JP2003008357A - 電力増幅装置 - Google Patents
電力増幅装置Info
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- JP2003008357A JP2003008357A JP2001186151A JP2001186151A JP2003008357A JP 2003008357 A JP2003008357 A JP 2003008357A JP 2001186151 A JP2001186151 A JP 2001186151A JP 2001186151 A JP2001186151 A JP 2001186151A JP 2003008357 A JP2003008357 A JP 2003008357A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 移動体通信機器に用いられる高周波増幅回路
の高出力、高効率化を実現する。 【解決手段】 ＧａＡｓチップ２０６上にＨＢＴ２０７
が形成され、このＨＢＴ２０７の出力端パッド２０８は
第１のボンディングワイヤ１０１により、セラミック基
板２１０上に形成された伝送線路２１１の接続端に接続
され、ＭＩＭキャパシタ３００はＧａＡｓチップ２０６
上に形成され、第１の伝送線路ＴＬ１上の第１のボンデ
ィングワイヤ１０１の接続点に第２のボンディングワイ
ヤ１０２が接続されるとともに、ＭＩＭキャパシタ３０
０はセラミック基板２１０上の接地導体パターン２１４
に接地される。
の高出力、高効率化を実現する。 【解決手段】 ＧａＡｓチップ２０６上にＨＢＴ２０７
が形成され、このＨＢＴ２０７の出力端パッド２０８は
第１のボンディングワイヤ１０１により、セラミック基
板２１０上に形成された伝送線路２１１の接続端に接続
され、ＭＩＭキャパシタ３００はＧａＡｓチップ２０６
上に形成され、第１の伝送線路ＴＬ１上の第１のボンデ
ィングワイヤ１０１の接続点に第２のボンディングワイ
ヤ１０２が接続されるとともに、ＭＩＭキャパシタ３０
０はセラミック基板２１０上の接地導体パターン２１４
に接地される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅装置、例
えば移動体通信機器に用いられる高周波増幅回路の高出
力、高効率化を実現する技術に関する。
えば移動体通信機器に用いられる高周波増幅回路の高出
力、高効率化を実現する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】世界各国で携帯電話や携帯情報端末のよ
うに、様々な移動体通信機器が実用化されている。例え
ば日本では携帯電話として９００ＭＨｚ、１．５ＧＨｚ
帯のセルラと１．９ＧＨｚ帯のパーソナルハンディホン
システム（ＰＨＳ）、世界的にはＧＳＭそしてアメリカ
のＰＣＳの中でもＣＤＭＡが挙げられる。今後、アナロ
グ方式、ディジタル方式に次ぐ、第三世代の方式とし
て、ＩＭＴ２０００が実用化される予定である。
うに、様々な移動体通信機器が実用化されている。例え
ば日本では携帯電話として９００ＭＨｚ、１．５ＧＨｚ
帯のセルラと１．９ＧＨｚ帯のパーソナルハンディホン
システム（ＰＨＳ）、世界的にはＧＳＭそしてアメリカ
のＰＣＳの中でもＣＤＭＡが挙げられる。今後、アナロ
グ方式、ディジタル方式に次ぐ、第三世代の方式とし
て、ＩＭＴ２０００が実用化される予定である。
【０００３】移動体通信端末においては電池駆動が前提
であるため、端末に用いられる高周波部品、特に高周波
信号を送信するための電力増幅回路では、高出力時に、
高効率動作が求められる。
であるため、端末に用いられる高周波部品、特に高周波
信号を送信するための電力増幅回路では、高出力時に、
高効率動作が求められる。
【０００４】以下、図２において、従来の電力増幅装置
を説明する。
を説明する。
【０００５】図２（ａ）は、従来の電力増幅装置の回路
図を示すものである。図２（ａ）において、エミッタ接
地されたトランジスタ２０１は、そのベース端子２０２
に高周波信号が入力され、そのコレクタ側の出力端子２
０３にはワイヤ２０９を介して、直列に第１の伝送線路
２１１ｃ（ＴＬ１）、第２の伝送線路２１１ｄ（ＴＬ
２）、第３の伝送線路２１１ｅ（ＴＬ３）が接続されて
おり、ＴＬ１とＴＬ２との接続点は、第１の容量素子３
０５（Ｃ１）を介して接地されており、ＴＬ２とＴＬ３
との接続点は、第２の容量素子３０６（Ｃ２）を介して
