JP2003059815A - 基板処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ジョブ管理の複雑化及びロット管理の煩雑化
を招かずに、高効率的に基板を処理することである。 【解決手段】 ロット単位のウエハのうちの少なくとも
一枚のウエハを用いて基板処理装置の動作条件を定める
パイロット処理と、パイロット処理で動作条件が定めら
れた基板処理装置を用いてパイロット処理で用いた基板
以外の基板を処理する本ロット処理と、前記動作条件が
定められた基板処理装置を用いて前記パイロット処理で
用いたウエハを初期状態に再生した再生ウエハを処理す
る再生露光処理とを基板処理装置に与える１つのジョブ
で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示ディスプレイ、プラズマディスプレイ素
子、薄膜磁気ヘッド、撮像装置（ＣＣＤ等）、その他の
マイクロデバイスを製造するための基板処理方法及び装
置に関し、特に、マスクに形成されたパターンの像をウ
エハ、ガラスプレート等の基板上に露光転写する露光装
置と、基板上へのフォトレジスト等の感光剤の塗布処理
及び該露光装置による露光転写後の感光剤の現像処理を
行う塗布現像装置とを備える基板処理装置及び当該基板
処理装置に用いて好適な基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等のマイクロデバイスを製造
する際には、露光対象としての基板（フォトレジストが
塗布された半導体ウエハやガラスプレート等）にフォト
マスク又はレチクルのパターンの像を投影露光する露光
装置が使用される。ここで、露光装置には基板上にフォ
トレジスト等の感光剤を塗布するとともに、露光転写後
の感光剤を現像するコータ・デベロッパと称される塗布
現像装置がインライン化されていることが多い。

【０００３】前記露光装置や塗布現像装置で基板を処理
する場合には、数十枚の基板を単位としたロット単位で
処理するのが一般的である。このロットはユーザが扱う
基板の管理単位である。一方、露光装置に対して命令を
指示する単位をジョブという。例えば、２０枚の基板を
露光装置で露光する場合には、露光装置に対して２０枚
の基板を処理せよという内容の命令が１つのジョブとし
て出力される。通常は１つのジョブで処理する基板の枚
数は１ロットに含まれる基板の枚数と等しいが、露光装
置に処理を行わせる都合上、これらは必ずしも一致しな
ければならないという訳ではない。

【０００４】露光装置を用いてロット単位の基板を処理
する場合には、ロット毎に照明条件等の動作条件を修正
し、動作条件を修正した後はそのロットに含まれる残り
の基板全てに対する処理が終了するまで同一の動作条件
が用いられる。ここで、各ロット毎に行われる上記の動
作条件を修正する処理をパイロット処理ということにす
る。このパイロット処理では、例えばロット先頭の基板
を用いてデバイスパターンを転写する露光処理を行い、
基板に形成されたデバイスパターンの形状を測定し、こ
の測定結果に基づいて露光装置の照明条件等の動作条件
を修正する処理が行われる。パイロット処理が終了した
後は、動作条件が修正された露光装置を用いてそのロッ
ト内の残りの基板に対して順次感光剤を塗布し、デバイ
スパターンを転写し、露光処理後の基板を現像する処理
を行う。この処理を本ロット処理ということにする。な
お、パイロット処理に用いられる基板、例えばロット先
頭の基板をパイロットウエハといい、本ロット処理で処
理される基板を本ロットウエハということにする。

【０００５】図８に示すように、１つのロットを処理す
るときに露光装置に指示するジョブには、露光装置にパ
イロット処理を行わせる命令と、本ロット処理を行わせ
る命令とが含まれる。図８は露光装置に指示する１つの
ジョブにより行われる処理の従来例を示す図である。こ
こで、パイロット処理には塗布現像装置を用いてパイロ
ットウエハにレジスト等の感光剤を塗布するレジスト塗
布処理、露光装置を用いて感光剤が塗布されたパイロッ
トウエハにデバイスパターンを転写する露光処理、塗布
現像装置を用いて転写後のパイロットウエハを現像する
現像処理、現像処理により現像されたデバイスパターン
の形状（例えばパターンの幅、パイロットウエハ上の直
交する２方向におけるパターン幅の差等）を測定する測
定処理、及び測定処理の測定結果に基づいて露光装置の
照明条件等の動作条件を修正する修正処理が含まれる。

【０００６】上述のパイロット処理が終了したパイロッ
トウエハ上には感光剤によるデバイスパターンが形成さ
れているが、パイロットウエハ上の感光剤を除去するこ
とにより本ロット処理で用いられる本ロットウエハと同
様の基板として再度用いることができる。パイロット処
理が行われたパイロットウエハを本ロットウエハと同様
の基板に再生する処理を再生処理といい、再生処理によ
り再生された基板を再生ウエハということにする。

【０００７】１つのジョブを基板処理装置に指示した
後、上述したパイロット処理及び本ロット処理が終了す
るとそのジョブは終了する。よって、基本的に上記の再
生処理は基板処理装置に与えるジョブとは別個に行われ
る。従来、パイロット処理を行ったパイロットウエハは
以下の（１）〜（３）に示すように取り扱われていた。 （１）ロットからパイロットウエハを除外して別ロット
として処理する。 （２）再処理せずに本ロットウエハと同様に取り扱う。 （３）本ロットウエハが処理されるジョブとは異なるジ
ョブで処理する。

【０００８】図９は従来のパイロットウエハの取り扱い
方法を説明するための図であり、（ａ）はパイロットウ
エハを別ロットとして取り扱う場合、（ｂ）は本ロット
ウエハと同様に取り扱う場合、（ｃ）は本ロットウエハ
が処理されるジョブとは異なるジョブで処理する場合を
示している。

【０００９】パイロットウエハを上記（１）の取り扱い
とする場合には、図９（ａ）に示すように、パイロット
ウエハを除外したロット内の本ロットウエハに対して本
ロット処理を行い、本ロット処理の終了後、そのロット
は異なるジョブで行われる次工程に進める。一方、パイ
ロットウエハはロットから除外されて別ロットとして取
り扱われてユーザによる再生処理が行われる。再生処理
が終了した後で、上記の本ロット処理と同様のレジスト
塗布処理、デバイスパターンの露光処理、及び現像処理
が行われる。別ロットとして取り扱われている基板（パ
イロットウエハ）に対する処理が、先行して処理されて
いる本来のロット（パイロットウエハを除外した本ロッ
トウエハのみを含むロット）に追いついた場合には、別
ロットに含まれる基板（パイロットウエハ）を本来のロ
ットに再度編入して１ロットとして以降の工程を進め
る。

【００１０】パイロットウエハを上記（２）の取り扱い
とする場合には、図９（ｂ）に示すように、パイロット
ウエハと本ロットウエハとを常に１つのロットで取り扱
い、且つ１つのジョブ内で同様の処理を行う。この場合
には、パイロット処理に対して再生処理を行って再生ウ
エハとする処理及び再生ウエハに感光剤を塗布してデバ
イスパターンを露光する処理は行われない。

【００１１】パイロットウエハを上記（３）の取り扱い
とする場合には、図９（ｃ）に示すように、本ロット処
理が終了した時点でロットの工程進行を一旦中断してロ
ット内のパイロットウエハに対して再生処理を行って再
生ウエハとし、この再生ウエハに対して別ジョブで本ロ
ット処理と同様のレジスト塗布処理、デバイスパターン
の露光処理及び現像処理を行う。この処理が終了する
と、処理を終えた再生ウエハを同一ロット内の本ロット
ウエハに編入して次の工程に進める。

【００１２】パイロットウエハを上記（１）又は（３）
の取り扱いとする場合には、パイロットウエハに対する
再生処理はユーザの手作業により行われる。また、通常
はユーザの手作業によるウエハの汚染を防止するため及
びウエハの取り扱いを容易にするために、ウエハはウエ
ハキャリア内に格納された状態で取り扱われる。基板処
理装置で処理するときには、このウエハキャリアを基板
処理装置に装着する必要があるが、基板処理装置へのキ
ャリアの装着もユーザの手作業により行われる。さら
に、再生処理及び露光処理等の処理を行ったウエハ（再
生ウエハ）を本ロットウエハに編入する作業もユーザの
手作業により行われる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、パイロット
ウエハを上述した（１）のようにロットから除外して別
ロットとして処理する場合には、ロットの管理が煩雑に
なるという問題がある。上述した例では１つのロットに
着目して説明したが、通常は数十〜数百のロットが連続
して処理されるため、パイロットウエハを別ロットとす
ると、管理すべきロットが倍増するため、その管理が極
めて煩雑となり好ましくない。

【００１４】また、パイロットウエハを上述した（２）
のように本ロットウエハと同様に取り扱う場合には、異
なる動作条件で処理されたパイロットウエハと本ロット
ウエハとが同一ロット内に混在することになる。従っ
て、後の工程において、ある基板に対して最適化された
処理条件で同一ロット内の他の基板を処理するとき（例
えば、既に基板上に形成されているパターンに異なるパ
ターンを重ね合わせるとき等）に不具合を生ずる可能性
がある。

【００１５】さらに、パイロットウエハを上述した
（３）のように、本ロットウエハが処理されるジョブと
は異なるジョブで処理する場合には、ロット内の本ロッ
トウエハに対する本ロット処理が終了した時点でロット
の工程進行を一旦中断してパイロットウエハに対する再
生処理を行う必要があるため、パイロットウエハの再生
処理及び再生ウエハに対するデバイスパターンの露光処
理が終了するまでロットの工程進行を行うことができな
い。また、上述したように通常は数十〜数百のロットが
連続して処理されるため、パイロットウエハの再生処理
等の処理を終了しなければ後続のロットに対する処理も
行うことができず、作業効率が悪いという問題がある。

