JP2003011273A - Metallized polyimide film - Google Patents
Metallized polyimide filmInfo
- Publication number
- JP2003011273A JP2003011273A JP2001201257A JP2001201257A JP2003011273A JP 2003011273 A JP2003011273 A JP 2003011273A JP 2001201257 A JP2001201257 A JP 2001201257A JP 2001201257 A JP2001201257 A JP 2001201257A JP 2003011273 A JP2003011273 A JP 2003011273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- polyimide film
- film
- polyimide
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミドフィル
ムの表面に銅などの金属層を形成した金属化ポリイミド
フィルムに関し、特に、ＴＡＢテープ、フレキシブル回
路基板またはフレキシブル配線板などとして使用される
金属化ポリイミドフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化・軽量化・構造
の柔軟化に有利な回路基板として、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）やＦＰＣ（Flexible Prnt Circuit） 等
を用いた回路基板に対する需要が高まってきている。従
来、この種の回路基板は、可撓性のあるプラスチック基
板上に銅箔をエポキシ系接着剤等の接着剤で貼り合わせ
たものが使用されていた。
【０００３】しかし、電子機器の高密度実装を図るため
に、この種の回路基板もさらに薄膜化することが望まれ
ており、前述のように銅箔を接着する構造では、薄膜化
への要求に十分応えることができなかった。
【０００４】また、上記の接着剤を用いた回路基板で
は、接着剤層に銅箔のエッチング液がしみこみ易く、
高温高湿下でバイアスを加えると銅のマイグレーション
が発生し、回路を短絡させることがある、高速化のた
めにはインピーダンスをマッチングさせるとともにクロ
ストークを減少させる必要があるが、接着剤があるため
に困難である、接着剤層の寸法安定性が悪い、接着
剤層の存在により回路基板の微細加工が困難であり、高
密度化に対応しにくい、接着剤層の熱特性がプラスチ
ック基板材料のそれよりも劣るため熱安定性に問題があ
り、高密度化への対応が困難である、接着剤があるた
めに製品に変形が生じやすいなどの問題もあった。
【０００５】これらの問題を解決するため、接着剤を使
用せずに金属化フィルムを形成する技術が検討されてい
る。例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング等の薄膜形成技術により、プラスチック基板上
に直接的に金属薄膜を回路パターンに沿って成膜したの
ち、この金属薄膜上に電解めっき等により金属めっき層
を堆積させる方法や、金属薄膜をプラスチック基板の表
面に形成し、その上に電解めっき等で金属を堆積させた
後に、金属層をエッチングして回路パターンを形成する
方法などが公知である。
【０００６】しかし、このような構造では、回路パター
ン形成工程や電解めっき工程等の後工程を経ると、プラ
スチック基板と金属薄膜間の接合強度が低下し、剥離し
やすいという問題があった。
【０００７】この問題を解決するため、特開平１−１３
３７２９号公報には、ポリイミドフィルムの表面に、酸
化ジルコニウムまたは酸化ケイ素を成膜し、その上に銅
層を成膜する構成が開示されている。特開平３−２７４
２６１号公報には、ポリイミドフィルムの表面に、ニッ
ケル、クロム、チタン、バナジウム、タングステン、モ
リブデン等を成膜し、その上に銅層を成膜する構成が記
載されている。特開平５−１８３０１２号公報には、ポ
リイミドフィルムの表面に、ニッケル、コバルト、タン
グステン、モリブデン等の薄膜を無電解めっきにより形
成し、その上に銅層をめっき法で形成した構成が記載さ
れている。特開平７−１９７２３９号公報には、ポリイ
ミドフィルム上に、ニッケル、クロム、モリブデン、タ
ングステン等の金属を真空蒸着し、さらに電解めっきに
より銅層を形成した構成が記載されている。特開平８−
３３０６９５号公報には、ポリイミドフィルム上に、モ
リブデンの薄膜をスパッタリングにより形成し、その上
に電解めっきにより銅層を形成した構成が記載されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのい
ずれの方法によっても、銅層がポリイミドフィルムから
剥離する現象を防止するには至っていない。例えば、モ
リブデン膜を中間層として用いた場合には、この種の金
属化ポリイミドフィルムに対する一般的な耐久試験（例
えば１５０℃×２４時間加熱）を行った場合に、剥離強
度が低下する現象が本発明者らにより見いだされた。本
発明者らが検討したところ、剥離強度の低下はモリブデ
ン中間層の酸化が原因であると考えられた。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、金属層とポリイミドフィルムとの接合強度をさ
らに高めることができる金属化ポリイミドフィルムを提
供することを課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る金属化ポリイミドフィルムは、ポリイ
ミドフィルムの表面に、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆ
ｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種以上の元素から実質
的に形成される合金から選択される１種または２種以上
