JP2003015551A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光面積を大きくし明るい表示を得ることが
可能なＥＬ表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、ゲート信号を供給
する複数のゲート信号線５１と、ドレイン信号を供給す
る複数のドレイン信号線５２が配置されており、それら
の両信号線５１，５２の交差部近傍には、それらの両信
号線５１，５２に接続されたスイッチング用ＴＦＴ３０
と、ゲート４３がＴＦＴ３０のソース１１ｓに、ドレイ
ン４１ｄが駆動電源線７０に、ソース４１ｓがＥＬ素子
９０に接続されたＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０を備えたＥ
Ｌ表示装置であって、駆動電源線７０が陽極８０と重畳
することなくその周囲を囲むように延在している。
可能なＥＬ表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に、ゲート信号を供給
する複数のゲート信号線５１と、ドレイン信号を供給す
る複数のドレイン信号線５２が配置されており、それら
の両信号線５１，５２の交差部近傍には、それらの両信
号線５１，５２に接続されたスイッチング用ＴＦＴ３０
と、ゲート４３がＴＦＴ３０のソース１１ｓに、ドレイ
ン４１ｄが駆動電源線７０に、ソース４１ｓがＥＬ素子
９０に接続されたＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０を備えたＥ
Ｌ表示装置であって、駆動電源線７０が陽極８０と重畳
することなくその周囲を囲むように延在している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）を備えたエレクトロルミネッセンス（Elecrolumi
nescence、以下、「ＥＬ」と称する。）表示装置に関す
る。
（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称す
る。）を備えたエレクトロルミネッセンス（Elecrolumi
nescence、以下、「ＥＬ」と称する。）表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＥＬ表示装置は携帯可能な表示装
置、例えば携帯用テレビ、携帯電話等が市場ニーズとし
て要求されており、それに応じて小型化、軽量化、省消
費電力化の要求に対応すべく研究開発も盛んである。
置、例えば携帯用テレビ、携帯電話等が市場ニーズとし
て要求されており、それに応じて小型化、軽量化、省消
費電力化の要求に対応すべく研究開発も盛んである。
【０００３】図７にＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面
図を示し、図８に図７中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示
し、図９に図７中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示し、図
１０に図７中のＣ−Ｃ線に沿った断面図を示す。
図を示し、図８に図７中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示
し、図９に図７中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示し、図
１０に図７中のＣ−Ｃ線に沿った断面図を示す。
【０００４】図７に示すように、ゲート信号を供給する
複数のゲート信号線５１と、ドレイン信号を供給する複
数のドレイン信号線５２とが互いに交差して配置されて
いる。
複数のゲート信号線５１と、ドレイン信号を供給する複
数のドレイン信号線５２とが互いに交差して配置されて
いる。
【０００５】また、ドレイン信号線５２と並行に有機Ｅ
Ｌ素子９０を駆動するための電流を供給する駆動電源線
７０が配置されており、またゲート信号線５１と並行に
ドレイン信号線５２から供給されたドレイン信号を１フ
ィールド期間保持する保持容量ＳＣの一方の電極である
保持容量信号線５５が配置されている。
Ｌ素子９０を駆動するための電流を供給する駆動電源線
７０が配置されており、またゲート信号線５１と並行に
ドレイン信号線５２から供給されたドレイン信号を１フ
ィールド期間保持する保持容量ＳＣの一方の電極である
保持容量信号線５５が配置されている。
【０００６】また、それらの両信号線５１，５２の交差
部近傍には、スイッチング用ＴＦＴ３０、２つのＥＬ素
子駆動用ＴＦＴ４０ａ，４０ｂ及びＥＬ素子９０が配置
されている。このＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０が２つ設け
られているのは、例え一方のＴＦＴ４０のオン電流が低
くＥＬ素子に流れる電流値がｉ／２であったとしても、
２つのＴＦＴによって３ｉ／２（＝ｉ＋ｉ／２）となり
ＴＦＴの特性がすぐに影響することがなく、ＥＬ素子９
０の発光輝度低下することがない。
部近傍には、スイッチング用ＴＦＴ３０、２つのＥＬ素
子駆動用ＴＦＴ４０ａ，４０ｂ及びＥＬ素子９０が配置
されている。このＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０が２つ設け
られているのは、例え一方のＴＦＴ４０のオン電流が低
くＥＬ素子に流れる電流値がｉ／２であったとしても、
２つのＴＦＴによって３ｉ／２（＝ｉ＋ｉ／２）となり
ＴＦＴの特性がすぐに影響することがなく、ＥＬ素子９
０の発光輝度低下することがない。
【０００７】スイッチング用ＴＦＴ３０においては、ゲ
ート１３はゲート信号線５１に、ドレイン１１ｄはドレ
イン信号線５２に、ソース１１ｓは保持容量ＳＣの一方
