JP2003020274A - 圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品 - Google Patents
圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品Info
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- JP2003020274A JP2003020274A JP2001207385A JP2001207385A JP2003020274A JP 2003020274 A JP2003020274 A JP 2003020274A JP 2001207385 A JP2001207385 A JP 2001207385A JP 2001207385 A JP2001207385 A JP 2001207385A JP 2003020274 A JP2003020274 A JP 2003020274A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電体膜を厚膜形成技術によって形成するた
めに用いられる圧電体ペーストであって、８００℃以下
の温度で焼成することができ、圧電体ペースト中に含ま
れる圧電性結晶粉末が有する強誘電性を保持しながら、
良好な分極性および高い圧電性を有する圧電体膜を形成
できる、圧電体ペーストを提供する。 【解決手段】 Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，
Ｎｂ）Ｏ3 系のような８００℃以下の温度で焼結を開始
する、圧電性結晶粉末と、ｙＰｂＯ−（１００−ｙ）Ｇ
ｅＯ2 （ｙは５０〜８０モル％）のような熱処理過程で
Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相を析出し、高温で液相化す
る、結晶化し得る能力を有するが非晶質状態の結晶化ガ
ラス粉末と、有機ビヒクルとを含む、圧電体ペースト。
めに用いられる圧電体ペーストであって、８００℃以下
の温度で焼成することができ、圧電体ペースト中に含ま
れる圧電性結晶粉末が有する強誘電性を保持しながら、
良好な分極性および高い圧電性を有する圧電体膜を形成
できる、圧電体ペーストを提供する。 【解決手段】 Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，
Ｎｂ）Ｏ3 系のような８００℃以下の温度で焼結を開始
する、圧電性結晶粉末と、ｙＰｂＯ−（１００−ｙ）Ｇ
ｅＯ2 （ｙは５０〜８０モル％）のような熱処理過程で
Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相を析出し、高温で液相化す
る、結晶化し得る能力を有するが非晶質状態の結晶化ガ
ラス粉末と、有機ビヒクルとを含む、圧電体ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、圧電体ペースト
に関するもので、特に、圧電アクチュエータ、振動子、
圧力センサなどの圧電体部品において厚膜として備える
圧電体膜を形成するために有利に用いられる圧電体ペー
ストに関するものである。
に関するもので、特に、圧電アクチュエータ、振動子、
圧力センサなどの圧電体部品において厚膜として備える
圧電体膜を形成するために有利に用いられる圧電体ペー
ストに関するものである。
【０００２】また、この発明は、上述のような圧電体ペ
ーストを用いて形成される圧電体膜およびこの圧電体膜
を備える圧電体部品に関するものである。
ーストを用いて形成される圧電体膜およびこの圧電体膜
を備える圧電体部品に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】強誘電性を有し、かつ高い圧電性を示す
ペロブスカイト酸化物の代表的なものとして、Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系セラミック、すなわちＰＺＴセラミッ
ク結晶が知られている。
ペロブスカイト酸化物の代表的なものとして、Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系セラミック、すなわちＰＺＴセラミッ
ク結晶が知られている。
【０００４】このようなＰＺＴ結晶のような圧電性結晶
を、圧電アクチュエータ、振動子、圧力センサなどの圧
電体部品における圧電体部分を構成するために用いると
き、厚膜の形態をなす圧電体膜の状態とされることがあ
る。
を、圧電アクチュエータ、振動子、圧力センサなどの圧
電体部品における圧電体部分を構成するために用いると
き、厚膜の形態をなす圧電体膜の状態とされることがあ
る。
【０００５】圧電体膜の形成には、通常、スクリーン印
刷工程と焼成工程とが実施されるが、スクリーン印刷を
適用可能とするため、圧電性結晶粉末を含む圧電体ペー
ストが用意される。圧電体ペーストは、ＰＺＴを例にと
ると、たとえば、Ｐｂ3 Ｏ4、ＺｒＯ2 およびＴｉＯ2
などの各原料粉末を混合し、仮焼することによって得ら
れたＰＺＴの圧電性結晶粉末に、有機ビヒクルを添加
し、３本ロールによる機械的な粒子分散処理を施すこと
によって作製されることが多い。
刷工程と焼成工程とが実施されるが、スクリーン印刷を
適用可能とするため、圧電性結晶粉末を含む圧電体ペー
ストが用意される。圧電体ペーストは、ＰＺＴを例にと
ると、たとえば、Ｐｂ3 Ｏ4、ＺｒＯ2 およびＴｉＯ2
などの各原料粉末を混合し、仮焼することによって得ら
れたＰＺＴの圧電性結晶粉末に、有機ビヒクルを添加
し、３本ロールによる機械的な粒子分散処理を施すこと
によって作製されることが多い。
【０００６】しかし、上述のＰＺＴ圧電性結晶粉末は、
その焼結温度が１０００℃を超え、そのため、焼成時
に、その成分としての揮発性のＰｂが失われやすく、得
られた圧電体の組成が設計組成からずれたりして、特性
の良好な再現性および均一性を図ることが困難であっ
た。
その焼結温度が１０００℃を超え、そのため、焼成時
に、その成分としての揮発性のＰｂが失われやすく、得
られた圧電体の組成が設計組成からずれたりして、特性
の良好な再現性および均一性を図ることが困難であっ
た。
【０００７】このような状況の下、ＰＺＴ圧電性結晶粉
末の焼結温度を下げ得ることが望まれる。この焼結温度
を下げるための技術として、本件出願人による特開平２
−２６３７６１号公報に記載された技術がある。
末の焼結温度を下げ得ることが望まれる。この焼結温度
を下げるための技術として、本件出願人による特開平２
−２６３７６１号公報に記載された技術がある。