が０．３〜１５ｍｇ／ｍ2の厚さで付着され、その上に
平均厚さ１０ｎｍ以上の金属層が形成されていることを
特徴とする。
【００１１】本発明の金属化ポリイミドフィルムは、Ｔ
ＡＢテープ、フレキシブル回路基板、フレキシブル配線
板などの形態であってもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る金属化ポリ
イミドフィルムの一実施形態を示す概略図である。この
金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルム１
と、ポリイミドフィルム１の表面に形成された金属核付
着部２と、この金属核付着部２上に形成された金属層４
とを具備する。金属核付着部２は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，
Ｓｉ，Ｆｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種以上の元素
から実質的に形成される合金から選択される１種または
２種以上が０．３〜１５ｍｇ／ｍ2の厚さでポリイミド
フィルム１上に付着されたものであり、連続した緻密な
膜にはなっていない。
【００１３】図示の例では、ポリイミドフィルム１の片
面のみに金属核付着部２および金属層４が形成されてい
るが、両面に形成されていてもよいし、予め金属核付着
部２および金属層４が一定のパターン形状をなすように
形成されていてもよい。
【００１４】ポリイミドフィルム１の材質は、通常この
種の用途に使用されているポリイミド樹脂であればいず
れも可能であり、ＢＰＤＡ系ポリイミド樹脂であって
も、ＰＭＤＡ系ポリイミド樹脂であってもよい。一般的
にＢＰＤＡ（ビフェニルテトラカルボン酸）を原料とす
るポリイミドフイルム（宇部興産製商品名「ユーピレッ
クス」など）は熱および吸湿寸法安定性および剛性が良
好であり、主にＴＡＢ用途に使用されているが、金属薄
膜との接合強度が低い特徴を有する。一方、ＰＭＤＡ
（ピロメリット酸二無水物）を原料とするポリイミドフ
ィルム（東レ・デュポン製商品名「カプトン」、鐘淵化
学工業製商品名「アピカル」など）は金属薄膜との接合
強度が高いとされている。ポリイミドフィルム１の厚さ
は特に限定されないが、１２〜１２５μｍであることが
好ましい。
【００１５】ポリイミドフィルム１は、単層であっても
よいが、複数種のポリイミド樹脂を積層した積層フィル
ムであってもよい。ポリイミドフィルム１の金属核付着
部２が接する表面は、ＢＰＤＡ系およびＰＭＤＡ系のど
ちらであっても同様の効果が得られる。
【００１６】金属核付着部２における金属付着量が０．
３ｍｇ／ｍ2よりも少ないと、ポリイミドフィルム１に
対する金属層４の接合強度を十分に高めることができな
くなる。また、金属核付着部２が１５ｍｇ／ｍ2よりも
多いと、付着された前記核形成金属の酸化によって金属
層４の付着強度が低下する現象が顕著となる。
【００１７】従来技術においては、モリブデン等を用い
てポリイミドフィルムに対する金属層４の接合強度を高
める場合、モリブデン層を膜となる程度に厚く成膜しな
ければ接合強度が高められないと考えられていた。これ
に対し、本発明者らは、前記金属を極少量付着させるだ
けでも、金属層４の接合強度を十分に高められることを
見いだし、さらに、このように付着量を極微少量とした
場合には、前記金属の酸化によると思われる接合強度の
劣化が少ない利点があることを見いだした。
【００１８】金属核付着部２のより好ましい付着量は
０．９〜１０ｍｇ／ｍ2である。この範囲内であると、
製造コストも安く、金属層４の接合強度を高める効果も
安定している。なお、核形成金属の付着量は誘導結合高
周波プラズマ分光分析法（ＩＣＰ）により測定すること
が可能である。
【００１９】金属核付着部２における金属付着量は０．
３〜１５ｍｇ／ｍ2という極微量であるから、金属核付
着部２は膜と呼べる状態ではなく、ポリイミドフィルム
１の表面の特に活性点に対して前記金属の粒子が付着し
て核粒子を形成し、このような核粒子が点在する状態と
考えられる。
【００２０】金属核付着部２の材質は、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種以上の
元素から実質的に形成される合金から選択される１種ま
たは２種以上であればよいが、本発明者らの実験による
と、この中でも特にＭｏ，Ｓｉを使用した場合に高い接
合強度が得られ、また耐久試験後でも高い接合強度を維
持できた。
【００２１】金属核付着部２をポリイミドフィルム１上
に形成するには、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法等の乾式成膜技術により、前記核形
成金属をポリイミドフィルム１上に付着させればよい。
核形成金属を付着させる上でより好ましい成膜方法は、
スパッタリング法、およびイオンプレーティング法であ
る。成膜条件は特に限定されないが、核形成金属の酸化
を防ぐ上では成膜槽内の酸素、水の分圧を極力低くする
ことが好ましい。
【００２２】金属層４の材質は、銅、銅合金、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、銀、金、白金などから選択さ
れる１種または２種以上であり、特に好ましくは純銅、
または、ニッケル、亜鉛、もしくは鉄等を含む銅合金で
ある。金属層４の厚さは１０ｎｍ以上であればよく、よ
り好ましくは３０ｎｍ以上である。金属層４が厚すぎる
とコストが高くなりすぎ、薄すぎるとめっき工程にて焼
き切れる等の不良が発生しやすくなる。
【００２３】金属層４を形成するには、真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成技術に
より、金属核付着部２を形成したポリイミドフィルム１
上に金属を成膜するだけでもよいし、あるいは、ある程
度の薄膜を前記各方法で成膜した後に、この蒸着膜上に
電解めっき法や無電解めっき法等により金属めっき層を
堆積させてもよい。
