JP2003059824A - Development processing apparatus - Google Patents

Development processing apparatus

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JP2003059824A
JP2003059824A JP2002163376A JP2002163376A JP2003059824A JP 2003059824 A JP2003059824 A JP 2003059824A JP 2002163376 A JP2002163376 A JP 2002163376A JP 2002163376 A JP2002163376 A JP 2002163376A JP 2003059824 A JP2003059824 A JP 2003059824A
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developing
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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To carry out development processing effectively in a short time, while carrying a processing substrate on a carrying path laid in the horizontal direction. SOLUTION: A development unit(DEV) 94 is formed, by arranging a plurality of modules M1 to M8 , which form a carry path 108 extending along a process line B continuously in a single line. The module M1 among the modules M1 to M8 , which is positioned at the uppermost end, constitutes a substrate carry-in part 110. The four modules M2 to M5 , which follow it, constitute a development part 112, the next module M6 constitutes a rinse part 114, the next module M7 constitutes a drying part 116, and the last module M8 constitutes a substrate carry-out part 118. A pre-wet part 124, a developer supply part 126 and the rinse part 114 are provided with a prewetting liquid supply nozzle PN, which is movable in both directions along the carrying path 108 with its nozzle discharge port facing the carry path 108, a developer supply nozzle DN and a rinse liquid supply nozzle RN, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を水平
に搬送しながら一連の現像処理工程を行う現像処理装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a development processing apparatus which carries out a series of development processing steps while horizontally transporting a substrate to be processed.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、LCD(液晶表示ディスプレイ)
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、LC
D基板の大型化に有利に対応できる現像方式として、搬
送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる基板搬
送路上でLCD基板を搬送しながら搬送中に現像、リン
ス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、い
わゆる平流し方式が注目されている。このような平流し
方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、
基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単であ
り、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利
点がある。
2. Description of the Related Art Recently, LCD (Liquid Crystal Display)
In the resist coating development processing system in manufacturing, LC
As a development method that can advantageously cope with the increase in the size of the D substrate, a series of development such as development, rinsing, and drying during transportation while transporting the LCD substrate on the substrate transport path formed by horizontally laying the transport roller and the transport belt. Attention has been paid to a so-called flat flow system in which a treatment process is performed. Compared to the spinner method, which rotates the substrate,
The substrate is easy to handle, the transport system and the drive system are simple in structure, and there are advantages such as generation of mist and little redeposition on the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の平流し方式で
は、基板搬送路上の所定位置で現像液供給ノズルやリン
ス液供給ノズルをそれぞれ固定配置し、基板が各ノズル
の傍(通常は真下)を通過する際に各ノズルより処理液
(現像液、リンス液)を吐出させて基板の被処理面に処
理液を供給するようにしている。ここで、搬送方向にお
ける基板の長さ寸法をL、搬送速度をVとすると、1つ
の基板の被処理面全体に処理液を供給するのに要する時
間(処理液供給時間)Tは、概算的には次式で与えられ
る。 T=L/V ‥‥‥‥‥‥(1)
In the conventional flat-flow method, the developing solution supply nozzle and the rinse solution supply nozzle are fixedly arranged at predetermined positions on the substrate transport path, and the substrate is placed beside each nozzle (usually just below). When passing, the processing liquid (developing liquid, rinse liquid) is ejected from each nozzle to supply the processing liquid to the surface to be processed of the substrate. Here, when the length dimension of the substrate in the transport direction is L and the transport speed is V, the time (treatment liquid supply time) T required to supply the treatment liquid to the entire surface to be treated of one substrate is approximate. Is given by T = L / V ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ (1)

【0004】上式(1)によれば、基板サイズ(L)が
大きくなるに比例して処理液供給時間Tが長くなるので
あるが、このことは現像処理工程ではやっかいな問題に
なる。つまり、平流し方式において、処理液供給時間T
は、基板の搬送方向の一端部(前端部)と他端部(後端
部)の間の処理液の供給を受ける時間差でもあり、処理
液が現像液の場合は現像開始の時間差になる。この時間
差(T)が大きいほど、基板上の現像品質がばらついて
面内均一性が低下するという問題がある。
According to the above equation (1), the processing liquid supply time T becomes longer in proportion to the increase in the substrate size (L), which is a troublesome problem in the development processing step. That is, in the flat flow system, the processing liquid supply time T
Is also the time difference between the one end portion (front end portion) and the other end portion (rear end portion) of the substrate transfer direction when receiving the supply of the processing liquid, and when the processing liquid is the developing liquid, it becomes the time difference of the start of development. As this time difference (T) is larger, there is a problem that the development quality on the substrate varies and the in-plane uniformity decreases.

【0005】この問題に対しては、従来より搬送速度V
を上げる方法が推進されてきたが、平流し方式では搬送
速度Vに限界があるうえ、搬送速度Vが高速になるほど
基板が搬送路上で損傷を受ける可能性も高くなり、有効
な解決法とはいえない。
To solve this problem, the transport speed V has been conventionally used.
Although the method of increasing the transfer speed has been promoted, the flat-flow method has a limit in the transfer speed V, and the higher the transfer speed V, the higher the possibility that the substrate is damaged on the transfer path. I can't say.

【0006】本発明は、上記のような従来技術の問題点
に鑑みてなされたものであり、水平方向に敷設した搬送
路上で被処理基板を搬送しながら現像処理を短時間で効
率よく行えるようにした現像処理装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and enables the development processing to be efficiently performed in a short time while the substrate to be processed is transported on the transport path laid in the horizontal direction. It is an object of the present invention to provide a development processing device having the above structure.

【0007】本発明の別の目的は、水平方向に敷設した
搬送路上で被処理基板を搬送しながら現像処理を高品質
に行えるようにした現像処理装置を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a development processing apparatus capable of performing high-quality development processing while transferring a substrate to be processed on a transfer path laid horizontally.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の現像処理装置は、被処理基板をほぼ水平
に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してな
る基板搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するた
めに前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路
上の前記基板の被処理面に現像処理用の所定の処理液を
供給するための1つまたは複数のノズルを含む処理液供
給手段と、前記処理液供給手段の少なくとも1つのノズ
ルを可動ノズルとして前記搬送路に沿って移動させるた
めのノズル走査手段とを有する構成とした。
In order to achieve the above object, the development processing apparatus of the present invention is a substrate in which a carrier for laying and carrying a substrate to be processed is laid horizontally. A transport path, a transport driving means for driving the transport body to transport the substrate on the transport path, and a predetermined processing liquid for developing processing on a surface to be processed of the substrate on the transport path. The processing liquid supply unit includes one or a plurality of nozzles, and the nozzle scanning unit for moving at least one nozzle of the processing liquid supply unit as a movable nozzle along the transport path.

【0009】上記の構成においては、搬送路上を搬送さ
れる被処理基板に対して、ノズル走査手段により処理液
供給手段の可動ノズルが処理液を吐出しなが搬送路に沿
って移動または走査することにより、基板搬送速度や基
板サイズの影響を実質的に受けることなく、短時間のう
ちに基板の被処理面全体に処理液を万遍無く供給するこ
とができる。
In the above structure, the movable nozzle of the processing liquid supply means moves or scans the substrate to be processed transported along the transport path along the transport path while the movable nozzle of the processing liquid supply means does not discharge the processing liquid. As a result, the processing liquid can be evenly supplied to the entire surface to be processed of the substrate in a short time without being substantially affected by the substrate transport speed and the substrate size.

【0010】本発明の現像処理装置において、基板上の
液膜を均一にするために、好ましくは、処理液供給手段
がノズルから噴出する処理液の流量を変える手段を含む
構成としてよい。この場合、好ましい一態様として、基
板の被処理面を搬送方向において基板前端縁から第1の
距離以内の基板前端近傍領域と基板後端縁から第2の距
離以内の基板後端近傍領域と基板前端近傍領域および基
板後端近傍領域に挟まれた基板中間領域とに3分割し、
それら3つの領域に対して該ノズルより処理液を供給す
る際の処理液噴出量を個別に設定する構成としてよい。
好ましくは、基板前端近傍領域および基板後端近傍領域
に対する処理液噴出量をほぼ等しくし、かつ基板中間領
域に対する処理液噴出量よりも小さくしてよい。
In the development processing apparatus of the present invention, in order to make the liquid film on the substrate uniform, it is preferable that the processing liquid supply means includes means for changing the flow rate of the processing liquid ejected from the nozzle. In this case, as a preferred mode, the substrate front end vicinity region within the first distance from the substrate front end edge and the substrate rear end vicinity region within the second distance from the substrate rear end edge in the transport direction of the surface to be processed of the substrate and the substrate Divided into three parts, a board middle area sandwiched between a front end vicinity area and a board rear end vicinity area,
A configuration may be adopted in which the amount of the processing liquid ejected when the processing liquid is supplied to the three regions is set individually.
Preferably, the amounts of the processing liquid ejected to the region near the front end of the substrate and the regions near the rear end of the substrate may be substantially equal to each other, and may be smaller than the amounts of the processing liquid ejected toward the intermediate region of the substrate.

【0011】また、基板上の液膜を均一にするために、
ノズル走査手段が可動ノズルの移動速度を変える手段を
含む構成としてよい。この場合、好ましい一態様とし
て、基板の被処理面を搬送方向において基板前端縁から
第1の距離以内の基板前端近傍領域と基板後端縁から第
2の距離以内の基板後端近傍領域と基板前端近傍領域お
よび基板後端近傍領域に挟まれた基板中間領域とに3分
割し、それら3つの領域に対して前記可動ノズルより前
記処理液を供給する際のノズル移動速度を個別に設定す
る構成としてよい。好ましくは、基板前端近傍領域およ
び基板後端近傍領域に対するノズル移動速度をほぼ等し
くし、かつ基板中間領域に対するノズル移動速度よりも
大きくしてよい。
In order to make the liquid film on the substrate uniform,
The nozzle scanning unit may include a unit that changes the moving speed of the movable nozzle. In this case, as a preferred mode, the substrate front end vicinity region within the first distance from the substrate front end edge and the substrate rear end vicinity region within the second distance from the substrate rear end edge in the transport direction of the surface to be processed of the substrate and the substrate A structure in which the nozzle moving speed when supplying the processing liquid from the movable nozzle to each of the three regions is divided into a front region and a substrate intermediate region sandwiched between the front region and the rear region. Good as Preferably, the nozzle moving speeds for the substrate front end vicinity region and the substrate rear end vicinity region may be substantially equal to each other and may be higher than the nozzle movement speed for the substrate middle region.

【0012】また、好ましい一形態のノズル走査手段
は、可動ノズルを支持するノズル支持部と、搬送路の上
方でノズル支持部を案内するための案内部と、この案内
部に沿って移動するようにノズル支持部を駆動する駆動
部とを有する構成である。かかる構成においては、ノズ
ル支持部と一体的に可動ノズルを安定に高速移動させる
ことができる。また、ノズルを昇降させる手段をたとえ
ばノズル支持部に設けて、可動ノズルの高さ位置を調節
または変更できるようにしてもよい。
In a preferred embodiment of the nozzle scanning means, a nozzle support part for supporting the movable nozzle, a guide part for guiding the nozzle support part above the conveying path, and a guide part for moving along the guide part. And a drive section for driving the nozzle support section. In such a configuration, the movable nozzle can be stably moved at high speed integrally with the nozzle support portion. Further, means for raising and lowering the nozzle may be provided, for example, in the nozzle support portion so that the height position of the movable nozzle can be adjusted or changed.

【0013】また、可動ノズルの移動可能な搬送路上の
空間をカバーで覆うことにより、カバーの内側に外部か
らの異物が入りにくい清浄な処理空間を形成することが
できる。
Further, by covering the space on the movable transport path of the movable nozzle with the cover, it is possible to form a clean processing space inside the cover in which foreign matter from the outside does not easily enter.

【0014】本発明の現像処理装置では、基本形態とし
て、搬送路に沿って、基板の被処理面に現像液を供給し
て現像するための現像部と、この現像部よりも下流側で
基板の被処理面に純水を供給して現像を停止させるため
のリンス部とを設けてよい。この場合、現像部内で搬送
路の下に落ちた液を受け集めるための第1の集液部と、
リンス部内で搬送路の下に落ちた液を受け集めるための
第2の集液部とを設けてよい。
In the developing processing apparatus of the present invention, as a basic form, a developing section for supplying a developing solution to the surface to be processed of the substrate for development along the transport path, and a substrate on the downstream side of this developing section. A rinse portion for supplying pure water to the surface to be processed and stopping the development may be provided. In this case, a first liquid collecting unit for collecting the liquid that has fallen below the transport path in the developing unit,
A second liquid collecting unit for collecting the liquid that has fallen below the transport path in the rinse unit may be provided.

【0015】本発明の一態様によれば、処理液供給手段
が現像部内基板の被処理面に現像液を吹き付けるための
第1の可動ノズルを含み、ノズル走査手段が少なくとも
現像部のエリア内で該第1の可動ノズルを搬送路に沿っ
て移動させるための第1のノズル走査部を含む。この構
成においては、スプレー式の現像工程を本発明のノズル
走査方式により短時間で効率的に行い、良好な現像品質
を得ることができる。
According to one aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a first movable nozzle for spraying the developing solution onto the surface to be processed of the substrate in the developing portion, and the nozzle scanning means is at least in the area of the developing portion. It includes a first nozzle scanning unit for moving the first movable nozzle along the transport path. With this configuration, the spray developing process can be efficiently performed in a short time by the nozzle scanning system of the present invention, and good developing quality can be obtained.

【0016】本発明の別の態様によれば、処理液供給手
段が現像部内で基板の被処理面に現像液を液盛りするた
めの第2の可動ノズルを含み、ノズル走査手段が少なく
とも現像部のエリア内で第2の可動ノズルを搬送路に沿
って移動させるための第2のノズル走査部を含む。この
構成においては、パドル式の現像工程を本発明のノズル
走査方式により短時間で効率的に行い、良好な現像品質
を得ることができる。
According to another aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a second movable nozzle for pouring the developing solution on the surface to be processed of the substrate in the developing portion, and the nozzle scanning means at least the developing portion. And a second nozzle scanning unit for moving the second movable nozzle along the transport path in the area. With this configuration, the paddle type developing process can be efficiently performed in a short time by the nozzle scanning method of the present invention, and good developing quality can be obtained.

