JP2003060259A

JP2003060259A - 磁気検出素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003060259A
Application number: JP2001244312A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Oshima; 正弘大嶋
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2001-08-10
Filing date: 2001-08-10
Publication date: 2003-02-28
Anticipated expiration: 2021-08-10
Also published as: JP3688229B2

Abstract

(57)【要約】【課題】バイアス下地層をｂｃｃ構造に保持することに
より、バイアス層の磁気特性を改善し、狭トラック幅に
対応した磁気検出素子を得る。【解決手段】基板上に形成されたギャップ層２２と、ギ
ャップ層２２上に形成された、多層抵抗膜２０を構成す
る、少なくとも反強磁性層２６、固定磁性層２７、非磁
性導電層２８及びフリー磁性層２９と、多層抵抗膜２０
の、フリー磁性層２９、非磁性導電層２８、固定磁性層
２７のトラック幅方向の両側に形成される、バイアス下
地層３３、バイアス層３４とを含む。そしてアモルファ
ス導電層３２が反強磁性層２６の両側領域上に形成さ
れ、バイアス下地層３３、バイアス層３４がアモルファ
ス導電層３２上に下から順に形成され、バイアス層３４
が、反強磁性層２６の両側領域、アモルファス導電層３
２とバイアス層３４との下層として構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気検出素子及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術及びその問題点】磁気検出素子、例えばスピ
ンバルブ型磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、固定磁
性層と、非磁性導電層と、フリー磁性層とを有する多層
膜のトラック領域の両側領域に、バイアス層と電極層と
を備えている。このスピンバルブ型磁気抵抗効果素子素
子では、固定磁性層の磁化とフリー磁性層の磁化とがほ
ぼ交叉する方向に設定されており、フリー磁性層の磁化
は記録媒体からの漏れ磁束によって変動することによ
り、固定磁性層との磁化の関係で電気抵抗が変化し、こ
れにより漏れ磁界が再生される。

【０００３】図１４は、従来のスピンバルブ型磁気抵抗
効果素子を記録媒体の対向面(ＡＢＳ面)側から見た断面
図である。同図に示すスピンバルブ型磁気抵抗効果素子
（第１従来例）は、下地層１０１の上に形成される反強
磁性層１０２が図示するトラック幅Ｔｗ方向（Ｘ方向）
に長く形成され、トラック幅領域の中心（以下、便宜的
にＸ方向の中央ということがある）では反強磁性層１０
２が高さ寸法ｄ１だけ突出して形成されている。そし
て、この突出した反強磁性層１０２上に、固定磁性層１
０３、非磁性導電層１０４、フリー磁性層１０５及び保
護層１０６が形成されており、下地層１０１から保護層
１０６までの積層体が多層膜１０７を構成している。

【０００４】この第１従来例のスピンバルブ型薄膜素子
では、反強磁性層１０２がＰｔ−Ｍｎ（白金−マンガ
ン）合金膜などにより形成される。固定磁性層１０３の
磁化は反強磁性層１０２との界面で発生する交換結合磁
界により、ハイト方向（図示Ｙ方向）に固定される。固
定磁性層１０３及びフリー磁性層１０５は、Ｎｉ−Ｆｅ
(ニッケル−鉄)合金、Ｃｏ(コバルト)、Ｆｅ−Ｃｏ(鉄
−コバルト)合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金などで形成さ
れている。非磁性導電層１０４は、Ｃｕ(銅)などの電気
抵抗の低い非磁性導電材料で形成されている。Ｚ方向
は、薄膜の積層方向である。

【０００５】そして、図中Ｘ方向に延ばされて形成され
た反強磁性層１０２上から、及び多層膜１０７の側面に
かけて、Ｃｒ（クロム）などで形成された緩衝膜及び配
向膜となるバイアス下地層１０８が形成されており、こ
のバイアス下地層１０８上には、例えばＣｏ−Ｐｔ（コ
バルト−白金）合金などで形成したハードバイアス層
（硬磁性層）１０９が積層されている。

【０００６】このハードバイアス層１０９は、図中Ｘ方
向（トラック幅方向）に着磁されており、このハードバ
イアス層１０９からＸ方向へのバイアス磁界により、フ
リー磁性層１０５の磁化は同一のＸ方向に揃えられてい
る。バイアス下地層１０８は、ハードバイアス層１０９
から発生するバイアス磁界を増大させる。

【０００７】さらに、このハードバイアス層１０９の上
には、Ｃｒ（クロム），Ａｕ（金），Ｔａ（タンタ
ル），Ｗ（タングステン）などで形成された電極層１１
１が積層されている。

【０００８】上述したように、反強磁性層１０２及び多
層膜１０７の側面にかけて設けたバイアス下地層１０８
の存在により、ハードバイアス層１０９から発生するバ
イアス磁界を増大できるようになっている。ところで、
このハードバイアス層１０９は、フリー磁性層１０５の
磁化方向を揃えるためのものであるが、フリー磁性層１
０５付近においてこのハードバイアス層（硬磁性層）１
０９から発生するバイアス磁界を増大させることが必要
である。

【０００９】しかしながら、このようなスピンバルブ型
薄膜素子では、つまり、反強磁性層１０２を中央部の他
に両側領域にも残して、その両側の反強磁性層１０２上
にバイアス下地層１０８及びハードバイアス層１０９を
積層させる構成のものにあっては、反強磁性層１０２上
のハードバイアス層１０９の結晶配向が好ましくない方
向になるといった現象を起こし、ハードバイアス層１０
９の磁気特性が劣化するトラブルを生じている。その結
果、再生波形の直線性や安定性の劣化をもたらしてい
る。

【００１０】即ち、ハードバイアス層１０９のバイアス
特性は、これを形成する際のバイアス下地層１０８の配
向構造に非常に強く依存しているが、このバイアス下地
層１０８は、例えばＣｒの場合、本来の結晶配向から、
その直下にある反強磁性層１０２との積層構造により、
この反強磁性層１０２の結晶配向に拘束されて変化する
のではないか、と考えられている。このため、そのバイ
アス下地層１０８上に積層されたハードバイアス層１０
９の保磁力が低下してしまうわけである。

【００１１】そこで、例えば図１５に示すように、下部
シールド層１１２及び下部ギャップ層１１３の上に、多
層膜１０７を形成後、電極層１１１及びハードバイアス
層１０９形成の際に、前処理ミリングを過剰に行い、多
層膜１０７に形成された反強磁性層１０２において、こ
の両側に延出する部分さらにその直下にある下部ギャッ
プ層１１３の一部までオーバエッチによって取り除いた
後に、バイアス下地層１０８を積層させたスピンバルブ
型薄膜素子（第２従来例）も知られている。

【００１２】このような構成のスピンバルブ型薄膜素子
では、良好なハードバイアス特性が得られるが、多層膜
１０７の側面においてバイアス層１０９が先細りの状態
（フリー層１０５近傍でのハードバイアス層１０９の膜
厚が減少してしまう）を呈している。そのため、フリー
磁性層１０５の側面付近では、ハードバイアス層１０９
が所望の膜厚を形成することが不可能な状態である。従
って、フリー磁性層１０５付近において、ハードバイア
ス層（硬磁性層）１０９から発生するバイアス磁界をよ
り有効に印加させることが困難であった。

【００１３】従って、所要の保磁力を発揮するために
は、多層膜１０７の両側領域での前処理ミリング量につ
いては、少なくとも多層膜１０７の全てを除去するか、
それより深くイオンミリングすること（オーバーエッ
チ）が好ましい。ところが、このように多層膜を全て除
去し、若しくはそれより深くイオンミリングすると、ハ
ードバイアス層１０９が先細りの状態となり、フリー磁
性層１０５に有効なバイアス磁界を印加することが難し
くなり、再生波形の直線性や安定性が欠如してしまう。

【００１４】

【発明の目的】本発明の目的は、上記した事情に鑑み、
再生波形の直線性や安定性に優れた磁気検出素子及びそ
の製造方法を得ることにある。

【００１５】

【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
磁気検出素子は、基板上に形成されたギャップ層と、前
記ギャップ層上に形成された、多層抵抗膜を構成する、
少なくとも反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及び
フリー磁性層と、前記多層抵抗膜のフリー磁性層、非磁
性導電層、固定磁性層のトラック幅方向の両側に形成さ
れる、バイアス下地層、バイアス層とを含む磁気検出素
子であって、前記反強磁性層が、少なくとも前記多層抵
抗膜の、フリー磁性層、非磁性導電層、固定磁性層より
もトラック幅方向の両側に延びた両側領域を有し、アモ
ルファス導電層が、前記反強磁性層の両側領域上に形成
され、前記バイアス下地層、バイアス層が前記アモルフ
ァス導電層上に下から順に形成され、前記バイアス層
が、前記反強磁性層の両側領域、前記アモルファス導電
層及び前記バイアス層の下地層で嵩上げされて前記フリ
ー磁性層の高さ位置に形成されていることを特徴する。

