JP2003017287A - 地絡保護機能付冷陰極放電管点灯用電源装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波電力点灯においてトランスの構造を簡
単にし、かつ漏洩電流による誤動作が生じ難い。 【解決手段】 ２次巻線の中点２０を抵抗素子６３−整
流素子６１−抵抗素子６２を通じて共通電位点４８に接
続し、抵抗素子６３の抵抗値を大にして、中点２０が非
接地に近い状態とし、抵抗素子６２を流れる電流を検出
回路６４で検出し、この検出電圧と基準電圧Ｖ_S を比較
器７２で比較する。正常状態では中点２０の電位はほぼ
ゼロで、抵抗素子６２を流れる電流が小さく、比較器７
２の出力は低レベルであるが、２次側に地絡が生じる
と、中点２０の電位が上り、抵抗素子６２に大きな電流
が流れ、比較器７２の出力が高レベルになり、これによ
りサイリスタ８２が導通し、抵抗分圧器４９，５１の各
両端が短絡状態になり、ＦＥＴ５２，５３のゲートバイ
アスがなくなり、インバータ５６は発振することができ
なくなる。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】この発明は交流電力、例えば
商用電力を整流回路により直流電力に変換し、その直流
電力を、インバータにより、交流電力の周波数よりも高
い周波数の高周波電力に変換し、その高周波電力をトラ
ンスで昇圧してネオン管、アルゴン管などの冷陰極放電
管を点灯させる電源装置、特にその２次側における地絡
事故が生じた場合にこれを検出して保護する機能が付け
られた装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】図４に商用電力をトランスにより昇圧し
てネオン管を点灯させる地絡保護機能付電源装置を示
す。漏洩変圧器（ネオン変圧器）１１の１次巻線１２の
一端はスイッチ１３を通じて入力端子１４に接続され、
１次巻線１２の他端は入力端子１５に接続されている。
２個の２次巻線１６，１７の巻始め端は互いに接続さ
れ、その接続点２０は、変圧器ケース３６の接地端子１
８に接続され、つまりケース３６に接続される。そして
接地端子１８が大地に接地され、２次巻線１６，１７の
両巻き終わり端は出力端子２１，２２に接続され、出力
端子２１，２２間に、ネオン管又はアルゴン管などのサ
イン灯（冷陰極放電管）２３が接続される。入力端子１
４，１５間に交流電力、例えば商用電力が商用電源１９
から入力され、これが変圧器１１で昇圧されてサイン灯
２３に印加され、サイン灯２３が点灯される。 【０００３】サイン灯２３やその配線がケース３６やサ
イン灯２３が取付けられている塔などと接触し、つまり
地絡事故が生じると、これを検出して、入力交流電力を
遮断する保護回路１０が設けられている。つまり２次巻
線１６，１７の近傍に、これらとそれぞれ磁気的に結合
した３次巻線２５，２６が保護回路１０の一部として設
けられる。通常は２次巻線１６，１７が巻かれた磁気コ
アに、これら２次巻線１６，１７の最下層間側におい
て、３次巻線２５，２６が巻かれ、２次巻線１６，１７
と３次巻線２５，２６との各間にはそれぞれ耐圧が６０
００〜７０００Ｖ程度の高耐電圧絶縁材層が介在されて
電気的絶縁を大にし、かつ２次巻線１６，１７と３次巻
線２５，２６との各磁気的結合が十分大とされている。 【０００４】３次巻線２５，２６の一端は、その誘起電
圧が互いに打消し合うように逆相に接続され、３次巻線
２５，２６の両他端は整流平滑回路２７の入力側に接続
され、整流平滑回路２７の出力側はツェナーダイオード
２８を通じて、抵抗器３１、コンデンサ３２の並列回路
の両端に接続され、また、この並列回路の両端はトライ
アック３３のゲートと陰極とに接続される。トライアッ
ク３３はリレー駆動コイル３４を通じて入力端子１４，
１５間に接続され、リレー駆動コイル３４の駆動により
制御されるリレー接点でスイッチ１３が構成されてい
