JP2003062452A - 櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法 - Google Patents
櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法Info
- Publication number
- JP2003062452A JP2003062452A JP2001252942A JP2001252942A JP2003062452A JP 2003062452 A JP2003062452 A JP 2003062452A JP 2001252942 A JP2001252942 A JP 2001252942A JP 2001252942 A JP2001252942 A JP 2001252942A JP 2003062452 A JP2003062452 A JP 2003062452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comb
- electrodes
- atmospheric pressure
- plasma
- electrode assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基板側に与えるダメージが極めて少なく、大面
積でしかも均一なプラズマを生成できる大気圧プラズマ
生成方法及び装置並びに上記の大気圧プラズマ生成方法
を使用して基板を連続して処理できる大気圧プラズマ処
理方法を提供する。 【解決手段】大気圧に保持され、プラズマ処理空間を画
定するチャンバ内に、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面
状に配置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛
型電極組立体を有し、各電極間に交番電力を印加して、
均一なプラズマを生成することから成る。さらに、処理
すべき基板を櫛型電極組立体に対して、平行に連続して
移動し、生成されたプラズマにより基板表面を連続して
プラズマ処理することから成る。
積でしかも均一なプラズマを生成できる大気圧プラズマ
生成方法及び装置並びに上記の大気圧プラズマ生成方法
を使用して基板を連続して処理できる大気圧プラズマ処
理方法を提供する。 【解決手段】大気圧に保持され、プラズマ処理空間を画
定するチャンバ内に、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面
状に配置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛
型電極組立体を有し、各電極間に交番電力を印加して、
均一なプラズマを生成することから成る。さらに、処理
すべき基板を櫛型電極組立体に対して、平行に連続して
移動し、生成されたプラズマにより基板表面を連続して
プラズマ処理することから成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ製造工程や
半導体製造工程を含む電子素子及び磁気素子の製造工程
において使用され得る大気圧プラズマ生成方法及び装置
並びにこの方法を使用した大気圧プラズマ処理方法に関
するものである。
半導体製造工程を含む電子素子及び磁気素子の製造工程
において使用され得る大気圧プラズマ生成方法及び装置
並びにこの方法を使用した大気圧プラズマ処理方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】インターネットをはじめとするＩＴ産業
の興隆によって、電子通信機器は高性能化、多機能化が
急速に進んでいる。それに加えて小型軽量・薄型化への
要求は極めて大きなものになってきている。電子機器の
性能向上にはＬＳＩの高集積化やシステム化の進展によ
り支えられているが、ＬＳＩや電子部品は単独ではその
性能を発揮することはできない。実際の機器にするため
には、接続を行うためのプリント配線板（ＰＷＢ）と高
密度の実装技術が必要である。特に、高密度実装技術に
おける熱負荷軽減（すなわち高性能化）のためＳｉ基板
は薄くする必要がある。またダイシングにおいては、研
磨のチッピングや切削ダメージを回避する必要がある。
の興隆によって、電子通信機器は高性能化、多機能化が
急速に進んでいる。それに加えて小型軽量・薄型化への
要求は極めて大きなものになってきている。電子機器の
性能向上にはＬＳＩの高集積化やシステム化の進展によ
り支えられているが、ＬＳＩや電子部品は単独ではその
性能を発揮することはできない。実際の機器にするため
には、接続を行うためのプリント配線板（ＰＷＢ）と高
密度の実装技術が必要である。特に、高密度実装技術に
おける熱負荷軽減（すなわち高性能化）のためＳｉ基板
は薄くする必要がある。またダイシングにおいては、研
磨のチッピングや切削ダメージを回避する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来のＳｉ
基板の研磨、チップダイシングにおいては、切削歪みが
生じるため、面精度が悪く、また薄型化への対応は約２
５０μｍが限界であった。また、従来の大気圧プラズマ
を利用する方法では、プラズマダメージの問題、すなわ
ち主として熱と帯電破壊の問題で実用化するのには問題
があった。
基板の研磨、チップダイシングにおいては、切削歪みが
生じるため、面精度が悪く、また薄型化への対応は約２
５０μｍが限界であった。また、従来の大気圧プラズマ
を利用する方法では、プラズマダメージの問題、すなわ
ち主として熱と帯電破壊の問題で実用化するのには問題
があった。
【０００４】そこで、本発明は、基板側に与えるダメー
ジが極めて少なく、大面積でしかも均一なプラズマを生
成できる大気圧プラズマ生成方法及び装置を提供するこ
とを目的としている。また、本発明の別の目的は、上記
の大気圧プラズマ生成方法を使用して基板を連続して処
理できる大気圧プラズマ処理方法を提供することにあ
る。
ジが極めて少なく、大面積でしかも均一なプラズマを生
成できる大気圧プラズマ生成方法及び装置を提供するこ
とを目的としている。また、本発明の別の目的は、上記
の大気圧プラズマ生成方法を使用して基板を連続して処