【００１６】また前記バイアス下地層が、ｂｃｃ構造の
結晶構造体から形成され、少なくとも[２１１]面または
[２００]面が膜面垂直方向に配向されていることが望ま
しい。また前記バイアス層が、少なくとも[１００]面が
膜面垂直方向に配向された磁性材料から形成されている
ことが望ましい。また前記バイアス下地層が、前記バイ
アス層と前記フリー磁性層との間に介在されていてもよ
い。

【００１７】また前記アモルファス導電層が非磁性材料
であることが望ましい。また前記アモルファス導電層
は、Ｃｏ−Ｔ−Ｚ合金から形成され、ＴはＺｒ、Ｈｆの
うち少なくとも１種を含む元素であり、ＺはＴａ、Ｎｂ
のうち少なくとも１種を含む元素であるもの、或いはＮ
ｉ−Ｘ合金からなり、Ｘは少なくともＰを含む元素から
なるものであってもよい。

【００１８】また前記反強磁性層の両側領域の膜厚がト
ラック幅領域の膜厚より薄く、前記アモルファス導電層
が前記反強磁性層の両側領域上に所望の膜厚で形成され
ていることが望ましい。また前記アモルファス導電層の
膜厚が、６０Å以上３００Å以下であることが望まし
い。

【００１９】また前記多層抵抗膜が、下から順に反強磁
性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層を有
し、前記固定磁性層が、非磁性中間層を挟んで形成され
た一対の強磁性層を備え、前記一対の強磁性層の磁化方
向が互いに反平行である構造であってもよい。また前記
ギャップ層と前記反強磁性層との間にシードレイヤ層が
形成されていることが望ましい。

【００２０】また前記多層抵抗膜が、下から順に反強磁
性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層を有
し、前記フリー磁性層が、非磁性中間層を挟んで形成さ
れた一対の強磁性層を備え、前記一対の強磁性層の磁化
方向が互いに反平行である構造であってもよい。

【００２１】また本発明の磁気検出素子の製造方法は、
基板のギャップ層上に、少なくとも反強磁性層、固定磁
性層、非磁性導電層及びフリー磁性層からなる多層抵抗
膜を形成する工程と、前記多層抵抗膜をエッチングによ
りパターニングし、かつ前記反強磁性層の両側をオーバ
ーエッチングする工程と、前記反強磁性層の両側のオー
バーエッチングされた領域上にアモルファス導電層を形
成する工程と、前記アモルファス導電層上にバイアス下
地層を形成する工程と、前記バイアス下地層上にバイア
ス層を形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００２２】また前記バイアス下地層の形成工程におい
て、ｂｃｃ構造の結晶構造体からなる前記バイアス下地
層の成膜角度を、少なくとも[２１１]面または[２００]
面が膜面垂直方向に配向される角度に制御することによ
り、前記バイアス下地層の成膜を行なうことが望まし
い。

【００２３】また前記バイアス層の形成工程において、
前記バイアス層の成膜角度を、少なくとも[１００]面が
膜面垂直方向に配向される角度に制御することにより、
前記バイアス層の成膜を行なうことが望ましい。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。

【００２５】図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁
気検出素子を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）側から見
た断面図、図２は、図１の右側形状を拡大した断面図で
ある。

【００２６】この第１の実施形態に係る磁気検出素子
は、記録媒体に記録されたデータを再生するための巨大
磁気抵抗型素子であり、この磁気検出素子は再生用の磁
気ヘッドに用いられ、記録媒体からの信号磁界により電
気抵抗が変化し、その抵抗の変化を利用して記録媒体の
記録データを再生する。

【００２７】なお、図１には再生用の磁気ヘッドに用い
られる磁気検出素子のみが開示されているが、この磁気
検出素子の多層抵抗膜２０上（Ｚ方向）に記録用のイン
ダクティブヘッドが積層形成された構造のものであって
もよい。このインダクティブヘッドは、磁性材料で形成
したコア層とコア層に巻付けたコイル層とを有し、コイ
ル層に記録用電流を通電しコア層に発生する磁界により
記録媒体にデータを書き込む構造に構成されている。

【００２８】再生用磁気ヘッドに用いられる図１の磁気
検出素子は、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ
₂Ｏ₃−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング端
面に設けられる。このスライダは、記録媒体との対向面
と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能なサ
スペンションに接合され、磁気ヘッド装置が構成され
る。

【００２９】この磁気検出素子は、基板Ｂ上に、ＮｉＦ
ｅ合金やセンダストなどの磁性材料からなる下部シール
ド層２１が形成され、下部シールド層２１上に、Ａｌ₂
Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁材料を用いて下部ギャップ層２
２が形成され、下部ギャップ層２２の形成面α上に多層
抵抗膜２０が形成される。

【００３０】この多層抵抗膜２０は、いわゆるスピンバ
ルブ型多層抵抗膜と呼ばれるものである。以下、この多
層抵抗膜２０を構成する各層について説明する。

【００３１】まず、下部ギャップ層２２の上面に位置す
る形成面αには、反強磁性層２６が形成される。この反
強磁性層２６は、例えば、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓのうち１種または２種以
上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、あ
るいは、元素Ｘと元素Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｍｇ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｐｂ、及び希
土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭ
ｎを含有する反強磁性材料により形成される。一般的に
は反強磁性層２６はＰｔＭｎ（プラチナマンガン）から
形成される。さらに反強磁性層２６の両側領域２６ｂの
膜厚ｔ２がトラック幅領域２６ａの膜厚ｔ１より薄く形
成され、反強磁性層２６は下部ギャップ層２２上に凸型
形状に形成される。

【００３２】これらの反強磁性材料は、耐食性に優れ、
しかもブロッキング温度も高く、反強磁性層２６上に形
成される固定磁性層２７との界面で大きな交換結合磁界
を発生し得る。

【００３３】前記反強磁性層２６上には固定磁性層２７
が形成されている。この固定磁性層２７はＮｉＦｅ合
金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などにより
形成される。この固定磁性層２７が反強磁性層２６上に
形成された後、ハイト方向（図示Ｙ方向）への磁場雰囲
気中でアニールを施すことにより、固定磁性層２７と反
強磁性層２６との界面に発生する交換結合磁界により、
固定磁性層２７の磁化はハイト方向（図示Ｙ方向）に固
定される。この固定磁性層２７は、例えば、２０Å以上
６０Å以下程度の膜厚で形成される。

【００３４】前記固定磁性層２７上には非磁性導電層２
８が形成される。この非磁性導電層２８は、例えばＣｕ
などの電気抵抗の低い導電性材料により形成される。こ
の非磁性導電層２８は例えば２５Å程度の膜厚で形成さ
れる。

【００３５】前記非磁性導電層２８上にはフリー磁性層
２９が形成される。このフリー磁性層２９は、ＮｉＦｅ
合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などによ
り形成される。また、このフリー磁性層２９は、Ｘ方向
の幅が磁気的な再生に対応するトラック幅Ｔｗの寸法に
設定されている。また、このフリー磁性層２９は、２０
Å以上４０Å以下程度の膜厚で形成される。また、この
フリー磁性層２９は、非磁性導電層２８と対向する側に
Ｃｒ又はＣｏＦｅ膜等が形成されていてもよい。これに
より、非磁性導電層２８との界面での金属元素等の拡散
を防止でき、抵抗変化率（ΔＧＭＲ）を大きくすること
ができる。

【００３６】前記フリー磁性層２９上には保護層３０が
形成される。この保護層３０はＴａなどで形成される。
この保護層３０は３０Å程度の膜厚で形成される。

【００３７】上記した反強磁性層２６から保護層３０の
各層で構成される、すなわちＡＢＳ面方向から見たとき
の断面形状が略台形形状を有する領域、具体的には図１
においてＸ１（底辺側）〜Ｘ２（上辺側）との間の幅を
有する各層の領域（以下、これをトラック領域という）
にある多層抵抗膜２０は、トラック幅方向（図示Ｘ方
向）の両側端面２０ａ、２０ａが、反強磁性層２６の上
面部側から保護層３０の上面まで連続した傾斜面状に成
形されている。なお、このトラック幅領域の寸法は、反
強磁性層２６をオーバーエッチングする量に応じて変化
する。例えば反強磁性層２６のオーバーエッチング量が
最大の場合に後述するアモルファス導電層３２の膜厚が
最大（ｔ大）となり、前記トラック幅領域の寸法は最大
のＸ１となる。また反強磁性層２６のオーバーエッチン
グ量が最小の場合に後述するアモルファス導電層３２の
膜厚が最小（ｔ小）となり、前記トラック幅領域の寸法
は最小のＸ１′となる。これにより、反強磁性層２６が
フリー磁性層２９のトラック幅Ｔｗ寸法よりトラック幅
方向の両側に延びて形成される。この場合、反強磁性層
２６のオーバーエッチング量が可及的に大きくすること
が、多層抵抗膜２０の電気抵抗の変化率を大きくなる傾
向にあることが技術的に確かめられている。