の電極５６及びＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３
に接続されており、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０において
は、ゲート４３はスイッチング用ＴＦＴ３０のソース１
１ｓ及び保持容量ＳＣの一方の電極５６に、ドレイン４
１ｄは有機ＥＬ素子９０を駆動するための電流を供給す
る駆動電源線７０に、ソース４１ｓはゲート電極４３と
同時に形成された配線４２のコンタクト部４２ｓを介し
て有機ＥＬ素子９０の陽極８０に接続されている。
ート１３はゲート信号線５１に、ドレイン１１ｄはドレ
イン信号線５２に、ソース１１ｓは保持容量ＳＣの一方
の電極５６及びＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３
に接続されており、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０において
は、ゲート４３はスイッチング用ＴＦＴ３０のソース１
１ｓ及び保持容量ＳＣの一方の電極５６に、ドレイン４
１ｄは有機ＥＬ素子９０を駆動するための電流を供給す
る駆動電源線７０に、ソース４１ｓはゲート電極４３と
同時に形成された配線４２のコンタクト部４２ｓを介し
て有機ＥＬ素子９０の陽極８０に接続されている。
【０００８】図８、図９及び図１０に基づいて、従来の
ＥＬ表示装置の構造について説明する。
ＥＬ表示装置の構造について説明する。
【０００９】絶縁性基板１０上に、ＣＶＤ法等を用いて
成膜した非単結晶シリコン膜に、エキシマレーザ等を照
射して多結晶化した多結晶シリコン膜からなる半導体層
１１を島状に形成してスイッチング素子であるＴＦＴの
能動層とすると同時に、保持容量信号線５５と重畳する
領域にまで延在させて残して保持容量ＳＣの一方の電極
５６とする。更に同時にＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能
動層４１も島状に形成する。これら各ＴＦＴ３０，４０
の能動層１１，４１及び絶縁性基板１０上に、ゲート絶
縁膜１２をＳｉＯ2膜をＣＶＤ法にて形成する。
成膜した非単結晶シリコン膜に、エキシマレーザ等を照
射して多結晶化した多結晶シリコン膜からなる半導体層
１１を島状に形成してスイッチング素子であるＴＦＴの
能動層とすると同時に、保持容量信号線５５と重畳する
領域にまで延在させて残して保持容量ＳＣの一方の電極
５６とする。更に同時にＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能
動層４１も島状に形成する。これら各ＴＦＴ３０，４０
の能動層１１，４１及び絶縁性基板１０上に、ゲート絶
縁膜１２をＳｉＯ2膜をＣＶＤ法にて形成する。
【００１０】そのゲート絶縁膜１２上に、Ｃｒ、Ｔｉ等
の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成すゲ
ート電極１３，４３を形成する。このゲート電極４３
は、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層１１から延在し
た保持容量ＳＣの一方の電極５６と、ゲート絶縁膜１２
に設けたコンタクトホールを介して接続されている。
の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成すゲ
ート電極１３，４３を形成する。このゲート電極４３
は、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層１１から延在し
た保持容量ＳＣの一方の電極５６と、ゲート絶縁膜１２
に設けたコンタクトホールを介して接続されている。
【００１１】また、ゲート電極１３，４３をマスクとし
て、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層にはＰ（リン）
等の不純物イオンを注入し、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０
の能動層にはＢ（ボロン）等の不純物を注入して、スイ
ッチング用ＴＦＴ３０をｎチャネル型ＴＦＴに、ＥＬ素
子駆動用ＴＦＴ４０をｐチャネル型ＴＦＴにする。
て、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層にはＰ（リン）
等の不純物イオンを注入し、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０
の能動層にはＢ（ボロン）等の不純物を注入して、スイ
ッチング用ＴＦＴ３０をｎチャネル型ＴＦＴに、ＥＬ素
子駆動用ＴＦＴ４０をｐチャネル型ＴＦＴにする。
【００１２】イオン注入の後、ゲート電極１３，４３を
覆うように、層間絶縁膜１６を形成する。この層間絶縁
膜１６は、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の３層か
らなっている。
覆うように、層間絶縁膜１６を形成する。この層間絶縁
膜１６は、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の３層か
らなっている。
【００１３】その上に、各ＴＦＴ３０，４０において、
層間絶縁膜１６のドレイン３３ｄ，４３ｄに対応した位
置、及びソース３３ｓ，４３ｓに対応した位置に設けた
コンタクトホールを形成し、Ａｌ等の金属を充填したド
レイン信号線５２を兼ねたドレイン電極１７、駆動電源
線７０、及び能動層４１と陽極８０を接続するための配
線４２を形成する。
層間絶縁膜１６のドレイン３３ｄ，４３ｄに対応した位
置、及びソース３３ｓ，４３ｓに対応した位置に設けた
コンタクトホールを形成し、Ａｌ等の金属を充填したド
レイン信号線５２を兼ねたドレイン電極１７、駆動電源
線７０、及び能動層４１と陽極８０を接続するための配
線４２を形成する。
【００１４】更にソース電極２２、ドレイン電極２１、
ドレイン信号線５２及び層間絶縁膜２０上の全面に有機
樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜２３が形成
されている。
ドレイン信号線５２及び層間絶縁膜２０上の全面に有機
樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜２３が形成
されている。
【００１５】そして、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０におい
ては、平坦化絶縁膜２３のソース電極２２に対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子９０
の陽極８０を平坦化絶縁膜２０上に設けている。
ては、平坦化絶縁膜２３のソース電極２２に対応した位
置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール
を介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子９０
の陽極８０を平坦化絶縁膜２０上に設けている。
【００１６】そして、有機ＥＬ素子９０は、ＩＴＯ等の
透明電極から成る陽極８０、ＮＰＢ（N,N’-Di(naphtha
lene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine）などから成る
ホール輸送層８２、発光層８３、及びＢｅｂｑ2などか
ら成る電子輸送層８４、弗化リチウム（ＬｉＦ）からな
る電子注入層８５、アルミニウム（Ａｌ）などから成る
陰極８６がこの順番で積層形成された構造である。この
有機ＥＬ素子９０によって表示画素を成している。な
お、陽極８０の周辺には感光性樹脂、ＳｉＯ2膜等から
なる絶縁膜８１を形成する。
透明電極から成る陽極８０、ＮＰＢ（N,N’-Di(naphtha
lene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine）などから成る
ホール輸送層８２、発光層８３、及びＢｅｂｑ2などか
ら成る電子輸送層８４、弗化リチウム（ＬｉＦ）からな
る電子注入層８５、アルミニウム（Ａｌ）などから成る
陰極８６がこの順番で積層形成された構造である。この
有機ＥＬ素子９０によって表示画素を成している。な
お、陽極８０の周辺には感光性樹脂、ＳｉＯ2膜等から
なる絶縁膜８１を形成する。
【００１７】なお、発光層の材料は各色で異なる。即
ち、（１）赤色はホスト材料のＡｌｑ 3（Tris(8-hydrox
yquinolinato)aluminum）に赤色のドーパント材料であ
るＤＣＪＴＢ（(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7
-tet rahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]qu
inolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propaned
initrileをドープして形成されており、（２）緑色はホ
スト材料のＡｌｑ3に緑色ドーパント材料であるＣｏｕ
ｍａｒｉｎ６（3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamin
o)coumarin）をドープして形成されており、（３）青色
は(1,1-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-meth yl-8-quinolinp
late-N1,08)Aluminum（ＢＡｌｑ）に青色ドーパント材
料であるＰｅｒｙｌｅｎｅをドープして形成される。
ち、（１）赤色はホスト材料のＡｌｑ 3（Tris(8-hydrox
yquinolinato)aluminum）に赤色のドーパント材料であ
るＤＣＪＴＢ（(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7
-tet rahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]qu
inolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propaned
initrileをドープして形成されており、（２）緑色はホ
スト材料のＡｌｑ3に緑色ドーパント材料であるＣｏｕ
ｍａｒｉｎ６（3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamin
o)coumarin）をドープして形成されており、（３）青色
は(1,1-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-meth yl-8-quinolinp
late-N1,08)Aluminum（ＢＡｌｑ）に青色ドーパント材
料であるＰｅｒｙｌｅｎｅをドープして形成される。
【００１８】有機ＥＬ素子９０は、陽極８０上方の層に
設けた陰極８６との間に有機材料から発光層が形成され
ており、供給された電流に応じてその発光層が発光す
る。
設けた陰極８６との間に有機材料から発光層が形成され
ており、供給された電流に応じてその発光層が発光す
る。
【００１９】スイッチング用ＴＦＴ３０を介して供給さ
れたドレイン信号が素子駆動用ＴＦＴ４０のゲートに供
給され、それに応じた電流が駆動電源線７０から素子駆
動用ＴＦＴ４０を介して有機ＥＬ素子９０に供給され
る。その供給された電流が陽極８０に供給され、その電
流に応じて発光層の発光材料が発光して有機ＥＬ素子９
０が発光して表示を得ることができる。
れたドレイン信号が素子駆動用ＴＦＴ４０のゲートに供
給され、それに応じた電流が駆動電源線７０から素子駆
動用ＴＦＴ４０を介して有機ＥＬ素子９０に供給され
る。その供給された電流が陽極８０に供給され、その電
流に応じて発光層の発光材料が発光して有機ＥＬ素子９
０が発光して表示を得ることができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、駆動電源線
７０は、図７に示すように、隣接するドレイン信号線５
２，５２の間であって、１つの陽極８０の中央部をその
陽極８０を２分割するようにドレイン信号線５２と並行
に配置されている。
７０は、図７に示すように、隣接するドレイン信号線５
２，５２の間であって、１つの陽極８０の中央部をその
陽極８０を２分割するようにドレイン信号線５２と並行
に配置されている。
【００２１】そのため、発光層８４からの発光光が基板
１０側から出射する際に、その光を遮光してしまうこと
になり、発光光の明るさが暗く観察されてしまい、これ
を表示装置として用いた場合にはその表示が暗くなって
しまうという欠点があった。
１０側から出射する際に、その光を遮光してしまうこと
になり、発光光の明るさが暗く観察されてしまい、これ
を表示装置として用いた場合にはその表示が暗くなって
しまうという欠点があった。
【００２２】また、駆動電源線７０が配置される領域に
加えて、隣接する実質的に発光される領域（図７におい
て、「ＬＡ」で示した領域）以外の領域（図７におい
て、「ＮＬＡ」で示した領域）もあるため、実質的に発
光する領域が小さくなり、表示が暗くなってしまうとい
う欠点があった。
加えて、隣接する実質的に発光される領域（図７におい
て、「ＬＡ」で示した領域）以外の領域（図７におい
て、「ＮＬＡ」で示した領域）もあるため、実質的に発
光する領域が小さくなり、表示が暗くなってしまうとい
う欠点があった。
【００２３】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、発光面積を大きくし明るい表示
を得ることが可能なＥＬ表示装置を提供することを目的
とする。
て為されたものであり、発光面積を大きくし明るい表示
を得ることが可能なＥＬ表示装置を提供することを目的
とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置
は、絶縁性基板上に、陽極及び陰極間に発光層を備えた
ＥＬ素子と、互いに交差したゲート信号線及びドレイン
信号線に接続されたスイッチング用ＴＦＴと、該スイッ
チング用ＴＦＴを介して前記ドレイン信号線のドレイン
信号に応じて前記ＥＬ素子に駆動電源線からの電流を供
給するＥＬ素子駆動用ＴＦＴと、を備えたＥＬ表示装置
において、前記駆動電源線は、各表示画素に設けられた
前記ＥＬ素子駆動用ＴＦＴに接続されているとともに、
前記陽極の１辺で分岐し前記陽極の周辺に沿って配置さ
れ更に前記陽極の１辺に対向する辺で再び合流する形状
に配置されているものである。
は、絶縁性基板上に、陽極及び陰極間に発光層を備えた
ＥＬ素子と、互いに交差したゲート信号線及びドレイン
信号線に接続されたスイッチング用ＴＦＴと、該スイッ
チング用ＴＦＴを介して前記ドレイン信号線のドレイン
信号に応じて前記ＥＬ素子に駆動電源線からの電流を供
給するＥＬ素子駆動用ＴＦＴと、を備えたＥＬ表示装置
において、前記駆動電源線は、各表示画素に設けられた
前記ＥＬ素子駆動用ＴＦＴに接続されているとともに、
前記陽極の１辺で分岐し前記陽極の周辺に沿って配置さ
れ更に前記陽極の１辺に対向する辺で再び合流する形状
に配置されているものである。
【００２５】また、上述のＥＬ表示装置は、前記ＥＬ素
子駆動用ＴＦＴは複数のＴＦＴからなっており、該複数
のＥＬ素子駆動用ＴＦＴは、前記駆動電源線が分岐し陽
極の一辺に沿った個所に配置されているＥＬ表示装置で
ある。
子駆動用ＴＦＴは複数のＴＦＴからなっており、該複数
のＥＬ素子駆動用ＴＦＴは、前記駆動電源線が分岐し陽
極の一辺に沿った個所に配置されているＥＬ表示装置で
ある。
【００２６】更に、上述のＥＬ表示装置は、前記陽極の
周辺に配置された駆動電源線は、実質的に発光する領域
と重畳しないように配置されているＥＬ表示装置であ
る。
周辺に配置された駆動電源線は、実質的に発光する領域
と重畳しないように配置されているＥＬ表示装置であ
る。
【００２７】上述のような構成を採ることにより、実質
的に発光する領域以外の実際の発光に寄与しない領域に
駆動電源線を配置することがなくなり、従来のように陽
極の中央部に配置されることにより、発光層からの発光
光が基板側から出射する際にその光を遮ってしまうこと
になり、それによって表示の輝度が低下して暗い表示し
か得られないという欠点が解消できて、明るい表示が得
られるＥＬ表示装置を提供することができる。
的に発光する領域以外の実際の発光に寄与しない領域に
駆動電源線を配置することがなくなり、従来のように陽
極の中央部に配置されることにより、発光層からの発光
光が基板側から出射する際にその光を遮ってしまうこと
になり、それによって表示の輝度が低下して暗い表示し
か得られないという欠点が解消できて、明るい表示が得
られるＥＬ表示装置を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明のＥＬ表示装置について以
下に説明する。
下に説明する。
【００２９】図１に本発明のＥＬ表示装置を有機ＥＬ表
示装置に応用した場合の表示画素近傍の平面図を示し、
図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３に
図中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示し、図４に図１中の
Ｃ−Ｃ線に沿った断面図を示す。
示装置に応用した場合の表示画素近傍の平面図を示し、
図２に図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３に
図中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示し、図４に図１中の
Ｃ−Ｃ線に沿った断面図を示す。
【００３０】図１に示すように、ゲート信号を供給する
複数のゲート信号線５１が行方向（水平方向）に配置さ
れており、ドレイン信号を供給する複数のドレイン信号
線５２が列方向（垂直方向）に配置されている。また、
ドレイン信号線５２と一部並行な部分と陽極８０を囲む
部分とを有し、有機ＥＬ素子９０に電流を供給する駆動
電源線７０が配置されている。
複数のゲート信号線５１が行方向（水平方向）に配置さ
れており、ドレイン信号を供給する複数のドレイン信号
線５２が列方向（垂直方向）に配置されている。また、
ドレイン信号線５２と一部並行な部分と陽極８０を囲む
部分とを有し、有機ＥＬ素子９０に電流を供給する駆動
電源線７０が配置されている。
【００３１】これらの各信号線に囲まれる表示画素領域
に、スイッチング用ＴＦＴ３０、有機ＥＬ素子９０に電
流を供給する素子駆動用ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子９
０が形成されている。即ち、ゲート信号線５１とドレイ
ン信号線５２との交点近傍に配置されたスイッチング素
子３０においては、ゲート１３がゲート信号線５１に、
ドレイン１１ｄがドレイン信号線５２に、ソース１１ｓ
がＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３に接続されて
おり、また、駆動電源線７０のうちドレイン信号線５２
と並行な部分の駆動電源線によって左右に分割配置され
たＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０においては、ゲート４３が
スイッチング用ＴＦＴ３０のソース１１ｓに、ドレイン
４１ｄが駆動電源線７０に、ソース４１ｓが有機ＥＬ素
子９０の陽極８０に接続されている。
に、スイッチング用ＴＦＴ３０、有機ＥＬ素子９０に電
流を供給する素子駆動用ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子９
０が形成されている。即ち、ゲート信号線５１とドレイ
ン信号線５２との交点近傍に配置されたスイッチング素
子３０においては、ゲート１３がゲート信号線５１に、
ドレイン１１ｄがドレイン信号線５２に、ソース１１ｓ
がＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３に接続されて
おり、また、駆動電源線７０のうちドレイン信号線５２
と並行な部分の駆動電源線によって左右に分割配置され
たＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０においては、ゲート４３が
スイッチング用ＴＦＴ３０のソース１１ｓに、ドレイン
４１ｄが駆動電源線７０に、ソース４１ｓが有機ＥＬ素
子９０の陽極８０に接続されている。
【００３２】また、各表示画素領域をゲート信号線５１
と並行に保持容量信号線５５が配置されており、この保
持容量信号線５５と、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動
層であるｐ−Ｓｉ膜を延在させてなる電極５６との間で
保持容量ＳＣを成し、各表示画素において形成されてい
る。この保持容量は、スイッチング用ＴＦＴ３０がオン
したときに供給されるドレイン信号を１フィールド期間
保持し、順次素子駆動用ＴＦＴ４０に供給するためのも
のである。
と並行に保持容量信号線５５が配置されており、この保
持容量信号線５５と、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動
層であるｐ−Ｓｉ膜を延在させてなる電極５６との間で
保持容量ＳＣを成し、各表示画素において形成されてい
る。この保持容量は、スイッチング用ＴＦＴ３０がオン
したときに供給されるドレイン信号を１フィールド期間
保持し、順次素子駆動用ＴＦＴ４０に供給するためのも
のである。
【００３３】図１に基づいて、本発明のＥＬ表示装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３４】同図に示すように、駆動電源線７０は、従
来のように陽極８０の中央部に配置され陽極８０を２分
することなく、陽極８０の周辺に配置されている。即
ち、実質的な発光領域でない領域に駆動電源線７０を配
置している。なお、ＥＬ素子の構造は従来に説明した構
造を有している。
来のように陽極８０の中央部に配置され陽極８０を２分
することなく、陽極８０の周辺に配置されている。即
ち、実質的な発光領域でない領域に駆動電源線７０を配
置している。なお、ＥＬ素子の構造は従来に説明した構
造を有している。
【００３５】ここで、実質的な発光領域、即ち実質的に
発光する領域について説明する。
発光する領域について説明する。
【００３６】ＥＬ素子は、ＥＬ素子が発光する領域は、
陽極、発光層及び陰極が重畳した領域でしか発光しな
い。例え発光層が陰極及び陽極よりも大きくても、即ち
面積が大きくても、陰極または陽極の大きさよりも大き
い領域においては発光はしない。また、陰極及び陽極よ
りも発光層の面積が小さい場合には、その発光層よりも
大きい陰極及び陽極の部分は発光しない。更に、図１及
び図２に示すように、陽極８０の周辺にまで延在させた
絶縁膜８１によって覆われた部分は、発光に寄与しない
領域である。従って、実質的に発光する領域は、実際に
発光光が発光させる領域を意味する。即ち、図１におい
て、陽極８０の内側にまで及んでいる絶縁膜８１（点線
で四角に囲まれる領域以外）の開口部（点線で四角に囲
まれる領域）が実質的に発光する領域であり（図中、
「ＬＡ」で表示）、陽極８０の内側にまで及んでいる絶
縁膜８１（点線で四角に囲まれる領域以外）と、隣接す
る陽極８０を覆う絶縁膜８１との間の領域が、非発光領
域（図中、「ＮＬＡ」で表示）である。
陽極、発光層及び陰極が重畳した領域でしか発光しな
い。例え発光層が陰極及び陽極よりも大きくても、即ち
面積が大きくても、陰極または陽極の大きさよりも大き
い領域においては発光はしない。また、陰極及び陽極よ
りも発光層の面積が小さい場合には、その発光層よりも
大きい陰極及び陽極の部分は発光しない。更に、図１及
び図２に示すように、陽極８０の周辺にまで延在させた
絶縁膜８１によって覆われた部分は、発光に寄与しない
領域である。従って、実質的に発光する領域は、実際に
発光光が発光させる領域を意味する。即ち、図１におい
て、陽極８０の内側にまで及んでいる絶縁膜８１（点線
で四角に囲まれる領域以外）の開口部（点線で四角に囲
まれる領域）が実質的に発光する領域であり（図中、
「ＬＡ」で表示）、陽極８０の内側にまで及んでいる絶
縁膜８１（点線で四角に囲まれる領域以外）と、隣接す
る陽極８０を覆う絶縁膜８１との間の領域が、非発光領
域（図中、「ＮＬＡ」で表示）である。
【００３７】ここで、駆動電源線７０の配置について説
明する。
明する。
【００３８】図１〜図４に示すように、駆動電源線７０
は互いに隣接するドレイン信号線５２の間に、そのドレ
イン信号線５２と並行に列方向（縦方向）に配列されて
いる。このとき、陽極が配置された領域においては、陽
極８０の周辺に駆動電源線７０が配置されている。
は互いに隣接するドレイン信号線５２の間に、そのドレ
イン信号線５２と並行に列方向（縦方向）に配列されて
いる。このとき、陽極が配置された領域においては、陽
極８０の周辺に駆動電源線７０が配置されている。
【００３９】隣接する表示画素に接続された駆動電源線
は当該表示電極のゲート信号線５１、保持容量ＳＣ及び
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の半導体層４１の上層に配置
されている。隣接する前段の表示画素から延在してきて
おり、その電源線７０は当該表示画素において陽極８０
の手前で陽極と重畳することなく、図中において左右に
分岐（７０ａ，７０ｂ）している。そして、駆動用電源
線７０は、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のソース４１ｓと
陽極８０とを接続する配線４２が、駆動電源線７０の一
部７０ａ，７０ｂと交差する個所においては、駆動電源
線８０と同層に形成されたＡｌからなることから、駆動
駆動電源線７０ａと７０ｃとの接続にあたっては、これ
らより下層のゲート電極１３，４３等と同時に形成した
Ｃｒからなる配線７１によって接続している（図３中の
配線７１）。そして電源線７０は陽極８０の左側（７０
ｄ）及び右側（７０ｃ）の実質的に発光する領域以外の
領域を図中下方に向かって配置されている。更に電源線
７０ｃ、７０ｄは陽極８０の角部に沿って折れ曲がり、
図中において左右方向に向かって配置され（７０ｅ，７
０ｆ）、ほぼ中央近傍で合流している。その合流した駆
動電源線７０は次段の表示画素に延在されている。この
ように配置された駆動電源線が繰り返し各表示画素に配
置されている。
は当該表示電極のゲート信号線５１、保持容量ＳＣ及び
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の半導体層４１の上層に配置
されている。隣接する前段の表示画素から延在してきて
おり、その電源線７０は当該表示画素において陽極８０
の手前で陽極と重畳することなく、図中において左右に
分岐（７０ａ，７０ｂ）している。そして、駆動用電源
線７０は、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のソース４１ｓと
陽極８０とを接続する配線４２が、駆動電源線７０の一
部７０ａ，７０ｂと交差する個所においては、駆動電源
線８０と同層に形成されたＡｌからなることから、駆動
駆動電源線７０ａと７０ｃとの接続にあたっては、これ
らより下層のゲート電極１３，４３等と同時に形成した
Ｃｒからなる配線７１によって接続している（図３中の
配線７１）。そして電源線７０は陽極８０の左側（７０
ｄ）及び右側（７０ｃ）の実質的に発光する領域以外の
領域を図中下方に向かって配置されている。更に電源線
７０ｃ、７０ｄは陽極８０の角部に沿って折れ曲がり、
図中において左右方向に向かって配置され（７０ｅ，７
０ｆ）、ほぼ中央近傍で合流している。その合流した駆
動電源線７０は次段の表示画素に延在されている。この
ように配置された駆動電源線が繰り返し各表示画素に配
置されている。
【００４０】図４に示すように、駆動電源線７０が実質
的に発光される領域「ＬＡ」に重畳して形成されること
がなくなる。そのため、発光領域の面積が小さくなるこ
とが防止できるため、発光層から発光光を効率よく外部
に取り出すことが可能となる。
的に発光される領域「ＬＡ」に重畳して形成されること
がなくなる。そのため、発光領域の面積が小さくなるこ
とが防止できるため、発光層から発光光を効率よく外部
に取り出すことが可能となる。
【００４１】本実施例においては、駆動電源線７０が異
なる層の配線によって接続された場合を示したが、本願
はそれに限定させるものではなく、駆動電源線７０が同
一層に同一材料で形成された場合でも同様の効果を奏す
ることができる。
なる層の配線によって接続された場合を示したが、本願
はそれに限定させるものではなく、駆動電源線７０が同
一層に同一材料で形成された場合でも同様の効果を奏す
ることができる。
【００４２】図５に本発明の他の実施の形態を示し、図
６に図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。なお、図
５中のＡ−Ａ線に沿った断面図は図２と同様であり、図
５中のＣ−Ｃ線に沿った断面図は図４と同様である。ま
た、有機ＥＬ素子の構造は従来の構造と同じである。
６に図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。なお、図
５中のＡ−Ａ線に沿った断面図は図２と同様であり、図
５中のＣ−Ｃ線に沿った断面図は図４と同様である。ま
た、有機ＥＬ素子の構造は従来の構造と同じである。
【００４３】図５及び図６に示すように、上述の実施の
形態と異なる点は、駆動電源線７０は同一の層に形成さ
れ、陽極８０を囲むように連続して環状に配置されてい
る点である。従って図６に示すように、配線７１は本実
施の形態においては形成しない。
形態と異なる点は、駆動電源線７０は同一の層に形成さ
れ、陽極８０を囲むように連続して環状に配置されてい
る点である。従って図６に示すように、配線７１は本実
施の形態においては形成しない。
【００４４】このような構成とすることにより、電源線
７０と異なる層の配線７１とを接続するためのコンタク
トホール及びその配線７１を形成する工程の増大を抑制
することができるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０
の近傍において複雑な構造となることを解消できる。
７０と異なる層の配線７１とを接続するためのコンタク
トホール及びその配線７１を形成する工程の増大を抑制
することができるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０
の近傍において複雑な構造となることを解消できる。
【００４５】以上のように、各実施の形態に示すよう
に、隣接する各ドレイン信号線５２間であって、２つの
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０を分割するように配置された
駆動電源線７０が陽極８０近傍においてはその陽極８０
の周囲の実質的に発光する領域以外に配置することがで
きるので、限られた面積の表示画素領域内を有効に配置
することができる。２つのＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０ま
での距離を異ならせることなく駆動電源線を配置するこ
とができるので、２つのＴＦＴ４０の特性がばらつくこ
とがない。更に、従来のように陽極８０のほぼ中央部に
縦方向に配置されることなく、陽極の周辺に配置される
ことから、非常に明るい表示を得ることができる。
に、隣接する各ドレイン信号線５２間であって、２つの
ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０を分割するように配置された
駆動電源線７０が陽極８０近傍においてはその陽極８０
の周囲の実質的に発光する領域以外に配置することがで
きるので、限られた面積の表示画素領域内を有効に配置
することができる。２つのＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０ま
での距離を異ならせることなく駆動電源線を配置するこ
とができるので、２つのＴＦＴ４０の特性がばらつくこ
とがない。更に、従来のように陽極８０のほぼ中央部に
縦方向に配置されることなく、陽極の周辺に配置される
ことから、非常に明るい表示を得ることができる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、発光面積を大きくし明
るい表示を得ることが可能なＥＬ表示装置を得ることが
できる。
るい表示を得ることが可能なＥＬ表示装置を得ることが
できる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図
である。
である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図
である。
である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図
である。
である。
【図４】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図
である。
である。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図
である。
である。
【図６】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図
である。
である。
【図７】従来のＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図で
ある。
ある。
【図８】従来のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図で
ある。
ある。
【図９】従来のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来のＥＬ表示装置の表示画素近傍の断面図
である。
である。
１０ 絶縁性基板
１３，４３ ゲート
１１ｓ、４１ｓ ソース
１１ｄ、４１ｄ ドレイン
１１ スイッチング用ＴＦＴの半導体
膜 ４１ ＥＬ素子駆動用ＴＦＴの半導体
膜 ３０ スイッチング用ＴＦＴ ４０ ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ ５１ ゲート信号線 ５２ ドレイン信号線 ７０ 駆動電源線 ７０ａ，７０ｂ 駆動電源線 ７０ｃ，７０ｄ 駆動電源線 ７０ｅ，７０ｆ 駆動電源線 ８０ 陽極 ８６ 陰極 ＬＡ 発光領域 ＮＬＡ 非発光領域
膜 ４１ ＥＬ素子駆動用ＴＦＴの半導体
膜 ３０ スイッチング用ＴＦＴ ４０ ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ ５１ ゲート信号線 ５２ ドレイン信号線 ７０ 駆動電源線 ７０ａ，７０ｂ 駆動電源線 ７０ｃ，７０ｄ 駆動電源線 ７０ｅ，７０ｆ 駆動電源線 ８０ 陽極 ８６ 陰極 ＬＡ 発光領域 ＮＬＡ 非発光領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 BB07 CB01 CC04
