JP2003046210A - 金属ベ−ス回路基板 - Google Patents
金属ベ−ス回路基板Info
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- JP2003046210A JP2003046210A JP2001227209A JP2001227209A JP2003046210A JP 2003046210 A JP2003046210 A JP 2003046210A JP 2001227209 A JP2001227209 A JP 2001227209A JP 2001227209 A JP2001227209 A JP 2001227209A JP 2003046210 A JP2003046210 A JP 2003046210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】激しい熱衝撃を受けても、絶縁層にクラックが
発生せず、熱放散性に優れる、２００μｍ以上の厚さの
銅回路を有する金属ベース回路基板を提供する。 【解決手段】アルミニウム板上に絶縁層を介して回路を
設けてなる金属ベ−ス回路基板であって、前記回路が厚
さが２００μｍ以上の銅からなり、しかも前記絶縁層の
破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上であることを特徴と
する金属ベ−ス回路基板であり、好ましい実施態様とし
て、前記絶縁層が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹
脂、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂の１種以上からな
ることを特徴とする前記の金属ベース回路基板。
発生せず、熱放散性に優れる、２００μｍ以上の厚さの
銅回路を有する金属ベース回路基板を提供する。 【解決手段】アルミニウム板上に絶縁層を介して回路を
設けてなる金属ベ−ス回路基板であって、前記回路が厚
さが２００μｍ以上の銅からなり、しかも前記絶縁層の
破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上であることを特徴と
する金属ベ−ス回路基板であり、好ましい実施態様とし
て、前記絶縁層が、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹
脂、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂の１種以上からな
ることを特徴とする前記の金属ベース回路基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積に用いる
回路基板に関し、高発熱性電子部品或いは高発熱性電子
部品と制御回路電子部品とを実装することができて電源
用途等の大電力用途にも適用可能な混成集積回路に適し
た高い放熱性が実現される混成集積回路基板に関する。
回路基板に関し、高発熱性電子部品或いは高発熱性電子
部品と制御回路電子部品とを実装することができて電源
用途等の大電力用途にも適用可能な混成集積回路に適し
た高い放熱性が実現される混成集積回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】高発熱性電子部品を実装する回路基板と
して、熱伝導性の良好な金属ベース回路基板が用いられ
ている。金属ベース回路基板は、アルミニウム等の金属
板を基材に用い、金属板上に数十μｍ程度の厚さの無機
フィラー含有樹脂からなる絶縁層を設け、更に前記絶縁
層上に回路が形成されている構造を有する。金属ベース
回路基板は高い熱放散性を有するので、発熱量が大きい
電子部品が搭載される大電力用途に用いられる。
して、熱伝導性の良好な金属ベース回路基板が用いられ
ている。金属ベース回路基板は、アルミニウム等の金属
板を基材に用い、金属板上に数十μｍ程度の厚さの無機
フィラー含有樹脂からなる絶縁層を設け、更に前記絶縁
層上に回路が形成されている構造を有する。金属ベース
回路基板は高い熱放散性を有するので、発熱量が大きい
電子部品が搭載される大電力用途に用いられる。
【０００３】金属ベース回路基板に関して、近年、大電
力用途における一層の大電力化、回路の高密度化、或い
は適用分野の拡大を目的に、より一層熱放散性の高いも
のが強く要望され、例えば、３００μｍの厚い銅箔を回
路導体として用いたものも開発されている。
力用途における一層の大電力化、回路の高密度化、或い
は適用分野の拡大を目的に、より一層熱放散性の高いも
のが強く要望され、例えば、３００μｍの厚い銅箔を回