【００３８】多層抵抗膜２０は、まず各層を下部ギャッ
プ層２２の形成面α上に成膜した後、この多層抵抗膜２
０の中央部分上にのみリフトオフ用のレジスト（図６参
照）を形成し、このレジストに覆われていない多層抵抗
膜２０の両側領域がイオンミリングなどでエッチングし
て除去される。この際に多層抵抗膜２０の両側面が傾斜
面状にエッチング形成される。

【００３９】この実施形態では、多層抵抗膜２０の両側
端面２０ａ、２０ａよりも外側にある、すなわちトラッ
ク領域よりもトラック幅方向の外側からトラック領域を
臨むように位置し、Ｘ０、Ｚ０を同時に満足する領域
（以下、両側領域という）にある各層について、反強磁
性層２６の一部のみを残し、その上側の各層全てを除去
し、例えば図１に示すような略台形形状に形成する。ま
た反強磁性層２６のトラック領域はオーバーエッチング
されて凸型状に形成され、その凸型状の反強磁性層２６
のトラック幅方向の両側でオーバーエッチングされた部
分にアモルファス導電層３２が形成される。

【００４０】図１に示すように略台形状の多層抵抗膜２
０の両側には、下から順にアモルファス導電層３２、バ
イアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６
及び保護層３７がそれぞれ形成されている。各層につい
ては主に図２を参照しながら説明する。

【００４１】図２は、図１に示す磁気検出素子の右側部
分のみを拡大した断面図である。図２に示すように、ア
モルファス導電層３２は、多層抵抗膜２０の凸型状反強
磁性層２６の両側、特にオーバーエッチングされた領域
上に形成され、アモルファス導電層３２の多層抵抗膜２
０側の端面３２ａは、多層抵抗膜２０の両側端面２０ａ
と接触して形成される。またアモルファス導電層３２
は、反強磁性層２６のトラック領域２６ａの膜厚ｔ１よ
り膜厚ｔ２が薄い両側領域２６ｂ上に形成され、所望の
膜厚が確保されている。アモルファス導電層３２の膜厚
は、６０Å以上３００Å以下であることが望ましい。

【００４２】このアモルファス導電層３２は、この上に
形成されるバイアス下地層３３及びハードバイアス層３
４の結晶配向について、このアモルファス導電層３２直
下に位置する反強磁性層２６からの結晶配向特性が悪影
響をもたらさぬようにするためのものであって、結晶構
造が規則化されていないアモルファス状態の非磁性材料
のアモルファス導電層３２を介在させることにより、反
強磁性層２６の結晶配向がバイアス下地層３３の結晶配
向に悪影響を与えないように機能している。

【００４３】しかも、このアモルファス導電層３２は、
バイアス下地層３３及びハードバイアス層３４の嵩上げ
用の基材としても機能しており、これを介して形成され
るハードバイアス層３４を多層抵抗膜２０の両側領域内
で高い位置に嵩上げして形成し、フリー磁性層２９の両
側に十分な体積を有してハードバイアス層３４を対向さ
せる。さらに、このアモルファス導電層３２の膜厚は、
バイアス下地層３３の結晶配向に悪影響を与えないよう
にするため、６０Å〜３００Åの範囲に設定する。

【００４４】後述する製造方法で説明するように、この
アモルファス導電層３２は、スパッタ成膜の際、形成面
α上の反強磁性層２６に対してほぼ垂直方向からのイオ
ン照射により成膜される。特に、このアモルファス導電
層３２は、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパ
ッタ法、コリメーションスパッタ法などを用いて成膜さ
れる。またアモルファス導電層３２はスパッタ成膜によ
り一部が多層抵抗層２０の傾斜面２０ａに付着するた
め、エッチング処理により、多層抵抗膜２０の傾斜面２
０ａに付着した余分なアモルファス導電層３２を除去す
る。

【００４５】また、アモルファス導電層３２の上面３２
ｂは、反強磁性層２６の下面２６ａよりも上側（図示Ｚ
方向）に位置していることが好ましい。これによって、
ハードバイアス層３４を、多層抵抗膜２０の両側領域内
において高い位置で形成でき、フリー磁性層２９の両側
に十分な体積を有してハードバイアス層３４を対向させ
ることが可能である。

【００４６】また前記アモルファス導電層３２上にはバ
イアス下地層３３が形成される。この場合、バイアス下
地層３３は、アモルファス導電層３２上の平坦部３３ａ
と、多層抵抗膜２０の両側端面２０ａ上の延出部３３ｂ
とが形成される。さらにバイアス下地層３２は、ｂｃｃ
構造の結晶構造体から形成され、少なくとも[２１１]面
または[２００]面が膜面垂直方向に配向されている。

【００４７】後述する製造方法で説明する通り、バイア
ス下地層３３を形成するときの形成面αの垂直方向に対
するスパッタ粒子入射角度は、アモルファス導電層３２
の形成時のスパッタ粒子入射角度よりも大きい。これに
よって、バイアス下地層３３は、アモルファス導電層３
２上のみならず多層抵抗膜２０の両側端面２０ａ上にも
形成されるが、バイアス下地層３３は少なくとも[２１
１]面または[２００]面が膜面垂直方向に配向されてい
るため、フリー磁性層２９と対向するハードバイアス層
３４の磁気特性がバイアス下地層３３により改善され
る。このことは、後述する実施例によって実証する。

【００４８】なお、多層抵抗膜２０の両側領域に形成さ
れるバイアス下地層３３の下方には、アモルファス導電
層３２が形成され直接には反強磁性層２６が形成されな
い。このため、バイアス下地層３３が反強磁性層２６の
結晶配向の影響を強く受けることはない。したがって、
バイアス下地層３３上に形成されるハードバイアス層３
４の保磁力を大きくすることが可能である。

【００４９】また、前述したように、形成面α上の反強
磁性層２６上でのアモルファス導電層３２は、この形成
面α上において、バイアス下地層３３を嵩上げさせる機
能も有している。これによって、バイアス下地層３３上
に形成されるハードバイアス層３４を多層抵抗膜２０の
フリー磁性層２９の高さ位置に対応する高い位置に形成
することができ、フリー磁性層２９の両側に一層十分な
体積を有してハードバイアス層３４を対向させることが
できる。

【００５０】前記バイアス下地層３３上にはハードバイ
アス層３４が形成される。この実施形態では、反強磁性
層２６のオーバーエッチングした箇所にアモルファス導
電層３２及びバイアス下地層３３を介した位置、すなわ
ちバイアス下地層３３の平坦部３３ａ上における、ハー
ドバイアス層３４の下面３４ａは、フリー磁性層２９の
下面２９ａよりも図示下側（図示Ｚ方向の逆方向）に位
置し、かつ、平坦部３３ａ上におけるハードバイアス層
３４の上面３４ｂは、フリー磁性層２９の下面２９ａよ
りも図示上側（図示Ｚ方向）に位置することが好まし
い。これによって、ハードバイアス層３４を、フリー磁
性層２９の両側に十分な大きさの体積を有して対向させ
ることが可能である。またハードバイアス層３４が、少
なくとも[１００]面が膜面垂直方向に優先配向された磁
性材料から形成されている。このハードバイアス層３４
が少なくとも[１００]面が膜面垂直方向に配向されてい
ること、バイアス下地層３３が少なくとも[２１１]また
は[２００]面が膜面垂直方向に配向されていること、及
びアモルファス導電層３２により反強磁性層２６の影響
を受けないことにより、ハードバイアス層３４の磁気特
性が改善され、ハードバイアス層３４の保磁力Ｈｃが実
用に供する１６０ＫＡ／ｍ以上の値となる。この場合、
ハードバイアス層３４の角型比Ｓが０．８以上となる。
このことは、実施例によって実証する。

【００５１】またバイアス下地層３３の平坦部３３ａ上
におけるハードバイアス層３４の上面３４ｂは、フリー
磁性層２９の上面２９ｂと略同一面上に位置するか、あ
るいはフリー磁性層２９の上面２９ｂよりも図示上側
（図示Ｚ方向）に位置することが更に好ましい。これに
よって、フリー磁性層２９の下面２９ａ及び上面２９ｂ
から、形成面αと平行な方向に仮想線Ｄ、Ｅを引いた
時、多層抵抗膜２０の両側領域における２本の仮想線
Ｄ、Ｅ内には、バイアス下地層３３の延出部３３ｂとハ
ードバイアス層３４のみが存在することになるため、ハ
ードバイアス層３４からより十分なバイアス磁界をフリ
ー磁性層２９に供給することが可能になる。

【００５２】また、ハードバイアス層３４とフリー磁性
層２９との間に、テーパー状の膜厚の薄いバイアス下地
層３３の延出部３３ｂのみが介在すると、ハードバイア
ス層３４からのバイアス磁界は極端に小さくならず、十
分な大きさのバイアス磁界をフリー磁性層２９に供給で
きる。

