JP2003057701A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
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- JP2003057701A JP2003057701A JP2001249032A JP2001249032A JP2003057701A JP 2003057701 A JP2003057701 A JP 2003057701A JP 2001249032 A JP2001249032 A JP 2001249032A JP 2001249032 A JP2001249032 A JP 2001249032A JP 2003057701 A JP2003057701 A JP 2003057701A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低パワーで高速の波長変換機能を有する光制
御素子を提供すること。 【解決手段】 ＭＭＩカプラ４０３に波長λｊの連続光
（ＣＷ光）４０５がポート４１１に入射され、ＭＭＩカ
プラ４０３で２つに分かれてループ型干渉回路４０９へ
と導かれる。ループ型干渉回路４０９では、右回りの光
と左回りの光に別れてループを一周し、再びＭＭＩカプ
ラ４０３で合波されてポート４１１に出射される。この
状態で、波長λｉの信号光４０４をＭＭＩカプラ４０２
に入射させる。入射された信号光４０４はＳＯＡ４０１
を通過し、ＳＯＡ４０１内の屈折率が変化する。信号光
がＭＭＩカプラ４１３で分岐されて信号光導波路４１
４，４１５からＳＯＡ４０１に両方向から入射する。そ
のためループ内を右回りに伝搬する光４０７と左回りに
伝搬する光４０６はともに、ＳＯＡ４０１内において、
分岐された信号光と同方向伝搬するとともに、逆方向に
すれ違う。
御素子を提供すること。 【解決手段】 ＭＭＩカプラ４０３に波長λｊの連続光
（ＣＷ光）４０５がポート４１１に入射され、ＭＭＩカ
プラ４０３で２つに分かれてループ型干渉回路４０９へ
と導かれる。ループ型干渉回路４０９では、右回りの光
と左回りの光に別れてループを一周し、再びＭＭＩカプ
ラ４０３で合波されてポート４１１に出射される。この
状態で、波長λｉの信号光４０４をＭＭＩカプラ４０２
に入射させる。入射された信号光４０４はＳＯＡ４０１
を通過し、ＳＯＡ４０１内の屈折率が変化する。信号光
がＭＭＩカプラ４１３で分岐されて信号光導波路４１
４，４１５からＳＯＡ４０１に両方向から入射する。そ
のためループ内を右回りに伝搬する光４０７と左回りに
伝搬する光４０６はともに、ＳＯＡ４０１内において、
分岐された信号光と同方向伝搬するとともに、逆方向に
すれ違う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光制御素子に関
し、より詳細には、波長多重光ネットワークにおいて、
任意波長の入力信号光強度に応じて、この入力信号光の
波長と同一または異なる別波長の光を変調する光制御技
術に関する。
し、より詳細には、波長多重光ネットワークにおいて、
任意波長の入力信号光強度に応じて、この入力信号光の
波長と同一または異なる別波長の光を変調する光制御技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の異なる波長の光信号を伝送
する光伝送システムとして、複数の異なる波長の光信号
を１本の光ファイバに結合して伝送する波長多重を利用
した光伝送システム（ＷＤＭシステム）がある。さら
に、このＷＤＭシステムは、１対１の伝送のみならず、
ネットワーク化が急速に進みつつある。
する光伝送システムとして、複数の異なる波長の光信号
を１本の光ファイバに結合して伝送する波長多重を利用
した光伝送システム（ＷＤＭシステム）がある。さら
に、このＷＤＭシステムは、１対１の伝送のみならず、
ネットワーク化が急速に進みつつある。
【０００３】このようなＷＤＭシステムにおいて、光フ
ァイバを伝送する光信号の波長を同一または異なる波長
へと変換する、いわゆる波長変換を行う光制御素子が重
要となってくる。
ァイバを伝送する光信号の波長を同一または異なる波長
