JP2003031626A - 可変容量ダイオード装置の検査・組立て方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップの特性の連続性を高くすると同時に、
その製造歩留まりを向上させることが可能な可変容量ダ
イオード装置の検査・組み立て方法を提供する。 【解決手段】 リジェクト・チップ処理２２とインサー
ト・チップ処理２３を基本としたチップ並び順策定デー
タ処理１４により、ウェハ上のチップの取り出し順番を
決定する。リジェクト・チップ処理２２では、極性反転
部のチップデータの除外、データ列先頭のチップデータ
の除外、データ列最後尾のチップデータの除外の３段階
の作業を行い、インサート・チップ処理２３では、退避
チップデータの元々の位置への挿入、退避チップデータ
の２点補間位置への挿入、退避チップデータの誤差範囲
充足位置への挿入の３段階の作業を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特性の揃った可変
容量ダイオード装置を連続して組み立てる際に、製品の
特性の連続性を最大限に保つと同時に、その歩留まりを
向上させるための技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器組立ての自動化に伴って、近年
における多くの電子部品は、テープ上に一列に貼り付け
られた形態、あるいはカートリッジ等に規則正しく収納
された形態で、部品メーカーから機器（組立て）メーカ
ーに提供される。図６には、テープ上に一列に貼り付け
た形態で可変容量ダイオード装置を提供するための検査
・組立て工程とその管理システムの概略のブロック図を
示した。

【０００３】図６において、先ず、半導体製造ラインで
生産されたウェハは検査・組立て工程の特性検査工程１
０１に供給される。当然、このウェハ上には可変容量ダ
イオードの本体となる半導体チップ（以下、チップと略
す）が複数個形成されている。特性検査工程１０１では
プローブ検査装置などによってウェハ上の各チップの特
性、具体的には容量値、などを測定する。なお、各チッ
プの容量値の測定は異なった複数のバイアス電圧に対し
てそれぞれ行う。（以下では、所定のバイアス電圧印加
時の容量を議論する時には「容量」と呼び、全てのバイ
アス電圧印加時の容量を一まとめで議論する時には「特
性」と呼ぶ）ここで得られた各チップの特性の検査デー
タはオンラインで管理システムへ送られる。管理システ
ムでは検査装置から送られてくる検査データを順次、デ
ータバッファに蓄積し、それを基にしてウェハ毎に基本
データ列１１１を作成する。

【０００４】具体的に図７でもって検査手順の一例を説
明すると、特性検査工程１０１のプローブ検査では、先
ず、測定プローブをウェハの最も右下のチップの形成位
置に合わせ、そこから縦方向に測定プローブを移動させ
ながら順番に各チップの特性を測定していく。一行の並
びに含まれる全てのチップの特性の測定が終了したら測
定プローブを次の行に移動させ、次行の端のチップから
順にチップの特性を測定していく。この時、測定プロー
ブは一行毎に掃引方向が逆になるようにし、これにより
プローブの移動距離を少なくするようにして移動させ
る。以上の作業を繰り返し、ウェハ上の全チップの特性
を測定する。管理システムでは、このようにして測定さ
れた各チップの検査データ（特性等）から図８に示すよ
うなフォーマットでチップデータおよび基本データ列１
１１を作成し、それをデータバッファ内に蓄積してい
く。

【０００５】全てのチップについて特性の測定の済んだ
ウェハはソーイング工程１０２に送られる。そこでウェ
ハは、テーピングされた後、各チップをその領域毎に取
り出せるようにするため、ソーイングマシンにおいて切
断される。ソーイングを終えたウェハは表面検査工程１
０３に送られる。ここでは作業者がウェハ表面を視認
し、ウェハ上の各チップに汚れ、保護膜の形成ムラ、ソ
ーイングに伴う破損等の不具合が無いかをチェックす
る。もし、あるチップに不具合が見つかった場合、その
チップの表面に不良チップであることを表わすマーキン
グ等の処置を施し、管理システム側にその情報を伝達す
る。これに応じて管理システム側では不良チェック処理
１１２を行い、基本データ列１１１中の不具合チップに
相当するチップデータに対して除外等の処置を施す。

【０００６】その後、ウェハはプール１０４へ送られ、
一時保管される。管理システム側では、適宜、チップ並
べ替えデータ処理１１３を実行し、基本データ列１１１
から組み立て用データ列１１４を作成する。このチップ
並べ替えデータ処理１１３は、従来の一例として、図９
に示すような手順でデータ処理を行っていた。先ず、不
良チップ除外処理１２１において、各チップデータの特
性が仕様に対して適正かどうかを検証する。仕様から外
れてしまう容量値を含むチップデータについては、不良
チップデータとして作業用に複製された基本データ列か
ら除外される。

【０００７】次に、ランク分け処理１２２において、第
１のバイアス電圧（Ｖ１）を印加した時の第１の容量値
（Ｃ_X1）で各チップデータをランク分けする。そして、
ソート処理１２３において、ランク分け処理１２２で分
けられたランク毎に、第２のバイアス電圧（Ｖ２）を印
加した時の第２の容量値（Ｃ_X2）で各チップデータをソ
ートする。その後、ソートされた各ランク毎のデータ列
を連結し、組み立て用データ列１１４を作成する。この
ようにして作成された組み立て用データ列１１４はオリ
ジナルの基本データ列１１１と共に管理システムのデー
タバッファ中に蓄積される。管理システム内では、適
宜、入出庫管理処理１１５を実行し、組み立て用データ
列１１４とプール内のウェハを対応させるなどの作業を
行いながら、ウェハの入出庫および保管などの管理を行
う。

