JP2003014547A - 温度差検出装置 - Google Patents
温度差検出装置Info
- Publication number
- JP2003014547A JP2003014547A JP2001203056A JP2001203056A JP2003014547A JP 2003014547 A JP2003014547 A JP 2003014547A JP 2001203056 A JP2001203056 A JP 2001203056A JP 2001203056 A JP2001203056 A JP 2001203056A JP 2003014547 A JP2003014547 A JP 2003014547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor diode
- temperature
- diode
- temperature difference
- electrode side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度が高くて基本性能を向上し得る熱型赤外
線センサとして好適な半導体ダイオードを用いた温度差
検出装置を提供すること。 【解決手段】 この温度差検出装置は、負極側が抵抗器
２６を介して接地されたダイオード２２の正極側を定電
流回路２１と接続し、抵抗器２６及びダイオード２２の
負極側の間を負極側がダイオード２３の負極側に接続さ
れ、且つ抵抗器２７を介して出力帰還されるオペアンプ
ＯＰ２から成る演算回路２５の正極側に接続し、ダイオ
ード２２の正極側及び定電流回路２１の間をダイオード
２３の正極側に接続した回路構成とした上、正極側が接
続されたダイオード２２及びダイオード２３について負
極側を同電位として設定することにより、演算回路２５
から得られる出力電圧Ｖout をダイオード２３に流れる
電流値Ｉ２によってその出力値が決定される構成として
いる。
線センサとして好適な半導体ダイオードを用いた温度差
検出装置を提供すること。 【解決手段】 この温度差検出装置は、負極側が抵抗器
２６を介して接地されたダイオード２２の正極側を定電
流回路２１と接続し、抵抗器２６及びダイオード２２の
負極側の間を負極側がダイオード２３の負極側に接続さ
れ、且つ抵抗器２７を介して出力帰還されるオペアンプ
ＯＰ２から成る演算回路２５の正極側に接続し、ダイオ
ード２２の正極側及び定電流回路２１の間をダイオード
２３の正極側に接続した回路構成とした上、正極側が接
続されたダイオード２２及びダイオード２３について負
極側を同電位として設定することにより、演算回路２５
から得られる出力電圧Ｖout をダイオード２３に流れる
電流値Ｉ２によってその出力値が決定される構成として
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として人体や物
体の非接触温度検出を目的とする耳式体温計等に代表さ
れる熱型赤外線センサの駆動回路に用いられる半導体ダ
イオードを用いた温度差検出装置に関する。
体の非接触温度検出を目的とする耳式体温計等に代表さ
れる熱型赤外線センサの駆動回路に用いられる半導体ダ
イオードを用いた温度差検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の温度差検出装置として
は、例えば図５の回路図に示されるように、特開平５−
１４２０３９号公報に開示された構成のものが挙げられ
る。
は、例えば図５の回路図に示されるように、特開平５−
１４２０３９号公報に開示された構成のものが挙げられ
る。
【０００３】この温度差検出装置は、基準温度検出用の
第１の半導体ダイオード４２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１とし
ても表記している）と被測定物温度検出用の第２の半導
体ダイオード４３（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記し
ている）とにおけるそれぞれの温度、並びに第１の半導
体ダイオード４２及び第２の半導体ダイオード４３に接
続された増幅器ＡＭＰから成る演算回路４５により得ら
れる第１の半導体ダイオード４２及び第２の半導体ダイ
オード４３の温度差で示される温度変化に基づいて温度
検出対象物体の温度を演算可能なもので、具体的にはそ
れぞれ負極側が接地された第１の半導体ダイオード４２
と第２の半導体ダイオード４３とを温度がほぼ同じと見
なせる程度の近い位置に配置し、第１の半導体ダイオー
ド４２の正極側を第１の定電流回路４１と接続し、且つ
これらの接続線間を印加電圧Ｖ１に維持される演算回路
４５の一方の入力側に接続すると共に、第２の半導体ダ
イオード４３の正極側を第２の定電流回路４６と接続
し、且つこれらの接続線間を印加電圧Ｖ２に維持される
演算回路４５の他方の入力側に接続した回路構成とした
上、各半導体ダイオード４２，４３をそれぞれ定電流で
駆動することにより演算回路４５から出力電圧Ｖout が
得られるように構成されている。
第１の半導体ダイオード４２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１とし
ても表記している）と被測定物温度検出用の第２の半導
体ダイオード４３（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記し
ている）とにおけるそれぞれの温度、並びに第１の半導
体ダイオード４２及び第２の半導体ダイオード４３に接
続された増幅器ＡＭＰから成る演算回路４５により得ら
れる第１の半導体ダイオード４２及び第２の半導体ダイ
オード４３の温度差で示される温度変化に基づいて温度
検出対象物体の温度を演算可能なもので、具体的にはそ
れぞれ負極側が接地された第１の半導体ダイオード４２
と第２の半導体ダイオード４３とを温度がほぼ同じと見
なせる程度の近い位置に配置し、第１の半導体ダイオー
ド４２の正極側を第１の定電流回路４１と接続し、且つ
これらの接続線間を印加電圧Ｖ１に維持される演算回路
４５の一方の入力側に接続すると共に、第２の半導体ダ
イオード４３の正極側を第２の定電流回路４６と接続
し、且つこれらの接続線間を印加電圧Ｖ２に維持される
演算回路４５の他方の入力側に接続した回路構成とした
上、各半導体ダイオード４２，４３をそれぞれ定電流で
駆動することにより演算回路４５から出力電圧Ｖout が
得られるように構成されている。
【０００４】この温度差検出装置において、第２の半導
体ダイオード４３に対してのみ温度検出対象物体からの
赤外線を当てれば、第２の半導体ダイオード４３だけが
温度変化するが、このときの温度変化ΔＴは、Ｔ１を第
１の半導体ダイオード４２の温度、Ｔ２を第２の半導体
ダイオード４３の温度、Ｔを温度検出対象物体の温度、
αを比例定数とした場合、ΔＴ＝Ｔ２−Ｔ１＝α（Ｔ4
−Ｔ２4 ）なる関係式１で表わされる。更に、ここでの
Ｔ4 は、Ｔ4 ＝ΔＴ／α＋Ｔ２4 なる関係が成立するこ