【0017】本発明の別の態様によれば、処理液供給手
段が現像部内で現像に先立って基板の被処理面にプリウ
エット用の処理液を吹き付けるための第3の可動ノズル
を含み、ノズル走査手段が少なくとも現像部のエリア内
で第3の可動ノズルを搬送路に沿って移動させるための
第3のノズル走査部を含む。この構成においては、正規
の現像工程に先立つをプリウエット工程を本発明のノズ
ル走査方式によって短時間で効率的に行い、良好なプリ
ウエット品質を得ることができる。
According to another aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a third movable nozzle for spraying the processing liquid for pre-wetting onto the surface to be processed of the substrate in the developing section prior to the development, and the nozzle is provided. The scanning unit includes a third nozzle scanning unit for moving the third movable nozzle along the transport path at least in the area of the developing unit. With this configuration, the pre-wetting process prior to the regular developing process can be efficiently performed in a short time by the nozzle scanning method of the present invention, and good pre-wetting quality can be obtained.

【0018】本発明の別の態様によれば、処理液供給手
段がリンス部内で基板の被処理面にリンス液を吹き付け
るための第4の可動ノズルを含み、ノズル走査手段が少
なくともリンス部のエリア内で第4の可動ノズルを搬送
路に沿って移動させるための第4のノズル走査部を含
む。この構成においては、現像停止のためのリンス工程
を短時間のうちに効率よく行い、良好な現像品質を得る
ことができる。
According to another aspect of the present invention, the processing liquid supply means includes a fourth movable nozzle for spraying the rinsing liquid onto the surface to be processed of the substrate in the rinse portion, and the nozzle scanning means is at least in the area of the rinse portion. A fourth nozzle scanning unit for moving the fourth movable nozzle along the transport path is included therein. With this configuration, the rinse step for stopping the development can be efficiently performed in a short time, and good development quality can be obtained.

【0019】本発明の現像処理装置において、好ましく
は、搬送路上で、基板上から処理液を重力で落すために
基板を傾斜させる基板傾斜手段を有する構成としてよ
い。かかる基板傾斜手段により、基板上から液処理後の
液を短時間で効率よく落とすと同時に効率よく回収する
ことができる。
In the development processing apparatus of the present invention, preferably, there may be provided a substrate inclination means for inclining the substrate on the transfer path in order to drop the processing liquid from the substrate by gravity. By such substrate tilting means, the liquid after the liquid processing can be efficiently dropped from the substrate in a short time, and at the same time, the liquid can be efficiently collected.

【0020】本発明における基板傾斜手段の一態様とし
て、基板上から現像に用いた現像液を重力で落すために
基板を傾斜させる構成や、基板上からプリウエットに用
いた処理液を重力で落すために基板を傾斜させる構成が
可能である。基板を傾斜させる向きは、搬送路の前方ま
たは後方が好ましい。
As one aspect of the substrate tilting means in the present invention, the substrate is tilted to drop the developing solution used for development from the substrate by gravity, or the processing solution used for pre-wetting is dropped from the substrate by gravity. Therefore, it is possible to incline the substrate. The direction in which the substrate is inclined is preferably the front or the rear of the transport path.

【0021】また、上記基板傾斜手段の代用として、ま
たはそれと併用して、搬送路上で水平姿勢の基板上から
処理液を除去するために所定の物理力を基板の表面に沿
って相対的に水平方向に移動させる処理液除去手段を有
する構成も好ましい。
Further, as a substitute for the substrate tilting means or in combination therewith, a predetermined physical force is relatively horizontal along the surface of the substrate in order to remove the processing liquid from the substrate in the horizontal position on the transfer path. A configuration having a processing liquid removing unit that moves in the direction is also preferable.

【0022】この処理液除去手段の一態様として、搬送
路上を搬送される基板上から現像に用いた現像液を払い
落すために第1の位置で基板の表面に鋭利な気体流を当
てる気体噴射手段を設ける構成や、搬送路上を搬送され
る基板上から現像停止に用いたリンス液を払い落すため
に第2の位置で基板の表面に鋭利な気体流を当てる気体
噴射手段を設ける構成が可能である。
As one mode of this processing liquid removing means, gas injection is performed in which a sharp gas flow is applied to the surface of the substrate at the first position in order to brush off the developing liquid used for the development from the substrate transported on the transport path. It is possible to provide a means or a gas injection means for applying a sharp gas flow to the surface of the substrate at the second position in order to remove the rinse liquid used for stopping the development from the substrate transported on the transport path. Is.

【0023】本発明の現像処理装置では、上記のような
基板傾斜手段や気体噴射手段を設けることにより、たと
えば、現像部内で現像に用いた現像液を主に受け集める
ための現像液用集液部を設ける構成や、現像部内でプリ
ウエットに用いた処理液を主に受け集めるためのプリウ
エット液用集液部を設ける構成が好ましい。
In the development processing apparatus of the present invention, by providing the substrate tilting means and the gas jetting means as described above, for example, a developer collecting liquid for mainly collecting the developing liquid used for the developing in the developing portion. It is preferable that a part is provided or a prewetting liquid collecting part for mainly collecting and collecting the processing liquid used for the prewetting in the developing part.

【0024】本発明の現像処理装置における搬送路の好
ましい態様は、回転可能な軸に結合される少なくとも一
対のローラを含む基板搬送体を水平方向に敷設してなる
コロ搬送式の搬送路である。
A preferred embodiment of the transport path in the developing processing apparatus of the present invention is a roller transport type transport path in which a substrate transport body including at least a pair of rollers coupled to a rotatable shaft is laid horizontally. .

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0026】図1に、本発明の現像処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われ
る。
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one constitutional example to which the developing treatment apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing treatment system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be treated, and performs various treatments such as cleaning, resist coating, prebaking, developing and postbaking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. It is a thing. The exposure process is performed by an external exposure device 12 installed adjacent to this system.

【0027】この塗布現像処理システム10は、中心部
に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置
し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーシ
ョン(C/S)14とインタフェースステーション(I
/F)18とを配置している。
In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is arranged at the center, and cassette stations (C / S) 14 and interface stations (P / S) 16 are provided at both ends in the longitudinal direction (X direction). I
/ F) 18 are arranged.

【0028】カセットステーション(C/S)14は、
システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Cを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能
なカセットステージ20と、このステージ20上のカセ
ットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22と
を備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手
段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの
4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようにな
っている。
The cassette station (C / S) 14 is
A cassette stage 20 which is a cassette loading / unloading port of the system 10 and on which a plurality of cassettes C capable of accommodating a plurality of substrates G can be placed side by side in a horizontal direction, for example, in the Y direction, on the stage 20. And a transport mechanism 22 for loading / unloading the substrate G into / from the cassette C. The transfer mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 22a, and can operate on four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G. It can be handed over.

【0029】プロセスステーション(P/S)16は、
システム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション(C/S)14側からインタフェースステー
ション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスライン
Aには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26
と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン(I/F)18側からカセットステーション(C/
S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2
の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロ
セス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置
している。このライン形態では、第2の熱的処理部30
が、上流側のプロセスラインAの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインBの先頭に位置しており、
両ラインA,B間に跨っている。
The process station (P / S) 16 is
The processing units are arranged in the order of process flow or steps on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, in the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side, a cleaning process section 24 and a first thermal processing section 26 are provided.
The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C /
S) In the process line B on the downstream side toward the 14 side, the second
The thermal processing section 30, the development processing section 32, the decolorization processing section 34, and the third thermal processing section 36 are arranged in a horizontal row. In this line form, the second thermal processing unit 30
Is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B,
It straddles both lines A and B.

【0030】両プロセスラインA,Bの間には補助搬送
空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に
載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によって
ライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっ
ている。
An auxiliary transfer space 38 is provided between the two process lines A and B, and a shuttle 40 capable of horizontally mounting the substrates G one by one is arranged in a line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in both directions.

【0031】上流部のプロセスラインAにおいて、洗浄
プロセス部24は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)4
2を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)
42内のカセットステーション(C/S)14と隣接す
る場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41を
配置している。図示省略するが、スクラバ洗浄ユニット
(SCR)42内の洗浄部は、LCD基板Gをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインA方向に搬送
しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。
In the upstream process line A, the cleaning process section 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 4
This includes 2 scrubber cleaning units (SCR)
An excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged at a location adjacent to the cassette station (C / S) 14 in 42. Although not shown, the cleaning section in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 brushes the upper surface (processed surface) of the substrate G while horizontally transporting the LCD substrate G by the roller transport or the belt transport in the line A direction. And blow cleaning.

【0032】洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第
1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心
部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図2に
示すように、上流側の多段ユニット部(TB)44に
は、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)50、
脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およ
びアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)50
は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42側と基板Gの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部(TB)48には、基板受け渡し用のパスユ
ニット(PASS)60、冷却ユニット(CL)62,
64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PAS
S)60は、塗布プロセス部28側と基板Gの受け渡し
を行うためのものである。
The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are provided on both the front and rear sides thereof in multiple stages. Are arranged in layers. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit (TB) 44 has a substrate transfer pass unit (PASS) 50,
Heating units (DHP) 52 and 54 for dehydration baking and an adhesion unit (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50
Is used to transfer the substrate G to and from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. Further, the downstream multi-stage unit (TB) 48 includes a substrate transfer pass unit (PASS) 60, a cooling unit (CL) 62,
64 and adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom. Here, pass unit (PAS
S) 60 is for transferring the substrate G to and from the coating process unit 28 side.

【0033】図2に示すように、搬送機構46は、鉛直
方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この回転搬送
体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有して
いる。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76
が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送
体72を旋回駆動するための駆動部78が垂直搬送体7
0に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するため
の駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。
各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。
As shown in FIG. 2, the transport mechanism 46 includes an elevating / conveying body 70 which can be moved up and down along a guide rail 68 extending in the vertical direction, and a rotation or turning in the θ direction on the elevating / conveying body 70. It has a rotatable carrier 72 and a carrier arm or tweezers 74 that can move forward and backward or extend and retract while supporting the substrate G on the rotary carrier 72. A drive unit 76 for raising and lowering the elevation carrier 70
Is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a drive unit 78 for driving the turning carrier 72 to rotate is provided on the vertical carrier 7.
A drive unit 80, which is attached to 0 and drives the transport arm 74 forward and backward, is attached to the rotary transport body 72.
Each drive unit 76, 78, 80 may be composed of, for example, an electric motor or the like.

【0034】上記のように構成された搬送機構46は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板
Gを受け渡しできるようになっている。
The transport mechanism 46 constructed as described above is
It is possible to move up and down or rotate at high speed to access an arbitrary unit in the multi-stage unit sections (TB) 44 and 48 on both sides, and to transfer the substrate G to and from the shuttle 40 on the auxiliary transfer space 38 side. .

【0035】第1の熱的処理部26の下流側に隣接する
塗布プロセス部28は、図1に示すように、レジスト塗
布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)8
4およびエッジリムーバ・ユニット(ER)86をプロ
セスラインAに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部28内には、これら3つのユニッ
ト(CT)82、(VD)84、(ER)86に基板G
を工程順に1枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット(CT)82、(VD)8
4、(ER)86内では基板1枚単位で各処理が行われ
るようになっている。
The coating process section 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing section 26 is, as shown in FIG. 1, a resist coating unit (CT) 82 and a reduced pressure drying unit (VD) 8.
4 and the edge remover unit (ER) 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown, in the coating process unit 28, the substrate G is provided in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86.
A transport device is provided for loading and unloading the sheets one by one in the order of steps, and each unit (CT) 82, (VD) 8
4. In the (ER) 86, each process is performed on a substrate-by-substrate basis.

【0036】塗布プロセス部28の下流側に隣接する第
2の熱的処理部30は、上記第1の熱的処理部26と同
様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に
縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後
尾)に一方の多段ユニット部(TB)88を設け、プロ
セスラインB側(先頭)に他方の多段ユニット部(T
B)92を設けている。
The second thermal processing section 30 adjacent to the downstream side of the coating process section 28 has the same structure as the first thermal processing section 26, and is located between both process lines A and B. Is provided with a vertical transfer mechanism 90, one multi-stage unit (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit (T) is provided on the process line B side (head).
B) 92 is provided.

【0037】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンA側の多段ユニット部(TB)88には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)
がたとえば3段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インB側の多段ユニット部(TB)92には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、
その上に冷却ユニット(COL)がたとえば1段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBA
KE)がたとえば2段積み重ねられてよい。
Although not shown, for example, in the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the lowermost stage, and a prebaking heating unit (PASS) is placed thereon. PREBAKE)
May be stacked in three layers, for example. In the multi-stage unit (TB) 92 on the process line B side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the bottom.
For example, a cooling unit (COL) is stacked on top of it, and a heating unit for pre-baking (PREBA) is placed on it.
KE) may for example be stacked in two layers.

【0038】第2の熱的処理部30における搬送機構9
0は、両多段ユニット部(TB)88,92のそれぞれ
のパスユニット(PASS)を介して塗布プロセス部2
8および現像プロセス部32と基板Gを1枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル
40や後述するインタフェースステーション(I/F)
18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。
The transport mechanism 9 in the second thermal processing section 30.
0 indicates the coating process unit 2 via the respective pass units (PASS) of the multi-stage unit units (TB) 88, 92.
8 and the development process unit 32 and the substrate G can be delivered one by one, and also the shuttle 40 in the auxiliary transfer space 38 and an interface station (I / F) described later.
The substrate 18 can be handed over in a unit of 18.

【0039】下流部のプロセスラインBにおいて、現像
プロセス部32は、基板Gを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット(DEV)94を含んでいる。この現像ユニット
(DEV)94の構成と作用は後で詳しく説明する。
In the process line B on the downstream side, the developing process section 32 includes a so-called flat-flow developing unit (DEV) 94 which carries out a series of developing processing steps while the substrate G is conveyed in a horizontal posture. The structure and operation of the developing unit (DEV) 94 will be described later in detail.