【００１６】一般に、基板処理装置をオンライン接続さ
れたホストコンピュータで制御する場合には、予めスケ
ジューリングされたジョブを順次ホストコンピュータか
ら基板処理装置へ出力することにより制御する。基板処
理装置にはホストコンピュータから順次出力されるジョ
ブを記憶する待ち行列が設けられており、基板処理装置
は、この待ち行列に記憶された順にジョブを読み出して
そのジョブを実行する。

【００１７】上記（３）のように、パイロット処理及び
本ロット処理と、再生処理及び再生ウエハに対する露光
処理等の処理とを異なるジョブで行う場合、再生処理及
び再生ウエハに対する露光処理等の処理は必ず行われる
ジョブであるというわけではない。例えば、パイロット
処理の結果、基板処理装置の処理条件を修正する必要が
ない場合には、パイロット処理時の処理条件で本ロット
処理を行い、さらに再生処理を省略することで作業効率
を向上させ得る。再生処理及び再生ウエハに対する露光
処理等の処理を行うか否かはパイロット処理終了時に確
定するため、この処理を行わせるジョブを予めスケジュ
ーリングすることができない。仮に、再生処理及び再生
ウエハに対する露光処理等の処理を行わせる場合には、
このジョブを待ち行列に記憶されているジョブに割り込
ませる必要があり、ホストコンピュータの処理が複雑に
なるために好ましくない。

【００１８】同一のジョブ内における処理は、後続する
ウエハの実行可能な処理を並行して実行させることで処
理効率を向上させることができる。しかしながら、上記
（３）のように本ロットウエハに対する処理と再生処理
した再生ウエハに対する処理とを別のジョブで行う場合
には、かかる並行処理を行わせることができないため、
処理効率を改善することはできない。さらに、上記
（１）、（３）の場合には、再生処理をユーザの手作業
により行っているため、基板の汚染及び省力化の観点か
らは好ましくない。

【００１９】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、ジョブ管理の複雑化及びロッ
ト管理の煩雑化を招かずに、高効率的に基板を処理でき
るようにすることを目的としている。

【００２０】また、異なる処理条件で処理された基板が
同一ロットに混在することを防止できるとともに、ユー
ザの手作業を極力排除することで基板の汚染を極力防止
することも目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す例で
は、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施形
態の図に示す代表的な参照符号を付して説明するが、本
発明の構成又は各構成要件は、これら参照符号によって
拘束されるものに限定されない。

【００２２】本発明の第１の観点によると、与えられる
単位指示命令に応じた動作を行う基板処理装置を用いて
ロット単位の基板を処理する基板処理方法であって、前
記ロット単位の基板のうちの少なくとも一枚の基板を用
いて前記基板処理装置の動作条件を定める予備処理工程
（Ｓ１０）と、前記予備処理工程で用いた基板以外の基
板を、前記動作条件が定められた基板処理装置で処理す
る本処理工程（Ｓ１６）と、前記予備処理工程で処理し
た基板を初期状態に再生した再生基板を、前記動作条件
が定められた基板処理装置で処理する再生基板処理工程
（Ｓ１９）とを与えられる１つの単位指示命令に基づい
て行うようにした基板処理方法が提供される。

【００２３】ロット単位の基板を処理する際に、基板処
理装置に１つの単位指示命令を与えれば、ロット中の基
板のうちの１枚（又は複数枚）の基板を用いて基板処理
装置の動作条件を定める予備処理工程と、該動作条件が
定められた基板処理装置で予備処理工程で用いた基板以
外の基板を処理する本処理工程と、動作条件が定められ
た基板処理装置で予備処理工程で用いた基板を初期状態
に再生した再生基板を処理する再生基板処理工程とが行
われる。従って、従来のように異なる単位指示命令によ
り基板を再生処理することがないため、単位指示命令の
管理が極めて容易となる。

【００２４】また、予備処理工程、本処理工程及び再生
基板処理工程を１つの単位指示命令に基づいて行わせる
ことにより、これらの処理の一部を並行して行わせるこ
とも可能であり、処理の効率化を図ることができる。さ
らに、従来のように予備処理工程で用いた基板を別ロッ
トとして扱わずに同一のロットとして扱っているため、
ロットの管理が複雑化することはない。

【００２５】上述した本発明の基板処理方法において、
前記基板処理装置による処理が行われていない未処理の
基板を格納する未処理基板格納棚の格納順で、前記本処
理工程で処理された基板と、前記予備処理工程及び再生
基板処理工程で処理された基板とを、前記基板処理装置
による処理済みの基板を格納する処理後基板格納棚に格
納する格納工程をさらに備えることができる。

【００２６】上述した本発明に係る基板処理方法におい
て、前記基板処理装置による処理が行われていない未処
理の基板を格納する未処理基板格納棚の所定の棚に格納
されている基板を、前記予備処理工程で用いる基板とし
て選択する選択工程（Ｓ３０）と、前記予備処理工程で
処理された基板を初期状態に再生した再生基板を前記所
定の棚に再格納する再格納工程とをさらに備えることが
できる。

【００２７】上述した本発明に係る基板処理方法におい
て、前記本処理工程と並行して、前記予備処理工程で用
いた基板を前記初期状態に再生する再生工程をさらに備
えることができる。

【００２８】上述した本発明に係る基板処理方法におい
て、前記本処理工程が終了する前に前記再生工程が終了
したか否かを判断する判断工程（Ｓ２１）と、前記判断
工程において前記本処理工程の終了前に前記再生工程が
終了していると判断したときに、前記処理工程と並行し
て前記再生基板に対して実行可能な処理を行う準備処理
工程（Ｓ２２）とをさらに備えることができる。

【００２９】上述した本発明に係る基板処理方法におい
て、前記予備処理工程は、前記基板の表面に感光剤を塗
布する塗布工程と、前記感光剤を塗布した基板に所定の
パターンを転写する転写工程と、前記転写工程を経た基
板を現像する現像工程と、前記基板に形成されたパター
ンを測定する測定工程とを含むことができる。

【００３０】上述した本発明に係る基板処理方法におい
て、前記再生工程は、前記基板上に残存する感光剤を露
光する露光工程と、前記基板上の感光剤の露光された部
分を除去する除去工程とを含むことができる。

【００３１】本発明の第２の観点によると、ロット単位
の基板（Ｗ）を処理する基板処理装置であって、前記ロ
ット単位の基板（Ｗ）のうちの少なくとも一枚の基板を
試験基板として用いて前記基板処理装置の動作条件を定
める指示を与える第１命令と、前記試験基板以外の基板
を前記動作条件が定められた基板処理装置で処理する指
示を与える第２命令と、前記試験基板を初期状態に再生
した再生基板を前記動作条件が定められた基板処理装置
で処理する指示を与える第３命令とを含む１つの単位指
示命令を出力する制御装置（２７）を備えた基板処理装
置が提供される。

【００３２】上述した本発明に係る基板処理装置におい
て、前記基板処理装置による処理が行われていない未処
理の基板を格納する未処理基板格納棚（５３）と、前記
基板処理装置による処理済みの基板を格納する処理後基
板格納棚（６１）と、前記未処理基板格納棚（５３）の
格納順で、前記基板処理装置による処理が行われた再生
基板及び試験基板以外の基板を前記処理後基板格納棚
（６１）に格納する格納装置（６２）とをさらに備える
ことができる。

【００３３】上述した本発明に係る基板処理装置におい
て、前記基板処理装置による処理が行われていない未処
理の基板を格納する未処理基板格納棚（５３）と、前記
未処理基板格納棚（５３）の所定の棚に格納されている
基板を前記試験基板として選択するとともに、前記再生
基板を前記所定の棚に再格納する再格納装置（６２）と
をさらに備えることができる。

【００３４】上述した本発明に係る基板処理装置におい
て、パターンが形成されたマスクを照明し、該マスクを
介した光で前記基板を露光する露光装置（５０）を備え
ることができる。この場合において、前記基板の表面に
感光剤を塗布する塗布処理を行う塗布装置（５４）と、
前記露光装置で露光された基板を現像処理する現像装置
（５９）と、前記現像装置による現像処理を経て前記基
板に形成されたパターンを測定する測定装置（６０）
と、前記塗布装置、前記露光装置、前記現像装置及び前
記測定装置間で前記基板を受け渡す搬送装置（４３，４
４、５２）とをさらに備えることができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態に係る基板処理装置について詳細に説明する。図
１は本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を
示す上面図である。図１において、露光装置５０を囲む
チャンバにインライン方式で接するように、コータ・デ
ベロッパ部５１が設置され、露光装置５０及びコータ・
デペロッパ部５１の全体の動作を統轄的に管理・制御す
るための制御装置としてのホストコンピュータ２７が設
置されている。

【００３６】コータ・デペロッパ部５１において、中央
部を横切るようにウエハを搬送する搬送ライン５２が配
置され、搬送ライン５２の一端に未露光の多数のウエハ
を収納する未処理基板格納棚としてのウエハキャリア５
３と、露光処理及び現像処理を終えた多数のウエハを収
納する処理後基板格納棚としてのウエハキャリア６１と
が載置され、搬送ライン５２の他端が露光装置５０のチ
ャンバの側面のシャッタ付きの搬送口（不図示）の直前
に設置されている。