理できる大気圧プラズマ処理方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の発明による大気圧プラズマ生成装
置は、大気圧に保持され、プラズマ処理空間を画定する
チャンバ内に、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配
置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極
組立体を有し、各電極間に交番電力を印加して電極間に
プラズマを生成させる電源装置を設けたことを特徴とし
ている。
めに、本発明の第１の発明による大気圧プラズマ生成装
置は、大気圧に保持され、プラズマ処理空間を画定する
チャンバ内に、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配
置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極
組立体を有し、各電極間に交番電力を印加して電極間に
プラズマを生成させる電源装置を設けたことを特徴とし
ている。
【０００６】本装置においては内部に各電極を被覆又は
封止した誘電体は、電極間の部位にガス導入孔を備え得
る。
封止した誘電体は、電極間の部位にガス導入孔を備え得
る。
【０００７】また、本発明の第２の発明による大気圧プ
ラズマ生成方法は、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状
に配置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型
電極組立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると
共に櫛型電極組立体における各電極間にガスを導入し
て、均一なプラズマを生成することを特徴としている。
ラズマ生成方法は、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状
に配置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型
電極組立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると
共に櫛型電極組立体における各電極間にガスを導入し
て、均一なプラズマを生成することを特徴としている。
【０００８】本発明の大気圧プラズマ生成方法におい
て、交番電力の周波数はＶＨＦであり得る。代りに、交
番電力の周波数はアーク放電に移行するより僅かに高い
３０ｋＨｚ以上であり得る。また、交番電力はマイクロ
波であることができる。
て、交番電力の周波数はＶＨＦであり得る。代りに、交
番電力の周波数はアーク放電に移行するより僅かに高い
３０ｋＨｚ以上であり得る。また、交番電力はマイクロ
波であることができる。
【０００９】さらに、上記別の目的を達成するために、
本発明による大気圧プラズマ処理方法は、二つ以上の電
極を櫛型にかつ平面状に配置し、各電極を誘電体で被覆
又は封止して成る櫛型電極組立体を使用し、各電極間に
交番電力を印加すると共に櫛型電極組立体における各電
極間にガスを導入して、均一なプラズマを生成し、櫛型
電極組立体に対して処理すべき基板を平行に連続して移
動し、生成されたプラズマにより基板表面を連続してプ
ラズマ処理することを特徴としている。
本発明による大気圧プラズマ処理方法は、二つ以上の電
極を櫛型にかつ平面状に配置し、各電極を誘電体で被覆
又は封止して成る櫛型電極組立体を使用し、各電極間に
交番電力を印加すると共に櫛型電極組立体における各電
極間にガスを導入して、均一なプラズマを生成し、櫛型
電極組立体に対して処理すべき基板を平行に連続して移
動し、生成されたプラズマにより基板表面を連続してプ
ラズマ処理することを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１には、本発明によ
る大気圧プラズマ生成装置を用いて基板をプラズマ処理
する実施の形態の要部を概略的に示す。図示装置におい
て、１は大気圧に維持されるチャンバーで、ポンプ２を
介して廃棄ガス回収装置３及び除害装置４に接続され、
チャンバー１内の廃棄ガスをポンプ２で排気し、廃棄ガ
ス回収装置３により回収され、そして除害装置４におい
て有害成分を除去するようにされている。
の実施の形態について説明する。図１には、本発明によ
る大気圧プラズマ生成装置を用いて基板をプラズマ処理
する実施の形態の要部を概略的に示す。図示装置におい
て、１は大気圧に維持されるチャンバーで、ポンプ２を
介して廃棄ガス回収装置３及び除害装置４に接続され、
チャンバー１内の廃棄ガスをポンプ２で排気し、廃棄ガ
ス回収装置３により回収され、そして除害装置４におい
て有害成分を除去するようにされている。
【００１１】チャンバー１内には、櫛型電極組立体５が
設けられ、この櫛型電極組立体５は、図２に示すよう
に、長方形の二枚のガラス板６の一方のガラス板６の一
表面に二つの櫛型のパターンを相互にオフセットして噛
み合う形状の溝７を形成し、これらの溝７内にそれぞれ
銅製の二つの櫛型電極８、９を例えば線幅５ｍｍ、厚さ
０．５ｍｍで形成し、そして一方のガラス板６の櫛型電
極８、９の形成された表面上に他方のガラス板６を被せ
て接合することにより構成されている。電極８、９の隣
接した歯の部分８ａ、９ａの間には図２及び図３に示す
ように直径０．８ｍｍの複数のガス導入孔１０が形成さ
れている。この場合櫛型電極８、９の歯部分の数は処理
すべき基板の大きさに応じて適宜設定される。また、二
つの櫛型電極８、９はＶＨＦの交番電源１１に接続され
ている。
設けられ、この櫛型電極組立体５は、図２に示すよう
に、長方形の二枚のガラス板６の一方のガラス板６の一
表面に二つの櫛型のパターンを相互にオフセットして噛
み合う形状の溝７を形成し、これらの溝７内にそれぞれ
銅製の二つの櫛型電極８、９を例えば線幅５ｍｍ、厚さ
０．５ｍｍで形成し、そして一方のガラス板６の櫛型電
極８、９の形成された表面上に他方のガラス板６を被せ
て接合することにより構成されている。電極８、９の隣
接した歯の部分８ａ、９ａの間には図２及び図３に示す
ように直径０．８ｍｍの複数のガス導入孔１０が形成さ
れている。この場合櫛型電極８、９の歯部分の数は処理
すべき基板の大きさに応じて適宜設定される。また、二
つの櫛型電極８、９はＶＨＦの交番電源１１に接続され
