JP2003017789A - 光モジュール試験装置及び光モジュール特性の測定方法 - Google Patents

光モジュール試験装置及び光モジュール特性の測定方法

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JP2003017789A
JP2003017789A JP2001198338A JP2001198338A JP2003017789A JP 2003017789 A JP2003017789 A JP 2003017789A JP 2001198338 A JP2001198338 A JP 2001198338A JP 2001198338 A JP2001198338 A JP 2001198338A JP 2003017789 A JP2003017789 A JP 2003017789A
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Haruyoshi Ono
晴義 小野
Isao Baba
功 馬場
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Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光モジュールの環境温度試験において、光モ
ジュールの表面温度又は表面温度分布を精密に測定しか
つ制御する。 【解決手段】光モジュール10表面の指定された部位の
温度を放射温度計40により測定し、その測定温度に基
づき光モジュール10と接触する温度可変部30を加熱
・冷却することで、当該部位を所定温度に制御する。試
験温度として光モジュール表面温度を定義する試験仕様
においても、光モジュールの表面を直接測定し制御する
ので、精密な温度シーケンスを実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュールの環
境温度試験に関し、とくに光半導体素子を搭載する光モ
ジュールの環境温度試験装置及び環境温度試験における
光モジュールの光学特性の測定方法に関する。光モジュ
ールは、インターネット等の光通信の中核部品として広
く使用されており、屋外又は海底中継器等の過酷な温度
環境下でかつ高信頼性を要求される状況下で使用される
ことも多い。このため、環境温度に対する厳格な仕様が
規定され、信頼性の確保が図られている。
【0002】しかし、かかる厳格な仕様を保証するに
は、温度環境を仕様に従って忠実に実現し、かかる温度
環境下で光の入出力特性を含めた光モジュール特性の試
験を行う必要がある。このため、試験温度を仕様通りに
精密に実現することができる光モジュール試験装置、お
よびかかる条件下での光特性変動を測定することができ
る光モジュール特性の測定方法の開発が希求されてい
る。
【0003】
【従来の技術】光モジュールの環境温度試験は、環境温
度を予め定めた所定の温度シーケンスに従って変動さ
せ、その間の光モジュールの光学特性及び電気特性の変
化を測定し分析することで、光モジュールの品質を保証
する。光モジュールの一般的な使用状態では、光モジュ
ール下面をヒートシンクに接触させ、上面を環境雰囲気
に晒す。このため、試験仕様では、通常、光モジュール
上面の表面温度を環境温度として定義する。従って、環
境温度試験では、光モジュール表面の温度を精密に測定
し制御することが要求される。
【0004】また、光モジュールは、発熱素子と温度感
受性の大きな光学部品とを同一モジュール内に収容す
る。このため、光モジュール内部に温度分布が発生し,
光特性が変動して信頼性を低下させるおそれがある。さ
らに,光モジュール内部の発熱が、光モジュール周囲の
熱流の変動を誘起し環境の温度分布を変えることもあ
る。このため、光モジュール表面の特定部位を指定し、
その指定された部位の温度を環境温度と定義する試験仕
様、あるいは光モジュール表面の温度分布測定を課す試
験仕様とすることが望まれる。
【0005】しかし、従来の光モジュールの環境温度試
験装置では、光モジュール表面の特定部位の温度を環境
温度と定義した場合、以下に説明するように、かかる仕
様を満足する環境温度試験を実行することは困難であっ
た。また、表面温度分布の測定も困難であった。従来、
光モジュールの環境温度試験は、恒温槽を用いてなされ
