JP2003014795A - 交流計測装置 - Google Patents

交流計測装置

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JP2003014795A JP2001202175A JP2001202175A JP2003014795A JP 2003014795 A JP2003014795 A JP 2003014795A JP 2001202175 A JP2001202175 A JP 2001202175A JP 2001202175 A JP2001202175 A JP 2001202175A JP 2003014795 A JP2003014795 A JP 2003014795A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】A−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサの
他に必要とする部品が少なく、面倒な調整工程を必要と
せず、PTの1次2次間の位相差を補償することができ
る交流計測装置を提供する。 【解決手段】CT1、2の負荷抵抗3、4及びPT1
0、11の検出抵抗12、13に同相的に直流電圧を加
えるバイアス回路を設け、負荷抵抗3、4及び検出抵抗
12、13の両端をそれぞれA−D変換器を内蔵したマ
イクロプロセッサ5のアナログ入力ポート6、7、8、
9、14、15、16、17に接続し、個々にデジタル
値に変換した各負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13
の両端の電圧値の差を演算して電流値及び電圧値を算出
する演算手段をマイクロプロセッサ5に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、分電盤、配電盤等
に組み込み、交流電流、交流電圧、交流電力等を計測す
る交流計測装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】分電盤、配電盤等においては、電源の電
圧、負荷回路に流れる電流、供給される電力等を計測
し、表示することが求められることがある。従来、この
ような場合にはアナログ式のパネル面取り付け用の計器
が使用されていたが、アナログ式計器では読み取りが正
確でなく、また、別の監視場所等から読み取ることがで
きなかった。こうしたことからデジタル式計器が使用さ
れるようになってきており、なかでもマイクロプロセッ
サを使用したデジタル式計器は通信等多様な機能を容易
に付加できることから多く使用されるようになってきて
いる。
【0003】マイクロプロセッサを使用してデジタル式
計器を構成する場合には、入力する交流信号をデジタル
信号に変換する必要があり、過去は専用のA−D変換器
を使用してデジタル信号に変換していた。その後A−D
変換器を内蔵したマイクロプロセッサが一般に流通する
ようになり、マイクロプロセッサに内蔵されたA−D変
換器を使用することにより計測器の小形、低コスト化が
可能となったが、マイクロプロセッサに内蔵されたA−
D変換器に入力するアナログ信号は単極性のものでなけ
ればならないという制約があった。
【0004】このため、CT、PT等から得られる交流
入力信号は、差動増幅回路で増幅した後絶対値回路によ
り絶対値に変換し、単極性の信号としたうえマイクロプ
ロセッサに内蔵されたA−D変換器に入力するようにし
ていた。こうした差動増幅回路、絶対値変換回路はそれ
ぞれ数個の演算増幅器で構成されるものであり、過去の
専用のA−D変換器に比べれば小形、低コストになるも
のの、なお多くの部品を要し、また、調整を必要とする
という問題があった。さらに、計測装置を小型化し、コ
ストを低減するためには小形のPTを使用することが望
ましいが、小形のPTでは1次電圧と2次電圧との間に
位相差が生じ、計測した電力に誤差を生ずるという問題
があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決し、A−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサ
の他に必要とする部品が少なく、面倒な調整工程を必要
とせず、さらに、PTの1次2次間の位相差を補償する
ことができる交流計測装置を提供するためになされたも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明の交流計測装置は、マイクロプロセ