【００２４】上記実施形態からなる金属化ポリイミドフ
ィルムによれば、ポリイミドフィルム１の表面に特定の
核形成金属を極微量付着させて金属核付着部２を形成し
た上、金属層４を形成したことにより、ポリイミドフィ
ルム１と金属層４との接合強度を高めることができる。
また、前記核形成金属は、モリブデン単体からなる中間
層等に比べて高温にさらされても金属層４の接合強度向
上効果が劣化しにくいので、耐久試験後にも高い接合強
度を維持できる。また、金属核付着部２が接する界面が
ＢＰＤＡ系ポリイミド、ＰＭＤＡ系ポリイミドのいずれ
であっても、高い接合強度が得られるという効果を奏す
る。
【００２５】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明の効果を実証す
る。
（グループＡ）ＢＰＤＡ系ポリイミドフィルム基材とし
て宇部興産株式会社製商品名「ユーピレックスＳ」（厚
さ５０μｍ）を使用し、このフィルム基材を高周波スパ
ッタリング装置内にセットし、その表面に下記の条件に
て金属核付着部および金属層を続けて形成した。
金属核材質：Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｍ
ｏ−Ｃｒ（原子百分率でＭｏ５０％、Ｃｒ５０％），Ｍ
ｏ−Ｎｉ（原子百分率でＭｏ５０％、Ｎｉ５０％）
成膜条件：アルゴンガス使用、ＤＣ出力２００Ｗ
付着量：０, ０.１，０.３，５，１０，１５，２０ｍｇ
／ｍ2
金属層材質：純銅
成膜条件：アルゴンガス使用、ＤＣ出力３ｋＷ
成膜厚さ：３００ｎｍ
さらに、得られた金属薄膜化フィルムの金属面に、硫酸
銅浴により銅電解めっき層を２０μｍの厚さとなるよう
に形成し、試料Ａ１〜Ａ１４の金属化ポリイミドフィル
ムを得た。
【００２６】（グループＢ）ＰＭＤＡ系ポリイミドフィ
ルム基材として東レデュポン株式会社製商品名「カプト
ンＥＮ」（厚さ５０μｍ）を使用し、前記グループＡと
同様に処理し、試料Ｂ１〜Ｂ１４の金属化ポリイミドフ
ィルムを得た。
【００２７】（比較実験）前記各試料の金属化ポリイミ
ドフィルムから幅１０ｍｍ×長さ１５０ｍｍの短冊状試
験片を切り出し、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０（米国プリント
回路工業会規格試験法）による方法にて、フィルム基材
と金属薄膜間の接合強度を測定した。この試験法は、前
記短冊状試験片のポリイミドフィルム側を６インチの直
径ドラムの外周に周方向へ向けて接着固定したうえ、金
属膜の一端を治具で５０ｍｍ／分でポリイミドフィルム
から剥離させながら引っ張り、それに要する荷重を測定
する方法である。結果を表１に示す。
【００２８】また、各試験片に対してプレッシャクッカ
ー試験（ＰＣＴ）と、高温試験を行い、ＰＣＴ後の金属
化ポリイミドフィルムについて、上記と同じ接合強度試
験を行うことにより、耐久試験後の接合強度を比較し
た。結果を表１に示した。なお、ＰＣＴの条件は１２１
℃、湿度１００％、２気圧、４８時間とし、高温試験の
条件は、大気中にて１５０℃×２４時間加熱とした。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る金属
化ポリイミドフィルムによれば、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓ
ｉ，Ｆｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種以上の元素か
ら実質的に形成される合金から選択される１種または２
種以上が０．３〜１５ｍｇ／ｍ 2の厚さで付着された金
属核付着部をポリイミドフィルムと金属層との間に形成
したことにより、ポリイミドフィルムと金属層との接合
強度を高めることができる。また、このような金属核付
着部は、モリブデン単体で緻密な膜状に形成された中間
層に比べて、高温時にも接合強度向上効果が劣化しにく
いため、耐久試験後にも高い接合強度を維持できる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0001]
The present invention relates to a polyimide film.
Metallized polyimide with a metal layer such as copper formed on the surface of the
For film, especially TAB tape, flexible
Used as circuit board or flexible wiring board
It relates to a metallized polyimide film.
[0002]
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been reduced in size, weight, and structure.
TAB (Tape Automated Circuit Board)
ated Bonding) and FPC (Flexible Prnt Circuit)
There is an increasing demand for circuit boards using the same. Obedience
In the past, this type of circuit board has been
Laminate copper foil on board with adhesive such as epoxy adhesive
Was used.
However, in order to achieve high-density mounting of electronic equipment,
In addition, it is desirable to further reduce the thickness of this type of circuit board.