る。 【０００５】正常な状態では３次巻線２５，２６に誘起
される電圧はほぼ等しく、互いに逆相であるから、整流
平滑回路２７の入力電圧はほぼゼロである。しかしサイ
ン灯２３、又はその配線が地絡すると、地絡された方の
２次巻線の両端がその地絡により短絡され、その２次巻
線と結合している３次巻線の誘起電圧が著しく減少する
ため、他方の３次巻線の全誘起電圧が整流平滑回路２７
に印加されることになる。この電圧が整流平滑され、そ
の整流平滑出力電圧が上昇してツェナーダイオード２８
がオンとなる。その結果、トライアック３３がオンとな
りリレー駆動コイル３４が駆動され、スイッチ１３が開
となり、入力交流電力の変圧器１１への供給が遮断され
る。リレー接点のスイッチ１３は常開側ＮＯに接続さ
れ、これを通じてリレー駆動コイル３４に動作保持電流
が流れる。 【０００６】また図５に図４と対応する部分に同一符号
を付けて示す地絡保護電源装置も提案されている。つま
り２次巻線１６，１７の接続点（２次巻線の中点）２０
が整流用ダイオード３５を通じ、更にツェナーダイオー
ド３６とフォトカプラ１１３の発光素子１１３Ｌの直列
回路を通じて接地端子１８に接続され、また２次巻線の
中点２０が抵抗素子３７を通じて接地端子１８に接続さ
れ、リレー駆動コイル３４とフォトカプラ１１３の受光
素子１１３Ｐとの直列回路が入力端子１４及び１５間に
接続される。なお、２次巻線１６と２次巻線１７は巻方
向が互いに逆とされている。 【０００７】正常状態では出力端子２１と２２の電位
は、交流電圧の正の最大値と負の最大値との間を互いに
逆位相で変化し、中点２０の電位はほぼゼロである。し
かし、一方の出力端子２１側に地絡事故が発生すると、
出力端子２１側がゼロ電位となり、出力端子２２側が正
常時の約２倍の振幅で交流的に変化し、これに伴って中
点２０の電位も変化し、この中点２０の電位がダイオー
ド３５で整流され、ツェナーダイオード３６を通じて発
光素子１１３Ｌに電流が流れて発光し、その光が受光素
子１１３Ｐに受光され、受光素子１１３Ｐが導通し、リ
レーコイル３４に電流が流れ、その接点１３が常閉側か
ら常開側に切替り、交流電力の１次巻線１２へ供給が遮
断される。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかし図４の従来回路
は２つの３次巻線を用い、これら３次巻線を、２つの２
次巻線の最下層の下（内側）に高耐圧絶縁物を介して設
けているため、この３次巻線を設けるために手数がかか
り、それだけネオン変圧器の生産効率を低くしていた。
特にインバータにより高周波電力を発生させて放電管を
点灯させる場合の昇圧トランスは、大きさが小さいた
め、３次巻線の巻回や絶縁フィルムの巻回、引き出し線
処理がやりにくかった。 【０００９】一方図５に示した装置においては、商用交
流電力を例えば１０ｋＨｚ〜３０ｋＨｚの高周波電力に
変換して放電管２３を点灯させる、いわゆるインバータ
方式の電源に適用すると、高周波電力の周波数が高いた
め、２次側配線の浮遊容量Ｃ _fの影響が無視できなくな
り、この浮遊容量Ｃ_fを通じて漏洩電流がかなり流れ
る。図５の装置における２次側の浮遊容量Ｃ_fを通じる
回路の等価回路は図６Ａに示すようになる。例えば中点
２０と一方の出力端子２２間の２次巻線１７に誘起され
た高周波電力はダイオード３５−ツェナーダイオード３
６−発光素子１１３Ｌと抵抗素子３７との並列回路と、
浮遊容量Ｃ_fを通じる閉回路に漏洩電流が流れ、この漏
洩電流が比較的大きいとツェナーダイオード３６が導通
し、発光素子１１３Ｌが発光して誤動作するおそれがあ
る。なお地絡事故が生じるとこれに基づく抵抗値が小さ
い地絡抵抗Ｒ_Sを通じて２次側が接地されたことにな
る。この時の抵抗素子３７の両端電圧と、漏洩電流に基
づく抵抗素子３７の両端電圧との差が比較的小さいた
め、漏洩電流に影響されることなく、地絡事故を確実に
検出することが難しい。以上のように図５に示した装置
はインバータ方式の電源装置に用いると誤動作のおそれ
