JPH09247092A - 光並列送信装置 - Google Patents
光並列送信装置Info
- Publication number
- JPH09247092A JPH09247092A JP8079538A JP7953896A JPH09247092A JP H09247092 A JPH09247092 A JP H09247092A JP 8079538 A JP8079538 A JP 8079538A JP 7953896 A JP7953896 A JP 7953896A JP H09247092 A JPH09247092 A JP H09247092A
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- JP
- Japan
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- optical
- laser diode
- transmission device
- coupler circuit
- diode elements
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造良品率を低下させることなく伝送容量を
増やすことができる光並列送信装置を提供する。 【解決手段】 ２入力４出力構造の光導波路型カプラ回
路１０を半導体基板１５上に形成し、光導波路型カプラ
回路１０の各光入力部４、５にレーザダイオード素子
２、３を、各光出力部６〜９に電界吸収型光変調器１１
〜１４を設けてなる。光並列送信装置１に接続される光
伝送路の数に対しレーザーダイオード素子２、３の数を
大幅に少なくできるので、製造良品率を低下させること
なく、光伝送路の数を増やして伝送容量を増やすことが
できる。
増やすことができる光並列送信装置を提供する。 【解決手段】 ２入力４出力構造の光導波路型カプラ回
路１０を半導体基板１５上に形成し、光導波路型カプラ
回路１０の各光入力部４、５にレーザダイオード素子
２、３を、各光出力部６〜９に電界吸収型光変調器１１
〜１４を設けてなる。光並列送信装置１に接続される光
伝送路の数に対しレーザーダイオード素子２、３の数を
大幅に少なくできるので、製造良品率を低下させること
なく、光伝送路の数を増やして伝送容量を増やすことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光並列伝送シス
テムを構成する複数の光伝送路に並列に光信号を送信す
る光並列送信装置に関する。
テムを構成する複数の光伝送路に並列に光信号を送信す
る光並列送信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光並列発光装置として、図２に示
すワンチップのレーザーダイオードアレイ１６が知られ
ている。同図に示すレーザーダイオードアレイ１６は、
発光素子としての４個のレーザーダイオード素子１７〜
２０を半導体基板２５上に一括形成してなり、各レーザ
ーダイオード素子１７〜２０の出力部に光伝送路として
の光ファイバ２１〜２４が各々接続されている。各光フ
ァイバ２１〜２４の他端側には受光素子（図示省略）が
設けられており、各レーザーダイオード素子１７〜２０
から出力された光信号が各々の光ファイバ２１〜２４内
を伝搬して受光される。
すワンチップのレーザーダイオードアレイ１６が知られ
ている。同図に示すレーザーダイオードアレイ１６は、
発光素子としての４個のレーザーダイオード素子１７〜
２０を半導体基板２５上に一括形成してなり、各レーザ
ーダイオード素子１７〜２０の出力部に光伝送路として
の光ファイバ２１〜２４が各々接続されている。各光フ
ァイバ２１〜２４の他端側には受光素子（図示省略）が
設けられており、各レーザーダイオード素子１７〜２０
から出力された光信号が各々の光ファイバ２１〜２４内
を伝搬して受光される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光並列
送信装置では、レーザーダイオードアレイを構成する各
レーザーダイオード素子と光伝送路である光ファイバと
が一対一の関係で接続されるため、光伝送路の数を増や
して伝送容量の増大を図るためには、光ファイバと同じ
数だけレーザーダイオード素子の数を増やす必要があ
る。しかし、レーザーダイオード素子の数が増大するに
つれて、その中に不良なレーザーダイオード素子が含ま
れる可能性も増大するため、レーザーダイオードアレイ
の製品良品率が著しく低下するという問題がある。例え
ば、レーザーダイオード素子の製品良品率が１つ当たり
９０％であると仮定すると、レーザーダイオード素子を
１０個有するレーザーダイオードアレイの製品良品率は
３５％まで低下してしまう。このことは文献においても
指摘されており、伝送容量を増やそうとすると従来の光
並列送信装置は極めて生産性が悪く高価なものになって
しまう。（日経エレクトロニクス１９９５．７．１７
（ｎｏ．６４０））。この発明は、上述した従来の技術
の課題を解消し、製造良品率を低下させることなく伝送
容量の増大を図ることができる光並列送信装置を提供す
ることを目的とする。
送信装置では、レーザーダイオードアレイを構成する各
レーザーダイオード素子と光伝送路である光ファイバと