In the structure where copper foil is bonded as described above,
Could not meet the demands of
Further, a circuit board using the above-mentioned adhesive is used.
Is easy to infiltrate the copper foil etchant into the adhesive layer,
Copper migration when bias is applied under high temperature and high humidity
May cause a short circuit.
Matching impedance and
Stokes need to be reduced, but with adhesive
Difficult to adhere, poor dimensional stability of adhesive layer, adhesion
It is difficult to finely process the circuit board due to the presence of
Difficult to cope with densification, the thermal characteristics of the adhesive layer are plastic
Thermal stability is inferior to that of
Is difficult to cope with high density.
Therefore, there is a problem that the product is easily deformed.
To solve these problems, an adhesive is used.
Technologies for forming metallized films without using
You. For example, vacuum deposition, sputtering, ion play
On a plastic substrate by thin film forming technology such as
The metal thin film was formed directly along the circuit pattern
The metal plating layer is formed on the metal thin film by electrolytic plating or the like.
Method of depositing a metal thin film on a plastic substrate
Formed on the surface, and metal was deposited on it by electrolytic plating etc.
Later, the metal layer is etched to form a circuit pattern
Methods and the like are known.
However, in such a structure, the circuit pattern
After the post-process such as
The bonding strength between the stick substrate and the metal thin film decreases,
There was a problem that it was easy.
To solve this problem, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
No. 3729 discloses that an acid is added to the surface of a polyimide film.
Zirconium oxide or silicon oxide is deposited on top of copper
A configuration for forming a layer is disclosed. JP-A-3-274
No. 261 discloses that a nip is formed on the surface of a polyimide film.
Kel, chromium, titanium, vanadium, tungsten, molybdenum
A configuration in which a film of lybdenum, etc. is formed, and a copper layer is formed thereon
It is listed. JP-A-5-183012 describes
Nickel, cobalt, and tan on the polyimide film surface
Form a thin film of gustene, molybdenum, etc. by electroless plating
The configuration in which a copper layer was formed by plating on the
Have been. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-197239 discloses a poly
Nickel, chromium, molybdenum,
Vacuum deposition of metals such as tungsten
A configuration in which a copper layer is formed is described. JP-A-8-
No. 3,306,955 discloses that a polyimide film has
A thin film of molybdenum is formed by sputtering.