へと変換する、いわゆる波長変換を行う光制御素子が重
要となってくる。
【０００４】図１は、従来の波長変換を行う光制御素子
の一例を示す図で、この波長変換回路は、半導体光増幅
器（SOA；Semiconductor Optical Amplifier）１０１
と、このＳＯＡに接続されたＭＭＩカプラ（マルチモー
ド干渉カプラ；Multi-Mode Interference coupler）１
０２，１０３と、このＭＭＩカプラ１０２，１０３間に
設けられたループ型干渉回路１０９とから構成されてい
る。
の一例を示す図で、この波長変換回路は、半導体光増幅
器（SOA；Semiconductor Optical Amplifier）１０１
と、このＳＯＡに接続されたＭＭＩカプラ（マルチモー
ド干渉カプラ；Multi-Mode Interference coupler）１
０２，１０３と、このＭＭＩカプラ１０２，１０３間に
設けられたループ型干渉回路１０９とから構成されてい
る。
【０００５】このような構成により、ＭＭＩカプラ１０
３に波長λｊの連続光（ＣＷ光）１０５がポート１１１
に入射され、ＭＭＩカプラ１０３で２つに分かれてルー
プ型干渉回路１０９へと導かれる。ループ型干渉回路１
０９では、右回りの光と左回りの光に別れてループを一
周し、再びＭＭＩカプラ１０３で合波されてポート１１
１に出射される。この状態で、波長λｉの信号光１０４
をＭＭＩカプラ１０２に入射させる。入射された信号光
１０４はＳＯＡ１０１を通過する。このとき、ＳＯＡ１
０１内の屈折率が変化する。
３に波長λｊの連続光（ＣＷ光）１０５がポート１１１
に入射され、ＭＭＩカプラ１０３で２つに分かれてルー
プ型干渉回路１０９へと導かれる。ループ型干渉回路１
０９では、右回りの光と左回りの光に別れてループを一
周し、再びＭＭＩカプラ１０３で合波されてポート１１
１に出射される。この状態で、波長λｉの信号光１０４
をＭＭＩカプラ１０２に入射させる。入射された信号光
１０４はＳＯＡ１０１を通過する。このとき、ＳＯＡ１
０１内の屈折率が変化する。
【０００６】ループ内を導波している波長λｊの光は、
屈折率変化の影響を受けて、図２（ａ）のように位相変
化をおこす。右回りの光１０７は、急峻に位相変化をお
こし、その後、ＳＯＡ１０１のキャリア変化の回復時間
の速度に応じた時間で、元の位相にもどり、ＭＭＩカプ
ラ１０３に入射する。左回りの光１０６も同様の位相変
化を受けるが、右回りの光１０７に比べて、ループ型干
渉回路１０９を伝播する距離がΔＬだけ長いため、伝播
時間差Δτだけ遅れてＭＭＩカプラ１０３へ入射する。
ＭＭＩカプラ１０３中では、右回り、左回りの光の位相
変化が起きる時間が、Δτの間だけずれることになる。
このΔτの間だけ、図２（ｂ）のように、干渉効果によ
り、波長λｊの光は、ポート１１０に出射されることと
なる。
屈折率変化の影響を受けて、図２（ａ）のように位相変
化をおこす。右回りの光１０７は、急峻に位相変化をお
こし、その後、ＳＯＡ１０１のキャリア変化の回復時間
の速度に応じた時間で、元の位相にもどり、ＭＭＩカプ
ラ１０３に入射する。左回りの光１０６も同様の位相変
化を受けるが、右回りの光１０７に比べて、ループ型干
渉回路１０９を伝播する距離がΔＬだけ長いため、伝播
時間差Δτだけ遅れてＭＭＩカプラ１０３へ入射する。
ＭＭＩカプラ１０３中では、右回り、左回りの光の位相
変化が起きる時間が、Δτの間だけずれることになる。
このΔτの間だけ、図２（ｂ）のように、干渉効果によ
り、波長λｊの光は、ポート１１０に出射されることと
なる。
【０００７】すなわち、入力した波長λｉの光信号が、
波長λｊの光へ移され、ポート１１０に出力されるわけ
である。このループ型干渉回路を有する波長変換回路で
は、位相変化のキャリア変化の回復時間の速度に制限さ
れる領域が、キャンセルアウトされ、その制限を受けず
に高速波長変換が可能となる。
波長λｊの光へ移され、ポート１１０に出力されるわけ
である。このループ型干渉回路を有する波長変換回路で
は、位相変化のキャリア変化の回復時間の速度に制限さ
れる領域が、キャンセルアウトされ、その制限を受けず