【０００８】この公報では、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＺｒＯ2 およ
びＴｉＯ2 などの各原料粉末とともに、ＰｂＯおよびＧ
ｅＯ2 の各粉末を混合し、この混合粉末を一括して仮焼
し、得られた仮焼粉末としてのＰＺＴ圧電性結晶粉末に
有機ビヒクルを混合することによって、圧電体ペースト
を作製する方法が記載されている。この圧電体ペースト
は、８５０〜１０００℃の範囲の温度で焼成され、それ
によって、ＰＺＴ圧電性結晶粉末を焼結させることがで
きる。
びＴｉＯ2 などの各原料粉末とともに、ＰｂＯおよびＧ
ｅＯ2 の各粉末を混合し、この混合粉末を一括して仮焼
し、得られた仮焼粉末としてのＰＺＴ圧電性結晶粉末に
有機ビヒクルを混合することによって、圧電体ペースト
を作製する方法が記載されている。この圧電体ペースト
は、８５０〜１０００℃の範囲の温度で焼成され、それ
によって、ＰＺＴ圧電性結晶粉末を焼結させることがで
きる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
公報に記載の方法では、混合粉末の仮焼温度が、８５０
℃以上、多くの場合、９５０℃以上と高いため、粉末の
仮焼度合いが高くなりすぎ、活性度が低下し、比較的低
温では焼結しにくい状態となって、焼成後において、相
対密度の低い圧電体膜が形成されやすいという問題があ
る。
公報に記載の方法では、混合粉末の仮焼温度が、８５０
℃以上、多くの場合、９５０℃以上と高いため、粉末の
仮焼度合いが高くなりすぎ、活性度が低下し、比較的低
温では焼結しにくい状態となって、焼成後において、相
対密度の低い圧電体膜が形成されやすいという問題があ
る。
【００１０】相対密度の低い圧電体膜が形成されると、
圧電体結晶粒子間の結合性が損なわれるため、分極性が
低下したり、圧電特性が劣化したりするという問題に遭
遇する。
圧電体結晶粒子間の結合性が損なわれるため、分極性が
低下したり、圧電特性が劣化したりするという問題に遭
遇する。
【００１１】相対密度の低下を防止するための対策とし
て、圧電体ペーストにホウケイ酸鉛ガラスなどを焼結助
剤として添加する方法が考えられるが、この方法では、
なるほど相対密度は上昇するが、圧電体膜中に強誘電性
を有しない相が介在し、これが圧電体粒子のまわりを覆
うため、やはり分極性が低下したり、圧電特性が劣化し
たりするという問題が生じる。
て、圧電体ペーストにホウケイ酸鉛ガラスなどを焼結助
剤として添加する方法が考えられるが、この方法では、
なるほど相対密度は上昇するが、圧電体膜中に強誘電性
を有しない相が介在し、これが圧電体粒子のまわりを覆
うため、やはり分極性が低下したり、圧電特性が劣化し
たりするという問題が生じる。
【００１２】そこで、この発明の目的は、たとえば８０
０℃以下といった比較的低温での焼成を可能とし、この
ような低温焼成であっても、相対密度の高い圧電体膜を
得ることができ、ＰＺＴセラミック結晶のような圧電性
結晶の強誘電性を保持し、分極性の低下を招かず、かつ
高い圧電性を得ることができる、圧電体膜を形成するこ
とが可能な圧電体ペーストを提供しようとすること、な
らびに、このような圧電体ペーストを用いて形成される
圧電体膜およびこの圧電体膜を備える圧電体部品を提供
しようとすることである。
０℃以下といった比較的低温での焼成を可能とし、この
ような低温焼成であっても、相対密度の高い圧電体膜を
得ることができ、ＰＺＴセラミック結晶のような圧電性
結晶の強誘電性を保持し、分極性の低下を招かず、かつ
高い圧電性を得ることができる、圧電体膜を形成するこ
とが可能な圧電体ペーストを提供しようとすること、な
らびに、このような圧電体ペーストを用いて形成される
圧電体膜およびこの圧電体膜を備える圧電体部品を提供
しようとすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明の特徴は、簡単に言えば、圧電体
ペースト中に含まれる圧電性結晶粉末を低温焼結性とす
るとともに、圧電体ペーストに、焼成時に液相化を生
じ、圧電体膜の液相焼結を加速する結晶化ガラス粉末を
含ませようとすることにある。
決するため、この発明の特徴は、簡単に言えば、圧電体
ペースト中に含まれる圧電性結晶粉末を低温焼結性とす
るとともに、圧電体ペーストに、焼成時に液相化を生
じ、圧電体膜の液相焼結を加速する結晶化ガラス粉末を
含ませようとすることにある。
【００１４】より詳細には、この発明に係る圧電体ペー
ストは、８００℃以下の温度で焼結を開始する、圧電性
結晶粉末と、熱処理過程で強誘電体相を析出し、高温で
液相化する、結晶化し得る能力を有するが非晶質状態の
結晶化ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含むことを特徴
としている。
ストは、８００℃以下の温度で焼結を開始する、圧電性
結晶粉末と、熱処理過程で強誘電体相を析出し、高温で
液相化する、結晶化し得る能力を有するが非晶質状態の
結晶化ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含むことを特徴
としている。
【００１５】好ましくは、上述の圧電性結晶粉末は、Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電
性結晶粉末である。
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電
性結晶粉末である。
【００１６】上述の好ましい実施態様において、より好
ましくは、圧電性結晶粉末は、９０〜７０モル％のＰｂ
（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 （ただし、ｘは０．４９〜０．
５６）と、１０〜３０モル％のＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 とを含む圧電性結晶粉末である。
ましくは、圧電性結晶粉末は、９０〜７０モル％のＰｂ
（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 （ただし、ｘは０．４９〜０．
５６）と、１０〜３０モル％のＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 とを含む圧電性結晶粉末である。
【００１７】また、圧電性結晶粉末は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 粉末とＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末との混合物