とにより、ΔＴ／α＋Ｔ１4 なる関係式２による近似値
で得ることができる。特に狭い温度範囲でβを比例定数
とした場合、温度検出対象物体の温度Ｔは、ΔＴ／β＋
Ｔ１なる関係式３による近似値で得ることができる。
体ダイオード４３に対してのみ温度検出対象物体からの
赤外線を当てれば、第２の半導体ダイオード４３だけが
温度変化するが、このときの温度変化ΔＴは、Ｔ１を第
１の半導体ダイオード４２の温度、Ｔ２を第２の半導体
ダイオード４３の温度、Ｔを温度検出対象物体の温度、
αを比例定数とした場合、ΔＴ＝Ｔ２−Ｔ１＝α（Ｔ4
−Ｔ２4 ）なる関係式１で表わされる。更に、ここでの
Ｔ4 は、Ｔ4 ＝ΔＴ／α＋Ｔ２4 なる関係が成立するこ
とにより、ΔＴ／α＋Ｔ１4 なる関係式２による近似値
で得ることができる。特に狭い温度範囲でβを比例定数
とした場合、温度検出対象物体の温度Ｔは、ΔＴ／β＋
Ｔ１なる関係式３による近似値で得ることができる。
【０００５】即ち、この温度差検出装置の場合、第１の
半導体ダイオード４２，第２の半導体ダイオード４３に
対する印加電圧Ｖ１，Ｖ２は十分な大きさで第１の定電
流回路４１，第２の定電流回路４６により定電流駆動さ
れていれば一般に温度−２．３ｍＶ／℃程度変化するの
で、この電圧変化から第１の半導体ダイオード４２の温
度Ｔ１，第２の半導体ダイオード４３の温度Ｔ２を知る
ことができ、更にこれらの温度Ｔ１，Ｔ２から関係式１
により温度変化ΔＴを演算することができる。但し、実
際には第２の半導体ダイオード４３の赤外線による電圧
変化は非常に小さいので、第１の半導体ダイオード４２
の印加電圧Ｖ１と第２の半導体ダイオード４３の印加電
圧Ｖ２の電圧差を演算回路４５で増幅した電圧差増幅値
を用いることにより温度変化ΔＴを演算する。
半導体ダイオード４２，第２の半導体ダイオード４３に
対する印加電圧Ｖ１，Ｖ２は十分な大きさで第１の定電
流回路４１，第２の定電流回路４６により定電流駆動さ
れていれば一般に温度−２．３ｍＶ／℃程度変化するの
で、この電圧変化から第１の半導体ダイオード４２の温
度Ｔ１，第２の半導体ダイオード４３の温度Ｔ２を知る
ことができ、更にこれらの温度Ｔ１，Ｔ２から関係式１
により温度変化ΔＴを演算することができる。但し、実
際には第２の半導体ダイオード４３の赤外線による電圧
変化は非常に小さいので、第１の半導体ダイオード４２
の印加電圧Ｖ１と第２の半導体ダイオード４３の印加電
圧Ｖ２の電圧差を演算回路４５で増幅した電圧差増幅値
を用いることにより温度変化ΔＴを演算する。
【０００６】このようにして得られた第１の半導体ダイ
オード４２の温度Ｔ１，第２の半導体ダイオード４３の
温度Ｔ２，温度変化ΔＴの検出値から関係式２や関係式
３により温度検出対象物体の温度Ｔを演算することがで
きる。因みに、ここで温度変化ΔＴが零のときは第１の
半導体ダイオード４２の温度Ｔ１に拘らず差分が零とな
る特性を有するが、関係式２や関係式３から温度検出対
象物体の温度Ｔを演算する際にこの特性は非常に重要と
なる。
オード４２の温度Ｔ１，第２の半導体ダイオード４３の
温度Ｔ２，温度変化ΔＴの検出値から関係式２や関係式
３により温度検出対象物体の温度Ｔを演算することがで
きる。因みに、ここで温度変化ΔＴが零のときは第１の
半導体ダイオード４２の温度Ｔ１に拘らず差分が零とな
る特性を有するが、関係式２や関係式３から温度検出対
象物体の温度Ｔを演算する際にこの特性は非常に重要と
なる。
【０００７】尚、上述した温度差検出装置の場合、第１
の半導体ダイオード４２，第２の半導体ダイオード４３
は、第１の定電流回路４１，第２の定電流回路４６によ
り供給する電流を大きくすれば、抵抗値Ｒｄ１，Ｒｄ２
を下げることができるため、耐ノイズ性を高めることが
できる。
の半導体ダイオード４２，第２の半導体ダイオード４３
は、第１の定電流回路４１，第２の定電流回路４６によ
り供給する電流を大きくすれば、抵抗値Ｒｄ１，Ｒｄ２
を下げることができるため、耐ノイズ性を高めることが
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体ダイオ
ードを用いた温度差検出装置の場合、熱型赤外線センサ
として用いたときにサーモパイルやボロメータ等の他の
タイプのものと比べて依然として感度が小さく、基本性
能が劣っているという問題がある。
ードを用いた温度差検出装置の場合、熱型赤外線センサ
として用いたときにサーモパイルやボロメータ等の他の
タイプのものと比べて依然として感度が小さく、基本性
能が劣っているという問題がある。
【０００９】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、感度が高くて基本
性能を向上し得る熱型赤外線センサとして好適な半導体
ダイオードを用いた温度差検出装置を提供することにあ
る。
なされたもので、その技術的課題は、感度が高くて基本
性能を向上し得る熱型赤外線センサとして好適な半導体
ダイオードを用いた温度差検出装置を提供することにあ
る。
【００１０】を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基準温
度検出用の第１の半導体ダイオードと被測定物温度検出
用の第２の半導体ダイオードとにおけるそれぞれの温
度、並びに該第１の半導体ダイオード及び該第２の半導
体ダイオードに接続された演算回路により得られる該第
１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオードの
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能な温度差検出装置において、第１の半
導体ダイオードは定電流駆動されて負極側が第２の半導
体ダイオードの負極側と同電位として設定され、第１の
半導体ダイオードの正極側と第２の半導体ダイオードの
正極側との間にはバッファ回路が介在接続され、演算回
路は第２の半導体ダイオードに流れる電流値によって出
力値が決定される温度差検出装置が得られる。
度検出用の第１の半導体ダイオードと被測定物温度検出
用の第２の半導体ダイオードとにおけるそれぞれの温
度、並びに該第１の半導体ダイオード及び該第２の半導
体ダイオードに接続された演算回路により得られる該第
１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオードの
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能な温度差検出装置において、第１の半
導体ダイオードは定電流駆動されて負極側が第２の半導
体ダイオードの負極側と同電位として設定され、第１の
半導体ダイオードの正極側と第２の半導体ダイオードの
正極側との間にはバッファ回路が介在接続され、演算回
路は第２の半導体ダイオードに流れる電流値によって出
力値が決定される温度差検出装置が得られる。
【００１２】又、本発明によれば、基準温度検出用の第
１の半導体ダイオードと被測定物温度検出用の第２の半