【００３７】また、コータ・デベロッパ部５１におい
て、搬送ライン５２の一方の側面に沿ってウエハキャリ
ア５３から露光装置５０に向けて、ウエハに感光剤とし
てのフォトレジストを塗布するレジストコータ５４、そ
のウエハ上のフォトレジストをプリベークするためのホ
ットプレートからなるプリベーク装置５５、及びプリベ
ークされたウエハを冷却するためのクーリング装置５６
が設置されている。クーリング装置５６としては、ウエ
ハが載置されるベース部材の内部に冷媒（例えば冷却
水）が流れるパイプ及び温度センサを設置した装置、又
はそのベース材にペルチェ素子等の吸熱素子を埋め込ん
だ装置等が使用できる。なお、以下ではレジストコータ
５４、プリベーク装置５５及びクーリング装置５６から
なる装置を総称する場合には、「コータ部７０」とい
う。

【００３８】搬送ライン５２の他方の側面に沿って露光
装置５０からウエハキャリア６１に向けて、露光処理後
のウエハ上のフォトレジストをベーキングする、即ちい
わゆるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋ
ｅ）を行うためのポストベーク装置５７、ＰＥＢが行わ
れたウエハを冷却するためのクーリング装置５８、及び
ウエハ上のフォトレジストの現像を行うための現像装置
５９、さらには現像装置５９で現像されたウエハに形成
されたフォトレジストのパターン（レジストパターン）
の形状を測定する測定装置６０がインライン設置されて
いる。なお、以下ではポストベーク装置５７、クーリン
グ装置５８及び現像装置５９からなる装置を総称する場
合には「デベロッパ部８０」という。

【００３９】測定装置６０は、ウエハ上に形成されてい
るレジストパターンの形状（例えばパターンの幅、パイ
ロットウエハ上の直交する２方向におけるパターン幅の
差等）を測定する。この測定装置６０、コータ部７０、
デベロッパ部８０、露光装置５０及びホストコンピュー
タ２７は相互に有線又は無線により接続されており、各
々の処理開始又は処理終了を示す信号、その他の信号が
送受信される。測定装置６０の測定結果は露光装置５０
へ送信され、露光装置５０の照明条件等の動作条件を修
正するために用いられる。

【００４０】図２はウエハキャリア５３及びウエハキャ
リア６１の概略構成を示す斜視図である。ウエハキャリ
ア５３，６１は、ロット単位の基板の管理を容易とする
ために、ロット単位の複数枚のウエハを収納可能に構成
されている。図２に示すようにウエハキャリア５３に
は、ウエハを収納する複数の格納棚（スロット）ａ１〜
ａｎ（ｎは自然数）が設けられており、ウエハキャリア
６１には複数の格納棚Ａ１〜Ａｎが設けられている。な
お、ウエハキャリア５３に設けられる格納棚の数とウエ
ハキャリア６１に設けられる格納棚の数とは必ずしも一
致させる必要はない。各格納棚ａ１〜ａｎ及び各格納棚
Ａ１〜Ａｎにはそれぞれ１枚のウエハが収納される。

【００４１】ウエハキャリア５３及びウエハキャリア６
１は、図１中紙面に垂直な方向に移動可能なテーブル上
に載置され、該テーブルの昇降は棚位置制御装置６２に
より制御され、未処理のウエハを取り出す格納棚ａ１〜
ａｎの位置又は処理後のウエハを格納する格納棚Ａ１〜
Ａｎの位置が所定の受け渡し位置に設定されるようにな
っている。ウエハキャリア５３の格納棚ａ１〜ａｎの何
れかから取り出され、露光処理等の処理が終了したウエ
ハはウエハキャリア６１の格納棚Ａ１〜Ａｎの内の任意
の格納棚に収納することが可能である。しかし、この実
施形態では、棚位置制御装置６２による制御処理の簡易
化等のため、格納棚ａ１に格納されたウエハから格納棚
ａｎに格納されたウエハまでを順に取り出し、露光処理
等の処理を施したウエハはウエハキャリア６１の格納棚
Ａ１から格納棚Ａｎまで順に格納されるようになって
る。なお、棚位置制御装置６２は本発明にいう格納装置
及び再格納装置に相当する。棚位置制御装置６２及び搬
送ライン５２によるウエハの搬送は露光装置５０が統括
して制御する。なお、ウエハキャリア５３，６１は密閉
型でもよい。

【００４２】図１に戻り、本実施形態の露光装置５０に
おいて、露光対像としてのウエハＷは、ウエハホルダ３
８を介してウエハステージ３９上に保持され、ウエハス
テージ３９がウエハベース４０（図３参照）上を２次元
的に移動する。そして、搬送ライン５２の中心軸の延長
線にほぼ沿うように第１ガイド部材４２が配置され、こ
の第１ガイド部材４２に沿って不図示のリニアモータに
よって駆動されるスライダ４３が配置され、スライダ４
３に回転及び上下動自在にウエハを保持する第１アーム
４４が設置されている。

【００４３】また、第１ガイド部材４２の端部の上方に
直交するように、第２ガイド部材４６が配置され、第２
ガイド部材４６に沿って不図示のリニアモータによって
駆動されるウエハ保持用の第２アーム４７が配置されて
いる。第２ガイド部材４６は、ウエハステージ３９のウ
エハのローディング位置まで延びており、第２アーム４
７には、第２ガイド部材４６に直交する方向にスライド
する機構も備えられている。

【００４４】第１ガイド部材４２と第２ガイド部材４６
とが交差する位置の近傍には、ウエハのプリアライメン
トを行うために回転及び上下動ができる受け渡しピン４
５が設置されている。この受け渡しピン４５の周囲に
は、ウエハの外周部の切り欠き部（ノッチ部）及び２箇
所のエッジ部の位置を検出するための位置検出装置（不
図示）が設置されている。第１ガイド部材４２、スライ
ダ４３、第１アーム４４、受け渡しピン４５、第２ガイ
ド部材４６、及び第２アーム４７等からウエハローダ系
が構成されている。

【００４５】通常のリソグラフィ工程における図１の基
板処理装置の基本的な動作を説明すると以下の通りであ
る。ウエハに対する処理を開始するにあたり、ホストコ
ンピュータ２７から露光装置５０に単位指示命令として
のジョブが出力される。このジョブには、例えば「２５
枚からなるロット内の基板を処理せよ」といった内容の
命令が含まれており、露光装置５０はこのジョブに含ま
れる命令に基づいてウエハに対する処理を開始する。ま
た、図示は省略しているが、露光装置５０にはホストコ
ンピュータ２７から露光装置５０及びコータ・デベロッ
パ部５１へ出力されるジョブを記憶する待ち行列が設け
られており、露光装置５０はこの待ち行列に記憶されて
いるジョブを順に読み出して各種の処理を行う。なお、
ジョブの内容についての詳細は後述する。

【００４６】ホストコンピュータ２７から出力された指
令に基づいて、ウエハキャリア５３から取り出された１
枚のウエハは、搬送ライン５２を経てレジストコータ５
４に搬送されてフォトレジストが塗布される。そのフォ
トレジストが塗布されたウエハは、搬送ライン５２に沿
って順次プリベーク装置５５及びクーリング装置５６を
経て露光装置５０の第１アーム４４に受け渡される。そ
の後、スライダ４３が第１ガイド部材４２に沿って受け
渡しピン４５の近傍に達すると、第１アーム４４が回転
して、フォトレジストが塗布されたウエハが第１アーム
４４から受け渡しピン４５上の位置Ａに受け渡されて、
ここでウエハの外形基準で中心位置及び回転角の調整
（プリアライメント）が行われる。その後、ウエハは第
２アーム４７に受け渡されて第２ガイド部材４６に沿っ
てウエハのローディング位置まで搬送され、そこでウエ
ハステージ３９上のウエハホルダ３８にロードされる。
そして、そのウエハ（ウエハＷとする）上の各ショット
領域に対して、所定のパターンが形成されたレチクル
（マスク）を介して露光が行われる。

【００４７】露光が終わったウエハＷは、ガイド部材４
６，４２に沿ってコータ・デベロッパ部５１の搬送ライ
ン５２まで搬送された後、搬送ライン５２に沿って順次
ポストベーク装置５７及びクーリング装置５８を通って
現像装置５９に送られる。現像装置５９により現像処理
が行われることにより、ウエハＷの各ショット領域にレ
チクルのパターンに対応した凹凸のレジストパターンが
形成される。このように現像が行われたウエハＷは、搬
送ライン５２に沿ってウエハキャリア６１に収納され
る。このリソグラフィ工程の終了後に、例えば１ロット
のウエハが収納されたウエハキャリア６１は、エッチン
グ又はイオン注入等のパターン形成工程及びレジスト剥
離工程等を実行する次の製造ラインに搬送される。

【００４８】以上が、例えば複数枚のウエハを単位とし
た露光処理を行うときの基板処理装置の基本的な動作で
ある。通常、１つのロットの処理を開始する場合には、
ロット先頭のウエハをパイロットウエハ（試験基板）と
して用いてパイロット処理が行われる。このパイロット
処理では、露光装置５０でデバイスパターンが転写さ
れ、現像装置５９で現像されたウエハに形成されている
レジストパターンの形状を測定して、露光装置５０の照
明条件等の動作条件を修正する処理が行われる。従っ
て、パイロット処理の場合には、現像装置５９にて現像
処理を終えたウエハを測定装置６０に送り、ウエハに形
成されているレジストパターンの形状（例えば、パター
ンの幅、パイロットウエハ上の直交する２方向における
パターン幅の差等）が測定される。測定装置６０の測定
結果は露光装置５０へ出力され、この測定結果から修正
すべき動作条件を求めて、動作条件を修正する。