を仮焼して得られたものであることが好ましい。
ｉ）Ｏ3 粉末とＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末との混合物
を仮焼して得られたものであることが好ましい。
【００１８】他方、結晶化ガラス粉末は、好ましくは、
Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相を析出するＰｂＯ−ＧｅＯ
2 系の組成を有している。
Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相を析出するＰｂＯ−ＧｅＯ
2 系の組成を有している。
【００１９】上述の好ましい実施態様において、より好
ましくは、結晶化ガラス粉末は、ｙＰｂＯ−（１００−
ｙ）ＧｅＯ2 （ただし、ｙは５０〜８０モル％）からな
る。
ましくは、結晶化ガラス粉末は、ｙＰｂＯ−（１００−
ｙ）ＧｅＯ2 （ただし、ｙは５０〜８０モル％）からな
る。
【００２０】この発明は、また、上述したような圧電体
ペーストを塗布し、これを焼成することによって得られ
た、圧電体膜にも向けられる。
ペーストを塗布し、これを焼成することによって得られ
た、圧電体膜にも向けられる。
【００２１】この発明は、さらに、絶縁基板と、この絶
縁基板上に形成される下層電極と、この下層電極上に形
成される圧電体膜と、この圧電体膜上に形成される上層
電極とを備える、圧電体部品にも向けられる。このよう
な圧電体部品において、圧電体膜が上述したような圧電
体膜によって与えられる。
縁基板上に形成される下層電極と、この下層電極上に形
成される圧電体膜と、この圧電体膜上に形成される上層
電極とを備える、圧電体部品にも向けられる。このよう
な圧電体部品において、圧電体膜が上述したような圧電
体膜によって与えられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】この発明による圧電体ペースト
は、前述したように、８００℃以下の温度で焼結を開始
する、圧電性結晶粉末と、圧電性結晶粉末を低温焼結性
とするとともに、焼成時に液相化を生じ、圧電体膜の液
相焼結を加速するため、熱処理過程で強誘電体相を析出
し、高温で結晶化し、液相化する能力を有するが非晶質
状態の結晶化ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含むこと
を特徴としている。
は、前述したように、８００℃以下の温度で焼結を開始
する、圧電性結晶粉末と、圧電性結晶粉末を低温焼結性
とするとともに、焼成時に液相化を生じ、圧電体膜の液
相焼結を加速するため、熱処理過程で強誘電体相を析出
し、高温で結晶化し、液相化する能力を有するが非晶質
状態の結晶化ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含むこと
を特徴としている。
【００２３】以下に、より具体的な好ましい実施形態に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】１．圧電性結晶粉末
上述した圧電性結晶粉末は、第１の成分としてのＰｂ
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 粉末すなわちＰＺＴ粉末と第２の成
分としてのＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末すなわちＰＺＮ
粉末との混合物を仮焼して得られるものである。
（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 粉末すなわちＰＺＴ粉末と第２の成
分としてのＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末すなわちＰＺＮ
粉末との混合物を仮焼して得られるものである。
【００２５】１．１．第１の成分
第１の成分としてのＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 粉末は、た
とえば、ゾルゲル法による前駆体合成の後、仮焼するこ
とによって作製される。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ 3 を、一
般式Ｐｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 で表わしたとき、高い
強誘電特性および圧電特性を得るようにするには、ｘは
０．４９〜０．５６の範囲に制御されることが好まし
い。
とえば、ゾルゲル法による前駆体合成の後、仮焼するこ
とによって作製される。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ 3 を、一
般式Ｐｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 で表わしたとき、高い
強誘電特性および圧電特性を得るようにするには、ｘは
０．４９〜０．５６の範囲に制御されることが好まし
い。
【００２６】１．２．第２の成分
第２の成分としてのＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末は、た
とえばＰｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末であり、Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 は、たとえば、次のようにし
て作製される。
とえばＰｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末であり、Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 は、たとえば、次のようにし
て作製される。
【００２７】出発原料として、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＺｎＯおよ
びＮｂ2 Ｏ5 の各粉末を用意するとともに、パイロクロ
ア相を抑制しかつペロブスカイト相を安定化させるため
の安定化剤となる、水熱合成によるＢａＴｉＯ3 粉末を
用意する。
びＮｂ2 Ｏ5 の各粉末を用意するとともに、パイロクロ
ア相を抑制しかつペロブスカイト相を安定化させるため
の安定化剤となる、水熱合成によるＢａＴｉＯ3 粉末を
用意する。
【００２８】次に、ＺｎＯ粉末およびＮｂ2 Ｏ5 粉末を
所定の割合で混合した後、仮焼し、粉砕し、ＺｎＯ−Ｎ
ｂ2 Ｏ5 （ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）粉末を得る。