【０００８】検査・組立て工程側の組立て工程１０５
は、供給されたウェハからチップを随時抽出しながら、
可変容量ダイオード装置を連続して組立てる。ここで組
立て工程１０５は、前に供給されていたウェハからのチ
ップ抽出の進捗状況に応じて、所定のタイミングで管理
システムに新しいウェハの供給を要求する。すると管理
システムからプール１０４に所定のウェハを出庫するよ
う指示が出され、その結果、プール１０４から組立て工
程１０５に新しいウェハが供給される。

【０００９】前に供給されていたウェハからのチップの
抽出が終了すると、新しいウェハが組立て工程１０５中
のダイボンディング装置にセットされる。この時、新し
いウェハに対応した組み立て用データ列１１４の少なく
とも一部（例えば、チップの位置情報など）が管理シス
テムから組立て工程１０５に送出される。この後、組立
て工程１０５では、組み立て用データ列１１４に規定さ
れているチップデータの順番に従って新しいウェハから
対象チップを抽出し、可変容量ダイオード装置を組立て
て行く。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】可変容量ダイオード装
置は通信機器の電子同調回路の構成部品として使用され
ることが多い。電子同調回路では可変容量ダイオード装
置を局部発振部分と同調フィルタ部分とで複数個組み合
わせて使用する。ここで、局部発振部分と同調フィルタ
部分で組み合わせて使用される複数個の可変容量ダイオ
ード装置には、トラッキング上の問題から、各々の特性
が揃っていることが要求される。しかし、テープ上に一
列に貼り付けられた複数の可変容量ダイオード装置がど
のような組み合わせで使用されるかについては、可変容
量ダイオード装置の製造段階では特定できない。このた
め、テープ上に一列に貼り付けられた可変容量ダイオー
ド装置は、連続して並ぶＮ個（例えば５個）の可変容量
ダイオード装置の特性の誤差が、テープ上のどこにおい
ても所定の誤差範囲（例えば３％以内）に入るように並
べておく必要が有る。

【００１１】可変容量ダイオード装置の本体であるチッ
プは、同じウェハから取り出したものであっても微妙に
特性が異なる。このため、ウェハ上から特性の近似した
チップを順序良く取り出し、可変容量ダイオード装置を
組立て、さらにそれをテープ上に順に貼りつけなければ
ならない。なお、図６中のチップ並べ替えデータ処理１
１３が、このチップの取り出し順番を決めるための作業
である。従来における最も一般的なチップ並べ替えデー
タ処理１１３では、図９に示すように、チップの取り出
し順番が、所定のバイアス電圧（Ｖ２）印加時の容量値
をソートすることによって決定されていた。

【００１２】しかし、このソートを利用したチップの取
り出し順番の決定には、可変容量ダイオード装置の特性
の連続性を高くする、あるいは特性の連続性を高く保っ
たまま数多くの可変容量ダイオード装置を一列に並べる
上で、次のような問題があった。ちなみに「特性の連続
性」とは、可変容量ダイオード装置を一列に並べた時、
連続して並ぶ可変容量ダイオード装置の個数と、その特
性の誤差の大きさの関係を示唆するものである。ここで
「特性の連続性が高い」とは、可変容量ダイオード装置
を一列に並べた時、列内のどこから取り出した場合で
も、連続したＮ個の可変容量ダイオード装置の誤差範囲
Ｘ％が狭いことを意味する。あるいは逆に、誤差範囲Ｘ
％以内に収まる装置列の個数Ｎが大きいことを意味す
る。

【００１３】例えば、同じウェハから任意に２つのチッ
プを取り出し、その特性を比較した場合、その２つのチ
ップの各特性は図１０に示すいずれかの状態となると考
えられる。図１０中の類型（ａ）は、一方のチップ（i
i）の容量値が他方のチップ（ｉ）の容量値よりも、全
体的にほぼ一定の値だけ高い。この類型（ａ）に示す関
係はウェハ上の隣接している２個のチップを取り出した
場合に現れる。図１０中の類型（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
は、一方のチップ（ii）の容量値が他方のチップ（ｉ）
の容量値よりも、それぞれバイアス電圧の高い範囲、低
い範囲、中間の範囲において大幅に高くなっている。こ
れらの関係は、ウェハ上の離れた位置から２個のチップ
を取り出した場合に多く現れる。

【００１４】所定のバイアス電圧（Ｖ２）印加時の容量
値でもって複数のチップのデータをソートすると、隣接
して並んだ２つのチップデータの“ソートの基礎となっ
た容量値”は非常に近い値となる。このため、ソートに
よってチップの取り出し順序を決定した場合、これに従
って組み立てられた可変容量ダイオード装置の製品列の
特性の連続性は非常に高くなるものと錯覚する。しか
し、ソート後に連続して並んだ２つのチップデータにつ
いて全てのバイアス電圧印加時の容量値を総合的に検証
すると、データ列中の幾つかの箇所で、２つのチップデ
ータの特性に図１０の類型（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示
すような現象が現れる。このような現象が極端な形で発
生した場合、その発生位置で、連続して並ぶＮ個の特性
の誤差が所定の誤差範囲に収まらなくなる。つまり、誤
差範囲が仕様から外れ、一列に並べられた可変容量ダイ
オード装置の特性の連続性が途切れる。その結果、特性
の連続性を所定のレベルに維持できる可変容量ダイオー
ド装置の製品列の個数は少なくなる。