【0040】現像プロセス部32の下流側には脱色プロ
セス部34を挟んで第3の熱的処理部36が配置され
る。脱色プロセス部34は、基板Gの被処理面にi線
(波長365nm)を照射して脱色処理を行うためのi
線UV照射ユニット(i−UV)96を備えている。
A third thermal processing section 36 is arranged downstream of the developing process section 32 with a decoloring process section 34 interposed therebetween. The decolorization processing unit 34 irradiates the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm) to perform the decolorization process.
A line UV irradiation unit (i-UV) 96 is provided.

【0041】第3の熱的処理部36は、上記第1の熱的
処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有し
ており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構10
0とその前後両側に一対の多段ユニット部(TB)9
8,102を設けている。
The third thermal processing section 36 has the same structure as the first thermal processing section 26 and the second thermal processing section 30, and is of a vertical type along the process line B. Transport mechanism 10
0 and a pair of multi-stage unit parts (TB) 9 on the front and back sides
8, 102 are provided.

【0042】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部(TB)98には、最下段にパスユニット
(PASS)が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット(POBAKE)がたとえば3段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部(TB)1
02には、最下段にポストベーキング・ユニット(PO
BAKE)が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット(PASS・COL)が
1段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット(POBAKE)が2段積み重ねられてよい。
Although not shown, for example, a pass unit (PASS) is placed at the lowermost stage in the multi-stage unit (TB) 98 on the upstream side, and a heating unit (POBAKE) for post-baking is provided on the pass unit (PASS) 3 for example. It may be stacked. In addition, the downstream multi-stage unit (TB) 1
02 has a post-baking unit (PO
BAKE) may be placed on top of which one pass / cooling unit (PASS / COL) for substrate transfer and cooling may be stacked, and two heating units (POBAKE) for post-baking may be stacked thereon.

【0043】第3の熱的処理部36における搬送機構1
00は、両多段ユニット部(TB)98,102のパス
ユニット(PASS)およびパス・クーリングユニット
(PASS・COL)を介してそれぞれi線UV照射ユ
ニット(i−UV)96およびカセットステーション
(C/S)14と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間38内のシャトル40とも基板
Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。
The transport mechanism 1 in the third thermal processing section 36
00 is an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 and a cassette station (C / C) via a pass unit (PASS) and a pass cooling unit (PASS / COL) of both multi-stage unit sections (TB) 98 and 102, respectively. S) 14 and the substrate G can be delivered not only in the unit of one sheet, but also the substrate G can be delivered in the unit of one sheet with the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38.

【0044】インタフェースステーション(I/F)1
8は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行う
ための搬送装置104を有し、その周囲にバッフア・ス
テージ(BUF)106、エクステンション・クーリン
グステージ(EXT・COL)108および周辺装置1
10を配置している。バッファ・ステージ(BUF)1
06には定置型のバッファカセット(図示せず)が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ(EXT
・COL)108は冷却機能を備えた基板受け渡し用の
ステージであり、プロセスステーション(P/S)16
側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置1
10は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露
光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえ
ば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や
各ユニット(BUF)106、(EXT・COL)10
8、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡し
を行えるようになっている。
Interface station (I / F) 1
8 has a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, around which a buffer stage (BUF) 106, an extension cooling stage (EXT / COL) 108 and a peripheral device 1 are provided.
10 are arranged. Buffer stage (BUF) 1
A stationary buffer cassette (not shown) is placed at 06. Extension cooling stage (EXT
-COL) 108 is a substrate transfer stage having a cooling function, and is a process station (P / S) 16
It is used when exchanging the substrate G with the side. Peripheral device 1
10 may have a structure in which, for example, a TITLER and an edge exposure apparatus (EE) are vertically stacked. The transfer device 104 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 104 a, and is provided with an adjacent exposure device 12 and each unit (BUF) 106, (EXT · COL) 10.
8. (TITLER / EE) 110 and the substrate G can be transferred.

【0045】図3に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部
24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に搬
入する(ステップS1)。
FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, the cassette station (C
/ S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 20,
It is carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 of the cleaning process section 24 of the process station (P / S) 16 (step S1).

【0046】エキシマUV照射ユニット(e−UV)4
1内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される
(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Gは、カセットステーション(C/S)14の搬送機構
22によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニッ
ト(SCR)42へ移される。
Excimer UV irradiation unit (e-UV) 4
In 1 the substrate G is subjected to dry cleaning by UV irradiation (step S2). This ultraviolet cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After the UV cleaning is completed, the substrate G is transferred to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

【0047】スクラバ洗浄ユニット(SCR)42で
は、上記したように基板Gをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインA方向に平流しで搬送
しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する(ステップS3)。なお、洗浄後も基板
Gを平流しで搬送しながらエアーナイフ等によって液切
りして、基板Gを乾燥させる。
In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the substrate G is brushed on the upper surface (processed surface) of the substrate G while being horizontally conveyed by the roller conveyance or belt conveyance in the horizontal direction in the process line A direction as described above. By performing cleaning or blow cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is drained by an air knife or the like while being transported in a uniform flow to dry the substrate G.

【0048】スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で
洗浄処理の済んだ基板Gは、第1の熱的処理部26の上
流側多段ユニット部(TB)44内のパスユニット(P
ASS)50に搬入される。
The substrate G which has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is passed through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 44 of the first thermal processing section 26.
ASS) 50.

【0049】第1の熱的処理部26において、基板Gは
搬送機構46により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット
(PASS)50から加熱ユニット(DHP)52,5
4の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップ
S4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)6
2,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒ
ージョンユニット(AD)56に移され、そこで疎水化
処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了
後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1
つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。
最後に、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)48に
属するパスユニット(PASS)50に移される。
In the first thermal processing section 26, the substrate G is rotated by the transport mechanism 46 in a predetermined unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G may be first processed from the pass unit (PASS) 50 to the heating unit (DHP) 52, 5
It is moved to one of 4 and undergoes dehydration treatment there (step S4). Next, the substrate G is cooled by the cooling unit (COL) 6
It is moved to one of the Nos. 2 and 64 and cooled there to a constant substrate temperature (Step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to the adhesion unit (AD) 56, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After the completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled by one of the cooling units (COL) 62, 64.
Then, it is cooled to a constant substrate temperature (step S7).
Finally, the substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 50 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.

【0050】このように、第1の熱的処理部26内で
は、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段ユニ
ット部(TB)44と下流側の多段ユニット部(TB)
48との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。
As described above, in the first thermal processing section 26, the substrate G via the transfer mechanism 46 has the upstream multi-stage unit section (TB) 44 and the downstream multi-stage unit section (TB).
You can go back and forth between the 48 and the other. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.

【0051】第1の熱的処理部26で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側多段
ユニット部(TB)48内のパスユニット(PASS)
60から下流側隣の塗布プロセス部28のレジスト塗布
ユニット(CT)82へ移される。
The substrate G that has been subjected to the series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is a pass unit (PASS) in the downstream multi-stage unit section (TB) 48.
From 60, it is moved to the resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28 on the downstream side.

【0052】基板Gはレジスト塗布ユニット(CT)8
2でたとえばスピンコート法により基板上面(被処理
面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット(ER)8
6で基板周縁部の余分(不要)なレジストを取り除かれ
る(ステップS8)。
The substrate G is a resist coating unit (CT) 8
In 2, the resist solution is applied to the upper surface (the surface to be processed) of the substrate by, for example, the spin coating method, and immediately after that, the vacuum drying unit (VD) 84 adjacent on the downstream side is subjected to the drying processing under reduced pressure,
Next to the downstream edge remover unit (ER) 8
In step 6, excess (unnecessary) resist on the peripheral portion of the substrate is removed (step S8).

【0053】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Gは、減圧乾燥ユニット(VD)84から隣の第2の
熱的処理部30の上流側多段ユニット部(TB)88に
属するパスユニット(PASS)に受け渡される。
The substrate G which has been subjected to the resist coating process as described above passes from the reduced pressure drying unit (VD) 84 to the pass unit (TB) 88 belonging to the upstream multi-stage unit (TB) 88 of the second thermal processing unit 30 adjacent thereto. PASS).

【0054】第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬
送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Gは、最初に該パスユニット
(PASS)から加熱ユニット(PREBAKE)の1
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット
(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流
側多段ユニット部(TB)92側のパスユニット(PA
SS)を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション(I/F)18側のエクステンション・ク
ーリングステージ(EXT・COL)108へ受け渡さ
れる。
In the second thermal processing section 30, the substrate G is rotated by the transfer mechanism 90 in a predetermined unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G is the first from the pass unit (PASS) to the heating unit (PREBAKE).
And is subjected to baking after resist application (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) and cooled there to a constant substrate temperature (step S10). Thereafter, the substrate G is transferred to the path unit (PA) on the downstream multi-stage unit (TB) 92 side.
It is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 on the side of the interface station (I / F) 18 via the SS or not.

【0055】インタフェースステーション(I/F)1
8において、基板Gは、エクステンション・クーリング
ステージ(EXT・COL)108から周辺装置110
の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップ
S11)。
Interface station (I / F) 1
8, the substrate G is moved from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral device 110.
Is carried into the peripheral exposure apparatus (EE), where it is exposed to remove the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G during development, and then sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).

【0056】露光装置12では基板G上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースス
テーション(I/F)18に戻されると(ステップS1
1)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLRE
R)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエ
クステンション・クーリングステージ(EXT・CO
L)108に戻される。インタフェースステーション
(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置1
2との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行わ
れる。
In the exposure device 12, the resist on the substrate G is exposed with a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G that has undergone the pattern exposure is returned from the exposure device 12 to the interface station (I / F) 18 (step S1).
1) First, the peripheral device 110 Titler (TITLRE
R), where predetermined information is written on a predetermined portion on the substrate (step S12). After that, the substrate G is mounted on the extension / cooling stage (EXT / CO).
L) 108. Substrate G Transport and Exposure Apparatus 1 at Interface Station (I / F) 18
The transfer device 104 exchanges the substrate G with the substrate 2.

【0057】プロセスステーション(P/S)16で
は、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエク
ステンション・クーリングステージ(EXT・COL)
108より露光済の基板Gを受け取り、プロセスライン
B側の多段ユニット部(TB)92内のパスユニット
(PASS)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。
In the process station (P / S) 16, the transfer mechanism 90 in the second thermal processing section 30 has an extension / cooling stage (EXT / COL).
The exposed substrate G is received from 108 and is transferred to the developing process unit 32 via the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 on the process line B side.

【0058】現像プロセス部32では、該多段ユニット
部(TB)92内のパスユニット(PASS)から受け
取った基板Gを現像ユニット(DEV)94に搬入す
る。現像ユニット(DEV)94において基板Gはプロ
セスラインBの下流に向って平流し方式で水平姿勢で搬
送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像
処理工程が行われる(ステップS13)。
In the developing process section 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 is carried into the developing unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is transported in the horizontal posture in the flat flow direction toward the downstream of the process line B, and a series of developing processing steps of developing, rinsing and drying are performed during the transportation (step S13). .

【0059】現像プロセス部32で現像処理を受けた基
板Gは下流側隣の脱色プロセス部34へ搬入され、そこ
でi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。
脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上
流側多段ユニット部(TB)98内のパスユニット(P
ASS)に受け渡される。
The substrate G which has been subjected to the development processing in the development processing section 32 is carried into the adjacent decolorization processing section 34 on the downstream side, where it is subjected to the decolorization processing by i-ray irradiation (step S14).
The substrate G that has been subjected to the decolorization treatment is passed through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 98 of the third thermal treatment unit 36.
ASS).

【0060】第3の熱的処理部(TB)98において、
基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱
ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける(ステップS15)。次に、基板G
は、下流側多段ユニット部(TB)102内のパスクー
リング・ユニット(PASS・COL)に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3
の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構10
0によって行われる。
In the third thermal processing section (TB) 98,
The substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is post-baked (step S15). Next, the substrate G
Is transferred to the pass cooling unit (PASS COL) in the downstream multi-stage unit (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). Third
The transfer of the substrate G in the thermal processing section 36 is performed by the transfer mechanism 10.
Performed by 0.

【0061】カセットステーション(C/S)14側で
は、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクー
リング・ユニット(PASS・COL)から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板
Gをいずれか1つのカセットCに収容する(ステップS
1)。
On the cassette station (C / S) 14 side, the transfer mechanism 22 transfers the substrate G from the pass cooling unit (PASS / COL) of the third thermal processing section 36 to which all the steps of coating / developing processing have been completed. The received substrate G is received and accommodated in any one of the cassettes C (step S
1).

【0062】この塗布現像処理システム10において
は、現像プロセス部32の現像ユニット(DEV)94
に本発明を適用することができる。以下、図4〜図14
を参照して本発明を現像ユニット(DEV)94に適用
した一実施形態を説明する。
In the coating and developing treatment system 10, the developing unit (DEV) 94 of the developing process section 32.
The present invention can be applied to. Hereinafter, FIGS.
One embodiment in which the present invention is applied to the developing unit (DEV) 94 will be described with reference to FIG.

【0063】図4に、本発明の一実施形態による現像ユ
ニット(DEV)94内の全体構成を模式的に示す。こ
の現像ユニット(DEV)94は、プロセスラインBに
沿って水平方向(X方向)に延在する連続的な搬送路1
08を形成する複数たとえば8つのモジュールM1〜M8
を一列に連続配置してなる。
FIG. 4 schematically shows the entire structure of the developing unit (DEV) 94 according to one embodiment of the present invention. The developing unit (DEV) 94 has a continuous transport path 1 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line B.
08 forming a plurality of modules, for example, eight modules M1 to M8
Are continuously arranged in a line.

【0064】これらのモジュールM1〜M8のうち、最上
流端に位置するモジュールM1で基板搬入部110を構
成し、その後に続く4つのモジュールM2,M3,M4,
M5で現像部112を構成し、その次のモジュールM6で
リンス部114を構成し,その次のモジュールM7で乾
燥部116を構成し、最後尾のモジュールM8で基板搬
出部118を構成している。
Of these modules M1 to M8, the module M1 located at the most upstream end constitutes the substrate loading section 110, and the four modules M2, M3, M4,
The developing unit 112 is composed of M5, the rinsing unit 114 is composed of the next module M6, the drying unit 116 is composed of the next module M7, and the substrate unloading unit 118 is composed of the last module M8. .