接地されている。これら、ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、Ｃ
１、Ｃ２は、トランジスタ２０１の出力整合回路ＭＮｏ
ｕｔを構成している。
図を示すものである。図２（ａ）において、エミッタ接
地されたトランジスタ２０１は、そのベース端子２０２
に高周波信号が入力され、そのコレクタ側の出力端子２
０３にはワイヤ２０９を介して、直列に第１の伝送線路
２１１ｃ（ＴＬ１）、第２の伝送線路２１１ｄ（ＴＬ
２）、第３の伝送線路２１１ｅ（ＴＬ３）が接続されて
おり、ＴＬ１とＴＬ２との接続点は、第１の容量素子３
０５（Ｃ１）を介して接地されており、ＴＬ２とＴＬ３
との接続点は、第２の容量素子３０６（Ｃ２）を介して
接地されている。これら、ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３、Ｃ
１、Ｃ２は、トランジスタ２０１の出力整合回路ＭＮｏ
ｕｔを構成している。
【０００６】この出力整合回路ＭＮｏｕｔは、トランジ
スタ２０１に対して高出力電力と高効率特性を同時に満
たす出力インピーダンスＺＬを送信出力端子２０５にイ
ンピーダンス変換（通常は５０Ω）する機能を有する。
スタ２０１に対して高出力電力と高効率特性を同時に満
たす出力インピーダンスＺＬを送信出力端子２０５にイ
ンピーダンス変換（通常は５０Ω）する機能を有する。
【０００７】図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した回路を
実現する電力増幅装置の平面図である。図２（ｂ）にお
いて、セラミック基板２１０上に伝送線路２１１とＧａ
Ａｓチップ２０６が形成され、ＧａＡｓチップ２０６上
に出力電力として１Ｗクラスのヘテロバイポーラトラン
ジスタ（ＨＢＴ）で構成されるトランジスタ２０１が形
成され、このＨＢＴ２０１の出力端パッド２０８は第１
のボンディングワイヤ１０１により、伝送線路２１１の
一端部に接続されている。
実現する電力増幅装置の平面図である。図２（ｂ）にお
いて、セラミック基板２１０上に伝送線路２１１とＧａ
Ａｓチップ２０６が形成され、ＧａＡｓチップ２０６上
に出力電力として１Ｗクラスのヘテロバイポーラトラン
ジスタ（ＨＢＴ）で構成されるトランジスタ２０１が形
成され、このＨＢＴ２０１の出力端パッド２０８は第１
のボンディングワイヤ１０１により、伝送線路２１１の
一端部に接続されている。
【０００８】伝送線路２１１の第１の接続点２１３とセ
ラミック基板２１０上の接地導体パターン２１４の間に
第１キャパシタであるＣ１、第２の接続点２１５とセラ
ミック基板２１０上の接地導体パターン２１４の間に第
２キャパシタであるＣ２が接続され、ボンディングワイ
ヤ１０１とともに出力整合回路ＭＮｏｕｔを構成してい
る。
ラミック基板２１０上の接地導体パターン２１４の間に
第１キャパシタであるＣ１、第２の接続点２１５とセラ
ミック基板２１０上の接地導体パターン２１４の間に第
２キャパシタであるＣ２が接続され、ボンディングワイ
ヤ１０１とともに出力整合回路ＭＮｏｕｔを構成してい
る。
【０００９】トランジスタ２０１の出力インピーダンス
ＺＬは、ほぼ３Ωであり、上記出力整合回路ＭＮｏｕｔ
により、送信出力端（伝送線路２１１の他端部）におい
てほぼ５０Ωへの整合が実現されている。
ＺＬは、ほぼ３Ωであり、上記出力整合回路ＭＮｏｕｔ
により、送信出力端（伝送線路２１１の他端部）におい
てほぼ５０Ωへの整合が実現されている。
【００１０】なお、特開平８−１３０４２４号公報に示
されている高効率電力増幅回路では、エミッタ接地され
たトランジスタの出力端子にインピーダンス整合回路と
して４分の１波長線路を介して、ワイヤとＭＩＮキャパ
シタからなる直列共振回路を４分の１波長線路に対して
並列に接続して構成している。
されている高効率電力増幅回路では、エミッタ接地され
たトランジスタの出力端子にインピーダンス整合回路と
して４分の１波長線路を介して、ワイヤとＭＩＮキャパ
シタからなる直列共振回路を４分の１波長線路に対して
並列に接続して構成している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図２（ａ）、（ｂ）に
示す従来の電力増幅装置において、１Ｗクラス以上の高
出力電力と高効率特性を同時に満たす出力インピーダン
スは実抵抗で５Ω以下という低インピーダンスとなる。
このような低インピーダンスから、５０Ωへインピーダ