ている。
【００１２】また、チャンバー１にはＨｅなどの希ガス
を供給する放電ガス源（図示していない）及びプロセス
ガスを供給する処理ガス源（図示していない）からマス
フローメーター１２、１３、１４を介して所望の割合で
混合されたガスが導管１５を通って櫛型電極組立体５の
上面側に導入される。導入されたガスは櫛型電極組立体
５におけるそれぞれのガス導入孔１０を下方へ向って流
れ、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、９ａの間で安
定なグロー放電が発生され、それにより生成されたプラ
ズマはガス導入孔１０を下方へ向って流れる処理ガスを
解離し分離して櫛型電極組立体５の下面側に位置した基
板１６を処理する。この場合、大気圧でグロー放電を生
じさせるためには通常９０容量％以上を占めているＨｅ
などの希ガスの流量比を５０容量％以下に減らしても安
定な大気圧プラズマを生成することができる。
を供給する放電ガス源（図示していない）及びプロセス
ガスを供給する処理ガス源（図示していない）からマス
フローメーター１２、１３、１４を介して所望の割合で
混合されたガスが導管１５を通って櫛型電極組立体５の
上面側に導入される。導入されたガスは櫛型電極組立体
５におけるそれぞれのガス導入孔１０を下方へ向って流
れ、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、９ａの間で安
定なグロー放電が発生され、それにより生成されたプラ
ズマはガス導入孔１０を下方へ向って流れる処理ガスを
解離し分離して櫛型電極組立体５の下面側に位置した基
板１６を処理する。この場合、大気圧でグロー放電を生
じさせるためには通常９０容量％以上を占めているＨｅ
などの希ガスの流量比を５０容量％以下に減らしても安
定な大気圧プラズマを生成することができる。
【００１３】基板１６は、電極組立体５の下面側におい
て電極組立体５の下面に対して平行に連続して移動する
ように適当な移送機構と組み合わされる。
て電極組立体５の下面に対して平行に連続して移動する
ように適当な移送機構と組み合わされる。
【００１４】上記図示装置においては、櫛型電極組立体
５においては、誘電体基板としてガラスを使用している
が、他の誘電体材料を使用することもできる。また、ガ
ラス板６において、電極８、９の隣接した歯の部分８
ａ、９ａの間には複数のガス導入孔１０が形成している
が、必要により、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、
９ａの間の部分に多孔質誘電体を使用することもでき
る。
５においては、誘電体基板としてガラスを使用している
が、他の誘電体材料を使用することもできる。また、ガ
ラス板６において、電極８、９の隣接した歯の部分８
ａ、９ａの間には複数のガス導入孔１０が形成している
が、必要により、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、
９ａの間の部分に多孔質誘電体を使用することもでき
る。
【００１５】さらに、図示実施の形態では、交番電力と
してＶＨＦを使用しているが、本発明においては、交番
電力の周波数がグロー放電からアーク放電に移行するよ
り僅かに高い３０ｋＨｚ以上であればよく、従って、交
番電力としてマイクロ波を使用することもできる。
してＶＨＦを使用しているが、本発明においては、交番
電力の周波数がグロー放電からアーク放電に移行するよ
り僅かに高い３０ｋＨｚ以上であればよく、従って、交
番電力としてマイクロ波を使用することもできる。
【００１６】さらにまた、櫛型電極組立体５における櫛
型電極８、９は、これら櫛型電極８、９を二枚のガラス
板６にそれぞれ形成して、二枚のガラス板６を相互に貼
り合せるよに構成することもできる。
型電極８、９は、これら櫛型電極８、９を二枚のガラス
板６にそれぞれ形成して、二枚のガラス板６を相互に貼
り合せるよに構成することもできる。
【００１７】さらにまた、本発明は高密度実装技術に応
用できるたけでなく、医療品マイクロマシン用部品の製
造にも応用され得る。
用できるたけでなく、医療品マイクロマシン用部品の製
造にも応用され得る。
【００１８】このように構成した図示装置の具体例につ
いて以下説明する。図１において、櫛型電極組立体５に
おける線幅５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍでパターン化した二
つの櫛型電極８、９間にＶＨＦの交番電源１１から１０
０ＭＨｚ、１．７５ｋＷの交番電力を印加し、放電ガス
源（図示していない）及び処理ガス源（図示していな
い）からマスフローメーター１２、１３、１４を介して
Ａｒガス、ＳＦ６、ＣＦ４をそれぞれ流量５００ｓｃｃ
ｍ、３００ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍに調整して混合
し、導管１３を通って櫛型電極組立体５の上面側に導入
し、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、９ａの間に形
成した複数のガス導入孔１０から吹出させ、基板１６に
作用するガスをプラズマで解離し、分解して３０分間放
電させてシリコン基板を処理した。その結果、安定なグ
ロー放電が得られ、シリコン基板は厚さ約２４０μｍに
された。この場合、放電によるシリコン基板のダメージ
は認められなかった。
いて以下説明する。図１において、櫛型電極組立体５に
おける線幅５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍでパターン化した二
つの櫛型電極８、９間にＶＨＦの交番電源１１から１０
０ＭＨｚ、１．７５ｋＷの交番電力を印加し、放電ガス
源（図示していない）及び処理ガス源（図示していな
い）からマスフローメーター１２、１３、１４を介して
Ａｒガス、ＳＦ６、ＣＦ４をそれぞれ流量５００ｓｃｃ
ｍ、３００ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍに調整して混合
し、導管１３を通って櫛型電極組立体５の上面側に導入
し、電極８、９の隣接した歯の部分８ａ、９ａの間に形
成した複数のガス導入孔１０から吹出させ、基板１６に
作用するガスをプラズマで解離し、分解して３０分間放