【0065】基板搬入部110には、隣の基板搬送機構
(図示せず)から手渡される基板Gを水平姿勢で受け取
って搬送路108上に移載するための昇降可能な複数本
のリフトピン120が設けられている。基板搬出部11
8にも、基板Gを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機
構(図示せず)へ手渡すための昇降可能な複数本のリフ
トピン122が設けられている。
The substrate carry-in section 110 is provided with a plurality of lift pins 120 that can move up and down to receive the substrate G handed from an adjacent substrate transfer mechanism (not shown) in a horizontal posture and transfer it onto the transfer path 108. It is provided. Substrate unloading section 11
8 is also provided with a plurality of lift pins 122 capable of moving up and down for lifting the substrate G in a horizontal posture and handing it to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【0066】現像部112は、より詳細には、モジュー
ルM2にプリウエット部124を設け、モジュールM3,
M4に現像液供給部126を設け、モジュールM5に現像
液落し部128を設けている。プリウエット部124に
は、搬送路108にノズル吐出口を向け、搬送路108
に沿って双方向に移動可能であり、基板にプリウエット
液たとえば純水を供給するためのプリウエット液供給ノ
ズルPNが1個または複数個設けられている。現像液供
給部126には、搬送路108にノズル吐出口を向け、
搬送路108に沿って双方向に移動可能な現像液供給ノ
ズルDNが1個または複数個設けられている。この構成
例では、モジュールM3,M4毎に独立に移動可能な現
像液供給ノズルDNa,DNbが設けられている。現像液
落し部128およびプリウエット部124には、基板G
を傾斜させるための後述する基板傾斜機構180(図1
1,図12)が設けられている。
More specifically, the developing section 112 includes a module M2 provided with a pre-wet section 124, and a module M3,
A developing solution supply section 126 is provided in M4, and a developing solution dropping section 128 is provided in the module M5. To the pre-wet portion 124, the nozzle discharge port is directed to the transport path 108,
One or a plurality of pre-wet liquid supply nozzles PN for supplying a pre-wet liquid, for example, pure water, to the substrate are provided so as to be movable in both directions. To the developer supply unit 126, direct the nozzle discharge port to the transport path 108,
One or a plurality of developing solution supply nozzles DN that are movable in both directions along the transport path 108 are provided. In this configuration example, independently movable developer supply nozzles DNa and DNb are provided for each of the modules M3 and M4. The developing solution dropping section 128 and the pre-wet section 124 have a substrate G
A substrate tilting mechanism 180 (see FIG. 1) for tilting
1, FIG. 12) are provided.

【0067】リンス部114には、搬送路108にノズ
ル吐出口を向け、搬送路108に沿って双方向に移動可
能であり、基板Gにリンス液たとえば純水を供給するた
めのリンス液供給ノズルRNが1個または複数個設けら
れている。乾燥部116には、搬送路108に沿って基
板Gに付着している液(主にリンス液)を液切りするた
めのエアーナイフENが搬送路108を挟んで一対また
は複数対設けられている。
The rinse portion 114 has a nozzle discharge port directed to the transfer path 108, is movable in both directions along the transfer path 108, and is a rinse liquid supply nozzle for supplying a rinse liquid such as pure water to the substrate G. One or more RNs are provided. The drying unit 116 is provided with one or more pairs of air knives EN for draining the liquid (mainly the rinse liquid) attached to the substrate G along the transfer path 108 with the transfer path 108 interposed therebetween. .

【0068】現像部112およびリンス部114におい
ては、搬送路108の下に落ちた液を受け集めるための
パン130,132,134がそれぞれ設けられてい
る。現像部112において、より詳細には、プリウエッ
ト部124と現像液供給部126および現像液落し部1
28とにそれぞれ専用のパン130,132が充てられ
ている。各パン130,132,134の底には排液口
が設けられ、そこに排液管131,133,135が接
続されている。
The developing section 112 and the rinsing section 114 are provided with pans 130, 132, and 134 for collecting the liquid that has fallen below the transport path 108, respectively. In the developing section 112, more specifically, the pre-wet section 124, the developing solution supply section 126, and the developing solution dropping section 1
28 and dedicated breads 130 and 132 are respectively filled. A drainage port is provided at the bottom of each pan 130, 132, 134, and drainage pipes 131, 133, 135 are connected thereto.

【0069】図5〜図8に、基板搬入部110およびプ
リウエット部124における搬送路108回りの構成を
示す。
5 to 8 show the structure around the transport path 108 in the substrate loading section 110 and the pre-wet section 124.

【0070】搬送路108は、回転可能なシャフト13
6に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ1
38A,138BをプロセスラインBに沿って水平に敷
設してなるコロ搬送型の搬送路として構成されている。
The transport path 108 includes the rotatable shaft 13
6, a pair of conveying rollers 1 fixed at a predetermined interval
38A and 138B are horizontally laid along the process line B to constitute a roller-conveyance type conveyance path.

【0071】より詳細には、各モジュールMの左右両側
壁の上部または軸脚部材140に軸受142A,142
BがプロセスラインBの方向に一定間隔で取り付けら
れ、搬送ローラ138A,138Bを左右両側壁の内側
に位置させるようにして各一対の軸受142A,142
Bにシャフト136が回転可能に架け渡される。そし
て、各シャフト136の片側の軸受142Aよりも外側
に延長する一端部にねじ歯車144が固着され、各シャ
フト136側の各ねじ歯車144にプロセスラインBの
方向に延在する回転駆動シャフト146側の各ねじ歯車
148が直角方向から噛合する。回転駆動シャフト14
6は電気モータ150の回転軸に結合されている。電気
モータ150が回転駆動シャフト146を所定方向に回
転駆動すると、その回転駆動力が回転シャフト146側
の各ねじ歯車148から搬送用シャフト136側のねじ
歯車144に伝動され、各シャフト136の搬送ローラ
138A,138Bが所定方向(基板Gを搬送路108
の前方に送る方向)に回転するようになっている。
More specifically, the bearings 142A, 142 are provided on the upper portions of the left and right side walls of each module M or the shaft leg member 140.
B is attached at a constant interval in the direction of the process line B, and the pair of bearings 142A, 142 are arranged so that the transport rollers 138A, 138B are located inside the left and right side walls.
The shaft 136 is rotatably mounted on B. A screw gear 144 is fixed to one end portion of each shaft 136 extending outward from the bearing 142A on one side, and a rotary drive shaft 146 side extending in the process line B direction is attached to each screw gear 144 on the shaft 136 side. The respective screw gears 148 of the above mesh with each other from the right angle direction. Rotary drive shaft 14
6 is coupled to the rotating shaft of the electric motor 150. When the electric motor 150 rotationally drives the rotary drive shaft 146 in a predetermined direction, the rotational driving force is transmitted from each screw gear 148 on the rotary shaft 146 side to the screw gear 144 on the transport shaft 136 side, and the transport rollers on each shaft 136. 138A and 138B move in a predetermined direction (the substrate G is transferred to the transport path 108).
It is designed to rotate in the direction of sending to the front).

【0072】基板搬入部110において、基板受け渡し
用のリフトピン120は、搬送路108の下に水平に配
置された昇降板152に所定間隔で離散的に立設または
植設されている。この昇降板152の下には、たとえば
エアシリンダ(図示せず)を含む昇降駆動部154が設
置されている。
In the substrate carrying-in section 110, the substrate transfer lift pins 120 are discretely erected or planted at predetermined intervals on an elevating plate 152 arranged horizontally under the transport path 108. Below the lift plate 152, a lift drive unit 154 including, for example, an air cylinder (not shown) is installed.

【0073】図7に示すように、昇降駆動部154が昇
降板152を所定の高さに持ち上げると、リフトピン1
20がシャフト136間の隙間を通って搬送路108の
上に突出し、その高さ位置で隣の基板搬送機構(図示せ
ず)から基板Gを水平姿勢で受け取ることができる。
As shown in FIG. 7, when the lift drive unit 154 lifts the lift plate 152 to a predetermined height, the lift pins 1
20 projects through the gap between the shafts 136 onto the transfer path 108, and at the height position thereof, the substrate G can be received in a horizontal posture from an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【0074】リフトピン120の上に基板Gが受け渡さ
れると、図8に示すように、昇降駆動部154が昇降板
152を原位置に降ろすことにより、その下降の途中で
基板Gの両端部(搬送路108の幅方向の両端部)が搬
送ローラ138A,138Bに載るようにして、基板G
は搬送路108上に水平姿勢で移載される。なお、各搬
送ローラ138A,138Bの外径は内側(シャフト中
心側)で一段細くなっており、この小径部139に基板
Gの一端部が載るようになっている。
When the substrate G is transferred onto the lift pins 120, as shown in FIG. 8, the elevating drive unit 154 lowers the elevating plate 152 to the original position, so that both ends of the substrate G ( The width of the transport path 108 (both ends in the width direction) is set on the transport rollers 138A and 138B, so that the substrate G
Are transferred in a horizontal posture on the transport path 108. The outer diameter of each of the transport rollers 138A and 138B is narrowed toward the inside (center side of the shaft), and one end of the substrate G is placed on the small diameter portion 139.

【0075】図4において、プリウエット液供給ノズル
PN、現像液供給ノズルDNa,DNbおよびリンス液供
給ノズルRNは、それぞれノズル走査機構SCP,SCN
およびSCRによって搬送路108の上方を搬送路10
8と平行に移動するようになっている。
In FIG. 4, the pre-wetting liquid supply nozzle PN, the developing liquid supply nozzles DNa and DNb, and the rinse liquid supply nozzle RN are nozzle scanning mechanisms SC P and SC N , respectively.
And conveying path 10 above the conveying path 108 by SC R
It is designed to move in parallel with 8.

【0076】図9および図10に、一実施例によるノズ
ル走査機構SC(SCP,SCN,SCR)の構成を示
す。このノズル走査機構SCは、可動ノズルN(PN,
DNa,DNb,RN)を支持するための断面が逆さコ字
状のノズル支持体156と、搬送路108の上方で搬送
路108と平行にノズル支持体156を案内するための
ガイドレール158(図9)と、ガイドレール158に
沿って移動するようにノズル支持体156を駆動する走
査駆動部160とを有する。
9 and 10 show the structure of the nozzle scanning mechanism SC (SC P , SC N , SC R ) according to one embodiment. The nozzle scanning mechanism SC includes a movable nozzle N (PN,
Nozzle support 156 having an inverted U-shaped cross section for supporting DNa, DNb, RN) and a guide rail 158 for guiding the nozzle support 156 parallel to the transport path 108 above the transport path 108 (see FIG. 9) and the scanning drive unit 160 that drives the nozzle support 156 so as to move along the guide rail 158.

【0077】図10に示すように、走査駆動部160
は、たとえば、ノズル搬送体156に1本または複数本
の垂直支持部材161を介して結合された1本または複
数本の無端ベルト162をガイドレール158(図9)
と平行に(つまり搬送路108と平行に)駆動プーリ1
64と遊動プーリ166との間に架け渡し、駆動プーリ
164を電気モータ168の回転軸に作動結合してな
る。電気モータ168の回転駆動力がプーリ164,1
66およびベルト162を介してベルト長さ方向(X方
向)におけるノイズ搬送体156の直進運動に変換され
る。電気モータ168の回転速度を制御することによっ
てノズル搬送体156の直進移動速度を所望の値に調節
し、電気モータ168の回転方向を切り替えることによ
ってノズル搬送体156の直進移動方向を切り替えるこ
とができる。なお、図10では、図解の簡略化のため、
ガイドレール158は図示していない。
As shown in FIG. 10, the scan driver 160
Is, for example, one or more endless belts 162 coupled to the nozzle carrier 156 via one or more vertical support members 161, and guide rails 158 (FIG. 9).
Drive pulley 1 parallel to (that is, parallel to the transport path 108)
The drive pulley 164 is operatively connected to the rotating shaft of the electric motor 168 by bridging between the drive shaft 164 and the floating pulley 166. The rotational driving force of the electric motor 168 is the pulleys 164, 1
It is converted into a linear motion of the noise carrier 156 in the belt length direction (X direction) via 66 and the belt 162. By controlling the rotation speed of the electric motor 168, the rectilinear movement speed of the nozzle carrier 156 can be adjusted to a desired value, and by changing the rotation direction of the electric motor 168, the rectilinear movement direction of the nozzle carrier 156 can be switched. . In FIG. 10, for simplification of illustration,
The guide rail 158 is not shown.

【0078】ノズル搬送体156においては、左右両側
面の内壁にたとえばエアシリンダ等のアクチエータから
なる昇降駆動部170がそれぞれ取り付けられており、
それら左右一対の昇降駆動部170の間にたとえば中空
管からなる水平支持棹172が水平に架け渡されてい
る。そして、この水平支持棹172の中心部から垂直下
方に延在するたとえば中空管からなる垂直支持棹174
の下端部に筒状の可動ノズルNが吐出口nを下に向けて
水平に取り付けられている。ノズルNの吐出口nは、搬
送路108の幅方向で基板Gの一端から他端までほぼ均
一に処理液を供給できる範囲でノズル長手方向に一定間
隔で多数形成されていてよい。
In the nozzle transfer body 156, the elevating and lowering drive section 170 composed of an actuator such as an air cylinder is attached to the inner walls on the left and right side surfaces, respectively.
A horizontal support rod 172 made of, for example, a hollow tube is horizontally bridged between the pair of left and right lifting drive units 170. Then, a vertical support rod 174, which is formed of, for example, a hollow tube, extends vertically downward from the center of the horizontal support rod 172.
A movable nozzle N having a cylindrical shape is horizontally attached to the lower end of the with the discharge port n facing downward. The discharge ports n of the nozzles N may be formed in large numbers at regular intervals in the nozzle longitudinal direction within a range in which the processing liquid can be supplied substantially uniformly from one end to the other end of the substrate G in the width direction of the transfer path 108.

