JP2003031114A - 電子源の製造方法 - Google Patents
電子源の製造方法Info
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- JP2003031114A JP2003031114A JP2001214967A JP2001214967A JP2003031114A JP 2003031114 A JP2003031114 A JP 2003031114A JP 2001214967 A JP2001214967 A JP 2001214967A JP 2001214967 A JP2001214967 A JP 2001214967A JP 2003031114 A JP2003031114 A JP 2003031114A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】一つのチップ上に微小突起を、精度良く、しか
も安価に再現性高く、形成するための電子源の製造法を
提供する。 【解決手段】電子放射材料からなる一つの平面上に、複
数の凸部を形成することを特徴とする電子源の製造方法
であり、電子放射材料として希土類元素の六硼化物など
を用い、電子放射部分を選択的電解研磨法により形成す
ることを特徴とする前記の電子源の製造方法であり、好
ましくは、選択的電解研磨法により形成された電子放射
部分の先端部に更に機械研磨法を適用して平坦部を形成
することを特徴とする前記の電子源の製造方法。
も安価に再現性高く、形成するための電子源の製造法を
提供する。 【解決手段】電子放射材料からなる一つの平面上に、複
数の凸部を形成することを特徴とする電子源の製造方法
であり、電子放射材料として希土類元素の六硼化物など
を用い、電子放射部分を選択的電解研磨法により形成す
ることを特徴とする前記の電子源の製造方法であり、好
ましくは、選択的電解研磨法により形成された電子放射
部分の先端部に更に機械研磨法を適用して平坦部を形成
することを特徴とする前記の電子源の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程の
一つである電子ビーム（ＥＢ）露光用などに用いられる
電子源の製造方法に関する。
一つである電子ビーム（ＥＢ）露光用などに用いられる
電子源の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体デバイスの微細化に伴い、設
計ルールが１００ｎｍ以下の露光技術の要請が高まって
いる。そのうち、露光技術としてマスクを用いたＶＵ
Ｖ、ＰＸＬ、ＥＵＶ等の研究開発が進められている。一
方、高速ＥＢ描画技術は、ＥＢのマスクレスと高解像性
能という特徴を生かし、今後期待されるSｏＣデバイス
の製造に適した露光、描画装置への応用が期待されてい
る。
計ルールが１００ｎｍ以下の露光技術の要請が高まって
いる。そのうち、露光技術としてマスクを用いたＶＵ
Ｖ、ＰＸＬ、ＥＵＶ等の研究開発が進められている。一
方、高速ＥＢ描画技術は、ＥＢのマスクレスと高解像性
能という特徴を生かし、今後期待されるSｏＣデバイス
の製造に適した露光、描画装置への応用が期待されてい
る。
【０００３】
【従来の技術】ＥＢ露光においては、いかにスループッ
トを向上させるかということが重要である。一方、ＥＢ
描画のスループットを決定する要因の一つに、電子ビー
ムの電子間クーロン相互作用によるビーム分解能の劣化
現象があり、これを解決する方法として高速ＭＥＢＤＷ
が提案されている。
トを向上させるかということが重要である。一方、ＥＢ
描画のスループットを決定する要因の一つに、電子ビー
ムの電子間クーロン相互作用によるビーム分解能の劣化
現象があり、これを解決する方法として高速ＭＥＢＤＷ
が提案されている。
【０００４】ＭＥＢＤＷの方式には、カラム内にマルチ
ビームを形成する方式（例えば山田ら；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．、Ｂ１４（６）、３８１３（１
９９６））とカラムを小型化して複数配列する方式（例
えばＴ．Ｒ．Ｃｈａｎら；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．、Ｂ１６（６）、３８６８（１９９８））が
提案されており、それぞれの特徴を持っている。
ビームを形成する方式（例えば山田ら；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．、Ｂ１４（６）、３８１３（１
９９６））とカラムを小型化して複数配列する方式（例
えばＴ．Ｒ．Ｃｈａｎら；Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．、Ｂ１６（６）、３８６８（１９９８））が
提案されており、それぞれの特徴を持っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】カラム内にマルチビー
