（A）において、平行スペーサー5は上
型1に設置されているが、下型2に設置されてもよい。平
行スペーサー5を上型1に設置すると、1の上型に対して
複数個の下型を備えたターンテーブルを用いて複数個連
続成形を行う場合、最少の数の平行スペーサーを用意す
るだけで済み、また成形終了後において下型上の成形品
を容易に取り出すことができる。
型1に設置されているが、下型2に設置されてもよい。平
行スペーサー5を上型1に設置すると、1の上型に対して
複数個の下型を備えたターンテーブルを用いて複数個連
続成形を行う場合、最少の数の平行スペーサーを用意す
るだけで済み、また成形終了後において下型上の成形品
を容易に取り出すことができる。
【００５２】また図3（A）において平行スペーサー5は
角柱形状を有し、下型成形面4と面接触するが、その形
状は両型の成形面を平行に保てる限り特に制限されず、
例えば、略角柱形状、略円柱形状、略角錐体形状、略円
錐体形状、略棒形状または略ピン形状等であってよい。
そのような形状に応じて平行スペーサーは成形面4と
点、線、または面で接触する。平行度、平坦度および厚
み等の精度が優れた成形品をより長期にわたって得る観
点からは、下型成形面と面で接触するような平行スペー
サーを用いることが好ましい。プレス成形時においてガ
ラスと平行スペーサーとが接触しない限り、平行スペー
サー5はリング形状を有していてもよい。
角柱形状を有し、下型成形面4と面接触するが、その形
状は両型の成形面を平行に保てる限り特に制限されず、
例えば、略角柱形状、略円柱形状、略角錐体形状、略円
錐体形状、略棒形状または略ピン形状等であってよい。
そのような形状に応じて平行スペーサーは成形面4と
点、線、または面で接触する。平行度、平坦度および厚
み等の精度が優れた成形品をより長期にわたって得る観
点からは、下型成形面と面で接触するような平行スペー
サーを用いることが好ましい。プレス成形時においてガ
ラスと平行スペーサーとが接触しない限り、平行スペー
サー5はリング形状を有していてもよい。
【００５３】また図3（A）において4個の平行スペーサ
ー5が使用されているが、平行スペーサーの数は両型の
成形面を平行に保てる限り特に制限されず、下型成形面
と面または線接触する場合で少なくとも2個、好ましく
は3個、下型成形面と点接触する場合で少なくとも3個、
好ましくは3個が適当である。
ー5が使用されているが、平行スペーサーの数は両型の
成形面を平行に保てる限り特に制限されず、下型成形面
と面または線接触する場合で少なくとも2個、好ましく
は3個、下型成形面と点接触する場合で少なくとも3個、
好ましくは3個が適当である。
【００５４】平行スペーサー5の厚み（高さ）はガラス
基板の厚みおよび平行度に反映するため、使用される全
ての平行スペーサーの厚み（高さ）は厳密に等しくして
おくことが必要である。
基板の厚みおよび平行度に反映するため、使用される全
ての平行スペーサーの厚み（高さ）は厳密に等しくして
おくことが必要である。
【００５５】
【実施例】図1に示すフローチャートに基づいて、以下
の表に示す条件でガラス基板を製造した。 実施例1 図1のフローチャートに基づいて中央孔を備えた外周部
加工フリーのハードディスク用ガラス基板を製造した。
リチウムアルミノシリケート系ガラスは下記組成を有し
ていた。SiO２；69.0重量％、Al２O３；8.5重量％、Mg
O；2.0重量％、TiO２；0.5重量％、Li２O；7.0重量％、
ZnO；7.0重量％、P２O５；2.5重量％、ZrO２；3.5重量
％。
の表に示す条件でガラス基板を製造した。 実施例1 図1のフローチャートに基づいて中央孔を備えた外周部
加工フリーのハードディスク用ガラス基板を製造した。
リチウムアルミノシリケート系ガラスは下記組成を有し
ていた。SiO２；69.0重量％、Al２O３；8.5重量％、Mg
O；2.0重量％、TiO２；0.5重量％、Li２O；7.0重量％、
ZnO；7.0重量％、P２O５；2.5重量％、ZrO２；3.5重量
％。
【００５６】
【表１】
【００５７】比較例1
重心コアリング処理の代わりに従来のコアリング処理
を、内周端面精密加工処理の代わりに従来の端面精密加
工処理（内外）を、内周端面研磨加工処理の代わりに従
来の端面研磨加工処理（内外）を行ったこと以外、実施
例1と同様の方法に従って、中央孔を備えたハードディ
スク用ガラス基板を製造した。従来のコアリング処理に
おいては、ガラス基板の外周端部を切断してガラス基板
の外径寸法および真円度を予備調整した後、該ガラス基
板の中心を中心として中央孔を形成した。従来の端面精
密加工処理（内外）においては、中央孔の内周端面とと
もに外周端面を研削および面取りした。従来の端面研磨
加工処理（内外）においては、中央孔の内周端面ととも