【0079】ノズル搬送体156内で、可動ノズルN
は、昇降駆動部170の昇降駆動により水平支持棹17
2および垂直支持棹174を介して昇降可能となってお
り、通常は、搬送路108上の基板Gに向けて処理液を
吐出するための高さ位置Haと処理液を吐出しない間に
搬送路108から退避しておくための高さ位置Hbとの
間で上下するようになっている。水平支持棹172の一
端部には搬送路108の外に設置されている処理液供給
源(図示せず)からの可撓性の処理液供給管176が引
き込まれている。この処理液供給管176は、水平支持
棹172および垂直支持棹174の中を通ってノズルN
の処理液導入口に接続されている。
In the nozzle carrier 156, the movable nozzle N
The horizontal support rod 17 is driven by the lifting drive of the lifting drive unit 170.
2 and the vertical support rod 174, and can be moved up and down. Normally, the height position Ha for discharging the processing liquid toward the substrate G on the transfer path 108 and the transfer path during the time when the processing liquid is not discharged. It is adapted to move up and down with respect to a height position Hb for retracting from 108. A flexible processing liquid supply pipe 176 from a processing liquid supply source (not shown) installed outside the transport path 108 is drawn into one end of the horizontal support rod 172. The processing liquid supply pipe 176 passes through the horizontal support rod 172 and the vertical support rod 174, and the nozzle N
It is connected to the processing liquid introduction port.

【0080】図9に示すように、好ましくは、搬送路1
08上の可動ノズルNの可動エリア(X方向およびZ方
向)を外部から遮蔽するための断面逆さコ字状のカバー
178を搬送路108に沿って設けてよい。図示の構成
例では、カバー178の左右両側面を該当モジュールM
の左右両側壁の上端部または軸脚部材140まで垂らし
ており、隙間を可及的に少なくしている。カバー178
の上面または天井には水平支持棹172を通すためのス
リット(開口)178aを形成してよい。このように、
カバー178によって可動ノズルNを走査駆動系から遮
蔽または隔離することで、カバー178内側の異物の少
ない処理空間PSで搬送路108上の基板Gに可動ノズ
ルNより処理液を供給できるようになっている。
As shown in FIG. 9, preferably, the transport path 1
A cover 178 having an inverted U-shaped cross section may be provided along the transport path 108 to shield the movable area (X direction and Z direction) of the movable nozzle N on the 08 from the outside. In the illustrated configuration example, the right and left side surfaces of the cover 178 are provided on the corresponding module M.
It hangs down to the upper ends of the left and right side walls or to the shaft leg member 140 to reduce the gap as much as possible. Cover 178
A slit (opening) 178a for passing the horizontal support rod 172 may be formed on the upper surface or the ceiling of the. in this way,
By shielding or isolating the movable nozzle N from the scanning drive system by the cover 178, the processing liquid can be supplied from the movable nozzle N to the substrate G on the transfer path 108 in the processing space PS with less foreign matter inside the cover 178. There is.

【0081】図5および図6において、プリウエット部
124には、一実施例による基板傾斜機構180が設け
られている。この基板傾斜機構180は、搬送路108
の下に昇降可能かつ前後方向に傾斜可能に配置されたベ
ース板182と、このベース板182の上面に所定の間
隔を置いて離散的に立設または植設された複数本のリフ
トピン184と、ベース板182を昇降軸186を介し
て下から支持して昇降駆動および傾斜駆動を行うための
駆動部188とを有する。昇降軸186は、該当モジュ
ールM2および現像液パン130の底板に形成された開
口190を貫通している。現像液パン130の内底には
開口190の回りに液漏れを防ぐための筒状の壁部13
0aが形成されている。
In FIGS. 5 and 6, the prewetting portion 124 is provided with a substrate tilting mechanism 180 according to one embodiment. The substrate tilting mechanism 180 is provided on the transfer path 108.
A base plate 182 that can be lifted up and down and tilted in the front-rear direction, and a plurality of lift pins 184 that are discretely erected or planted on the upper surface of the base plate 182 at predetermined intervals. The base plate 182 is supported from below through a lifting shaft 186, and a driving unit 188 for performing lifting driving and tilting driving is provided. The elevating shaft 186 passes through an opening 190 formed in the bottom plate of the module M2 and the developer pan 130. The inner wall of the developer pan 130 has a cylindrical wall portion 13 around the opening 190 for preventing liquid leakage.
0a is formed.

【0082】最後尾列のリフトピン184の直ぐ後方に
は、傾斜時に基板Gの後端を受け止めて落下を防止する
ための落下防止手段として、リフトピン184から後方
に分岐して直立する分岐ピン192にたとえばゴム製の
筒状ストッパ部材194が回転可能に取付されている。
Immediately behind the lift pins 184 in the last row, a branch pin 192 that branches backward from the lift pins 184 and stands upright is provided as fall prevention means for receiving the rear end of the substrate G and preventing the fall when tilting. For example, a rubber cylindrical stopper member 194 is rotatably attached.

【0083】ここで、図11および図12につき基板傾
斜機構180の作用を説明する。搬送路108上で基板
Gが基板傾斜機構180の真上に差し掛かると、所定の
位置センサ(図示せず)が基板Gを検出し、該センサよ
り出力される信号に応動して搬送駆動系の制御部が少な
くとも当該モジュール内の全ての搬送ローラ138A,
138Bの回転を止めて、基板Gを静止させる。
Now, the operation of the substrate tilting mechanism 180 will be described with reference to FIGS. 11 and 12. When the substrate G approaches the substrate tilting mechanism 180 on the transport path 108, a predetermined position sensor (not shown) detects the substrate G and responds to a signal output from the sensor to transport the drive system. The control unit of at least all the conveyance rollers 138A in the module,
The rotation of 138B is stopped and the substrate G is stopped.

【0084】直後に、基板傾斜機構180のコントロー
ラ(図示せず)が作動して、駆動部188を作動させ、
昇降軸186を上昇させる。そうすると、図11に示す
ように、ベース板182およびリフトピン184も上昇
して、リフトピン184が下から突き上げるようにして
基板Gを搬送路108の上方へ持ち上げる。
Immediately after that, the controller (not shown) of the substrate tilting mechanism 180 is operated to operate the drive unit 188,
The elevating shaft 186 is raised. Then, as shown in FIG. 11, the base plate 182 and the lift pins 184 also rise, and the lift pins 184 push up from below to lift the substrate G above the transport path 108.

【0085】次に、該コントローラが駆動部188を制
御して、ベース板182を搬送路108の幅方向に延在
する軸196を中心として前後方向に、好ましくは図示
のように後ろ向きに所定の角度(たとえば10゜〜20
゜)だけ回動させる。そうすると、図12に示すよう
に、ベース板182より上の部分つまりリフトピン19
2,ストッパ部材194、基板Gも搬送路108上で後
ろ向きに同角度だけ傾く。その際、基板Gはリフトピン
184上で後方に少し滑り落ちるだけでストッパ部材1
94に受け止められる。しかし、基板G上に盛られてい
る、または付着している液Qは重力で基板傾斜面を後方
へ滑り落ちて、基板の外へ落下する。基板Gから落ちた
液Qは、当該モジュールに設置されているパン(プリウ
エット部124ではプリウエット液パン130)に受け
集められる。
Next, the controller controls the drive unit 188 to move the base plate 182 in the front-rear direction about the shaft 196 extending in the width direction of the transport path 108, preferably backward as shown in the drawing. Angle (for example, 10 ° to 20
Rotate only ゜). Then, as shown in FIG. 12, a portion above the base plate 182, that is, the lift pin 19
2. The stopper member 194 and the substrate G also incline backward on the transport path 108 by the same angle. At that time, the substrate G slides slightly backward on the lift pins 184, and the stopper member 1
94. However, the liquid Q piled up or adhered on the substrate G slides backward on the inclined surface of the substrate due to gravity and falls out of the substrate. The liquid Q dropped from the substrate G is received and collected in a pan (the prewetting liquid pan 130 in the prewetting unit 124) installed in the module.

【0086】上記のような傾斜姿勢を一定時間保持した
後、該コントローラの制御の下で駆動部188は、ベー
ス板182を上記と逆方向に上記と等しい角度だけ回動
させて水平姿勢(図11の状態)に戻し、次いで昇降軸
186を原位置(図6の位置)まで降ろす。
After the tilted posture as described above is maintained for a certain period of time, under the control of the controller, the drive unit 188 rotates the base plate 182 in the opposite direction to the above-mentioned angle equal to the horizontal posture (FIG. 11 state), and then the lifting shaft 186 is lowered to the original position (position in FIG. 6).

【0087】なお、プリウエット部124にて、基板G
を搬送方向に、しかも次工程を行う現像液供給部126
側が上側となるように傾けるので、プリウエット部12
4で基板Gを傾けて液切りする際に、プリウエット液パ
ン130に落ちて跳ね返った液が次工程を行う現像液供
給部126側の基板Gに付着する可能性を低減すること
ができる。
In the pre-wet section 124, the substrate G
In the carrying direction, and the developing solution supply unit 126 for performing the next step
Since it is inclined so that the side is the upper side, the pre-wet portion 12
When the substrate G is tilted to be drained in step 4, it is possible to reduce the possibility that the liquid that has dropped into the prewetting liquid pan 130 and rebounded will adhere to the substrate G on the side of the developing solution supply unit 126 that performs the next step.

【0088】次に、この現像ユニット(DEV)94に
おける作用を説明する。基板搬入部110は、図7およ
び図8について上述したように、隣の基板搬送機構(図
示せず)から基板Gを1枚単位で受け取って搬送路10
8に移載する。搬送路108を構成する搬送用シャフト
136の搬送ローラ138A,138Bは上記したよう
に回転駆動シャフト146、ねじ歯車148,144等
の伝動機構を介して電気モータ150の回転駆動力で回
転しているため、搬送路108に載った基板Gは直ちに
隣の現像部112へ向けて搬送される。
Next, the operation of the developing unit (DEV) 94 will be described. As described above with reference to FIGS. 7 and 8, the substrate loading unit 110 receives the substrates G in units of one sheet from the adjacent substrate transport mechanism (not shown) and transports the transport path 10.
Reprinted in 8. The transport rollers 138A, 138B of the transport shaft 136 constituting the transport path 108 are rotated by the rotational drive force of the electric motor 150 via the transmission drive mechanism such as the rotary drive shaft 146 and the screw gears 148, 144 as described above. Therefore, the substrate G placed on the transport path 108 is immediately transported to the adjacent developing unit 112.

【0089】現像部112において、基板Gは、先ずプ
リウエット部124に搬入され、コロ搬送中にプリウエ
ット液供給ノズルPNよりプリウエット液としてたとえ
ば純水または低濃度の現像液を吹き付けられる。この実
施形態では、図9および図10につき上述したようなノ
ズル走査機構SCPの走査駆動によりノズルPNが搬送
路108に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Gの
上面(被処理面)に向けてプリウエット液を吹き付け
る。基板Gに当たって基板の外に飛び散ったプリウエッ
ト液または基板Gに当たらなかったプリウエット液は、
搬送路108の下に設置されているプリウエット液パン
130に受け集められる。
In the developing section 112, the substrate G is first carried into the prewetting section 124, and pure water or a low-concentration developing solution as a prewetting solution is sprayed from the prewetting solution supply nozzle PN during the roller conveyance. In this embodiment, the nozzle PN moves horizontally along the transfer path 108 by the scanning drive of the nozzle scanning mechanism SC P as described above with reference to FIGS. 9 and 10, and the upper surface (processed surface) of the substrate G being transferred. Spray the pre-wetting liquid toward. The prewetting liquid that has hit the substrate G and scattered outside the substrate or the prewetting liquid that has not hit the substrate G is
It is collected in a pre-wet liquid pan 130 installed under the transport path 108.

【0090】図13の(A)に示すように、搬送路10
8上の基板Gに向けてプリウエット液を吐出しながらノ
ズルPNを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設
定した場合は、ノズル走査速度VNと基板搬送速度VG
を足し合わせた相対速度(V N+VG)でノズルN(P
N)が基板Gの前端から後端まで走査することになり、
基板Gのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板G
の被処理面(レジスト表面)全体をプリウエット液で濡
らすことができる。
As shown in FIG. 13A, the transport path 10
While discharging the prewetting liquid toward the substrate G on the
Set the scanning direction of the cheat PN in the opposite direction to the substrate transfer direction.
If set, the nozzle scanning speed VNAnd substrate transfer speed VGWhen
Relative speed (V N+ VG) Nozzle N (P
N) scans from the front edge to the rear edge of the substrate G,
Even if the size of the board G is large, the board G can be
Wet the entire surface to be treated (resist surface) with prewetting liquid
You can

【0091】プリウエット部124内で基板Gが下流側
の所定位置に着くと、図11および図12につき上述し
たように基板傾斜機構180が作動して基板Gを搬送路
108より上に持ち上げて後向きに傾斜させる。この基
板Gの傾斜姿勢により、基板G上に残留または付着して
いるプリウエット液の大部分が基板後方に流れ落ちてプ
リウエット液パン130に回収される。
When the substrate G reaches a predetermined position on the downstream side in the pre-wet portion 124, the substrate tilting mechanism 180 operates to lift the substrate G above the transfer path 108 as described above with reference to FIGS. 11 and 12. Tilt backwards. Due to the inclined posture of the substrate G, most of the prewetting liquid remaining or adhering on the substrate G flows down to the rear of the substrate and is collected in the prewetting liquid pan 130.

【0092】プリウエット部124で上記のようなプリ
ウエット処理を受けた基板Gは、次に搬送路108に乗
って現像液供給部126に搬入される。現像液供給部1
26では、最初のモジュールM3を通過する間に現像液
供給ノズルDNaより現像液を吹き付けられ、次のモジ
ュールM4を通過する間にも現像液供給ノズルDNbより
現像液を吹き付けられる。各現像液供給ノズルDNa,
DNbは、図9および図10につき上述したようなノズ
ル走査機構SCNの走査駆動により搬送路108の上方
で搬送路108に沿って水平に移動しながらコロ搬送中
の基板Gの上面(被処理面)に向けて現像液を吹き付け
る。この現像液の吹き付けで基板Gの外に落ちた液は、
搬送路108の下に設置されている現像液パン132に
受け集められる。
The substrate G which has been subjected to the above-mentioned pre-wet processing in the pre-wet section 124 is then carried on the transport path 108 and is carried into the developing solution supply section 126. Developer supply unit 1
In 26, the developer is sprayed from the developer supply nozzle DNa while passing through the first module M3, and the developer is sprayed from the developer supply nozzle DNb while passing through the next module M4. Each developing solution supply nozzle DNa,
DNb is a top (to be processed of the substrate G in the roller conveyor while moving horizontally along the conveying path 108 above the conveying path 108 by the scanning driving of the nozzle scanning mechanism SC N as described above per FIGS. 9 and 10 Spray the developer onto the surface. The liquid that has fallen out of the substrate G due to the spraying of the developer is
It is received and collected in the developing solution pan 132 installed under the transport path 108.