ムを形成する具体例として、ビームを電子レンズにより
偏向させる動的収差補正機構や、さらにＣＬＡと呼ばれ
る収差補正機構を併用する方法などが提案されている。
これにより従来ＥＢ描画で問題とされてきたクーロン効
果と解像性能の関係を大幅に改善できることが、試作レ
ベルで示唆されているが、実用化にはさらに多くの検討
を必要とする。
ムを形成する具体例として、ビームを電子レンズにより
偏向させる動的収差補正機構や、さらにＣＬＡと呼ばれ
る収差補正機構を併用する方法などが提案されている。
これにより従来ＥＢ描画で問題とされてきたクーロン効
果と解像性能の関係を大幅に改善できることが、試作レ
ベルで示唆されているが、実用化にはさらに多くの検討
を必要とする。
【０００６】さらに集積度を向上させる手段として電子
源をマルチ電子源とする方法があり、高輝度の観点から
電子源に用いられるＬａＢ6のチップを多数配置したも
のや、同一チップ上に微小突起を形成するといった構造
が考えられるが、前者は電子放射させるための加熱機構
が複雑になり、後者は微小突起を精度良く形成するため
の技術的難易度が高い。
源をマルチ電子源とする方法があり、高輝度の観点から
電子源に用いられるＬａＢ6のチップを多数配置したも
のや、同一チップ上に微小突起を形成するといった構造
が考えられるが、前者は電子放射させるための加熱機構
が複雑になり、後者は微小突起を精度良く形成するため
の技術的難易度が高い。
【０００７】本発明の目的は、一つのチップ上に微小突
起を、精度良く、しかも安価に再現性高く、形成するた
めの電子源の製造法を提供することにある。
起を、精度良く、しかも安価に再現性高く、形成するた
めの電子源の製造法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、電子放射
材料からなる一つの平面上に複数の凸部を形成すること
を特徴とする電子源の製造方法であり、具体的には電子
放射材料として希土類元素の六硼化物などを用い、電子
放射部分を、マスキング法を利用して選択的電解研磨法
により形成することを特徴とする電子源の製造方法であ
り、更に好ましくは、選択的電解研磨法により形成され
た電子放射部分の先端部に更に機械研磨法を適用して平
坦部を形成することを特徴とする前記の電子源の製造方
法である。
材料からなる一つの平面上に複数の凸部を形成すること
を特徴とする電子源の製造方法であり、具体的には電子
放射材料として希土類元素の六硼化物などを用い、電子
放射部分を、マスキング法を利用して選択的電解研磨法
により形成することを特徴とする電子源の製造方法であ
り、更に好ましくは、選択的電解研磨法により形成され
た電子放射部分の先端部に更に機械研磨法を適用して平
坦部を形成することを特徴とする前記の電子源の製造方
法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者は、従来技術の状況に鑑
みてさまざまな検討を重ねた結果、以下の方法を採用す
るときに、電子放射材料からなる一つの平面上に円錐状
或いは円錐台状の、複数の電子放射部分を高精度に形成
でき、しかも安価で、再現性高く電子源を製造できるこ
とを見出し、本発明に至ったものである。
みてさまざまな検討を重ねた結果、以下の方法を採用す
るときに、電子放射材料からなる一つの平面上に円錐状
或いは円錐台状の、複数の電子放射部分を高精度に形成
でき、しかも安価で、再現性高く電子源を製造できるこ
とを見出し、本発明に至ったものである。
【００１０】即ち、本発明を電子放射材料２として例え
ばＬａＢ6を用いる場合で例示すれば、一つの平面上に
予め金などの金属１をフォトリソグラフィーなどにより
複数の円形パターン形成し（図１参照）、それをマスク
として硝酸溶液等の電解液中で電解研磨を行うことによ
り、等方的にエッチングができることを利用し、円形パ
ターンを中心とする複数の円錐状凸部（以下単に円錐部
という）を形成する（図２参照）。その後必要に応じて
円錐部の先端をＳｉＣなどの砥粒が分散塗布してあるラ
ッピングフィルムなどにより機械研磨法を適用すること
により、平坦部を形成し円錐台状の凸部とし、電子放射
部分とする（図３参照）。本発明は、前記の方法を採用
することにより、複数の電子放射部分を高精度に電子放
射材料の一平面上に形成することができるので、一チッ
プ上に複数の微小突起を有する構造の電子源を、安価に
再現性高く得ることができる。
ばＬａＢ6を用いる場合で例示すれば、一つの平面上に
予め金などの金属１をフォトリソグラフィーなどにより
複数の円形パターン形成し（図１参照）、それをマスク
として硝酸溶液等の電解液中で電解研磨を行うことによ
り、等方的にエッチングができることを利用し、円形パ
ターンを中心とする複数の円錐状凸部（以下単に円錐部
という）を形成する（図２参照）。その後必要に応じて
円錐部の先端をＳｉＣなどの砥粒が分散塗布してあるラ
ッピングフィルムなどにより機械研磨法を適用すること
により、平坦部を形成し円錐台状の凸部とし、電子放射
部分とする（図３参照）。本発明は、前記の方法を採用