【００４９】なお、ウエハＷ上に設計データの許容範囲
内で回路パターンを形成するためには、図１の基板処理
装置を用いてウエハＷ上の各ショット領域にそれぞれ高
解像度、且つ高い転写忠実度でレジストパターンを形成
する必要がある。そのためには、まずレジストコータ５
４でウエハの仝面にできるだけ均一で、且つ目標とする
厚さでフォトレジストを塗布する必要がある。次に、露
光装置５０によって、目標とする露光量で、できるだけ
高い解像度で、できるだけ歪（ディストーション及び倍
率誤差等）を小さくして、且つ重ね合わせ露光時にはで
きるだけ高い重ね合わせ精度でウエハ上にレチクルのパ
ターンの像を露光転写する必要がある。さらに、現像装
置５９によって、ウエハの全面のフォトレジストをでき
るだけ均一に、目標とする条件で現像する必要がある。
即ち、レジストコータ５４の特性（ここでは塗布む
ら）、露光装置５０の特性（ここでは結像特性、重ね合
わせ精度）、及び現像装置５９の特性（ここでは現像む
ら）をそれぞれ所定の許容範囲内に収めて処理を行う必
要がある。そのために、本実施形態の基板処理装置に
は、レジストコータ５４、露光装置５０及び現像装置５
９の所定の特性を、それぞれ他の装置の特性とは独立に
評価するための機構が組み込まれていることが望まし
い。

【００５０】次に、本発明の実施形態に係る基板処理装
置が備える露光装置の詳細について説明する。図３は本
発明の実施形態に係る基板処理装置が備える露光装置の
構成を示す図である。本実施形態においてはステップ・
アンド・スキャン方式の露光装置を用いた場合を例に挙
げて説明する。なお、以下の説明においては、図３中に
示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標
系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。Ｘ
ＹＺ直交座標系は、Ｙ軸及びＺ軸が紙面に対して平行と
なるよう設定され、Ｘ軸が紙面に対して垂直となる方向
に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸ
Ｙ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方
向に設定される。Ｙ軸に沿う方向がスキャン（走査）方
向である。

【００５１】図３において、露光光源１としては断面が
略長方形状の平行光束である露光光ＩＬを射出するＡｒ
Ｆエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が用いられ
る。この露光光源１としては、これ以外に、例えばｇ線
（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出す
る超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長
２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（波長１５７ｎｍ）、ＹＡＧ
レーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周
波発生装置等を用いることができる。

【００５２】露光光源１からの波長１９３ｎｍの紫外パ
ルスよりなる露光光ＩＬ（露光ビーム）は、ビームマッ
チングユニット（ＢＭＵ）２を通り、光アッテネータと
しての可変減光器３に入射する。ウエハ上のフォトレジ
ストに対する露光量を制御するための露光制御ユニット
２１が、露光光源１の発光の開始及び停止、並びに出力
（発振周波数、パルスエネルギー）を制御するととも
に、可変減光器３における減光率を段階的又は連続的に
調整する。

【００５３】可変減光器３を通った照明光ＩＬは、所定
の光軸に沿って配置される第１レンズ系４ａ及び第２レ
ンズ系４ｂからなるビーム整形光学系５を経て、第１段
のオプティカル・インテグレータとしての第１フライア
イレンズ６に入射する。この第１フライアイレンズ６か
ら射出された照明光ＩＬは、第１レンズ系７、光路折り
曲げ用のミラー８、及び第２レンズ系７ｂを介して第２
段のオプティカル・インテグレータとしての第２フライ
アイレンズ９に入射する。なお、オプチカル・インテグ
レータとしては、第１及び第２フライアイレンズ６，９
に限られず、例えば、内面反射型インテグレータ（ロッ
ドインテグレータなど）又は回折光学素子等を用いても
よい。フライアイレンズ６，９は、この実施形態では、
照度分布均一性を高めるために直列に２段配置したが、
１段であってもよい。

【００５４】第２フライアイレンズ９の射出面、即ち露
光対象のレチクルＲのパターン面に対する光学的なフー
リエ変換面（照明系の瞳面）には開口絞り板１０が、駆
動モータ１０ｅによって回転自在に配置されている。開
口絞り板１０には、通常照明用の円形の開口絞り１０
ａ、輪帯照明用の開口絞り１０ｂ、及び複数（例えば４
極）の偏心した小開口よりなる変形照明用の開口絞り
（不図示）や小さいコヒーレンスファクタ（σ値）用の
小円形の開口絞り（不図示）等が切り換え自在に配置さ
れている。露光装置５０の全体の動作を統括制御する主
制御系２２が駆動モータ１０ｅを制御して開口絞り板１
０を回転して、照明条件を設定する。なお、開口絞り板
１０の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、例えば
照明光学系内に交換して配置される複数の回折光学素
子、照明光学系の光軸に沿って可動なプリズム（円錐プ
リズム、多面体プリズムなど）、及びズーム光学系の少
なくとも１つを含む光学ユニットを、光源１とオプティ
カルインテグレータ（６又は９）との間に配置し、その
オプティカルインテグレータがフライアイレンズである
ときはその入射面上での照明光の強度分布、そのオプテ
ィカルインテグレータが内面反射型インテグレータであ
るときはその入射面に対する照明光の入射角度範囲を可
変とすることで、照明光学系の瞳面上での照明光の光量
分布（２次光源の大きさや形状）、即ち照明条件の変更
に伴う光量損失を抑えることが望ましい。

【００５５】図３において、第２フライアイレンズ９か
ら射出されて通常照明用の開口絞り１０ａを通過した露
光光ＩＬは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッ
タ１１に入射する。ビームスプリッタ１１で反射された
露光光は、集光用のレンズ１９を介して光電検出器より
なるインテグレータセンサ２０に入射し、インテグレー
タセンサ２０の検出信号は露光制御ユニット２１に供始
される。インテグレータ２０の検出信号とウエハＷ上で
の露光光ＩＬの照度との関係は予め高精度に計測され
て、露光制御ユニット２１内のメモリに記憶されてい
る。露光制御ユニット２１は、インテグレータセンサ２
０の検出信号より間接的にウエハＷに対する露光光ＩＬ
の照度（平均値）、及びその積分値をモニタできるよう
になっている。

【００５６】ビームスプリッタ１１を透過した露光光Ｉ
Ｌは、光軸ＩＡＸに沿ってレンズ系１２，１３を順次経
て、固定ブラインド（固定照明視野絞り）１４ａ及び可
動ブラインド（可動照明視野絞り）１４ｂに入射する。
後者の可動ブラインド１４ｂはレチクル面に対する共役
面に設置され、前者の固定ブラインド１４ａはその共役
面から所定量だけデフォーカスした面に配置されてい
る。固定ブラインド１４ａは、例えば特開平４−１９６
５１３号公報に開示されているように、投影光学系ＰＬ
の円形視野内の中央で走査露光方向と直交した方向に直
線スリット状、又は矩形状（以下、まとめて「スリット
状」という）に伸びるように配置された開口部を有す
る。

【００５７】本実施形態の可変視野絞りに対応する可動
ブラインド１４ｂは、ウエハＷ上の各ショット領域への
走査露光の開始時及び終了時に不要な露光を防止するた
めに、照明視野領域の走査方向の幅を可変とするために
使用される。また、可動ブラインド１４ｂは、走査方向
と直交した方向（非走査方向）に関してレチクルＲのパ
ターン領域のサイズ、又は後述のように評価対象に応じ
てその幅を可変とするために使用される。可動ブライン
ド１４ｂの開口率の情報は露光制御ユニット２１にも供
給される。

【００５８】通常の露光時に固定ブラインド１４ａを通
過した露光光ＩＬは、光路折り曲げ用のミラー１５、結
像用のレンズ系１６、コンデンサレンズ１７、及び主コ
ンデンサレンズ系１８を介して、レチクルＲのパターン
面（下面）の照明領域（照明視野領域）３５を照明す
る。露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域３５内
の回路パターンの像が両側テレセントリックな投影光学
系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４又
は１／５等）で、投影光学系ＰＬの結像面に配置された
ウエハＷ上のフォトレジスト層のスリット状の露光領域
に転写される。

【００５９】図３において、レチクルＲはレチクルステ
ージ３１上に吸着保持され、レチクルステージ３１はＹ
方向に等速移動できるとともに、Ｘ方向、Ｙ方向、及び
回転方向に微動できるようにレチクルベース３２上に載
置されている。レチクルステージ３１（レチクルＲ）の
２次元的な位置及び回転角は駆動制御ユニット３４内の
レーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。
この計測結果及び主制御系２２からの制御情報に基づい
て、駆動制御ユニット３４内の駆動モータ（リニアモー
タ、ボイスコイルモータ等）は、レチクルステージ３１
の走査速度及び位置の制御を行う。駆動制御ユニット３
４は、さらに主制御系２２からの制御情報に基づいて、
可動ブラインド１４ｂの開口の大きさの設定又は走査方
向への開閉を行う。また、レチクルステージ３１のレチ
クルＲの近傍にガラス基板よりなる評価マーク板３３が
固定されている。

【００６０】一方ウエハＷは、ウエハホルダ３８を介し
てウエハステージ３９上に吸着保持され、ウエハステー
ジ３９はウエハベース４０上で投影光学系ＰＬの像面と
平行なＸＹ平面に沿って２次元移動する。即ち、ウエハ
ステージ３９はウエハベース４０上でＹ方向に一定速度
で移動するとともに、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動
する。さらに、ウエハステージ３９には、ウエハＷのＺ
方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸の
回りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も組み込まれ
ている。また、投影光学系ＰＬの側面に、ウエハＷの表
面（被検面）の複数の計測点に斜めにスリット像を投影
する投射光学系２５ａと、その被検面からの反射光を受
光してそれらの複数の計測点のフォーカス位置に対応す
るフォ−カス信号を生成する受光光学系２５ｂとからな
る多点のオートフォーカスセンサ２５ａ，２５ｂも設け
られており、それらのフォーカス信号が主制御系２２中
の合焦制御部に供給されている。