【0093】上記したプリウエット部124と同様に、
現像液供給部126においても、図13の(A)に示す
ように搬送路108上の基板Gに向けて現像液を吐出し
ながらノズルDNを走査させる方向を基板搬送方向と逆
向きに設定してよい。これにより、ノズルDNがノズル
走査速度VNと基板搬送速度VGとを足し合わせた相対速
度(VN+VG)で基板Gの前端から後端まで走査するこ
とになり、基板Gのサイズが大きくてもごく短時間のう
ちに基板Gの被処理面(レジスト表面)全体に現像液を
供給することができる。
Similar to the above-mentioned pre-wet portion 124,
Also in the developing solution supply unit 126, as shown in FIG. 13A, the direction in which the nozzle DN is scanned while the developing solution is discharged toward the substrate G on the transport path 108 is set to the opposite direction to the substrate transport direction. You may As a result, the nozzle DN scans from the front end to the rear end of the substrate G at a relative speed (V N + V G ) that is the sum of the nozzle scanning speed V N and the substrate transport speed V G, and the size of the substrate G is reduced. Even if it is large, the developer can be supplied to the entire surface to be processed (resist surface) of the substrate G in a very short time.

【0094】この実施形態では、モジュールM3,M4
毎に個別の現像液供給ノズルDNa,DNbとノズル走査
機構SCNを設けているため、搬送路108上の基板G
に対して時間的かつ空間的なインターバルを置いて現像
液を複数回供給可能であり、1回目と2回目とで現像液
の特性(濃度等)を変えることもできる。
In this embodiment, the modules M3 and M4 are
Since it is provided a separate developer supply nozzle DNa, DNb a nozzle scanning mechanism SC N for each substrate on the conveying path 108 G
On the other hand, it is possible to supply the developing solution a plurality of times at intervals of time and space, and the characteristics (concentration etc.) of the developing solution can be changed between the first and second times.

【0095】現像液供給部126で上記のようにして被
処理面全体に現像液を供給された基板Gはそのまま搬送
路108に乗って現像液落し部128に搬入される。そ
して、現像液落し部128内で下流側の所定位置に着く
と、そこに設置されている基板傾斜機構180が作動し
て基板Gを搬送路108より上に持ち上げて基板Gを搬
送方向に、しかもたとえば前向き、つまり前工程を行う
現像液供給部126側が上側となるように基板Gを傾斜
させる。この傾斜姿勢により、基板G上に盛られていた
現像液の大部分が基板前方に流れ落ちて現像液パン13
2に回収される。このように、前工程を行う現像液供給
部126側が上側となるように基板Gを傾斜させるの
で、現像液落とし部128で基板Gを傾けて液切りを行
う際に、現像液パン132にて跳ね返った液が現像液供
給部126側の基板Gに付着する可能性を低減できる。
The substrate G, to which the developing solution has been supplied to the entire surface to be processed by the developing solution supply section 126 as described above, is carried on the transport path 108 as it is and carried into the developing solution dropping section 128. Then, when it arrives at a predetermined position on the downstream side within the developer dropping unit 128, the substrate tilting mechanism 180 installed there operates to lift the substrate G above the transport path 108 to transport the substrate G in the transport direction. Moreover, for example, the substrate G is inclined so that it faces forward, that is, the side of the developing solution supply unit 126 that performs the previous step is the upper side. Due to this inclined posture, most of the developing solution deposited on the substrate G flows down to the front side of the substrate and the developing solution pan 13
Recovered to 2. In this way, the substrate G is tilted so that the side of the developing solution supply unit 126 that performs the pre-process is on the upper side. Therefore, when the substrate G is tilted by the developing solution removing unit 128 and drained, the developing solution pan 132 is used. It is possible to reduce the possibility that the splashed liquid adheres to the substrate G on the developer supply unit 126 side.

【0096】現像部112で上記のような現像液の供給
と回収を終えた基板Gは、搬送路108に乗ってリンス
部114に搬入される。リンス部114では、図9およ
び図10につき上述したようなノズル走査機構SCR
走査駆動によりリンス液供給ノズルRNが搬送路108
に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Gの上面(被
処理面)に向けてリンス液たとえば純水を吹き付ける。
基板Gの外に落ちたリンス液は、搬送路108の下に設
置されているリンス液パン134に受け集められる。
The substrate G, which has been supplied and collected with the developing solution as described above in the developing section 112, is carried into the rinsing section 114 along the transport path 108. The rinsing unit 114, the scan driver of the nozzle scanning mechanism SC R as described above per FIGS. 9 and 10 are rinsing liquid supply nozzle RN conveying path 108
A rinsing liquid, such as pure water, is sprayed toward the upper surface (the surface to be processed) of the substrate G that is being transported while moving horizontally along the direction.
The rinse liquid that has fallen outside the substrate G is collected in the rinse liquid pan 134 that is installed below the transport path 108.

【0097】リンス部114においても、図13の
(A)に示すように搬送路108上の基板Gに向けて現
像液を吐出しながらノズルRNを走査させる方向を基板
搬送方向と逆向きに設定してよい。これにより、ノズル
RNがノズル走査速度VNと基板搬送速度VGとを足し合
わせた相対速度(VN+VG)で基板Gの前端から後端ま
で走査することになり、基板Gのサイズが大きくてもご
く短時間のうちに基板Gの被処理面(レジスト表面)全
体にリンス液を供給して、速やかにリンス液への置換
(現像停止)を行うことができる。なお、基板Gの裏面
を洗浄するためのリンス液供給ノズル(図示せず)を搬
送路108の下に設けてもよい。
Also in the rinse section 114, as shown in FIG. 13A, the direction in which the nozzle RN is scanned while the developing solution is discharged toward the substrate G on the transfer path 108 is set to the opposite direction to the substrate transfer direction. You can do it. Thus, it becomes possible to scan at a relative speed nozzle RN is the sum of the nozzle scanning speed V N and the substrate transport speed V G (V N + V G) from the front end of the substrate G to the rear end, the size of the substrate G Even if it is large, the rinse liquid can be supplied to the entire surface to be processed (resist surface) of the substrate G within a very short time, and the replacement with the rinse liquid (stop development) can be quickly performed. A rinse liquid supply nozzle (not shown) for cleaning the back surface of the substrate G may be provided below the transport path 108.

【0098】リンス部114で上記のようなリンス工程
を終えた基板Gは、搬送路108に乗って乾燥部116
に搬入される。乾燥部116では、図4に示すように搬
送路108上を搬送される基板Gに対して所定位置に設
置した上下のエアーナイフENより基板上面(被処理
面)および裏面にナイフ状の鋭利な気体流たとえばエア
ーを当てることにより、基板Gに付着している液(主に
リンス液)を基板後方へ払い落す(液切りする)。
The substrate G, which has been subjected to the above-described rinsing process in the rinsing unit 114, rides on the transport path 108 and is dried in the drying unit 116.
Be delivered to. In the drying unit 116, as shown in FIG. 4, the upper and lower air knives EN installed at a predetermined position with respect to the substrate G transported on the transport path 108 has a knife-shaped sharp edge on the upper surface (processed surface) and the back surface of the substrate. By applying a gas flow such as air, the liquid (mainly the rinse liquid) adhering to the substrate G is blown off (removed) to the rear of the substrate.

【0099】乾燥部116で液切りされた基板Gはその
まま搬送路108に乗って基板搬出部118に送られ
る。基板搬出部118は、基板搬入部110と同様の構
成を有しており、基板搬送方向が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部110と同様に動作する。つま
り、基板受け渡し用のリフトピン122を搬送路108
よりも低い位置に待機させて基板Gが上流側(乾燥部1
16)から流れてくるのを待ち、基板Gがリフトピン1
22の直上の所定位置に着いたならリフトピン122を
上方へ突き上げて基板Gを水平姿勢で持ち上げ、隣の基
板搬送機構(図示せず)へ渡す。
The substrate G that has been drained by the drying unit 116 is sent to the substrate unloading unit 118 along the transport path 108 as it is. The substrate carry-out unit 118 has the same configuration as the substrate carry-in unit 110, and operates in the same manner as the substrate carry-in unit 110 except that the substrate carrying directions are opposite between carrying-in and carrying-out. That is, the lift pins 122 for transferring the substrate are connected to the transport path 108.
The substrate G on the upstream side (drying unit 1
16) Waiting for the flow from the substrate G, the board G lift pin 1
When it reaches a predetermined position immediately above 22, the lift pin 122 is pushed upward to lift the substrate G in a horizontal posture, and the substrate G is transferred to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【0100】この現像ユニット(DEV)94では、搬
送路108上を多数の基板Gを所定の間隔を置いて一列
に搬送しながらプリウエット部124、現像液供給部1
26、現像液落し部128、リンス部114および乾燥
部116で各処理を順次施すようにしており、いわばパ
イプライン方式による高効率または高スループットの現
像処理工程を実現することができる。
In this developing unit (DEV) 94, a large number of substrates G are conveyed in a line at a predetermined interval on the conveying path 108 while pre-wetting section 124 and developing solution supplying section 1 are being carried out.
26, the developing solution dropping unit 128, the rinsing unit 114, and the drying unit 116 are sequentially performed, so that a high-efficiency or high-throughput development processing step by a pipeline system can be realized.

【0101】特に、プリウエット部124、現像液供給
部126およびリンス部114では、搬送路108上の
基板Gに対して処理液(プリウエット液、現像液、リン
ス液)を供給するノズルPN,DNa,DNb,RNを搬
送路108の上方で搬送路108に沿って走査すること
により、基板Gのサイズが大きくても、搬送路108の
搬送速度が高くなくても、基板被処理面の全体に万遍無
く処理液を短時間で迅速に供給することが可能である。
とりわけ、現像液供給工程では、基板Gの搬送方向の一
端部(先端部)と他端部(後端部)の間の処理液供給の
時間差つまり現像開始の時間差を可及的に短くできるた
め、基板上の現像品質の面内均一性を向上させることが
できる。
Particularly, in the pre-wet section 124, the developing solution supply section 126 and the rinse section 114, the nozzles PN for supplying the processing solution (pre-wet solution, developing solution, rinse solution) to the substrate G on the transfer path 108, By scanning DNa, DNb, and RN above the transport path 108 along the transport path 108, the entire surface of the substrate to be processed can be processed even if the size of the substrate G is large or the transport speed of the transport path 108 is not high. It is possible to supply the treatment liquid uniformly and quickly in a short time.
In particular, in the developing solution supply step, the time difference of the processing solution supply between one end (front end) and the other end (rear end) in the transport direction of the substrate G, that is, the time difference of the start of development can be shortened as much as possible. The in-plane uniformity of development quality on the substrate can be improved.

【0102】また、プリウエット部124、現像液供給
部126、リンス部114にそれぞれ別個のパン13
0,132,134を設けることにより、各処理液(プ
リウエット液、現像液、リンス液)の分別回収率を高め
ている。さらに、プリウエット部124および現像液落
し部128では、基板傾斜機構180により基板G上か
らそれぞれの処理液(プリウエット液、現像液)を液処
理後に効率よく回収するようにしたので、分別回収率を
一層向上させることができる。
Further, separate pans 13 are provided for the pre-wet section 124, the developing solution supply section 126, and the rinse section 114, respectively.
By providing 0, 132, and 134, the separation recovery rate of each processing liquid (prewetting liquid, developing liquid, rinse liquid) is increased. Further, in the pre-wetting section 124 and the developing solution dropping section 128, the substrate tilting mechanism 180 efficiently collects the respective processing solutions (pre-wetting solution and developing solution) from the substrate G after the solution processing. The rate can be further improved.

【0103】リンス部114に基板傾斜機構180を設
ける構成も可能である。リンス部114にて基板Gを傾
斜させる際には、基板Gを搬送方向に、たとえば現像液
供給部126側が上側となるように基板Gを傾斜させる
とよい。現像液供給部126側が上側となるように基板
Gを傾けるので、リンス液供給ノズルRNから吐出され
たリンス液が傾いた基板Gの上で跳ね返り、跳ね返った
リンス液が現像液供給部126側の基板Gに付着する可
能性を低減できる。
It is also possible to provide the rinse portion 114 with the substrate tilting mechanism 180. When inclining the substrate G in the rinse section 114, it is preferable to incline the substrate G in the transport direction, for example, so that the developing solution supply unit 126 side is on the upper side. Since the substrate G is tilted so that the developing solution supply unit 126 side is the upper side, the rinse solution discharged from the rinse solution supply nozzle RN bounces on the inclined substrate G, and the bounced rinse solution is on the developing solution supply unit 126 side. The possibility of being attached to the substrate G can be reduced.

【0104】なお、この実施形態のノズル走査機構SC
では、ノズルNを搬送路108に沿って双方向に走査で
きる構成であるから、図13の(B)に示すようにノズ
ルNを基板搬送方向と同じ向きに走査しながら基板Gの
被処理面全体に処理液Qを供給することも可能である。
この場合は、ノズル走査速度VN’を基板搬送速度VG
りも大きな速度に設定する必要がある。
The nozzle scanning mechanism SC of this embodiment
In this case, since the nozzle N is configured to be capable of bidirectionally scanning along the transport path 108, the surface to be processed of the substrate G while scanning the nozzle N in the same direction as the substrate transport direction as shown in FIG. It is also possible to supply the treatment liquid Q to the whole.
In this case, it is necessary to set the nozzle scanning speed V N 'to a speed higher than the substrate transfer speed V G.