【００１５】特性の連続性が途切れた位置より後、ある
いは前に組み立てられた可変容量ダイオード装置は、特
性の連続性が保証できない製品となる。これらの特性の
連続性が保証できない製品は、その前、あるいは後の可
変容量ダイオード装置と組み合わせて使用できないとい
うだけであって、本来の意味では不良品ではない。しか
し、これらの一部、あるいは大半は不良品と同様に扱わ
れ、廃棄される。このため、チップの取り出し順番が不
適切だと、テープ上に一列に貼り付けられた製品列の至
る所で特性の連続性が途切れることになり、その結果、
可変容量ダイオード装置の製造歩留まりを低くしてしま
う。本発明は以上のような問題点に鑑み、チップの特性
の連続性を高くすると同時に、その製造歩留まりを向上
させることが可能な可変容量ダイオード装置の検査・組
み立て方法を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本発明は、ウェハ上の各チップの容量値を測定し、得
られた各チップの容量値に基づいてチップの抽出順序を
決定し、その抽出順序に従ってチップを取り出し、これ
により特性の揃った可変容量ダイオード装置を連続して
組み立てるための検査・組立て方法であって、ａ）容量
値を含む各チップのチップデータと、当該チップデータ
によるデータ列とを作成する第１のデータ処理と、ｂ）
所定のチップデータを退避チップデータとしてデータ列
から取り除くことにより、退避チップデータ除去後のデ
ータ列内で連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の
誤差が、データ列のどの位置においても所定の範囲に収
まるようにする第２のデータ処理と、ｃ）それぞれの退
避チップデータについて、退避チップデータ除去後のデ
ータ列内の所定位置に退避チップデータを挿入した時に
所定の条件を満たすかどうかを判定し、所定の条件を満
たす場合に退避チップデータを当該所定位置に挿入する
第３のデータ処理と、を含むことを特徴とする。

【００１７】あるいはまた、ウェハ上の各チップの容量
値を測定し、得られた各チップの容量値に基づいてチッ
プの抽出順序を決定し、その抽出順序に従ってチップを
取り出し、特性の揃った可変容量ダイオード装置を連続
して組み立てるための検査・組立て方法であって、ｉ）
容量値を含む各チップのチップデータと、ウェハ毎にチ
ップデータによる基本データ列とを作成する第１のデー
タ処理と、ii）所定のチップデータを退避チップデータ
として基本データ列から取り除くことにより、退避チッ
プデータ除去後のデータ列内で連続して並ぶＮ個のチッ
プデータの容量値の誤差がデータ列のどの位置において
も所定の誤差範囲内に収まるようにする第１の処理ステ
ップと、データ列内の所定の条件を満たす位置に所定の
退避チップデータを挿入する第２の処理ステップとを含
み、ウェハ毎に基本データ列からチップ並び最適化デー
タ列を作成する第２のデータ処理と、iii）所定のチッ
プデータを該チップ並び最適化データ列から除去するこ
とにより、連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の
誤差が連結後のデータ列のどの位置においても所定の誤
差範囲内に収まるように複数のウェハのチップ並び最適
化データ列を連結し、連結後のデータ列のチップデータ
数が最大になる組み合わせを捜す第３のデータ処理と、
を含むことを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施に際しては、先ず、
検査工程から送られてくる検査データから、各チップ毎
のチップデータと、チップデータの集合体であるウェハ
毎の基本データ列を作成する。この基本データ列に対し
てチップ並び順策定データ処理を実行し、チップ並び最
適化データ列を作成する。チップ並び順策定データ処理
では、大きく分けて次の３つの処理を行う。先ず最初
に、不良チップ除外処理において、各チップデータの特
性を検証し、仕様から外れてしまう容量値を含むチップ
データは不良チップデータとして基本データ列から除外
する。

【００１９】次に、リジェクト・チップ処理において、
基本データ列内で連続して並ぶＮ個のチップデータの特
性の誤差が基本データ列内のどの位置においても所定の
誤差範囲に収まるようになるまで、所定のチップデータ
をデータ列から一時退避の形で除外する。なお、具体的
に、このリジェクト・チップ処理においては、極性反転
部のチップデータをデータ列から除外する第１段階と、
先頭のチップデータをデータ列から除外する第２段階
と、最後尾のチップデータをデータ列から除外する第３
段階の各作業を繰り返し実行する。

【００２０】そして最後に、インサート・チップ処理に
おいて、前段の処理によって一時退避の形で除外された
チップデータのうち、挿入可能と判断されたチップデー
タをデータ列中の所定の条件を満たす位置に挿入する。
なお、具体的に、このインサート・チップ処理において
は、除外したチップデータを、データ列中の元来存在し
た位置へ挿入する第１段階と、２点補間条件を満足する
位置へ挿入する第２段階と、チップデータの特性が誤差
範囲を充足する任意の位置へ挿入する第３段階の各作業
を順次実行する。

【００２１】さらに、特性の連続性を維持した状態のま
ま、異なるウェハから得られる可変容量ダイオード装置
の製品列を効率的に連結するために、ウェハ並び順策定
データ処理を実行する。ウェハ並び順策定データ処理で
は、組み立て工程へ供給することが可能な全ウェハの供
給順番が確定されるまで、データ連結処理とウェハ順番
決定処理を繰り返し実行する。ここで、データ連結処理
は、条件が満たされるまで後側に連結されるチップ並び
最適化データ列の先頭のチップデータを除外した上で、
２つのウェハのチップ並び最適化データ列を連結すると
いう作業を行う。また、ウェハ順番決定処理は、チップ
データの数が最大になる前ウェハに対する後ウェハの組
み合わせを捜し、チップ数最大の組み合わせに従ってウ
ェハの供給順番を決定するという作業を行う。