Describes a configuration in which a copper layer is formed by electrolytic plating.
You.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION
The copper layer can be removed from the polyimide film
It has not been possible to prevent the phenomenon of peeling. For example,
This type of gold can be used when a
General endurance test for functionalized polyimide film (example
(For example, heating at 150 ° C. for 24 hours).
A phenomenon in which the degree is reduced has been found by the present inventors. Book
As a result of studies by the inventors, the decrease in peel strength
The oxidation was thought to be due to oxidation of the intermediate layer.
[0009] The present invention has been made in view of the above circumstances.
The bonding strength between the metal layer and the polyimide film.
Metallized polyimide film
The task is to provide.
[0010]
Means for Solving the Problems To solve the above problems,
Therefore, the metallized polyimide film according to the present invention
Mo, Cr, Ni, Si, F
e, Al, and two or more of these elements
One or more selected from alloys that are formed
Is 0.3 to 15 mg / mTwoIs attached with a thickness of
That a metal layer having an average thickness of 10 nm or more is formed.
Features.
The metallized polyimide film of the present invention has a T
AB tape, flexible circuit board, flexible wiring
It may be in the form of a plate or the like.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION FIG.
It is a schematic diagram showing one embodiment of an imide film. this
Metallized polyimide film is polyimide film 1
And a metal core formed on the surface of the polyimide film 1
Attachment portion 2 and metal layer 4 formed on metal core attachment portion 2
And The metal nucleus adhesion part 2 is made of Mo, Cr, Ni,
Si, Fe, Al, and two or more of these elements
One selected from an alloy substantially formed from
0.3 to 15 mg / m for two or moreTwoPolyimide with thickness of
It is adhered on the film 1 and is continuous and dense.
Not a film.
In the illustrated example, a piece of the polyimide film 1 is
Metal nucleus adhesion portion 2 and metal layer 4 are formed only on the surface
However, it may be formed on both sides,
So that the part 2 and the metal layer 4 have a certain pattern shape
It may be formed.
The material of the polyimide film 1 is usually
Any polyimide resin used for various applications
It is also possible to use BPDA-based polyimide resin
May also be a PMDA-based polyimide resin. general
Using BPDA (biphenyltetracarboxylic acid) as raw material
Polyimide film (Ube Industries' product name "UPILET
Has excellent heat and moisture absorption dimensional stability and rigidity.
It is mainly used for TAB applications,
It has the feature of low bonding strength with the film. Meanwhile, PMDA
Polyimide (pyromellitic dianhydride)
Film (trade name "Kapton" manufactured by Toray DuPont
Gakukogyo's product name "Apical") is bonded to a metal thin film
It is said that the strength is high. Thickness of polyimide film 1
Is not particularly limited, but may be 12 to 125 μm.
preferable.
The polyimide film 1 has a single layer
Good, but a multi-layered film with multiple types of polyimide resin laminated
It may be a system. Metal nucleus adhesion of polyimide film 1
The surface in contact with the part 2 is a BPDA-based or PMDA-based
The same effect can be obtained with either of them.
The amount of metal adhesion in the metal nucleus adhesion part 2 is 0.
3mg / mTwoLess than the polyimide film 1
The bonding strength of the metal layer 4 cannot be sufficiently increased.
It becomes. Further, the metal nucleus adhesion portion 2 has a thickness of 15 mg / mTwothan
Often, oxidation of the attached nucleation metal
The phenomenon that the adhesion strength of the layer 4 is reduced becomes remarkable.
In the prior art, molybdenum or the like is used.
To increase the bonding strength of the metal layer 4 to the polyimide film.
In this case, do not form the molybdenum layer thick enough to
It was thought that if it were, the bonding strength would not be increased. this
On the other hand, the present inventors attach only a small amount of the metal.
However, the bonding strength of the metal layer 4 can be sufficiently increased.
Was found, and the amount of adhesion was extremely small.
In some cases, the bonding strength is considered to be due to the oxidation of the metal.
It has been found that there is an advantage that deterioration is small.