することにより、複数の電子放射部分を高精度に電子放
射材料の一平面上に形成することができるので、一チッ
プ上に複数の微小突起を有する構造の電子源を、安価に
再現性高く得ることができる。
【００１１】本発明において、熱電子放射材料として
は、ＬａＢ6を代表とする希土類元素の六硼化物が用い
られる。尚、前記希土類元素の六硼化物について、硝酸
水溶液により室温下においても化学エッチングされる
が、多結晶の場合には粒界が優先的にエッチングが進行
するし、また単結晶においても転位などを起点とするエ
ッチピットが形成されるが、いずれも、電子放射部分と
して用いる場合、微小な凹凸が放電の原因になりうるの
で好ましくない。
は、ＬａＢ6を代表とする希土類元素の六硼化物が用い
られる。尚、前記希土類元素の六硼化物について、硝酸
水溶液により室温下においても化学エッチングされる
が、多結晶の場合には粒界が優先的にエッチングが進行
するし、また単結晶においても転位などを起点とするエ
ッチピットが形成されるが、いずれも、電子放射部分と
して用いる場合、微小な凹凸が放電の原因になりうるの
で好ましくない。
【００１２】本発明において、電子放射材料の一平面に
円形パターン状に円錐部を形成するに際し、電子放射材
料の適度な導電性を利用して放電加工をすることも可能
ではあるが、前記複数の円錐部を位置精度良く、歩留ま
り高く加工するには困難を伴う。これに対し、前記加工
に、選択電解研磨法を適用することが好ましい。電解研
磨法に用いるエッチング溶液を選ぶことにより、滑らか
な表面を有するエッチングが可能になる。特に交流電源
を用いると、表面に析出した酸化物（ＬａＢ6の場合硼
酸）を溶解する効果が期待できるので、非常に滑らかな
表面が得られる。更に、エッチングが等方性を有するこ
とにより、電子放射部として要求される比較的小さい先
端半径を有する円錐を形成することができる。
円形パターン状に円錐部を形成するに際し、電子放射材
料の適度な導電性を利用して放電加工をすることも可能
ではあるが、前記複数の円錐部を位置精度良く、歩留ま
り高く加工するには困難を伴う。これに対し、前記加工
に、選択電解研磨法を適用することが好ましい。電解研
磨法に用いるエッチング溶液を選ぶことにより、滑らか
な表面を有するエッチングが可能になる。特に交流電源
を用いると、表面に析出した酸化物（ＬａＢ6の場合硼
酸）を溶解する効果が期待できるので、非常に滑らかな
表面が得られる。更に、エッチングが等方性を有するこ
とにより、電子放射部として要求される比較的小さい先
端半径を有する円錐を形成することができる。
【００１３】電解研磨をし続けることにより、マスクは
リフトオフにより除去できるが、電子源としてある程度
の長寿命を考慮すると、電子放射部である円錐頂点部に
平坦部を形成する場合がある。この場合、上記したとお
りに、機械研磨法により円錐部頂点のごく微量を除去す
ることにより、直径が数μｍから数百μｍの平坦部を複
数の円錐部頂点に一度に形成することができる。
リフトオフにより除去できるが、電子源としてある程度
の長寿命を考慮すると、電子放射部である円錐頂点部に
平坦部を形成する場合がある。この場合、上記したとお
りに、機械研磨法により円錐部頂点のごく微量を除去す
ることにより、直径が数μｍから数百μｍの平坦部を複
数の円錐部頂点に一度に形成することができる。
【００１４】
【実施例】〔実施例１〕電子放射源としてＬａＢ6単結
晶を用い、放電加工により電子放射面が４ｍｍφの平面
である円柱状とするとともに、その側面下部に円柱の中
心軸と平行な面を有する切欠部を形成し、後述するグラ
ファイト部材の平面で挟み込めるようにした。尚、電子
放射面が（１００）面になるようにした。
晶を用い、放電加工により電子放射面が４ｍｍφの平面
である円柱状とするとともに、その側面下部に円柱の中
心軸と平行な面を有する切欠部を形成し、後述するグラ
ファイト部材の平面で挟み込めるようにした。尚、電子
放射面が（１００）面になるようにした。
【００１５】次に真空蒸着法により、前記平面の表面上
にＡｕ薄膜を約１００ｎｍ形成した。その後レジストを
スピンコートにより塗布し、フォトリソグラフィーによ
り直径２００μｍの円形パターンを円周に沿って等間隔
となるように８個形成した。
にＡｕ薄膜を約１００ｎｍ形成した。その後レジストを
スピンコートにより塗布し、フォトリソグラフィーによ
り直径２００μｍの円形パターンを円周に沿って等間隔
となるように８個形成した。
【００１６】前記レジストをマスクとして、ヨウ素とヨ
ウ化カリウムの混合水溶液に浸漬してＡｕをエッチング
し、その後レジストを剥離して、直径２００μｍの円形
パターンを有するＡｕを有する電子放射源とした。
ウ化カリウムの混合水溶液に浸漬してＡｕをエッチング
し、その後レジストを剥離して、直径２００μｍの円形
パターンを有するＡｕを有する電子放射源とした。
【００１７】次に、Ａｕをマスクとして、１０重量％硝
酸水溶液を電解液として交流電解研磨を行った。印加電