ッサにより演算して交流電流又は交流電圧あるいはその
両方を計測する交流計測装置において、マイクロプロセ
ッサはA−D変換器を内蔵してアナログ入力ポートを備
えたものとし、検出した交流電流又は交流電圧の信号線
に直流電圧を加えるバイアス回路を設け、交流電流又は
交流電圧の信号線はそれぞれマイクロプロセッサのアナ
ログ入力ポートに接続し、個々にデジタル値に変換した
各交流電流又は交流電圧の信号線の電圧値の差を演算し
て電流値及び電圧値を算出する演算手段をマイクロプロ
セッサに設けたことを特徴とするものである。
【0007】また、交流電流はCT、交流電圧はPTに
よりそれぞれ検出するようにし、CTの負荷抵抗及びP
Tの検出抵抗に直流電圧を加えるバイアス回路を設け、
CTの負荷抵抗及びPTの検出抵抗の両端をそれぞれマ
イクロプロセッサのアナログ入力ポートに接続するこ
と、各交流電流又は交流電圧の信号線の電圧値の差から
演算して算出される電流値又は電圧値と、計測対象の実
際の電流値又は電圧値との間の倍率に相当する係数を記
憶させる不揮発性メモリをマイクロプロセッサに接続す
ること、CTの1次側に交流電流を流したときにCTの
負荷抵抗の両端の電圧値の差から演算して算出される電
流値と、CTの1次側に流した交流電流と同位相の交流
電圧をPTに加えたときにPTの検出抵抗の両端の電圧
値の差から演算して算出される電圧値との位相差を算出
する手段と、算出された位相差の値を不揮発性メモリに
記憶させる手段と、算出される電流値及び電圧値と不揮
発性メモリに記憶させた位相差の値とから電力を算出す
る手段とをマイクロプロセッサに設けることで具体化で
きる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図を参照しながら具体的に説明する。図1は第1の実
施の形態を示すもので、2個の線路の電流をそれぞれ検
出する2個のCT1、2の負荷抵抗3、4の両端をそれ
ぞれマイクロプロセッサ5のアナログ入力ポート6、
7、8、9に接続してある。また、2個の線間電圧を検
出する2個のPT10、11の検出抵抗12、13の両
端をそれぞれマイクロプロセッサ5のアナログ入力ポー
ト14、15、16、17に接続してある。ここに使用
するマイクロプロセッサ5はアナログ入力ポート6、
7、8、9、14、15、16、17、デジタル入出力
ポート、RAM、プログラマブルROMを1個の半導体
チップ上に構成したものであり、アナログ入力ポート
6、7、8、9、14、15、16、17に加えられた
アナログ信号はデジタル値として読み込まれる。マイク
ロプロセッサ5には不揮発性メモリ18が接続してあ
り、図示していないが、マイクロプロセッサ5のデジタ
ル出力ポートには計測結果を表示する表示器が接続され
る。
【0009】負荷抵抗3、4の一端とマイクロプロセッ
サ5の電源ラインとの間にはプルアップ抵抗19、20
が接続してあり、負荷抵抗3、4の他端とマイクロプロ
セッサ5の接地ラインとの間にはプルダウン抵抗21、
22が接続してある。また、検出抵抗12、13の一端
とマイクロプロセッサ5の電源ラインとの間にはプルア
ップ抵抗23、24が接続してあり、検出抵抗12、1
3の他端とマイクロプロセッサ5の接地ラインとの間に
はプルダウン抵抗25、26が接続してある。ここで、
プルアップ抵抗19、20、23、24の抵抗値とプル
ダウン抵抗21、22、25、26の抵抗値は略等しい
値とし、負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13の抵抗
値の数百倍乃至数千倍の値としている。27、27、2
8、28はPT10、11と検出抵抗12、13との間
に挿入した制限抵抗である。
【0010】前記構成の交流計測装置に対して先ず以下
の手順により校正を行なう。CT1、2の1次側に電流
を流さない状態で動作させると、プルアップ抵抗19、
20、負荷抵抗3、4、プルダウン抵抗21、22の回
路に電流が流れ、負荷抵抗3、4とプルダウン抵抗2
1、22の接続部分にはマイクロプロセッサ5の電源電
圧の略2分の1の電圧が現れる。ここで、プルアップ抵
抗19、20とプルダウン抵抗21、22がバイアス回
路を構成し、マイクロプロセッサ5の電源電圧の略2分
の1の電圧がバイアス電圧となるのである。このとき流
れる僅かな電流により、負荷抵抗3、4の両端には僅か
な電圧が生ずる。この各電圧はマイクロプロセッサ5の
アナログ入力ポート6、7、8、9に加わり、デジタル
値として読み込まれる。アナログ入力ポート6から読み
込まれた値と、アナログ入力ポート7から読み込まれた