があり、使用できない。 【００１０】 【課題を解決するための手段】この発明によれば、交流
電力を整流回路により直流電力に変換し、更にその直流
電力をインバータを用いて高周波電力として冷陰極放電
管を点灯させる電源装置において、トランスの２次巻線
の中点と整流回路の負側出力端との間に、整流素子と抵
抗素子が直列に接続され、その抵抗素子を流れる電流が
検出回路で検出され、その検出した電流が所定値を超え
たか否かが判定回路により判定され、所定値を超えたと
判定されると、その判定出力によりインバータの動作が
停止回路により停止される。 【００１１】 【発明の実施の形態】この発明の実施形態を実施例によ
り説明する。図１にこの発明を適用した、冷陰極放電管
点灯電源装置の実施例を示す。この発明では、商用電力
を高周波電力に変換し、高周波電力により冷陰極放電管
を点灯させる場合に適用される。商用電源１９に接続さ
れるべき入力端子１４，１５は全波整流回路４１の入力
側に接続され、整流回路４１の出力側は限流用チョーク
コイル４２を介して整流平滑回路４３に接続され、全波
整流回路４１の出力側に必要に応じて雑音除去用コンデ
ンサ４４が接続される（なお、入力端子１５は電源のニ
ュートラル端子である）。チョークコイル４２及び整流
平滑回路４３の接続点４５は１次巻線１２の中点に接続
される。整流平滑回路４３の正側出力端、つまり整流用
ダイオード４３ａ及び平滑用コンデンサ４３ｂの接続点
は抵抗素子４６を通じてツェナーダイオード４７の一端
に接続され、ツェナーダイオード４７の他端は共通電位
点４８、つまり全波整流回路４１及び整流平滑回路４３
の各負側出力端に接続される。このツェナーダイオード
４７の両端間に抵抗分圧器４９，５１がそれぞれ接続さ
れ、抵抗分圧器４９，５１の各分圧点は、ＦＥＴよりな
るスイッチング素子５２，５３の各ゲートに接続されて
所定のバイアス電圧をそのゲートに与えると共に、１次
巻線１２と磁気結合した帰還巻線５４の両端に接続され
る。 【００１２】１次巻線１２の両端はそれぞれスイッチン
グ素子５２，５３を通じて共通電位点４８に接続され、
また１次巻線１２の両端間にコンデンサ５５が接続され
る。１次巻線１２、スイッチング素子５２，５３、帰還
巻線５４、コンデンサ５５により自励発振回路（プッシ
ュプルインバータ）５６が構成される。このインバータ
５６により例えば１０ｋＨｚ〜３０ｋＨｚの高周波信号
が発生され、この高周波信号がトランス１１により昇圧
されて２次巻線１６，１７の両端間に高電圧出力として
現われ、この高電圧出力が放電管２３に印加され、放電
管２３が点灯する。 【００１３】つまり商用電力のような低周波交流電力が
全波整流されて直流電力に変換され、その直流電力がイ
ンバータ５６により高周波電力に変換され、その高周波
電力がトランス１１により昇圧される。この場合のトラ
ンス１１は図４中に示した低周波用のものと比較して可
成り小形なものとなっている。この発明においてはトラ
ンス１１の２次巻線１６，１７の中点２０と整流回路４
１の負側出力端子、つまり共通電位点４８との間に整流
素子６１と抵抗素子６２とが直列に接続される。この実
施例で２次巻線の中点２０は抵抗素子６３−整流素子６
１−抵抗素子６２を通じて共通電位点４８に接続され
る。これら素子を通じる中点２０と共通電位点間のイン
ピーダンスが比較的大きくなるように、例えば抵抗素子
６２，６３の各抵抗値はそれぞれ１００ｋΩ、２０ｋΩ
とされ、トランス１１の２次巻線中点が非接地状態に近
いようにされる。 【００１４】抵抗素子６２を流れる電流が電流検出回路
６４で検出され、その検出電流が所定値を超えるか否か
の判定が判定回路６５で行われる。この例では整流素子
６１と抵抗素子６２の接続点は抵抗素子６６−ダイオー
ド６７−コンデンサ６８を通じて共通電位点４８に接続
され、コンデンサ６８と並列に抵抗素子６９が接続さ
れ、ダイオード６７及びコンデンサ６８の接続点は抵抗