【0105】また、この実施形態は、プリウエット部1
24および現像液供給部126でスプレー方式の現像を
行うように構成した。しかし、パドル方式に変形するの
は簡単であり、現像液供給部126において現像液供給
ノズルDNa,DNbをスプレー型から液盛り型の吐出構
造に交換すればよい。また、パドル方式では、プリウエ
ット部124は要らなくなる。
Further, in this embodiment, the pre-wet section 1
24 and the developing solution supply unit 126 are configured to perform spray-type development. However, it is easy to change to the paddle system, and in the developing solution supply section 126, the developing solution supply nozzles DNa and DNb may be replaced with a spray type discharge type structure. Further, in the paddle system, the pre-wet portion 124 is unnecessary.

【0106】現像液供給部126において、現像液供給
ノズルDNa,DNbのいずれか片方(通常は下流側のD
Nb)を省く構成も可能である。また、搬送路108上
における各可動ノズルNの走査可能エリアを1モジュー
ルMを越える範囲に設定してもよく、隣接する可動ノズ
ルが共通のガイドレールに相互乗り入れできる構成とす
ることも可能である。
In the developing solution supply section 126, one of the developing solution supply nozzles DNa and DNb (usually the downstream side D
It is also possible to omit Nb). Further, the scannable area of each movable nozzle N on the transport path 108 may be set in a range exceeding one module M, and it is also possible to adopt a configuration in which the adjacent movable nozzles can get into each other on a common guide rail. .

【0107】この実施形態では、上記したように、現像
部122の下流部に配置した基板傾斜機構180により
リンス部114に搬入する手前で基板G上から現像液を
効率よく回収するようしている。このようにリンス工程
の直前に基板G上から現像液を落とすことは、リンス工
程においてリンス液への置換または現像停止を速められ
るという利点もある。
In this embodiment, as described above, the substrate inclining mechanism 180 arranged in the downstream portion of the developing unit 122 efficiently collects the developing solution from the substrate G before carrying it into the rinse unit 114. . Dropping the developing solution from the substrate G just before the rinsing step also has an advantage that the replacement with the rinsing solution or the stop of the development can be accelerated in the rinsing step.

【0108】このような傾斜方式の代わりに、あるいは
それと併用して、現像部122とリンス部114との境
界付近に図14に示すようなエアーナイフ機構を設ける
構成も効果的である。図14において、エアーナイフF
Nは、搬送路108の幅方向で基板Wの端から端まで延
在する無数のエアー吐出口またはスリット状のエアー吐
出口を有しており、所定の位置で傍(直下)を通過する
基板Gに対してナイフ状の鋭利な気体流(通常は空気流
または窒素ガス流)を当てる。これにより、基板Gがエ
アーナイフFNを通過する間に基板上の現像液Qが基板
後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落と
される。
It is also effective to provide an air knife mechanism as shown in FIG. 14 in the vicinity of the boundary between the developing section 122 and the rinse section 114, instead of or in combination with such an inclination method. In FIG. 14, the air knife F
N has an innumerable air ejection port or slit-shaped air ejection port extending from one end to the other end of the substrate W in the width direction of the transport path 108, and a substrate passing by (directly below) at a predetermined position. A sharp knife-like gas stream (usually an air stream or a nitrogen gas stream) is applied to G. As a result, while the substrate G passes through the air knife FN, the developing solution Q on the substrate is swept up to the rear end side of the substrate and is wiped out of the substrate.

【0109】上記した実施形態における各部の構成は一
例であり、種々の変形が可能である。たとえば、ノズル
走査機構SCにおけるノズル支持体156や走査駆動部
160の構成を任意に変形することが可能である。ま
た、上記した実施形態における基板傾斜機構180は基
板Gを水平姿勢で搬送路108より上に持ち上げてから
傾斜させる構成であった。しかし、他の方式として、最
初から上端面の傾斜している部材を基板Gの下から突き
上げるような基板傾斜機構も可能である。
The configuration of each part in the above-described embodiment is an example, and various modifications can be made. For example, the configurations of the nozzle support 156 and the scan driver 160 in the nozzle scanning mechanism SC can be modified arbitrarily. Further, the substrate inclining mechanism 180 in the above-described embodiment is configured to incline the substrate G after raising it in the horizontal posture above the transport path 108. However, as another method, a substrate tilting mechanism in which a member whose upper end surface is tilted from the beginning is pushed up from below the substrate G is also possible.

【0110】上記した実施形態では、回転可能なシャフ
ト136に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ロ
ーラ138A,138Bを水平方向に敷設してなるコロ
搬送型の搬送路108を構成した。このようなコロ搬送
型の搬送路では、両搬送ローラ138A,138Bの中
間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。ま
た、搬送路108の駆動系を搬送方向において複数に分
割し、各分割搬送路上の搬送動作(速度、停止等)を独
立制御することも可能である。また、一定の間隔を空け
て一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型
の搬送路も可能である。
In the above-described embodiment, the roller conveying type conveying path 108 is constructed by horizontally laying a pair of conveying rollers 138A and 138B fixed to the rotatable shaft 136 at a predetermined interval. In such a roller transport type transport path, a substrate transport roller may be attached at an intermediate position between both transport rollers 138A and 138B. It is also possible to divide the drive system of the transport path 108 into a plurality in the transport direction and independently control the transport operation (speed, stop, etc.) on each of the split transport paths. Further, a belt-conveying type conveying path in which a pair of belts are laid horizontally in a certain interval is also possible.

【0111】また、プリウエット部124や現像液落と
し部128やリンス部114において、基板を傾ける方
向を前述した方向と異なる方向に設定したり、または基
板を水平状態や傾斜状態で処理してもよいことはいうま
でもない。
Further, in the pre-wet portion 124, the developing solution dropping portion 128 and the rinse portion 114, even if the direction of tilting the substrate is set to a direction different from the above-mentioned direction, or the substrate is processed in a horizontal state or a tilted state. It goes without saying that it is good.

【0112】また、可動ノズルを搬送路に沿って移動さ
せるためのノズル走査手段が、可動ノズルの移動速度を
可変制御する手段を含むものであってもよい。たとえ
ば、10に示すようなノズル走査機構SCにおいては、
電気モータ168の回転速度をたとえば電圧制御または
界磁制御等の周知の速度制御方式によって段階的または
連続的に可変制御してもよく、あるいは電気モータ16
8と駆動プーリ164との間に変速装置(図示せず)を
設けてもよい。
Further, the nozzle scanning means for moving the movable nozzle along the transport path may include means for variably controlling the moving speed of the movable nozzle. For example, in the nozzle scanning mechanism SC as shown in 10,
The rotation speed of the electric motor 168 may be variably controlled stepwise or continuously by a known speed control method such as voltage control or field control, or the electric motor 16
A transmission (not shown) may be provided between the drive gear 8 and the drive pulley 164.

【0113】一般に、ノズルから噴出される処理液は、
基板の前端縁または後端縁に向って流れやすく、基板の
前後端縁部に溜まりやすい。そこで、基板の前端縁近傍
の領域および後端縁近傍の領域においては、基板に対す
る可動ノズルの相対移動速度を比較的大きくして、処理
液の溜りを少なくする。一方、基板の中間領域において
は、処理液はあまり逃げないので、ある程度の液面高さ
となるように、可動ノズルの相対移動速度を比較的小さ
くする。例示的に具体的数値を挙げると、基板サイズが
680mm(幅)×880mm(長さ)の場合は、基板
の前端縁から約60mm以内の前端縁近傍領域および基
板の後端縁から約100mm以内の後端縁近傍領域では
可動ノズルの相対移動速度を約300mm/secとし、基板
の中間領域では可動ノズルの相対移動速度を約200mm
/secとする。このように、基板の被処理面を搬送方向に
おいて複数(たとえば3つ)の領域に分割して、各領域
に対する可動ノズルの相対移動速度を段階的または連続
的に変えることにより、基板上の液膜を均一にすること
ができる。なお、各領域の設定値(サイズまたは比率)
は、基板サイズや処理液の種類等に応じて選ばれてよ
い。
Generally, the processing liquid ejected from the nozzle is
It tends to flow toward the front edge or the rear edge of the substrate, and tends to collect at the front and rear edges of the substrate. Therefore, in the region near the front end edge and the region near the rear end edge of the substrate, the relative moving speed of the movable nozzle with respect to the substrate is relatively increased to reduce the pool of the processing liquid. On the other hand, in the intermediate region of the substrate, the processing liquid does not escape so much, so the relative moving speed of the movable nozzle is made relatively small so that the liquid surface height becomes a certain level. For example, when the substrate size is 680 mm (width) x 880 mm (length), within about 60 mm from the front edge of the substrate and within about 100 mm from the area near the front edge and the rear edge of the substrate. The relative moving speed of the movable nozzle is set to about 300 mm / sec in the area near the rear edge, and the relative moving speed of the movable nozzle is set to about 200 mm in the middle area of the substrate.
/ sec. In this way, the surface to be processed of the substrate is divided into a plurality of (for example, three) regions in the transport direction, and the relative moving speed of the movable nozzle with respect to each region is changed stepwise or continuously, whereby the liquid on the substrate is changed. The film can be made uniform. The setting value (size or ratio) of each area
May be selected according to the substrate size, the type of processing liquid, and the like.

【0114】他の実施例として、処理液供給手段が、ノ
ズルから噴出する処理液の流量を変える手段を含むよう
にしてもよい。たとえば、上記した実施態様では、処理
液供給管176(図9)の途中に流量制御弁(図示せ
ず)を設ける構成としてよい。この場合も、基板の被処
理面を搬送方向において複数の領域たとえば基板前端近
傍領域、基板中間領域および基板後端近傍領域に3分割
し、それら3つの領域に対するノズルの処理液噴出量を
個別に設定することで、基板上の液膜を均一にすること
ができる。通常は、基板前端近傍領域および基板後端近
傍領域に対しては処理液噴出量を比較的小さくし、基板
中間領域に対しては処理液噴出量を比較的大きくするこ
とで、液膜の均一化をはかることができる。
As another embodiment, the treatment liquid supply means may include means for changing the flow rate of the treatment liquid ejected from the nozzle. For example, in the above-described embodiment, a configuration may be adopted in which a flow rate control valve (not shown) is provided in the middle of the processing liquid supply pipe 176 (FIG. 9). In this case also, the surface to be processed of the substrate is divided into a plurality of regions in the transport direction, for example, a region near the front end of the substrate, a region near the intermediate region of the substrate, and a region near the rear end of the substrate, and the ejection amounts of the processing liquid from the nozzles for these three regions are individually divided. By setting, the liquid film on the substrate can be made uniform. Normally, the amount of the processing liquid ejected is relatively small for the region near the front end of the substrate and the region near the rear end of the substrate, and the amount of the processing liquid ejected for the intermediate region of the substrate is relatively large so that the liquid film becomes uniform Can be changed.

【0115】本発明における被処理基板はLCD基板に
限るものではなく、現像処理の適用可能な任意の被処理
基板が含まれる。
The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but includes any substrate to which development processing can be applied.

【0116】[0116]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の現像処理
装置によれば、水平方向に敷設した搬送路上で被処理基
板を搬送しながら現像処理を短時間で効率よく行うこと
ができ、良好な現像品質を得ることもできる。
As described above, according to the development processing apparatus of the present invention, the development processing can be efficiently performed in a short time while the substrate to be processed is conveyed on the conveyance path laid in the horizontal direction. It is also possible to obtain excellent development quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の現像処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing treatment system to which a developing treatment apparatus of the present invention can be applied.

【図2】実施形態の塗布現像処理システムにおける熱的
処理部の構成を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a configuration of a thermal processing unit in the coating and developing treatment system of the embodiment.

【図3】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system according to the embodiment.

【図4】実施形態の現像ユニットの全体構成を示す正面
図である。
FIG. 4 is a front view showing the overall configuration of the developing unit of the embodiment.

【図5】実施形態の現像ユニットにおける基板搬入部お
よびプリウエット部回りの構成を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a configuration around a substrate loading unit and a pre-wet unit in the developing unit of the embodiment.

【図6】実施形態の現像ユニットにおける基板搬入部お
よびプリウエット部回りの構成を示す一部断面正面図で
ある。
FIG. 6 is a partial cross-sectional front view showing the configuration around the substrate loading unit and the pre-wet unit in the developing unit of the embodiment.

【図7】実施形態における基板搬入部の構成および作用
(基板受け渡し)を示す一部断面側面図である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and operation (substrate transfer) of the substrate loading unit in the embodiment.

【図8】実施形態における基板搬入部の構成および作用
(基板移載)を示す一部断面側面図である。
FIG. 8 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and operation (substrate transfer) of the substrate loading unit in the embodiment.

【図9】実施形態におけるノズル走査機構の構成を示す
一部断面側面図である。
FIG. 9 is a partial cross-sectional side view showing the configuration of the nozzle scanning mechanism in the embodiment.

【図10】実施形態におけるノズル走査機構の構成を示
す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of a nozzle scanning mechanism in the embodiment.

【図11】実施形態における基板傾斜機構の構成および
作用(基板持ち上げ)を示す一部断面側面図である。
FIG. 11 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and operation (substrate lifting) of the substrate tilting mechanism in the embodiment.

【図12】実施形態における基板傾斜機構の構成および
作用(基板傾斜)を示す一部断面側面図である。
FIG. 12 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and operation (substrate tilt) of the substrate tilt mechanism in the embodiment.

【図13】実施形態におけるノズル走査の作用を示す略
側面図である。
FIG. 13 is a schematic side view showing the action of nozzle scanning in the embodiment.