DA01 DB03 EB00 GA04
5C094 AA10 AA48 BA03 BA12 BA27
CA19 CA24 CA25 DA09 DA13
DB01 DB04 EA04 EA05 EA10
FA01 FB01 FB12 FB14 FB15
FB20
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、陽極及び陰極間に発光
層を備えたエレクトロルミネッセンス素子と、互いに交
差したゲート信号線及びドレイン信号線に接続されたス
イッチング用薄膜トランジスタと、該スイッチング用薄
膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線のドレイン
信号に応じて前記エレクトロルミネッセンス素子に駆動
電源線からの電流を供給するエレクトロルミネッセンス
素子駆動用薄膜トランジスタと、を備えたエレクトロル
ミネッセンス表示装置であって、 前記駆動電源線は、各表示画素に設けられた前記エレク
トロルミネッセンス素子駆動用薄膜トランジスタに接続
されているとともに、前記陽極の１辺で分岐し前記陽極
の周辺に沿って配置され更に前記陽極の１辺に対向する
辺で再び合流する形状に配置されていることを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記エレクトロルミネッセンス素子駆動
用薄膜トランジスタは複数の薄膜トランジスタからなっ
ており、該複数のエレクトロルミネッセンス素子駆動用
薄膜トランジスタは、前記駆動電源線が分岐し陽極の一
辺に沿った個所に配置されていることを特徴とする請求
項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記陽極の周辺に配置された駆動電源線
は、実質的に発光する領域と重畳しないように配置され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196980A JP2003015551A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001196980A JP2003015551A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003015551A true JP2003015551A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19034684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001196980A Pending JP2003015551A (ja) | 2001-06-28 | 2001-06-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003015551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007200907A (ja) * | 2003-11-07 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| KR101521054B1 (ko) | 2008-06-18 | 2015-05-15 | 소니 주식회사 | 자발광 표시장치 및 전자기기 |
-
2001
- 2001-06-28 JP JP2001196980A patent/JP2003015551A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007200907A (ja) * | 2003-11-07 | 2007-08-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器 |
| KR101521054B1 (ko) | 2008-06-18 | 2015-05-15 | 소니 주식회사 | 자발광 표시장치 및 전자기기 |
| US9041281B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-05-26 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US9397147B2 (en) | 2008-06-18 | 2016-07-19 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US9666656B2 (en) | 2008-06-18 | 2017-05-30 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US9978815B2 (en) | 2008-06-18 | 2018-05-22 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US10236325B2 (en) | 2008-06-18 | 2019-03-19 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US10249687B2 (en) | 2008-06-18 | 2019-04-02 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
| US10998382B2 (en) | 2008-06-18 | 2021-05-04 | Sony Corporation | Self-light emitting display unit and electronic device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051226 |