【００２２】

【実施例】図１は本発明が適用される検査・組立て工程
と管理システムの概略のブロック図であり、図２は本発
明によるチップ並び順策定データ処理の手順の流れであ
る。図１、図２を参照しながら本発明による可変容量ダ
イオード装置の検査・組立て方法を説明する。図１にお
いて、検査・組立て工程側の特性検査工程１、ソーイン
グ工程２、表面検査工程３、プール４および組立て工程
５については本発明と従来で何ら変わるところはない。
本発明と従来の可変容量ダイオード装置の各検査・組立
て方法で異なる部分は、管理システム側の基本データ列
１１作成以後のデータ処理の内容とその手順である。

【００２３】すなわち、管理システム側では、特性検査
工程１において測定された各チップの特性の検査データ
からチップデータおよび基本データ列１１を作成し、そ
れをデータバッファ内に蓄積していく。表面検査工程３
で表面に不具合があるチップが見つかった場合、不良チ
ェック処理１２によって不具合チップのチップデータを
基本データ列１１から除外する等の処置を施しておく。
このようにして完成された基本データ列１１に対してチ
ップ並び順策定データ処理１３を実行し、基本データ列
１１からチップ並び最適化データ列１４を作成する。こ
こで、チップ並び順策定データ処理１３は図２に示すよ
うな手順で処理を進める。

【００２４】先ず不良チップ除外処理２１において、各
チップデータの特性を検証し、仕様から外れてしまう容
量値を含むチップデータを不良チップデータとして作業
用に複製した基本データ列から除外する。次に、リジェ
クト・チップ処理２２に進み、作業用に複製した基本デ
ータ列内で連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤
差を検証しながら、その誤差が基本データ列内のどの位
置においても所定の誤差範囲に収まるようにする。この
リジェク・トチップ処理２２では、連続して並ぶＮ個の
チップデータの特性の誤差が基本データ列内のどの位置
においても所定の誤差範囲に収まるようになるまで、次
の３段階の作業を各々繰り返し実行する。なお、従来の
ソートとは異なり、各作業は測定された全てのバイアス
電圧印加時の容量値に対して順次行う。

【００２５】第１段階：その直前・直後に位置するチッ
プデータの容量値が両方とも高く、あるいは両方とも低
くなるような容量値を持つチップデータ、すなわち、容
量値変化量の極性が反転する位置のチップデータ（以
下、極性反転部のチップデータと呼ぶ）を捜す。もし、
連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が所定の
誤差範囲に入らない場合、この極性反転部のチップデー
タを退避チップデータとして基本データ列から除外す
る。 第２段階：基本データ列の先頭のチップデータと基本デ
ータ列内で最初に現れる極性反転部のチップデータの間
に存在するチップデータを抽出する。もし、連続して並
ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が所定の誤差範囲に
入らない場合、先頭のチップデータを退避チップデータ
として基本データ列から除外する。

【００２６】第３段階：基本データ列の最後尾のチップ
データと基本データ列内で最後に現れる極性反転部のチ
ップデータの間に存在するチップデータを抽出する。も
し、連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が所
定の誤差範囲に入らない場合、最後尾のチップデータを
退避チップデータとして基本データ列から除外する。 なお、第１から第３の各段階において発生した退避チッ
プデータは、次のインサート・チップ処理２３で使用す
る。このため退避チップデータは、バッファ内の別の領
域に一時退避させておく。

【００２７】そして次に、インサート・チップ処理２３
に進み、リジェクト・チップ処理２２で発生した退避チ
ップデータのうち、挿入可能と判断された退避チップデ
ータを基本データ列中の所定の条件を満たす位置に挿入
する。なお、インサート・チップ処理２３では、挿入条
件によって次の３段階の作業を実行する。 第１段階：所定の退避チップデータを、それが基本デー
タ列の元々の存在位置に戻してみて、もし、その退避チ
ップデータを含む連続して並ぶＮ個のチップデータの特
性の誤差が所定の誤差範囲に収まるならば、その退避チ
ップデータを基本データ列の元来存在した位置に挿入す
る。ただし、この第１段階の作業を行うに当たっては、
退避チップデータの種類に応じて次のような順序で進め
る。

【００２８】（１）基本データ列の前後Ｎ個（計２Ｎ
個）を除いた基本データ列の中間の区間に入る退避チッ
プデータついて検証する。 （２）基本データ列の先頭からＮ個の区間に入る退避チ
ップデータついて検証する。 （３）基本データ列の先頭に入る退避チップデータつい
て検証する。 （４）基本データ列の最後尾からＮ個の区間に入る退避
チップデータついて検証する。 （５）基本データ列の最後尾に入る退避チップデータつ
いて検証する。

【００２９】第２段階：所定の退避チップデータを基本
データ列中の任意の位置の戻してみて、もし、その退避
チップデータに含まれる全ての容量値が、当該位置の直
前と直後のチップデータの各容量値の２点補間条件を満
たすならば、その退避チップデータを基本データ列中の
当該位置に挿入する。なお、ここで言う「２点補間条
件」とは、例えば２つの値がＣ１とＣ２（＝Ｃ１＋α）
であったとすると、判定対象の値Ｃ３がＣ１以上Ｃ２以
下であることを意味する。 第３段階：所定の退避チップデータを基本データ列中の
任意の位置に戻してみて、もし、その退避チップデータ
を含む連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が
所定の誤差範囲に入るならば、その退避チップデータを
基本データ列中の当該位置に挿入する。