ていた。この方法では、光モジュール全体を恒温槽内に
収容するので、光モジュール全体が恒温槽内の雰囲気に
晒されており、光モジュール表面と雰囲気との温度差は
小さく、かつ光モジュール表面の温度分布も小さい。こ
のため、環境温度試験の仕様が光モジュールの表面温度
を規定する場合であっても、雰囲気温度を制御し、雰囲
気温度を仕様温度と見做して試験・測定をすることがで
きる。
【0006】しかし、この恒温槽を用いる試験装置で
は、恒温槽内の雰囲気全体を同一温度に保持しなければ
ならず、光モジュール表面の特定部位のみを他の部位と
無関係に指定温度に制御することはできない。このた
め、発熱素子を内蔵し大きな表面温度分布を生ずる光モ
ジュールでは、仕様に従った正確な温度試験を実現する
ことができない。
【0007】さらに、この装置では、光モジュールの表
面温度を、とくに温度分布を含めて精密に測定すること
は難しい。即ち、恒温槽内の光モジュールの表面温度を
測定する通常の方法では、熱電対又はサーミスタを光モ
ジュールの指定部位に接触又は貼付して測定する。しか
し、これらの温度センサを光モジュールの表面に接触さ
せると局所的に熱伝達率が変わり、光モジュール表面の
温度分布を変動させてしまう。このため、この方法では
表面温度の精密な測定は難しい。
【0008】とくに、光モジュールの光ファイバ取り出
し部分をなすフェルールは、精密な光学機構を有する光
学系を収容している。このため、フェルールに印加され
る温度変動又は機械的外力に対して、フェルールは極め
て鋭敏にその光学特性を変動させる。従って、フェルー
ルの温度を測定し、その温度特性を試験により確認する
必要性は高い。しかし、フェルールは微小な部品であ
り、かつその外形は一般的に円錐形が多い。かかる形状
のフェルールに,温度センサを貼付することは難しい。
とくに、温度センサの貼付又は剥離の際にフェルールに
印加される機械的外力により、フェルールの光学特性を
変えてしまうおそれがある。このため、最も温度測定が
望まれるフェルールに対して、温度測定をすることは困
難であった。
【0009】加えて、恒温槽を用いる従来の装置では、
恒温槽外に置かれる光学測定装置と恒温槽内に収容され
た光モジュールとを接続するための光の入出力機構が複
雑になり、簡単な操作では光特性の測定・試験をするこ
とができない。このため、測定・試験の準備時間が長く
なってしまう。また、光の入出力機構が複雑なため光の
入出力の取り出し方法が制約され、測定が非常に困難に
なったり、さらには希望する測定ができない場合も起こ
り得た。
【0010】かかる恒温槽を用いた試験装置の欠点を解
消すべく、ペルチェ素子を用いた光モジュールの試験装
置が提案された。以下、ペルチェ素子を用いた従来の光
モジュールの試験装置を説明する。図4は従来例構成図
であり、光モジュール試験装置の光モジュール搭載機構
部の平面図及びこの搭載機構部とともに測定器を構成す
る主要な構成機器を表している。図5は、従来例側面図
であり、光モジュールを搭載した搭載機構部を表してい
る。
【0011】このペルチェ素子を用いた試験装置では、
図4及び図5を参照して、温度制御された均熱ブロック
31上に光モジュール10を接触させ、光モジュール1
0の温度を制御する。均熱ブロック31の温度は、その
下面に密着するペルチェ素子32により制御される。即
ち、均熱ブロック31の内部又は上面には温度センサ3
3、例えば熱電対又はサーミスタが配置されており、温
度コントローラ50は、これらの温度センサ33により
測定された均熱ブロック31の温度が環境温度試験仕様
で規定する所定温度に保持されるようにペルチェ素子3
2の発熱及び吸熱を制御する。
【0012】光モジュール10の内部には、レーザ素子
冷却用ペルチェ素子(図示せず。)上に搭載された半導
体レーザ素子(図示せず。)と、レンズ、分光器等の光
学部品(図示せず。)が収容されている。この光モジュ
ール10は、プリント基板20上にそのリード12を固
定して載置され、プリント基板20上面のプリント配線
(図示せず。)を通して、光モジュール電源ユニット7
0からレーザ素子を駆動するレーザコントロール電力7
2が供給され、内部温度コントローラ60からレーザ素
子冷却用ペルチェ素子の温度を制御するコントロール電
力62が供給される。なお、レーザ素子冷却用ペルチェ