A more preferable amount of the metal nucleus adhesion portion 2 is
0.9 to 10 mg / mTwoIt is. Within this range,
The manufacturing cost is low, and the effect of increasing the bonding strength of the metal layer 4 is also improved.
stable. The amount of nucleation metal adhered was high
Measurement by high frequency plasma spectroscopy (ICP)
Is possible.
The amount of metal adhesion in the metal nucleus adhesion part 2 is 0.1.
3 to 15 mg / mTwoWith a metal nucleus
The attachment part 2 is not in a state that can be called a film, but is a polyimide film.
The particles of the metal adhere to the surface of the surface 1 particularly to the active site.
To form nuclear particles, and the state in which such nuclear particles are scattered.
Conceivable.
The material of the metal core attachment portion 2 is Mo, Cr, N
i, Si, Fe, Al, and two or more of these
At least one selected from alloys substantially formed from elements
Or two or more types, but according to experiments conducted by the present inventors.
And especially when Mo and Si are used,
Joint strength and high joint strength after endurance testing.
I got it.
The metal nucleus attachment portion 2 is placed on the polyimide film 1
Vacuum deposition, sputtering, ion
The nuclei are formed by dry film forming technology such as plating.
What is necessary is just to make the formed metal adhere to the polyimide film 1.
A more preferred film forming method for attaching a nucleation metal is
The sputtering method and the ion plating method
You. The film forming conditions are not particularly limited, but oxidation of the nucleation metal is performed.
In order to prevent this, the partial pressure of oxygen and water in the deposition tank should be minimized
Is preferred.
The material of the metal layer 4 is copper, copper alloy, aluminum
Aluminum, aluminum alloy, silver, gold, platinum, etc.
One or more kinds, particularly preferably pure copper,
Or copper alloy containing nickel, zinc or iron etc.
is there. The thickness of the metal layer 4 may be 10 nm or more.
More preferably, it is 30 nm or more. Metal layer 4 is too thick
If the cost is too high, it is too thin.
Defects such as breakage are likely to occur.
In order to form the metal layer 4, vacuum deposition, spa
For thin film formation technology such as sputtering and ion plating
From the polyimide film 1 on which the metal nucleus attachment portion 2 was formed.
You can just deposit a metal film on top, or
After forming a thin film by each of the above methods, on this deposited film
Metal plating layer by electrolytic plating method or electroless plating method
It may be deposited.
The metallized polyimide film according to the above embodiment
According to the film, the specific surface of the polyimide film 1
A very small amount of nucleation metal is deposited to form a metal nucleus deposit 2
In addition, the formation of the metal layer 4 allows the polyimide film to be formed.
The bonding strength between the lum 1 and the metal layer 4 can be increased.
Further, the nucleation metal is an intermediate made of molybdenum alone.
Better bonding strength of metal layer 4 even when exposed to high temperatures
High bonding strength, even after endurance test
Can maintain the degree. Also, the interface where the metal nucleus adhesion portion 2 comes into contact is
Any of BPDA-based polyimide and PMDA-based polyimide
Even if it is, there is an effect that a high bonding strength can be obtained.
You.
[0025]
EXAMPLES Next, the effects of the present invention will be demonstrated with examples.
You.
(Group A) BPDA-based polyimide film substrate
Ube Industries, Ltd. product name "UPILEX S"
This film base material is
Set in the cutter machine and set the following conditions on the surface
Thus, a metal nucleus adhesion portion and a metal layer were continuously formed.
Metal core material: Mo, Cr, Ni, Si, Fe, Al, M
o-Cr (Mo 50% in atomic percentage, Cr 50%), M
o-Ni (Mo 50% in atomic percentage, Ni 50%)
Film formation conditions: use of argon gas, DC output 200W
Adhesion amount: 0.1, 0.3, 5, 10, 15, 20 mg
/ MTwo
Metal layer material: Pure copper
Film formation conditions: use of argon gas, DC output 3 kW
Film thickness: 300 nm
In addition, sulfuric acid was added to the metal surface of the resulting metal thin film.
The copper electrolytic plating layer is made to have a thickness of 20 μm by the copper bath.
And metallized polyimide fills of samples A1 to A14
I got it.
(Group B) PMDA-based polyimide film
LUM base material "Capto" manufactured by Toray Dupont Co., Ltd.
EN ”(50 μm thickness), and
The same treatment was performed, and the metallized polyimide foils of Samples B1 to B14 were processed.
I got a film.