電させてシリコン基板を処理した。その結果、安定なグ
ロー放電が得られ、シリコン基板は厚さ約２４０μｍに
された。この場合、放電によるシリコン基板のダメージ
は認められなかった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
大気圧プラズマ生成装置においては、大気圧に保持さ
れ、プラズマ処理空間を画定するチャンバ内に、二つ以
上の電極を櫛型にかつ平面状に配置し、各電極を誘電体
で被覆又は封止して成る櫛型電極組立体を有し、各電極
間に交番電力を印加して電極間にプラズマを生成させる
電源装置を設けているので、比較的簡単な構造により大
面積で均一なプラズマを安定して生成することができる
と共に、プラズマが交番電力の逆電位の印加される電極
間で生成されるため、基板側に与えるダメージを極めて
低減することができる。
大気圧プラズマ生成装置においては、大気圧に保持さ
れ、プラズマ処理空間を画定するチャンバ内に、二つ以
上の電極を櫛型にかつ平面状に配置し、各電極を誘電体
で被覆又は封止して成る櫛型電極組立体を有し、各電極
間に交番電力を印加して電極間にプラズマを生成させる
電源装置を設けているので、比較的簡単な構造により大
面積で均一なプラズマを安定して生成することができる
と共に、プラズマが交番電力の逆電位の印加される電極
間で生成されるため、基板側に与えるダメージを極めて
低減することができる。
【００２０】また、本発明による大気圧プラズマ生成方
法においては、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配
置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極
組立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に
櫛型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均
一なプラズマを生成するように構成しているので、従来
の大気圧でグロー放電を生じさせるためには通常９０容
量％以上を占めているＨｅなどの希ガスの流量比を５０
容量％以下に減らすことができ、その結果低コストで安
定して均一なプラズマを生成することができるようにな
る。
法においては、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配
置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極
組立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に
櫛型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均
一なプラズマを生成するように構成しているので、従来
の大気圧でグロー放電を生じさせるためには通常９０容
量％以上を占めているＨｅなどの希ガスの流量比を５０
容量％以下に減らすことができ、その結果低コストで安
定して均一なプラズマを生成することができるようにな
る。
【００２１】さらに、本発明の大気圧プラズマ処理方法
においては、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配置
し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極組
立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に櫛
型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均一
なプラズマを生成し、櫛型電極組立体に対して処理すべ
き基板を平行に連続して移動し、生成されたプラズマに
より基板表面を連続してプラズマ処理するように構成し
ているので、プラズマが交番電力の逆電位の印加される
電極間で生成されることになり、基板側へのダメージを
少なくできしかも生成されるプラズマが大面積で均一に
できるため、基板の処理速度を大幅に向上させることが
でき、基板の良好な処理と共に処理効率の改善が得られ
る。その結果、高密度実装技術や医療品マイクロマシン
用部品の製造技術に応用した場合には製造コストを低減
できるという効果が期待できる。
においては、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配置
し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極組
立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に櫛
型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均一
なプラズマを生成し、櫛型電極組立体に対して処理すべ
き基板を平行に連続して移動し、生成されたプラズマに
より基板表面を連続してプラズマ処理するように構成し
ているので、プラズマが交番電力の逆電位の印加される
電極間で生成されることになり、基板側へのダメージを
少なくできしかも生成されるプラズマが大面積で均一に
できるため、基板の処理速度を大幅に向上させることが
でき、基板の良好な処理と共に処理効率の改善が得られ
る。その結果、高密度実装技術や医療品マイクロマシン
用部品の製造技術に応用した場合には製造コストを低減
できるという効果が期待できる。
【図１】本発明による大気圧プラズマ処理装置の一実施
の形態を示す概略線図。
の形態を示す概略線図。
【図２】図１に示す装置における櫛型電極組立体の要部
を示す概略拡大分解断面図。
を示す概略拡大分解断面図。
【図３】図１に示す装置における櫛型電極組立体の概略
拡大平面図。
拡大平面図。
１：チャンバー
２：ポンプ
３：廃棄ガス回収装置
４：除害装置
５：櫛型電極組立体
６：ガラス板
７：溝
８、９：櫛型電極
８ａ、９ａ：櫛型電極の歯の部分
１０：ガス導入孔
１１：交番電源
１２、１３、１４：マスフローメーター
１３：導管
１５：導管
１６：基板
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC01 CA25 CA26 EB01
EB41 EC21 EE40 FB06
5F004 AA06 BA20 BB11 BB28 CA03
