JP3589641B2 - 交流計測装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、分電盤、配電盤等に組み込み、交流電流、交流電圧、交流電力等を計測する交流計測装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
分電盤、配電盤等においては、電源の電圧、負荷回路に流れる電流、供給される電力等を計測し、表示することが求められることがある。従来、このような場合にはアナログ式のパネル面取り付け用の計器が使用されていたが、アナログ式計器では読み取りが正確でなく、また、別の監視場所等から読み取ることができなかった。こうしたことからデジタル式計器が使用されるようになってきており、なかでもマイクロプロセッサを使用したデジタル式計器は通信等多様な機能を容易に付加できることから多く使用されるようになってきている。
【0003】
マイクロプロセッサを使用してデジタル式計器を構成する場合には、入力する交流信号をデジタル信号に変換する必要があり、過去は専用のA−D変換器を使用してデジタル信号に変換していた。その後A−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサが一般に流通するようになり、マイクロプロセッサに内蔵されたA−D変換器を使用することにより計測器の小形、低コスト化が可能となったが、マイクロプロセッサに内蔵されたA−D変換器に入力するアナログ信号は単極性のものでなければならないという制約があった。
【0004】
このため、CT、PT等から得られる交流入力信号は、差動増幅回路で増幅した後絶対値回路により絶対値に変換し、単極性の信号としたうえマイクロプロセッサに内蔵されたA−D変換器に入力するようにしていた。こうした差動増幅回路、絶対値変換回路はそれぞれ数個の演算増幅器で構成されるものであり、過去の専用のA−D変換器に比べれば小形、低コストになるものの、なお多くの部品を要し、また、調整を必要とするという問題があった。さらに、計測装置を小型化し、コストを低減するためには小形のPTを使用することが望ましいが、小形のPTでは1次電圧と2次電圧との間に位相差が生じ、計測した電力に誤差を生ずるという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点を解決し、A−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサの他に必要とする部品が少なく、面倒な調整工程を必要とせず、さらに、PTの1次2次間の位相差を補償することができる交流計測装置を提供するためになされたものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためになされた本発明の交流計測装置は、交流電流をCT、交流電圧をPTによりそれぞれ検出し、CTの負荷抵抗及びPTの検出抵抗に直流電圧を加えるバイアス回路を設け、CTの負荷抵抗及びPTの検出抵抗の両端はそれぞれA−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサのアナログ入力ポートに接続し、該マイクロプロセッサにより個別にデジタル値に変換した後演算して交流電流及び交流電圧を計測する交流計測装置であって、CTの1次側に交流電流を流したときに演算して計測される交流電流と、CTの1次側に流した交流電流と同位相の交流電圧をPTに加えたときに演算して計測される交流電圧との位相差を算出する手段と、算出された位相差の値を不揮発性メモリに記憶させる手段と、計測される交流電流及び交流電圧と不揮発性メモリに記憶させた位相差の値とから電力を算出する手段とをマイクロプロセッサに設けたことを特徴とするものである。
【0007】
【0008】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図を参照しながら具体的に説明する。
図1は第1の実施の形態を示すもので、2個の線路の電流をそれぞれ検出する2個のCT1、2の負荷抵抗3、4の両端をそれぞれマイクロプロセッサ5のアナログ入力ポート6、7、8、9に接続してある。また、2個の線間電圧を検出する2個のPT10、11の検出抵抗12、13の両端をそれぞれマイクロプロセッサ5のアナログ入力ポート14、15、16、17に接続してある。ここに使用するマイクロプロセッサ5はアナログ入力ポート6、7、8、9、14、15、16、17、デジタル入出力ポート、RAM、プログラマブルROMを1個の半導体チップ上に構成したものであり、アナログ入力ポート6、7、8、9、14、15、16、17に加えられたアナログ信号はデジタル値として読み込まれる。マイクロプロセッサ5には不揮発性メモリ18が接続してあり、図示していないが、マイクロプロセッサ5のデジタル出力ポートには計測結果を表示する表示器が接続される。