【００３０】以上のようなチップ並び順策定データ処理
１３により、基本データ列１１からチップ並び最適化デ
ータ列１４が作成される。このチップ並び最適化データ
列１４は、オリジナルの基本データ列１１と共に管理シ
ステムのデータバッファ中に蓄積される。管理システム
内では、プールに入庫されているウェハの組立て工程へ
の供給順序を決定するため、所定のタイミングで図３に
示すような処理手順のウェハ並び順策定データ処理１６
を実行する。

【００３１】先ず、データ列連結処理３１において、既
に供給順番の確定しているウェハのチップ並び最適化デ
ータ列を前、供給順番の確定していない任意のウェハの
チップ並び最適化データ列を後ろとして、２つのチップ
並び最適化データ列を連結する。ただし、そのまま２つ
のチップ並び最適化データ列を連結すると、連結部付近
では、連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が
所定の誤差範囲に入らなくなる。そこで、図４に示すよ
うに、連結されて１つになったチップ並び最適化データ
列（以下、連結後データ列と言う）のどの位置において
も、連続して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が所
定の誤差範囲に入るようになるまで、後側のチップ並び
最適化データ列の先頭のチップデータを繰り返し除外す
る（）。その後で２つのチップ並び最適化データ列を
連結する（）という２段階で作業を行う。

【００３２】そして次に、ウェハ順番決定処理３２にお
いて、連結後データ列に含まれるチップデータの数が最
大になる前ウェハに対する後ウェハの組み合わせを捜し
出し、その組み合わせに従って供給順番の確定していな
い後ウェハの供給順番を決定する。以上の処理をプール
４内に存在する全てのウェハの供給順番が確定するまで
繰り返し実行し、各ウェハの組立て工程への供給順序を
決定する。これにより定められたウェハの供給順序のデ
ータは基本データ列１１、チップ並び最適化データ列１
４と共に管理システムのデータバッファ中に蓄積され
る。そして、ウェハの供給順序のデータは、適宜実行さ
れる入出庫管理処理１５において参照され、ウェハの管
理に利用される。

【００３３】検査・組立て工程側の組立て工程５では、
ウェハからチップを随時抽出しながら可変容量ダイオー
ド装置を連続して組立てる。ここで組立て工程は、前に
供給されていたウェハからのチップ抽出の進捗状況に応
じて、所定のタイミングで管理システムに新しいウェハ
の供給を要求する。すると、管理システムからプール４
に対し、ウェハ並び順策定データ処理１６で決定された
供給順序に従って、所定のウェハを出庫するよう指示が
出る。その結果、プール４から組立て工程５に新しいウ
ェハが供給される。

【００３４】それまでセットされていたウェハからのチ
ップの抽出が終了すると、それと交替で新しいウェハが
組立て工程５内の組み立て装置（ダイボンディング装
置）にセットされる。この時、新しいウェハのチップ並
び最適化データ列１４の少なくとも一部が管理システム
から組立て工程５に送出される。この後、組立て工程５
は、チップ並び最適化データ列１４で定められているチ
ップの取り出し順番に従って新しいウェハからチップを
抽出し、可変容量ダイオード装置を組立てて行く。以上
が本発明を適用した可変容量ダイオード装置の検査・組
立て工程と管理システムの処理の流れである。

【００３５】ところで、基本データ列１１内のチップデ
ータの並び順序（＝チップＮｏ，）は、検査工程１にお
けるチップの検査順序に従っている。検査装置のプロー
ブは、１つのチップの特性の検査が終了すると、そのチ
ップに隣接する未検査のチップの上へと移動するという
動作を繰り返す。このため、基本データ列内で連続して
並ぶチップデータは、本来、ウェハ上で隣接したチップ
の検査データで構成されている。ある所定のバイアス電
圧印加時に限定して容量値を比較した場合、ウェハ上で
互いに離れた位置に有る２つのチップの中から、ほぼ同
じ容量値を持つチップの組み合わせを見つけることがで
きる。しかし、特性全体を総合的に比較した場合、互い
に離れた位置に有る２つのチップよりも、隣接した位置
に有る２つのチップの方が近い特性を持つと考えられ
る。これは、ウェハ上で隣接した２つのチップは、ウェ
ハ製造時における処理条件の誤差が最も小さいであろう
と推定されるためである。

【００３６】従来において使用されていたソート処理の
欠点は、ある一つのバイアス電圧印加時における容量値
だけが比較対象となる点に有る。すなわち、ソート処理
を行うと、全体的に近い特性値を持ち、もともと連続し
て並んでいる２つのチップデータの間に、あるバイアス
電圧（Ｖ２）印加時の容量値は非常に近いが、少なくと
も一つの他のバイアス電圧（Ｖ３、Ｖ４、・・・）印加
時の容量値が大きくかけ離れたチップデータが挿入され
るという問題を生じる。この問題は、所定のバイアス電
圧（Ｖ２）印加時における容量値でソートを実行した後
に別のバイアス電圧（Ｖ３）印加時における容量値等で
ソートを再度実行しても解消されることは無い。程度の
差は有りこそすれ、判断基準となる容量値が変わるだけ
である。