【００６１】走査露光時には、主制御系２２中の合焦制
御部は、それらのフォーカス信号（フォーカス位置）の
情報に基づいてオートフォーカス方式でウエハステージ
３９中のＺレベリング機構を連続的に駆動する。これに
よって、ウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に合焦
される。ウエハステージ３９のＸ方向、Ｙ方向の位置、
及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角は駆動制御ユニッ
ト４１内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測さ
れている。この計測結果及び主制御系２２からの制御情
報に基づいて、駆動制御ユニット４１内の駆動モータ
（リニアモータ等）は、ウエハステージ３９の走査速度
及び位置の制御を行う。

【００６２】ところで、走査露光を行う際には、予めレ
チクルＲとウエハＷとのアライメントを行っておく必要
がある。そのため、レチクルステージ３１上にはレチク
ルＲのアライメントマーク（レチクルマーク）の位置を
計測するレチクルアライメント顕微鏡（不図示）が設置
されている。ウエハＷ上のアライメントマーク（ウエハ
マーク）の位置を計測するために、投影光学系ＰＬの側
面にオフ・アクシス方式でＦＩＡ（Ｆｌｅｌｄ Ｉｍａ
ｇｅ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式のアライメントセンサ
２３が設置されている。アライメントセンサ２３は、例
えばハロゲンランプ等からの比較的広い波長域の照明光
で被検マークを照射して、その被検マークの像を指標マ
ークとともに撮像し、得られた画像信号を処理して、そ
の指標マークに対する被検マークのＸ方向、Ｙ方向への
位置ズレ量を求めるとともに、その被検マークを構成す
る個々のマークの線幅を求め、得られた計測値を主制御
系２２に供給する。

【００６３】また、ウエハマ−クの位置計側を別の方式
でも行うことができるように、投影光学系ＰＬの側面に
オフ・アクシス方式のアライメントセンサ２４が備えら
れている。このアライメントセンサ２４は、回折格子状
の被検マ−クに周波数の僅かに異なる２つの光束（又は
一つの光束の場合もある）を照射して、その被検マ一ク
から発生する複数の回折光よりなる干渉光を検出するＬ
ＩＡ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式のセンサ（以下、「ＬＩＡセ
ンサ」と言う。）と、ドット列状の被検マークとスリッ
ト状に照射されるレ−ザビームとを相対走査して、その
被検マークから発生する回折光を検出するレーザ・ステ
ップ・アライメント方式のセンサ（以下「ＬＳＡセン
サ」と言う。）とから構成されている。ＬＩＡセンサに
ついては、例えば特開平２−２２７６０２号公報（特許
第２８１４５２０号）でより詳細な構成が開示されてお
り、ＬＳＡセンサについては、例えば特開昭６０−１３
０７４２公報（特公平６−１６４７８公報）でより詳細
な構成が開示されている。

【００６４】ＬＩＡセンサの干渉光の光電変換信号（検
出信号）、及びＬＳＡセンサの回折光の光電変換信号
（検出信号）はそれぞれ主制御系２２中のアライメント
信号処理部に供給されている。アライメント信号処理部
では、アライメント時に、ＬＩＡセンサ又はＬＳＡセン
サの検出信号と、ウエハステージ３９の座標の計測値と
を用いて被検マークの座標を検出する。

【００６５】アライメントセンサ２３又は２４を用いて
ウエハＷのアライメントが行われた後に走査露光が行わ
れる。即ち、主制御系２２は、レチクルステージ３１及
びウエハステージ３９のそれぞれの移動位置、移動速
度、移動加速度、位置オフセット等の各種情報を駆動制
御ユニット３４及び４１に送る。これに応じて、レチク
ルステージ３１を介して露光光ＩＬの照明領域３５に対
してレチクルＲが＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度Ｖｒ
で走査されるのに同期して、ウエハステージ３９を介し
てレチクルＲのパターン像の露光領域に対してウエハＷ
が−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度β・Ｖｒ（βはレチ
クルＲからウエハＷへの投影倍率）で走査される。この
際の走査露光の開始時及び終了時に不要な部分への露光
を防止するために、駆動制御ユニット３４によって可動
ブラインド１４ｂの開閉動作が制御される。レチクルＲ
とウエハＷとの移動方向が逆であるのは、本例の投影光
学系ＰＬが反転投影を行うためである。

【００６６】さらに主制御系２２は、ウエハＷ上の各シ
ョット領域のフォトレジストを適正露光量で走査露光す
るための各種露光条件を露光データファイルより読み出
して、露光制御ユニット２１とも連携して最適な露光シ
ーケンスを実行する。即ち、ウエハＷ上の１つのショッ
ト領域への走査露光開始の指令が主制御系２２から露光
制御ユニット２１に発せられると、露光制御ユニット２
１は露光光源１の発光を開始するとともに、インテグレ
ータセンサ２０を介してウエハＷに対する露光光ＩＬの
照度（単位時間当たりのパルスエネルギーの和）の積分
値を算出する。その積分値は走査露光開始時に０にリセ
ットされている。そして、露光制御ユニット２１では、
その照度の積分値を逐次算出し、この結果に応じて、走
査露光後のウエハＷ上のフォトレジストの各点で適正露
光量が得られるように、露光光源１の出力（発振周波
数、パルスエネルギー）及び可変減光器３の減光率を制
御する。そして、当該ショット領域への走査露光の終了
時に、露光光源１の発光が停止される。

【００６７】露光装置５０が備える主制御系２２には前
述した待ち行列が設けられており、記憶されているジョ
ブを順次読み出して処理を行う。図３においては図示を
省略しているが、主制御系２２は図１に示したコータ部
７０及びデベロッパ部８０から送信される信号に基づい
て、図２に示した棚位置制御装置６２へ制御信号を出力
してウエハキャリア５３の格納棚ａ１〜ａｎ及びウエハ
キャリア６１の格納棚Ａ１〜Ａｎの位置を制御するとと
もに、搬送ライン５２を介したウエハの搬送を統括して
制御する。さらに、測定装置６０から送信されてくる測
定結果に基づいて照明条件等の動作条件を修正する。露
光装置５０には、ユーザに対して装置の現在の処理状況
を表示するとともに、ユーザからの指示を受け付けるた
めのタッチセンサ付きモニタが設けられている。

【００６８】次に、ホストコンピュータ２７から出力さ
れるジョブの内容について説明する。図４はホストコン
ピュータ２７から露光装置５０へ出力される１つのジョ
ブの内容の概略を示す図である。図４に示すように、ホ
ストコンピュータ２７から出力される１つのジョブは、
パイロット処理を指示する指示命令と、本ロット処理を
指示する指示命令と、パイロット処理に用いたパイロッ
トウエハを再生処理してデバイスパターンを再露光する
再生露光処理を指示する指示命令とを含む。図８に示し
た従来のジョブの内容と比較すると、本実施形態では再
生露光処理を含んでいる点が異なる。これは、再生露光
処理をパイロット処理及び本ロット処理と同一のジョブ
に含ませることで、ジョブ管理の複雑化及びロット管理
の煩雑化を招かずに高効率的に基板を処理するためであ
る。

【００６９】再生露光処理は、パイロットウエハに形成
されているレジストパターンを除去するためにパイロッ
トウエハの全面を露光する露光処理、露光したレジスト
パターンを除去して再生ウエハとするレジスト除去処
理、再生ウエハに対して再度レジストを塗布するレジス
ト塗布処理、レジストを塗布したウエハに対して再度デ
バイスパターンを転写する再生露光処理、及び転写した
パターンを現像する現像処理を含む。なお、上記の再生
露光処理に含まれる処理は全て自動化して露光装置５０
並びにコータ部７０及びデベロッパ部８０を用いて行う
ことが好ましいが、その一部の処理をユーザが手作業で
行ってもよい。

【００７０】以上の処理を含むジョブは、露光装置５０
が備える主制御系２２の待ち行列に記憶されており、主
制御系２２が待ち行列中のジョブを読み出すことによ
り、読み出したジョブが開始される。

【００７１】［基板処理方法の第１実施形態］図５は本
発明の第１実施形態に係る基板処理方法を示すフローチ
ャートである。図５に示したフローは、ロット単位の基
板を処理するときに待ち行列から読み出した１つのジョ
ブで行われる。ジョブが開始すると、パイロット処理が
行われる（ステップＳ１０）。このパイロット処理で
は、ロット先頭のウエハをパイロットウエハとして用い
る。なお、ここでいうロット先頭のウエハとは、ウエハ
キャリア５３の格納棚ａ１に格納されているウエハをい
う。

【００７２】ウエハキャリア５３から取り出されたパイ
ロットウエハは、図１に示す搬送ライン５２を経てレジ
ストコータ５４に搬送されてフォトレジストが塗布され
る（塗布工程）。そのフォトレジストが塗布されたウエ
ハは、搬送ライン５２に沿って順次プリベーク装置５５
及びクーリング装置５６を経て露光装置５０内に搬送さ
れ、露光処理によりデバイスパターンが転写される（転
写工程）。露光装置５０は、パイロットウエハに対する
露光処理を終了して処理後のパイロットウエハを搬出す
ると、一時的に待機状態となる。

【００７３】露光装置５０から搬出されたパイロットウ
エハは、搬送ライン５２に沿って、デベロッパ部８０の
ポストベーク装置５７及びクーリング装置５８を順に通
って現像装置５９に送られる。そして、現像装置５９で
現像が行われたウエハＷの各ショット領域に、レチクル
のデバイスパターンに対応した凹凸のレジストパターン
が形成される（現像工程）。現像処理が行われたウエハ
は測定装置６０へ搬送され、形成されたレジストパター
ンの形状が測定されて（測定工程）、測定結果が露光装
置５０の主制御系２２へ送信される。主制御系２２は受
信した測定装置６０の測定結果に基づいて、照明条件等
の動作条件を修正する必要があるか否かを判断する（ス
テップＳ１１）。