が一対一の関係で接続されるため、光伝送路の数を増や
して伝送容量の増大を図るためには、光ファイバと同じ
数だけレーザーダイオード素子の数を増やす必要があ
る。しかし、レーザーダイオード素子の数が増大するに
つれて、その中に不良なレーザーダイオード素子が含ま
れる可能性も増大するため、レーザーダイオードアレイ
の製品良品率が著しく低下するという問題がある。例え
ば、レーザーダイオード素子の製品良品率が１つ当たり
９０％であると仮定すると、レーザーダイオード素子を
１０個有するレーザーダイオードアレイの製品良品率は
３５％まで低下してしまう。このことは文献においても
指摘されており、伝送容量を増やそうとすると従来の光
並列送信装置は極めて生産性が悪く高価なものになって
しまう。（日経エレクトロニクス１９９５．７．１７
（ｎｏ．６４０））。この発明は、上述した従来の技術
の課題を解消し、製造良品率を低下させることなく伝送
容量の増大を図ることができる光並列送信装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明に係る光並列送信装置は、１つ
または複数の光入力部と複数の光出力部とを有する光導
波路型カプラ回路を基板上に形成し、前記光導波路型カ
プラ回路の各光入力部に発光素子を、各光出力部に電界
吸収型光変調器を設けたことを特徴としている。上記の
如く構成される光並列送信装置は、１つまたは複数の各
発光素子からの光出力を光導波路型カプラ回路により複
数の光出力に変換した後、光導波路型カプラ回路の各出
力部に設けられた電界吸収型光変調器により変調して光
伝送路に出力する。したがって、請求項１記載の発明に
よれば、光並列送信装置に接続される光伝送路の数に対
し発光素子の数を大幅に少なくすることができるので、
製造良品率を低下させることなく、光伝送路の数を増や
して伝送容量を増大させることができる。また、光導波
路型カプラ回路の各出力部からの光出力を電界吸収型光
変調器で高い周波数に変調して出力することができるの
で、極めて効果的に大容量伝送を実現できる。ここで、
発光素子には各種のレーザーダイオード（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）などが使用可能である。請求項２
記載の発明に係る光並列送信装置は、請求項１記載の装
置構成を前提とし、前記基板として半導体基板を用いた
ことを特徴としている。この請求項２記載の発明によれ
ば、基板として半導体基板を用いたことで、前記光導波
路型カプラ回路、前記発光素子、及び前記電界吸収型光
変調器を同一基板上に一括形成できるので、小型かつ高
精度な光並列送信装置を実現できる。
に、請求項１記載の発明に係る光並列送信装置は、１つ
または複数の光入力部と複数の光出力部とを有する光導
波路型カプラ回路を基板上に形成し、前記光導波路型カ
プラ回路の各光入力部に発光素子を、各光出力部に電界
吸収型光変調器を設けたことを特徴としている。上記の
如く構成される光並列送信装置は、１つまたは複数の各
発光素子からの光出力を光導波路型カプラ回路により複
数の光出力に変換した後、光導波路型カプラ回路の各出
力部に設けられた電界吸収型光変調器により変調して光
伝送路に出力する。したがって、請求項１記載の発明に
よれば、光並列送信装置に接続される光伝送路の数に対
し発光素子の数を大幅に少なくすることができるので、
製造良品率を低下させることなく、光伝送路の数を増や
して伝送容量を増大させることができる。また、光導波
路型カプラ回路の各出力部からの光出力を電界吸収型光
変調器で高い周波数に変調して出力することができるの
で、極めて効果的に大容量伝送を実現できる。ここで、
発光素子には各種のレーザーダイオード（ＬＤ）、発光
ダイオード（ＬＥＤ）などが使用可能である。請求項２
記載の発明に係る光並列送信装置は、請求項１記載の装
置構成を前提とし、前記基板として半導体基板を用いた
ことを特徴としている。この請求項２記載の発明によれ
ば、基板として半導体基板を用いたことで、前記光導波
路型カプラ回路、前記発光素子、及び前記電界吸収型光
変調器を同一基板上に一括形成できるので、小型かつ高
精度な光並列送信装置を実現できる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１はこの発明に関わる
光並列送信装置の実施の形態の一例を示す平面図であ
る。同図に示す光並列送信装置１は、２つの光入力部
４、５と４つの光出力部６〜９とを有する光導波路カプ
ラ回路１０を半導体基板１５の表面部に形成し、光導波
路型カプラ回路１０の各光入力部４、５にレーザーダイ
オード素子２、３を、各光出力部６〜９に電界吸収型光
変調器１１〜１４をそれぞれ形成してなる。光導波路カ
プラ回路１０は、２つの光入力部４、５に入力された光
を合波した後２つに分岐する光合分波回路部１０ａと、
その光合分波部１０ａからの光をそれぞれ二つに分岐さ
せて各光出力部６〜９に導く２つの光分岐回路部１０
ｂ、１０ｃとを有している。上記のように構成された光
並列送信装置１は、２つのレーザーダイオード素子２、
３からの光出力を一旦合波した後、４つの光出力に分岐
し、それぞれの光出力を電界吸収型光変調器１１〜１４
で変調して出力する。