DA01 DA18 DA23 DB01
Claims (7)
- 【請求項1】大気圧に保持され、プラズマ処理空間を画
定するチャンバ内に、二つ以上の電極を櫛型にかつ平面
状に配置し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛
型電極組立体を有し、各電極間に交番電力を印加して電
極間にプラズマを生成させる電源装置を設けたことを特
徴とする大気圧プラズマ生成装置。 - 【請求項２】内部に各電極を被覆又は封止した誘電体が
電極間の部位にガス導入孔を備えていることを特徴とす
る請求項１に記載の大気圧プラズマ生成装置。 - 【請求項３】二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配置
し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極組
立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に櫛
型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均一
なプラズマを生成することを特徴とする大気圧プラズマ
生成方法。 - 【請求項４】交番電力の周波数がＶＨＦであることを特
徴とする請求項３に記載の大気圧プラズマ生成方法。 - 【請求項５】交番電力がマイクロ波であることを特徴と
する請求項３に記載の大気圧プラズマ生成方法。 - 【請求項６】交番電力の周波数がアーク放電に移行する
より僅かに高い３０ｋＨｚ以上であることを特徴とする
請求項３に記載の大気圧プラズマ生成方法。 - 【請求項７】二つ以上の電極を櫛型にかつ平面状に配置
し、各電極を誘電体で被覆又は封止して成る櫛型電極組
立体を使用し、各電極間に交番電力を印加すると共に櫛
型電極組立体における各電極間にガスを導入して、均一
なプラズマを生成し、櫛型電極組立体に対して処理すべ
き基板を平行に連続して移動し、生成されたプラズマに
より基板表面を連続してプラズマ処理することを特徴と
する大気圧プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252942A JP2003062452A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001252942A JP2003062452A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003062452A true JP2003062452A (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=19081336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001252942A Pending JP2003062452A (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | 櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003062452A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302624A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2006302625A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2006331664A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
| US20090255630A1 (en) * | 2005-04-28 | 2009-10-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and electrode member |
| US20100015358A1 (en) * | 2006-12-05 | 2010-01-21 | Faculty Of Mathematics, Physics And Informatics Of Commenius University | Apparatus and method for surface finishing of metals and metalloids, metal oxides and metalloid oxides, and metal nitrides and metalloid nitrides |
| WO2010147943A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc | Fluidized bed heat treating system |
| JP2014001408A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0331480A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH11144892A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Sakae Tanaka | プラズマ装置 |
| JP2000200697A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-08-23 JP JP2001252942A patent/JP2003062452A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0331480A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH11144892A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Sakae Tanaka | プラズマ装置 |