導体ダイオードとにおけるそれぞれの温度、並びに該第
１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオードに
接続された演算回路により得られる該第１の半導体ダイ
オード及び該第２の半導体ダイオードの温度差で示され
る温度変化に基づいて温度検出対象物体の温度を演算可
能な温度差検出装置において、第１の半導体ダイオード
及び第２の半導体ダイオードは正極側が接続され、且つ
負極側が同電位として設定され、演算回路は第２の半導
体ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定され
る温度差検出装置が得られる。
１の半導体ダイオードと被測定物温度検出用の第２の半
導体ダイオードとにおけるそれぞれの温度、並びに該第
１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオードに
接続された演算回路により得られる該第１の半導体ダイ
オード及び該第２の半導体ダイオードの温度差で示され
る温度変化に基づいて温度検出対象物体の温度を演算可
能な温度差検出装置において、第１の半導体ダイオード
及び第２の半導体ダイオードは正極側が接続され、且つ
負極側が同電位として設定され、演算回路は第２の半導
体ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定され
る温度差検出装置が得られる。
【００１３】更に、本発明によれば、基準温度検出用の
第１の半導体ダイオードと被測定物温度検出用の第２の
半導体ダイオードとにおけるそれぞれの温度、並びに該
第１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオード
に接続された演算回路により得られる該第１の半導体ダ
イオード及び該第２の半導体ダイオードの温度差で示さ
れる温度変化に基づいて温度検出対象物体の温度を演算
可能な温度差検出装置において、第１の半導体ダイオー
ド及び第２の半導体ダイオードは負極側が接続され、且
つ正極側が同電位として設定され、演算回路は第２の半
導体ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定さ
れる温度差検出装置が得られる。
第１の半導体ダイオードと被測定物温度検出用の第２の
半導体ダイオードとにおけるそれぞれの温度、並びに該
第１の半導体ダイオード及び該第２の半導体ダイオード
に接続された演算回路により得られる該第１の半導体ダ
イオード及び該第２の半導体ダイオードの温度差で示さ
れる温度変化に基づいて温度検出対象物体の温度を演算
可能な温度差検出装置において、第１の半導体ダイオー
ド及び第２の半導体ダイオードは負極側が接続され、且
つ正極側が同電位として設定され、演算回路は第２の半
導体ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定さ
れる温度差検出装置が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に幾つかの実施例を挙げ、本
発明の温度差検出装置について、図面を参照して詳細に
説明する。
発明の温度差検出装置について、図面を参照して詳細に
説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施例１に係る温度差検
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード１２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード１３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード１２
及び第２の半導体ダイオード１３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路１５により得られる第１の半
導体ダイオード１２及び第２の半導体ダイオード１３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード１２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード１３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード１２
及び第２の半導体ダイオード１３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路１５により得られる第１の半
導体ダイオード１２及び第２の半導体ダイオード１３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
【００１６】具体的に言えば、この温度差検出装置は、
負極側が抵抗器１６を介して接地された第１の半導体ダ
イオード１２の正極側を定電流回路１１と接続し、抵抗
器１６及び第１の半導体ダイオード１２の負極側の間を
負極側が第２の半導体ダイオード１３の負極側に接続さ
れ、且つ抵抗器１７を介して出力帰還される演算回路１
５の正極側に接続し、第１の半導体ダイオード１２の正
極側及び定電流回路１１の間を第１の半導体ダイオード
１２の正極側及び第２の半導体ダイオード１３の正極側
の間に介在接続されて負極側が出力帰還されるオペアン
プＯＰ１から成るバッファ回路１４の正極側に接続した
回路構成とした上、第１の半導体ダイオード１２につい
て定電流駆動して負極側を第２の半導体ダイオード１３
の負極側と同電位として設定することにより、第１の半
導体ダイオード１２の正極側と第２の半導体ダイオード
１３の正極側との間に介在接続されたバッファ回路１４
を介して演算回路１５から得られる出力電圧Ｖout を第
２の半導体ダイオード１２に流れる電流値Ｉ２によって
その出力値が決定される構成としている。
負極側が抵抗器１６を介して接地された第１の半導体ダ
イオード１２の正極側を定電流回路１１と接続し、抵抗
器１６及び第１の半導体ダイオード１２の負極側の間を
負極側が第２の半導体ダイオード１３の負極側に接続さ
れ、且つ抵抗器１７を介して出力帰還される演算回路１
５の正極側に接続し、第１の半導体ダイオード１２の正
極側及び定電流回路１１の間を第１の半導体ダイオード
１２の正極側及び第２の半導体ダイオード１３の正極側
の間に介在接続されて負極側が出力帰還されるオペアン
プＯＰ１から成るバッファ回路１４の正極側に接続した
回路構成とした上、第１の半導体ダイオード１２につい
て定電流駆動して負極側を第２の半導体ダイオード１３
の負極側と同電位として設定することにより、第１の半
導体ダイオード１２の正極側と第２の半導体ダイオード
１３の正極側との間に介在接続されたバッファ回路１４
を介して演算回路１５から得られる出力電圧Ｖout を第
２の半導体ダイオード１２に流れる電流値Ｉ２によって
その出力値が決定される構成としている。
【００１７】この温度差検出装置において、第１の半導