路導体として用いたものも開発されている。
【０００４】しかしながら、金属ベース回路基板は、一
般に、金属板と金属箔が異なる金属により形成されてい
るため、製造時に受ける熱履歴及び使用雰囲気の温度差
により応力が絶縁層近傍に発生し易い。そのため、例え
ば熱衝撃を繰り返すような使用条件においては、絶縁層
にクラックが発生し、最悪の場合には絶縁破壊を起こす
場合があった。
般に、金属板と金属箔が異なる金属により形成されてい
るため、製造時に受ける熱履歴及び使用雰囲気の温度差
により応力が絶縁層近傍に発生し易い。そのため、例え
ば熱衝撃を繰り返すような使用条件においては、絶縁層
にクラックが発生し、最悪の場合には絶縁破壊を起こす
場合があった。
【０００５】そのため、金属板を回路と同じ銅板にする
という試みも行われたが、重量が重くなる、コストが高
い等の問題点があり、現在、ほとんど使用されていな
い。
という試みも行われたが、重量が重くなる、コストが高
い等の問題点があり、現在、ほとんど使用されていな
い。
【０００６】また、回路導体としてアルミニウムを用い
るという試みも行われたが、基板放熱性が十分でなく適
用分野に制限がある。
るという試みも行われたが、基板放熱性が十分でなく適
用分野に制限がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであり、その目的は、電源用途等
の大電力用途にも適用可能なように、２００μｍ以上の
厚さのある銅回路を有する金属ベース回路基板であって
も、製造工程や実使用条件下で被るような、激しく繰り
返し熱衝撃を受けても、絶縁層にクラックが発生せず、
熱放散性に優れるという特性を維持し続けることができ
る金属ベース回路基板を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、電源用途等
の大電力用途にも適用可能なように、２００μｍ以上の
厚さのある銅回路を有する金属ベース回路基板であって
も、製造工程や実使用条件下で被るような、激しく繰り
返し熱衝撃を受けても、絶縁層にクラックが発生せず、
熱放散性に優れるという特性を維持し続けることができ
る金属ベース回路基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、アルミ
ニウム板上に絶縁層を介して回路を設けてなる金属ベ−
ス回路基板であって、前記回路が厚さが２００μｍ以上
の銅からなり、しかも前記絶縁層の破壊靱性値が３ＭＰ
ａ・ｍ1/2以上であることを特徴とする金属ベ−ス回路
基板であり、好ましい実施態様として、前記絶縁層が、
ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨格
を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有
するエポキシ樹脂の１種以上からなることを特徴とする
前記の金属ベース回路基板であり、更に好ましくは、ア
ルミニウム板の純度が９０質量％以上であり、前記回路
を構成する銅の純度が９５質量％以上であることを特徴
とする前記の金属ベース回路基板である。
ニウム板上に絶縁層を介して回路を設けてなる金属ベ−
ス回路基板であって、前記回路が厚さが２００μｍ以上
の銅からなり、しかも前記絶縁層の破壊靱性値が３ＭＰ
ａ・ｍ1/2以上であることを特徴とする金属ベ−ス回路
基板であり、好ましい実施態様として、前記絶縁層が、
ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨格
を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有
するエポキシ樹脂の１種以上からなることを特徴とする
前記の金属ベース回路基板であり、更に好ましくは、ア
ルミニウム板の純度が９０質量％以上であり、前記回路
を構成する銅の純度が９５質量％以上であることを特徴
とする前記の金属ベース回路基板である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者は、前記した通りに、公
知技術の事情に鑑みて、熱衝撃を受けても絶縁層にクラ
ックが発生する等の異状を発生しない、２００μｍ以上
の厚さを有する金属ベース回路基板を提供するべく、金
属ベース回路基板の構成材料、ことに絶縁層について実
験的に検討を重ね、絶縁層が特定のエポキシ樹脂を選択
するときに、特定の物性を有し、極めて耐熱衝撃性に優
れる金属ベース回路基板を得ることができるという知見
を得て、本発明に至ったものである。
知技術の事情に鑑みて、熱衝撃を受けても絶縁層にクラ
ックが発生する等の異状を発生しない、２００μｍ以上
の厚さを有する金属ベース回路基板を提供するべく、金