いて図面を参照して説明する。図１はこの発明に関わる
光並列送信装置の実施の形態の一例を示す平面図であ
る。同図に示す光並列送信装置１は、２つの光入力部
４、５と４つの光出力部６〜９とを有する光導波路カプ
ラ回路１０を半導体基板１５の表面部に形成し、光導波
路型カプラ回路１０の各光入力部４、５にレーザーダイ
オード素子２、３を、各光出力部６〜９に電界吸収型光
変調器１１〜１４をそれぞれ形成してなる。光導波路カ
プラ回路１０は、２つの光入力部４、５に入力された光
を合波した後２つに分岐する光合分波回路部１０ａと、
その光合分波部１０ａからの光をそれぞれ二つに分岐さ
せて各光出力部６〜９に導く２つの光分岐回路部１０
ｂ、１０ｃとを有している。上記のように構成された光
並列送信装置１は、２つのレーザーダイオード素子２、
３からの光出力を一旦合波した後、４つの光出力に分岐
し、それぞれの光出力を電界吸収型光変調器１１〜１４
で変調して出力する。
【０００６】したがって、この光並列送信装置１によれ
ば、各電界吸収型光変調器１１〜１４の光出力側に光フ
ァイバなどの光伝送路をそれぞれ接続することにより、
２つのレーザーダイオード素子２、３で４つの光伝送路
に並列に光信号を送信することができる。このように光
並列送信装置１に接続される光伝送路の数に対しレーザ
ーダイオード素子２、３の数を大幅に少なくすること
で、製造良品率を低下させることなく、光伝送路の数を
増やして伝送容量の増大を図ることができる。この場
合、レーザーダイオード素子２、３の１個当たりの製品
良品率を９０％と仮定しても、トータルで８１％の製品
良品率が実現可能となる。また、光導波路型カプラ回路
１０の各出力部６〜９からの光出力を変調する手段とし
て電界吸収型光変調器１１〜１４を用いたことにより容
易に１０ＧＨｚ以上の変調速度が実現できるので、極め
て効果的に大容量伝送を実現できる。
ば、各電界吸収型光変調器１１〜１４の光出力側に光フ
ァイバなどの光伝送路をそれぞれ接続することにより、
２つのレーザーダイオード素子２、３で４つの光伝送路
に並列に光信号を送信することができる。このように光
並列送信装置１に接続される光伝送路の数に対しレーザ
ーダイオード素子２、３の数を大幅に少なくすること
で、製造良品率を低下させることなく、光伝送路の数を
増やして伝送容量の増大を図ることができる。この場
合、レーザーダイオード素子２、３の１個当たりの製品
良品率を９０％と仮定しても、トータルで８１％の製品
良品率が実現可能となる。また、光導波路型カプラ回路
１０の各出力部６〜９からの光出力を変調する手段とし
て電界吸収型光変調器１１〜１４を用いたことにより容
易に１０ＧＨｚ以上の変調速度が実現できるので、極め
て効果的に大容量伝送を実現できる。
【０００７】また、この実施の形態の光並列送信装置１
によれば、２つのレーザーダイオード素子２、３のどち
らか一方に万一不良が発生した場合でも、残る一方のレ
ーザーダイオード素子２または３よって支障無く４つの
光伝送路に光信号を送信することができる。なお 半導
体基板１５としては、短波長のレーザダイオード素子を
形成する場合にはＧａＡｓ基板が、長波長のレーザダイ
オード素子を形成する場合にはＩｎＰ基板が一般に用い
られるが、レーザダイオード素子、光導波路カプラ回
路、及び電界吸収型光変調器が形成できる材料であれば
他のものでもかまわない。また、上記実施の形態では、
２×４（２入力４出力）の光導波路カプラ回路を用いて
いるが、これに限るものではなく、１×４、１×１０、
２×２０など、ｎ×Ｎ（ただしｎ＜Ｎ）の様々な入出力
形態の光導波路カプラ回路を用いることができる。した
がって、１つの電界吸収型光変調器で１０ＧＨｚ以上の
変調速度を容易に実現できることを考えると、例えば１
０個の光出力部を有する光導波路カプラ回路を用いるこ
とで１００ＧＨｚ以上の超大容量の光並列伝送システム
を実現することも可能である。
によれば、２つのレーザーダイオード素子２、３のどち
らか一方に万一不良が発生した場合でも、残る一方のレ
ーザーダイオード素子２または３よって支障無く４つの
光伝送路に光信号を送信することができる。なお 半導
体基板１５としては、短波長のレーザダイオード素子を
形成する場合にはＧａＡｓ基板が、長波長のレーザダイ
オード素子を形成する場合にはＩｎＰ基板が一般に用い
られるが、レーザダイオード素子、光導波路カプラ回
路、及び電界吸収型光変調器が形成できる材料であれば
他のものでもかまわない。また、上記実施の形態では、
２×４（２入力４出力）の光導波路カプラ回路を用いて
いるが、これに限るものではなく、１×４、１×１０、
２×２０など、ｎ×Ｎ（ただしｎ＜Ｎ）の様々な入出力
形態の光導波路カプラ回路を用いることができる。した
がって、１つの電界吸収型光変調器で１０ＧＨｚ以上の
変調速度を容易に実現できることを考えると、例えば１
０個の光出力部を有する光導波路カプラ回路を用いるこ
とで１００ＧＨｚ以上の超大容量の光並列伝送システム
を実現することも可能である。
【０００８】
【発明の効果】以上要するに、この発明によれば以下の
如き優れた効果を発揮できる。請求項１記載の発明によ
れば、１つまたは複数の各発光素子からの光出力を光導
波路型カプラ回路により複数の光出力に変換し、光導波
路型カプラ回路の各出力部に設けられた電界吸収型光変