体ダイオード１２に流れる電流をＩ１、第２の半導体ダ
イオード１３に流れる電流をＩ２、抵抗器１６の抵抗値
をＲ１、抵抗器１７の抵抗値をＲ２とすると、出力電圧
Ｖout はＶout ＝Ｉ１・Ｒ１−Ｉ２・Ｒ２となって第２
の半導体ダイオード１３の電流値によって出力値が決定
（詳細は後述する）されるが、このときに演算回路１５
の正極側端子、負極側端子がイマジナリーショートによ
り同電位となるように第１の半導体ダイオード１２及び
第２の半導体ダイオード１３の負極側が同電位になるよ
うに設定されている。
体ダイオード１２に流れる電流をＩ１、第２の半導体ダ
イオード１３に流れる電流をＩ２、抵抗器１６の抵抗値
をＲ１、抵抗器１７の抵抗値をＲ２とすると、出力電圧
Ｖout はＶout ＝Ｉ１・Ｒ１−Ｉ２・Ｒ２となって第２
の半導体ダイオード１３の電流値によって出力値が決定
（詳細は後述する）されるが、このときに演算回路１５
の正極側端子、負極側端子がイマジナリーショートによ
り同電位となるように第１の半導体ダイオード１２及び
第２の半導体ダイオード１３の負極側が同電位になるよ
うに設定されている。
【００１８】即ち、この温度差検出装置の場合、第１の
半導体ダイオード１２の温度Ｔ１が一定であれば第２の
半導体ダイオード１３の印加電圧Ｖ２は第２の半導体ダ
イオード１３の温度Ｔ２が変化しても変化しないので、
第１の半導体ダイオード１２の温度Ｔ１が一定という条
件下で第２の半導体ダイオード１３を定電圧駆動すれ
ば、温度に対する変化率の大きい電流値を検出すること
で感度を高めることができる。又、一般に室温付近での
半導体ダイオードに流れる電流Ｉs は、Ｖを半導体ダイ
オードの印加電圧、ａを比例定数、Ｔを半導体ダイオー
ドの絶対温度、ｑを電子の電荷量、ｍを１〜２の定数、
ｋをボルツマン定数とした場合、Ｉs ＝ａＴ3 ・ｅｘｐ
（−１４０００／Ｔ）・｛ｅｘｐ（ｑＶ／ｍ／ｋ／Ｔ）
−１}なる関係式４で表わされる。従って、ここでの半
導体ダイオードにおける電流Ｉs は、絶対温度Ｔと印加
電圧Ｖとによって決定するので、同様の特性を持つ半導
体ダイオード１２，１３を使用すれば絶対温度Ｔと印加
電圧Ｖとが等しい場合には電流Ｉs も等しくなる。
半導体ダイオード１２の温度Ｔ１が一定であれば第２の
半導体ダイオード１３の印加電圧Ｖ２は第２の半導体ダ
イオード１３の温度Ｔ２が変化しても変化しないので、
第１の半導体ダイオード１２の温度Ｔ１が一定という条
件下で第２の半導体ダイオード１３を定電圧駆動すれ
ば、温度に対する変化率の大きい電流値を検出すること
で感度を高めることができる。又、一般に室温付近での
半導体ダイオードに流れる電流Ｉs は、Ｖを半導体ダイ
オードの印加電圧、ａを比例定数、Ｔを半導体ダイオー
ドの絶対温度、ｑを電子の電荷量、ｍを１〜２の定数、
ｋをボルツマン定数とした場合、Ｉs ＝ａＴ3 ・ｅｘｐ
（−１４０００／Ｔ）・｛ｅｘｐ（ｑＶ／ｍ／ｋ／Ｔ）
−１}なる関係式４で表わされる。従って、ここでの半
導体ダイオードにおける電流Ｉs は、絶対温度Ｔと印加
電圧Ｖとによって決定するので、同様の特性を持つ半導
体ダイオード１２，１３を使用すれば絶対温度Ｔと印加
電圧Ｖとが等しい場合には電流Ｉs も等しくなる。
【００１９】この温度差検出装置における回路の動作
は、以下に説明する計算式で表わされる。第１の半導体
ダイオード１２については、定電流回路１１により供給
されて第１の半導体ダイオード１２に流れる電流Ｉ１が
一定である場合、Ｉ１＝一定（Ａ）なる関係式５が成立
する。このとき、第１の半導体ダイオード１２に対する
印加電圧Ｖ１は、ａを定電流駆動時の第１の半導体ダイ
オード１２の両端電圧の温度計数、ｋを−２．３程度、
Ｖ０１を絶対零度での第１の半導体ダイオード１２の電
圧、Ｔ１を第１の半導体ダイオード１２の絶対温度
（Ｋ）とした場合、Ｖ１＝Ｖ０１＋ａ・Ｔ１＋Ｒ１・Ｉ
１（Ｖ）なる関係式６が成立する。又、第１の半導体ダ
イオード１２の抵抗値Ｒｄ１は、Ｒｄ１＝（Ｖ０１＋ａ
・Ｔ１）／Ｉ１（Ω）なる関係式７が成立する。
は、以下に説明する計算式で表わされる。第１の半導体
ダイオード１２については、定電流回路１１により供給
されて第１の半導体ダイオード１２に流れる電流Ｉ１が
一定である場合、Ｉ１＝一定（Ａ）なる関係式５が成立
する。このとき、第１の半導体ダイオード１２に対する
印加電圧Ｖ１は、ａを定電流駆動時の第１の半導体ダイ
オード１２の両端電圧の温度計数、ｋを−２．３程度、
Ｖ０１を絶対零度での第１の半導体ダイオード１２の電
圧、Ｔ１を第１の半導体ダイオード１２の絶対温度
（Ｋ）とした場合、Ｖ１＝Ｖ０１＋ａ・Ｔ１＋Ｒ１・Ｉ
１（Ｖ）なる関係式６が成立する。又、第１の半導体ダ
イオード１２の抵抗値Ｒｄ１は、Ｒｄ１＝（Ｖ０１＋ａ
・Ｔ１）／Ｉ１（Ω）なる関係式７が成立する。
【００２０】第２の半導体ダイオード１３については、
第１の半導体ダイオード１２の絶対温度（Ｋ）であるＴ
１と第２の半導体ダイオード１３の絶対温度（Ｋ）であ
るＴ２との温度差の有無により計算式が場合分けされ
る。
第１の半導体ダイオード１２の絶対温度（Ｋ）であるＴ
１と第２の半導体ダイオード１３の絶対温度（Ｋ）であ
るＴ２との温度差の有無により計算式が場合分けされ
る。
【００２１】先ず、第１の半導体ダイオード１２の絶対
温度（Ｋ）であるＴ１と第２の半導体ダイオード１３の
絶対温度（Ｋ）であるＴ２との温度差が無ければ、Ｔ１
＝Ｔ２なる関係が成立し、温度検出対象物体と各半導体
ダイオード１２，１３との温度差が無いことを示す。こ
のとき、第２の半導体ダイオード１３の抵抗値Ｒｄ２
は、Ｒｄ２＝Ｒｄ１（Ω）なる関係式８で表わされる。
又、第２の半導体ダイオード１３に流れる電流Ｉ２は、
各半導体ダイオード１２，１３が同じ特性であり、これ
らの両端電圧が同じになるように設定されているため、
Ｉ２＝Ｉ１（Ａ）なる関係式９で表わされる。但し、こ
こでのオペアンプのオフセット電圧は零としている。加
えて、演算回路１５からの出力電圧Ｖout は、電流Ｉ１
が定電流であることにより、Ｖout （Ｔ１＝Ｔ２）＝Ｒ
１・Ｉ１−Ｒ２／Ｉ２＝Ｉ１（Ｒ１−Ｒ２）なる関係式
９で表わされる一定値となる。
温度（Ｋ）であるＴ１と第２の半導体ダイオード１３の
絶対温度（Ｋ）であるＴ２との温度差が無ければ、Ｔ１
＝Ｔ２なる関係が成立し、温度検出対象物体と各半導体
ダイオード１２，１３との温度差が無いことを示す。こ
のとき、第２の半導体ダイオード１３の抵抗値Ｒｄ２
は、Ｒｄ２＝Ｒｄ１（Ω）なる関係式８で表わされる。
又、第２の半導体ダイオード１３に流れる電流Ｉ２は、
各半導体ダイオード１２，１３が同じ特性であり、これ
らの両端電圧が同じになるように設定されているため、
Ｉ２＝Ｉ１（Ａ）なる関係式９で表わされる。但し、こ
こでのオペアンプのオフセット電圧は零としている。加
えて、演算回路１５からの出力電圧Ｖout は、電流Ｉ１
が定電流であることにより、Ｖout （Ｔ１＝Ｔ２）＝Ｒ
１・Ｉ１−Ｒ２／Ｉ２＝Ｉ１（Ｒ１−Ｒ２）なる関係式
９で表わされる一定値となる。
【００２２】これにより、各半導体ダイオード１２，１