属ベース回路基板の構成材料、ことに絶縁層について実
験的に検討を重ね、絶縁層が特定のエポキシ樹脂を選択
するときに、特定の物性を有し、極めて耐熱衝撃性に優
れる金属ベース回路基板を得ることができるという知見
を得て、本発明に至ったものである。
【００１０】即ち、本発明に於いては、絶縁層が３ＭＰ
ａ・ｍ1/2以上の破壊靱性値を有することが本質的であ
り、前記条件を満たすときに、回路の厚さが２００μｍ
以上であっても、製造工程や実使用条件下で熱衝撃を受
けても絶縁層にクラックや、金属板や回路からの剥離が
なく、電気的特性や熱的特性の劣化がなく、従って高信
頼性の金属ベース回路基板が得られる。ここで、回路の
厚さについて、本発明者の実験的検討に拠れば特に上限
を設ける必要はなく、１０００μｍ程度まで適用できる
が、金属ベース回路基板を生産する上で困難さがないこ
とから ２００〜５００μｍがより好ましい範囲として
選択される。
ａ・ｍ1/2以上の破壊靱性値を有することが本質的であ
り、前記条件を満たすときに、回路の厚さが２００μｍ
以上であっても、製造工程や実使用条件下で熱衝撃を受
けても絶縁層にクラックや、金属板や回路からの剥離が
なく、電気的特性や熱的特性の劣化がなく、従って高信
頼性の金属ベース回路基板が得られる。ここで、回路の
厚さについて、本発明者の実験的検討に拠れば特に上限
を設ける必要はなく、１０００μｍ程度まで適用できる
が、金属ベース回路基板を生産する上で困難さがないこ
とから ２００〜５００μｍがより好ましい範囲として
選択される。
【００１１】本発明の金属ベース回路基板は、前記構成
を備えていれば良く、どのような作成方法で得たもので
あっても構わない。即ち、アルミニウム板上に絶縁層の
破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上の絶縁層を形成し、
更にその上に２００μm以上の銅箔を貼り付けた後、前
記銅箔をエッチング等の処理を施し回路を形成する方
法、或いは予めエッチング加工により２００μｍ以上の
厚みの回路を形成し、これを前記特性を有する絶縁層を
介して、アルミニウム板に貼り付ける方法等のいずれの
方法でも構わない。
を備えていれば良く、どのような作成方法で得たもので
あっても構わない。即ち、アルミニウム板上に絶縁層の
破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上の絶縁層を形成し、
更にその上に２００μm以上の銅箔を貼り付けた後、前
記銅箔をエッチング等の処理を施し回路を形成する方
法、或いは予めエッチング加工により２００μｍ以上の
厚みの回路を形成し、これを前記特性を有する絶縁層を
介して、アルミニウム板に貼り付ける方法等のいずれの
方法でも構わない。
【００１２】本発明の絶縁層としては、その破壊靱性値
が３ＭＰａ・ｍ1/2以上であり、金属ベース回路基板の
絶縁層として要求される電気絶縁性、熱伝導性、金属板
や回路との密着性を満足するものであれば、どの様なも
のであっても構わない。前記絶縁層を構成するものとし
て、本発明者の実験的検討に拠れば、例えば、ナフタレ
ン骨格を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有する
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂のいずれか１種以上の樹脂、或いは前記樹脂
に、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素等の絶縁性でしかも熱伝導性に優れる無
機質充填材を適宜添加したもの、更に、粒状、繊維状或
いは織物状のガラスを前記無機充填材に代えて用いた
り、更に追加したもの等が挙げられる。
が３ＭＰａ・ｍ1/2以上であり、金属ベース回路基板の
絶縁層として要求される電気絶縁性、熱伝導性、金属板
や回路との密着性を満足するものであれば、どの様なも
のであっても構わない。前記絶縁層を構成するものとし
て、本発明者の実験的検討に拠れば、例えば、ナフタレ
ン骨格を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有する
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂のいずれか１種以上の樹脂、或いは前記樹脂
に、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素等の絶縁性でしかも熱伝導性に優れる無
機質充填材を適宜添加したもの、更に、粒状、繊維状或
いは織物状のガラスを前記無機充填材に代えて用いた
り、更に追加したもの等が挙げられる。