【００５３】上記の構成であれば、ハードバイアス層３
４からフリー磁性層２９に適切な大きさのバイアス磁界
を供給でき、これによりフリー磁性層２９の磁化を図示
Ｘ方向に適切に単磁区化することが可能である。

【００５４】前記ハードバイアス層３４上には電極層３
６が形成され、電極層３６上にはＴａなどで形成された
保護層３７が形成される。

【００５５】次に、アモルファス導電層３２及びバイア
ス下地層３３の材質について、以下に説明する。

【００５６】アモルファス導電層３２は前述したよう
に、そのアモルファス（非晶質）の性質により、直下に
反強磁性層２６が存在しても、この配向特性の影響を絶
ち切る作用があり、アモルファス導電層３２が非磁性材
料で形成されている。

【００５７】またアモルファス導電層３２がＣｏ−Ｔ−
Ｚ合金から形成される場合には、ＴはＺｒ、Ｈｆのうち
少なくとも１種を含む元素であり、ＺはＴａ、Ｎｂのう
ち少なくとも１種を含む元素である。またアモルファス
導電層３２がＮｉ−Ｘ合金から形成される場合には、Ｘ
は少なくともＰを含む元素からなる。またアモルファス
導電層３２の膜厚が、６０Å以上３００Å以下の範囲に
設定されている。

【００５８】一方、バイアス下地層３３は、結晶構造が
ｂｃｃ構造（体心立方構造）の金属膜で形成されること
が望ましい。またバイアス下地層３３を成膜する場合
は、その成膜方向を制御することにより、少なくとも
[２１１]面または[２００]面を膜面垂直方向に配向させ
る。

【００５９】上記のように、バイアス下地層３３の下に
アモルファス導電層３２が形成され、直接反強磁性層２
６が形成されていないため、バイアス下地層の結晶構造
を体心立方構造（ｂｃｃ構造）に適正に調整できる。こ
のような結晶構造及び結晶配向性を有する金属膜によっ
てバイアス下地層３３を形成する理由は、このバイアス
下地層３３上に形成されるハードバイアス層３４の保磁
力（Ｈｃ）と角型比（Ｓ）を高めるためである。

【００６０】また、ハードバイアス層３４は、ＣｏＰｔ
合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成される。これら合金
の結晶構造は、稠密六方構造（ｈｃｐ）となっている。
また、ハードバイアス層３４は、膜面垂直方向が[１０
０]面の配向を有するように成膜する。

【００６１】ここで、金属膜で形成されたｂｃｃ構造の
バイアス下地層３３とハードバイアス層３４を構成する
ＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造は、その格子のマッチング
関係で、例えばハードバイアス層３４のｈｃｐ構造のｃ
軸は、膜面内に配向する。これは、膜面内に着磁してい
るハードバイアス層３４として非常に有利な構造であ
る。このため、より大きな保磁力と良好な角型比を併せ
もつことができる。

【００６２】バイアス下地層３３は結晶構造が体心立方
構造（ｂｃｃ構造）を有するため、その金属膜は、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａのいずれか１種ま
たは２種以上の元素で形成されることが好ましいが、特
にＣｒ膜で形成されることが好ましい。このＣｒ膜は、
ハードバイアス層３４の結晶配向を整える機能に優れ、
ハードバイアス層３４の保磁力を適切に大きくすること
ができるからである。

【００６３】形成面α上に形成された多層抵抗膜２０上
には、図１に示すように、絶縁材料を使用して上部ギャ
ップ層３８が形成され、上部ギャップ層３８上には磁性
材料を使用して上部シールド層３９が形成される。

【００６４】次に、本発明の第２の実施形態について、
図３を参照しながら説明する。この磁気検出素子も、記
録媒体に記録されたデータを再生するための磁気ヘッド
に用いられる。図３には、この磁気検出素子のみが図示
されているが、第１の実施形態と同様に、この磁気検出
素子による磁気ヘッド上に記録用のインダクティブヘッ
ドが形成されていてもよい。

【００６５】この実施形態の第１実施形態と異なる部分
は、多層抵抗膜２０の反強磁性層２６とギャップ層２２
との間にシードレイヤ層２５を有する点である。即ち、
この実施形態では、下部シールド層２１上に形成された
下部ギャップ層２２上にシードレイヤ層２５が形成され
ている。

【００６６】このシードレイヤ層２５は、下地層２３
と、反強磁性層２６との界面と平行方向に面心立方晶の
[１１１]面或いは体心立方晶の[１１０]面が優先配向し
た、非磁性材料或いは磁性材料で形成された配向膜２４
とで形成される。

【００６７】シードレイヤ層２５は、一層の非磁性材料
あるいは磁性材料で形された配向層２４のみで構成され
ていてもよいが、配向層２４の結晶配向を整えるために
は下地層２３が形成されている方が好ましい。

【００６８】下地層２３は、Ｔａ（タンタル）、Ｈｆ
（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニウ
ム）、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タン
グステン）のうち少なくとも１種以上で形成されること
が好ましい。また、配向層２４は、上記のように磁性材
料あるいは非磁性材料で形成されるが、特に高抵抗材料
で形成することが好ましい。この配向層２４は、例えば
ＮｉＦｅＹ合金（ただしＹは、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種以
上）で形成されることが好ましい。このうち、配向層２
４はＮｉＦｅＣｒ合金で形成されることがより好まし
い。この配向層２４の[１１１]面を、より適切に反強磁
性層２６との界面と平行な方向に優先配向させることが
でき、さらに高比抵抗にできるからである。

【００６９】配向層２４が高比抵抗であると、後述する
電極層３６から流れるセンス電流のシードレイヤ層２５
への分流を抑制することが可能である。これによって抵
抗変化率（ΔＭＲ）を向上させることができ、またバル
クハウゼンノイズを減少させることができる。またシー
ドレイヤ層２５はＣｒ単層で形成してもよい。Ｃｒ単層
で形成すると、その濡れ性の大きい性質により、各結晶
粒が均一な高さに成長するため、膜表面のうねりがなく
なり、出力信号の対称性が向上する。

【００７０】なお、シードレイヤ層２５のうち下地層２
３は、０Å以上で５０Å以下程度の膜厚で、配向層２４
は１０Å以上で１００Å以下程度の膜厚で形成される。

【００７１】前記シードレイヤ層２５上には反強磁性層
２６が形成されるが、これは先の第１の実施形態のもの
と同様の構成である。即ち、この反強磁性層２６は、耐
食性に優れ、しかもブロッキング温度も高く、反強磁性
層２６上に形成される固定磁性層２７との界面で大きな
交換結合磁界を発生し得る。また、この反強磁性層２６
は５０Å以上で２５０Å以下の膜厚で形成されることが
好ましい。

【００７２】上記したように、シードレイヤ層２５は、
反強磁性層２６との界面と平行な方向に面心立方晶の
[１１１]面あるいは体心立方晶の[１１０]面が優先配向
していることにより、シードレイヤ層２５上に形成され
る反強磁性層２６の[１１１]面、さらには反強磁性層２
６上に形成される各層の[１１１]面、さらには反強磁性
層２６上に形成される各層の[１１１]面と平行な方向に
優先配向させることが可能であり、これによって結晶粒
径が大きくなり、低抵抗率（ΔＧＭＲ）を向上させるこ
とができる。

【００７３】固定磁性層２７は、２０Å以上で６０Å以
下程度の膜厚で形成されることが好ましい。一方、非磁
性導電層２８は例えば２５Å程度の膜厚で形成される。
フリー磁性層２９は、２０Å以上で４０Å以下程度の膜
厚で形成されることが好ましい。また、フリー磁性層２
９は、２層構造で形成され、非磁性導電層２８と対向す
る側にＣｏ膜が形成されていることが好ましい。これに
より、非磁性導電層２８との界面での金属元素等の拡散
を防止でき、抵抗変化率（ΔＧＭＲ）を大きくすること
ができる。フリー磁性層２９上の保護層３０はＴａなど
で形成され、その膜厚は３０Å程度である。

【００７４】この第２の実施形態でも、シードレイヤ層
２５から保護層３０の各層で構成される多層抵抗膜２０
のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面２０ａ、２
０ａが、シードレイヤ層２５の下面から保護層３０の上
面まで連続した傾斜面となっている。

【００７５】多層抵抗膜２０は、先の第１の実施形態と
同様に、まず各層を形成面α上に成膜した後、多層抵抗
膜２０の中央部上にのみリフトオフ用のレジスト層を形
成し、レジスト層に覆われていない多層抵抗膜２０の両
側領域をエッチングで除去する。

【００７６】この多層抵抗膜２０の両側領域は、形成面
αが露出するまで深くエッチングせず、シードレイヤ層
２５の一部を残すか、若しくは反強磁性層２６の一部を
残すような構成である。

【００７７】なお、多層抵抗膜２０の両側領域には、先
の第１の実施形態と同様に、下から順にアモルファス導
電層３２、バイアス下地層３３、ハードバイアス層３
４、電極層３６、及び保護層３７がそれぞれ形成され
る。

