JP2003022999A

JP2003022999A - プラズマ処理方法及び装置

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Publication number: JP2003022999A
Application number: JP2001210136A
Authority: JP
Inventors: Takao Arase; 高男荒瀬; Motohiko Kikkai; 元彦吉開; Takeshi Saito; 剛斉藤; Masamichi Sakaguchi; 正道坂口; Hiroaki Ishimura; 裕明石村; Takahiro Shimomura; 隆浩下村
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi Ltd; Hitachi Kasado Engineering Co Ltd; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Kasado Engineering Co Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2001-07-11
Filing date: 2001-07-11
Publication date: 2003-01-24
Anticipated expiration: 2021-07-11
Also published as: JP3599687B2

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコン窒化膜を有する試料の加工において、
異方性な寸法精度のよい加工や、下地シリコン酸化膜と
の選択性に優れたプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング加工室において、フッ
素元素を含まない塩素ガスとアルミニウムの混合雰囲気
をプラズマ化し、そのプラズマを用いてシリコン窒化膜
を有する試料をエッチング処理する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の表面
加工を行うプラズマ処理方法及び装置に係り、特にシリ
コン窒化膜のエッチングに好適なプラズマ処理方法及び
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の加工には、プラズマを利用
した方法が広く用いられている。従来、シリコン窒化膜
をエッチングするプラズマとしては、U.S. Patent5,75
6,402号明細書に開示されているように、フッ素元素を
含むガスを主成分として、水素元素を含むガスおよび酸
素元素を含むガスを混合したガスのプラズマが利用され
ていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子の高
集積化に伴い、微細化が必要となっている。このため、
ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)素子のゲートチャ
ネル長に影響するＬＤＤ（Lightly Doped Drain、以下
「ＬＤＤ」と略す）ＳＰＡＣＥＲエッチングの寸法精
度が重要となっている。また、近年では、半導体素子の
高集積化に伴って、ＳＡＣ(Self Alignment Contact)技
術を適用するために、このＬＤＤ SPACERをシリコン窒
化膜で形成する方法が用いられている。従って、ＬＤＤ
SPACERエッチングの際には、異方性に寸法精度よく、
且つ下地であるシリコン酸化膜と選択性の高いエッチン
グ技術が要求される。

【０００４】従来技術であるフッ素元素を含むガスを主
成分として前記シリコン窒化膜をエッチングした場合の
試料の断面を図８に示す。初期状態は図１（ａ）に示す
ように半導体基板１０１上にシリコン酸化膜でなるゲー
ト酸化膜１０２，多結晶シリコンでなるゲート電極１０
４，ゲート電極１０４のマスク１０６，シリコン酸化膜
でなるゲート被覆絶縁膜１０３を形成後、その上にシリ
コン窒化膜１０５が形成されている。フッ素元素を含む
ガスをエッチングガスとして用いた場合には、シリコン
窒化膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくするこ
とはできるが、図８に示すように等方性が強くなり、シ
リコン窒化膜１０５にサイドエッチングが発生し、ゲー
ト電極１０４側面のシリコン窒化膜がやせ細り、寸法加
工精度が悪くなる。

【０００５】本発明の目的は、これらの課題を解決し、
下地シリコン酸化膜との選択比を大きくするとともにシ
リコン窒化膜の寸法加工精度を向上させることのできる
プラズマ処理方法及び装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の１つの態様においては、フッ素元素を含ま
ない塩素ガスのようなハロゲン化元素でエッチングする
ことによりシリコン窒化膜の等方的なエッチングを防止
し、シリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために
アルミニウムを混合したプラズマで処理する。

【０００７】即ち、本発明の１態様は、真空容器と、真
空容器内にプラズマを発生させる手段と、プラズマによ
り表面加工される試料を設置する試料台と、試料台に高
周波バイアス電圧を印加するための電源を含むプラズマ
処理装置を用い、真空容器内でハロゲン元素を含むガス
とアルミニウムの混合雰囲気をプラズマ化し、生成され
たプラズマを用いて試料の半導体基板上に形成されたシ
リコン酸化膜上のシリコン窒化膜をエッチングするプラ
ズマ処理方法を提供する。