【００１３】本発明において、前記エポキシ樹脂につい
て、ナフタレン骨格を有し１分子中に少なくとも２個以
上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨
格を有し１分子中に少なくとも２個以上のグリシジル基
を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有
し１分子中に少なくとも２個以上のグリシジル基を有す
るエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂は、得られ
る絶縁層の破壊靱性値が一層高くなるので、好ましく選
択される。
て、ナフタレン骨格を有し１分子中に少なくとも２個以
上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨
格を有し１分子中に少なくとも２個以上のグリシジル基
を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有
し１分子中に少なくとも２個以上のグリシジル基を有す
るエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂は、得られ
る絶縁層の破壊靱性値が一層高くなるので、好ましく選
択される。
【００１４】また、本発明の絶縁層は、前記エポキシ樹
脂を硬化する目的で、アミン、酸無水物、フェノール樹
脂などのエポキシ樹脂硬化剤を含有するが、これらのう
ちで、ナフタレン骨格を有し１分子中に少なくとも２個
以上の水酸基を有するフェノール樹脂、ビフェニル骨格
を有し１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有する
フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有し１分
子中に少なくとも２個以上の水酸基を有するフェノール
樹脂が、得られる絶縁層の靱性値を高くできるので好ま
しく選択される。
脂を硬化する目的で、アミン、酸無水物、フェノール樹
脂などのエポキシ樹脂硬化剤を含有するが、これらのう
ちで、ナフタレン骨格を有し１分子中に少なくとも２個
以上の水酸基を有するフェノール樹脂、ビフェニル骨格
を有し１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有する
フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有し１分
子中に少なくとも２個以上の水酸基を有するフェノール
樹脂が、得られる絶縁層の靱性値を高くできるので好ま
しく選択される。
【００１５】更に、本発明において、絶縁層中には、前
記樹脂の硬化前の粘度を低下させるなどの目的で、液状
低粘度エポキシ樹脂、溶剤、シランカップリング剤、レ
ベリング剤等のいろいろな添加剤を用いることができ
る。
記樹脂の硬化前の粘度を低下させるなどの目的で、液状
低粘度エポキシ樹脂、溶剤、シランカップリング剤、レ
ベリング剤等のいろいろな添加剤を用いることができ
る。
【００１６】本発明において、基板となるアルミニウム
板は通常０．５〜３ｍｍの厚さのものが適用可能であ
る。また、アルミニウム板の材質について、本発明にお
いては、純度が９０質量％以上であることが好ましい。
この理由は明かではないが、本発明者は、アルミニウム
板の純度が９０質量％以上である場合、金属ベース回路
基板が熱衝撃を受けて、回路を構成する銅との熱膨張差
から金属ベース回路基板全体に応力が働いても、その応
力をアルミニウム板が緩和し易く、結果的に、絶縁層と
の密着性を保持し易くなるためと推定している。
板は通常０．５〜３ｍｍの厚さのものが適用可能であ
る。また、アルミニウム板の材質について、本発明にお
いては、純度が９０質量％以上であることが好ましい。
この理由は明かではないが、本発明者は、アルミニウム
板の純度が９０質量％以上である場合、金属ベース回路
基板が熱衝撃を受けて、回路を構成する銅との熱膨張差
から金属ベース回路基板全体に応力が働いても、その応
力をアルミニウム板が緩和し易く、結果的に、絶縁層と
の密着性を保持し易くなるためと推定している。
【００１７】本発明において、回路を構成する銅に関し
ては、電気伝導性に優れる電解箔や圧延箔を用いること
ができるが、回路を構成する銅も応力緩和性に優れるこ
とが、アルミニウム板と同じ理由で好ましい。発明者に
よる実験的検討に拠れば、銅純度が９５％以上であれ
ば、本発明に用いて問題なく、好ましい。
ては、電気伝導性に優れる電解箔や圧延箔を用いること
ができるが、回路を構成する銅も応力緩和性に優れるこ