【００７８】アモルファス導電層３２は、多層抵抗膜２
０の両側領域の形成面α上に形成されるが、アモルファ
ス導電層３２の多層抵抗膜２０側の端面３２ａは、多層
抵抗膜２０の両側端面２０ａと接して形成される。アモ
ルファス導電層３２上にバイアス下地層３３を介して形
成されるハードバイアス層３４は、多層抵抗膜２０の両
側領域内で高い位置に形成され、フリー磁性層２９の両
側に十分な体積を有して対向される。

【００７９】この形成面α上でのアモルファス導電層３
２の膜厚は６０Å以上３００Å以下であることが好まし
い。また、バイアス下地層３３の膜厚は３５Å以上で７
５Å以下であることが好ましい。

【００８０】この実施形態でも、アモルファス導電層３
２は、スパッタの際、形成面αに対してほぼ垂直方向か
らのイオン照射により成膜される。嵩上げ用のアモルフ
ァス導電層３２の一部が多層抵抗膜２０の両側端面２０
ａ上に形成されるが、この部分はエッチングにより除去
される。

【００８１】なお、アモルファス導電層３２の上面３２
ｂは、反強磁性層２６の下面２６ａよりも上側（図示Ｚ
方向）に位置していることが好ましい。これによって、
ハードバイアス層３４を、多層抵抗膜２０の両側領域内
において高い位置で形成でき、フリー磁性層２９の両側
に十分な体積を有して対向させることが可能である。

【００８２】この実施形態では、多層抵抗膜２０の両側
領域に形成されるバイアス下地層３３の下には、アモル
ファス導電層３２が存在し、その下方にシードレイヤ層
２５及び反強磁性層２６が存在する。このため、バイア
ス下地層３３がシードレイヤ層２５及び反強磁性層２６
の結晶配向の影響を受けることはない。よって、バイア
ス下地層３３上に形成されるハードバイアス層３４の保
磁力を大きくすることが可能である。しかも、バイアス
下地層３３の下にアモルファス導電層３２及び反強磁性
層２６の両側領域を介在させ、バイアス下地層３３やハ
ードバイアス層３４の嵩上げを図っているため、バイア
ス下地層３３が先細りした状態となってこれらの体積が
低下するといった不都合を解消することができる。

【００８３】バイアス下地層３３の平坦部３３ａ上にお
ける、ハードバイアス層３４の下面３４ａは、フリー磁
性層２９の下面２９ａよりも図示下側（図示Ｚ方向の逆
方向）に位置し、かつ、平坦部３３ａ上におけるハード
バイアス層３４の上面３４ｂは、フリー磁性層２９の下
面２９ａよりも図示上側（図示Ｚ方向）に位置すること
が好ましい。

【００８４】さらに、この実施形態では、上記の構成に
加えて、バイアス下地層３３の平坦部３３ａ上における
ハードバイアス層３４の上面３４ｂは、フリー磁性層２
９の上面２９ｂと同一面上に位置するか、あるいはフリ
ー磁性層２９の上面２９ｂよりも図示上側（図示Ｚ方
向）に位置することがさらに好ましい。これによって、
フリー磁性層２９の下面２９ａ及び上面２９ｂから、そ
れぞれ形成面αと平行な方向に仮想線（図略）を引いた
とき、多層抵抗膜３１の両側領域における２本の仮想線
内には、バイアス下地層３３の延出部３３ｂとハードバ
イアス層３４のみが存在することになるため、ハードバ
イアス層３４からより十分なバイアス磁界をフリー磁性
層２９に供給することが可能になる。

【００８５】さらに、この実施形態では、先の実施形態
のように、ハードバイアス層３４とフリー磁性層２９と
の間には、テーパー状の膜厚の薄いバイアス下地層３３
の延出部３３ｂが介在するため、ハードバイアス層３４
からのバイアス磁界は極端に小さくならず、十分な大き
さのバイアス磁界をフリー磁性層２９に供給できる。

【００８６】この実施形態では、バイアス下地層３３の
下には、アモルファス導電層３２が存在し、その下方に
シードレイヤ層２５及び反強磁性層２６が存在してい
る。そのため、バイアス下地層３３の結晶構造を体心立
方構造（ｂｃｃ構造）に適正に調整できる。また、先の
実施形態と同様に、バイアス下地層３３は、結晶構造が
体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜で形成されること
が好ましく、バイアス下地層３３の結晶配向は[２０
０]、[２１１]面配向を有する。

【００８７】この実施形態のハードバイアス層３４も、
ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成され、これ
ら合金の結晶構造は、稠密六方構造（ｈｃｐ）となって
いる。

【００８８】この実施形態でも、上記の金属膜で形成さ
れたｂｃｃ構造のバイアス下地層３３とハードバイアス
層３４を構成するＣｏＰｔ系合金の（ｈｃｐ）構造は、
その格子のマッチングの関係で、ハードバアイス層３４
のｈｃｐ構造のｃ軸は、膜面内に配向される。その結
果、膜面内に着磁して用いるハードバイアス層３４とし
て、非常に有利な構造である。すなわち、より大きな保
磁力（Ｈｃ）と良好な角型比を併せもつことができる。

【００８９】なお、この実施形態でも、図３に示すよう
に、形成面α上に形成された多層抵抗膜２０上には、絶
縁材料を使用して上部ギャップ層３８が形成され、この
上部ギャップ層３８の上には磁性材料を使用して上部シ
ールド層３９が形成される。

【００９０】従って、この第２の実施形態によれば、最
下層にシードレイヤ層２５を形成し、その上に反強磁性
層２６を形成することにより、反強磁性層２６の結晶配
向が整えられ、多層抵抗膜２０の抵抗変化率を向上させ
ることができる。

【００９１】また、この実施形態によれば、多層抵抗膜
２０の両側に形成されるバイアス下地層３３の下側に
は、アモルファス導電層３２が存在し、その下方にシー
ドレイヤ層２５が存在するため、バイアス下地層３３を
適切な結晶構造及び結晶配向を有して形成することがで
きる。これによって、バイアス下地層３３上に形成され
るハードバイアス層３４の保磁力を高めることができ
る。

【００９２】次に、本発明の第３の実施形態について、
図４を参照しながら説明する。図４は、本発明における
第３の実施形態に係る磁気検出素子を記録媒体との対向
面（ＡＢＳ面）側から見た部分断面図である。

【００９３】この磁気検出素子も、記録媒体に記録され
たデータを再生するための磁気ヘッドに用いられる。図
４には、この磁気検出素子のみが図示されているが、第
１の実施形態と同様に、この磁気検出素子による磁気ヘ
ッド上に記録用のインダクティブヘッドが形成されてい
てもよい。

【００９４】図４の第３の実施形態と図１の第１の実施
形態との相違点は、固定磁性層２７及びフリー磁性層２
９の構造にある。図１では固定磁性層２７及びフリー磁
性層２９は共に単層で形成されていたが、図４では固定
磁性層２７及びフリー磁性層２９が共に３層で形成され
ている。

【００９５】固定磁性層２７は、強磁性層４０、非磁性
中間層４１及び強磁性層４２で構成されている。強磁性
層４０と４２は、例えばＣｏ(コバルト)で形成され、非
磁性中間層４１は、例えばＲｕ（ルテニウム）などの非
磁性層で形成される。この３層構成により、強磁性層４
０と強磁性層４２の磁化方向は互いに反平行状態にされ
る。これは、いわゆるフェリ状態と呼ばれるものであ
り、固定磁性層２７の磁化を安定した状態にでき、また
固定磁性層２７と反強磁性層２６との界面で発生する交
換結合磁界を大きくすることができる。

【００９６】同様に、フリー磁性層２９は、Ｃｏなどで
形成した強磁性層４３、強磁性層４５と、この強磁性層
４３、４５間のＲｕなどの非磁性中間層４４とで構成さ
れている。これにより、強磁性層４３、４５の磁化は互
いに反平行にされ、フリー磁性層２９の磁化を安定した
状態に保持でき、各強磁性層４３、４５の磁気的な膜厚
を薄く形成できる。その結果、フリー磁性層２９の磁化
は、強磁性層４３、４５が外部磁界に対し反平行を保ち
ながら反転しやすくなり、再生特性の向上を図ることが
できる。このフェリ構造は、固定磁性層２７及びフリー
磁性層２９のどちらか一方において形成されていてもよ
い。

【００９７】この強磁性層４０、４２および強磁性層４
３、４５の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成され
る。また非磁性中間層４１、４４の膜厚は３Å〜１０Å
程度で形成される。

【００９８】この第３の実施形態においても、多層抵抗
膜４６の最下層はシードレイヤ層２５であり、また多層
抵抗膜４６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両
側端面４６ａ、４６ａは、シードレイヤ層２５の下面か
ら保護層３０の上面にまで連続する傾斜面となってい
る。また、バイアス下地層３３の下側には、アモルファ
ス導電層３２が存在し、その下方にシードレイヤ層２５
及び反強磁性層２６が存在するため、バイアス下地層３
３を所定の結晶配向に保つことができる。