【図14】実施形態におけるエアーナイフの作用を示す
略側面図である。
FIG. 14 is a schematic side view showing the operation of the air knife in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 塗布現像処理システム 16(P/S) プロセスステーション 32 塗布プロセス部 94 塗布ユニット 108 搬送路 110 基板搬入部 112 現像部 114 リンス部 116 乾燥部 118 基板搬出部 124 プリウエット部 126 現像液供給部 128 現像液落し部 130 プリウエット液パン 132 現像液パン 134 リンス液パン N 可動ノズル PN プリウエット液供給ノズル DNa,DNb 現像液供給ノズル RN リンス液供給ノズル SCP,SCN,SCR ノズル走査機構 156 ノズル支持体 158 ガイドレール 160 走査駆動部 170 昇降駆動部 180 基板傾斜機構 10 Coating and developing system 16 (P / S) process station 32 Coating Process Department 94 Coating unit 108 transport path 110 Substrate loading section 112 Development Department 114 Rinse 116 Drying section 118 substrate unloading section 124 Pre-wet part 126 Developer Supply Unit 128 developer drop 130 Pre-wet liquid pan 132 developer pan 134 Rinse pan N movable nozzle PN prewetting liquid supply nozzle DNa, DNb developer supply nozzle RN rinse liquid supply nozzle SCP, SCN, SCR nozzle scanning mechanism 156 nozzle support 158 Guide rail 160 scan driver 170 Lift drive 180 Substrate tilting mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA27 AA28 GA17 GA23 GA24 GA26 5F046 LA11 LA18    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H096 AA27 AA28 GA17 GA23 GA24                       GA26                 5F046 LA11 LA18

Claims (27)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板をほぼ水平に載せて搬送する
ための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、 前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を
駆動する搬送駆動手段と、 前記搬送路上の前記基板の被処理面に現像処理用の所定
の処理液を供給するための1つまたは複数のノズルを含
む処理液供給手段と、 前記処理液供給手段の少なくとも1つのノズルを可動ノ
ズルとして前記搬送路に沿って移動させるためのノズル
走査手段とを有する現像処理装置。
1. A transport path in which a transport body for horizontally placing and transporting a substrate to be processed is laid in a horizontal direction, and a transport for driving the transport body to transport the substrate on the transport path. At least one of a driving unit, a processing liquid supply unit including one or a plurality of nozzles for supplying a predetermined processing liquid for development processing to the surface to be processed of the substrate on the transport path, and at least one of the processing liquid supply units. And a nozzle scanning unit for moving one nozzle as a movable nozzle along the transport path.
【請求項2】 前記処理液供給手段の可動ノズルが、前
記搬送路の幅方向に一定間隔で配される多数の吐出口を
有する請求項1に記載の現像処理装置。
2. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the movable nozzle of the processing liquid supply unit has a large number of ejection openings arranged at regular intervals in the width direction of the transport path.
【請求項3】 前記処理液供給手段が、前記ノズルから
噴出する処理液の流量を変える手段を含む請求項1また
は2に記載の現像処理装置。
3. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply unit includes a unit that changes a flow rate of the processing liquid ejected from the nozzle.
【請求項4】 前記基板の被処理面を搬送方向において
基板前端縁から第1の距離以内の基板前端近傍領域と基
板後端縁から第2の距離以内の基板後端近傍領域と前記
基板前端近傍領域および前記基板後端近傍領域に挟まれ
た基板中間領域とに3分割し、それら3つの領域に対し
て前記ノズルより前記処理液を供給する際の処理液噴出
量を個別に設定する請求項3に記載の現像処理装置。
4. A substrate front end vicinity region within a first distance from a substrate front end edge and a substrate rear end vicinity region within a second distance from a substrate rear end edge in the transport direction of the surface to be processed of the substrate and the substrate front end. 3. A substrate intermediate region sandwiched between a region near the substrate and a region near the rear end of the substrate is divided into three regions, and the amount of the processing liquid ejected when the processing liquid is supplied from the nozzle to the three regions is individually set. Item 4. The development processing apparatus according to Item 3.
【請求項5】 前記基板前端近傍領域および前記基板後
端近傍領域に対する処理液噴出量をほぼ等しくし、かつ
前記基板中間領域に対する処理液噴出量よりも小さくす
る請求項4に記載の現像処理装置。
5. The development processing apparatus according to claim 4, wherein the processing liquid jetting amount is substantially equal to the substrate front end vicinity region and the substrate rear end vicinity region and is smaller than the processing liquid ejection amount to the substrate middle region. .
【請求項6】 前記ノズル走査手段が、前記可動ノズル
の移動速度を変える手段を含む請求項1〜5のいずれか
一項に記載の現像処理装置。
6. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle scanning unit includes a unit that changes a moving speed of the movable nozzle.
【請求項7】 前記基板の被処理面を搬送方向において
基板前端縁から第1の距離以内の基板前端近傍領域と基
板後端縁から第2の距離以内の基板後端近傍領域と前記
基板前端近傍領域および前記基板後端近傍領域に挟まれ
た基板中間領域とに3分割し、それら3つの領域に対し
て前記可動ノズルより前記処理液を供給する際のノズル
移動速度を個別に設定する請求項6に記載の現像処理装
置。
7. A substrate front end vicinity region within a first distance from a substrate front end edge and a substrate rear end vicinity region within a second distance from a substrate rear end edge in the transport direction of the surface to be processed of the substrate and the substrate front end. A nozzle moving speed when the processing liquid is supplied from the movable nozzle to each of the three regions is divided into a near region and a substrate intermediate region sandwiched by the substrate rear end near region, and the nozzle moving speed is individually set. Item 7. The developing device according to Item 6.
【請求項8】 前記基板前端近傍領域および前記基板後
端近傍領域に対するノズル移動速度をほぼ等しくし、か
つ前記基板中間領域に対するノズル移動速度よりも大き
くする請求項7に記載の現像処理装置。
8. The development processing apparatus according to claim 7, wherein the nozzle moving speeds for the substrate front end vicinity region and the substrate rear end vicinity region are set to be substantially equal to each other and are higher than the nozzle movement speed for the substrate middle region.
【請求項9】 前記ノズル走査手段が、前記可動ノズル
を支持するノズル支持部と、前記搬送路の上方で前記ノ
ズル支持部を案内するための案内部と、前記案内部に沿
って移動するように前記ノズル支持部を駆動する駆動部
とを有する請求項1〜8のいずれか一項に記載の現像処
理装置。
9. The nozzle scanning means includes a nozzle support portion that supports the movable nozzle, a guide portion that guides the nozzle support portion above the transport path, and moves along the guide portion. 9. The development processing apparatus according to claim 1, further comprising: a drive unit that drives the nozzle support unit.
【請求項10】 前記可動ノズルの高さ位置を調節また
は変更するために前記可動ノズルを昇降させるノズル昇
降手段を有する請求項1〜9のいずれか一項に記載の現
像処理装置。
10. The development processing apparatus according to claim 1, further comprising a nozzle elevating unit that elevates and lowers the movable nozzle in order to adjust or change a height position of the movable nozzle.
【請求項11】 前記可動ノズルの移動可能な前記搬送
路上の空間を覆うカバーを有する請求項1〜10のいず
れか一項に記載の現像処理装置。
11. The development processing apparatus according to claim 1, further comprising a cover that covers a space on the transport path where the movable nozzle is movable.
【請求項12】 前記搬送路に沿って、前記基板の被処
理面に現像液を供給して現像するための現像部と、前記
現像部よりも下流側で前記基板の被処理面に純水を供給
して現像を停止させるためのリンス部とを設ける請求項
1〜11のいずれか一項に記載の現像処理装置。
12. A developing unit for supplying a developing solution to the surface to be processed of the substrate for development along the transport path, and pure water on the surface to be processed of the substrate downstream of the developing unit. The development processing apparatus according to any one of claims 1 to 11, further comprising a rinsing section for supplying the toner to stop the development.
【請求項13】 前記現像部内で前記搬送路の下に落ち
た液を受け集めるための第1の集液部と、前記リンス部
内で前記搬送路の下に落ちた液を受け集めるための第2
の集液部とを有する請求項12に記載の現像処理装置。
13. A first liquid collecting part for collecting the liquid that has fallen under the transport path in the developing part, and a first liquid collecting part for collecting the liquid that has fallen under the transport path in the rinse part. Two
13. The developing processing apparatus according to claim 12, further comprising:
【請求項14】 前記処理液供給手段が、前記現像部内
で前記基板の被処理面に現像液を吹き付けるための第1
の可動ノズルを含み、 前記ノズル走査手段が、少なくとも前記現像部のエリア
内で前記第1の可動ノズルを前記搬送路に沿って移動さ
せるための第1のノズル走査部を含む請求項12または
13に記載の現像処理装置。
14. A first means for spraying a developing solution onto the surface to be processed of the substrate in the developing section by the processing solution supply means.
14. The nozzle scanning unit includes a first nozzle scanning unit for moving the first movable nozzle along the transport path at least in the area of the developing unit. The development processing apparatus described in 1.
【請求項15】 前記処理液供給手段が、前記現像部内
で前記基板の被処理面に現像液を液盛りするための第2
の可動ノズルを含み、 前記ノズル走査手段が、少なくとも前記現像部のエリア
内で前記第2の可動ノズルを前記搬送路に沿って移動さ
せるための第2のノズル走査部を含む請求項12〜14
のいずれか一項に記載の現像処理装置。
15. A second means for the processing solution supply means to puddle a developing solution on the surface to be processed of the substrate in the developing section.
15. The nozzle scanning means includes a second nozzle scanning unit for moving the second movable nozzle along the transport path at least in the area of the developing unit.
The development processing apparatus according to any one of 1.
【請求項16】 前記処理液供給手段が、前記現像部内
で現像に先立って前記基板の被処理面にプリウエット用
の処理液を吹き付けるための第3の可動ノズルを含み、 前記ノズル走査手段が、少なくとも前記現像部のエリア
内で前記第3の可動ノズルを前記搬送路に沿って移動さ
せるための第3のノズル走査部を含む請求項12〜15
のいずれか一項に記載の現像処理装置。
16. The processing solution supply means includes a third movable nozzle for spraying a processing solution for pre-wetting onto the surface to be processed of the substrate in the developing section prior to the development, and the nozzle scanning means is provided. And a third nozzle scanning unit for moving the third movable nozzle along the transport path at least in the area of the developing unit.
The development processing apparatus according to any one of 1.
【請求項17】 前記処理液供給手段が、前記リンス部
内で前記基板の被処理面にリンス液を吹き付けるための
第4の可動ノズルを含み、 前記ノズル走査手段が、少なくとも前記リンス部のエリ
ア内で前記第4の可動ノズルを前記搬送路に沿って移動
させるための第4のノズル走査部を含む請求項12〜1
6のいずれか一項に記載の現像処理装置。
17. The processing liquid supply means includes a fourth movable nozzle for spraying a rinse liquid onto the surface to be processed of the substrate in the rinse portion, and the nozzle scanning means is at least in the area of the rinse portion. 12. A fourth nozzle scanning unit for moving the fourth movable nozzle along the transport path according to claim 12,
6. The development processing apparatus according to any one of 6.
【請求項18】 前記搬送路上で、前記基板上から処理
液を重力で落すために前記基板を傾斜させる基板傾斜手
段を有する請求項1〜17のいずれか一項に記載の現像
処理装置。
18. The development processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate inclining unit that inclines the substrate to drop the processing liquid by gravity on the transport path.
【請求項19】 前記基板傾斜手段が、前記搬送路の前
方または後方に向けて前記基板を傾斜させる請求項18
に記載の現像処理装置。
19. The substrate tilting means tilts the substrate toward the front or the rear of the transport path.
The development processing apparatus described in 1.
【請求項20】 前記基板傾斜手段が、前記基板上から
現像に用いた現像液を重力で落すために前記基板を傾斜
させる第1の基板傾斜部を含む請求項18または19に
記載の現像処理装置。
20. The development processing according to claim 18, wherein the substrate tilting means includes a first substrate tilting part that tilts the substrate in order to drop the developer used for development from the substrate by gravity. apparatus.
【請求項21】 前記基板傾斜手段が、前記基板上から
プリウエットに用いた処理液を重力で落すために前記基
板を傾斜させる第2の基板傾斜部を含む請求項18〜2
0のいずれか一項に記載の現像処理装置。
21. The substrate inclining means includes a second substrate inclining portion for inclining the substrate in order to drop the processing liquid used for prewetting on the substrate by gravity.
The development processing apparatus according to any one of 0.
【請求項22】 前記搬送路上で水平姿勢の前記基板上
から処理液を除去するために所定の物理力を前記基板の
表面に沿って相対的に水平方向に移動させる処理液除去
手段を有する請求項1〜21のいずれか一項に記載の現
像処理装置。
22. A processing liquid removing unit that moves a predetermined physical force relatively horizontally along the surface of the substrate to remove the processing liquid from the substrate in a horizontal posture on the transfer path. Item 22. The development processing apparatus according to any one of items 1 to 21.
【請求項23】 前記処理液除去手段が、前記搬送路上
を搬送される前記基板上から現像に用いた現像液を払い
落すために第1の位置で前記基板の表面に鋭利な気体流
を当てる気体噴射手段を含む請求項22に記載の現像処
理装置。
23. The processing liquid removing means applies a sharp gas flow to the surface of the substrate at a first position in order to brush off the developing liquid used for development from the substrate transported on the transport path. The development processing apparatus according to claim 22, further comprising a gas injection unit.
【請求項24】 前記処理液除去手段が、前記搬送路上
を搬送される前記基板上から現像停止に用いたリンス液
を払い落すために第2の位置で前記基板の表面に鋭利な
気体流を当てる気体噴射手段を含む請求項22または2
3に記載の現像処理装置。
24. The treatment liquid removing unit applies a sharp gas flow to the surface of the substrate at the second position in order to brush off the rinse liquid used for stopping the development from the substrate transported on the transport path. 23. A gas injection means for applying the gas is included.
The development processing apparatus according to item 3.
【請求項25】 前記第1の集液部が、前記現像部内で
現像に用いた現像液を主に受け集めるための現像液用集
液部を含む請求項13〜24のいずれか一項に記載の現
像処理装置。
25. The developing solution collecting section for collecting mainly the developing solution used for development in the developing section, wherein the first collecting section includes a developing solution collecting section. The described development processing apparatus.
【請求項26】 前記第1の集液部が、前記現像部内で
プリウエットに用いた処理液を主に受け集めるためのプ
リウエット液用集液部を含む請求項13〜25のいずれ
か一項に記載の現像処理装置。
26. The pre-wet liquid collecting part for mainly collecting and collecting the processing liquid used for pre-wetting in the developing part, wherein the first liquid collecting part contains a pre-wet liquid collecting part. The development processing apparatus according to item.
【請求項27】 前記基板搬送体が、回転可能な軸に結
合される少なくとも一対のローラを含む請求項1〜26
のいずれか一項に記載の現像処理装置。
27. The substrate carrier includes at least a pair of rollers coupled to a rotatable shaft.
The development processing apparatus according to any one of 1.
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