【００７４】ステップＳ１１において、主制御系２２が
動作条件を修正する必要がないと判断した場合（判断結
果が「ＮＯ」の場合）には、主制御系２２は露光装置５
０の待機状態を解除するとともにパイロットウエハを搬
送してウエハキャリア６１の格納棚Ａ１へ格納する。

【００７５】以上の処理が終了すると、ロット内の他の
ウエハ（本ロットウエハ）に対する本ロット処理が行わ
れる（ステップＳ１２）。このステップＳ１２では、ウ
エハキャリア５３内のウエハを取り出し、コータ部７０
でフォトレジストを塗布するレジスト塗布処理を行い、
露光装置５０でデバイスパターンをウエハ上に転写する
露光処理を行い、デベロッパ部８０で現像処理を行い、
ウエハキャリア６１の格納棚に格納するという一連の処
理が本ロットウエハ各々に対して行われる。各本ロット
ウエハに対する上記の一連の処理が終了する毎に、未処
理の本ロットウエハが有るか否かが判断される（ステッ
プＳ１３）。ステップＳ１３において未処理の本ロット
ウエハが無いと判断された場合（判断結果が「ＮＯ」の
場合）には、ジョブが終了する。

【００７６】動作条件を修正せずに本ロット処理を行っ
た場合には、パイロットウエハと同一の動作条件で露光
処理等の処理が行われるため、異なる動作条件で処理さ
れたウエハが１つのロット内に混在するという問題は生
じない。

【００７７】一方、ステップＳ１１において、主制御系
２２が動作条件を修正する必要があると判断した場合
（判断結果が「ＹＥＳ」の場合）には、主制御系２２は
測定装置６０の測定結果から修正すべき動作条件及びそ
の修正量を算出して動作条件を修正する（ステップＳ１
４）。

【００７８】ここで、動作条件を修正した場合には、パ
イロットウエハの処理と本ロットウエハの処理における
動作条件が異なることになるため、パイロットウエハを
再生する必要がある。本実施形態ではパイロットウエハ
の再生処理をユーザが行う場合を想定している。このた
め、ステップＳ１４において動作条件を修正した後、ユ
ーザが再生処理を完了した旨を主制御系２２に知らせる
ための再生処理完了ボタンを、露光装置５０に設けられ
たタッチセンサ付きモニタに表示させる（ステップＳ１
５）。ユーザが再生処理を完了して再生ウエハをウエハ
キャリア５３に格納し終えた時点で再生処理完了ボタン
を押圧することで、主制御系２２が再生処理が完了した
ことを知ることが可能となる。なお、動作条件を修正し
た場合には、パイロットウエハはウエハキャリア６１に
搬送され、ユーザにより取り出されて、再生処理が行わ
れることになる。

【００７９】前記再生処理完了ボタンを表示した後、主
制御系２２は露光装置の待機状態を解除して本ロット処
理を開始する（ステップＳ１６）。なお、上述したユー
ザによる再生処理は本ロット処理と並行して行われる。
この再生処理は、本発明にいう再生工程に相当する。ス
テップＳ１６の本ロット処理は、ステップＳ１２で行わ
れる本ロット処理と同様の処理であり、１枚の本ロット
ウエハに対して上述した一連の本ロット処理を行ってウ
エハキャリア６１に格納する毎に、未処理の本ロットウ
エハが有るか否かが判断される（ステップＳ１７）。ス
テップＳ１７において全ての未処理の本ロットウエハが
無いと判断した場合には、主制御系２２は、再生処理完
了ボタンを表示した後に該再生処理完了ボタンが一度で
も押圧されたか否かを判断する（ステップＳ１８）。再
生処理完了ボタンが押圧されていない場合には、再生ウ
エハがウエハキャリア５３に格納されていない状態であ
り、工程を進めることができないため、ステップＳ１８
を繰り返し行ってユーザにより再生処理完了ボタンが押
圧されるまで待機する。

【００８０】一方、主制御系２２が再生処理完了ボタン
を表示した後に該再生処理完了ボタンが一度でも押圧さ
れたと判断した場合には、ウエハカセット５３から再生
ウエハを取り出し、再生ウエハに対してコータ部７０で
フォトレジストを塗布するレジスト塗布処理を行い、露
光装置５０でデバイスパターンをウエハ上に転写する露
光処理を行い、デベロッパ部８０で現像処理を行い、ウ
エハキャリア６１の格納棚に格納する一連の処理が行わ
れ（ステップＳ１９）、ジョブが終了する。全ての本ロ
ットウエハに対する本ロット処理が終了する前に既に再
生処理完了ボタンが押圧されていた場合には、本ロット
処理に続いて自動的に再生ウエハに対する処理が行われ
る（ステップＳ１９）。

【００８１】ステップＳ１７において、未処理の本ロッ
トウエハが有ると判断した場合には、未処理の本ロット
ウエハが残り１枚であるか否かが判断される（ステップ
Ｓ２０）。この判断結果が「ＮＯ」である場合には、複
数枚の本ロットウエハが有ることになり、それらの本ロ
ットウエハに対する本ロット処理を行うためにステップ
Ｓ１６の処理に戻る。一方、ステップＳ２０において、
未処理の本ロットウエハが残り１枚であると判断した場
合には、主制御系２２は、再生処理完了ボタンを表示し
てから再生処理完了ボタンが一度でも押圧されたか否か
を判断する（ステップＳ２１）。つまり、ステップＳ２
１では、残り１枚の本ロットウエハに対する処理が開始
される前に、再生ウエハの準備が完了しているか否かを
判断している。このステップＳ２１は、本発明にいう判
断工程に相当する。

【００８２】この判断結果が「ＮＯ」である場合には、
再生ウエハの準備が完了していないため、ステップＳ１
６において残り１枚の本ロットウエハに対する本ロット
処理が行われる。一方、ステップＳ２１の判断結果が
「ＹＥＳ」の場合には、残り１枚の本ロットウエハに対
する本ロット処理と並行して、再生ウエハに対する準備
処理を行う（ステップＳ２２）。ここで、準備処理とは
本ロットウエハに対する処理の進行を妨げずに再生ウエ
ハに対して行うことが可能なステップＳ１９の処理をい
う。例えば、フォトレジストが塗布された本ロットウエ
ハを露光装置５０で露光している間に、再生ウエハにフ
ォトレジストを塗布する処理である。なお、このステッ
プＳ２２は、本発明にいう準備処理工程に相当する。

【００８３】なお、図５では、図示の都合上、ステップ
Ｓ２２の終了後にステップＳ１６の本ロット処理が行わ
れ、さらに本ロット処理が終了した後に、再生ウエハに
対する処理を行うステップＳ１９が開始されるように図
示されているが、本ロット処理と再生ウエハに対する準
備処理及び再生ウエハに対する処理とは並行して行われ
ることがある点に注意されたい。再生ウエハに対する処
理が終了すると、ジョブが終了する。

【００８４】従来は、本ロットウエハの処理と再生ウエ
ハに対する処理とを別のジョブで行っていたため、本ロ
ット基板全てに対する本ロットの処理が終了しなければ
再生ウエハの処理を開始することができず効率的ではな
かったが、本実施形態のように、再生ウエハに対する処
理の一部を本ロットウエハの処理と並行して行うことで
処理に要する時間を短縮することができるため、ウエハ
を効率的に処理することができる。

【００８５】また、本実施形態では、パイロット処理に
おいてなされるレジストパターンの測定結果に応じて動
作条件の修正の有無を判断して、修正有りと判断した場
合にパイロットウエハの再生処理を含めた再生露光処理
を行い、修正無しと判断された場合には再生露光処理を
行わずに本ロット処理のみを行うようにしている。従来
は、本ロット処理と再生露光処理とを別々のジョブで行
っていたため動作条件の有無に応じて再生露光処理を待
ち行列に割り込ませる必要があり、ジョブ管理が煩雑に
なっていた。しかしながら、本実施形態では本ロット処
理と再生露光処理とを同一のジョブで行うようにしてい
るため、再生露光処理が不要の場合には再生露光処理を
行わないようにすればよいだけであるので、従来のよう
なジョブの割り込みが不要となり、ジョブ管理が極めて
容易となる。

【００８６】［基板処理方法の第２実施形態］以上説明
した第１実施形態では、パイロットウエハとして処理さ
れたウエハは、動作条件を修正しないときはウエハキャ
リアの格納棚Ａ１に格納され、動作条件を変更したとき
はロットの最後のウエハを格納する格納棚（例えば、ウ
エハキャリア６１の格納棚Ａｎ）に格納される。つま
り、露光条件を変更したときは、ウエハカセット５３に
格納されている格納順とウエハカセット６１の格納順と
が異なることになる。

【００８７】本発明の第２実施形態では、図２に示した
棚位置制御装置６２で処理後のウエハのウエハカセット
６１への格納方法を工夫することによりウエハカセット
５３の格納順をウエハカセット６１の格納順と同一にし
ている。即ち、本ロット処理を行った本ロットウエハを
ウエハキャリア６１の格納棚Ａ２〜Ａｎに順に格納する
ように制御するとともに、処理を終えた再生ウエハを格
納棚Ａ１に格納するように制御する。なお、このよう本
ロットウエハ及び再生ウエハをウエハキャリア６１に格
納する工程は、本発明にいう格納工程に相当する。