ンス変換するには、ワイヤ、伝送線路の直列インダクタ
ンス成分と、並列のキャパシタンス成分を組合せて行
う。
示す従来の電力増幅装置において、１Ｗクラス以上の高
出力電力と高効率特性を同時に満たす出力インピーダン
スは実抵抗で５Ω以下という低インピーダンスとなる。
このような低インピーダンスから、５０Ωへインピーダ
ンス変換するには、ワイヤ、伝送線路の直列インダクタ
ンス成分と、並列のキャパシタンス成分を組合せて行
う。
【００１２】図２（ａ）の出力整合回路を構成する各素
子について、ボンディングワイヤ１０１のリアクタンス
成分ＸＬｗ（＝ωＬｗ）, 第１の伝送線路２１１ｃであ
るＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）、第２の伝送
線路２１１ｄであるＴＬ２のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ
２）、第３の伝送線路２１１ｅであるＴＬ３のリアクタ
ンス成分Ｘ（ＴＬ３）、第１の容量素子３０５であるＣ
１のリアクタンス成分Ｘ（Ｃ１）、第２の容量素子３０
６であるＣ２のリアクタンス成分Ｘ（Ｃ２）とする。図
３は、スミスチャートを示すものである。図３におい
て、実線は、ＺＬから５０Ωへの所望のインピーダンス
変換が実現できている場合の一例を示している。一般的
にボンディングワイヤ１０１相当のボンディングワイヤ
のリアクタンス成分と第一伝送線路ＴＬ１相当の伝送線
路のリアクタンス成分との和（ＸＬｗ´）が、実線の場
合の値の近傍、もしくは、小さい場合であっても、ＺＬ
から５０Ωへの所望のインピーダンス変換が可能であ
る。
子について、ボンディングワイヤ１０１のリアクタンス
成分ＸＬｗ（＝ωＬｗ）, 第１の伝送線路２１１ｃであ
るＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）、第２の伝送
線路２１１ｄであるＴＬ２のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ
２）、第３の伝送線路２１１ｅであるＴＬ３のリアクタ
ンス成分Ｘ（ＴＬ３）、第１の容量素子３０５であるＣ
１のリアクタンス成分Ｘ（Ｃ１）、第２の容量素子３０
６であるＣ２のリアクタンス成分Ｘ（Ｃ２）とする。図
３は、スミスチャートを示すものである。図３におい
て、実線は、ＺＬから５０Ωへの所望のインピーダンス
変換が実現できている場合の一例を示している。一般的
にボンディングワイヤ１０１相当のボンディングワイヤ
のリアクタンス成分と第一伝送線路ＴＬ１相当の伝送線
路のリアクタンス成分との和（ＸＬｗ´）が、実線の場
合の値の近傍、もしくは、小さい場合であっても、ＺＬ
から５０Ωへの所望のインピーダンス変換が可能であ
る。
【００１３】しかしながら、破線のようにボンディング
ワイヤ１０１のリアクタンス成分ＸＬｗ（＝ωＬｗ）と
ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）の和が先の実線
の場合の値よりも大きくなっている場合には、５０Ωよ
り高いインピーダンスへ変換されてしまい、所望の５０
Ωへは変換が困難となり、所望の５０Ω変換に対する不
整合損失を引き起こし、高出力電力と高効率特性を同時
に満たすことが困難となる。
ワイヤ１０１のリアクタンス成分ＸＬｗ（＝ωＬｗ）と
ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）の和が先の実線
の場合の値よりも大きくなっている場合には、５０Ωよ
り高いインピーダンスへ変換されてしまい、所望の５０
Ωへは変換が困難となり、所望の５０Ω変換に対する不
整合損失を引き起こし、高出力電力と高効率特性を同時
に満たすことが困難となる。
【００１４】これは、図２（ｂ）においてＣ１を第１の
接続点２１３に実装するスペースを確保するために、ボ
ンディングワイヤ１０１が接続された伝送線路２１１上
の接続点から第１キャパシタＣ１の第１の接続点２１３
までの物理的距離をある一定の距離を取らざるを得なく
なるからであり、その物理的距離がもたらすリアクタン
ス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生じる。
接続点２１３に実装するスペースを確保するために、ボ
ンディングワイヤ１０１が接続された伝送線路２１１上
の接続点から第１キャパシタＣ１の第１の接続点２１３