【０００８】本発明の別の態様では、プラズマ処理装置
にシリコンを設け、ハロゲン元素を含むガスとアルミニ
ウムとシリコンとの混合雰囲気をプラズマ化するプラズ
マ処理方法が提供される。

【０００９】本発明の別の態様では、前記ハロゲン元素
を含むガスは、少なくとも塩素または臭素またはヨウ素
元素を含むプラズマ処理方法が提供される。

【００１０】本発明の別の態様では、プラズマを発生さ
せるガスの処理圧力は、０.５Ｐａ以上１００Ｐａ（パ
スカル）以下であるプラズマ処理方法が提供される。

【００１１】本発明の別の態様では、高周波バイアス電
圧は連続的もしくは周期的にオン，オフしてプラズマ処
理するプラズマ処理方法が提供される。

【００１２】本発明の別の態様では、アルミニウムは、
真空容器内のプラズマに晒される一部分または全面を、
アルミニウムを主成分とする材質で形成され、これらの
部分からプラズマ中にアルミニウムが供給されるプラズ
マ処理方法が提供される。

【００１３】本発明の別の態様では、真空容器は、脱着
可能な９９％以上の高純度アルミニウムで形成されたパ
ーツを含み、不純物の少ないアルミニウムを前記プラズ
マ中に供給するプラズマ処理方法が提供される。

【００１４】本発明の別の態様では、真空容器に、アル
ミニウム元素を含むガスを供給できる別の領域からプラ
ズマ中にアルミニウムを供給するプラズマ処理方法が提
供される。

【００１５】本発明の別の態様では、シリコンは、真空
容器内のプラズマに晒される一部分が、シリコンを主成
分とする材質で形成され、これらの部分からプラズマ中
に供給されるプラズマ処理方法が提供される。

【００１６】本発明の別の態様では、真空容器に、シリ
コン元素を含むガスを供給できる別の領域からプラズマ
中にシリコンを供給するプラズマ処理方法が提供され
る。

【００１７】本発明の別の態様では、アルミニウムを主
成分とする材質は、真空容器内のアース電位に設定され
るプラズマ処理方法が提供される。

【００１８】本発明の別の態様では、シリコンを主成分
とする材質は、真空容器内のアース電位に設定されるプ
ラズマ処理方法が提供される。

【００１９】本発明の他の態様では、真空容器と、真空
容器内にプラズマを発生させる手段と、プラズマにより
表面加工される試料を設置する電極を構成する試料台
と、試料台に高周波バイアス電圧を印加するための電源
とを具備し、試料台近傍に設けられアース電極を形成
し、フッ素元素を除くハロゲン元素を含むガスとの混合
雰囲気のプラズマを生成するアルミニウム部材とを含
み、生成されたプラズマにより試料としての基板上に形
成されたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を選択的に
エッチング可能としたプラズマ処理装置を提供する。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１な
いし図５により説明する。図２は、本発明を適用するプ
ラズマ処理装置のプラズマ生成部の詳細を例示した図で
ある。本実施例はプラズマを生成する手段としてＵＨＦ
波と磁界を利用した例である。ＵＨＦ波電源２０１から
同軸ケーブル２０２，アンテナ２０３とＵＨＦ波透過窓
（例えば石英平板）２０４を介して真空容器２１０にＵ
ＨＦ波が導入される。真空容器２１０の内周は、石英も
しくはアルミナの円筒２１１で覆い、真空容器２１０の
外周には真空容器２１０内に磁場を形成するソレノイド
コイル２０５が設置されており、磁場とＵＨＦ波の相乗
作用を利用して、プラズマ２０６を発生させる構造とな
っている。径２００mmの試料２０７は試料台２０８上に
設置され、直流電源２１３により印加された直流電圧に
より誘電膜２０９を介して試料台２０８に前記試料２０
７を静電吸着している。試料台２０８には連続的もしく
は周期的にオン，オフできる高周波電源２１２と試料台
２０８温度調整のための冷媒温度コントローラ２１５が
接続されている。また、真空容器210内のプラズマ２０
６に晒される一部分または全面に、アルミニウムを主成
分とするリングを配置する。この場合は、プラズマに電
位を与えるためのアース電極を兼ね、試料台２０８の側
面外周に対向して純度の高いアルミニウムのリング214
が設けられている。