素子７１を通じて比較器７２の非反転入力端に接続され
る。抵抗素子６６と６９は抵抗素子６２の両端間電圧を
分圧するように作用し、ダイオード６７は抵抗素子６２
の両端間に生じる電圧を整流し、その整流出力がコンデ
ンサ６８で平滑化される。抵抗素子７１は比較器７２に
入力される電流を制限して比較器７２を保護するもので
あって、省略してもよい。 【００１５】抵抗素子６２に流れる電流に応じて抵抗素
子６２の両端間に生じる電圧が整流平滑されて比較器７
２へ印加される。このようにして抵抗素子６２に流れる
電流値を電圧として検出している。比較器７２の非反転
入力端と共通電位点４８の間にツェナーダイオード７３
が接続され、比較器７２に過電圧が入力されないように
保護されている。全波整流回路４１の出力端間に整流平
滑回路７５が接続され、その平滑用コンデンサ７５ｂの
両端にツェナーダイオード７６が接続され、整流用ダイ
オード７５ａ及び平滑用コンデンサ７５ｂの接続点は比
較器７２の正側電源端子に接続され、比較器７２の負側
電源端子は共通電位点４８に接続される。ダイオード７
５ａ及びコンデンサ７５ｂの接続点は抵抗素子７７を通
じてツェナーダイオード７８の一端に接続され、ツェナ
ーダイオード７８の他端は共通電位点４８に接続され
る。抵抗素子７７及びツェナーダイオード７８の接続点
が比較器７２の反転端子に接続されて基準電圧Ｖ_S がこ
の反転端子に印加される。比較器７２により判定回路６
５が構成される。 【００１６】検出電流が所定値を超えたと判定回路６５
が判定すると、停止回路８１によりインバータ５６の動
作が停止される。即ち、抵抗素子４６及びツェナーダイ
オード４７の接続点はサイリスタ８２を通じて共通電位
点４８に接続され、比較器７２の出力端子が逆流阻止用
ダイオード８３を通じて、サイリスタ８２のゲートに接
続される。サイリスタ８２のゲートは抵抗素子８４及び
コンデンサ８５の並列回路を通じて共通電位点４８に接
続される。トランスケース３６の接地端子１８は大地に
接地される。 【００１７】なおこの実施例では高周波電力の過電圧を
検出してインバータ５６を停止させるようにした場合
で、トランス１１に過電圧検出用巻線９１が２次巻線１
６，１７と磁気的に結合され、過電圧検出用巻線９１の
両端に整流平滑回路９２が接続され、整流平滑回路９２
の出力端間に抵抗素子９３が接続され、整流平滑回路９
２の正側出力端は過電流保護用抵抗素子９４を通じて比
較器９５の非反転入力端に接続され、整流平滑回路９２
の負側出力端は共通電位点４８に接続され、比較器９５
の反転入力端は抵抗素子７７及びツェナーダイオード７
８の接続点に接続され、比較器９５の出力端は逆流阻止
用ダイオード９６を通じてサイリスタ８２のゲートに接
続される。整流平滑回路９２内の抵抗素子９２ａと抵抗
素子９３は分圧回路を構成している。 【００１８】上述の構成において正常の状態においては
２次巻線１６，１７の中点２０はほぼ非接地状態にある
ため、２次巻線１６，１７の中点２０と反対の端の電位
は高周波で一方が＋Ｖ_A から−Ｖ_A へ、他方が−Ｖ_A か
ら＋Ｖ_A へ変化し、中点２０は常にほぼ０電位にある。
従って中点２０から抵抗素子６２を通じて共通電位点４
８に流れる電流は著しく小さい。よって比較器７２の非
反転入力端に印加される、前記電流と対応する電圧は基
準電圧Ｖ_S より小さく、比較器７２の出力は低レベルで
あってサイリスタ８２は不導通状態にあり、インバータ
５６は発振を継続する。 【００１９】２次巻線１６，１７の出力側に地絡事故が
発生すると、例えば一方の出力端子２１側が地絡する
と、出力端子２１がほぼ接地電位状態になり、他方の出
力端子２２の電位は高周波でほぼ＋２Ｖ_A と−２Ｖ_A の
間を変化し、中点２０の電位が＋Ｖ_A と−Ｖ_A の間で変
化する。よって、この中点２０の電位変動が整流素子６
１で整流されて抵抗素子６２に電流が流れ、この電流と
対応した電圧が検出回路６４で検出されて比較器７２の