【0009】
負荷抵抗3、4の一端とマイクロプロセッサ5の電源ラインとの間にはプルアップ抵抗19、20が接続してあり、負荷抵抗3、4の他端とマイクロプロセッサ5の接地ラインとの間にはプルダウン抵抗21、22が接続してある。また、検出抵抗12、13の一端とマイクロプロセッサ5の電源ラインとの間にはプルアップ抵抗23、24が接続してあり、検出抵抗12、13の他端とマイクロプロセッサ5の接地ラインとの間にはプルダウン抵抗25、26が接続してある。ここで、プルアップ抵抗19、20、23、24の抵抗値とプルダウン抵抗21、22、25、26の抵抗値は略等しい値とし、負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13の抵抗値の数百倍乃至数千倍の値としている。27、27、28、28はPT10、11と検出抵抗12、13との間に挿入した制限抵抗である。
【0010】
前記構成の交流計測装置に対して先ず以下の手順により校正を行なう。CT1、2の1次側に電流を流さない状態で動作させると、プルアップ抵抗19、20、負荷抵抗3、4、プルダウン抵抗21、22の回路に電流が流れ、負荷抵抗3、4とプルダウン抵抗21、22の接続部分にはマイクロプロセッサ5の電源電圧の略2分の1の電圧が現れる。ここで、プルアップ抵抗19、20とプルダウン抵抗21、22がバイアス回路を構成し、マイクロプロセッサ5の電源電圧の略2分の1の電圧がバイアス電圧となるのである。このとき流れる僅かな電流により、負荷抵抗3、4の両端には僅かな電圧が生ずる。この各電圧はマイクロプロセッサ5のアナログ入力ポート6、7、8、9に加わり、デジタル値として読み込まれる。アナログ入力ポート6から読み込まれた値と、アナログ入力ポート7から読み込まれた値とから演算して両者の差をとると負荷抵抗3の両端の電圧が求められ、同様に負荷抵抗4の両端の電圧も求められる。
【0011】
PTの1次側に電圧を加えない場合には、同様にしてプルアップ抵抗23、24、検出抵抗12、13、プルダウン抵抗25、26の回路に電流が流れ、検出抵抗12、13とプルダウン抵抗25、26の接続部分にはマイクロプロセッサ5の電源電圧の略2分の1の電圧が現れる。ここではプルアップ抵抗23、24とプルダウン抵抗25、26がバイアス回路を構成している。バイアス回路の電流により検出抵抗12、13の両端には僅かな電圧が生じ、各電圧はアナログ入力ポート14、15、16、17に加わってデジタル値として読み込まれる。アナログ入力ポート14、16から読み込まれた値と、アナログ入力ポート15、17から読み込まれた値とから演算して検出抵抗12、13の両端の電圧が求められる。このようにして求められた負荷抵抗3、4、検出抵抗12、13の電圧値を不揮発性メモリ18に書き込んでおく。これらの電圧値は検出対象の電流、電圧が0の時の負荷抵抗3、4、検出抵抗12、13による検出値である。
【0012】
次に、CT1、2の1次側に既知の交流電流を流す。CT1、2は、CT1、2の1次側に想定される最大電流が流れたときの負荷抵抗3、4の両端に生ずる電圧のP−P値がアナログ入力ポート6、7、8、9の許容入力電圧幅以下になるような仕様のものとしてある。CT1、2の1次側に電流を流すと、CT1、2の2次電流が負荷抵抗3、4に流れて負荷抵抗3、4の両端に電圧が発生し、各電圧はアナログ入力ポート6、7、8、9に加わってサンプリング周期に従いデジタル値として瞬時値が読み込まれる。アナログ入力ポート6、8から読み込まれた値とアナログ入力ポート7、9から読み込まれた値との差をとることにより負荷抵抗3、4の両端の電圧値が求められる。負荷抵抗3、4の両端の電圧にはプルアップ抵抗19、20及びプルダウン抵抗21、22の回路に流れる電流による電圧降下も含むため、先に不揮発性メモリ18に書き込んだ電流が0の時のデータに基づいて補正演算する。この補正演算した結果の電圧値が既知の電流値に相当するものであるから、その倍率である係数を算出し、不揮発性メモリ18に書き込んでおく。
【0013】