【００２１】上記のエッチング装置を用いて、真空容器
２１０内に塩素ガスを導入し、真空容器２１０内にプラ
ズマ２０６を発生させることにより、プラズマ中の塩素
ラジカルおよび塩素イオンとアルミニウムのリング２１
４とが反応し、ＡｌｘＣｌｙの反応生成物となって、プ
ラズマ中にアルミニウム成分が供給される。このとき、
リング２１４をアースにしているので、プラズマとの間
にイオンシースができ、プラズマ中のイオンを引き込む
作用があるので、プラズマ中の活性種とのさらなる反応
を促すことができる。この塩素成分とアルミニウム成分
との混合されたプラズマを用いてシリコン窒化膜をエッ
チングしたところ、シリコン酸化膜に対するシリコン窒
化膜の選択比（すなわち、シリコン窒化膜／シリコン酸
化膜）を大きくした状態で、シリコン窒化膜の垂直方向
の異方性エッチングが可能であることがわかった。

【００２２】図１（ａ）〜図１（ｂ）は加工形状を調べ
た例を示す。図１（ａ）に示す径２００mmの半導体基板
１０１上にゲート酸化膜１０２，ゲート電極１０４，マ
スク１０６，シリコン酸化膜でなるゲート被覆絶縁膜１
０３を形成後、その上にシリコン窒化膜１０５が形成さ
れている試料を、塩素ガス５０〜５００ｍｌ／分，処理
圧力０.５〜５０.０Ｐａ，ＵＨＦ波の電力は３００〜８
００Ｗ、高周波電源２１２の電力は２０〜１００Ｗで前
記塩素ガス流量，前記処理圧力，前記高周波電力を適正
化して処理すると、図１（ｂ）に示すようにゲート電極
１０４側面のシリコン窒化膜のやせ細りのない（ｔ，ｔ
１寸法の差のない、又は差の少ない）異方性の加工がで
きる。

【００２３】本実施例のように、塩素ガスを真空容器２
１０に導入し、真空容器２１０内にアルミニウム成分を
供給することで、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化
膜の選択比を高くし、シリコン窒化膜をゲート電極側面
のシリコン窒化膜のやせ細りなく異方性エッチングが可
能となり、シリコン窒化膜の寸法加工精度を向上させる
ことができる。さらに、処理圧力と高周波電力の調整に
よりシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を
任意で調整できる。

【００２４】図３は、真空容器２１０内に塩素ガスプラ
ズマを発生させた状態でリング214の有無の状態で、高
周波電力を変化させて調べた例を示す。本実施例におけ
る塩素ガス流量は１７０ｍｌ／分、処理圧力は３.０Ｐ
ａ、ＵＨＦ波の電力は５００Ｗである。図３におい
て、リング２１４が無い状態のシリコン窒化膜のエッチ
ング速度を曲線３ａに示し、シリコン酸化膜のエッチン
グ速度を曲線３ｂに示す。リング２１４を設置した状態
のシリコン窒化膜のエッチング速度は曲線３ｃ，シリコ
ン酸化膜のエッチング速度を曲線３ｄに示す。この結果
によれば真空容器２１０内にアルミニウム成分が供給さ
れるとシリコン窒化膜のエッチング速度比は殆ど変化し
ないが、シリコン酸化膜のエッチング速度を低下させる
効果がある。

【００２５】これは、シリコン窒化膜とアルミニウムの
反応性生物との反応による反応生成物よりも、シリコン
酸化膜とアルミニウムの反応性生物との反応による反応
生成物のほうが蒸発しにくいために、シリコン酸化膜上
にアルミニウムを含む反応生成物が付着して保護膜の働
きをするためと考えられる。