値とから演算して両者の差をとると負荷抵抗3の両端の
電圧が求められ、同様に負荷抵抗4の両端の電圧も求め
られる。
【0011】PTの1次側に電圧を加えない場合には、
同様にしてプルアップ抵抗23、24、検出抵抗12、
13、プルダウン抵抗25、26の回路に電流が流れ、
検出抵抗12、13とプルダウン抵抗25、26の接続
部分にはマイクロプロセッサ5の電源電圧の略2分の1
の電圧が現れる。ここではプルアップ抵抗23、24と
プルダウン抵抗25、26がバイアス回路を構成してい
る。バイアス回路の電流により検出抵抗12、13の両
端には僅かな電圧が生じ、各電圧はアナログ入力ポート
14、15、16、17に加わってデジタル値として読
み込まれる。アナログ入力ポート14、16から読み込
まれた値と、アナログ入力ポート15、17から読み込
まれた値とから演算して検出抵抗12、13の両端の電
圧が求められる。このようにして求められた負荷抵抗
3、4、検出抵抗12、13の電圧値を不揮発性メモリ
18に書き込んでおく。これらの電圧値は検出対象の電
流、電圧が0の時の負荷抵抗3、4、検出抵抗12、1
3による検出値である。
【0012】次に、CT1、2の1次側に既知の交流電
流を流す。CT1、2は、CT1、2の1次側に想定さ
れる最大電流が流れたときの負荷抵抗3、4の両端に生
ずる電圧のP−P値がアナログ入力ポート6、7、8、
9の許容入力電圧幅以下になるような仕様のものとして
ある。CT1、2の1次側に電流を流すと、CT1、2
の2次電流が負荷抵抗3、4に流れて負荷抵抗3、4の
両端に電圧が発生し、各電圧はアナログ入力ポート6、
7、8、9に加わってサンプリング周期に従いデジタル
値として瞬時値が読み込まれる。アナログ入力ポート
6、8から読み込まれた値とアナログ入力ポート7、9
から読み込まれた値との差をとることにより負荷抵抗
3、4の両端の電圧値が求められる。負荷抵抗3、4の
両端の電圧にはプルアップ抵抗19、20及びプルダウ
ン抵抗21、22の回路に流れる電流による電圧降下も
含むため、先に不揮発性メモリ18に書き込んだ電流が
0の時のデータに基づいて補正演算する。この補正演算
した結果の電圧値が既知の電流値に相当するものである
から、その倍率である係数を算出し、不揮発性メモリ1
8に書き込んでおく。
【0013】続いて、PT10、11の1次側に既知の
交流電圧を加える。PT10、11は、PT10、11
の1次側に想定される最大電圧が加わったときの検出抵
抗12、13の両端に生ずる電圧のP−P値がアナログ
入力ポート14、15、16、17の許容入力電圧幅以
下になるような仕様のものとしてある。PT10、11
の1次側に電圧を加えると、PT10、11の2次電流
が検出抵抗12、13に流れて検出抵抗12、13の両
端に電圧が発生し、各電圧はアナログ入力ポート14、
15、16、17に加わってデジタル値として読み込ま
れる。アナログ入力ポート14、16から読み込まれた
値とアナログ入力ポート15、17から読み込まれた値
との差をとることにより検出抵抗12、13の両端の電
圧値が求められる。検出抵抗12、13の両端の電圧値
にはプルアップ抵抗23、24及びプルダウン抵抗2
5、26の回路に流れる電流による電圧降下も含むた
め、先に不揮発性メモリ18に書き込んだ電圧が0の時
のデータに基づいて補正演算する。この補正演算した結
果の電圧値が既知の電圧値に相当するものであるから、
その係数を算出し、不揮発性メモリ18に書き込んでお
く。
【0014】さらに、CT1、2の1次側に交流電流を
流し、これと同位相の交流電圧をPT10、11の1次
側に加える。アナログ入力ポート6、7、8、9からは
電流が、アナログ入力ポート14、15、16、17か
らは電圧がそれぞれ読み込まれ、電流、電圧の瞬時値が
演算して求められるので、求められた電流及び電圧の瞬
時値から位相差を求め、位相差の値を不揮発性メモリ1
8に書き込んでおく。この位相差を求めるに当たって
は、試験に使用する交流電流、電圧の周波数を仕向地に
より選択するか、両方の周波数により試験し、設置時に
使用する周波数を指定するようにすることができる。以
上の一連の校正は、校正用のプログラムをマイクロプロ
セッサ5に実行させ、段階に応じてCT1、2、PT1
0、11に電流を流したり電圧を加えたりするだけで自
動的に行なうことが可能である。
【0015】以上のように校正を終わった前記の交流計
測装置において、CT1、2の1次側に電流が流れれ
ば、アナログ入力ポート6、8とアナログ入力ポート
7、9には逆位相の電流値が読み込まれる。マイクロプ