所定の割合で混合した後、仮焼し、粉砕し、ＺｎＯ−Ｎ
ｂ2 Ｏ5 （ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）粉末を得る。
【００２９】次に、このＺｎＯ−Ｎｂ2 Ｏ5 仮焼粉末
に、Ｐｂ3 Ｏ4 粉末およびＢａＴｉＯ 3 粉末を添加し、
混合する。
に、Ｐｂ3 Ｏ4 粉末およびＢａＴｉＯ 3 粉末を添加し、
混合する。
【００３０】次に、上述の混合物を仮焼し、それによっ
て、ペロブスカイト相が安定化した第２の成分としての
Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末を得る。
て、ペロブスカイト相が安定化した第２の成分としての
Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末を得る。
【００３１】１．３．混合
圧電体ペースト材料として使用する複合ペロブスカイト
酸化物であるＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎ
ｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末は、上述した第１の成分と第
２の成分との混合物を仮焼し、粉砕することによって得
られる。
酸化物であるＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎ
ｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末は、上述した第１の成分と第
２の成分との混合物を仮焼し、粉砕することによって得
られる。
【００３２】上述した第１の成分としてのＰｂ（Ｚｒx
Ｔｉ1-x ）Ｏ3 と第２の成分としてのＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 との組成比率に関して、高い強誘電性およ
び圧電特性を得るためには、前者が９０〜７０モル％、
後者が１０〜３０モル％といった範囲に組成制御される
ことが望ましい。
Ｔｉ1-x ）Ｏ3 と第２の成分としてのＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 との組成比率に関して、高い強誘電性およ
び圧電特性を得るためには、前者が９０〜７０モル％、
後者が１０〜３０モル％といった範囲に組成制御される
ことが望ましい。
【００３３】また、第１の成分と第２の成分との混合物
を仮焼するにあたっては、仮焼温度は、第１の成分と第
２の成分との反応が確実に得られる６５０℃以上であ
り、かつ、ペロブスカイト相の結晶性が劣化し始める９
５０℃以下に選ばれることが望ましい。
を仮焼するにあたっては、仮焼温度は、第１の成分と第
２の成分との反応が確実に得られる６５０℃以上であ
り、かつ、ペロブスカイト相の結晶性が劣化し始める９
５０℃以下に選ばれることが望ましい。
【００３４】２．結晶化ガラス粉末
結晶化ガラス粉末は、前述したように、結晶化し得る能
力を有するものであって、非晶質状態で用いられる。
力を有するものであって、非晶質状態で用いられる。
【００３５】結晶化ガラス粉末として、たとえば、焼成
時の昇温過程において、４００℃付近でガラスの構造緩
和を生じ、５２０℃付近でＰｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相
の結晶化を生じ、７３０℃付近で完全に溶融し液相化す
る、ＰｂＯ−ＧｅＯ2 系の組成を有するものが有利に用
いられる。
時の昇温過程において、４００℃付近でガラスの構造緩
和を生じ、５２０℃付近でＰｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相
の結晶化を生じ、７３０℃付近で完全に溶融し液相化す
る、ＰｂＯ−ＧｅＯ2 系の組成を有するものが有利に用
いられる。
【００３６】このようなＰｂＯ−ＧｅＯ2 系の組成を有
する結晶化ガラス粉末は、たとえばＰｂ3 Ｏ4 およびＧ
ｅＯ2 を出発原料として、これら出発原料の各粉末を所
定の割合で混合し、溶融させた後、急冷および粉砕を行
なうことによって、得ることができる。
する結晶化ガラス粉末は、たとえばＰｂ3 Ｏ4 およびＧ
ｅＯ2 を出発原料として、これら出発原料の各粉末を所
定の割合で混合し、溶融させた後、急冷および粉砕を行
なうことによって、得ることができる。
【００３７】ＰｂＯ−ＧｅＯ2 の組成比率に関して、Ｐ
ｂＯとＧｅＯ2 との合計に対して、ＰｂＯが５０〜８０
モル％に調整されることが望ましい。ＰｂＯが５０モル
％未満であると、Ｐｂ成分が不足し、目的のＰｂ5 Ｇｅ
3 Ｏ11結晶物が得られにくくなり、他方、ＰｂＯが８０
モル％を超えると、急冷による非晶質化が困難になるた
めである。
ｂＯとＧｅＯ2 との合計に対して、ＰｂＯが５０〜８０
モル％に調整されることが望ましい。ＰｂＯが５０モル
％未満であると、Ｐｂ成分が不足し、目的のＰｂ5 Ｇｅ
3 Ｏ11結晶物が得られにくくなり、他方、ＰｂＯが８０
モル％を超えると、急冷による非晶質化が困難になるた
めである。
【００３８】３．圧電体ペーストの作製
上述のように作製された圧電性結晶粉末および結晶性ガ
ラス粉末に対して、有機バインダおよび有機溶剤からな
る有機ビヒクルを加え、さらに、必要に応じて、分散剤
等を加え、混合および分散処理を行なうことによって、
圧電体ペーストを得ることができる。
ラス粉末に対して、有機バインダおよび有機溶剤からな
る有機ビヒクルを加え、さらに、必要に応じて、分散剤
等を加え、混合および分散処理を行なうことによって、
圧電体ペーストを得ることができる。
【００３９】圧電体ペーストにおいて、圧電性結晶粉末
と結晶化ガラス粉末との合計に対する結晶化ガラス粉末
の比率は、１重量％以下であることが望ましい。結晶化
ガラス粉末が１重量％を超えると、圧電体ペーストから
なるペースト膜の焼成時における焼結収縮が過剰にな
り、焼成によって得られた圧電体膜中に欠陥を生じやす
いためである。
と結晶化ガラス粉末との合計に対する結晶化ガラス粉末
の比率は、１重量％以下であることが望ましい。結晶化
ガラス粉末が１重量％を超えると、圧電体ペーストから
なるペースト膜の焼成時における焼結収縮が過剰にな
り、焼成によって得られた圧電体膜中に欠陥を生じやす
いためである。
【００４０】４．圧電体膜の形成
図１は、この発明の一実施形態による圧電体部品１を示
す断面図である。
す断面図である。
【００４１】圧電体部品１は、たとえば圧電アクチュエ
ータを構成するもので、絶縁基板２と、この絶縁基板２
の図による上方に向く主面上に形成される下層電極３