までの物理的距離をある一定の距離を取らざるを得なく
なるからであり、その物理的距離がもたらすリアクタン
ス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生じる。
【００１５】なお、特開平８−１３０４２４号公報に示
されている高効率電力増幅回路では、エミッタ接地され
たトランジスタの出力端子にワイヤを介してインピーダ
ンス整合回路として４分の１波長線路が接続されてお
り、伝送線路２１１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が
スミスチャート上で１８０°位相回転することになり、
所望の５０Ωへは変換は実現できない。また、周波数が
１ＧＨｚ〜２ＧＨｚ帯では４分の１波長線路は大きな面
積を必要とし、電力増幅回路の小型化には向かず、実用
的ではない。
されている高効率電力増幅回路では、エミッタ接地され
たトランジスタの出力端子にワイヤを介してインピーダ
ンス整合回路として４分の１波長線路が接続されてお
り、伝送線路２１１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が
スミスチャート上で１８０°位相回転することになり、
所望の５０Ωへは変換は実現できない。また、周波数が
１ＧＨｚ〜２ＧＨｚ帯では４分の１波長線路は大きな面
積を必要とし、電力増幅回路の小型化には向かず、実用
的ではない。
【００１６】本発明は上記問題点に鑑み、移動体通信機
器に用いられる電力増幅装置の高出力、高効率化を実現
可能にすることを目的とするものである。
器に用いられる電力増幅装置の高出力、高効率化を実現
可能にすることを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の電力増幅装置
は、基板と、前記基板上に形成された半導体基板と、前
記半導体基板に形成された増幅素子および容量素子と、
前記基板上に形成された伝送線路と、前記増幅素子の出
力端子と前記伝送線路とを電気的に接続するためのワイ
ヤと、前記伝送線路と前記容量素子とを電気的に接続す
るためのワイヤとを備え、前記容量素子が接地されてい
るものである。
は、基板と、前記基板上に形成された半導体基板と、前
記半導体基板に形成された増幅素子および容量素子と、
前記基板上に形成された伝送線路と、前記増幅素子の出
力端子と前記伝送線路とを電気的に接続するためのワイ
ヤと、前記伝送線路と前記容量素子とを電気的に接続す
るためのワイヤとを備え、前記容量素子が接地されてい
るものである。
【００１８】本発明では、第１の伝送線路ＴＬ１は不要
となるために、従来例における課題として説明した第一
伝送線路ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因
となり生じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変
換に対する不整合損失を避けることができる。
となるために、従来例における課題として説明した第一
伝送線路ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因
となり生じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変
換に対する不整合損失を避けることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態である
電力増幅装置について、図面を参照しながら詳細に説明
する。
電力増幅装置について、図面を参照しながら詳細に説明
する。
【００２０】図１は、本発明の実施の形態における電力
増幅装置を説明するための図面であり、図１（ａ）は、
電力増幅装置の平面図を示し、図１（ｂ）は、電力増幅
装置の回路図を示す。
増幅装置を説明するための図面であり、図１（ａ）は、
電力増幅装置の平面図を示し、図１（ｂ）は、電力増幅
装置の回路図を示す。
【００２１】本発明の実施の形態における電力増幅装置
は、基板であるセラミック基板２１０と、セラミック基
板２１０上に形成された半導体基板で構成されるＧａＡ
ｓチップ２０６と、ＧａＡｓチップ２０６に形成された
増幅素子であるＨＢＴ２０７、および容量素子であるＭ
ＩＭキャパシタ３００と、セラミック基板２１０上に形
成された伝送線路２１１と、ＨＢＴ２０７の出力端子で
ある出力端パッド２０８と伝送線路２１１とを電気的に
接続するための第１のワイヤ１０１と、伝送線路２１１