に外周端面を研磨した。
を、内周端面精密加工処理の代わりに従来の端面精密加
工処理（内外）を、内周端面研磨加工処理の代わりに従
来の端面研磨加工処理（内外）を行ったこと以外、実施
例1と同様の方法に従って、中央孔を備えたハードディ
スク用ガラス基板を製造した。従来のコアリング処理に
おいては、ガラス基板の外周端部を切断してガラス基板
の外径寸法および真円度を予備調整した後、該ガラス基
板の中心を中心として中央孔を形成した。従来の端面精
密加工処理（内外）においては、中央孔の内周端面とと
もに外周端面を研削および面取りした。従来の端面研磨
加工処理（内外）においては、中央孔の内周端面ととも
に外周端面を研磨した。
【００５８】実施例2
図1のフローチャートに基づいて中央孔を備えていない
外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板を製造
した。ホウケイ酸系ガラスは下記組成を有していた。Si
O２；64.0重量％、B２O３；5.5重量％、Al２O３；11.5
重量％、Li２O；5.4重量％、Na２O；4.0重量％、K２O；
9.0重量％、CaO；0.5重量％、Ta２O５；0.1重量％。
外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板を製造
した。ホウケイ酸系ガラスは下記組成を有していた。Si
O２；64.0重量％、B２O３；5.5重量％、Al２O３；11.5
重量％、Li２O；5.4重量％、Na２O；4.0重量％、K２O；
9.0重量％、CaO；0.5重量％、Ta２O５；0.1重量％。
【００５９】
【表２】
【００６０】比較例2
アニール処理後、第1ラッピング処理前に、従来の外周
粗加工処理を行ったこと、第1ラッピング処理後、第2ラ
ッピング処理前に、順次、従来の端面精密加工処理およ
び端面研磨加工処理を行ったこと以外、実施例2と同様
の方法に従って、中央孔を備えていないハードディスク
用ガラス基板を製造した。従来の外周粗加工処理におい
ては、ガラス基板の外周端部を切断してガラス基板の外
径寸法および真円度を予備調整した。従来の端面精密加
工処理においては、外周端面を研削および面取りした。
従来の端面研磨加工処理においては、外周端面を研磨し
た。
粗加工処理を行ったこと、第1ラッピング処理後、第2ラ
ッピング処理前に、順次、従来の端面精密加工処理およ
び端面研磨加工処理を行ったこと以外、実施例2と同様
の方法に従って、中央孔を備えていないハードディスク
用ガラス基板を製造した。従来の外周粗加工処理におい
ては、ガラス基板の外周端部を切断してガラス基板の外
径寸法および真円度を予備調整した。従来の端面精密加
工処理においては、外周端面を研削および面取りした。
従来の端面研磨加工処理においては、外周端面を研磨し
た。
【００６１】実施例3
下記組成のマグネシウム・アルミノシリケート系ガラス
を用いたこと以外、実施例1と同様の方法に従って、中
央孔を備えた外周部加工フリーのハードディスク用ガラ
ス基板を製造した。SiO２；45.0重量％、Al２O３；18.0
重量％、MgO；19.0重量％、TiO２；10.0重量％、ZnO；
1.5重量％、P２O５；1.5重量％、ZrO２；3.0重量％、Nb
2O5；2.0重量％。
を用いたこと以外、実施例1と同様の方法に従って、中
央孔を備えた外周部加工フリーのハードディスク用ガラ
ス基板を製造した。SiO２；45.0重量％、Al２O３；18.0
重量％、MgO；19.0重量％、TiO２；10.0重量％、ZnO；
1.5重量％、P２O５；1.5重量％、ZrO２；3.0重量％、Nb
2O5；2.0重量％。
【００６２】得られたガラス基板を評価し、結果を以下
に示した。
に示した。
【表３】
【００６３】実施例1および3で得られたガラス基板は中
央孔を中心に回転させても、面ブレは起こらなかった。
実施例2で得られたガラス基板の重心に回転軸を連結さ
せ、回転させても、面ブレは起こらなかった。
央孔を中心に回転させても、面ブレは起こらなかった。
実施例2で得られたガラス基板の重心に回転軸を連結さ
せ、回転させても、面ブレは起こらなかった。
【００６４】実施例および比較例で得られたガラス基板
（それぞれ100枚）にNi-Alからなる下地層（膜厚100n
m）、Co-Cr-Ptからなる記録層（膜厚20nm）、DLC：ダイ
ヤモンドライクカーボンからなる保護層（膜厚5nm）を
順次積層した。全ての積層ガラス基板の外周端面を微分
干渉顕微鏡によって倍率50倍で観察した。実施例1〜3に
おいては全てのガラス基板において積層が良好に行われ
ていた。比較例1においては、20枚のガラス基板におい
て微小キズに起因する成膜不良が起こっていた。比較例