【００３７】これに対して本発明におけるチップ並び順
策定データ処理１３は、連続して並ぶＮ個のチップデー
タの特性の誤差が所定の誤差範囲から外れる原因となる
チップデータを、一旦、退避チップデータとしてデータ
列から除外する。その後、救済可能な退避チップデータ
についてはデータ列中の所定の条件を満たす位置に挿入
するようにしている。このため、本発明に基づいて作成
されたチップ並び最適化データ列１４は、ウェハ上で隣
接した状態にあるチップのチップデータの並びを乱すこ
とが少なく、全体的に特性の近似したチップデータがデ
ータ列内で連続して並ぶ。しかも、全てのバイアス電圧
印加時の容量値を総合的に比較した上で、チップデータ
の除外および挿入の判断を行っている。このため、従来
よりも可変容量ダイオード装置の特性の連続性を高い値
で維持でき、製造歩留まりを格段に向上させることがで
きるのである。

【００３８】ちなみに、実在するウェハの検査データを
使用して、同一条件の下で、本発明と従来の２つの可変
容量ダイオード装置の検査・組み立て方法の各製品歩留
まりがどのようになるか比較してみた。その結果、いず
れのウェハの検査データ、条件においても、ソートを利
用した従来の方法よりも、リジェクトチップ／インサー
トチップを利用した本発明の方法の方が格段に高い製品
歩留まりとなった。具体的には、市場において求められ
る一般的な条件（特性の連続性を５〜６個で判定）より
も少々高めの条件（７個で判定）に設定した場合でも、
本発明による可変容量ダイオード装置の検査・組み立て
方法では９０％前後（最大９５％）の高い製品歩留まり
を実現することができた。これは換言すると、本発明に
よる可変容量ダイオード装置の検査・組み立て方法を適
用すれば、従来より可変容量ダイオード装置の製品列の
特性の連続性が高くなるということに他ならない。

【００３９】本発明による可変容量ダイオード装置の検
査・組立て方法では、ウェハからのチップの取り出し順
序をチップ並び順策定データ処理１３で決定している。
このチップ並び順策定データ処理１３で行われるリジェ
クト・チップ処理２２およびインサート・チップ処理２
３の各処理について以下に説明を補足する。

【００４０】基本データ列１１内の各チップデータに付
与されているチップＮｏ，を横軸、容量値を縦軸とした
時、各チップデータの所定のバイアス電圧印加時の容量
値は図５の上側に示す曲線のように変化する。すなわ
ち、容量値は波打つように変化し、極大値と極小値を交
互に出現させる。連続して並ぶＮ個のチップデータの特
性の誤差が所定の誤差範囲から外れる箇所（以下、連続
性阻害箇所と言う）を探し出し、図５と対比させた結
果、その連続性阻害箇所は、基本データ列の先頭のチッ
プデータの付近、最後尾のチップデータの付近、容量値
が極大値を示すチップデータの付近、および、容量値が
極小値を示すチップデータの付近に集中して現れること
が分かった。

【００４１】そこで、本発明によるチップ並び順策定デ
ータ処理１３のリジェクト・チップ処理２２では、連続
して並ぶＮ個のチップデータの特性の誤差が所定の誤差
範囲に入らない場合、極性反転部のチップデータ、デー
タ列先頭のチップデータ、データ列最後尾のチップデー
タを退避チップデータとしてデータ列から除外すること
としている。連続性阻害箇所を作る要因（以下、連続性
阻害要因と言う）となっているチップデータが極性反転
部のチップデータではなく、その付近のチップデータで
あっても、リジェクト・チップ２２処理を繰り返すうち
に、連続性阻害要因となっているチップデータを確実に
データ列から除外することができる。このため、本発明
によるチップ並び順策定データ処理１３では、リジェク
ト・チップ処理２２のデータ処理に複雑な論理展開を必
要とせず、なおかつ連続性阻害要因となっているチップ
データを効率的にデータ列から除去することが可能であ
る。

【００４２】ただし、極性反転部のチップデータを退避
チップデータとする処理を繰り返すと、本来は連続性阻
害要因ではないチップデータを退避チップデータとして
しまうことがある。そこで、本発明によるチップ並び順
策定データ処理１３のインサート・チップ処理２３で
は、第１段階の作業において、退避チップデータを基本
データ列の元々の存在位置に戻してみて、その挿入可能
性を検証している。これにより、本来は連続性阻害要因
のチップデータではないにも関わらず退避チップデータ
となってしまったチップデータが救済されることにな
る。

【００４３】また、本発明によるチップ並び順策定デー
タ処理１３のインサート・チップ処理２３では、第２段
階において、２点補間条件を満足する位置（以下、２点
補間位置という）への退避チップデータの挿入を行って
いる。その後、第３段階において、連続して並ぶＮ個の
チップデータの誤差を検証しながら任意の誤差範囲充足
位置への退避チップデータの挿入を行っている。第３段
階の任意の誤差範囲充足位置への退避チップデータの挿
入は、できるだけ多くの退避チップデータを救済するた
めに行われる。一方、第２段階の２点補間位置への退避
チップデータの挿入は、退避チップデータの救済以外に
も、演算処理の負荷軽減と、データ列の特性の連続性を
高める機能も果たしている。

【００４４】つまり、２点補間位置へ退避チップデータ
の挿入する場合、連続して並ぶＮ個のチップデータの特
性の誤差を検証しなくとも、確実に特性の連続性が確保
できる。このため、演算処理の負荷が比較的重い誤差の
検証作業が必要な退避チップデータの数を減らすことが
できる。また仮に、データ列中のある位置において連続
して並ぶ５個のチップデータの特性の誤差が２．８％だ
ったとする。ここに２点補間の条件を満たす退避チップ
データが挿入されると、誤差が同じ２．８％でも、連続
してチップデータの数は５個から６個に増えることにな
り、実質的に、その位置における特性の連続性を向上さ
せることができる。なお、これらの各処理・各作業段階
を経て得られたチップ並び最適化データ列１４では、チ
ップデータの所定のバイアス電圧印加時の容量値が図５
の下側に示す曲線のように変化するようになる。