３の温度差が無いときの出力電圧Ｖ out は一定となる
が、特に抵抗器１６，１７の抵抗値Ｒ１，Ｒ２が等しい
Ｒ１＝Ｒ２のときには出力電圧Ｖout が零となり、この
条件下では回路処理上都合が良い。
３の温度差が無いときの出力電圧Ｖ out は一定となる
が、特に抵抗器１６，１７の抵抗値Ｒ１，Ｒ２が等しい
Ｒ１＝Ｒ２のときには出力電圧Ｖout が零となり、この
条件下では回路処理上都合が良い。
【００２３】これに対し、第１の半導体ダイオード１２
の絶対温度（Ｋ）であるＴ１と第２の半導体ダイオード
１３の絶対温度（Ｋ）であるＴ２との温度差が有れば、
Ｔ１＝Ｔ２なる関係が成立せず、温度検出対象物体と各
半導体ダイオード１２，１３との温度差が有ることを示
す。この場合、各半導体ダイオード１２，１３の特性が
揃っていないことを示すが、抵抗器１６，１７のうちの
少なくとも片方をボリューム式で可変抵抗にしておき、
その可変抵抗のものにおける出力電圧Ｖout を計算値の
電圧に調節することにより、或る程度の温度範囲内で出
力電圧Ｖout を一定に保つことができる。従って、こう
した電圧調節の設定を行うことにより、上述した手順と
同様にして関係式９が得られる。
の絶対温度（Ｋ）であるＴ１と第２の半導体ダイオード
１３の絶対温度（Ｋ）であるＴ２との温度差が有れば、
Ｔ１＝Ｔ２なる関係が成立せず、温度検出対象物体と各
半導体ダイオード１２，１３との温度差が有ることを示
す。この場合、各半導体ダイオード１２，１３の特性が
揃っていないことを示すが、抵抗器１６，１７のうちの
少なくとも片方をボリューム式で可変抵抗にしておき、
その可変抵抗のものにおける出力電圧Ｖout を計算値の
電圧に調節することにより、或る程度の温度範囲内で出
力電圧Ｖout を一定に保つことができる。従って、こう
した電圧調節の設定を行うことにより、上述した手順と
同様にして関係式９が得られる。
【００２４】図２は、この温度差検出装置におけるダイ
オード温度差特性の測定値としてダイオード温度差
（℃）に対する出力電圧Ｖout （ｍＶ）の関係を示した
ものである。
オード温度差特性の測定値としてダイオード温度差
（℃）に対する出力電圧Ｖout （ｍＶ）の関係を示した
ものである。
【００２５】このダイオード温度差特性は、バッファ回
路１４のオペアンプＯＰ１と演算回路１５のオペアンプ
ＯＰ２との倍率を１倍とし、第１の半導体ダイオード１
２の温度が室温付近の０℃，２０℃，４０℃であるとき
にほぼ共通した結果を示すもので、各半導体ダイオード
１２，１３の温度差の感度が−５０ｍＶ／℃程度となっ
ているが、この感度は従来の半導体ダイオードを定電流
駆動するだけの回路における感度−２．３ｍＶ／℃と比
べれば、約２０倍程度高感度になっている。又、各半導
体ダイオード１２，１３の温度差が無いときは、出力電
圧Ｖout がほぼ一定となっており、感度の温度ドリフト
も小さくなっている。
路１４のオペアンプＯＰ１と演算回路１５のオペアンプ
ＯＰ２との倍率を１倍とし、第１の半導体ダイオード１
２の温度が室温付近の０℃，２０℃，４０℃であるとき
にほぼ共通した結果を示すもので、各半導体ダイオード
１２，１３の温度差の感度が−５０ｍＶ／℃程度となっ
ているが、この感度は従来の半導体ダイオードを定電流
駆動するだけの回路における感度−２．３ｍＶ／℃と比
べれば、約２０倍程度高感度になっている。又、各半導
体ダイオード１２，１３の温度差が無いときは、出力電
圧Ｖout がほぼ一定となっており、感度の温度ドリフト
も小さくなっている。
【００２６】即ち、このダイオード温度差特性に従え
ば、出力電圧Ｖout から各半導体ダイオード１２，１３
の温度差を周囲温度に拘らず求めることができ、又第１
の半導体ダイオード１２が定電流駆動されているので、
従来の技術で説明したように第１の半導体ダイオード１
２の両端電圧から第１の半導体ダイオード１２の温度Ｔ
１、更には第２の半導体ダイオード１３の温度Ｔ２を演
算することができる。
ば、出力電圧Ｖout から各半導体ダイオード１２，１３
の温度差を周囲温度に拘らず求めることができ、又第１
の半導体ダイオード１２が定電流駆動されているので、
従来の技術で説明したように第１の半導体ダイオード１
２の両端電圧から第１の半導体ダイオード１２の温度Ｔ
１、更には第２の半導体ダイオード１３の温度Ｔ２を演
算することができる。
【００２７】尚、この実施例１の温度差検出装置の場
合、第１の半導体ダイオード１２と第２の半導体ダイオ
ード１３とを入れ替えたり、接地接続を或る一定の基準
電圧源に対して接続するように変更することも可能であ
る。又、バッファ回路１４のオペアンプＯＰ１と演算回
路１５のオペアンプＯＰ２とについても、例えばトラン
ジスタ等を用いた同様の動作が可能な回路であれば他の
回路に置き換えることが可能である。
合、第１の半導体ダイオード１２と第２の半導体ダイオ
ード１３とを入れ替えたり、接地接続を或る一定の基準
電圧源に対して接続するように変更することも可能であ
る。又、バッファ回路１４のオペアンプＯＰ１と演算回
路１５のオペアンプＯＰ２とについても、例えばトラン
ジスタ等を用いた同様の動作が可能な回路であれば他の
回路に置き換えることが可能である。
【００２８】但し、この温度差検出装置におけるバッフ
ァ回路１４に使用するオペアンプＯＰ１は、実際にはオ
フセット電圧を持つため、各半導体ダイオード１２，１
３の微少な温度差検出を行う場合は幾分問題となってし
まう。そこで、こうした問題を完全に回避するため、バ
ッファ回路１４を使用しない構成の温度差検出装置を構
成することもできる。
ァ回路１４に使用するオペアンプＯＰ１は、実際にはオ
フセット電圧を持つため、各半導体ダイオード１２，１
３の微少な温度差検出を行う場合は幾分問題となってし
まう。そこで、こうした問題を完全に回避するため、バ
ッファ回路１４を使用しない構成の温度差検出装置を構
成することもできる。
【００２９】図３は、本発明の実施例２に係る温度差検
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード２２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード２３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード２２
及び第２の半導体ダイオード２３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路２５により得られる第１の半
導体ダイオード２２及び第２の半導体ダイオード２３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード２２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード２３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード２２