続いて、PT10、11の1次側に既知の交流電圧を加える。PT10、11は、PT10、11の1次側に想定される最大電圧が加わったときの検出抵抗12、13の両端に生ずる電圧のP−P値がアナログ入力ポート14、15、16、17の許容入力電圧幅以下になるような仕様のものとしてある。PT10、11の1次側に電圧を加えると、PT10、11の2次電流が検出抵抗12、13に流れて検出抵抗12、13の両端に電圧が発生し、各電圧はアナログ入力ポート14、15、16、17に加わってデジタル値として読み込まれる。アナログ入力ポート14、16から読み込まれた値とアナログ入力ポート15、17から読み込まれた値との差をとることにより検出抵抗12、13の両端の電圧値が求められる。検出抵抗12、13の両端の電圧値にはプルアップ抵抗23、24及びプルダウン抵抗25、26の回路に流れる電流による電圧降下も含むため、先に不揮発性メモリ18に書き込んだ電圧が0の時のデータに基づいて補正演算する。この補正演算した結果の電圧値が既知の電圧値に相当するものであるから、その係数を算出し、不揮発性メモリ18に書き込んでおく。
【0014】
さらに、CT1、2の1次側に交流電流を流し、これと同位相の交流電圧をPT10、11の1次側に加える。アナログ入力ポート6、7、8、9からは電流が、アナログ入力ポート14、15、16、17からは電圧がそれぞれ読み込まれ、電流、電圧の瞬時値が演算して求められるので、求められた電流及び電圧の瞬時値から位相差を求め、位相差の値を不揮発性メモリ18に書き込んでおく。この位相差を求めるに当たっては、試験に使用する交流電流、電圧の周波数を仕向地により選択するか、両方の周波数により試験し、設置時に使用する周波数を指定するようにすることができる。以上の一連の校正は、校正用のプログラムをマイクロプロセッサ5に実行させ、段階に応じてCT1、2、PT10、11に電流を流したり電圧を加えたりするだけで自動的に行なうことが可能である。
【0015】
以上のように校正を終わった前記の交流計測装置において、CT1、2の1次側に電流が流れれば、アナログ入力ポート6、8とアナログ入力ポート7、9には逆位相の電流値が読み込まれる。マイクロプロセッサ5では、アナログ入力ポート6、7、8、9それぞれに読み込まれた値をサンプリングした後その差分を演算するとともに、前述した校正作業で不揮発性メモリ18に記録した値に基づき補正して各電流の瞬時値が求められる。この瞬時値から演算して実効値が求められ、表示器に電流値として表示される。同様にPT10、11の1次側に電圧が加われば、アナログ入力ポート14、15、16、17から読み込まれ、各電圧の瞬時値が求められる。この瞬時値から演算して実効値が求められ、表示器に電圧値として表示される。さらに、電流の瞬時値と電圧の瞬時値との積から電力の瞬時値が求められるが、このとき電流と電圧の位相差のデータが不揮発性メモリ18に書き込んであるので、位相差のデータに基づいて本来同時である筈の時期の電流の瞬時値と電圧の瞬時値の積を演算するようにしている。このようにして得られた電力の瞬時値から実効値が求められ、表示器に電力値として表示される。この実施の形態においては、2個の線路の電流、2個の線間の電圧が同時に計測できるので、2個の単相回路の電力を個々に計測する他、1個の3相回路の電力を計測することもできることは言うまでもない。
【0016】
CT1、2、及びPT10、11は、1次側に想定される最大電流が流れたとき、あるいは最大電圧が加わったときの負荷抵抗3、4あるいは検出抵抗12、13の両端に生ずる電圧のP−P値がアナログ入力ポート6、7、8、9、14、15、16、17の許容入力電圧幅以下になるよう仕様のものとしてあるので、アナログ入力ポート6、7、8、9、14、15、16、17に許容入力電圧範囲外の電圧が加わることはない。しかし、1次側の過電流、過電圧等により過渡的に過電圧が加わる虞がある場合には保護装置を設けることが好ましく、ダイオードクランプのような保護装置が使用可能である。
【0017】
図2は第2の実施の形態を示すもので、図1と同じ構成要素には同一符号が付してある。この第2の実施の形態では、負荷抵抗3、4を2分割して負荷抵抗3A、3B、4A、4Bに、検出抵抗12、13を2分割して検出抵抗12A、12B、13A、13Bとしてある。負荷抵抗3A、4A、検出抵抗12A、13Aと負荷抵抗3B、4B、検出抵抗12B、13Bとの各接続点はまとめてプルアップ抵抗19を介してマイクロプロセッサ5の電源ラインに、プルダウン抵抗21を介してマイクロプロセッサ5の接地ラインにそれぞれ接続してある。
【0018】