(Comparative experiment) Metallized polyimide of each of the above samples
10mm width x 150mm length strip test
Specimens were cut out and IPC-TM-650 (US print)
Circuit board standard method)
The bonding strength between the thin film and the metal thin film was measured. This test method was
The polyimide film side of the strip-shaped test piece is
Adhesive around the circumference of the drum in the circumferential direction
Polyimide film at 50mm / min with jig at one end of metal film
Pull while peeling off from the surface and measure the load required
How to Table 1 shows the results.
Further, the pressure cooker is applied to each test piece.
-Test (PCT) and high-temperature test, metal after PCT
The same bonding strength test as above
The joint strength after the endurance test.
Was. The results are shown in Table 1. The PCT condition is 121
℃, humidity 100%, 2 atm, 48 hours, high temperature test
The conditions were heating at 150 ° C. for 24 hours in the atmosphere.
[0029]
[Table 1]
[0030]
As described above, the metal according to the present invention
Mo, Cr, Ni, S
i, Fe, Al, and two or more of these elements
Or 2 selected from alloys substantially formed from
0.3 to 15 mg / m for seeds or more TwoGold deposited with a thickness of
A nucleus attachment portion is formed between the polyimide film and the metal layer
Bonding between the polyimide film and the metal layer
Strength can be increased. Also, with such a metal core
Attachment is made of molybdenum alone and formed into a dense film
The effect of improving the bonding strength is less
Therefore, high bonding strength can be maintained even after the durability test.
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る金属化ポリイミドフィルムの一
実施形態の断面拡大図である。
【符号の説明】
１ ポリイミドフィルム
２ 金属核付着部
４ 金属層BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an enlarged sectional view of one embodiment of a metallized polyimide film according to the present invention. [Description of Signs] 1 Polyimide film 2 Metal nucleus adhesion part 4 Metal layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01C AB02B AB10B AB11B AB13B AB17 AB20B AB31B AK49A BA10A BA10C EH66 GB41 GB43 JB03 JK06 YY00B YY00C 4K029 AA11 BA08 BA21 BA23 BA26 BD02 CA05 EA01 5F044 KK03 MM03 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page F term (reference) 4F100 AB01C AB02B AB10B AB11B AB13B AB17 AB20B AB31B AK49A BA10A BA10C EH66 GB41 GB43 JB03 JK06 YY00B YY00C 4K029 AA11 BA08 BA21 BA23 BA26 BD02 CA05 EA01 5F044 KK03 MM03
Claims (1)
ｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ａｌ，およびこれらのうち２種
以上の元素から実質的に形成される合金から選択される
１種または２種以上が０．３〜１５ｍｇ／ｍ2の厚さで
付着され、その上に平均厚さ１０ｎｍ以上の金属層が形
成されていることを特徴とする金属化ポリイミドフィル
ム。[Claim 1] Mo, C on the surface of a polyimide film
one or more selected from r, Ni, Si, Fe, Al, and alloys substantially formed from two or more of these elements at a thickness of 0.3 to 15 mg / m 2 ; A metallized polyimide film which is adhered and has a metal layer having an average thickness of 10 nm or more formed thereon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201257A JP2003011273A (en) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Metallized polyimide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201257A JP2003011273A (en) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Metallized polyimide film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003011273A true JP2003011273A (en) | 2003-01-15 |
Family
ID=19038256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201257A Pending JP2003011273A (en) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Metallized polyimide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003011273A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003334890A (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Two-layer copper polyimide base |
| JP2006123425A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dowa Mining Co Ltd | Metal-clad substrate and its manufacturing process |
| US7241490B2 (en) | 2004-02-04 | 2007-07-10 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Metallized polyimide film and manufacturing method therefor |
| JP2007297712A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Applied Materials Inc | Metallization through thin seed layer deposited using plasma |
| US7422792B2 (en) * | 2004-02-04 | 2008-09-09 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Metallized polymide film |
| JP2010030304A (en) * | 2009-08-28 | 2010-02-12 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Metallized polyimide film |
| WO2015099156A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三井金属鉱業株式会社 | Composite metal foil, composite metal foil with carrier, metal-clad laminate obtained using said composite metal foil or said composite metal foil with carrier, and printed wiring board |
| JP2017505546A (en) * | 2014-12-09 | 2017-02-16 | インテル・コーポレーション | Microelectronic substrate with copper alloy conductive path structure |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274261A (en) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Formation of metal layer on polymer film |
| JPH04350263A (en) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Daimoshiya:Kk | Cutting disassembling machine for concrete structure |