非反転入力端に印加され、この電圧は基準電圧Ｖ _S を超
え、比較器７２の出力が高レベルに反転し、この高レベ
ルがダイオード８３を通じてサイリスタ８２のゲートに
印加されて、サイリスタ８２が導通し、抵抗分圧器４
９，５１の各両端がほぼ短絡され、スイッチング素子５
２，５３に対するバイアス電圧がゼロとなり、インバー
タ５６は発振できなくなり、２次巻線１６，１７に高周
波電力は現われず、地絡点に大きな電流が流れ続けるこ
とはない。これにより検出回路６４の検出電圧が小さく
なり比較器７２の出力端が低レベルになっても、ダイオ
ード８３が存在するため、サイリスタ８２は導通状態を
保持する。 【００２０】なおこのように高周波電力で放電管２３を
点灯する場合は、放電管駆動電力周波数が高いため、放
電管２３の配線と大地間の浮遊容量Ｃ_f のインピーダン
スが比較的小さく、比較的大きな漏洩電流が大地へ流れ
る、つまり、例えば出力端子２２側の電位が−Ｖ_A の状
態で、中点２０−抵抗素子６３−整流素子６１−抵抗素
子６２−共通電位点４８−電源のニュートラル端子１５
−大地−浮遊容量Ｃ_f−出力端子２２なる回路を通じて
漏洩電流が流れる。しかし整流素子６１の存在で前記漏
洩電流と逆方向の電流は流れない。つまり抵抗素子６２
には一方向の電流しか流れない。これに対し、整流素子
６１が省略されている場合は、抵抗素子６２には何れの
方向の漏洩電流も流れ、そのため漏洩電流が大きいと、
これを地絡事故として誤検出するおそれがある。しかし
この発明では整流素子６１の存在によりそのようなおそ
れがない。 【００２１】つまり、この場合の図６Ａと対応した等価
回路は図６Ｂに示すようになり、ダイオード６１と並列
に抵抗素子が接続されてなく、浮遊容量Ｃ_fを通じる漏
洩電流はダイオード６１により整流され、浮遊容量Ｃ_f
が充電され、この充電電圧はダイオード６１に対し、逆
バイアスを与えるため、それだけ漏洩電流により地絡検
出用抵抗素子６２の両端に印加される電圧は小さくな
る。地絡事故により、例えば出力端子２２側が地絡抵抗
Ｒ_Sにより浮遊容量Ｃ_fがほぼ短絡され、抵抗素子６２に
大きな電流が流れ、抵抗素子６２の両端電圧は大きくな
り、これと正常時の漏洩電流に基づく抵抗素子６２の両
端電圧との差が大きく、誤動作なく、短絡事故を確実に
検出することができる。 【００２２】図６Ｂは中点２０に対し出力端子２２につ
いて示したが、出力端子２１側も、同様に漏洩電流に影
響されることなく、短絡事故を確実に検出できることは
容易に理解されよう。抵抗素子６３を省略し、抵抗素子
６２のみを用い、抵抗素子６２の抵抗値を大きくして、
中点２０が非接地に近い状態としてもよい。しかしこの
場合は抵抗素子６６−ダイオード６７−抵抗素子７１を
通じて比較的大きな電流が比較器７２に入力され、比較
器７２が破壊されないようにするおそれがあり、そのよ
うなことがないように設計する必要がある。抵抗素子６
３を設け、抵抗素子６２の抵抗値を抵抗素子６３の抵抗
値よりも可成り小さな値にした方が設計がし易い。ダイ
オード６７及びコンデンサ６８を省略してもよい。しか
しこれらダイオード６７及びコンデンサ６８を設けて、
整流素子６１により整流された出力を更に整流平滑する
ことにより、検出回路６４の出力電圧の瞬時変動が少な
くなり、誤動作のおそれがなく、安定性の良いものとな
る。 【００２３】なおトランス１１の２次側に高周波電力の
電圧が所定値以上になると、整流平滑回路９２の出力電
圧が大となり、比較器９５の出力が高レベルとなり、サ
イリスタ８２が導通して、インバータ５６の動作が停止
する。インバータ５６としては２つのスイッチング素子
によるものに限らず、４つのスイッチング素子により構
成してもよく、また自励形のみならず、他励形であって
もよい。図２にインバータ５６として他励形にした例を
示し、図１と対応する部分に同一参照符号を付けてあ
る。整流回路４１の出力側にチョークコイル４２を通じ
てコンデンサ１０１，１０２の直列回路の両端が接続さ