素子上面にサーミスタが設けられており、そのサーミス
タの出力(測定温度信号61)に基づいて内部温度コン
トローラ60はレーザ素子冷却用ペルチェ素子の温度が
一定に維持されるように制御する。
【0013】光モジュール10から光ファイバ13に出
射された出力光は、光コネクタ14を通して光検知器8
0及び波長測定器81に導かれる。光検知器80は光強
度を測定する。その結果は、光強度信号71として光モ
ジュール電源ユニット70に送出され、レーザ駆動電力
の制御に用いられる。これらの機構及び機器はすべてコ
ンピュータ90により制御され、かつ測定されるすべて
のデータがこのコンピュータ90に記録される。
【0014】この測定装置では、光モジュール10は大
気中に置かれるので、光特性の測定に必要な光学的な接
続、あるいは電気的な接続が極めて容易である。他方、
以下に述べる短所がある。上述したペルチェ素子を用い
る従来の測定装置では、均熱ブロック31の温度を測定
し、この測定値を環境温度試験仕様に規定する環境温度
と見做して試験を行う。しかし、既述したように環境温
度として光モジュール10の表面温度を規定する場合が
ある。この場合、均熱ブロック31と光モジュール10
との温度差が小さいことが、この試験の前提条件とな
る。ところがこの試験装置では、熱流が、均熱ブロック
31−光モジュール10下面−光モジュール10上面−
雰囲気の経路を通り流れるため、均熱ブロック31と光
モジュール10上面との温度差が大きくなりやすい。ま
た、光モジュール全体が一定の温度雰囲気に晒される恒
温槽を用いる方法に比べ、光モジュール10表面の温度
分布が大きくなりやすい。その結果、環境温度試験の仕
様を遵守した試験を行うことが難しい。
【0015】さらに従来のペルチェ素子を用いる測定装
置では、短時間の温度変動を回避する目的から、ペルチ
ェ素子と光モジュール間に熱容量の大きな均熱ブロック
31が挿入される。このため熱応答が遅く、所定温度ま
での到達時間が長いので、試験時間が長くなる。かかる
均熱ブロック31と光モジュール10間に温度差を生ず
るという問題、及び熱応答が遅いという問題を解決する
ため、光モジュール10の表面に温度センサ、例えばサ
ーミスタを貼付し、光モジュール10の表面温度を直接
測定して温度制御する方法が考案された。しかし、恒温
槽を用いた従来例の説明中に既述したように、光モジュ
ール10上面からの放熱又は吸熱は主に熱伝達によりな
されるため、光モジュール10上面にサーミスタを貼付
すると、対流及び熱伝導が変化して熱伝達率が変わり、
光モジュール10の温度及び温度分布が変わってしま
う。このような温度及び温度分布の変化は、光モジュー
ル10表面の温度分布を観測するため広範囲にサーミス
タを貼付した場合に著しい。さらに、フェルールの温度
測定に、温度センサを貼付する方法が使用できないこと
は既述の恒温槽を用いる方法と同様である。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の恒温槽内に光モジュールを収容する環境温度試験装置
では、雰囲気温度を光モジュールの表面温度と見做して
試験する。このため、光モジュール表面の特定の部位を
指定して、その部位の温度を測定しかつ試験温度に保持
するという試験はすることができない。また、温度セン
サを光モジュールに貼付すると貼付部分の熱伝達率が変
わるため、光モジュールの温度及び温度分布が変化し精
密な温度測定及び温度設定をすることができない。この
ため、光モジュール表面の温度及び温度分布を精密に測
定することができない。さらには、恒温槽の外部への光
入出力の機構が複雑で、迅速な試験ができないという欠
点がある。
【0017】また、従来のペルチェ素子を用いた試験装
置では、光モジュールと接触する均熱ブロックの温度を
環境試験温度と見做して試験する。しかし、光モジュー
ルと均熱ブロック間には温度差が生ずる。このため、光
モジュールの表面温度を環境温度と定義する仕様の環境
温度試験では、現実の試験温度(光モジュールの表面温
度)はその温度差分だけ仕様温度と食い違いを生ずるこ
ととなり、試験仕様を正確に満たすことができない。
【0018】この欠点を回避するため、光モジュール表
面に温度センサを貼付したのでは、恒温槽を用いる試験
装置と同様に、熱伝達率が変わり、光モジュール表面の