と、この下層電極３上に形成される圧電体膜４と、この
圧電体膜４上に形成される上層電極５とを備えている。
また、絶縁基板２の図による下方に向く主面上には、裏
面電極６が形成され、この裏面電極６と上述した下層電
極３とは、絶縁基板２の端面上に形成された補助電極７
によって互いに導通されている。
ータを構成するもので、絶縁基板２と、この絶縁基板２
の図による上方に向く主面上に形成される下層電極３
と、この下層電極３上に形成される圧電体膜４と、この
圧電体膜４上に形成される上層電極５とを備えている。
また、絶縁基板２の図による下方に向く主面上には、裏
面電極６が形成され、この裏面電極６と上述した下層電
極３とは、絶縁基板２の端面上に形成された補助電極７
によって互いに導通されている。
【００４２】このような圧電体部品１において、圧電体
膜４が、上述のような圧電体ペーストを塗布し、これを
焼成することによって得られたものである。圧電体ペー
ストの塗布にあたっては、たとえばスクリーン印刷が適
用され、これによって形成されたペースト膜は乾燥され
た後、好ましくは、加圧処理され、その密度が高められ
る。そして、ペースト膜は、８００℃以下の温度で焼成
され、それによって、圧電体膜４を得ることができる。
膜４が、上述のような圧電体ペーストを塗布し、これを
焼成することによって得られたものである。圧電体ペー
ストの塗布にあたっては、たとえばスクリーン印刷が適
用され、これによって形成されたペースト膜は乾燥され
た後、好ましくは、加圧処理され、その密度が高められ
る。そして、ペースト膜は、８００℃以下の温度で焼成
され、それによって、圧電体膜４を得ることができる。
【００４３】この圧電体膜４は、相対密度が高く、高い
比誘電率を有し、分極性に優れたものとすることができ
る。
比誘電率を有し、分極性に優れたものとすることができ
る。
【００４４】次に、この発明の効果を確認するために実
施した実験例について説明する。
施した実験例について説明する。
【００４５】
【実験例】（実施例）圧電性結晶粉末の第１の成分（Ｐ
ＺＴ）として、Ｐｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ 3 で表わさ
れる組成を有するものを、ゾルゲル法による前駆体合成
の後、６５０℃の温度での仮焼を行なうことによって作
製した。この第１の成分としてのＰｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ
0.47）Ｏ3 の粉末は、粒径１μｍ以下の微粒子であっ
た。
ＺＴ）として、Ｐｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ 3 で表わさ
れる組成を有するものを、ゾルゲル法による前駆体合成
の後、６５０℃の温度での仮焼を行なうことによって作
製した。この第１の成分としてのＰｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ
0.47）Ｏ3 の粉末は、粒径１μｍ以下の微粒子であっ
た。
【００４６】他方、圧電性結晶粉末の第２の成分（ＰＺ
Ｎ）として、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 で表わされ
る組成を有する粉末を得た。
Ｎ）として、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 で表わされ
る組成を有する粉末を得た。
【００４７】より具体的には、出発原料として、Ｐｂ3
Ｏ4 、ＺｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5 の各粉末を用意するとと
もに、ペロブスカイト相の安定化剤として、水熱合成に
よるＢａＴｉＯ3 粉末（平均粒径０．５μｍ）を用意し
た。
Ｏ4 、ＺｎＯおよびＮｂ2 Ｏ5 の各粉末を用意するとと
もに、ペロブスカイト相の安定化剤として、水熱合成に
よるＢａＴｉＯ3 粉末（平均粒径０．５μｍ）を用意し
た。
【００４８】次いで、ＺｎＯ粉末が５９．１モル％およ
びＮｂ2 Ｏ5 粉末が４０．９モル％となるように秤量
し、これらを混合した後、９００℃の温度での仮焼を行
ない、次いで粉砕することによって、ＺｎＯ−Ｎｂ2 Ｏ
5 （ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）粉末を得た。
びＮｂ2 Ｏ5 粉末が４０．９モル％となるように秤量
し、これらを混合した後、９００℃の温度での仮焼を行
ない、次いで粉砕することによって、ＺｎＯ−Ｎｂ2 Ｏ
5 （ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）粉末を得た。
【００４９】次に、このＺｎＯ−Ｎｂ2 Ｏ5 仮焼粉末
に、Ｐｂ3 Ｏ4 粉末およびＢａＴｉＯ 3 粉末を添加し、
混合した。この混合物の全体組成は、Ｐｂ3 Ｏ4 がＰｂ
Ｏに換算して６９．８モル％、ＺｎＯが１３．７モル
％、Ｎｂ2 Ｏ5 が９．５モル％、ＢａＴｉＯ3 が７モル
％となるようにした。
に、Ｐｂ3 Ｏ4 粉末およびＢａＴｉＯ 3 粉末を添加し、
混合した。この混合物の全体組成は、Ｐｂ3 Ｏ4 がＰｂ
Ｏに換算して６９．８モル％、ＺｎＯが１３．７モル
％、Ｎｂ2 Ｏ5 が９．５モル％、ＢａＴｉＯ3 が７モル
％となるようにした。
【００５０】次に、上述の混合物をるつぼ中において、
９００℃の温度で１２時間仮焼した。これによって、ペ
ロブスカイト相が安定化した第２の成分としてのＰｂ
（Ｚｎ 1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末を得た。
９００℃の温度で１２時間仮焼した。これによって、ペ
ロブスカイト相が安定化した第２の成分としてのＰｂ
（Ｚｎ 1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末を得た。
【００５１】次に、上述した第２の成分が、第１の成分
と第２の成分との合計に対して、１５モル％となるよう
に、第１の成分と第２の成分とを混合し、８００℃の温
度で仮焼し、次いで粉砕することによって、複合ペロブ
スカイト酸化物であるＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を得た。
と第２の成分との合計に対して、１５モル％となるよう
に、第１の成分と第２の成分とを混合し、８００℃の温
度で仮焼し、次いで粉砕することによって、複合ペロブ
スカイト酸化物であるＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を得た。