【００４５】以上までの本発明の実施例では、データ処
理の過程の理解を容易にするため、退避チップデータを
まるごとデータ列から除外、あるいはデータ列に挿入す
る形で説明している。しかし、本発明の実施に際して
は、実際にチップデータを除外・挿入せずとも、各チッ
プデータに新たな数値や記号を付与し、その数値や記号
の変更によって、実質的にデータの挿入・除外と同様な
作用を持つデータ処理で実現しても構わない。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明による可
変容量ダイオード装置の検査・組み立て方法は、リジェ
クト・チップ処理とインサート・チップ処理を基本とし
たデータ処理により、ウェハ上のチップの取り出し順番
を決定することを特徴としている。具体的には、リジェ
クト・チップ処理では、極性反転部のチップデータの一
時退避、データ列の先頭のチップデータの一時退避、最
後尾のチップデータの一時退避の３段階の作業を行い、
インサート・チップ処理では、元々の位置への挿入、２
点補間位置への挿入、誤差範囲充足位置への挿入の３段
階の作業を行うことを特徴としている。

【００４７】このような本発明においては、ウェハ製造
時における処理条件の誤差が最も小さいであろうと推定
される隣接したチップに対応したチップデータの並びを
乱すことが少ない。また、全てのバイアス電圧印加時の
容量値を総合的に比較した上でチップデータの除外およ
び挿入の判断が行われている。このため、一列に並べら
れた可変容量ダイオード装置の特性の連続性を高い値に
維持でき、製造歩留まりを格段に向上させることができ
る。

【００４８】具体的なデータ処理の方法について見る
と、本発明では極性反転部のチップデータを退避チップ
データとしている。これにより、リジェクト・チップ処
理のデータ処理に複雑な論理展開を必要とせず、なおか
つ特性の連続性阻害要因となっているチップデータを効
率的にデータ列から除去できる。また、退避チップデー
タを救済するに当たっては、２点補間位置へ挿入すると
いう作業段階を含んでいる。これにより、演算処理の負
荷軽減と、データ列の特性の連続性が向上する、という
付帯的な効果も得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明が適用される検査・組立て工程と管理
システムの概略のブロック図。

【図２】 本発明によるチップ並び順策定データ処理の
フローチャート。

【図３】 本発明によるウェハ並び順策定データ処理の
フローチャート。

【図４】 ウェハ並び順策定データ処理の一部を構成す
るデータ連結処理の概念を示す図。

【図５】 各データ列の容量値変化を示す図。

【図６】 従来の検査・組立て工程と管理システムの概
略のブロック図。

【図７】 検査手順の一例を示す図。

【図８】 チップデータ及び基本データ列のフォーマッ
トの一例を示す図。

【図９】 従来のチップ並べ替えデータ処理のフローチ
ャート。

【図１０】 任意の２つのチップデータが示す特性の類
型を示す図。

【符号の説明】

１：特性検査工程 ２：ソーイング工程 ３：
表面検査工程 ４：プール ５：組立て工程
１１：基本データ列 １３：チップ並び順策定
データ処理 １４：チップ並び最適化データ列
１５：入出庫管理処理 １６：ウェハ並び順策定
データ処理 ２１：不良チップ除外処理 ２
２：リジェクト・チップ処理 ２３：インサート・
チップ処理 ３１：データ連結処理 ３２：ウェハ順番決定処理