ロセッサ5では、アナログ入力ポート6、7、8、9そ
れぞれに読み込まれた値をサンプリングした後その差分
を演算するとともに、前述した校正作業で不揮発性メモ
リ18に記録した値に基づき補正して各電流の瞬時値が
求められる。この瞬時値から演算して実効値が求めら
れ、表示器に電流値として表示される。同様にPT1
0、11の1次側に電圧が加われば、アナログ入力ポー
ト14、15、16、17から読み込まれ、各電圧の瞬
時値が求められる。この瞬時値から演算して実効値が求
められ、表示器に電圧値として表示される。さらに、電
流の瞬時値と電圧の瞬時値との積から電力の瞬時値が求
められるが、このとき電流と電圧の位相差のデータが不
揮発性メモリ18に書き込んであるので、位相差のデー
タに基づいて本来同時である筈の時期の電流の瞬時値と
電圧の瞬時値の積を演算するようにしている。このよう
にして得られた電力の瞬時値から実効値が求められ、表
示器に電力値として表示される。この実施の形態におい
ては、2個の線路の電流、2個の線間の電圧が同時に計
測できるので、2個の単相回路の電力を個々に計測する
他、1個の3相回路の電力を計測することもできること
は言うまでもない。
【0016】CT1、2、及びPT10、11は、1次
側に想定される最大電流が流れたとき、あるいは最大電
圧が加わったときの負荷抵抗3、4あるいは検出抵抗1
2、13の両端に生ずる電圧のP−P値がアナログ入力
ポート6、7、8、9、14、15、16、17の許容
入力電圧幅以下になるよう仕様のものとしてあるので、
アナログ入力ポート6、7、8、9、14、15、1
6、17に許容入力電圧範囲外の電圧が加わることはな
い。しかし、1次側の過電流、過電圧等により過渡的に
過電圧が加わる虞がある場合には保護装置を設けること
が好ましく、ダイオードクランプのような保護装置が使
用可能である。
【0017】図2は第2の実施の形態を示すもので、図
1と同じ構成要素には同一符号が付してある。この第2
の実施の形態では、負荷抵抗3、4を2分割して負荷抵
抗3A、3B、4A、4Bに、検出抵抗12、13を2
分割して検出抵抗12A、12B、13A、13Bとし
てある。負荷抵抗3A、4A、検出抵抗12A、13A
と負荷抵抗3B、4B、検出抵抗12B、13Bとの各
接続点はまとめてプルアップ抵抗19を介してマイクロ
プロセッサ5の電源ラインに、プルダウン抵抗21を介
してマイクロプロセッサ5の接地ラインにそれぞれ接続
してある。
【0018】この第2の実施の形態では、負荷抵抗3
A、3B、4A、4B、検出抵抗12A、12B、13
A、13Bにプルアップ抵抗19及びプルダウン抵抗2
1を通して電流が流れることがないので、検出対象の電
流、電圧が0の時の負荷抵抗3A、3B、4A、4B、
検出抵抗12A、12B、13A、13Bの電圧を計測
して不揮発性メモリ18に書き込んでおく必要がない。
また、通常の計測中においても、検出対象の電流、電圧
が0の時の値に基づく補正演算の必要がない。さらに、
プルアップ抵抗19、プルダウン抵抗21が共用できる
ことから部品点数が少なくなる利点があり、マイクロプ
ロセッサ5の電源電圧変動の影響を受けない利点があ
る。
【0019】図3は第3の実施の形態を示すもので、図
1と同じ構成要素には同一符号が付してある。この第2
の実施の形態では、負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、
13の一端を相互に接続し、さらに、相互に接続した負
荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13の一端はプルアッ
プ抵抗19を介してマイクロプロセッサ5の電源ライン
に、プルダウン抵抗21を介してマイクロプロセッサ5
の接地ラインにそれぞれ接続してある。
【0020】この第3の実施の形態では、第2の実施の
形態と同じように、負荷抵抗3、4、検出抵抗12、1
3にプルアップ抵抗19及びプルダウン抵抗21を通し
て電流が流れることがないので、検出対象の電流、電圧
が0の時の負荷抵抗12、13、検出抵抗12、13の
電圧を計測して不揮発性メモリ18に書き込んでおくこ
と、ならびに、通常の計測中に補正演算をすることは必
要ない。また、アナログ入力ポート7により第1及び第
2の実施の形態におけるアナログ入力ポート7、9、1
5、17を共用することができるのでアナログ入力ポー
トの数が少なくてよく、プルアップ抵抗19、プルダウ
ン抵抗21も共用できることから部品点数が少なくなる
利点があり、マイクロプロセッサ5の電源電圧変動の影