温度及び温度分布が変化してしまうという問題がある。
とくに、微小又は複雑な形状をなす部位、あるいは機械
的外力に鋭敏な部分には温度センサを貼付することがで
きず、かかる部位又は部分の温度は測定することができ
ない。
【0019】本発明は、光モジュール表面の特定部位を
指定してその指定部位の温度を規定する仕様の環境温度
試験を、精密な温度シーケンスの下でかつ簡便に実行す
ることができる光モジュールの環境温度試験装置及び光
モジュール特性の測定方法を提供することを目的とす
る。
【0020】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の実施形態
例構成図であり、光モジュール試験装置の光モジュール
搭載機構部の平面図及びこの搭載機構部とともに光モジ
ュール試験装置を構成する主要な機器を表している。図
2は本発明の実施形態例側面図であり、光モジュールを
搭載した搭載機構部を表している。
【0021】本発明では、図1及び図2を参照して、光
モジュール10の温度制御は、光モジュール10に接触
する温度可変部30との熱伝導によりなされる。この温
度可変部30は、光モジュール10表面の指定された部
位(図中の「測定部位11」をいい、以下「部位11」
と記す。)の温度を放射温度計40を用いて測定し、そ
の測定部位11の温度が所望する試験温度に到達し保持
されるように温度可変部の温度制御を行う。なお、部位
11は試験仕様に基づき予め指定される。
【0022】本構成では、放射温度計40を用いて直接
光モジュール10の表面温度を測定し、この表面温度が
目標温度に保持されるように温度制御を行う。このた
め、温度可変部30と光モジュール10間に温度差が存
在しても、光モジュール10の表面温度を目標温度に精
密に保持することができる。従って、光モジュール10
の表面温度を環境温度試験の仕様に規定する温度に正確
に制御することができるので、試験仕様を精密に満たす
温度シーケンスに従い試験を行うことができる。
【0023】さらに本構成では、光モジュール10の表
面温度の測定に放射温度計40を用いる。放射温度計4
0は観測点を光学的に確認できるので、試験仕様に指定
する部位11へ観測点を正確に合わせて温度測定をする
ことができる。とくに、フェルールの如き微小かつ複雑
な形状を有する部位であっても、焦点を合わせて観測範
囲を狭くすることで容易に温度測定をすることができ
る。さらに、この温度測定は非接触でなされるから、機
械的外力に鋭敏な部分の測定も可能である。また、放射
温度計40の焦点をぼかして、測定領域を拡大してもよ
い。これにより、指定する部位11の大きさを規定する
試験仕様にも対処することができる。
【0024】本発明の放射温度計40を、試験仕様が規
定する部位11に対して相対的に可動に保持することも
できる。即ち、放射温度計40に、規定する部位11を
基準とする移動、例えば指定位置からのXYZ軸方向へ
の移動又は規定部位を中心とする回転運動を付与するこ
とができる。この機構により、放射温度計40の観測点
を、光モジュール10表面に指定された部位11に加え
て、光モジュール10表面上の他の部位、必要ならば光
モジュール10外の位置にまで移動することができる。
かかる構成により、光モジュール10の表面温度分布、
あるいは光モジュール10近傍の機構部品の温度分布を
測定することができる。
【0025】本発明の光モジュール10表面の指定され
た部位11を、光モジュール10内に収容された光半導
体素子、例えば半導体レーザ素子の直上とすることがで
きる。このとき、最高温になると予想される部位11の
温度データを監視し収集することができるので、信頼性
をより確実に担保することができる。また、指定された
部位11を光部品の直上とすることもできる。このと
き、温度変動に鋭敏な光部品の安定性を確認することが
できるので、とくに温度分布の変化に伴う機構部品の信
頼性を担保することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明を、半導体レーザ素子を搭
載する光モジュールの環境温度試験装置の実施形態例を
用いて説明する。本実施形態例の試験に供された光モジ
ュール10は、図1及び図2を参照して、下面が放熱板
を兼ねた固定具として使用される止板15を有し、この
止板15上にいずれも図外の光部品及び半導体レーザ素