【００５２】他方、結晶化ガラス粉末を作製するため、
出発原料として、Ｐｂ3 Ｏ4 およびＧｅＯ2 の各粉末を
用意した。
出発原料として、Ｐｂ3 Ｏ4 およびＧｅＯ2 の各粉末を
用意した。
【００５３】次に、Ｐｂ3 Ｏ4 粉末がＰｂＯ換算で６
２．５モル％、ＧｅＯ2 粉末が３７．５モル％となるよ
うに、これらを混合し、この混合物を、１２５０℃の温
度で溶融させた後、急冷し、粉砕することによって、非
晶質状態の結晶化ガラス粉末を得た。
２．５モル％、ＧｅＯ2 粉末が３７．５モル％となるよ
うに、これらを混合し、この混合物を、１２５０℃の温
度で溶融させた後、急冷し、粉砕することによって、非
晶質状態の結晶化ガラス粉末を得た。
【００５４】なお、この結晶化ガラス粉末は、焼成時の
昇温過程において、４００℃付近でガラスの構造緩和を
生じ、５２０℃付近でＰｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相の結
晶化を生じ、７３０℃付近で完全に溶融し液相化するも
のであり、この液相化したものを徐冷すると、Ｐｂ5 Ｇ
ｅ3 Ｏ11の結晶物として残るものであった。
昇温過程において、４００℃付近でガラスの構造緩和を
生じ、５２０℃付近でＰｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相の結
晶化を生じ、７３０℃付近で完全に溶融し液相化するも
のであり、この液相化したものを徐冷すると、Ｐｂ5 Ｇ
ｅ3 Ｏ11の結晶物として残るものであった。
【００５５】次に、上述のようにして得られた圧電性結
晶粉末および結晶化ガラス粉末を用い、圧電性結晶粉末
１４．６５重量％、結晶化ガラス粉末０．１５重量％、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル３．０重量
％、低沸点有機溶剤（エタノール９０重量％とイソプロ
ピルアルコール１０重量％との混合溶剤）８１．２重量
％、および分散剤（非水系マレイン酸部分エステル型）
１．０重量％を調合し、ポットミルによる混合粉砕と分
散処理とを行ない、１次スラリーを得た。
晶粉末および結晶化ガラス粉末を用い、圧電性結晶粉末
１４．６５重量％、結晶化ガラス粉末０．１５重量％、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル３．０重量
％、低沸点有機溶剤（エタノール９０重量％とイソプロ
ピルアルコール１０重量％との混合溶剤）８１．２重量
％、および分散剤（非水系マレイン酸部分エステル型）
１．０重量％を調合し、ポットミルによる混合粉砕と分
散処理とを行ない、１次スラリーを得た。
【００５６】次に、１次スラリーに対して、有機ビヒク
ル（１０重量％のエチルセルロースおよび９０重量％の
ジエチレングリコールモノブチルエーテル）を、１次ス
ラリー全体と当該有機ビヒクルとの合計に対して、４．
４重量％添加し、ポットミルによる混合粉砕と分散処理
とを行ない、２次スラリーを得た。
ル（１０重量％のエチルセルロースおよび９０重量％の
ジエチレングリコールモノブチルエーテル）を、１次ス
ラリー全体と当該有機ビヒクルとの合計に対して、４．
４重量％添加し、ポットミルによる混合粉砕と分散処理
とを行ない、２次スラリーを得た。
【００５７】次に、２次スラリーをエバポレータ処理す
ることによって、低沸点有機溶剤を除去した後、ずり応
力を加えた機械的な分散処理を行なうことによって、圧
電体ペーストを得た。
ることによって、低沸点有機溶剤を除去した後、ずり応
力を加えた機械的な分散処理を行なうことによって、圧
電体ペーストを得た。
【００５８】次に、圧電体ペーストを用いて、図１に示
すような圧電体膜４を有する圧電体部品１を作製した。
すような圧電体膜４を有する圧電体部品１を作製した。
【００５９】すなわち、厚み５０μｍのＺｒＯ2 からな
る絶縁基板２の両面に、厚み約１μｍのＰｔからなる下
層電極３および裏面電極６をそれぞれ形成し、下層電極
３上に、上述の圧電体ペーストのスクリーン印刷および
乾燥を行ない、乾燥ペースト膜を形成した。
る絶縁基板２の両面に、厚み約１μｍのＰｔからなる下
層電極３および裏面電極６をそれぞれ形成し、下層電極
３上に、上述の圧電体ペーストのスクリーン印刷および
乾燥を行ない、乾燥ペースト膜を形成した。
【００６０】次に、この乾燥ペースト膜に対して、膜厚
方向の加圧処理（圧力：２０００ｋｇ／ｃｍ2 ）を行な
い、乾燥ペースト膜における圧電性結晶粉末および結晶
化ガラス粉末の充填密度を高めた。
方向の加圧処理（圧力：２０００ｋｇ／ｃｍ2 ）を行な
い、乾燥ペースト膜における圧電性結晶粉末および結晶
化ガラス粉末の充填密度を高めた。
【００６１】次に、実施例１では７５０℃、実施例２で
は８００℃の各温度で３時間の焼成を実施し、厚み約４
０〜５０μｍの圧電体膜４を得た。
は８００℃の各温度で３時間の焼成を実施し、厚み約４
０〜５０μｍの圧電体膜４を得た。
【００６２】次に、圧電体膜４上に、Ｐｔからなる上層
電極５を形成するとともに、補助電極７を形成すること
によって、試料としての圧電体部品１を完成させた。
電極５を形成するとともに、補助電極７を形成すること
によって、試料としての圧電体部品１を完成させた。
【００６３】（比較例）比較例においては、前述した特
開平２−２６３７６１号公報に記載の方法に基づいて、
圧電体ペーストを作製した。
開平２−２６３７６１号公報に記載の方法に基づいて、
圧電体ペーストを作製した。
【００６４】すなわち、上述した実施例の場合と同様の
組成比率となるように、Ｐｂ3 Ｏ4、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ
2 、ＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 およびＧｅＯ2 の各粉末を混合
し、この混合粉末を一括して９５０℃の温度で仮焼し、
得られた仮焼粉末に、実施例の場合と同様の有機ビヒク
ルの添加、混合粉砕および分散処理を行ない、圧電体ペ
ーストを得た。
組成比率となるように、Ｐｂ3 Ｏ4、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ
2 、ＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 およびＧｅＯ2 の各粉末を混合
し、この混合粉末を一括して９５０℃の温度で仮焼し、
得られた仮焼粉末に、実施例の場合と同様の有機ビヒク
ルの添加、混合粉砕および分散処理を行ない、圧電体ペ
ーストを得た。
【００６５】次いで、この圧電体ペーストを用いて、実
施例の場合と同様、図１に示した圧電体部品１における