【００８８】［基板処理方法の第３実施形態］図６は本
発明の第３実施形態に係る基板処理方法を示すフローチ
ャートである。図５に示した本発明の第１実施形態に係
る基板処理方法と同様の処理を行う工程には同一の符号
が付してある。図６に示した本発明の第３実施形態に係
る基板処理方法の基本的な工程は、図５に示した第１実
施形態に係る基板処理方法の工程とほぼ同じである。し
かしながら、前述した第１実施形態では、ロット先頭の
ウエハ、つまりウエハキャリア５３の格納棚ａ１に格納
されているウエハをパイロットウエハとして用いていた
が、本実施形態では、ウエハキャリア５３の所定の棚
（例えばロットの最終のウエハを格納する格納棚ａｎに
格納されているウエハをパイロットウエハとして用いる
点が異なる。また、パイロットウエハに対して再生処理
を行って得られた再生ウエハを本ロットウエハとして処
理する点も相違する。以下、図６に示したフローチャー
トに従って、詳細に説明する。

【００８９】本実施形態においてもロット単位の基板の
処理開始する場合には、待ち行列から１つのジョブを読
み出すことにより処理が開始される。ジョブが開始する
と、まず、ウエハキャリア５３の格納棚ａｎに格納され
たロットの最終ウエハをパイロットウエハとして選択す
る工程が行われる（ステップＳ３０）。この工程は、本
発明にいう選択工程に相当し、図２に示した棚位置制御
装置６２が行う。選択されたパイロットウエハに対して
パイロット処理（ステップＳ１０）が行われる。このパ
イロットウエハはウエハキャリア５３から取り出され、
コータ部７０でレジストが塗布された後、露光装置５０
内に搬送されてデバイスパターンが転写される。露光装
置５０は、パイロットウエハに対する露光処理を終了し
て処理後のパイロットウエハを搬出すると、一時的に待
機状態となる。

【００９０】露光装置５０から搬出されたパイロットウ
エハは、デベロッパ部８０で現像処理が行われた後、測
定装置６０へ搬送されて形成されたレジストパターンの
形状が測定される。この測定結果は露光装置５０の主制
御系２２へ送信される。主制御系２２は受信した測定装
置６０の測定結果に基づいて。照明条件等の動作条件を
修正する必要があるか否かを判断する（ステップＳ１
１）。

【００９１】ステップＳ１１において、主制御系２２が
動作条件を修正する必要がないと判断した場合（判断結
果が「ＮＯ」の場合）には、主制御系２２は露光装置５
０の待機状態を解除するとともに、パイロットウエハを
搬送してウエハキャリア６１の格納棚Ａｎへ格納する。
以上の処理が終了すると、ロット内の他のウエハ（本ロ
ットウエハ）各々に対する本ロット処理が行われ（ステ
ップＳ１２）、ステップＳ１４にて全ての本ロットウエ
ハに対して本ロット処理が終了したときにジョブが終了
する。

【００９２】一方、ステップＳ１１において、主制御系
２２が動作条件を修正する必要があると判断した場合
（判断結果が「ＹＥＳ」の場合）には、主制御系２２は
測定装置６０の測定結果から修正すべき動作条件及びそ
の修正量を算出して動作条件を修正する（ステップＳ１
４）。その後、再生処理完了ボタンを露光装置５０に設
けられたタッチセンサ付きモニタに表示させる（ステッ
プＳ１５）。なお、動作条件を修正した場合には、パイ
ロットウエハはウエハキャリア６１に搬送され、ユーザ
により取り出されて、再生処理が行われる。

【００９３】前記再生処理完了ボタンを表示した後、主
制御系２２は露光装置の待機状態を解除してステップＳ
１２と同様の本ロット処理を行う（ステップＳ１６）。
１枚の本ロットウエハに対して上述した本ロット処理を
行ってウエハキャリア６１に格納する毎に、未処理の本
ロットウエハが有るか否かが判断される（ステップＳ１
７）。なお、本実施形態では、最終ウエハをパイロット
ウエハとしているため、ウエハキャリア５３の格納棚ａ
１に格納されている本ロットウエハから順に本ロット処
理が行われ、本ロット処理がなされた本ロットウエハは
ウエハキャリア６３の格納棚Ａ１から順に格納される。

【００９４】本ロット処理Ｓ１６を行っている間に、並
列して行われている再生工程としての再生処理が終了す
ると、ユーザはパイロットウエハが格納されていたウエ
ハカセット５３の格納棚ａｎに再生ウエハを再格納す
る。この処理は、本発明にいう再格納工程に相当する。
ステップＳ１７において全ての未処理の本ロットウエハ
が無いと判断した場合には、主制御系２２は、再生処理
完了ボタンを表示してから該再生処理完了ボタンが一度
でも押圧されたか否かを判断する（ステップＳ１８）。
再生処理完了ボタンが押圧されていない場合には、再生
ウエハがウエハキャリア５３に格納されていない状態で
あり、工程を進めることができないため、ステップＳ１
８を繰り返し行ってユーザにより再生処理完了ボタンが
押圧されるまで待機する。

【００９５】一方、主制御系２２が再生処理完了ボタン
を表示してから該再生処理完了ボタンが一度でも押圧さ
れたと判断した場合には、ウエハカセット５３から再生
ウエハを取り出し、再生ウエハを本ロットウエハとして
処理する（ステップＳ３１）。つまり、この工程３１で
は再生ウエハが本ロットウエハと同様に取り扱われて、
本ロット処理と同様の処理が行われる。ステップＳ３１
の処理が終了するとジョブが終了する。

【００９６】以上説明した実施形態では、第１実施形態
と同様に異なる動作条件の下で処理されたウエハが１ロ
ット内に混在することがなく、しかも再生ウエハに対し
て露光処理を行う場合、再生ウエハは本ロットウエハと
して扱われることになるため、さらにジョブ管理が容易
になる。なお、以上説明した第３実施形態ではウエハキ
ャリア５３の棚ａｎに格納されているウエハをパイロッ
トウエハとして選択する場合を例に挙げて説明したが、
この選択は任意である。但し、再生処理に要する時間を
考慮すると、ロットの終盤に位置するウエハ、即ち格納
棚ａｎの近傍の格納棚に格納されたウエハを選択するこ
とが好ましい。

【００９７】［基板処理方法の第４実施形態］次に、本
発明の第４実施形態に係る基板処理方法について説明す
る。本発明の第４実施形態に係る基板処理方法も基本的
には上述した第１〜第３実施形態と同様に、パイロット
処理、本ロット処理、及び再生ウエハに関する処理を１
つのジョブで行う。しかしながら、第１〜第３実施形態
ではユーザが手作業でパイロットウエハを再生処理し、
再生処理が完了して再生ウエハをウエハキャリア５３に
格納したときにタッチセンサ付きモニタに表示された再
生処理完了ボタンを押圧することにより主制御系２２に
再生処理の処理終了を通知していたが、本実施形態では
露光装置５０及びデベロッパ部８０を用いて再生処理を
自動的に行い、ユーザによる再生処理の通知も不要とな
る点が異なる。

【００９８】図７は本発明の第４実施形態に係る基板処
理方法のパイロット処理時におけるパイロットウエハの
移動経路を示す図である。なお、本実施形態で用いるパ
イロットウエハは、上述の第１実施形態のようにロット
先頭のウエハでも、第３実施形態のようにロットの最終
ウエハでも何れでもよい。

【００９９】パイロット処理が開始すると、パイロット
ウエハがウエハキャリア５３から取り出され、図７中の
経路Ｐ１を介してコータ部７０へ搬送されレジストが塗
布される。なお、図７に示す移動経路は理解を容易にす
るために便宜的に図示したものであり、実際には図１の
搬送ライン５２を介して搬送される点に注意されたい。
また、本実施形態では、コータ部７０で塗布されるレジ
ストはポジ型のレジスト、つまり感光された部分が現像
処理で除去され、感光されなかった部分が除去されない
レジストであるものとする。レジストが塗布されたパイ
ロットウエハは、経路Ｐ２を介して露光装置５０へ搬送
されてデバイスパターンが転写された後、経路Ｐ３を介
してデベロッパ部８０へ搬送されて現像処理が行われ
る。

【０１００】現像処理によりレジストパターンが形成さ
れたパイロットウエハは経路Ｐ４を介して測定装置６０
へ搬送されて、レジストパターンの形状が測定される。
この測定結果は図７中符号Ｔ１を付して示したように露
光装置５０へ送信され、露光装置５０の露光条件等の動
作条件が設定される。測定を終えたパイロットウエハは
測定装置６０から経路Ｐ５を介して露光装置５０へ搬送
される。露光装置５０に搬送されたパイロットウエハは
全面に露光光ＩＬが照射される。なお、パイロットウエ
ハの全面を露光する処理工程は、本発明にいう露光工程
に相当する。

【０１０１】このパイロットウエハは、経路Ｐ６を介し
てデベロッパ部８０へ搬送される。上記のように、本実
施形態ではポジ型のレジストを用いているため、デベロ
ッパ部８０で現像処理することにより、露光装置５０で
全面が露光されたパイロットウエハに形成されたレジス
トパターン全てを除去することが可能となる。なお、デ
ベロッパ部８０における現像処理により、パイロットウ
エハ上に形成されているレジストパターンを除去する工
程は、本発明にいう除去工程に相当する。

【０１０２】このようにして、ユーザの手作業を介さず
に自動的に再生処理が行われ、再生ウエハが得られる。
なお、パイロットウエハを露光装置５０から搬送した後
は、本ロット処理が開始され、デベロッパ部８０におけ
る現像処理等と並行して本ロット処理が行われる。デベ
ロッパ部８０で現像処理を行って得られた再生ウエハ
は、図中の経路Ｐ７を介してウエハキャリア５３へ再度
格納される。以上でパイロット処理及び再生処理が終了
する。その後、再生ウエハはウエハキャリア５３から取
り出されてコータ部７０でレジストが塗布された後、本
ロット処理と同様に露光装置５０で露光処理が行われ
る。