子が搭載されている。なお、この半導体レーザ素子は、
止板15上面に密着して設けられた図外のレーザ素子冷
却用ペルチェ素子の上面に密接して搭載されている。こ
れら止板15上に搭載された部品はパッケージの蓋で覆
われ、また、光モジュール10の両側には水平にリード
12が引き出される。さらに、光モジュール10の先端
には光モジュール10の一部を構成するフェルール16
が設けられ、ここから光ファイバ13が引き出されてい
る。
【0027】本実施形態例の環境温度試験装置は、光モ
ジュール搭載機構部と、温度制御機能部と、周辺機器
と、コンピュータとを含み構成される。光モジュール搭
載機構部は、図1及び図2を参照して、プリント基板2
0及び温度可変部30とからなる。プリント基板20は
中央部分が開口した凹字型平面形状をなし、その上面に
形成された配線パターン上に光モジュール10のリード
12を接着して、プリント板20の開口部分に光モジュ
ール10を固定する。さらに、プリント板20は、温度
可変部30の最上部をなす均熱ブロック31の上面に光
モジュール10の止板15下面が密接するように載置さ
れる。
【0028】温度可変部30は、上部が熱伝導率の大き
な物質からなる均熱ブロック31からなり、その均熱ブ
ロック31の下面にペルチェ素子32が設けられる。こ
の温度可変部30は、環境温度試験装置のヒートシンク
ブロック35上に設置される。温度制御機能部は、放射
温度計40及び温度コントローラ50とを含み、環境温
度試験の温度シーケンスを制御する。放射温度計40
は、光モジュール10の上面に平行なXY平面内を自由
に移動することができる。また、XY面に垂直なZ軸方
向に移動することができる。さらに、放射温度計40の
焦点位置を中心に2軸回転をすることができる。これら
の移動及び回転は、放射温度計40の動きによっても、
あるいは光モジュール10の移動及び回転により実現し
てもよい。これらの移動及び回転を用いて、放射温度計
40の測定位置を、試験仕様で指定されている部位1
1、例えば光モジュール10上面の中央又はフェルール
16表面に定めることができる。このとき、回転によ
り、フェルール16表面、光モジュール10側面あるい
は凹部の壁面等の垂直面及び傾斜面の温度を精密に測定
することができる。加えて、焦点深度を制御すること
で、実効的な測定範囲を調整することができる。試験仕
様に応じて、指定された二つの部位、例えばレーザ素子
の直上の部位と光部品の直上の部位との間を交互に測定
することもできる。なお、測定部位11は光モジュール
10の上面に限られず、その側面、フェルール16、リ
ード12、及び均熱ブロック31に及ぶこともできる。
【0029】温度コントローラ50は、放射温度計40
の測定部位11の温度が試験仕様に定められた温度シー
ケンスに追従するように、ペルチェ素子32のコントロ
ール電力52を調整して温度可変部30の発熱量及び吸
熱量を制御する。なお、均熱ブロック内部にヒータを設
け、ペルチェ素子32とヒータとを同時に制御すること
もできる。これにより、温度制御を精密になすことがで
きる。また、発熱をヒータに担わせることでペルチェ素
子32の劣化を抑制することができる。
【0030】上記温度コントローラ50は、試験仕様に
規定する温度シーケンスにより定められた環境温度と放
射温度計40で測定された測定部位11の温度との差を
検知し、両者の温度差がゼロになるようにペルチェ素子
32を制御する。測定部位11が複数有る場合は、予め
指定する一つの部位の温度を制御する。なお、シーケン
スの途中から測定部位11を変更して試験を続行するこ
ともできる。本実施形態例では、光モジュール10表面
の測定部位11の温度を制御目標として温度コントロー
ルするから、均熱ブロック31の温度自体を制御目標と
する従来例に比べて、均熱ブロック31の熱容量が大き
くても温度応答を速くすることができる。もちろん、均
熱ブロック31に温度センサを挿入して、均熱ブロック
31の温度応答を加味してもよい。
【0031】周辺機器は、光特性の測定に用いられる光
検知器80と波長測定器81を含み、さらに、光モジュ
ール10の制御に用いられる光モジュール電源ユニット
7と内部温度コントローラ60を含む。光検知器80
は、光モジュール10から光ファイバ13を通して出射
された出力光の強度を測定し光強度信号71として出力