【００９９】しかも、前記多層抵抗膜４６の凸形状反強
磁性層２６の両側（特にオーバーエッチングされた箇
所）にはアモルファス導電層３２を形成することによ
り、保磁力の大きいハードバイアス層３４をフリー磁性
層２９の両側に十分な膜厚を有して対向させることがで
きる。また、このフリー磁性層２９とハードバイアス層
３４間に介在するバイアス下地層３３の膜厚も薄く形成
できることから、ハードバイアス層３４からのバイアス
磁界をフリー磁性層２９に十分に供給でき、フリー磁性
層２９の単磁区化を促進させることができる。

【０１００】さらに、固定磁性層２７の中間層４１の上
面までアモルファス導電層３２を形成することが望まし
い。すなわち、固定磁性層２７の中間層４１、磁性層４
０、反強磁性層２６へのセンス電流の流れ込みを少なく
することにより、シャントロスが低減し出力を大きくす
ることができる。

【０１０１】次に、図５〜図１０は、図１に示す磁気検
出素子の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、
各図は記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）側から見た部分
断面図である。

【０１０２】図５に示す工程では、基板Ｂ上に、パーマ
ロイやセンダストなどの磁性材料で形成された下部シー
ルド層２１を形成し、下部シールド層２１上に、アルミ
ナなどの絶縁材料で形成された下部ギャップ層２２を形
成する。

【０１０３】次に、下部ギャップ層２２上の全面に、磁
気検出素子の多層抵抗膜２０を構成する各層を成膜す
る。即ち、まず、下部ギャップ層２２上にＰｔＭｎ合金
などで形成された反強磁性層２６を形成する。さらに反
強磁性層２６上に、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成
された固定磁性層２７、Ｃｕなどで形成された非磁性導
電層２８、ＮｉＦｅ合金などで形成されたフリー磁性層
２９、及びＴａなどで形成された保護層３０を形成す
る。

【０１０４】また、図３に示すシードレイヤ層２５を形
成するには、まず、下部ギャップ層２２上にＴａなどの
下地層２３及びＮｉＦｅＣｒ合金などの非磁性材料層２
４で構成されるシードレイヤ層２５を形成する。次に、
シードレイヤ層２５上にＰｔＭｎ合金などで形成された
反強磁性層２６を形成する。また図４に示す多層抵抗膜
４６を成膜するには、固定磁性層２７及びフリー磁性層
２９をフェリ状態にして形成する。

【０１０５】次に図５に示すように、保護層３０上の中
央部部分にリフトオフ用のレジストＲを塗布工程・露光
現像工程によりパターニング形成する。図５に示すよう
に、レジストＲの下面５７ｂには、切り込み部５７ａ、
５７ａが設けられる。

【０１０６】次に図６に示す工程では、レジストＲによ
って覆われていない多層抵抗膜２０のトラック幅方向
（図示Ｘ方向）における両側領域２０ｂ、２０ｂをエッ
チングにより除去する。

【０１０７】この実施形態では、多層抵抗膜２０の両側
領域２０ｂ、２０ｂを、下部ギャップ層２２の上面（磁
気抵抗効果素子の形成面α）が露出することがない程度
の深さまで浅く反強磁性膜２６の一部をオーバーエッチ
ングして削り込む。これにより、残された多層抵抗膜２
０の両側端面２０ａ、２０ａは、反強磁性膜２６の上面
から保護層３０の上面にまで連続した傾斜面となり、多
層抵抗膜３１はほぼ台形状となる。

【０１０８】次に図７に示すように、凸型形状の反強磁
性層２６の両側（特にオーバーエッチングされた箇所）
上にアモルファス導電層３２をスパッタ成膜する。な
お、このとき、このアモルファス導電層３２の多層抵抗
膜２０側の端面３２ａが多層抵抗膜２０の両側端面２０
ａに接するようにする。

【０１０９】図７に示すように、アモルファス導電層３
２のスパッタ成膜は、形成面αの垂直方向（図示Ｚ方
向）に対して、第１のスパッタ粒子入射角度θ１を有し
て行なわれる。この第１のスパッタ粒子入射角度θ１
は、具体的には、０°以上で１０°以下であることが好
ましい。このとき、レジストＲにもアモルファス層３２
と同一の材料の層３２′が付着する。

【０１１０】即ち、アモルファス導電層３２は、前記形
成面αに対してほぼ垂直方向からスパッタ成膜される。
具体的には、ロングスロースパッタ法（ＬＴＳ）、イオ
ンビームスパッタ法（ＩＢＤ）、コリメーションスパッ
タ法などにより行うことが好ましい。

【０１１１】さらに多層抵抗膜２０の両側領域２０ａに
付着したアモルファス導電層３２をエッチングにより除
去する。この場合、アモルファス導電層３２を完全にエ
ッチングにより除去することが理想的であるが、アモル
ファス導電層３２は導電性を有するものであるため、フ
リー磁性層２９を流れるセンス電流を遮断させることが
なく、多少残留しても問題がない。これにより、エッチ
ング処理時間を短縮して多層抵抗層２０をエッチングか
ら保護することができる。

【０１１２】またアモルファス導電層３２の上面３２ｂ
は、反強磁性層２６の下面２６ａよりも上側に位置する
ようにアモルファス導電層３２の膜厚を制御して成膜す
ることが好ましい。なお、アモルファス導電層３２の膜
厚は、６０Å〜３００Åの範囲であることが好ましい。

【０１１３】また、以下の工程で成膜されるバイアス下
地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６、及び保
護層３７もまた上記のスパッタ法によって成膜すること
が好ましい。

【０１１４】また、この実施形態では、バイアス下地層
３３を、結晶構造が（ｂｃｃ）構造の金属膜で形成する
ことが好ましい。この金属膜にはＣｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、
Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａを挙げることができ、これら１種以上
あるいは２種以上の元素を選択することが可能である
が、この実施形態では特にＣｒ膜でバイアス下地層３３
をスパッタ成膜することが好ましい。

【０１１５】次に図８に示す工程では、アモルファス導
電層３２の上面３２ｂから多層抵抗膜２０の両側端面２
０ａにかけてバイアス下地層３３をスパッタ成膜する。
同図に示すように、バイアス下地層３３は、形成面αの
垂直方向（図示Ｚ方向）に対して、第２のスパッタ粒子
入射角度θ２を有してスパッタ成膜されるが、第２のス
パッタ粒子入射角度θ２は、第１のスパッタ粒子入射角
度θ１よりも大きいことが好ましい。この第２のスパッ
タ粒子入射角度θ２は、具体的には１５°以上で６０°
以下であることが好ましい。より好ましくは３０°以上
で６０°以下である。このとき、レジストＲ上にもバイ
アス下地層３３と同一の材料の層３３′が形成される。

【０１１６】即ち、バイアス下地層３３は、アモルファ
ス導電層３２の形成のときよりも、形成面αの垂直方向
に対してより傾いた方向からスパッタ成膜される。この
ため、同図に示すように、バイアス下地層３３は、アモ
ルファス導電層３２上のみならず、多層抵抗膜２０の両
側端面２０ａ上にも成膜されやすい。なお、このよう
に、バイアス下地層３３が多層抵抗膜２０の両側端面２
０ａ上に延出形成されるときは、バイアス下地層３３は
フリー磁性層２９の両側端面にまで延出形成されること
が好ましいが、バイアス下地層３３がフリー磁性層２９
の両側端面の下側までしか延出していなくてもかまわな
い。また、バイアス下地層３３は、多層抵抗膜２０の両
側端面上に延出せずアモルファス導電層３２上にのみ形
成されていてもよい。

【０１１７】また、形成面α上におけるバイアス下地層
３３の上面３３ｃが、フリー磁性層２９の下面２９ａよ
りも下側に位置するように、図８での工程時におけるア
モルファス導電層３２及び図９での工程時におけるバイ
アス下地層３３の膜厚を適切に調整しながらスパッタ成
膜することが好ましい。これによって、ハードバイアス
層３４をフリー磁性層２９の両側に十分な体積を有して
対向させることが可能である。

【０１１８】また、この実施形態では、前述したよう
に、バイアス下地層３３を、結晶構造が（ｂｃｃ）構造
の金属膜で形成することが好ましく、そのような金属膜
としてはＣｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａのうち
いずれか１種以上を選択できる。このうちＣｒ膜でバイ
アス下地層３３を形成することが好ましい。このＣｒ膜
は、次の工程で形成されるハードバイアス層３４の結晶
構造を（ｈｃｐ）構造にしやすく、ハードバイアス層３
４の保磁力を大きくすることができるからである。