響を受けない利点がある。
【0021】以上説明した本発明による交流計測装置
は、分電盤、配電盤等に組み込まれて電流、電圧、電力
等を計測する以外に、電子式配線用遮断器の過電流検出
回路として用いることも可能である。
【0022】
【発明の効果】本発明は前記説明によっても明らかなよ
うにA−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサの他に
は僅かな数の抵抗器のみで構成する事ができるため、安
価で小形の交流計測装置を提供することが可能である。
また、校正作業により補正演算した結果を不揮発性メモ
リに書き込んでおくことによって面倒な調整肯定を必要
とせず、PTの1次2次間の位相差を補償することがで
きることから小形、低コストのPTを使用することがで
きる交流計測装置を提供するものとして業界に寄与する
ところ極めて大である。なお、前記実施の形態では、バ
イアス回路はいずれもマイクロプロセッサの電源をプル
アップ抵抗とプルダウン抵抗により分圧して構成してい
るが、別途設けた直流電源を使用できることは言うまで
もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す結線図であ
る。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す結線図であ
る。
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す結線図であ
る。
【符号の説明】
1、2 CT 3、3A、3B 負荷抵抗 4、4A、4B 負荷抵抗 5 マイクロプロセッサ 6、7、8、9 アナログ入力ポート 10、11 PT 12、13 検出抵抗 14、15、16、17 アナログ入力ポート 18 不揮発性メモリ 19、20 プルアップ抵抗 21、22 プルダウン抵抗 23、24 プルアップ抵抗 25、26 プルダウン抵抗 27、28 制限抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G035 AA04 AB08 AC01 AC02 AD10 AD19 AD28

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロプロセッサにより演算して交流電
    流又は交流電圧あるいはその両方を計測する交流計測装
    置において、マイクロプロセッサはA−D変換器を内蔵
    してアナログ入力ポートを備えたものとし、検出した交
    流電流又は交流電圧の信号線に直流電圧を加えるバイア
    ス回路を設け、交流電流又は交流電圧の信号線はそれぞ
    れマイクロプロセッサのアナログ入力ポートに接続し、
    個々にデジタル値に変換した各交流電流又は交流電圧の
    信号線の電圧値の差を演算して電流値及び電圧値を算出
    する演算手段をマイクロプロセッサに設けたことを特徴
    とする交流計測装置。
  2. 【請求項2】交流電流はCT、交流電圧はPTによりそ
    れぞれ検出するようにし、CTの負荷抵抗及びPTの検
    出抵抗に直流電圧を加えるバイアス回路を設け、CTの
    負荷抵抗及びPTの検出抵抗の両端をそれぞれマイクロ
    プロセッサのアナログ入力ポートに接続したことを特徴
    とする請求項1に記載の交流計測装置。
  3. 【請求項3】各交流電流又は交流電圧の信号線の電圧値
    の差から演算して算出される電流値又は電圧値と、計測
    対象の実際の電流値又は電圧値との間の倍率に相当する
    係数を記憶させる不揮発性メモリを、マイクロプロセッ
    サに接続したことを特徴とする請求項1又は2に記載の
    交流計測装置。
  4. 【請求項4】CTの1次側に交流電流を流したときにC
    Tの負荷抵抗の両端の電圧値の差から演算して算出され
    る電流値と、CTの1次側に流した交流電流と同位相の
    交流電圧をPTに加えたときにPTの検出抵抗の両端の
    電圧値の差から演算して算出される電圧値との位相差を
    算出する手段と、算出された位相差の値を不揮発性メモ
    リに記憶させる手段と、算出される電流値及び電圧値と
    不揮発性メモリに記憶させた位相差の値とから電力を算
    出する手段とをマイクロプロセッサに設けたことを特徴
    とする請求項1乃至3の何れかに記載の交流計測装置。
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