とが、アルミニウム板と同じ理由で好ましい。発明者に
よる実験的検討に拠れば、銅純度が９５％以上であれ
ば、本発明に用いて問題なく、好ましい。
【００１８】
【実施例】〔実施例１〕厚さ３．０ｍｍのアルミニウム
板（ＪＩＳ Ａ５０５２）上に、酸化アルミニウムを６
０体積％含有するナフタレン型エポキシ樹脂（商品名：
ＨＰ４０３２Ｄ（大日本インキ化学工業社製））１００
質量部に対して、ジアミノジフェニルメタン（商品名：
Ｈ８４Ｂ（日本化薬社製））４５質量部を混合し、硬化
後の厚さが１２５μｍになるように塗布し、２００μｍ
厚の銅箔（純度９９％）をラミネートした。その後、１
５０℃／２時間＋２００℃／５時間の条件でキューアー
を行い、金属ベース基板を作製した。
板（ＪＩＳ Ａ５０５２）上に、酸化アルミニウムを６
０体積％含有するナフタレン型エポキシ樹脂（商品名：
ＨＰ４０３２Ｄ（大日本インキ化学工業社製））１００
質量部に対して、ジアミノジフェニルメタン（商品名：
Ｈ８４Ｂ（日本化薬社製））４５質量部を混合し、硬化
後の厚さが１２５μｍになるように塗布し、２００μｍ
厚の銅箔（純度９９％）をラミネートした。その後、１
５０℃／２時間＋２００℃／５時間の条件でキューアー
を行い、金属ベース基板を作製した。
【００１９】前記金属ベース基板の銅箔上に、スクリー
ン印刷法を用いてエッチングレジストで所望の回路パタ
ーンを形成し、塩化第２銅エッチング液により銅箔の一
部をエッチングし、水洗後、エッチングレジストを除去
し、金属ベース回路基板を作製した。
ン印刷法を用いてエッチングレジストで所望の回路パタ
ーンを形成し、塩化第２銅エッチング液により銅箔の一
部をエッチングし、水洗後、エッチングレジストを除去
し、金属ベース回路基板を作製した。
【００２０】前記金属ベース回路基板を２３０℃のホッ
トプレート上で５分間熱処理し、絶縁層のパターンエッ
チ部にクラックの有無を調べたが、何等異状は認められ
なかった。
トプレート上で５分間熱処理し、絶縁層のパターンエッ
チ部にクラックの有無を調べたが、何等異状は認められ
なかった。
【００２１】また、絶縁層の破壊靱性値を測定するため
に、前記の酸化アルミニウム含有ナフタレン型エポキシ
樹脂とジアミノジフェニルメタンの混合物を、前記キュ
ーアー条件で硬化して、１１０ｍｍ×１１０ｍｍ×３ｍ
ｍtの硬化体を作製し、ＪＩＳファインセラミック破壊
靱性試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６０７）に供した。この結
果を表１に示した。
に、前記の酸化アルミニウム含有ナフタレン型エポキシ
樹脂とジアミノジフェニルメタンの混合物を、前記キュ
ーアー条件で硬化して、１１０ｍｍ×１１０ｍｍ×３ｍ
ｍtの硬化体を作製し、ＪＩＳファインセラミック破壊
靱性試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６０７）に供した。この結
果を表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】〔実施例２〕実施例１において回路の厚み
を５００μｍとしたことを除いては実施例１と同じ条件
で金属ベース回路基板を作製し、実施例１と同じ評価を
行ったところ、やはり異常が認められなかった。
を５００μｍとしたことを除いては実施例１と同じ条件
で金属ベース回路基板を作製し、実施例１と同じ評価を
行ったところ、やはり異常が認められなかった。
【００２４】〔比較例〕厚さ３．０ｍｍのアルミニウム
板上に、酸化アルミニウムを６０体積％含有するビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：エピコート８２８
（油化シェルエポキシ社製））を絶縁層の厚さが１２５
μｍになるように塗布し、厚さ２００μｍの銅箔をラミ
ネートし、加熱下で加圧することにより金属ベース基板
を作製した。
板上に、酸化アルミニウムを６０体積％含有するビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：エピコート８２８
（油化シェルエポキシ社製））を絶縁層の厚さが１２５
μｍになるように塗布し、厚さ２００μｍの銅箔をラミ
ネートし、加熱下で加圧することにより金属ベース基板
を作製した。
【００２５】実施例１と同じ回路パターンを形成し、こ
のサンプルにて実施例１と同じように絶縁層クラックを
調べた結果、絶縁層クラックが発生した。また、実施例
１と同じく、酸化アルミニウム含有エポキシ樹脂の硬化
体を作製し、その破壊靱性値を測定した。この結果を表
１に示した。
のサンプルにて実施例１と同じように絶縁層クラックを
調べた結果、絶縁層クラックが発生した。また、実施例