れ、コンデンサ１０１と１０２の直列回路と並列にスイ
ッチング素子としてのＦＥＴ５２と５３の直列回路が接
続され、ＦＥＴ５２，５３の各ゲート、ソース間にパル
ストランス１０３の２次巻線１０４，１０５がそれぞれ
接続され、コンデンサ１０１と１０２の接続点及びＦＥ
Ｔ５２と５３の接続点間にトランス１１の１次巻線１２
が接続される。２次巻線１０４と１０５は互いに逆極性
としてＦＥＴ５２，５３にそれぞれ接続される。 【００２４】発振制御用集積回路１０６の一番ピンに、
チョークコイル４２とコンデンサ１０１の接続点が抵抗
素子１０７を通じて接続され、整流回路４１の負側出力
端、つまり共通電位点４８が集積回路１０６の５番ピン
に接続され、また集積回路１０６の１番ピン及び５番ピ
ン間にコンデンサ１０８が接続され、集積回路１０６の
８番ピンと５番ピンとの間に１次巻線１２と磁気的に結
合した３次巻線１０９が接続され、７番ピンと共通電位
点４８の間にパルストランス１０３の１次巻線１１１が
コンデンサ１１２を介して接続される。集積回路１０６
には発振回路が内蔵され、その発振出力がパルストラン
ス１０３の１次巻線１１１に与えられ、その１次巻線１
１１に印加されるパルスの極性により、２次巻線１０４
と１０５に誘起されるパルスによりＦＥＴ５２，５３の
一方はオン、他方はオフに制御されることが交互に行わ
れ、１次巻線１２に互いに逆方向に、コンデンサ１０
１，１０２の電荷が交互に流れて、整流回路４１の出力
が高周波電力に変換され、その高周波電力がトランス１
１で昇圧されて２次巻線１６，１７に誘起される。この
高周波電力の一部が３次巻線１０９より集積回路１０６
に帰還され、集積回路１０６の動作電力とされる。 【００２５】この実施例では図１に示した場合と同様に
２次巻線の中点２０が整流素子６１及び抵抗素子６２を
通じて共通電位点４８に接続され、その抵抗素子６２を
流れる電流が検出回路６４で検出され、その検出値が判
定回路６５で基準電圧Ｖ_S を超えるか否か判定される。
ただし、この場合は検出回路６４の出力は比較器７２の
反転入力端に印加され、非反転入力端に基準電圧Ｖ_S が
印加される。また比較器７２の出力端は逆流阻止用ダイ
オード８３を通じ、更にホトカプラ１１３の発光素子１
１３Ｌを通じて、整流用ダイオード７５ａ及び平滑用コ
ンデンサ７５ｂの接続点に接続される。ダイオード８３
はカソード側が比較器７２の出力端に接続される。抵抗
素子１０７及びコンデンサ１０８の接続点はホトカプラ
１１３の受光素子１１３Ｐを通じて集積回路１０６の３
番ピンに接続される。 【００２６】正常な状態においては前述したように検出
回路６４の出力電圧が基準電圧Ｖ_Sより小さく、比較器
７２の出力は高レベル状態であり、ダイオード８３によ
り、電流が阻止され、発光素子１１３Ｌに電流が流れず
発光しない。よって集積回路１０６は動作を継続し、高
周波電力がトランス１１から出力される。地絡事故が発
生すると検出回路６４の出力電圧が基準電圧Ｖ_S を超
え、比較器７２の出力は低レベルとなり、ダイオード８
３を通じて発光素子１１３Ｌに電流が流れ、これが発光
し、この光を受けて受光素子１１３Ｐが導通して集積回
路１０６の３番ピンに受光素子１１３Ｐを通じて正電圧
が印加され、集積回路１０６はその動作が停止され、Ｆ
ＥＴ５２，５３に対するスイッチング制御が行われなく
なり、高周波電力の２次巻線１６，１７への供給が遮断
される。 【００２７】なお半導体集積回路１０６は例えば図３に
示すように、市販のスイッチングレギュレータコントロ
ール半導体集積回路２０２（例えば三菱電機株式会社製
Ｍ５１９９６Ａ）に対して、いくつかの素子を組み込ん
で１つのパッケージとしたものである。つまり集積回路
１０６の１番ピンが集積回路２０２の１番及び１４番
ピンと接続され、集積回路１０６の３番ピンが集積回
路２０２の４番ピンに接続され、集積回路１０６の５番
ピンが集積回路２０２の３番、６番、１２番及び１３