【００２６】図４（ａ）は、真空容器２１０内に塩素ガ
スプラズマを発生させた状態でリング２１４の有無の状
態で処理圧力を変化させて調べた例を示す。この実施例
における塩素ガスは１７０ｍｌ／分、ＵＨＦ波の電力は
５００Ｗ、高周波電力は７０Ｗである。図４（ａ）にお
いて、リング２１４が無い状態のシリコン窒化膜のエッ
チング速度を曲線４ａ，シリコン酸化膜のエッチング速
度を曲線４ｂに示し、リング２１４を設置した状態のシ
リコン窒化膜のエッチング速度は曲線４ｃ，シリコン酸
化膜のエッチング速度を曲線４ｄに示す。図４（ａ）に
示すように、エッチング速度は処理圧力が高くなるにつ
れてシリコン窒化膜，シリコン酸化膜共にエッチング速
度が低下することがわかる。即ち、処理圧力を増減する
ことで反応生成物の堆積量が制御でき、処理圧力を高め
ることによりシリコン酸化膜上に多くの反応生成物が堆
積し、シリコン酸化膜のエッチング速度を低下させるこ
とができると考えられる。

【００２７】図４(ｂ)はシリコン窒化膜とシリコン酸化
膜との選択比を示し、リング２１４が無い状態の選択比
を曲線４ｅ，リング２１４を設置した状態の選択比を曲
線４ｆに示す。この結果によれば、真空容器２１０内に
アルミニウム成分が供給されると、処理圧力０.５Ｐａ
以上でシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比
を容易にコントロールできる。

【００２８】図５（ａ）〜５（ｂ）は、真空容器２１０
内に塩素ガスプラズマを発生させリング２１４が設置さ
れた状態で高周波電力を変化させて調べた例を示す。こ
の実施例における塩素ガスは１７０ｍｌ／分、処理圧力
は１.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５００Ｗである。図５
（ａ）において、シリコン窒化膜のエッチング速度を曲
線５ａに示し、シリコン酸化膜のエッチング速度を曲線
５ｂに示す。図５(ａ)に示すように、エッチング速度は
高周波電力が低くなるにつれてシリコン窒化膜，シリコ
ン酸化膜共にエッチング速度が低下することがわかる。
即ち、高周波電力を増減することで塩素イオンの加速電
圧が制御でき、高周波電力を低くくすることにより、シ
リコン酸化膜上への反応生成物の堆積量が増加し、シリ
コン酸化膜のエッチング速度をより低下させることがで
きると考えられる。

【００２９】図５（ｂ）は、リング２１４を設置した状
態の選択比を示す。この結果によれば真空容器２１０内
にアルミニウム成分が供給されると、高周波電力を調整
することによりシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜
の選択比を容易にコントロールできる。

【００３０】また、高周波電力を周期的にオン，オフす
る機構を用い高周波電力のオフ時間を調整することによ
り、シリコン酸化膜上への反応性生物の堆積量を制御で
き、同様な効果が得られると考えられる。

【００３１】なお、本発明は上述した実施例に特定され
るものではない。たとえば、上記実施例では真空容器内
にアルミニウムを主成分とするリングを設置した状態に
ついて説明したが、他の方法、例えばアルミニウム元素
を含むガス（Ａｌ(ＣＨ３)３：トリメチルアルミニウム
またはＡｌ(Ｃ２Ｈ５)３：トリエチルアルミニウムまた
はＡｌ(ＣＨ３)２Ｈ：ジメチルアルミニウムハイドライ
ド等のアルミニウム化合物ガス）をエッチングガスであ
る塩素ガスとともに真空容器２１０内に供給する。もし
くは、処理室である真空容器２１０とは異なる別の領域
でアルミニウム母材をプラズマまたは熱処理によりガス
化し、真空容器２１０内に供給しても良い。