| JP2000200697A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302624A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2006302625A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20090255630A1 (en) * | 2005-04-28 | 2009-10-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and electrode member |
| JP2011049570A (ja) * | 2005-04-28 | 2011-03-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006331664A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
| US20100015358A1 (en) * | 2006-12-05 | 2010-01-21 | Faculty Of Mathematics, Physics And Informatics Of Commenius University | Apparatus and method for surface finishing of metals and metalloids, metal oxides and metalloid oxides, and metal nitrides and metalloid nitrides |
| WO2010147943A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc | Fluidized bed heat treating system |
| US8716637B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-05-06 | Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc | Fluidized bed heat treating system |
| JP2014001408A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100471993C (zh) | 以大气压力等离子体处理衬底表面的装置 | |
| JPH07130713A (ja) | ダウンフローエッチング装置 | |
| JP2001127045A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| TW200820339A (en) | Plasma processing apparatus of substrate and plasma processing method thereof | |
| JP2003062452A (ja) | 櫛型電極を有する大気圧プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理方法 | |
| KR100803825B1 (ko) | 플라즈마 식각 시스템 | |
| JP3508789B2 (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JP2003027210A (ja) | 表面処理方法及び表示装置の製造方法 | |
| WO2002103770A1 (en) | Apparatus and method for cleaning the surface of a substrate | |
| JP4110062B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| US5424905A (en) | Plasma generating method and apparatus | |
| JP5787712B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3927864B2 (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
| JP4069417B2 (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
| JP4588595B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JP2851765B2 (ja) | プラズマ発生方法およびその装置 | |
| JPS6324623A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3817171B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JP2004259663A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3927863B2 (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
| JP4038816B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JP3835983B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP4604591B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR101002335B1 (ko) | 상압 플라즈마 처리 장치 | |
| JP3580255B2 (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080710 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100526 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100602 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110720 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120111 |