2においては、35枚のガラス基板において微小キズに起
因する成膜不良が起こっていた。
（それぞれ100枚）にNi-Alからなる下地層（膜厚100n
m）、Co-Cr-Ptからなる記録層（膜厚20nm）、DLC：ダイ
ヤモンドライクカーボンからなる保護層（膜厚5nm）を
順次積層した。全ての積層ガラス基板の外周端面を微分
干渉顕微鏡によって倍率50倍で観察した。実施例1〜3に
おいては全てのガラス基板において積層が良好に行われ
ていた。比較例1においては、20枚のガラス基板におい
て微小キズに起因する成膜不良が起こっていた。比較例
2においては、35枚のガラス基板において微小キズに起
因する成膜不良が起こっていた。
【００６５】
【発明の効果】本発明のハードディスク用ガラス基板は
外周部加工フリーであるため、外周端面が十分に鏡面化
されている。このため、当該ガラス基板表面（外周部端
面を含む）に積層されている下地層、記録層および保護
層等の侵食を長期にわたって防止できる。また本発明の
外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板は重心
を回転中心とされるため回転時において面ブレしない。
さらに本発明の外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板はその製造工程において外周部の加工処理工程
を省略できるため、簡便かつ低コストで製造可能であ
る。
外周部加工フリーであるため、外周端面が十分に鏡面化
されている。このため、当該ガラス基板表面（外周部端
面を含む）に積層されている下地層、記録層および保護
層等の侵食を長期にわたって防止できる。また本発明の
外周部加工フリーのハードディスク用ガラス基板は重心
を回転中心とされるため回転時において面ブレしない。
さらに本発明の外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板はその製造工程において外周部の加工処理工程
を省略できるため、簡便かつ低コストで製造可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の外周部加工フリーのハードディスク
用ガラス基板の製造方法の一例のフローチャートを示
す。
用ガラス基板の製造方法の一例のフローチャートを示
す。
【図２】 （A）は本発明の外周部加工フリーのハード
ディスク用ガラス基板の製造方法を説明するための上下
型の概略構成図を示し、（B）は（A）の上下型を用いて
プレスしたときの上型および下型の概略状態図を示す。
ディスク用ガラス基板の製造方法を説明するための上下
型の概略構成図を示し、（B）は（A）の上下型を用いて
プレスしたときの上型および下型の概略状態図を示す。
【図３】 （A）は本発明の外周部加工フリーのハード
ディスク用ガラス基板の製造方法の一例を説明するため
の上下型の概略構成図を示し、（B）は（A）の上下型を
用いてプレスしたときの上型および下型の概略状態図を
示す。
ディスク用ガラス基板の製造方法の一例を説明するため
の上下型の概略構成図を示し、（B）は（A）の上下型を
用いてプレスしたときの上型および下型の概略状態図を
示す。
【図４】 従来のプレス成形方法を説明するための金型
の概略構成図を示す。
の概略構成図を示す。
【図５】 従来のプレス成形方法を説明するための金型
の概略構成図を示す。
の概略構成図を示す。
【図６】 従来のハードディスク用ガラス基板の製造方
法のフローチャートを示す。
法のフローチャートを示す。
1；上型、2；下型、3；成形面、4；成形面、5；平行ス
ペーサー、6；ガラス、15；外周端面、101；上型、10
2；下型、103；ガラス、105；上型、106；下型、107；
リング状外径規制枠、108；ガラス。
ペーサー、6；ガラス、15；外周端面、101；上型、10
2；下型、103；ガラス、105；上型、106；下型、107；
リング状外径規制枠、108；ガラス。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０３Ｃ 3/095 Ｃ０３Ｃ 3/095
3/097 3/097
10/10 10/10
19/00 19/00 Ａ
Ｇ１１Ｂ 5/73 Ｇ１１Ｂ 5/73
5/84 5/84 Ａ
(72)発明者 河合 秀樹
大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号
大阪国際ビル ミノルタ株式会社内
(72)発明者 森 登史晴
大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号
大阪国際ビル ミノルタ株式会社内
Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AB11 AC03
4G062 AA01 AA11 BB01 BB06 DA05
DA06 DA07 DB03 DB04 DC01
DC02 DC03 DC04 DD01 DD02
DD03 DE01 DE02 DE03 DF01
EA01 EA02 EA03 EA04 EA10
EB01 EB02 EB03 EB04 EC01
EC02 EC03 EC04 ED01 ED02
ED03 ED04 EE01 EE02 EE03
EF01 EF02 EF03 EG01 EG02
EG03 FA01 FA10 FB01 FB02
FB03 FB04 FC01 FC02 FC03
FD01 FE01 FF01 FG01 FG02
FG03 FH01 FH02 FH03 FJ01
FJ02 FJ03 FK01 FL01 GA01
GA10 GB01 GC01 GD01 GE01
HH01 HH03 HH05 HH07 HH09
HH11 HH13 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM27 NN40 QQ09
5D006 CB04 CB07 DA03 EA04
5D112 AA02 BA03 BA10 GA09 GB01
GB02
Claims (10)
- 【請求項１】 外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板。 - 【請求項２】 重心を回転中心とした外周部加工フリー
のハードディスク用ガラス基板。 - 【請求項３】 外周部端面が表面粗さ2.5nm以下および
最大表面粗さ150nm以下を有する自由曲面である請求項
１または２に記載の外周部加工フリーのハードディスク
用ガラス基板。 - 【請求項４】 E/ρ（Eはヤング率（GPa）であり、ρは
比重(g/cm3)である）が27〜52である請求項1〜3いずれ
かに記載の外周部加工フリーのハードディスク用ガラス
基板。 - 【請求項５】 αｓ（αｓは0〜100℃の範囲における線
熱膨張係数である）が40×10-７〜130×10-７/℃である
請求項1〜4いずれかに記載の外周部加工フリーのハード
ディスク用ガラス基板。 - 【請求項６】 下記組成：SiO２；65〜85重量％、Al２O
３；3〜15重量％、MgO；0〜12重量％、TiO２；0〜10重
量％、Li２O；3〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P
２O５；0〜5重量％、ZrO２；0〜10重量％を有する非晶
質ガラスまたは結晶化ガラス素材からなる請求項1〜5い
ずれかに記載の外周部加工フリーのハードディスク用ガ
ラス基板。 - 【請求項７】 下記組成：SiO２；45〜60重量％、Al２O
３；12〜25重量％、MgO；12〜25重量％、TiO２；0〜12
重量％、Li２O；0〜12重量％、ZnO；0〜10重量％、P２O
５；0〜5重量％、ZrO２；0〜10重量％、Nb2O5；0〜5重
量％、Ta2O5；0〜5重量％、Y2O3；0〜5重量％を有する
非晶質ガラスまたは結晶化ガラス素材からなる請求項1
〜5いずれかに記載の外周部加工フリーのハードディス
ク用ガラス基板。 - 【請求項８】 下記組成：SiO２；50〜69重量％、B２O
３；0〜15重量％、Al ２O３；4〜25重量％、Li２O；2〜7
重量％、Na２O；0〜14重量％、K２O；0〜18重量％、Ca
O；0〜6重量％、Ta２O５；0〜3重量％、BaO；0〜6重量
％、MgO；0〜6重量％、SrO；0〜6重量％、ZnO；0〜6重
量％を有する非晶質ガラス素材からなる請求項1〜5いず
れかに記載の外周部加工フリーのハードディスク用ガラ
ス基板。 - 【請求項９】 ガラス外周部の端面を規制することな
く、ガラスを上型と下型との間でプレス成形処理し、結
晶化処理またはアニール処理した後、第1ラッピング処
理、第2ラッピング処理、ポリッシング処理および洗浄
処理を行うことを特徴とする外周部加工フリーのハード
ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項１０】 ガラス外周部の端面を規制することな
く、ガラスを上型と下型との間でプレス成形処理し、結
晶化処理またはアニール処理した後、重心を中心として
中央孔を形成する重心コアリング処理を行い、第1ラッ
ピング処理、内周端面精密加工処理、内周端面研磨加工
処理、第2ラッピング処理、ポリッシング処理および洗
浄処理を行うことを特徴とする外周部加工フリーのハー
ドディスク用ガラス基板の製造方法。
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