する。また、波長測定器は出力光の波長を測定し、監視
する。
【0032】内部温度コントローラ60は、光モジュー
ル10内部に収容されている図外のレーザ素子冷却用ペ
ルチェ素子のコントロール電力62を制御して、図外の
レーザ素子を一定温度に保持する。このため、光モジュ
ール10内部のこのレーザ素子の近傍に、図外の温度セ
ンサ、例えばサーミスタを配置し、その温度センサから
出力される測定温度信号61が一定になるように制御す
る。このとき、温度センサに基づく制御に加えて、波長
測定器81が監視するレーザ波長の変動を打ち消すよう
にレーザ素子温度を制御することもできる。
【0033】光モジュール電源ユニット7は、光モジュ
ール10内に収容されたレーザ素子等を駆動するレーザ
コントロール電力72を供給する。レーザコントロール
電力72は、光検知器80からの出力光強度を表す光強
度信号71が一定に保持されるように制御される。上述
した本実施形態例の機構及び機器は、試験仕様が記録さ
れているコンピュータ90に接続され、コンピュータ9
0から各動作の制御指令が与えられるとともに、測定デ
ータ及び制御データをコンピュータ10に送信しコンピ
ュータ10に保存する。
【0034】次に、上述した本発明の実施形態例に係る
光モジュール試験装置を用いた環境温度試験について説
明する。図3は本発明の実施形態例の環境温度試験シー
ケンスであり、試験仕様に定める環境温度の時間変化を
表している。図3、図1及び図2を参照して、先ず、光
モジュール10を上述した均熱ブロック31上に搭載し
た後、内部温度コントローラ60はそのまま室温にて光
モジュール10内のレーザ素子温度を所定の動作温度に
保持する。以後、試験期間中はレーザ素子温度はこの所
定の動作温度に維持される。
【0035】次いで、光モジュール10内のレーザ素子
に駆動電流として光モジュール電源ユニット7からレー
ザコントロール電力72を供給し、レーザ素子の発光を
開始する。同時に、光検知器80によりレーザ発光出力
を監視し、その光強度信号を光モジュール電源ユニット
7にフィードバックし、発光出力が一定になるようにレ
ーザコントロール電力72を制御する。
【0036】次いで、発光出力、発光波長、その他のデ
ータの測定及び収集を開始すると同時に、仕様に定める
温度サイクル試験を開始する。温度サイクル試験では、
初めに仕様に常温として規定する温度、例えば25℃に
環境温度を設定する。なお、この試験の環境温度は、仕
様に従い光モジュール10上面の中央位置の表面温度あ
るいは光モジュール10のフェルール16部分の表面温
度として定義され、この温度は試験中常に放射温度計に
より測定され、確認され、かつ仕様温度に一致するよう
に制御される。
【0037】次いで、環境温度を低温に振り、続いて高
温に振り、その後再び常温に戻す温度シーケンスを経て
温度サイクル試験を終了する。この環境温度サイクルは
予め記憶された試験仕様に基づき、コンピュータ90が
指示する。また、この温度サイクル中の環境温度は、光
モジュール10上面の表面温度としてあるいは光モジュ
ール10のフェルール16部分の表面温度として定義さ
れ、温度サイクル中も放射温度計40により実測され、
仕様温度を維持するように制御されることは上述した通
りである。
【0038】温度サイクル試験の終了後、データ収集を
終了すると同時に、温度コントローラ50、光モジュー
ル電源ユニット7及び内部温度コントローラ60の制御
出力を停止し、光モジュール10を室温に持ちきたす。
その間に、周辺機器7、60、80、81及び温度コン
トローラ50により収集されたデータはコンピュータに
送信され、記憶される。最後に、コンピュータはこれら
のデータに基づき、光モジュール10の試験結果を判定
する。以上の経過を経て、環境温度試験は完了する。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、光モジュールの指定さ
れた部位の表面温度を放射温度計により観測し、その部
位の表面温度を環境試験温度に保持するように制御する
から、光モジュールの特定部位の温度を試験温度と定義
する環境温度試験の仕様に従った温度サイクル試験を精
密に実行することができるので、光通信機器の信頼性向
上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態例構成図