及び第２の半導体ダイオード２３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路２５により得られる第１の半
導体ダイオード２２及び第２の半導体ダイオード２３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
【００３０】具体的に言えば、この温度差検出装置は、
実施例１の構成と比べてバッファ回路１４を取り外した
場合と同様な構成となっており、負極側が抵抗器２６を
介して接地された第１の半導体ダイオード２２の正極側
を定電流回路２１と接続し、抵抗器２６及び第１の半導
体ダイオード２２の負極側の間を負極側が第２の半導体
ダイオード２３の負極側に接続され、且つ抵抗器２７を
介して出力帰還される演算回路２５の正極側に接続し、
第１の半導体ダイオード２２の正極側及び定電流回路２
１の間を第２の半導体ダイオード２３の正極側に接続し
た回路構成とした上、正極側が接続された第１の半導体
ダイオード２２及び第２の半導体ダイオード２３につい
て負極側を同電位として設定することにより、演算回路
２５から得られる出力電圧Ｖout を第２の半導体ダイオ
ード２３に流れる電流値Ｉ２によってその出力値が決定
される構成としている。
実施例１の構成と比べてバッファ回路１４を取り外した
場合と同様な構成となっており、負極側が抵抗器２６を
介して接地された第１の半導体ダイオード２２の正極側
を定電流回路２１と接続し、抵抗器２６及び第１の半導
体ダイオード２２の負極側の間を負極側が第２の半導体
ダイオード２３の負極側に接続され、且つ抵抗器２７を
介して出力帰還される演算回路２５の正極側に接続し、
第１の半導体ダイオード２２の正極側及び定電流回路２
１の間を第２の半導体ダイオード２３の正極側に接続し
た回路構成とした上、正極側が接続された第１の半導体
ダイオード２２及び第２の半導体ダイオード２３につい
て負極側を同電位として設定することにより、演算回路
２５から得られる出力電圧Ｖout を第２の半導体ダイオ
ード２３に流れる電流値Ｉ２によってその出力値が決定
される構成としている。
【００３１】この温度差検出装置の場合、実施例１の場
合にようにオペアンプＯＰ１によるバッファ回路を設け
ていないため、オフセット電圧による誤差が無い。又、
この温度差検出装置における回路の動作は、第１の半導
体ダイオード２２に流れる電流Ｉ１や印加電圧Ｖ１、第
２の半導体ダイオード２３に流れる電流Ｉ２や印加電圧
Ｖ２、並びに抵抗器２６の抵抗値Ｒ１，抵抗器２７の抵
抗値Ｒ２を関係付ける実施例１の場合で説明したような
計算式を適用できないが、その感度は実側値で−２０ｍ
Ｖ／℃程度となり、従来の定電流駆動タイプの場合と比
べて１０倍程度向上していることが判った。
合にようにオペアンプＯＰ１によるバッファ回路を設け
ていないため、オフセット電圧による誤差が無い。又、
この温度差検出装置における回路の動作は、第１の半導
体ダイオード２２に流れる電流Ｉ１や印加電圧Ｖ１、第
２の半導体ダイオード２３に流れる電流Ｉ２や印加電圧
Ｖ２、並びに抵抗器２６の抵抗値Ｒ１，抵抗器２７の抵
抗値Ｒ２を関係付ける実施例１の場合で説明したような
計算式を適用できないが、その感度は実側値で−２０ｍ
Ｖ／℃程度となり、従来の定電流駆動タイプの場合と比
べて１０倍程度向上していることが判った。
【００３２】尚、この実施例２の温度差検出装置の場合
においても、第１の半導体ダイオード２２と第２の半導
体ダイオード２３とを入れ替えたり、接地接続を或る一
定の基準電圧源に対して接続するように変更することが
できる。
においても、第１の半導体ダイオード２２と第２の半導
体ダイオード２３とを入れ替えたり、接地接続を或る一
定の基準電圧源に対して接続するように変更することが
できる。
【００３３】図４は、本発明の実施例３に係る温度差検
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード３２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード３３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード３２
及び第２の半導体ダイオード３３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路３５により得られる第１の半
導体ダイオード３２及び第２の半導体ダイオード３３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
出装置の基本構成を示した回路図である。この温度差検
出装置の場合も、基準温度検出用の第１の半導体ダイオ
ード３２（抵抗値Ｒｄ１のＤ１としても表記している）
と被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオード３３
（抵抗値Ｒｄ２のＤ２としても表記している）とにおけ
るそれぞれの温度、並びに第１の半導体ダイオード３２
及び第２の半導体ダイオード３３に接続されたオペアン
プＯＰ２から成る演算回路３５により得られる第１の半
導体ダイオード３２及び第２の半導体ダイオード３３の
温度差で示される温度変化に基づいて温度検出対象物体
の温度を演算可能なものである。
【００３４】具体的に言えば、この温度差検出装置は、
負極側が接地された第１の半導体ダイオード３２の正極
側を定電流回路３１と接続し、第１の半導体ダイオード
３２の負極側を第２の半導体ダイオード３３の負極側に
接続すると共に、第２の半導体ダイオード３３の正極側
を負極側が抵抗器３７を介して出力帰還される演算回路
３５の負極側に接続し、第１の半導体ダイオード３２の
正極側及び定電流回路３１の間を演算回路３５の正極側
に接続した回路構成とした上、負極側が接続された第１
の半導体ダイオード３２及び第２の半導体ダイオード３
２の正極側を同電位として設定することにより、演算回
路３５から得られる出力電圧Ｖout を第２の半導体ダイ
オード３３に流れる電流値Ｉ２によってその出力値が決
定される構成としている。
負極側が接地された第１の半導体ダイオード３２の正極
側を定電流回路３１と接続し、第１の半導体ダイオード
３２の負極側を第２の半導体ダイオード３３の負極側に
接続すると共に、第２の半導体ダイオード３３の正極側
を負極側が抵抗器３７を介して出力帰還される演算回路
３５の負極側に接続し、第１の半導体ダイオード３２の
正極側及び定電流回路３１の間を演算回路３５の正極側
に接続した回路構成とした上、負極側が接続された第１
の半導体ダイオード３２及び第２の半導体ダイオード３
２の正極側を同電位として設定することにより、演算回
路３５から得られる出力電圧Ｖout を第２の半導体ダイ
オード３３に流れる電流値Ｉ２によってその出力値が決
定される構成としている。
【００３５】この温度差検出装置の場合も、実施例２の
場合にようにオペアンプＯＰ１によるバッファ回路を設
けていないため、オフセット電圧による誤差が無く、又
回路の動作は、第１の半導体ダイオード３２に流れる電