圧電体膜４を形成し、比較例に係る圧電体部品１を完成
させた。なお、この比較例においては、乾燥ペースト膜
の焼成にあたっては、８００℃の温度を適用した。
施例の場合と同様、図１に示した圧電体部品１における
圧電体膜４を形成し、比較例に係る圧電体部品１を完成
させた。なお、この比較例においては、乾燥ペースト膜
の焼成にあたっては、８００℃の温度を適用した。
【００６６】（評価）以上のようにして得られた実施例
１および２ならびに比較例の各々に係る圧電体部品１に
おける圧電体膜４について、相対密度、比誘電率εr 、
残留分極Ｐrおよび抗電界Ｅc をそれぞれ評価した。
１および２ならびに比較例の各々に係る圧電体部品１に
おける圧電体膜４について、相対密度、比誘電率εr 、
残留分極Ｐrおよび抗電界Ｅc をそれぞれ評価した。
【００６７】相対密度については、形成された圧電体膜
４の重量を求めるとともに、寸法測定によって体積を求
め、これらから実際の密度を計算し、他方、Ｘ線回折
（ＸＲＤ）分析によって、結晶の格子定数を求め、理論
密度を計算し、（実際の密度）／（理論密度）×１００
［％］の式から相対密度を求めた。
４の重量を求めるとともに、寸法測定によって体積を求
め、これらから実際の密度を計算し、他方、Ｘ線回折
（ＸＲＤ）分析によって、結晶の格子定数を求め、理論
密度を計算し、（実際の密度）／（理論密度）×１００
［％］の式から相対密度を求めた。
【００６８】また、残留分極Ｐr および抗電界Ｅc は、
誘電ヒステリシス解析により求めた。
誘電ヒステリシス解析により求めた。
【００６９】これらの評価結果が、以下の表１に示され
ている。
ている。
【００７０】
【表１】
【００７１】表１に示すように、実施例１および２は、
比較例と比較して、高い相対密度が得られている。実施
例１および２の間で比較すると、焼成温度の高い実施例
２の方がより高い相対密度を示している。また、実施例
１は、比較例より低い焼成温度を適用したものではある
が、それでもなお、比較例より高い相対密度を示してい
る。
比較例と比較して、高い相対密度が得られている。実施
例１および２の間で比較すると、焼成温度の高い実施例
２の方がより高い相対密度を示している。また、実施例
１は、比較例より低い焼成温度を適用したものではある
が、それでもなお、比較例より高い相対密度を示してい
る。
【００７２】また、実施例１および２は、比較例に比較
して、高い比誘電率εr を示している。
して、高い比誘電率εr を示している。
【００７３】また、実施例１および２は、比較例に比較
して、残留分極Ｐr が上昇し、かつ抗電界Ｅc が低下し
ており、これらのことから、分極性が向上していること
がわかる。実施例１および２の間で比較すると、焼成温
度のより高い実施例２において、より大きい残留分極Ｐ
r およびより小さい抗電界Ｅc を示しており、分極性が
より向上していることがわかる。
して、残留分極Ｐr が上昇し、かつ抗電界Ｅc が低下し
ており、これらのことから、分極性が向上していること
がわかる。実施例１および２の間で比較すると、焼成温
度のより高い実施例２において、より大きい残留分極Ｐ
r およびより小さい抗電界Ｅc を示しており、分極性が
より向上していることがわかる。
【００７４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る圧電体ペ
ーストを用いることにより、たとえばスクリーン印刷の
ような簡便な厚膜形成技術を適用しながら、８００℃以
下といった比較的低温での焼成であっても、相対密度が
高く、圧電体ペーストに含まれる圧電性結晶粉末が有す
る強誘電性を保持しつつ分極性の低下を招かず、かつ高
い圧電性を有する圧電体膜を形成することができる。
ーストを用いることにより、たとえばスクリーン印刷の
ような簡便な厚膜形成技術を適用しながら、８００℃以
下といった比較的低温での焼成であっても、相対密度が
高く、圧電体ペーストに含まれる圧電性結晶粉末が有す
る強誘電性を保持しつつ分極性の低下を招かず、かつ高
い圧電性を有する圧電体膜を形成することができる。
【００７５】この発明に係る圧電体ペーストに含まれる
圧電性結晶粉末として、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を用いると、得ら
れた圧電体膜において、より高い強誘電性および圧電性
を確実に与えることが可能となる。
圧電性結晶粉末として、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を用いると、得ら
れた圧電体膜において、より高い強誘電性および圧電性
を確実に与えることが可能となる。
【００７６】上述したＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末として、９０〜７
０モル％のＰｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 と、１０〜３０
モル％のＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 とを含む圧電性
結晶粉末としたり、前者のＰｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3
におけるｘを０．４９〜０．５６の範囲に選んだりすれ
ば、得られた圧電体膜において、より高い強誘電特性お
よび圧電特性を確実に得ることができる。
（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末として、９０〜７
０モル％のＰｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 と、１０〜３０
モル％のＰｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 とを含む圧電性
結晶粉末としたり、前者のＰｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3
におけるｘを０．４９〜０．５６の範囲に選んだりすれ
ば、得られた圧電体膜において、より高い強誘電特性お
よび圧電特性を確実に得ることができる。
【００７７】また、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚ
ｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を得るため、Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 粉末とＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末との