とＭＩＭキャパシタ３００とを電気的に接続するための
第２のワイヤ１０２とを備えているものである。
は、基板であるセラミック基板２１０と、セラミック基
板２１０上に形成された半導体基板で構成されるＧａＡ
ｓチップ２０６と、ＧａＡｓチップ２０６に形成された
増幅素子であるＨＢＴ２０７、および容量素子であるＭ
ＩＭキャパシタ３００と、セラミック基板２１０上に形
成された伝送線路２１１と、ＨＢＴ２０７の出力端子で
ある出力端パッド２０８と伝送線路２１１とを電気的に
接続するための第１のワイヤ１０１と、伝送線路２１１
とＭＩＭキャパシタ３００とを電気的に接続するための
第２のワイヤ１０２とを備えているものである。
【００２２】さらに詳細に説明すると、ＧａＡｓチップ
２０６上に出力電力として１Ｗクラスのヘテロバイポー
ラトランジスタ（ＨＢＴ）２０７が形成され、このＨＢ
Ｔ２０７の出力端パッド２０８は第１のボンディングワ
イヤ１０１により、セラミック基板２１０上に形成され
た伝送線路２１１の一端部に接続されている。
２０６上に出力電力として１Ｗクラスのヘテロバイポー
ラトランジスタ（ＨＢＴ）２０７が形成され、このＨＢ
Ｔ２０７の出力端パッド２０８は第１のボンディングワ
イヤ１０１により、セラミック基板２１０上に形成され
た伝送線路２１１の一端部に接続されている。
【００２３】ＭＩＭキャパシタ３００は、ＧａＡｓチッ
プ２０６上に下部電極３０１と、シリコン窒化膜(Si
N)、あるいはチタン酸ストロンチウム(SrTiO)等で構成
される層間絶縁膜３０２と、上部電極３０３を順次積層
して構成されるものである。上部電極３０３に接続され
たボンディングパッド１０５には、第２のボンディング
ワイヤ１０２の一端が接続され、第２のボンディングワ
イヤ１０２の他端は、伝送線路２１１の一端部に接続さ
れている。
プ２０６上に下部電極３０１と、シリコン窒化膜(Si
N)、あるいはチタン酸ストロンチウム(SrTiO)等で構成
される層間絶縁膜３０２と、上部電極３０３を順次積層
して構成されるものである。上部電極３０３に接続され
たボンディングパッド１０５には、第２のボンディング
ワイヤ１０２の一端が接続され、第２のボンディングワ
イヤ１０２の他端は、伝送線路２１１の一端部に接続さ
れている。
【００２４】ＭＩＭキャパシタ３００の下部電極３０１
は、ＧａＡｓチップ２０６に形成されたバイアホール１
０６を介して、セラミック基板２１０とＧａＡｓチップ
２０６の間に形成された接地導体パターン２１４に接地
される。
は、ＧａＡｓチップ２０６に形成されたバイアホール１
０６を介して、セラミック基板２１０とＧａＡｓチップ
２０６の間に形成された接地導体パターン２１４に接地
される。
【００２５】接地導体パターン２１４への接地はボンデ
ィングワイヤを用いて行ってもよい。
ィングワイヤを用いて行ってもよい。
【００２６】チップキャパシタ３０４は、伝送線路２１
１の接続点１０３と接地導体パターン２１４の間に接続
され、上記第１のボンディングワイヤ１０１と伝送線路
２１１とともに出力整合回路ＭＮｏｕｔを構成してい
る。図１（ｂ）は、図１（ａ）の等価回路図である。但
し、図２（ａ）における第２の伝送線路２１１ｄが図１
（ｂ）における伝送線路２１１ａに相当し、図２（ａ）
における第３の伝送線路２１１ｅが図１（ｂ）における
伝送線路２１１ｂに相当する。
１の接続点１０３と接地導体パターン２１４の間に接続
され、上記第１のボンディングワイヤ１０１と伝送線路
２１１とともに出力整合回路ＭＮｏｕｔを構成してい
る。図１（ｂ）は、図１（ａ）の等価回路図である。但
し、図２（ａ）における第２の伝送線路２１１ｄが図１
（ｂ）における伝送線路２１１ａに相当し、図２（ａ）
における第３の伝送線路２１１ｅが図１（ｂ）における
伝送線路２１１ｂに相当する。
【００２７】本発明の電力増幅装置の特徴は、出力整合
回路ＭＮｏｕｔにおいて従来の電力増幅装置における第
１の伝送線路ＴＬ１を介さずに、伝送線路２１１の一端
部にＭＩＭキャパシタ３００を接続し、ＨＢＴ２０７と
ＭＩＭキャパシタ３００をＧａＡｓチップ２０６上に集
積して形成するという点であり、これによりＨＢＴ２０
７の出力インピーダンスＺＬ(ほぼ３Ω)から、伝送線路
２１１の他端部においてほぼ５０Ωへの整合が実現さ
れ、高出力電力と高効率特性を同時に実現できる。
回路ＭＮｏｕｔにおいて従来の電力増幅装置における第
１の伝送線路ＴＬ１を介さずに、伝送線路２１１の一端