【０１１９】次に図９に示す工程では、バイアス下地層
３３上にＣｏＰｔＣｒ合金などによるハードバイアス層
３４をスパッタ成膜する。このとき、レジストＲ上にも
ハードバイアス層３４と同一の材料の層３４′が形成さ
れる。この実施形態では、上記したように、凸型状の反
強磁性層２６の両側にアモルファス導電層３２を形成し
ており、これによってアモルファス導電層３２上にバイ
アス下地層３３を介して形成されるハードバイアス層３
４を、フリー磁性層２９の両側に十分な体積を有して対
向させることが可能である。

【０１２０】したがって、この実施形態の製造方法によ
って形成された磁気検出素子によれば、ハードバイアス
層３４からのバイアス磁界を適切にフリー磁性層２９に
供給でき、フリー磁性層２９の磁化を適切に単磁区化す
ることが可能になっている。

【０１２１】また、この実施形態では、バイアス下地層
３３の下にアモルファス導電層３２が形成されるため、
直接に反強磁性層２６が形成されておらず、バイアス下
地層３３の結晶配向を適切に整えることができ、よって
バイアス下地層３３上に形成されるハードバイアス層３
４の保磁力を高めることができる。

【０１２２】また、この実施形態では、図９に示す工程
時において、ハードバイアス層３４の上面３４ｂが、フ
リー磁性層２９の上面２９ｂよりも上側に位置するよう
に、ハードバイアス層３４を成膜することが好ましい。

【０１２３】さらに、ハードバイアス層３４の下面３４
ａが、フリー磁性層２９の下面２９ａよりも下側に位置
していれば、フリー磁性層２９の両側には、形成面αと
平行な方向におけるフリー磁性層２９の膜厚範囲内にバ
イアス下地層３３を介してハードバイアス層３４のみが
対向するため、ハードバイアス層３４からフリー磁性層
２９に、より十分なバイアス磁界を供給でき、より適切
にフリー磁性層２９の磁化の単磁区化を促進させること
ができる。

【０１２４】次に図１０に示す工程では、ハードバイア
ス層３４上にＣｒやＡｕなどの電極層３６をスパッタ成
膜した後、電極層３６上にＴａなどの保護層３７をスパ
ッタ成膜する。このとき、レジストＲ上に、電極層３６
と同一の材料の層３６′、保護層３７と同一の材料の層
３７′が重ねられて形成される。

【０１２５】そして図１０に示すリフトオフ用のレジス
トＲを除去し、続いて多層抵抗膜２０上に、図示しない
上部ギャップ層３８及び上部シールド層３９を形成する
と、図１に示す磁気検出素子が完成する。

【０１２６】以上のように、この実施形態では、多層抵
抗膜２０上に一つのリフトオフ用のレジストＲを用いる
ことにより、多層抵抗膜２０の両側領域のエッチング工
程及びアモルファス導電層３２、バイアス下地層３３、
ハードバイアス層３４、電極層３６及び保護層３７のス
パッタ成膜を連続して行うことができる。このため、上
記の製造方法を用いればこの実施形態に係る磁気検出素
子を容易に製造することができる。

【０１２７】また、この実施形態では、アモルファス導
電層３２の形成時における第１のスパッタ粒子入射角度
θ１をバイアス下地層３３の形成時における第２のスパ
ッタ粒子入射角度θ２よりも小さくすることで、アモル
ファス導電層３２及びバイアス下地層３３を容易に所定
の形状で形成できる。さらにこの製造方法によれば、ハ
ードバイアス層３４をフリー磁性層２９の両側に十分な
体積を有して対向させることが容易に行える。

【０１２８】（実施例）次にバイアス下地層３３の下層
にアモルファス金属層３２を形成し、アモルファス金属
層３２上にバイアス下地層３３と、ハードバイアス層３
４とを順に形成し、さらにバイアス下地層３３としてＣ
ｒを用い、ハードバイアス層３４としてＣｏＰｔを用い
た場合において、バイアス下地層３３の成膜角度に対す
るハードバイアス層３４のＸ線回折（ＸＲＤ）ピーク比
の依存性について実験を行なった。

【０１２９】図１１（ａ）は、バイアス下地層３３とし
て用いたＣｒの成膜角度と、ハードバイアス層３４とし
て用いたＣｏＰｔの[２００]面と[１００]面とのＸ線回
折（ＸＲＤ）ピーク比との関係を数値で示す図、図１１
（ｂ）は、図１１（ａ）に示された数値をグラフに表し
た図、図１１（ｃ）は、ハードバイアス層３４として用
いたＣｏＰｔの[２００]面と[１００]面とのＸＲＤピー
ク比と、ＣｏＰｔからなるバイアス層３３の保磁力（Ｈ
ｃ）との関係を数値で示す図、図１１（ｄ）は、図１１
（ｃ）に示す数値をグラフに表した図である。また図１
２（ａ）はＣｒの成膜角度が２０°の場合の配向状態、
図１２（ｂ）はＣｒの成膜角度が５０°の場合の配向状
態、図１２（ｃ）はＣｒの成膜角度に対する、ＣｏＰｔ
の配向依存性及びＣｏＰｔの保磁力Ｈｃの依存性を多重
記録して示すものである。

【０１３０】ここで、Ｃｒからなるバイアス下地層３３
の成膜角度と、ＣｏＰｔからなるハードバイアス層３４
の成膜角度とは、基板Ｂに対する垂直方向に対するスパ
ッタ粒子の入射方向がなす角度（図７のθ１、図８のθ
２に相当する）に設定する。またＣ０Ｐｔ膜の成膜角度
は２０°に制御して固定している。

【０１３１】図１１及び図１２に示すように、Ｃｒの成
膜角度が２０°の場合には、Ｃｒ膜は[１１０]面が膜面
垂直方向に優先配向するのみであり、しかもＣｏＰｔ膜
は[１００]面と[２００]面とのピーク比（Ｉ（[１００]
／[２００]））が小さく（０．０８）、ＣｏＰｔ膜の保
磁力Ｈｃは小さい（１３６ＫＡ／ｍ）。

【０１３２】Ｃｒの成膜角度を５０°、すなわちＣｒの
粒子入射方向を基板Ｂ側（水平面側）に寝かせると、Ｃ
ｒ膜は[１１０]面に加えて[２００]面、[２１１]面が優
先配向され、これにより、ＣｏＰｔ膜は[１００]面と
[２００]面とのピーク比（Ｉ（[１００]／[２００]））
が増大し（０．１５）、ＣｏＰｔ膜の保磁力Ｈｃも増大
する（１７１ＫＡ／ｍ）。

【０１３３】また、バイアス下地層３３としてのＣｒの
成膜角度を６０°にして、Ｃｒの粒子入射方向を基板Ｂ
側（水平面側）に寝かせると、Ｃｒ膜は[１１０]面に加
えて[２００]面、[２１１]面が優先配向され、これによ
り、ＣｏＰｔ膜は[１００]面と[２００]面とのピーク比
（Ｉ（[１００]／[２００]））が増大し（０．４４）、
ＣｏＰｔ膜の保磁力Ｈｃも増大する（１９１ＫＡ／
ｍ）。

【０１３４】さらにＣｒの成膜角度を７０°、すなわち
Ｃｒの粒子入射方向をさらに基板Ｂ側（水平面側）に寝
かせると、Ｃｒ膜は[１１０]面に加えて[２００]面、
[２１１]面が優先配向され、これにより、ＣｏＰｔ膜は
[１００]面と[２００]面とのピーク比（Ｉ（[１００]／
[２００]））が増大し（１．１５）、ＣｏＰｔ膜の保磁
力Ｈｃも増大する（１９７ＫＡ／ｍ）。

【０１３５】ハードバイアス層３４としてのＣｏＰｔ膜
の保磁力Ｈｃが１６０ＫＡ／ｍ以上であれば、実用に供
することができるものであり、Ｃｒ膜の結晶の配向状態
及びＣｏＰｔ膜の検証の配向状態を制御することによ
り、ＣｏＰｔ膜（ハードバイアス層３４）の保磁力を実
用に耐える値に向上させることができることが分かる。
また本発明では、ＣｏＰｔ膜の[１００]面と[２００]面
のピーク比（Ｉ（[１００]／[２００]））は０．５以上
であることが好ましい。０．５以上であると、約１９０
ＫＡ／ｍ以上の安定した保磁力（Ｈｃ）が得られる。こ
のときのバイアス下地層の成膜角度は６１°以上が好ま
しい。また、より好ましくは、そのピーク比（Ｉ（[１
００]／[２００]））が１．０以上である。ピーク比が
１．０以上であると、[１００]面を[２００]面に対して
優先配向することができ、約１９５ＫＡ／ｍ以上の大き
くて安定した保磁力が得られる。このとき、バイアス下
地層の成膜速度は６７°以上が好ましい。

【０１３６】このことは、バイアス下地層３３としてＣ
ｒに代えてＷ（タングステン）を用いた場合についても
同様な結果が得られており、バイアス下地層３３として
ｂｃｃ構造の結晶構造体を用いる限り同様の特性を示す
ことが確かめられている。またハードバイアス層３４と
してのＣｏＰｔ合金に代えてＣｏＣｒＰｔ合金を用いた
場合にも同様な特性を示すことが確かめられている。こ
の場合、ハードバイアス層３４の成膜角度は２０°付近
がよいことが確かめられている。