流Ｉ１や印加電圧Ｖ１、第２の半導体ダイオード３３に
流れる電流Ｉ２や印加電圧Ｖ２、並びに抵抗器３７の抵
抗値Ｒ２を関係付ける実施例１の場合で説明したような
計算式を適用できないが、その感度は実側値で実施例１
の場合と同様な感度５０ｍＶ／℃が得られた。従って、
この実施例３の温度差検出装置においても、従来の半導
体ダイオードを定電流駆動するだけの回路における感度
−２．３ｍＶ／℃と比べれば、約２０倍程度高感度とな
る。
場合にようにオペアンプＯＰ１によるバッファ回路を設
けていないため、オフセット電圧による誤差が無く、又
回路の動作は、第１の半導体ダイオード３２に流れる電
流Ｉ１や印加電圧Ｖ１、第２の半導体ダイオード３３に
流れる電流Ｉ２や印加電圧Ｖ２、並びに抵抗器３７の抵
抗値Ｒ２を関係付ける実施例１の場合で説明したような
計算式を適用できないが、その感度は実側値で実施例１
の場合と同様な感度５０ｍＶ／℃が得られた。従って、
この実施例３の温度差検出装置においても、従来の半導
体ダイオードを定電流駆動するだけの回路における感度
−２．３ｍＶ／℃と比べれば、約２０倍程度高感度とな
る。
【００３６】尚、この実施例３の温度差検出装置の場合
においても、第１の半導体ダイオード３２と第２の半導
体ダイオード３３とを入れ替えたり、接地接続を或る一
定の基準電圧源に対して接続するように変更することが
できる。
においても、第１の半導体ダイオード３２と第２の半導
体ダイオード３３とを入れ替えたり、接地接続を或る一
定の基準電圧源に対して接続するように変更することが
できる。
【００３７】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明の温度差検出
装置によれば、第２の半導体ダイオードを定電圧駆動
し、温度に対する変化率の大きい電流値を検出すること
で従来の定電流駆動タイプによる回路よりも格段に感度
を高めることができ、しかも第１の半導体ダイオードと
第２の半導体ダイオードとの温度差が零の時には周囲温
度（基準温度検出用の第１の半導体ダイオードの温度）
に拘らず演算回路からの出力電圧を一定又は零になるよ
うにすることができるので、結果として感度が高くて基
本性能を向上し得るようになり、熱型赤外線センサとし
て用いることが好適になる。
装置によれば、第２の半導体ダイオードを定電圧駆動
し、温度に対する変化率の大きい電流値を検出すること
で従来の定電流駆動タイプによる回路よりも格段に感度
を高めることができ、しかも第１の半導体ダイオードと
第２の半導体ダイオードとの温度差が零の時には周囲温
度（基準温度検出用の第１の半導体ダイオードの温度）
に拘らず演算回路からの出力電圧を一定又は零になるよ
うにすることができるので、結果として感度が高くて基
本性能を向上し得るようになり、熱型赤外線センサとし
て用いることが好適になる。
【図１】本発明の実施例１に係る温度差検出装置の基本
構成を示した回路図である。
構成を示した回路図である。
【図２】図１に示す温度差検出装置におけるダイオード
温度差特性の測定値としてダイオード温度差に対する出
力電圧の関係を示したものである。
温度差特性の測定値としてダイオード温度差に対する出
力電圧の関係を示したものである。
【図３】本発明の実施例２に係る温度差検出装置の基本
構成を示した回路図である。
構成を示した回路図である。
【図４】本発明の実施例３に係る温度差検出装置の基本
構成を示した回路図である。
構成を示した回路図である。
【図５】従来の温度差検出装置の基本構成を示した回路
図である。
図である。
１１，２１，３１，４１，４６ 定電流回路
１２，１３，２２，２３，３２，３３，４２，４３ 半
導体ダイオード １４ バッファ回路 １５，２５，３５，４５ 演算回路 １６，１７，２６，２７，３７ 抵抗器
導体ダイオード １４ バッファ回路 １５，２５，３５，４５ 演算回路 １６，１７，２６，２７，３７ 抵抗器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｊ 5/10 Ｇ０１Ｊ 5/10 Ｄ
Ｇ０１Ｋ 7/01 Ｇ０１Ｋ 7/00 ３９１Ｃ
(72)発明者 木村 光照
宮城県宮城郡七ケ浜町汐見台三丁目２番地
の56
Ｆターム(参考） 2F056 JT01
2G065 AA04 AB02 BA09 BA14 BC03
BC05 BC12 BC13 BC16 CA21
DA10
2G066 AC13 BA11 BB11
Claims (3)
- 【請求項１】 基準温度検出用の第１の半導体ダイオー
ドと被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオードとに
おけるそれぞれの温度、並びに該第１の半導体ダイオー
ド及び該第２の半導体ダイオードに接続された演算回路
により得られる該第１の半導体ダイオード及び該第２の
半導体ダイオードの温度差で示される温度変化に基づい
て温度検出対象物体の温度を演算可能な温度差検出装置
において、前記第１の半導体ダイオードは定電流駆動さ
れて負極側が前記第２の半導体ダイオードの負極側と同
電位として設定され、前記第１の半導体ダイオードの正
極側と前記第２の半導体ダイオードの正極側との間には
バッファ回路が介在接続され、前記演算回路は前記第２
の半導体ダイオードに流れる電流値によって出力値が決
定されることを特徴とする温度差検出装置。 - 【請求項２】 基準温度検出用の第１の半導体ダイオー
ドと被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオードとに
おけるそれぞれの温度、並びに該第１の半導体ダイオー
ド及び該第２の半導体ダイオードに接続された演算回路
により得られる該第１の半導体ダイオード及び該第２の
半導体ダイオードの温度差で示される温度変化に基づい
て温度検出対象物体の温度を演算可能な温度差検出装置
において、前記第１の半導体ダイオード及び前記第２の
半導体ダイオードは正極側が接続され、且つ負極側が同
電位として設定され、前記演算回路は前記第２の半導体
ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定される
ことを特徴とする温度差検出装置。 - 【請求項３】 基準温度検出用の第１の半導体ダイオー
ドと被測定物温度検出用の第２の半導体ダイオードとに
おけるそれぞれの温度、並びに該第１の半導体ダイオー
ド及び該第２の半導体ダイオードに接続された演算回路
により得られる該第１の半導体ダイオード及び該第２の
半導体ダイオードの温度差で示される温度変化に基づい
て温度検出対象物体の温度を演算可能な温度差検出装置
において、前記第１の半導体ダイオード及び前記第２の
半導体ダイオードは負極側が接続され、且つ正極側が同
電位として設定され、前記演算回路は前記第２の半導体
ダイオードに流れる電流値によって出力値が決定される