調器により変調して光伝送路に出力することにより、製
造良品率を大幅に改善すると同時に伝送容量を大幅に増
大させることができる。請求項２記載の発明によれば、
光導波路型カプラ回路、発光素子、及び電界吸収型光変
調器を同一基板上に形成することにより小型かつ高精度
な光並列送信装置を実現できる。
如き優れた効果を発揮できる。請求項１記載の発明によ
れば、１つまたは複数の各発光素子からの光出力を光導
波路型カプラ回路により複数の光出力に変換し、光導波
路型カプラ回路の各出力部に設けられた電界吸収型光変
調器により変調して光伝送路に出力することにより、製
造良品率を大幅に改善すると同時に伝送容量を大幅に増
大させることができる。請求項２記載の発明によれば、
光導波路型カプラ回路、発光素子、及び電界吸収型光変
調器を同一基板上に形成することにより小型かつ高精度
な光並列送信装置を実現できる。
【図１】この発明に係る光並列送信装置の実施の形態の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図２】従来の光並列送信装置としてのレーザーダイオ
ードアレイと光伝送路としての光ファイバとの接続形態
を示す図である。
ードアレイと光伝送路としての光ファイバとの接続形態
を示す図である。
１ 光並列送信装置 ２、３ レーザーダイオード素子（発光素子） ４、５ 光入力部 ６〜９ 光出力部 １０ 光導波路カプラ回路 １１〜１４ 電界吸収型光変調器 １０ａ 光合分波回路部 １０ｂ、１０ｃ 光分岐回路部 １５ 半導体基板（基板）
Claims (2)
- 【請求項１】 １つまたは複数の光入力部と複数の光出
力部とを有する光導波路型カプラ回路を基板上に形成
し、前記光導波路型カプラの各光入力部に発光素子を、
各光出力部に電界吸収型光変調器をそれぞれ設けたこと
を特徴とする光並列送信装置。 - 【請求項２】 前記基板として半導体基板を用いたこと
を特徴とする請求項１記載の光並列送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079538A JPH09247092A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 光並列送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079538A JPH09247092A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 光並列送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09247092A true JPH09247092A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13692780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8079538A Pending JPH09247092A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 光並列送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09247092A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6057954A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices |
| JP2007256716A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 光送信器 |
| JP2008306555A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ装置 |
| JPWO2014021258A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2016-07-21 | 日本電気株式会社 | 光送信器および光通信装置 |
-
1996
- 1996-03-07 JP JP8079538A patent/JPH09247092A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6057954A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices |
| JP2007256716A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 光送信器 |
| JP2008306555A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ装置 |
| JPWO2014021258A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2016-07-21 | 日本電気株式会社 | 光送信器および光通信装置 |
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