【０１３７】なお、本発明の磁気検出素子は磁気ヘッド
に適用したが、これに限定されるものではなく、磁気セ
ンサにも同様に適用してもよい。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
層抵抗膜の両側領域のギャップ層若しくは反強磁性層上
に、アモルファス導電層を介してバイアス下地層、バイ
アス層が形成され、反強磁性層上に直接バイアス下地層
が形成されない構成とするため、反強磁性層の強力な配
向特性がバイアス下地層に直接影響を及ぼすのをアモル
ファス導電層で防止することができ、良好なハード膜特
性（例えばＨｃ≧１６０ＫＡ／ｍ、Ｓ≧０．８）をバイ
アス層の先細りのない形状で実現することができる。こ
れにより、安定性を確保でき、かつ狭ギャップ・狭トラ
ック幅に対応することができる。

【０１３９】さらに、アモルファス導電層を介してバイ
アス下地層、バイアス層が積層されており、このアモル
ファス導電層がバイアス下地層やバイアス層の嵩上げ機
能を果たしているから、特にボトムタイプのスピンバル
ブ型の磁気検出素子でも、バイアス下地層上に形成され
るバイアス層を、多層抵抗膜の両側領域内で高い位置に
形成でき、フリー磁性層の両側に十分な体積を有して対
向させることができる。

【０１４０】さらに、アモルファス導電層が多層抵抗膜
とバイアス下地層及びバイアス層との界面に残留したと
しても、導電性を有するものであるため、接合抵抗が増
大することがなく、磁気ヘッドとしての特性劣化を防止
することができる。

【０１４１】さらに、センス電流が多層抵抗膜のフリー
磁性層／非磁性層／固定磁性層の近傍を流れることな
り、シャントロスを低減して出力を向上させることがで
きる。

【０１４２】さらに、アモルファス導電層を成膜する工
程において、多層抵抗膜の両側領域のうちバイアス下地
層、バイアス層が接合すべき領域にアモルファス導電層
が付着したとしても、アモルファス導電層が導電性を有
するため、このアモルファス導電層を完全に除去する必
要がなく、エッチング処理により多層抵抗膜に損傷を与
えることを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気検出素子を
記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。

【図２】図１に示す磁気検出素子の右側形状を拡大した
部分断面図である。

【図３】本発明の第２の実施形態に係る磁気検出素子の
右側形状を拡大した部分断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態に係る磁気検出素子を
記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。

【図５】本発明の第４の実施形態に係る磁気検出素子を
記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。

【図６】図１に示す磁気検出素子の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図７】図１に示す磁気検出素子の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図８】図１に示す磁気検出素子の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図９】図１に示す磁気検出素子の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図１０】図１に示す磁気検出素子の製造方法を工程順
に示す断面図である。

【図１１】図１１（ａ）は、バイアス下地層のＣｒ成膜
角度と、バイアス層のＣｏＰｔのＸＲＤピーク比との関
係を数値で示す図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示
された数値をグラフに表した図、図１１（ｃ）は、バイ
アス層のＣｏＰｔのＸＲＤピーク比と、ＣｏＰｔからな
るバイアス層の保磁力（Ｈｃ）との関係を数値で示す
図、図１１（ｄ）は、図１１（ｃ）に示す数値をグラフ
に表した図である。

【図１２】図１２（ａ）はＣｒの成膜角度が２０°の場
合の配向状態、図１２（ｂ）はＣｒの成膜角度が５０°
の場合の配向状態、図１２（ｃ）はＣｒの成膜角度に対
する、ＣｏＰｔの配向依存性及びＣｏＰｔの保磁力Ｈｃ
の依存性を多重記録して示す図である。

【図１３】従来例の磁気検出素子を記録媒体との対向面
側から見た部分断面図である。

【図１４】従来例の磁気検出素子を記録媒体との対向面
側から見た部分断面図である。

【符号の説明】

２０多層抵抗膜２１下部シールド層２２下部ギャップ層２５シードレイヤ層２６反強磁性層２７固定磁性層２８非磁性導電層２９フリー磁性層３０保護層３２アモルファス導電層３３バイアス下地層３４ハードバイアス層３６電極層４６多層抵抗膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成されたギャップ層と、前記ギ
ャップ層上に形成された、多層抵抗膜を構成する、少な
くとも反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリ
ー磁性層と、前記多層抵抗膜の、フリー磁性層、非磁性
導電層、固定磁性層のトラック幅方向の両側に形成され
る、バイアス下地層、バイアス層とを含む磁気検出素子
であって、前記反強磁性層が、少なくとも前記多層抵抗膜の、フリ
ー磁性層、非磁性導電層、固定磁性層よりもトラック幅
方向の両側に延びた両側領域を有し、アモルファス導電層が前記反強磁性層の両側領域上に形
成され、前記バイアス下地層、バイアス層が前記アモル
ファス導電層上に下から順に形成され、前記バイアス層が、前記反強磁性層の両側領域、前記ア
モルファス導電層及び前記バイアス下地層で嵩上げされ
て前記フリー磁性層の高さ位置に形成されていることを
特徴する磁気検出素子。
【請求項２】請求項１記載の磁気検出素子において、前記バイアス下地層が、ｂｃｃ構造の結晶構造体から形
成され、少なくとも[２１１]面または[２００]面が膜面
垂直方向に配向されていることを特徴する磁気検出素
子。
【請求項３】請求項１記載の磁気検出素子において、前記バイアス層が、少なくとも[１００]面が膜面垂直方
向に優先配向された磁性材料から形成されていることを
特徴する磁気検出素子。
【請求項４】請求項２記載の磁気検出素子において、前記バイアス下地層が、前記バイアス層と前記フリー磁
性層との間に介在されていることを特徴とする磁気検出
素子。
【請求項５】請求項１記載の磁気検出素子において、前記アモルファス導電層が非磁性材料であることを特徴
とする磁気検出素子。
【請求項６】請求項１記載の磁気検出素子において、前記アモルファス導電層がＣｏ−Ｔ−Ｚ合金から形成さ
れ、ＴはＺｒ、Ｈｆのうち少なくとも１種を含む元素で
あり、ＺはＴａ、Ｎｂのうち少なくとも１種を含む元素
であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項７】請求項１記載の磁気検出素子において、前記アモルファス導電層がＮｉ−Ｘ合金からなり、Ｘは
少なくともＰを含む元素からなるものであることを特徴
とする磁気検出素子。
【請求項８】請求項１記載の磁気検出素子において、前記反強磁性層の両側領域の膜厚がトラック幅領域の膜
厚より薄く、前記アモルファス導電層が前記反強磁性層
の両側領域上に所望の膜厚で形成されていることを特徴
とする磁気検出素子。
【請求項９】請求項８記載の磁気検出素子において、前記アモルファス導電層の膜厚が、６０Å以上３００Å
以下であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１０】請求項１記載の磁気検出素子において、前記多層抵抗膜が、下から順に反強磁性層、固定磁性
層、非磁性導電層及びフリー磁性層を有し、前記固定磁性層が、非磁性中間層を挟んで形成された一
対の強磁性層を備え、前記一対の強磁性層の磁化方向が
互いに反平行であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１１】請求項１記載の磁気検出素子において、前記ギャップ層と前記反強磁性層との間にシードレイヤ
層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１２】請求項１記載の磁気検出素子において、前記多層抵抗膜が、下から順に反強磁性層、固定磁性
層、非磁性導電層及びフリー磁性層を有し、前記フリー磁性層が、非磁性中間層を挟んで形成された
一対の強磁性層を備え、前記一対の強磁性層の磁化方向
が互いに反平行であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１３】基板のギャップ層上に、少なくとも反強
磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層か
らなる多層抵抗膜を形成する工程と、前記多層抵抗膜をエッチングによりパターニングし、か
つ前記反強磁性層の両側をオーバーエッチングする工程
と、前記反強磁性層の両側のオーバーエッチングされた領域
上にアモルファス導電層を形成する工程と、前記アモルファス導電層上にバイアス下地層を形成する
工程と、前記バイアス下地層上にバイアス層を形成する工程とを
含むことを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
【請求項１４】請求項１３記載の磁気検出素子の製造方
法において、前記バイアス下地層の形成工程において、ｂｃｃ構造の
結晶構造体からなる前記バイアス下地層の成膜角度を、
少なくとも[２１１]面または[２００]面が膜面垂直方向
に配向される角度に制御することにより、前記バイアス
下地層の成膜を行なうことを特徴する磁気検出素子の製
造方法。
【請求項１５】請求項１３記載の磁気検出素子の製造方
法において、前記バイアス層の形成工程において、前記バイアス層の
成膜角度を、少なくとも[１００]面が膜面垂直方向に配
向される角度に制御することにより、前記バイアス層の
成膜を行なうことを特徴する磁気検出素子の製造方法。