部にＭＩＭキャパシタ３００を接続し、ＨＢＴ２０７と
ＭＩＭキャパシタ３００をＧａＡｓチップ２０６上に集
積して形成するという点であり、これによりＨＢＴ２０
７の出力インピーダンスＺＬ(ほぼ３Ω)から、伝送線路
２１１の他端部においてほぼ５０Ωへの整合が実現さ
れ、高出力電力と高効率特性を同時に実現できる。
【００２８】つまり、従来の電力増幅装置に示した第１
の伝送線路２１１ｃであるＴＬ１は不要となるために、
ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生
じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変換に対す
る不整合損失を避けることができる。その結果、電力増
幅装置の高出力、高効率化を実現できる。
の伝送線路２１１ｃであるＴＬ１は不要となるために、
ＴＬ１のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生
じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変換に対す
る不整合損失を避けることができる。その結果、電力増
幅装置の高出力、高効率化を実現できる。
【００２９】
【発明の効果】本発明では、第１の伝送線路が不要とな
るために、従来例における課題として説明した第１の伝
送線路のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生
じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変換に対す
る不整合損失を避けることができ、電力増幅装置の高出
力、高効率化を実現できる。
るために、従来例における課題として説明した第１の伝
送線路のリアクタンス成分Ｘ（ＴＬ１）が要因となり生
じる出力インピーダンスＺＬから５０Ωへの変換に対す
る不整合損失を避けることができ、電力増幅装置の高出
力、高効率化を実現できる。
【図１】本発明の実施の形態における電力増幅器を示す
図
図
【図２】従来の電力増幅器を示す図
【図３】スミスチャート
１０１ 第１のボンディングワイヤ
１０２ 第２のボンディングワイヤ
１０３ 接続点
１０４ ＧａＡｓチップ２０６上に形成される部分
１０５ ボンディングパッド
１０６ バイアホール
２０１ トランジスタ
２０２ ベース端子
２０３ 出力端子
２０５ 送信出力端子
２０６ ＧａＡｓチップ
２０７ ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
２０８ 出力端パッド
２１０ セラミック基板
２１１ 伝送線路
２１１ｃ 第１の伝送線路
２１１ａ、２１１ｄ 第２の伝送線路
２１１ｂ、２１１ｅ 第３の伝送線路
２１３ 第１の接続点
２１４ 接地導体パターン
２１５ 第２の接続点
３００ ＭＩＭキャパシタ
３０１ 下部電極
３０２ 層間絶縁膜
３０３ 上部電極
３０４ チップキャパシタ
３０５ 第１の容量素子
３０６ 第２の容量素子
─────────────────────────────────────────────────────
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Ｆターム(参考） 5J067 AA01 AA04 AA41 CA35 CA36
FA16 HA06 HA24 HA29 HA33
KA00 KA29 KA66 KA68 KS11
LS01 MA21 QA04 QS02 SA14
TA05
5J091 AA01 AA04 AA41 CA35 CA36
FA16 HA06 HA24 HA29 HA33
KA00 KA29 KA66 KA68 MA21
QA04 SA14 TA05 UW08
5J092 AA01 AA04 AA41 CA35 CA36
FA16 HA06 HA24 HA29 HA33
KA00 KA29 KA66 KA68 MA21
QA04 SA14 TA05
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成された半導体
基板と、前記半導体基板に形成された増幅素子および容
量素子と、前記基板上に形成された伝送線路と、前記増
幅素子の出力端子と前記伝送線路とを電気的に接続する
ためのワイヤと、前記伝送線路と前記容量素子とを電気
的に接続するためのワイヤとを備え、前記容量素子が接
地されていることを特徴とする電力増幅装置。 - 【請求項２】 前記基板と前記半導体基板との間に接地
導体が形成され、前記半導体基板にバイアホールが形成
され、前記容量素子が前記バイアホールを介して接地さ
れていることを特徴とする電力増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186151A JP2003008357A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 電力増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001186151A JP2003008357A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 電力増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008357A true JP2003008357A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19025621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001186151A Withdrawn JP2003008357A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | 電力増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008357A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075336A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 高周波回路 |
| JP2011061440A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 方向性結合器 |
| JP2014110565A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Fujitsu Ltd | 無線通信装置、ドハティ増幅器及び無線通信装置の制御方法 |
| JPWO2013175690A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-01-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 高周波増幅回路 |
| US11929317B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-03-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Capacitor networks for harmonic control in power devices |
-
2001
- 2001-06-20 JP JP2001186151A patent/JP2003008357A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075336A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 高周波回路 |
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| JPWO2013175690A1 (ja) * | 2012-05-25 | 2016-01-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 高周波増幅回路 |
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| US11929317B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-03-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Capacitor networks for harmonic control in power devices |
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