ことを特徴とする温度差検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001203056A JP2003014547A (ja) | 2001-07-04 | 2001-07-04 | 温度差検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001203056A JP2003014547A (ja) | 2001-07-04 | 2001-07-04 | 温度差検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003014547A true JP2003014547A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19039758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001203056A Withdrawn JP2003014547A (ja) | 2001-07-04 | 2001-07-04 | 温度差検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003014547A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118188B (zh) * | 2006-08-02 | 2012-03-07 | 瑞萨电子株式会社 | 温度检测电路及半导体装置 |
| WO2014177171A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | Aktiebolaget Electrolux | Nozzle for a vacuum cleaner and vacuum cleaner |
| WO2020182282A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Nokia Technologies Oy | Temperature detection |
| CN112219097A (zh) * | 2018-06-29 | 2021-01-12 | 希奥检测有限公司 | 具有成对的二极管和反馈回路的温度传感器半导体器件 |
-
2001
- 2001-07-04 JP JP2001203056A patent/JP2003014547A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118188B (zh) * | 2006-08-02 | 2012-03-07 | 瑞萨电子株式会社 | 温度检测电路及半导体装置 |
| WO2014177171A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | Aktiebolaget Electrolux | Nozzle for a vacuum cleaner and vacuum cleaner |
| CN112219097A (zh) * | 2018-06-29 | 2021-01-12 | 希奥检测有限公司 | 具有成对的二极管和反馈回路的温度传感器半导体器件 |
| CN112219097B (zh) * | 2018-06-29 | 2023-02-17 | 希奥检测有限公司 | 具有成对的二极管和反馈回路的温度传感器半导体器件 |
| US11644367B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-05-09 | Sciosense B.V. | Temperature sensor semiconductor device with pair of diodes and feedback loop |
| WO2020182282A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Nokia Technologies Oy | Temperature detection |
| CN113544481A (zh) * | 2019-03-08 | 2021-10-22 | 诺基亚技术有限公司 | 温度检测 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5753815A (en) | Thermo-sensitive flow sensor for measuring flow velocity and flow rate of a gas | |
| US20020180489A1 (en) | Low voltage current sense amplifier circuit | |
| JPS58131524A (ja) | 測温装置 | |
| JP3408161B2 (ja) | 温度検出回路及び光電変換回路 | |
| JP2003014547A (ja) | 温度差検出装置 | |
| US20050092078A1 (en) | Pulsed thermistor sensor | |
| JPH0432617Y2 (ja) | ||
| JPH09105681A (ja) | 温度測定回路 | |
| JP3736026B2 (ja) | 焦電型赤外線検出装置における電流電圧変換回路 | |
| JPH03273121A (ja) | 放射体温計 | |
| JP3166565B2 (ja) | 赤外線検出回路 | |
| US4126042A (en) | Error compensating network for digital display thermometer | |
| JP3153787B2 (ja) | 抵抗体による熱伝導パラメータセンシング方法及びセンサ回路 | |
| JP2004071982A (ja) | 光受信器、光送受信器及びその製造方法 | |
| US20060021444A1 (en) | Method of operating a resistive heat-loss pressure sensor | |
| JPS5814617Y2 (ja) | 小型冷却器の冷却温度制御回路 | |
| JPS5844330Y2 (ja) | 駆動回路 | |
| JPS5814616Y2 (ja) | 小型冷却器の冷却温度制御回路 | |
| JPH06109510A (ja) | 熱式流量計 | |
| JP2001099939A (ja) | エレクトロメータ回路 | |
| JP2001141539A (ja) | フローセンサの温度補正方法及びフローセンサ回路 | |
| JPH0720932Y2 (ja) | 基準信号発生回路 | |
| JP2001281183A (ja) | 湿度センサユニット | |
| JPS62250312A (ja) | 流速センサ−駆動回路 | |
| JP2001518182A (ja) | 向上した低周波数レスポンスのためのフィードバック増幅器をともなった焦電気検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081007 |