に高速波長変換が可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たループ型干渉回路を有する波長変換装置を用いた場
合、ＳＯＡ１０１の長さがΔＬと比較して十分に小さい
ことが必要であった。すなわち、右回りの連続光１０７
は、信号光１０４と同一方向に伝搬するために、ＳＯＡ
１０１の長さＬＳＯＡ全体にわたって屈折率変化の影響
をうけるのに対し、左回りの連続光１０６は、信号光１
０４と逆方向に伝搬するために信号光１０４と出会うま
では屈折率変化の影響を受けず、立ち上がりにｔｒ＝２
ＬＳＯＡ／（ｃ／ｎｅｑ）（ｃは光速、ｎｅｑはＳＯＡ
の等価屈折率）を要する。
たループ型干渉回路を有する波長変換装置を用いた場
合、ＳＯＡ１０１の長さがΔＬと比較して十分に小さい
ことが必要であった。すなわち、右回りの連続光１０７
は、信号光１０４と同一方向に伝搬するために、ＳＯＡ
１０１の長さＬＳＯＡ全体にわたって屈折率変化の影響
をうけるのに対し、左回りの連続光１０６は、信号光１
０４と逆方向に伝搬するために信号光１０４と出会うま
では屈折率変化の影響を受けず、立ち上がりにｔｒ＝２
ＬＳＯＡ／（ｃ／ｎｅｑ）（ｃは光速、ｎｅｑはＳＯＡ
の等価屈折率）を要する。
【０００９】その結果、ＳＯＡ１０１の長さがΔＬと同
程度の場合には、右回り、左回りの両連続光の位相変化
は、図３（ａ）のようになり、干渉効果によりポート１
１０の出射される被変換光の波形が図３（ｂ）のように
変形してしまう。したがって、ｔｒよりもΔτが小さい
ような動作は不可能であった。また、Δτとして１０ｐ
ｓ程度を実現するためには ＬＳＯＡ＝（ｃ／ｎｅｑ）×ｔｒ／２＜＜（ｃ／
ｎｅｑ）×Δτ／２＝５００μｍ が要求され、ＳＯＡ長を２００μｍ程度以下にする必要
があった。
程度の場合には、右回り、左回りの両連続光の位相変化
は、図３（ａ）のようになり、干渉効果によりポート１
１０の出射される被変換光の波形が図３（ｂ）のように
変形してしまう。したがって、ｔｒよりもΔτが小さい
ような動作は不可能であった。また、Δτとして１０ｐ
ｓ程度を実現するためには ＬＳＯＡ＝（ｃ／ｎｅｑ）×ｔｒ／２＜＜（ｃ／
ｎｅｑ）×Δτ／２＝５００μｍ が要求され、ＳＯＡ長を２００μｍ程度以下にする必要
があった。
【００１０】光の位相変化は、屈折率変化の絶対値と媒
質の長さの積で決まるため、長さの短いＳＯＡで所望の
位相変化を得るためには、屈折率変化の絶対値を大きく
せざるを得ず、動作パワーが増大したり、場合によって
はＳＯＡの飽和により所望の屈折率変化が得られないと
いった問題が生じていた。
質の長さの積で決まるため、長さの短いＳＯＡで所望の
位相変化を得るためには、屈折率変化の絶対値を大きく
せざるを得ず、動作パワーが増大したり、場合によって
はＳＯＡの飽和により所望の屈折率変化が得られないと
いった問題が生じていた。
【００１１】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、低パワーで、かつ
高速の波長変換機能を有する光制御素子を提供すること
にある。
たもので、その目的とするところは、低パワーで、かつ
高速の波長変換機能を有する光制御素子を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、任意波
長の第１の入力信号光強度に応じて前記入力信号光の波
長と同一または異なる波長を有する第２の入力光が変調
される光制御素子において、第１の入力光を分岐させる
光分岐手段と、第２の入力光を分岐・遅延させる光分岐
・遅延手段と、前記分岐された第１の入力光の一方を、
前記分岐された第２の入力光の一方と合流する第１の光
結合手段と、該光結合手段により合流された入力光が伝
搬するポートに接続された、第１の入力光の光強度に応
じて屈折率が変化する媒質と、該媒質からの出力を、前
記分岐された第１の入力光の他方と前記分岐された第２
の入力光の他方とを合流する第２の光結合手段とを有す
ることを特徴とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、任意波
長の第１の入力信号光強度に応じて前記入力信号光の波
長と同一または異なる波長を有する第２の入力光が変調
される光制御素子において、第１の入力光を分岐させる
光分岐手段と、第２の入力光を分岐・遅延させる光分岐
・遅延手段と、前記分岐された第１の入力光の一方を、
前記分岐された第２の入力光の一方と合流する第１の光
結合手段と、該光結合手段により合流された入力光が伝
搬するポートに接続された、第１の入力光の光強度に応
じて屈折率が変化する媒質と、該媒質からの出力を、前
記分岐された第１の入力光の他方と前記分岐された第２
の入力光の他方とを合流する第２の光結合手段とを有す
ることを特徴とする。
【００１３】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記第１の入力光の光強度に応
じて屈折率が変化する媒質として半導体増幅器を用いる
ことを特徴とする。
に記載の発明において、前記第１の入力光の光強度に応
じて屈折率が変化する媒質として半導体増幅器を用いる
ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。図４は、本発明の波長変換を行
う光制御素子の一実施例を示す図で、この波長変換回路
は、半導体光増幅器（ＳＯＡ）４０１と、このＳＯＡ４
０１に接続されたＭＭＩカプラ４０２，４１２と、この
ＭＭＩカプラ４１２に接続されたＭＭＩカプラ４０３
と、このＭＭＩカプラ４０２，４０３間に設けられたル
ープ型干渉回路４０９と、ＭＭＩカプラ４０２，４１２
に接続されたＭＭＩカプラ４１３とから構成されてい
る。なお、符号４０５はＣＷ光、４０８は変換光、４１
０は変換光出力ポート、４１１はＣＷ光入力ポート、４
１４，４１５は信号光導波路を示している。
施例について説明する。図４は、本発明の波長変換を行
う光制御素子の一実施例を示す図で、この波長変換回路
は、半導体光増幅器（ＳＯＡ）４０１と、このＳＯＡ４
０１に接続されたＭＭＩカプラ４０２，４１２と、この
ＭＭＩカプラ４１２に接続されたＭＭＩカプラ４０３
と、このＭＭＩカプラ４０２，４０３間に設けられたル
ープ型干渉回路４０９と、ＭＭＩカプラ４０２，４１２
に接続されたＭＭＩカプラ４１３とから構成されてい
る。なお、符号４０５はＣＷ光、４０８は変換光、４１
０は変換光出力ポート、４１１はＣＷ光入力ポート、４
１４，４１５は信号光導波路を示している。
【００１５】このような構成により、基本動作は図１に
示した従来例のものに準じて動作する。つまり、ＭＭＩ
カプラ４０３に波長λｊの連続光（ＣＷ光）４０５がポ
ート４１１に入射され、ＭＭＩカプラ４０３で２つに分
かれてループ型干渉回路４０９へと導かれる。ループ型
干渉回路４０９では、右回りの光と左回りの光に別れて
ループを一周し、再びＭＭＩカプラ４０３で合波されて
ポート４１１に出射される。この状態で、波長λｉの信
号光４０４をＭＭＩカプラ４０２に入射させる。入射さ
れた信号光４０４はＳＯＡ４０１を通過する。このと
き、ＳＯＡ４０１内の屈折率が変化する。
示した従来例のものに準じて動作する。つまり、ＭＭＩ
カプラ４０３に波長λｊの連続光（ＣＷ光）４０５がポ
ート４１１に入射され、ＭＭＩカプラ４０３で２つに分
かれてループ型干渉回路４０９へと導かれる。ループ型
干渉回路４０９では、右回りの光と左回りの光に別れて
ループを一周し、再びＭＭＩカプラ４０３で合波されて
ポート４１１に出射される。この状態で、波長λｉの信
号光４０４をＭＭＩカプラ４０２に入射させる。入射さ
れた信号光４０４はＳＯＡ４０１を通過する。このと
き、ＳＯＡ４０１内の屈折率が変化する。
【００１６】ただし、信号光が、図４に示すように、Ｍ
ＭＩカプラ４１３で分岐されて信号光導波路４１４，４
１５からＳＯＡ４０１に両方向から入射する。そのため
ループ内を右回りに伝搬する光４０７と左回りに伝搬す
る光４０６はともに、ＳＯＡ４０１内において、分岐さ
れた信号光と同方向伝搬するとともに、逆方向にすれ違
う。その結果、右回りに伝搬する光４０７と左回りに伝
搬する光４０６の位相変化は、図５（ａ）に示すよう
に、急峻かつ完全に同一波形となる。そのため、変換出
力波形は、図５（ｂ）に示すように、立ち上がり、立ち
下がりとも急峻となり、高速な出力波形を得ることがで
きる。
ＭＩカプラ４１３で分岐されて信号光導波路４１４，４
１５からＳＯＡ４０１に両方向から入射する。そのため
ループ内を右回りに伝搬する光４０７と左回りに伝搬す
る光４０６はともに、ＳＯＡ４０１内において、分岐さ
れた信号光と同方向伝搬するとともに、逆方向にすれ違
う。その結果、右回りに伝搬する光４０７と左回りに伝
搬する光４０６の位相変化は、図５（ａ）に示すよう
に、急峻かつ完全に同一波形となる。そのため、変換出
力波形は、図５（ｂ）に示すように、立ち上がり、立ち
下がりとも急峻となり、高速な出力波形を得ることがで
きる。
【００１７】本実施例では、ＳＯＡの構造についてはな
んら制約を設けるものではない。すなわち、ＳＯＡの活
性層に関しては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ，ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等、任意の材質に
ついて同様な効果が期待できる。また、活性層構造に関
しても、バルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わ
ず、またＳＯＡの導波路構造に関してもｐｎ埋め込み、
リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用
いた場合でも同様な効果が期待できる。
んら制約を設けるものではない。すなわち、ＳＯＡの活
性層に関しては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡ
ｓＰ，ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等、任意の材質に
ついて同様な効果が期待できる。また、活性層構造に関
しても、バルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わ
ず、またＳＯＡの導波路構造に関してもｐｎ埋め込み、
リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用
いた場合でも同様な効果が期待できる。
【００１８】また、上述した実施例では、信号光、ある
いはＣＷ光を分岐、合流する構造として、ＭＭＩカプラ
を用いた例を示しているが、方向性結合器を用いてもよ
い。また、第１の入力光の光強度に応じて屈折率が変化
する媒質からなる構造として、ＳＯＡを用いた例を示し
ているが、ＥＡ変調器等のような光強度に応じて屈折率
が変化する構造であれば、すべて適用可能である。
いはＣＷ光を分岐、合流する構造として、ＭＭＩカプラ
を用いた例を示しているが、方向性結合器を用いてもよ
い。また、第１の入力光の光強度に応じて屈折率が変化
する媒質からなる構造として、ＳＯＡを用いた例を示し
ているが、ＥＡ変調器等のような光強度に応じて屈折率
が変化する構造であれば、すべて適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、任
意波長の第１の入力信号光強度に応じて前記入力信号光
の波長と同一または異なる波長を有する第２の入力光が
変調される光制御素子において、第１の入力光を分岐さ
せる光分岐手段と、第２の入力光を分岐・遅延させる光
分岐・遅延手段と、分岐された第１の入力光の一方を、
分岐された第２の入力光の一方と合流する第１の光結合
手段と、光結合手段により合流された入力光が伝搬する
ポートに接続された、第１の入力光の光強度に応じて屈
折率が変化する媒質と、媒質からの出力を、分岐された
第１の入力光の他方と分岐された第２の入力光の他方と
を合流する第２の光結合手段とを有するので、低動作パ
ワーで高速の波長変換機能を有する光制御素子を提供す
ることができる。
意波長の第１の入力信号光強度に応じて前記入力信号光
の波長と同一または異なる波長を有する第２の入力光が
変調される光制御素子において、第１の入力光を分岐さ
せる光分岐手段と、第２の入力光を分岐・遅延させる光
分岐・遅延手段と、分岐された第１の入力光の一方を、
分岐された第２の入力光の一方と合流する第１の光結合
手段と、光結合手段により合流された入力光が伝搬する
ポートに接続された、第１の入力光の光強度に応じて屈
折率が変化する媒質と、媒質からの出力を、分岐された
第１の入力光の他方と分岐された第２の入力光の他方と
を合流する第２の光結合手段とを有するので、低動作パ
ワーで高速の波長変換機能を有する光制御素子を提供す
ることができる。
【図１】従来の波長変換を行う光制御素子の一例を示す
図である。
図である。
【図２】従来の波長変換回路の動作原理（その１）を示
す図で、（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図あ
る。
す図で、（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図あ
る。
【図３】従来の波長変換回路の動作原理（その２）を示
す図で、（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図あ
る。
す図で、（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図あ
る。
【図４】本発明の波長変換を行う光制御素子の第一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】本発明の光制御素子の動作原理を示す図で、
（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図ある。
（ａ）は位相変化、（ｂ）は光強度を示す図ある。
１０１ ＳＯＡ
１０２，１０３ ＭＭＩカプラ
１０４ 信号光
１０５ ＣＷ光
１０６ 左回りの光
１０７ 右回りの光
１０８ 出力光（被波長変換光）
１０９ ループ型干渉回路
１１０，１１１ ポート
４０１ ＳＯＡ
４０２，４０３ ＭＭＩカプラ
４０４ 信号光
４０５ ＣＷ光
４０６ 左回りの光
４０７ 右回りの光
４０８ 出力光（被波長変換光）
４０９ ループ型干渉回路
４１０，４１１ ポート
４１２，４１３ ＭＭＩカプラ
４１４，４１５ 信号光導波路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/28
(72)発明者 界 義久
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 須崎 泰正
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 岡田 顕
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 野口 一人
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 佐藤 里江子
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
Ｆターム(参考） 2H079 AA08 AA12 BA01 BA03 CA05
DA16 EA04 HA07
2K002 AA02 AB12 BA02 CA13 DA07
HA16
5F073 AB22 BA01
5K002 BA04 BA31 DA02 DA31 FA01
Claims (2)
- 【請求項１】 任意波長の第１の入力信号光強度に応じ
て前記入力信号光の波長と同一または異なる波長を有す
る第２の入力光が変調される光制御素子において、第１
の入力光を分岐させる光分岐手段と、第２の入力光を分
岐・遅延させる光分岐・遅延手段と、前記分岐された第
１の入力光の一方を、前記分岐された第２の入力光の一
方と合流する第１の光結合手段と、該光結合手段により
合流された入力光が伝搬するポートに接続された、第１
の入力光の光強度に応じて屈折率が変化する媒質と、該
媒質からの出力を、前記分岐された第１の入力光の他方
と前記分岐された第２の入力光の他方とを合流する第２
の光結合手段とを有することを特徴とする光制御素子。 - 【請求項２】 前記第１の入力光の光強度に応じて屈折
率が変化する媒質として半導体増幅器を用いることを特
徴とする請求項１に記載の光制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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