この第2の実施の形態では、負荷抵抗3A、3B、4A、4B、検出抵抗12A、12B、13A、13Bにプルアップ抵抗19及びプルダウン抵抗21を通して電流が流れることがないので、検出対象の電流、電圧が0の時の負荷抵抗3A、3B、4A、4B、検出抵抗12A、12B、13A、13Bの電圧を計測して不揮発性メモリ18に書き込んでおく必要がない。また、通常の計測中においても、検出対象の電流、電圧が0の時の値に基づく補正演算の必要がない。さらに、プルアップ抵抗19、プルダウン抵抗21が共用できることから部品点数が少なくなる利点があり、マイクロプロセッサ5の電源電圧変動の影響を受けない利点がある。
【0019】
図3は第3の実施の形態を示すもので、図1と同じ構成要素には同一符号が付してある。この第2の実施の形態では、負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13の一端を相互に接続し、さらに、相互に接続した負荷抵抗3、4及び検出抵抗12、13の一端はプルアップ抵抗19を介してマイクロプロセッサ5の電源ラインに、プルダウン抵抗21を介してマイクロプロセッサ5の接地ラインにそれぞれ接続してある。
【0020】
この第3の実施の形態では、第2の実施の形態と同じように、負荷抵抗3、4、検出抵抗12、13にプルアップ抵抗19及びプルダウン抵抗21を通して電流が流れることがないので、検出対象の電流、電圧が0の時の負荷抵抗12、13、検出抵抗12、13の電圧を計測して不揮発性メモリ18に書き込んでおくこと、ならびに、通常の計測中に補正演算をすることは必要ない。また、アナログ入力ポート7により第1及び第2の実施の形態におけるアナログ入力ポート7、9、15、17を共用することができるのでアナログ入力ポートの数が少なくてよく、プルアップ抵抗19、プルダウン抵抗21も共用できることから部品点数が少なくなる利点があり、マイクロプロセッサ5の電源電圧変動の影響を受けない利点がある。
【0021】
以上説明した本発明による交流計測装置は、分電盤、配電盤等に組み込まれて電流、電圧、電力等を計測する以外に、電子式配線用遮断器の過電流検出回路として用いることも可能である。
【0022】
【発明の効果】
本発明は前記説明によっても明らかなようにA−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサの他には僅かな数の抵抗器のみで構成する事ができるため、安価で小形の交流計測装置を提供することが可能である。また、校正作業により補正演算した結果を不揮発性メモリに書き込んでおくことによって面倒な調整肯定を必要とせず、PTの1次2次間の位相差を補償することができることから小形、低コストのPTを使用することができる交流計測装置を提供するものとして業界に寄与するところ極めて大である。
なお、前記実施の形態では、バイアス回路はいずれもマイクロプロセッサの電源をプルアップ抵抗とプルダウン抵抗により分圧して構成しているが、別途設けた直流電源を使用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す結線図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す結線図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す結線図である。
【符号の説明】
1、2 CT
3、3A、3B 負荷抵抗
4、4A、4B 負荷抵抗
5 マイクロプロセッサ
6、7、8、9 アナログ入力ポート
10、11 PT
12、13 検出抵抗
14、15、16、17 アナログ入力ポート
18 不揮発性メモリ
19、20 プルアップ抵抗
21、22 プルダウン抵抗
23、24 プルアップ抵抗
25、26 プルダウン抵抗
27、28 制限抵抗
Claims (1)
- 交流電流をCT、交流電圧をPTによりそれぞれ検出し、CTの負荷抵抗及びPTの検出抵抗に直流電圧を加えるバイアス回路を設け、CTの負荷抵抗及びPTの検出抵抗の両端はそれぞれA−D変換器を内蔵したマイクロプロセッサのアナログ入力ポートに接続し、該マイクロプロセッサにより個別にデジタル値に変換した後演算して交流電流及び交流電圧を計測する交流計測装置であって、CTの1次側に交流電流を流したときに演算して計測される交流電流と、CTの1次側に流した交流電流と同位相の交流電圧をPTに加えたときに演算して計測される交流電圧との位相差を算出する手段と、算出された位相差の値を不揮発性メモリに記憶させる手段と、計測される交流電流及び交流電圧と不揮発性メモリに記憶させた位相差の値とから電力を算出する手段とをマイクロプロセッサに設けたことを特徴とする交流計測装置。
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