１と同じく、酸化アルミニウム含有エポキシ樹脂の硬化
体を作製し、その破壊靱性値を測定した。この結果を表
１に示した。
【００２６】
【発明の効果】本発明の金属ベース回路基板は、絶縁層
が破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上のものを用いてい
るので、２００μｍ以上の厚さの銅回路を有していなが
らも、熱衝撃を繰り返すような、或いは激しい熱衝撃を
受ける使用条件においても、絶縁層にクラックが発生せ
ず、熱放散性や電気的特性が劣化しがたいという大きな
特徴があり、大電流用途向け基板に好適である。
が破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上のものを用いてい
るので、２００μｍ以上の厚さの銅回路を有していなが
らも、熱衝撃を繰り返すような、或いは激しい熱衝撃を
受ける使用条件においても、絶縁層にクラックが発生せ
ず、熱放散性や電気的特性が劣化しがたいという大きな
特徴があり、大電流用途向け基板に好適である。
Claims (4)
- 【請求項１】アルミニウム板上に絶縁層を介して回路を
設けてなる金属ベ−ス回路基板であって、前記回路が厚
さが２００μｍ以上の銅からなり、しかも前記絶縁層の
破壊靱性値が３ＭＰａ・ｍ1/2以上であることを特徴と
する金属ベ−ス回路基板。 - 【請求項２】前記絶縁層が、ナフタレン骨格を有するエ
ポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂の１種以
上からなることを特徴とする請求項１記載の金属ベース
回路基板。 - 【請求項３】アルミニウム板の純度が９０質量％以上で
あることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の金属
ベース回路基板。 - 【請求項４】前記回路を構成する銅の純度が９５質量％
以上であることを特徴とする請求項１、請求項２又は請
求項３記載の金属ベ−ス回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001227209A JP4663169B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 金属ベ−ス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001227209A JP4663169B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 金属ベ−ス回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003046210A true JP2003046210A (ja) | 2003-02-14 |
| JP4663169B2 JP4663169B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=19059908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001227209A Expired - Fee Related JP4663169B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | 金属ベ−ス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4663169B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140231122A1 (en) * | 2011-05-20 | 2014-08-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Epoxy resin compound and radiant heat circuit board using the same |
| WO2018193757A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 住友ベークライト株式会社 | アルミニウムベース銅張積層板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2001
- 2001-07-27 JP JP2001227209A patent/JP4663169B2/ja not_active Expired - Fee Related
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