【００３２】次に、本発明の第２の実施例を図６を参照
して説明する。図６は本発明の第２の実施例を実施する
ためのプラズマ処理装置を示す。本図において図２と同
符号は同一部材を示し説明を省略する。本図が図２と異
なる点は、アルミニウム製リング２１４の上部にシリコ
ンを主成分とするリング２１６を設けた点である。図６
に示すように、リング２１４上にシリコンを主成分とす
るリング、この場合、シリコンリング２１６を設置した
状態において、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜
の選択比を調べた。処理条件は、塩素ガスは１７０ｍｌ
／分、処理圧力は３.０Ｐａ、ＵＨＦ波の電力は５００
Ｗ、高周波電力は７０Ｗで、リング216が無い状態で選
択比は２２.０であるのに対し、リング２１６を設けた
場合には選択比を６５.９まで向上させることができ
た。また、本実施例では真空容器内にシリコンを主成分
とするリングを設置した状態について説明したが、他の
方法、例えばシリコン元素を含むガス（ＳｉＣｌ４：四
塩化ケイ素等のシリコン化合物ガス）を真空容器２１０
内に直接に供給する。もしくは、真空容器２１０とは異
なる別の領域でシリコンをプラズマまたは熱処理により
ガス化し、真空容器２１０内に供給しても良い。

【００３３】次に、本発明の第３の実施例を図７により
説明する。本実施例が前記第１の実施例と異なる点は、
エッチングガスとして塩素ガスの代わりに臭化水素ガス
を用いた点である。図７は、真空容器２１０内に臭化水
素ガスプラズマを発生させリング２１４の有無における
高周波電力と選択比との関係を調べた例を示す。本実施
例における臭化水素ガス流量は２００ｍｌ／分、処理圧
力は４.０Ｐａ、UHF波の電力は５００Ｗである。図７
において、リング２１４が無い状態のシリコン窒化膜と
シリコン酸化膜の選択比を曲線７ａに示す。リング２１
４を設置した状態のシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の
選択比を点７ｂに示す。この結果によれば臭化水素ガス
プラズマ中においても、真空容器２１０内にアルミニウ
ム成分が供給されるとシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
の選択比を向上させる効果があることが分かった。ま
た、ヨウ素ガスを用いた場合でも、同様な効果が得られ
ると考えられる。

【００３４】以上、これら実施例では、リング２１４を
アースに接続した場合について述べたが、電気的に浮遊
させてプラズマに晒すようにしたものでも同様の効果が
得られる。

【００３５】また、本発明ＥＣＲプラズマ方式の装置の
みならず、反応性イオンエッチング，マグネトロンエッ
チング，誘導結合型プラズマエッチング等の処理装置に
よる処理にも応用可能である。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、半導体基板上に形成し
たシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜の加工において、
ハロゲン元素を含むガスとアルミニウムの混合雰囲気を
プラズマ化することで、下地のシリコン酸化膜に対する
シリコン窒化膜の選択比を大きくできるとともに寸法加
工精度の良い優れた加工特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるプラズマ処理方法
による加工特性を説明する試料の断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例を実施するためのプラズ
マ処理装置を示す構成図である。

【図３】本発明の効果を説明するための一実施例であっ
て、真空容器内にアルミニウム有無での各膜のエッチン
グ速度と高周波電力の関係を示す図である。

【図４】本発明の効果を説明するための一実施例であっ
て、真空容器内にアルミニウム有無でのシリコン酸化膜
のエッチング速度と処理圧力の関係を示す図である。

【図５】本発明の一実施例を説明するための例であっ
て、各膜のエッチング速度と処理圧力との関係を示す図
である。

【図６】本発明の第２の実施例を実施するためのプラズ
マ処理装置を示す構成図である。

【図７】本発明の第３の実施例を説明するものであっ
て、臭化水素ガスプラズマを発生させた状態で真空容器
内にアルミニウム有無でのシリコン窒化膜とシリコン酸
化膜との選択比の関係を示す図である。

【図８】従来技術のプラズマ処理方法により加工した場
合の例である。

【符号の説明】

１０１…半導体基板、１０２…ゲート酸化膜、１０３…
ゲート被覆絶縁膜、１０４…ゲート電極、１０５…シリ
コン窒化膜、１０６…マスク、２０１…UHF波電源、２
０２…同軸ケーブル、２０３…アンテナ、２０４…ＵＨ
Ｆ波透過窓、２０５…ソレノイドコイル、２０６…プラ
ズマ、２０７…試料、２０８…試料台、２０９…誘電
膜、２１０…真空容器、２１１…円筒、２１２…高周波
電源、２１３…直流電源、２１４，２１６…リング、２
１５…冷媒温度コントローラ。

フロントページの続き (72)発明者荒瀬高男山口県下松市大字東豊井794番地日立テクノエンジニアリング株式会社笠戸事業所内 (72)発明者吉開元彦山口県下松市大字東豊井794番地日立テクノエンジニアリング株式会社笠戸事業所内 (72)発明者斉藤剛山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者坂口正道山口県下松市大字東豊井794番地日立笠戸エンジニアリング株式会社内 (72)発明者石村裕明山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者下村隆浩山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸事業所内Ｆターム(参考） 5F004 AA05 BA14 BB07 BB11 BB29 BB32 CA02 CA03 DA00 DA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器と、該真空容器内にプラズマを発
生させる手段と、該プラズマにより表面加工される試料
を設置する試料台と、前記試料台に高周波バイアス電圧
を印加するための電源を含むプラズマ処理装置を用い、前記真空容器内でハロゲン元素を含むガスとアルミニウ
ムの混合雰囲気をプラズマ化し、該生成されたプラズマを用いて前記試料の半導体基板上
に形成されたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜をエッ
チングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記プラズマ処理装置にシリコンを設け、ハロゲン
元素を含むガスとアルミニウムとシリコンとの混合雰囲
気をプラズマ化するプラズマ処理方法。
【請求項３】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記ハロゲン元素を含むガスは、少なくとも塩素ま
たは臭素またはヨウ素元素を含むプラズマ処理方法。
【請求項４】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記プラズマを発生させるガスの処理圧力は、０.
５Ｐａ以上１００Ｐａ（パスカル）以下であるプラズ
マ処理方法。
【請求項５】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記高周波バイアス電圧は連続的もしくは周期的に
オン，オフしてプラズマ処理するプラズマ処理方法。
【請求項６】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記アルミニウムは、前記真空容器内のプラズマに
晒される一部分または全面を、アルミニウムを主成分と
する材質で形成され、これらの部分からプラズマ中にア
ルミニウムが供給されるプラズマ処理方法。
【請求項７】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記真空容器は、脱着可能な９９％以上の高純度ア
ルミニウムで形成されたパーツを含み、不純物の少ない
アルミニウムを前記プラズマ中に供給するプラズマ処理
方法。
【請求項８】請求項１記載のプラズマ処理方法におい
て、前記真空容器に、アルミニウム元素を含むガスを供
給できる別の領域からプラズマ中にアルミニウムを供給
するプラズマ処理方法。
【請求項９】請求項２記載のプラズマ処理方法におい
て、前記シリコンは、前記真空容器内のプラズマに晒さ
れる一部分が、シリコンを主成分とする材質で形成さ
れ、これらの部分からプラズマ中に供給されるプラズマ
処理方法。
【請求項１０】請求項２記載のプラズマ処理方法におい
て、前記真空容器に、シリコン元素を含むガスを供給で
きる別の領域からプラズマ中にシリコンを供給するプラ
ズマ処理方法。
【請求項１１】請求項６記載のプラズマ処理方法におい
て、前記アルミニウムを主成分とする材質は、真空容器
内のアース電位に設定されるプラズマ処理方法。
【請求項１２】請求項９記載のプラズマ処理方法におい
て、前記シリコンを主成分とする材質は、真空容器内の
アース電位に設定されるプラズマ処理方法。
【請求項１３】真空容器と、該真空容器内にプラズマを
発生させる手段と、該プラズマにより表面加工される試
料を設置する電極を構成する試料台と、該試料台に高周
波バイアス電圧を印加するための電源とを具備し、前記試料台近傍に設けられアース電極を形成し、フッ素
元素を除くハロゲン元素を含むガスとの混合雰囲気のプ
ラズマを生成するアルミニウム部材とを含み、前記生成プラズマにより前記試料としての基板上に形成
されたシリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を選択的にエ
ッチング可能としたことを特徴とするプラズマ処理装
置。