【０１０３】以上説明したように、本実施形態において
は、パイロットウエハの再生処理がユーザによる手作業
によらずに自動的に行われるので、ウエハの汚染等を防
止することができる。

【０１０４】なお、上述した実施形態ではポジ型のレジ
ストを用いてパイロットウエハを再生処理する場合を例
に挙げて説明したが、例えば有機溶媒を用いてレジスト
を化学的に除去する専用の除去装置を図１の基板処理装
置内に組み込めば、レジストがポジ型であるか又はネガ
型であるかに拘わらず自動的な再生処理を実現すること
ができる。この除去装置としては、現像装置５９と同様
に、露光装置５０とインライン化されていることが好ま
しいが、露光装置５０及びコータ・デベロッパ部５１と
別体で設けて、全面の露光処理を終えたパイロットウエ
ハを搬送する搬送装置を設けるようにしてもよい。な
お、露光装置５０及びコータ・デベロッパ部５１と別体
で除去装置及び搬送装置を設ける場合には、除去装置で
レジストパターンの除去並びにパイロットウエハ及び再
生ウエハの搬送は本ロットウエハと並行して行われる
が、パイロットウエハ及び再生ウエハの搬送は本ロット
ウエハの処理を妨げないように行われる。

【０１０５】以上説明した実施の形態は、本発明の理解
を容易にするために記載されたものであって、本発明を
限定するために記載されたものではない。したがって、
上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的
範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。

【０１０６】例えば、上述した実施形態では、パイロッ
トウエハとしてはロット中の一枚を用いるものとして説
明しているが、二枚以上を用いてそれぞれについての測
定結果を統計処理した結果に基づいて、露光装置５０の
動作条件の修正を行うようにしてもよい。なお、前述し
た各実施形態に好適な基板処理装置は図１に限られるも
のではなく任意の構成で構わない。

【０１０７】また、上述した実施形態では露光装置５０
としてステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例
に挙げたが、本発明は、ステップ・アンド・リピート方
式の縮小投影型露光装置、ミラープロジェクション方
式、プロキシミティ方式、コンタクト方式等の露光装置
に適用することが可能である。

【０１０８】さらに、半導体素子の製造に用いられる露
光装置の他、液晶ディスプレイやプラズマディスプレ
イ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、又はマ
イクロマシンなどの製造に用いられる露光装置を備えた
基板処理装置に本発明を適用することができる。

【０１０９】半導体デバイスは、デバイスの機能・性能
設計を行うステップ、この設計ステップに基づいてレチ
クルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製
造するステップ、上述した実施形態の基板処理装置によ
りレチクルのパターンをウエハに露光転写するステッ
プ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボン
ディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ
等を経て製造される。

【０１１０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ロット単
位の基板を処理する際に、基板処理装置に１つの単位指
示命令を与えれば、ロット中の基板の一部を用いて基板
処理装置の動作条件を定める予備処理工程と、動作条件
が定められた基板処理装置で予備処理工程で用いた基板
以外の基板を処理する本処理工程と、動作条件が定めら
れた基板処理装置で予備処理工程で用いた基板を初期状
態に再生した再生基板を処理する再生基板処理工程とが
行われ、従来のように異なる単位指示命令により基板を
再生処理することがないため、単位指示命令の管理が極
めて容易になるという効果がある。

【０１１１】また、予備処理工程、本処理工程、及び再
生基板処理工程を１つの単位指示命令に基づいて行わせ
ることにより、これらの処理の一部を並行して行わせる
ことも可能であり、処理の効率化を図ることができると
いう効果がある。

【０１１２】さらに、従来のように予備処理工程で用い
た基板を別ロットとして扱わずに同一のロットとして扱
っているため、ロットの管理が複雑化することもないと
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略
構成を示す上面図である。

【図２】 図１のウエハキャリアの概略構成を示す斜視
図である。

【図３】 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備え
る露光装置の構成を示す図である。

【図４】 ホストコンピュータから露光装置へ出力され
る１つのジョブの内容の概略示す図である。

【図５】 本発明の第１実施形態に係る基板処理方法を
示すフローチャートである。

【図６】 本発明の第３実施形態に係る基板処理方法を
示すフローチャートである。

【図７】 本発明の第４実施形態に係る基板処理方法の
パイロット処理時におけるパイロットウエハの移動経路
を示す図である。

【図８】 露光装置に指示する１つのジョブにより行わ
れる処理の従来例を示す図である。

【図９】 従来のパイロットウエハの取り扱い方法を説
明するための図であり、（ａ）はパイロットウエハを別
ロットとして取り扱う場合、（ｂ）は本ロットウエハと
同様に処理する場合、（ｃ）は本ロットウエハが処理さ
れるジョブとは異なるジョブで処理する場合の図であ
る。

【符号の説明】

２７…ホストコンピュータ ５０…露光装置 ５３…ウエハキャリア ５４…レジストコータ ５９…現像装置 ６０…測定装置 ６１…ウエハキャリア ６２…棚位置制御装置 ７０…コータ部 ８０…デベロッパ部 Ｗ…ウエハ（基板）

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 与えられる単位指示命令に応じた動作を
   行う基板処理装置を用いてロット単位の基板を処理する
   基板処理方法であって、 前記ロット単位の基板のうちの少なくとも一枚の基板を
   用いて前記基板処理装置の動作条件を定める予備処理工
   程と、 前記予備処理工程で用いた基板以外の基板を、前記動作
   条件が定められた基板処理装置で処理する本処理工程
   と、 前記予備処理工程で処理された基板を初期状態に再生し
   た再生基板を、前記動作条件が定められた基板処理装置
   で処理する再生基板処理工程とを１つの単位指示命令に
   基づいて行うことを特徴とする基板処理方法。
2. 【請求項２】 前記基板処理装置による処理が行われて
   いない未処理の基板を格納する未処理基板格納棚の格納
   順で、前記本処理工程で処理された基板と、前記予備処
   理工程及び前記再生基板処理工程で処理された基板と
   を、前記基板処理装置による処理済みの基板を格納する
   処理後基板格納棚に格納する格納工程を有することを特
   徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 【請求項３】 前記基板処理装置による処理が行われて
   いない未処理の基板を格納する未処理基板格納棚の所定
   の棚に格納されている基板を、前記予備処理工程で用い
   る基板として選択する選択工程と、 前記再生基板を前記所定の棚に再格納する再格納工程と
   を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方
   法。
4. 【請求項４】 前記本処理工程と並行して、前記予備処
   理工程で処理された基板を前記初期状態に再生する再生
   工程を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処
   理方法。
5. 【請求項５】 前記本処理工程が終了する前に前記再生
   工程が終了したか否かを判断する判断工程と、 前記判断工程において前記本処理工程の終了前に前記再
   生工程が終了していると判断したときに、前記本処理工
   程と並行して前記再生基板に対して実行可能な処理を行
   う準備処理工程とをさらに有することを特徴とする請求
   項４に記載の基板処理方法。
6. 【請求項６】 前記予備処理工程は、前記基板の表面に
   感光剤を塗布する塗布工程と、 前記感光剤を塗布した基板に所定のパターンを転写する
   転写工程と、 前記転写工程を経た基板を現像する現像工程と、 前記基板に形成されたパターンを測定する測定工程とを
   含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載
   の基板処理方法。
7. 【請求項７】 前記再生工程は、前記基板上に残存する
   感光剤を露光する露光工程と、 前記基板上の感光剤の露光された部分を除去する除去工
   程とをさらに有することを特徴とする請求項４〜６の何
   れか一項に記載の基板処理方法。
8. 【請求項８】 ロット単位の基板を処理する基板処理装
   置であって、 前記ロット単位の基板のうちの少なくとも一枚の基板を
   試験基板として用いて前記基板処理装置の動作条件を定
   める指示を与える第１命令、前記試験基板以外の基板を
   前記動作条件が定められた基板処理装置で処理する指示
   を与える第２命令、及び前記試験基板を初期状態に再生
   した再生基板を前記動作条件が定められた基板処理装置
   で処理する指示を与える第３命令を含む１つの単位指示
   命令を出力する制御装置を備えたことを特徴とする基板
   処理装置。
9. 【請求項９】 前記基板処理装置による処理が行われて
   いない未処理の基板を格納する未処理基板格納棚と、 前記基板処理装置による処理済みの基板を格納する処理
   後基板格納棚と、 前記未処理基板格納棚の格納順で、前記試験基板以外の
   基板及び前記再生基板を前記処理後基板格納棚に格納す
   る格納装置とを備えたことを特徴とする請求項８に記載
   の基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記基板処理装置による処理が行われ
    ていない未処理の基板を格納する未処理基板格納棚と、 前記未処理基板格納棚の所定の棚に格納されている基板
    を前記試験基板として選択するとともに、前記再生基板
    を当該所定の棚に再格納する再格納装置とを備えたこと
    を特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 パターンが形成されたマスクを照明
    し、該マスクを介した光で前記基板を露光する露光装置
    を備えたことを特徴とする請求項８〜１０の何れか一項
    に記載の基板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記基板の表面に感光剤を塗布する塗
    布処理を行う塗布装置と、 前記露光装置で露光された基板を現像処理する現像装置
    と、 前記現像装置による現像処理を経て前記基板に形成され
    たパターンを測定する測定装置と、 前記塗布装置、前記露光装置、前記現像装置及び前記測
    定装置間で、前記基板を受け渡す搬送装置とを備えたこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。