番ピンに接続され、集積回路１０６の７番ピンが集積
回路２０２の２番ピンに抵抗素子２０３−ダイオード２
０４を介して接続され、集積回路１０６の８番ピン
が、抵抗素子２０５−ダイオード２０６を通じて集積回
路２０２の１番及び１４番ピンに接続される。１番ピン
及び５番ピン間にコンデンサ２０７及びツェナーダ
イオード２０８がそれぞれ接続され、抵抗素子２０３及
びダイオード２０４の接続点は抵抗素子２０９及び２１
１をそれぞれ通じて１番ピン及び５番ピンに接続さ
れ、１番ピン及び５番ピン間にツェナーダイオード
２１２−サイリスタ２１３−抵抗素子２１４が接続さ
れ、サイリスタ２１３のゲートは抵抗素子２１５−ダイ
オード２１６を通じて集積回路２０２の２番ピンに接続
され、サイリスタ２１３のゲート及びカソード間にコン
デンサ２１７及び抵抗素子２１８の並列回路が接続さ
れ、ダイオード２０４のアノード−カソード間にトラン
ジスタ２１９が逆極性で接続され、トランジスタ２１９
のベースはサイリスタ２１３のカソードに接続される。 【００２８】トランス１１に印加された高周波電力の一
部が３次巻線１０９を介して８番ピンに入力され、そ
の高周波電力はダイオード２０６で整流され、その整流
出力はコンデンサ２０７及びツェナーダイオード２０８
により一定の電源電圧として集積回路２０２の電源ピン
に供給される。集積回路２０２よりのパルス出力は、正
パルスでダイオード２０４を通じてパルストランスの１
次巻線１１１へ供給され、この正パルスはコンデンサ２
１７、抵抗素子２１５により遅らされてサイリスタ２１
３に印加され、これが導通され、この結果トランジスタ
２１９が導通可能な状態になり、コンデンサ１１２の電
荷がトランジスタ２１９を介して放電される。この遅れ
動作により、動作開始時におけるＦＥＴ５２，５３に対
するスイッチング制御が不安定にならないようにされて
いる。 【００２９】 【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、高
周波電力で冷陰極放電管を点灯させる電源装置におい
て、地絡保護のためにトランスに２次巻線の内側に高耐
圧絶縁層を介して３次巻線を設ける必要がなく、小形の
トランス１１の製造がやり易い。また漏洩電流による誤
動作のおそれもない。

【図面の簡単な説明】 【図１】この発明の実施例を示す回路図。 【図２】この発明の他の実施例を示す回路図。 【図３】図２中の集積回路１０６の一部詳細例を示す
図。 【図４】従来の保護機能付冷陰極放電管点灯用電源装置
を示す回路図。 【図５】提案されている他の電源装置を示す回路図。 【図６】Ａは図５に示した装置の２次側回路の一部の等
価回路、Ｂは図１に示した装置の２次側回路の一部の等
価回路を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K072 AA19 AB03 BA03 BB01 CA16 DD01 EA02 EA07 EB06 FA05 GA02 GB14 GC03 5H007 BB03 CA02 CB03 CB06 DB01 DC05 FA00 FA12 FA13 FA14 FA19

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 交流電力を整流回路により直流電力に変
   換し、その直流電力を、インバータにより、上記交流電
   力の周波数よりも高い周波数の高周波電力に変換し、そ
   の高周波電力をトランスで昇圧して冷陰極放電管を点灯
   させる電源装置において、 上記トランスの２次巻線の中点と上記整流回路の負側出
   力端子との間に直列に接続された、整流素子及び抵抗素
   子と、 上記抵抗素子を流れる電流を検出する回路と、 上記検出電流が所定値以上か否かを判定する判定回路
   と、 その判定回路が所定値以上と判定した出力により上記イ
   ンバータの動作を停止させる停止回路と、 を具備する地絡保護機能付冷陰極放電管点灯用電源装
   置。