圧は０．５Ｖとした。Ａｕマスクがリフトオフするまで
電解研磨を実施し、最終的に４ｍｍφの平面上に先端半
径２μｍで高さ約１５０μｍの円錐を円周に沿って８個
形成したＬａＢ6チップを得た。
酸水溶液を電解液として交流電解研磨を行った。印加電
圧は０．５Ｖとした。Ａｕマスクがリフトオフするまで
電解研磨を実施し、最終的に４ｍｍφの平面上に先端半
径２μｍで高さ約１５０μｍの円錐を円周に沿って８個
形成したＬａＢ6チップを得た。
【００１８】得られたＬａＢ6チップと導電性支持体と
を発熱性グラファイト部材を介して押圧し一体化するこ
とにより、電子放射陰極を形成した。得られた電子放射
陰極について、以下に示す方法で、その電子放射特性を
評価した。
を発熱性グラファイト部材を介して押圧し一体化するこ
とにより、電子放射陰極を形成した。得られた電子放射
陰極について、以下に示す方法で、その電子放射特性を
評価した。
【００１９】図４に評価を実施した装置を示す。構成は
電子放射陰極３、グリッド電極４、引き出し電極５、ス
クリーン電極６からなる。チップ、グリッド及び引き出
し電極の詳細な位置関係を図５に示した。電子放射陰極
は、電源７の通電により加熱されて電子が放出し、高圧
電源９により加速されてグリッド４及び引き出し電極５
の穴を抜けてスクリーン６に到達する。このスクリーン
６に落ちる電流はエミッション電流として、電流計８に
より測定される。電子放射陰極３のチップ温度を１５５
０℃とし、グリッド４でのバイアス電圧はゼロ、加速電
圧を２０ｋＶの条件下でエミッション電流の測定を行っ
たところ、６５２μＡの電流値を検出した。
電子放射陰極３、グリッド電極４、引き出し電極５、ス
クリーン電極６からなる。チップ、グリッド及び引き出
し電極の詳細な位置関係を図５に示した。電子放射陰極
は、電源７の通電により加熱されて電子が放出し、高圧
電源９により加速されてグリッド４及び引き出し電極５
の穴を抜けてスクリーン６に到達する。このスクリーン
６に落ちる電流はエミッション電流として、電流計８に
より測定される。電子放射陰極３のチップ温度を１５５
０℃とし、グリッド４でのバイアス電圧はゼロ、加速電
圧を２０ｋＶの条件下でエミッション電流の測定を行っ
たところ、６５２μＡの電流値を検出した。
【００２０】〔実施例２〕フォトリソグラフィーにおけ
るマスクパターンのみを変更したことを除いて実施例１
と同じ操作により、最終的に４ｍｍφの平面上に先端半
径２μｍで高さ約１５０μｍの円錐を円周に沿って４個
形成した。得られた電子放射陰極について、実施例１と
同じ条件にてエミッション電流の測定を行ったところ、
３２０μＡの電流値を検出した。
るマスクパターンのみを変更したことを除いて実施例１
と同じ操作により、最終的に４ｍｍφの平面上に先端半
径２μｍで高さ約１５０μｍの円錐を円周に沿って４個
形成した。得られた電子放射陰極について、実施例１と
同じ条件にてエミッション電流の測定を行ったところ、
３２０μＡの電流値を検出した。
【００２１】〔実施例３〕実施例１と同じ方法によりＡ
ｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液とし
て交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとした。
Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施後、治
具により円錐部先端が露出する状態で保持して、０．１
μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッピング
フィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍｍφの
平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高さ約１
２０μｍの円錐を円周に沿って８個形成した。得られた
電子放射陰極を実施例１と同じ条件にてエミッション電
流の測定を行ったところ、３９７μＡの電流値を検出し
た。
ｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液とし
て交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとした。
Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施後、治
具により円錐部先端が露出する状態で保持して、０．１
μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッピング
フィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍｍφの
平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高さ約１
２０μｍの円錐を円周に沿って８個形成した。得られた
電子放射陰極を実施例１と同じ条件にてエミッション電
流の測定を行ったところ、３９７μＡの電流値を検出し
た。
【００２２】〔実施例４〕実施例２と同じ方法によりＡ
ｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液とし
て交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとした。
Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施後、治
具により円錐部先端が露出する状態で保持して、０．１
μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッピング
フィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍｍφの
平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高さ約１
２０μｍの円錐を円周に沿って４個形成した。得られた
電子放射陰極について、実施例１と同じ条件にてエミッ
ション電流の測定を行ったところ、２０３μＡの電流値
を検出した。
ｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液とし
て交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとした。
Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施後、治
具により円錐部先端が露出する状態で保持して、０．１
μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッピング
フィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍｍφの
平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高さ約１
２０μｍの円錐を円周に沿って４個形成した。得られた
電子放射陰極について、実施例１と同じ条件にてエミッ
ション電流の測定を行ったところ、２０３μＡの電流値
を検出した。
【００２３】〔比較例１〕実施例１において、フォトリ
ソグラフィーにおけるマスクパターンのみを変更し、最
終的に４ｍｍφの平面上に先端半径２μｍで高さ約１５
０μｍの円錐を１個形成した。得られた電子放射陰極を
実施例１と同じ条件にてエミッション電流の測定を行っ
たところ、８４μＡの電流値を検出した。
ソグラフィーにおけるマスクパターンのみを変更し、最
終的に４ｍｍφの平面上に先端半径２μｍで高さ約１５
０μｍの円錐を１個形成した。得られた電子放射陰極を
実施例１と同じ条件にてエミッション電流の測定を行っ
たところ、８４μＡの電流値を検出した。
【００２４】〔比較例２〕比較例１と同じ方法により、
Ａｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液と
して交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとし
た。Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施
後、治具により円錐部先端が露出する状態で保持して、
０．１μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッ
ピングフィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍ
ｍφの平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高
さ約１２０μｍの円錐を円周方向に１個形成した。得ら
れた電子放射陰極を実施例１と同じ条件にてエミッショ
ン電流の測定を行ったところ、４８μＡの電流値を検出
した。
Ａｕマスクを作製し、１０重量％硝酸水溶液を電解液と
して交流電解研磨を行った。印加電圧は０．５Ｖとし
た。Ａｕマスクがリフトオフするまで電解研磨を実施
後、治具により円錐部先端が露出する状態で保持して、
０．１μｍのダイヤモンド砥粒が分散塗布してあるラッ
ピングフィルムにより機械研磨を行った。最終的に４ｍ
ｍφの平面上に先端部に２０μｍφの平面部を有した高
さ約１２０μｍの円錐を円周方向に１個形成した。得ら
れた電子放射陰極を実施例１と同じ条件にてエミッショ
ン電流の測定を行ったところ、４８μＡの電流値を検出
した。
【００２５】実施例及び比較例に係る方法で作成した電
子放射陰極のエミッション電流の測定結果を図６に示
す。横軸に示した電子放射起点数にほぼ比例して非常に
大きなエミッション電流が得られていること、そして、
それぞれの円錐部先端より電子が放射されていることが
明かである。
子放射陰極のエミッション電流の測定結果を図６に示
す。横軸に示した電子放射起点数にほぼ比例して非常に
大きなエミッション電流が得られていること、そして、
それぞれの円錐部先端より電子が放射されていることが
明かである。
【００２６】
【発明の効果】本発明の電子源の製造方法によれば、複
数の電子放射部分を同一チップ上に精度良く形成でき、
例えばＥＢ露光のスループットの向上が期待できる、複
数の電子放射部分を有する電子源を安価に、再現性高く
提供できるので、産業上非常に有用である。
数の電子放射部分を同一チップ上に精度良く形成でき、
例えばＥＢ露光のスループットの向上が期待できる、複
数の電子放射部分を有する電子源を安価に、再現性高く
提供できるので、産業上非常に有用である。
【図１】本発明の電子源の製造方法の途中経過を説明す
る図。
る図。
【図２】本発明の電子源の製造方法の途中経過を説明す
る図。
る図。
【図３】本発明の電子源の製造方法の途中経過を説明す
る図。
る図。
【図４】本発明で得られた電子源の評価装置の模式図。
【図５】本発明で得られた電子源の評価する際の電子源
とその周辺の配置図。
とその周辺の配置図。
【図６】本発明の実施例、比較例に係る製造方法で得ら
れた電子源の評価結果を示す図。
れた電子源の評価結果を示す図。
１ ；金属（Ａｕ）
２ ；電子放射材料（ＬａＢ6）
３ ；カソード
４ ；グリッド電極
５ ；引き出し電極
６ ；スクリーン
７ ；カソード加熱用電源
８ ；電流計
９ ；電子加速用電源
Claims (4)
- 【請求項１】電子放射材料からなる一つの平面上に複数
の凸部を形成することを特徴とする電子源の製造方法。 - 【請求項２】電子放射材料が、希土類元素の六硼化物で
あることを特徴とする請求項１記載の電子源の製造方
法。 - 【請求項３】電子放射部分が、選択的電解研磨法により
形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載
の電子源の製造方法。 - 【請求項４】選択的電解研磨法より形成された熱電子放
射部分の先端部に、更に機械研磨法により平坦部を形成
することを特徴とする請求項３記載の電子源の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001214967A JP2003031114A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子源の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001214967A JP2003031114A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子源の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003031114A true JP2003031114A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19049695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001214967A Pending JP2003031114A (ja) | 2001-07-16 | 2001-07-16 | 電子源の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003031114A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660795A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-03-04 | Micron Technol Inc | マクロ粒子ポリシリコン基板上に製造される電界放出構造 |
| JPH0689654A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Casio Comput Co Ltd | 電子放出用電極 |
| JPH06124669A (ja) * | 1992-04-29 | 1994-05-06 | Samsung Display Devices Co Ltd | フィールドエミッションディスプレイおよびその製造方法 |
| JPH07262912A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子放出用冷陰極の製造方法およびタングステン層もしくはその合金層のパターニング方法 |
| JP2000173900A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置 |
-
2001
- 2001-07-16 JP JP2001214967A patent/JP2003031114A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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