JP2003039303A - バレル研磨方法 - Google Patents

バレル研磨方法

Info

Publication number
JP2003039303A
JP2003039303A JP2001224302A JP2001224302A JP2003039303A JP 2003039303 A JP2003039303 A JP 2003039303A JP 2001224302 A JP2001224302 A JP 2001224302A JP 2001224302 A JP2001224302 A JP 2001224302A JP 2003039303 A JP2003039303 A JP 2003039303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
barrel polishing
polishing
polishing method
barrel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001224302A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Ukuma
裕司 宇熊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001224302A priority Critical patent/JP2003039303A/ja
Publication of JP2003039303A publication Critical patent/JP2003039303A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 水の侵入による特性劣化を防止することがで
き、チッピングの発生を抑えて、充分な研磨量を得るこ
とができるバレル研磨方法を得る。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサの基体12の
端面に引き出された内部電極16を充分に露出させるた
め、基体12にバレル研磨を行なう。バレル研磨は、玉
石と粉体とを研磨材として、水を使用しない乾式で行な
う。全研磨材に対する粉体の体積比率xは、10容量%
<x<90容量%とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、バレル研磨方法
に関し、特に、たとえば積層セラミックコンデンサなど
のような内部電極を有するセラミック電子部品のバレル
研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図1は、その製造工程においてバレル研
磨が施される積層セラミックコンデンサの一例を示す図
解図である。積層セラミックコンデンサ10は、基体1
2を含む。基体12は、複数の誘電体層14と内部電極
16とを積層することによって形成されている。内部電
極16の隣接するものは、それぞれ基体12の対向する
端面に交互に引き出される。この内部電極16が引き出
された端面には、それぞれ外部電極18,20が形成さ
れる。これらの外部電極18,20が内部電極16に接
続されることによって、2つの外部電極18,20間に
静電容量が形成される。
【0003】このような積層セラミックコンデンサ10
を製造するには、誘電体材料で形成されたセラミックグ
リーンシートに内部電極用のパターンが複数印刷され
る。このようなセラミックグリーンシートが積層され、
さらに上下に内部電極用パターンの印刷されていないセ
ラミックグリーンシートが積層される。得られた積層体
を圧着し、内部電極用パターンが形成された部分を分割
するようにカットされて、生チップが得られる。この生
チップを焼成することにより、内部電極16を有する基
体12が形成される。
【0004】この基体12の端面に電極材料を塗布して
焼き付けることにより、外部電極18,20が形成され
るが、生チップを焼成するときに、セラミックグリーン
シート部分より内部電極用パターン部分のほうが熱収縮
率が大きいため、図2に示すように、焼成によって形成
された内部電極16が基体12の端面より奥に入り込ん
だ形状となる。そのため、外部電極18,20を形成し
たときに、内部電極16と外部電極18,20との接続
不良が発生する場合がある。
【0005】そこで、焼成された基体にバレル研磨を施
し、内部電極16が基体12の端面に充分に露出するよ
うにして、外部電極18,20と内部電極16との接続
を確実にしている。このようなバレル研磨の方法として
は、たとえば研磨用の玉石と焼成された基体12と水と
をポットに投入し、ポットを回転させることによって研
磨が行なわれる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、玉石と
水とを用いた湿式バレル研磨では、基体の内部に水が侵
入し、特性劣化を起こす可能性がある。また、バレル研
磨中に基体にチッピングが発生し、基体表面が傷つく場
合がある。
【0007】それゆえに、この発明の主たる目的は、水
の侵入による特性劣化を防止することができ、チッピン
グの発生を抑えて、充分な研磨量を得ることができるバ
レル研磨方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、チップ型電
子部品のバレル研磨方法であって、研磨用の玉石と粉体
とを用いて被研磨物を乾式バレル研磨することを特徴と
し、粉体の体積比率xが、玉石と粉体の全投入量に対し
て、10容量%<x<90容量%の範囲にある、バレル
研磨方法である。このようなバレル研磨方法において、
粉体として、SiCで形成された粉体を用いることがで
きる。また、SiCで形成された粉体の粒度は#100
0以下であることが好ましい。
【0009】水を用いない乾式バレル研磨法を採用する
ことにより、被研磨物内に水が侵入せず、特性劣化を防
止することができる。また、玉石と粉体とを用いること
により、玉石によって被研磨物に押し当てられた粉体が
被研磨物を研磨するとともに、被研磨物と玉石との間の
緩衝材として働いてチッピングの発生が抑えられる。こ
こで、粉体の体積比率xが、玉石と粉体の全投入量に対
して10容量%以下であると、粉体の緩衝材としての効
果が充分に発揮されず、チッピングが発生する。また、
粉体の体積比率xが、玉石と粉体の全投入量に対して9
0容量%以上であると、研磨材としての玉石の効果が弱
められ、内部電極が充分に外部に露出せず、外部電極と
内部電極との間の接続が充分でなくなる場合がある。こ
のようなバレル研磨方法において、研磨材としての効果
と緩衝材としての効果を有する材料として、SiCで形
成された粉体を用いることができ、特にその粒度が#1
000以下のSiC粉体を用いることでその効果を充分
に発揮することができる。
【0010】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【0011】
【発明の実施の形態】チップ型電子部品として、たとえ
ば積層セラミックコンデンサを製造する場合について説
明する。積層セラミックコンデンサを製造するために、