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハ上の各チップの容量値を測定し、
   得られた該各チップの容量値に基づいて該チップの抽出
   順序を決定し、該抽出順序に従って特性の揃った可変容
   量ダイオード装置を連続して組み立てるための検査・組
   立て方法であって、 ａ）容量値を含む各チップのチップデータと、該チップ
   データの集合体である基本データ列とを作成する第１の
   データ処理と、 ｂ）所定のチップデータを退避チップデータとして該基
   本データ列から除外し、該退避チップデータ除外後の該
   データ列内で連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値
   の誤差が、該データ列のどの位置においても所定の範囲
   に収まるようにする第２のデータ処理と、 ｃ）それぞれの退避チップデータについて、該第２のデ
   ータ処理を経た該データ列内の所定位置に該退避チップ
   データを挿入した時に所定の条件を満たすかどうかを判
   定し、該所定の条件を満たす場合に該退避チップデータ
   を該所定位置に挿入する第３のデータ処理と、 を含むことを特徴とする可変容量ダイオード装置の検査
   ・組立て方法。
2. 【請求項２】 前記基本データ列内のチップデータの順
   列が前記チップの容量値の測定順序に従っていることを
   特徴とする、請求項１に記載した可変容量ダイオード装
   置の検査・組立て方法。
3. 【請求項３】 前記第２のデータ処理が、 その直前と直後に位置するチップデータの容量値が両方
   とも高く、あるいは低くなるような極性反転部のチップ
   データを前記退避チップデータとする作業段階を含んで
   いることを特徴とする、請求項１あるいは請求項２に記
   載した可変容量ダイオード装置の検査・組立て方法。
4. 【請求項４】 前記第２のデータ処理が、 前記データ列の先頭のチップデータと該データ列で最初
   に現れる前記極性反転部のチップデータとの間に存在す
   るチップデータを含んで連続して並ぶＮ個のチップデー
   タの容量値の誤差が前記所定の誤差範囲内に収まらない
   場合、さらに、連続して並ぶＮ個のチップデータの中で
   容量値の最も大きいチップデータあるいは容量値の最も
   小さいチップデータを前記退避チップデータとする作業
   段階を含むことを特徴とする、請求項３に記載した可変
   容量ダイオード装置の検査・組立て方法。
5. 【請求項５】 前記第３のデータ処理が、 １）所定の前記退避チップデータを前記データ列内の元
   の位置に挿入した時、該所定の退避チップデータを内包
   して連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の誤差が
   前記所定の誤差範囲内に収まるかどうかを判定し、該誤
   差が該誤差範囲に収まる場合に該所定の退避チップデー
   タを該データ列の元の位置に挿入する第１の作業段階
   と、 ２）該所定の退避チップデータの容量値が該データ列内
   で連続して並ぶ任意の２つのチップデータの各容量値の
   補間位置に入る値かどうかを判定し、該退避チップデー
   タの容量値が該補間位置に入る値である場合に、該退避
   チップデータを該連続して並ぶ任意の２つのチップデー
   タの間の位置に挿入する第２の作業段階と、 ３）該退避チップデータを前記データ列中の所定位置に
   挿入した時、該退避チップを内包して連続して並ぶＮ個
   のチップデータの容量値の誤差が所定の誤差範囲内に収
   まるかどうかを判定し、該誤差が所定の誤差範囲内に収
   まる場合に該退避チップデータを該データ列内の該所定
   位置に挿入する第３の作業段階とを含むことを特徴とす
   る、請求項１から請求項４のいずれかに記載した可変容
   量ダイオード装置の検査・組立て方法。
6. 【請求項６】 ウェハ毎に各チップの容量値を測定し、
   得られた該チップの容量値に基づいて該チップの抽出順
   序と該ウェハの供給順序を決定し、該供給順序と該抽出
   順序に従って特性の揃った可変容量ダイオード装置を連
   続して組み立てるための検査・組立て方法であって、 ｉ）容量値を含む各チップのチップデータと、ウェハ毎
   に該チップデータの集合体である基本データ列とを作成
   する第１のデータ処理と、 ii）所定のチップデータを退避チップデータとして該基
   本データ列から取り除くことにより、該退避チップデー
   タ除去後のデータ列内で連続して並ぶＮ個のチップデー
   タの容量値の誤差が、該データ列のどの位置においても
   所定の誤差範囲内に収まるようにする第１の処理ステッ
   プと、該第１の処理ステップを経た該データ列内の所定
   の条件を満たす位置に、所定の退避チップデータを挿入
   する第２の処理ステップとを含み、これによりウェハ毎
   に該チップの抽出順序を規定するチップ並び最適化デー
   タ列を作成する第２のデータ処理と、 iii）連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の誤差
   がどの位置においても所定の誤差範囲内に収まるように
   複数のウェハのチップ並び最適化データ列を連結した上
   で、該連結後のデータ列のチップデータの数が最大にな
   るウェハの組み合わせを順次求め、これにより該ウェハ
   の供給順序を決定する第３のデータ処理と、 を含むことを特徴とする可変容量ダイオード装置の検査
   ・組立て方法。
7. 【請求項７】 前記第２のデータ処理の第１の処理ステ
   ップが、 その直前と直後に位置するチップデータの容量値が両方
   とも高く、あるいは低くなるような極性反転部のチップ
   データを前記退避チップデータとする処理を含むことを
   特徴とする、請求項６に記載した可変容量ダイオード装
   置の検査・組立て方法。
8. 【請求項８】 前記第２のデータ処理の第２の処理ステ
   ップが、 １）所定の前記退避チップデータを前記データ列内の元
   の位置に挿入した時、該所定の退避チップデータを内包
   して連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の誤差が
   前記所定の誤差範囲内に収まるかどうかを判定し、該誤
   差が該誤差範囲に収まる場合に該所定の退避チップデー
   タを該データ列の元の位置に挿入する第１の作業段階
   と、 ２）該所定の退避チップデータの容量値が該データ列内
   で連続して並ぶ任意の２つのチップデータの各容量値の
   補間的な値かどうかを判定し、該退避チップデータの容
   量値が該補間的な値である場合に該退避チップデータを
   該連続して並ぶ任意の２つのチップデータの間に挿入す
   る第２の作業段階と、 ３）該退避チップデータを前記データ列中の任意の所定
   位置に挿入した時、該退避チップを内包して連続して並
   ぶＮ個のチップデータの容量値の誤差が所定の誤差範囲
   内に収まるかどうかを判定し、該誤差が所定の誤差範囲
   内に収まる場合に該退避チップデータを該データ列内の
   該任意の所定位置に挿入する第３の作業段階とを含むこ
   とを特徴とする、請求項６と請求項７のいずれかに記載
   した可変容量ダイオード装置の検査・組立て方法。
9. 【請求項９】 前記第３のデータ処理が、 １）連続して並ぶＮ個のチップデータの容量値の誤差が
   連結後のデータ列のどの位置においても所定の誤差範囲
   内に収まるようになるまで第２のウェハのチップ並び最
   適化データ列の先頭のチップデータを除去した上で、第
   １のウェハのチップ並び最適化データ列に該第２のウェ
   ハのチップ並び最適化データ列を連結する第１の作業段
   階と、 ２）該第１の作業段階を経た該連結後のデータ列に含ま
   れるチップデータの数が最大になる該第１と該第２のウ
   ェハの組み合わせを捜し、その組み合わせに従って該第
   ２のウェハの供給順序を決定する第２の作業段階と、 を含むことを特徴とする、請求項６から請求項８のいず
   れかに記載した可変容量ダイオード装置の検査・組立て
   方法。