混合物を仮焼して得るようにすれば、このような圧電性
結晶粉末を容易に得ることができる。
ｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末を得るため、Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3 粉末とＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末との
混合物を仮焼して得るようにすれば、このような圧電性
結晶粉末を容易に得ることができる。
【００７８】他方、この発明に係る圧電体ペーストに含
まれる結晶化ガラス粉末として、Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘
電体相を析出するＰｂＯ−ＧｅＯ2 系の組成を有するも
のを用いると、熱処理過程で強誘電体層を析出し、高温
で液相化する結晶化ガラス粉末を確実に得ることができ
る。
まれる結晶化ガラス粉末として、Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘
電体相を析出するＰｂＯ−ＧｅＯ2 系の組成を有するも
のを用いると、熱処理過程で強誘電体層を析出し、高温
で液相化する結晶化ガラス粉末を確実に得ることができ
る。
【００７９】上述した結晶化ガラス粉末の組成であるｙ
ＰｂＯ−（１００−ｙ）ＧｅＯ2 において、ｙを５０〜
８０モル％に選ぶと、強誘電性を高め得るＰｂ5 Ｇｅ3
Ｏ11結晶物をより容易に得ることが可能になるととも
に、急冷によって容易に非晶質化することができる。
ＰｂＯ−（１００−ｙ）ＧｅＯ2 において、ｙを５０〜
８０モル％に選ぶと、強誘電性を高め得るＰｂ5 Ｇｅ3
Ｏ11結晶物をより容易に得ることが可能になるととも
に、急冷によって容易に非晶質化することができる。
【図１】この発明の一実施形態による圧電体部品１を図
解的に示す断面図である。
解的に示す断面図である。
１ 圧電体部品
２ 絶縁基板
３ 下層電極
４ 圧電体膜
５ 上層電極
Claims (8)
- 【請求項１】 ８００℃以下の温度で焼結を開始する、
圧電性結晶粉末と、 熱処理過程で強誘電体相を析出し、高温で液相化する、
結晶化し得る能力を有するが非晶質状態の結晶化ガラス
粉末と、 有機ビヒクルとを含む、圧電体ペースト。 - 【請求項２】 前記圧電性結晶粉末は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 系圧電性結晶粉末で
ある、請求項１に記載の圧電体ペースト。 - 【請求項３】 前記圧電性結晶粉末は、９０〜７０モル
％のＰｂ（Ｚｒx Ｔｉ1-x ）Ｏ3 （ただし、ｘは０．４
９〜０．５６）と、１０〜３０モル％のＰｂ（Ｚｎ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 とを含む圧電性結晶粉末である、請求項
２に記載の圧電体ペースト。 - 【請求項４】 前記圧電性結晶粉末は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 粉末とＰｂ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3 粉末との混合物
を仮焼して得られたものである、請求項２または３に記
載の圧電体ペースト。 - 【請求項５】 前記結晶化ガラス粉末は、昇温によりＰ
ｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11強誘電体相を析出するＰｂＯ−ＧｅＯ2
系の組成を有する、請求項１ないし４のいずれかに記載
の圧電体ペースト。 - 【請求項６】 前記結晶化ガラス粉末は、ｙＰｂＯ−
（１００−ｙ）ＧｅＯ 2 （ただし、ｙは５０〜８０モル
％）からなる、請求項５に記載の圧電体ペースト。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の圧
電体ペーストを塗布し、これを焼成することによって得
られた、圧電体膜。 - 【請求項８】 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され
る下層電極と、前記下層電極上に形成される圧電体膜
と、前記圧電体膜上に形成される上層電極とを備え、前
記圧電体膜が請求項７に記載の圧電体膜によって与えら
れる、圧電体部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001207385A JP2003020274A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001207385A JP2003020274A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003020274A true JP2003020274A (ja) | 2003-01-24 |
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ID=19043382
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|---|---|---|---|
| JP2001207385A Pending JP2003020274A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003020274A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2006269982A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tdk Corp | 圧電素子の製造方法及び圧電素子 |
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| CN107064227A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-08-18 | 太原理工大学 | 一种监测膏体充填管路的装置及方法 |
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-
2001
- 2001-07-09 JP JP2001207385A patent/JP2003020274A/ja active Pending
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