【図2】本発明の実施形態例側面図
【図3】環境温度試験シーケンス
【図4】従来例構成図
【図5】従来例側面図
【符号の説明】
10 光モジュール 11 測定部位 12 リード 13 光ファイバ 14 光コネクタ 15 止板 16 フェルール 20 プリント基板 30 温度可変部 31 均熱ブロック 32 ペルチェ素子 33 温度センサ 35 ヒートシンクブロック 40 放射温度計 50 温度コントローラ 51、61 測定温度信号 52、62コントロール電力 60 内部温度コントローラ 70 光モジュール電源ユニット 71 光強度信号 72 レーザコントロール電力 80 光検知器 81 波長測定器 90 コンピュータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G066 AA20 AC20 BA09 BA38 BA44 BB11 BC15 CA15 2G086 EE04 EE12 5F073 AB15 AB27 AB28 BA02 EA15 FA05 FA06 FA24 FA25

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光モジュールの一部に接触して熱伝導に
    より該光モジュールの温度を可変する温度可変部と、 該光モジュール表面の指定された部位の温度を測定する
    放射温度計と、 該放射温度計の出力に基づいて該温度可変部の温度を制
    御し、該部位を所望温度に保持する温度コントローラと
    を備えたことを特徴とする光モジュール試験装置。
  2. 【請求項2】 該放射温度計は、該部位に対して相対的
    に可動に保持されることを特徴とする請求項1記載の光
    モジュール試験装置。
  3. 【請求項3】 該部位は、該光モジュール内に収容され
    た光学部品又は光半導体素子の直上に位置することを特
    徴とする請求項1記載の光モジュール試験装置。
  4. 【請求項4】 該温度可変部は、ペルチェ素子を備えた
    ことを特徴とする請求項1記載の光モジュール試験装
    置。
  5. 【請求項5】 該温度可変部は、該ペルチェ素子と該光
    モジュールとの間にヒータを備えたことを特徴とする請
    求項4記載の光モジュール試験装置。
  6. 【請求項6】 光モジュールの環境温度に対する特性変
    動を測定する光モジュール特性の測定方法において、 該光モジュール表面の指定された部位の温度を放射温度
    計を用いて測定し,該放射温度計の出力に基づいて、該
    光モジュールの一部に接触する温度可変部の温度を制御
    し、該部位を所望温度に保持することを特徴とする光モ
    ジュール特性の測定方法。
  7. 【請求項7】 該部位は、該光モジュール内に収容され
    た光学部品又は光半導体素子の直上に位置することを特
    徴とする請求項6記載の光モジュール特性の測定方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104931231A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 广东省标准化研究院 一种用于测试光引擎散热参数的装置及测试方法
WO2019134379A1 (zh) * 2018-01-05 2019-07-11 昂纳信息技术(深圳)有限公司 一种光模块的检测系统
WO2022067579A1 (zh) * 2020-09-29 2022-04-07 华为技术有限公司 光模块测试结构及装置
CN115328230A (zh) * 2022-08-26 2022-11-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 光电吊舱热控系统及其热控方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104931231A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 广东省标准化研究院 一种用于测试光引擎散热参数的装置及测试方法
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