内部電極用パターンとセラミックグリーンシートとが積
層圧着された生チップが形成される。この生チップを焼
成して得られた基体では、図2に示すように、セラミッ
クグリーンシートと内部電極用パターンの熱収縮率の違
いにより、内部電極16が基体12の端面から奥に入り
込んだ形状となっている。この基体を研磨するために、
たとえば部分安定化ジルコニア(PSZ)で形成された
玉石と、SiCで形成された粉体とが準備される。
【0012】次に、ポット内に基体と玉石と粉体とが投
入され、ポットを回転あるいは振動させることによっ
て、玉石と粉体とにより基体が研磨される。このとき、
粉体は玉石によって基体に押し当てられ、玉石から力を
得た粉体によって基体が研磨される。もちろん、玉石に
よっても、基体は研磨される。ここで、粉体の体積比率
xが、玉石と粉体の全投入量に対して、10容量%<x
<90容量%となるように調整される。また、粉体とし
ては、粒度#1000以下のものが用いられる。このよ
うな粒度を有する粉体を用いて、上述の粉体の量となる
ように調整することにより、基体の端部に内部電極を露
出させることができ、内部電極と外部電極との接続を確
実に行なうことができる。また、粉体が研磨材として働
くとともに緩衝材としても働き、基体にチッピングが発
生することを抑えることができる。しかも、水を使用し
ない乾式バレル研磨を行なうことにより、水が基体内に
侵入せず、水による特性劣化を防ぐことができる。
【0013】
【実施例】(実施例1)実施例として、5.7mm×
5.0mm×2.2mmの積層セラミックコンデンサの
基体を評価ワークとして、バレル研磨を行なった。研磨
材として、直径1mmで比重約5.8のPSZ玉石と、
#80で比重約2.8のSiC粉体を準備した。そし
て、ワークと玉石と粉体とを、内容積2Lのポットに投
入した。玉石と粉体との合計投入量は、ポット内容積の
50%とした。この状態で、ポットの回転数220rp
mとして、2時間乾式バレル研磨を行なった。
【0014】ここで、SiC粉体の投入割合を変えてバ
レル研磨を行ない、500個のワークについてチッピン
グ発生率を調べて、表1に示した。なお、ワークに発生
した傷のうち、長径が300μm以上あるものをチッピ
ングとしてカウントした。また、バレル研磨を行なった
ワークに外部電極を形成して静電容量を測定し、SiC
粉体の投入量と容量不足の発生率との関係を表2に示し
た。ここでは、100個のワークについて測定し、規定
容量の95%以下のものを不良品としてカウントした。
【0015】
【表1】
【0016】
【表2】
【0017】表1からわかるように、SiC粉体の投入
量が研磨材全体の10容量%以下では、チッピングが発
生している。これは、SiC粉体が研磨材として働くう
えに、緩衝材としても働き、玉石が強くワークに当るの
を防ぐ効果があるが、SiC粉体の量が少ないと、緩衝
材としての効果が得られないためであると考えられる。
【0018】また、表2からわかるように、SiC粉体
の投入量が研磨材全体の90容量%以上では、静電容量
の不良が発生している。これは、SiC粉体の緩衝材と
しての効果が強すぎて、玉石による研磨効果が抑えら
れ、充分に内部電極が露出しないために、内部電極と外
部電極との接続不良が発生しているためであると考えら
れる。
【0019】(実施例2)実施例1と同じワークおよび
同じ玉石を用いて、SiC粉体の粒度を変えて、500
個のワークについてチッピング発生率を調べ、その結果
を表3に示した。さらに、研磨したワークに外部電極を
形成して静電容量を測定し、100個のワークについ
て、SiC粉体の粒度と静電容量の不良率との関係を調
べ、その結果を表4に示した。なお、SiC粉体の投入
量は、玉石と粉体の全投入量の25容量%とした。ま
た、ポットの内容積、回転数、研磨時間は、実施例1と
同様とした。さらに、チッピングおよび容量不足のカウ
ント条件も、実施例1と同様とした。
【0020】
【表3】
【0021】
【表4】
【0022】表3からわかるように、#80〜#150
0の粒度を有するSiC粉体によって、チッピングの発
生は見られなかった。また、表4からわかるように、S
iC粉体の粒度が#1000を超えると、静電容量の不
良が発生している。これは、SiC粉体の粒度が大きい
と、その粒径が小さくなりすぎてワークの研磨量が少な
くなる場合があり、内部電極が充分に露出せず、内部電
極と外部電極との接続不良が発生しているためであると
考えられる。
【0023】このように、この発明のバレル研磨方法で
は、水の侵入による特性劣化を防止することができる。
また、研磨材として、玉石と粉体とを用いることによ
り、粉体が緩衝材としても働き、被研磨物にチッピング
を発生させずに、充分な研磨量を確保することができ
る。
【0024】
【発明の効果】この発明によれば、バレル研磨時に被研
磨物に水の侵入がなく、特性劣化を防止することができ
る。さらに、玉石以外に粉体を研磨材として用いること
により、粉体が緩衝材としても働き、被研磨物にチッピ
ングが発生することを抑えるとともに、充分な研磨量を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】バレル研磨が適用されるチップ型電子部品の一
例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図であ
る。
【図2】図1に示す積層セラミックコンデンサに用いら
れる基体の端部の様子を示す図解図である。
【符号の説明】
10 積層セラミックコンデンサ 12 基体 14 誘電体層 16 内部電極 18 外部電極 20 外部電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チップ型電子部品のバレル研磨方法であ
    って、 研磨用の玉石と粉体とを用いて被研磨物を乾式バレル研
    磨することを特徴とし、前記粉体の体積比率xが、前記
    玉石と前記粉体の全投入量に対して、10容量%<x<
    90容量%の範囲にある、バレル研磨方法。
  2. 【請求項2】 前記粉体はSiCで形成された粉体であ
    ることを特徴とする、請求項1に記載のバレル研磨方
    法。
  3. 【請求項3】 SiCで形成された前記粉体の粒度は#
    1000以下であることを特徴とする、請求項2に記載
    のバレル研磨方法。
JP2001224302A 2001-07-25 2001-07-25 バレル研磨方法 Pending JP2003039303A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001224302A JP2003039303A (ja) 2001-07-25 2001-07-25 バレル研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001224302A JP2003039303A (ja) 2001-07-25 2001-07-25 バレル研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003039303A true JP2003039303A (ja) 2003-02-13

Family

ID=19057492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001224302A Pending JP2003039303A (ja) 2001-07-25 2001-07-25 バレル研磨方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003039303A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5678919B2 (ja) 電子部品
EP2267808B1 (en) Piezoelectric/electrostrictive element and manufacturing method thereof
JP2007142342A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製法
WO2016159393A1 (ja) セラミック基板、積層体およびsawデバイス
KR20150087334A (ko) 금속-세라믹스 접합 기판 및 그 제조 방법
US9978521B2 (en) Multilayer electronic component
JP3440888B2 (ja) ダイシングブレード及び電子部品の製造方法
JPH07235852A (ja) パイ形フィルタ
JP2015046494A (ja) チップ型電子部品
JP3921946B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JP2002299148A (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP2003039303A (ja) バレル研磨方法
JP2003053656A (ja) バレル研磨方法
JPH0766076A (ja) 積層チップ部品の製造方法と積層チップ部品
JPH10223469A (ja) 積層電子部品及びその製造方法
JP4120270B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法
JPH11234071A (ja) チップ状電子部品の製造方法
JP2004079919A (ja) 積層電子部品の製造方法
JP4345324B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP3319704B2 (ja) 誘電体磁器組成物と磁器コンデンサ
JP4622887B2 (ja) セラミック焼成体の製造方法
JPH0666222B2 (ja) セラミック積層体の製造方法
JP4515562B2 (ja) セラミックス回路基板の製造方法
JPH11162777A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3215410B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法