| JPH05259596A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Toyo Metaraijingu Kk | Board for flexible printed wiring |
| JPH06143491A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-24 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Conductive laminated film |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001201257A patent/JP2003011273A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274261A (en) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Formation of metal layer on polymer film |
| JPH04350263A (en) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Daimoshiya:Kk | Cutting disassembling machine for concrete structure |
| JPH05259596A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Toyo Metaraijingu Kk | Board for flexible printed wiring |
| JPH06143491A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-24 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Conductive laminated film |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4517564B2 (en) * | 2002-05-23 | 2010-08-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 2-layer copper polyimide substrate |
| JP2003334890A (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Two-layer copper polyimide base |
| US7241490B2 (en) | 2004-02-04 | 2007-07-10 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Metallized polyimide film and manufacturing method therefor |
| US7422792B2 (en) * | 2004-02-04 | 2008-09-09 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Metallized polymide film |
| JP2006123425A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Dowa Mining Co Ltd | Metal-clad substrate and its manufacturing process |
| JP4548828B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-09-22 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | Method for manufacturing metal-coated substrate |
| JP2007297712A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Applied Materials Inc | Metallization through thin seed layer deposited using plasma |
| JP2010030304A (en) * | 2009-08-28 | 2010-02-12 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | Metallized polyimide film |
| WO2015099156A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三井金属鉱業株式会社 | Composite metal foil, composite metal foil with carrier, metal-clad laminate obtained using said composite metal foil or said composite metal foil with carrier, and printed wiring board |
| JPWO2015099156A1 (en) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | 三井金属鉱業株式会社 | Composite metal foil, composite metal foil with carrier, metal-clad laminate and printed wiring board obtained using these |
| JP2017505546A (en) * | 2014-12-09 | 2017-02-16 | インテル・コーポレーション | Microelectronic substrate with copper alloy conductive path structure |
| US9758845B2 (en) | 2014-12-09 | 2017-09-12 | Intel Corporation | Microelectronic substrates having copper alloy conductive route structures |
| US10494700B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-12-03 | Intel Corporation | Method of fabricating a microelectronic substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4350263B2 (en) | Metallized polyimide film and method for producing the same | |
| KR100800130B1 (en) | Metallized polyimide film | |
| US8318320B2 (en) | Adhesiveless copper clad laminates and method for manufacturing thereof | |
| KR100859614B1 (en) | Composite copper foil and method for production thereof | |
| JP2017224848A (en) | Coreless buildup support board and printed wiring board manufactured using the coreless buildup support board | |
| JP4517564B2 (en) | 2-layer copper polyimide substrate | |
| JP2008307737A (en) | Laminate, wiring board and its manufacturing method | |
| JP2007318177A (en) | Double layer copper polyimide substrate | |
| WO2009098832A1 (en) | Adhesive-free flexible laminate | |
| JP2003011273A (en) | Metallized polyimide film | |
| JP4525682B2 (en) | Two-layer flexible substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2003188495A (en) | Method of manufacturing printed wiring board | |
| TWI645750B (en) | Composite metal foil, composite metal foil containing carrier, and metal clad laminate and printed wiring board using the same | |
| JP2009501433A (en) | Flexible circuit board | |
| JP4222001B2 (en) | Copper coated plastic substrate | |
| JP2007208251A (en) | Substrate for flexible board, flexible board using it, and manufacturing method thereof | |
| JP2005262707A (en) | Copper-clad laminated film and material for flexible circuit board | |
| JP4304459B2 (en) | Polyimide film with metal thin film | |
| JP4762533B2 (en) | Copper metallized laminate and method for producing the same | |
| JP2003011272A (en) | Metallized polyimide film | |
| JP4385297B2 (en) | Two-layer flexible substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2003251741A (en) | Polyimide metal laminated sheet and manufacturing method thereof | |
| JP4032831B2 (en) | Discharge treatment polyimide film, discharge treatment method, polyimide film with metal thin film and method for producing the same | |
| JP4385298B2 (en) | Two-layer flexible substrate and manufacturing method thereof | |
| JP3447122B2 (en) | Flexible circuit board having metal oxide layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080528 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100902 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |