JP2003008279A - 透過型電波吸収装置 - Google Patents
透過型電波吸収装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入射側への電波の反射を防止しながら容易に
製作することができる透過型電波吸収装置及び電波反射
方法を提供する。 【解決手段】 誘電体層１０とインピーダンス層２０を
備える透過型電波吸収体１により透過型電波吸収装置を
構成する。誘電体層１０の厚さをｄ、比誘電率をεr、
インピーダンス層２０のインピーダンスをＺs、対象電
波の波長をλ0、入射側の領域の固有インピーダンスを
Ｚ0、透過側の固有インピーダンスをＺ3としたとき、ｄ
＝λ0／［４（εr）1/2］、Ｚs＝Ｚ0／（εr−Ｚ0／
Ｚ3）の条件を満足するように構成する。あるいは、透
過型電波吸収体または誘電体層を多段に重ねて透過型電
波吸収装置を構成する。
製作することができる透過型電波吸収装置及び電波反射
方法を提供する。 【解決手段】 誘電体層１０とインピーダンス層２０を
備える透過型電波吸収体１により透過型電波吸収装置を
構成する。誘電体層１０の厚さをｄ、比誘電率をεr、
インピーダンス層２０のインピーダンスをＺs、対象電
波の波長をλ0、入射側の領域の固有インピーダンスを
Ｚ0、透過側の固有インピーダンスをＺ3としたとき、ｄ
＝λ0／［４（εr）1/2］、Ｚs＝Ｚ0／（εr−Ｚ0／
Ｚ3）の条件を満足するように構成する。あるいは、透
過型電波吸収体または誘電体層を多段に重ねて透過型電
波吸収装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電波を透過及び吸
収させることによって電波の反射を防止する反射型電波
吸収装置及び電波反射防止方法に関する。
収させることによって電波の反射を防止する反射型電波
吸収装置及び電波反射防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電波送信装置から送信される電波は、直
接波として受信装置で受信されるだけでなく、例えば、
コンクリート壁等の反射体で反射した反射波としても受
信装置で受信される。受信装置で直接波及び反射波が受
信されると、受信障害等が発生する。そのため、電波の
反射を防止する電波吸収体が開発されている。従来、広
帯域型の電波吸収体と狭帯域型の電波吸収体が知られて
いる。広帯域型の電波吸収体は、例えば、図４に示すよ
うに、カーボンの含有量が少ない発泡スチロールと、カ
ーボンの含有量が中くらいの発泡スチロールと、カーボ
ンの含有量が多い発泡スチロールと導体板により構成さ
れている図４では、カーボンの含有量が少ない発泡スチ
ロールは、凹凸状に形成されている。図４に示す電波吸
収体は、厚さｄが対象電波の波長の１／２以上に設定さ
れている。また、狭帯域型の電波吸収体は、例えば図５
（ａ）に示すように、ゴムフェライト等により形成され
た損失性の磁性体または誘電体層と導体板により構成さ
れている。図５（ａ）に示す電波吸収体では、損失性誘
電体層の厚さｄが対象電波の波長のほぼ１／４に設定さ
れている。あるいは、図５（ｂ）に示すように、抵抗薄
膜（抵抗値が約３７７Ω）と導体板により構成されてい
る。図５（ｂ）に示す電波吸収体では、抵抗薄膜と導体
板の間（空間）の距離ｄが対象電波の波長のほぼ１／４
に設定されている。
接波として受信装置で受信されるだけでなく、例えば、
コンクリート壁等の反射体で反射した反射波としても受
信装置で受信される。受信装置で直接波及び反射波が受
信されると、受信障害等が発生する。そのため、電波の
反射を防止する電波吸収体が開発されている。従来、広
帯域型の電波吸収体と狭帯域型の電波吸収体が知られて
いる。広帯域型の電波吸収体は、例えば、図４に示すよ
うに、カーボンの含有量が少ない発泡スチロールと、カ
ーボンの含有量が中くらいの発泡スチロールと、カーボ
ンの含有量が多い発泡スチロールと導体板により構成さ
れている図４では、カーボンの含有量が少ない発泡スチ
ロールは、凹凸状に形成されている。図４に示す電波吸
収体は、厚さｄが対象電波の波長の１／２以上に設定さ
れている。また、狭帯域型の電波吸収体は、例えば図５
（ａ）に示すように、ゴムフェライト等により形成され
た損失性の磁性体または誘電体層と導体板により構成さ
れている。図５（ａ）に示す電波吸収体では、損失性誘
電体層の厚さｄが対象電波の波長のほぼ１／４に設定さ
れている。あるいは、図５（ｂ）に示すように、抵抗薄
膜（抵抗値が約３７７Ω）と導体板により構成されてい
る。図５（ｂ）に示す電波吸収体では、抵抗薄膜と導体
板の間（空間）の距離ｄが対象電波の波長のほぼ１／４
に設定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電波吸収体は、
入射波を反射及び透過させないことを基本としている。
このため、反射波及び透過波が零となるように、すなわ
ち、対象電波が電波吸収体内で全て吸収されるように誘
電体層や抵抗薄膜等を形成する材料を選択する必要があ
り、誘電体層や抵抗薄膜等を形成する材料の選択の自由
度が少ない。このため、対象電波の反射を確実に防止す
ることができない場合もある。本発明者らは、電波の反
射を防止する方法を種々検討した結果、電波の透過を許
容することにより、電波吸収体を構成する要素の材料や
電波吸収体の形状等の選択の自由度が増加し、電波吸収
体を容易に製作することができることを見出した。そこ
で、本発明は、製作が容易な透過型電波吸収装置及び電
波反射防止方法を提供することを目的とする。
入射波を反射及び透過させないことを基本としている。
このため、反射波及び透過波が零となるように、すなわ
ち、対象電波が電波吸収体内で全て吸収されるように誘
電体層や抵抗薄膜等を形成する材料を選択する必要があ
り、誘電体層や抵抗薄膜等を形成する材料の選択の自由
度が少ない。このため、対象電波の反射を確実に防止す
ることができない場合もある。本発明者らは、電波の反
射を防止する方法を種々検討した結果、電波の透過を許
容することにより、電波吸収体を構成する要素の材料や
電波吸収体の形状等の選択の自由度が増加し、電波吸収
体を容易に製作することができることを見出した。そこ
で、本発明は、製作が容易な透過型電波吸収装置及び電
波反射防止方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本発明の第１発明及び第２発明は、請求項１及び請求
項２に記載されたとおりの透過型電波吸収装置である。
請求項１及び請求項２に記載の透過型電波吸収装置は、
電波を吸収するとともに、電波の透過を許容するように
構成されている。これにより、誘電体層を形成する誘電
体等の選択の自由度が増加し、製作が容易となる。ま
た、本発明の第３発明は、請求項３に記載されたとおり
の透過型電波吸収装置である。請求項３に記載の透過型
電波吸収装置を用いれば、例えば、透過型電波吸収体の
誘電体層の比誘電率に応じてインピーダンス層のインピ
ーダンスを決定することにより電波の入射領域への反射
を確実に防止することができる。このため、誘電体層を
形成する誘電体を自由に選択することができる。また、
透過型電波吸収体の誘電体層の比誘電率とインピーダン
ス層のインピーダンスを選択することによってインピー
ダンス層を透過する透過電波の電力、すなわち透過電波
を少なくすることができる。また、本発明の第４発明
は、請求項４に記載されたとおりの透過型電波吸収装置
である。請求項４に記載の透過型電波吸収装置を用いれ
ば、少ない種類の透過型電波吸収体により所望の特性を
得ることができるため、コストが安くなる。また、本発
明の第５発明は、請求項５に記載されたとおりの透過型
電波吸収装置である。請求項５に記載の透過型電波吸収
装置を用いれば、少ない種類の誘電体と抵抗薄膜との組
み合わせにより所望の特性を得ることができるため、コ
ストが安くなる。また、本発明の第６発明は、請求項６
に記載されたとおりの電波反射防止方法である。請求項
６に記載の電波反射防止方法を用いれば、透過型電波吸
収体で電波を吸収及び透過させることができるため、例
えば、透過型電波吸収体を構成する誘電体層を形成する
誘電体等の選択の自由度が増加し、製作が容易となる。
また、本発明の第７発明は、請求項７に記載されたとお
りの電波反射防止方法である。請求項７に記載の電波反
射防止方法を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体
により所望の特性を得ることができるため、コストが安
くなる。
の本発明の第１発明及び第２発明は、請求項１及び請求
項２に記載されたとおりの透過型電波吸収装置である。
請求項１及び請求項２に記載の透過型電波吸収装置は、
電波を吸収するとともに、電波の透過を許容するように
構成されている。これにより、誘電体層を形成する誘電
体等の選択の自由度が増加し、製作が容易となる。ま
た、本発明の第３発明は、請求項３に記載されたとおり
の透過型電波吸収装置である。請求項３に記載の透過型
電波吸収装置を用いれば、例えば、透過型電波吸収体の
誘電体層の比誘電率に応じてインピーダンス層のインピ
ーダンスを決定することにより電波の入射領域への反射
を確実に防止することができる。このため、誘電体層を
形成する誘電体を自由に選択することができる。また、
透過型電波吸収体の誘電体層の比誘電率とインピーダン
ス層のインピーダンスを選択することによってインピー
ダンス層を透過する透過電波の電力、すなわち透過電波
を少なくすることができる。また、本発明の第４発明
は、請求項４に記載されたとおりの透過型電波吸収装置
である。請求項４に記載の透過型電波吸収装置を用いれ
ば、少ない種類の透過型電波吸収体により所望の特性を
得ることができるため、コストが安くなる。また、本発
明の第５発明は、請求項５に記載されたとおりの透過型
電波吸収装置である。請求項５に記載の透過型電波吸収
装置を用いれば、少ない種類の誘電体と抵抗薄膜との組
み合わせにより所望の特性を得ることができるため、コ
ストが安くなる。また、本発明の第６発明は、請求項６
に記載されたとおりの電波反射防止方法である。請求項
６に記載の電波反射防止方法を用いれば、透過型電波吸
収体で電波を吸収及び透過させることができるため、例
えば、透過型電波吸収体を構成する誘電体層を形成する
誘電体等の選択の自由度が増加し、製作が容易となる。
また、本発明の第７発明は、請求項７に記載されたとお
りの電波反射防止方法である。請求項７に記載の電波反
射防止方法を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体
により所望の特性を得ることができるため、コストが安
くなる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。本発明の透過型電波吸収装置で用い
る透過型電波吸収体の一実施の形態の概略図を図１に示
す。本実施の形態の透過型電波吸収体１は、誘電体層１
０とインピーダンス層２０により構成されている。誘電
体層１０は、例えば、ガラス、石こうボード、コンクリ
ート等の誘電体を層状に形成したものである。インピー
ダンス層２０は、例えば、スズ、亜鉛等の抵抗体を誘電
体層１０に貼着あるいは塗布することによって薄膜状に
形成したものである。透過型電波吸収体１は、領域１
（例えば、自由空間等）と領域３（例えば、自由空間や
壁等）の間に設けられる。このとき、透過型電波吸収体
１は、誘電体層１０が電波入射側、インピーダンス層２
０が電波透過側となるように配置される。
を用いて説明する。本発明の透過型電波吸収装置で用い
る透過型電波吸収体の一実施の形態の概略図を図１に示
す。本実施の形態の透過型電波吸収体１は、誘電体層１
０とインピーダンス層２０により構成されている。誘電
体層１０は、例えば、ガラス、石こうボード、コンクリ
ート等の誘電体を層状に形成したものである。インピー
ダンス層２０は、例えば、スズ、亜鉛等の抵抗体を誘電
体層１０に貼着あるいは塗布することによって薄膜状に
形成したものである。透過型電波吸収体１は、領域１
（例えば、自由空間等）と領域３（例えば、自由空間や
壁等）の間に設けられる。このとき、透過型電波吸収体
１は、誘電体層１０が電波入射側、インピーダンス層２
０が電波透過側となるように配置される。
【０００６】ここで、図１に示すようにｘ軸、ｙ軸、ｚ
軸で表される３次元座標を定義し、電波の入射方向及び
透過型電波吸収体１の厚さ方向をｚ軸方向に、透過型電
波吸収体１の電波入射面をｘ−ｙ平面に平行に配置す
る。この場合、入射波Ｅiは、領域１のｚ軸の−∞方向
から誘電体層１０に入射する。領域ｉ（ｉ＝１，２，
３）の固有インピーダンスをＺiとすると、Ｚiは（１）
式により表される。
軸で表される３次元座標を定義し、電波の入射方向及び
透過型電波吸収体１の厚さ方向をｚ軸方向に、透過型電
波吸収体１の電波入射面をｘ−ｙ平面に平行に配置す
る。この場合、入射波Ｅiは、領域１のｚ軸の−∞方向
から誘電体層１０に入射する。領域ｉ（ｉ＝１，２，
３）の固有インピーダンスをＺiとすると、Ｚiは（１）
式により表される。
【数２】
なお、εiは領域ｉの誘電率、μiは領域ｉの透磁率、ε
riは自由空間に対する領域ｉの比誘電率、μriは自由空
間に対する領域ｉの比透磁率、Ｚ0は自由空間の固有イ
ンピーダンス（約３７７Ω）である。また、固有インピ
ーダンスは、自由空間を平面波が伝播する時の電界と磁
界の比である。領域１は自由空間であり（Ｚ1＝Ｚ0）、
領域３は自由空間あるいはコンクリート等の壁である。
簡単のために、領域２の誘電体層１０が磁性体でないと
すると、［μr1＝μr2＝μr3＝１］とおくことができ
る。誘電体層１０の厚さをｄ、誘電体層１０の比誘電率
をεr、電波入射側の領域１の固有インピーダンスを
Ｚ0、誘電体層１０（領域２）の固有インピーダンスを
Ｚm、インピーダンス層２０のインピーダンスをＺs、領
域３の固有インピーダンスをＺ3とすると、図１は、図
２に示す等価回路で表すことができる。図２に示す等価
回路おいて、端子１−１より左側は入射側の領域１を表
し、端子１−１と端子２−２間は誘電体層１０を表し、
端子２−２と端子３−３間はインピーダンス層２０を表
し、端子３−３より右側は透過側の領域３を表してい
る。
riは自由空間に対する領域ｉの比誘電率、μriは自由空
間に対する領域ｉの比透磁率、Ｚ0は自由空間の固有イ
ンピーダンス（約３７７Ω）である。また、固有インピ
ーダンスは、自由空間を平面波が伝播する時の電界と磁
界の比である。領域１は自由空間であり（Ｚ1＝Ｚ0）、
領域３は自由空間あるいはコンクリート等の壁である。
簡単のために、領域２の誘電体層１０が磁性体でないと
すると、［μr1＝μr2＝μr3＝１］とおくことができ
る。誘電体層１０の厚さをｄ、誘電体層１０の比誘電率
をεr、電波入射側の領域１の固有インピーダンスを
Ｚ0、誘電体層１０（領域２）の固有インピーダンスを
Ｚm、インピーダンス層２０のインピーダンスをＺs、領
域３の固有インピーダンスをＺ3とすると、図１は、図
２に示す等価回路で表すことができる。図２に示す等価
回路おいて、端子１−１より左側は入射側の領域１を表
し、端子１−１と端子２−２間は誘電体層１０を表し、
端子２−２と端子３−３間はインピーダンス層２０を表
し、端子３−３より右側は透過側の領域３を表してい
る。
【０００７】図２において、端子２−２から右側を見た
インピーダンスＺs3は、インピーダンス層２０のインピ
ーダンスＺsと透過側の領域３の固有インピーダンスＺ3
により、（２）式のように表される。
インピーダンスＺs3は、インピーダンス層２０のインピ
ーダンスＺsと透過側の領域３の固有インピーダンスＺ3
により、（２）式のように表される。
【数３】
ここで、εr2＝εr、Ｚ2＝Ｚmであるから、インピーダ
ンス層２０のインピーダンスＺmは、（１）式より［Ｚm
＝（１／εr）1/2Ｚ0］で表される。そして、Ｑマッチ
ングセクションの整合回路設計法を用いれば、（３）式
を満足するように構成することにより、図２の端子１−
１より左側への電波の反射を防止する（入射側の領域１
への反射波Ｅrをなくす）ことができる。すなわち、
（３）式を満足するように構成することにより、誘電体
層１０に入射した電波のうち、誘電体層１０のインピー
ダンス層２０側の面で反射した電波は、誘電体層１０の
表面で反射した電波と相殺される。また、誘電体層１０
からインピーダンス層２０に透過した電波は、一部がイ
ンピーダンス層２０で吸収され、残りは領域３に透過す
ることになる。
ンス層２０のインピーダンスＺmは、（１）式より［Ｚm
＝（１／εr）1/2Ｚ0］で表される。そして、Ｑマッチ
ングセクションの整合回路設計法を用いれば、（３）式
を満足するように構成することにより、図２の端子１−
１より左側への電波の反射を防止する（入射側の領域１
への反射波Ｅrをなくす）ことができる。すなわち、
（３）式を満足するように構成することにより、誘電体
層１０に入射した電波のうち、誘電体層１０のインピー
ダンス層２０側の面で反射した電波は、誘電体層１０の
表面で反射した電波と相殺される。また、誘電体層１０
からインピーダンス層２０に透過した電波は、一部がイ
ンピーダンス層２０で吸収され、残りは領域３に透過す
ることになる。
【数４】
ここで、λ0は領域１への反射を防止したい電波（対象
電波）の自由空間における波長を示し、λmは対象電波
の誘電体層内における波長を示す。
電波）の自由空間における波長を示し、λmは対象電波
の誘電体層内における波長を示す。
【０００８】（１）式、（２）式及び（３）式より、誘
電体層１０に入射した電波が領域１側へ反射するのを防
止するためには、インピーダンス層２０のインピーダン
スＺ sを（４）式で定まる値に設定すればよいことがわ
かる。
電体層１０に入射した電波が領域１側へ反射するのを防
止するためには、インピーダンス層２０のインピーダン
スＺ sを（４）式で定まる値に設定すればよいことがわ
かる。
【数５】
【０００９】（３）式及び（４）式から、誘電体層１０
の比誘電率εr、対象電波の周波数ｆ0が定まると（周波
数ｆ0から波長λ0が定まる）、対象電波が領域１に反射
するのを防止するための誘電体層１０の厚さｄとインピ
ーダンス層２０のインピーダンスＺsが定まる。ここ
で、（４）式から、Ｚsが正であるためには、［εr≧Ｚ
0／Ｚ3］でなければならない。特に、［εr＝Ｚ0／
Ｚ3］の場合には、［Ｚs＝∞］となってインピーダンス
層２０の無い電波吸収体となる。
の比誘電率εr、対象電波の周波数ｆ0が定まると（周波
数ｆ0から波長λ0が定まる）、対象電波が領域１に反射
するのを防止するための誘電体層１０の厚さｄとインピ
ーダンス層２０のインピーダンスＺsが定まる。ここ
で、（４）式から、Ｚsが正であるためには、［εr≧Ｚ
0／Ｚ3］でなければならない。特に、［εr＝Ｚ0／
Ｚ3］の場合には、［Ｚs＝∞］となってインピーダンス
層２０の無い電波吸収体となる。
【００１０】ところで、図２の端子２−２から右側に透
過する透過波（誘電体層１０を介してインピーダンス層
２０及び領域３に透過する電波）は、端子２−２から右
側を見たインピーダンスＺs3によって吸収される。ここ
で、インピーダンスＺs3はインピーダンスＺsとＺ3の組
み合わせであるから、領域３への透過波Ｅtの透過電力
係数Ｔpは（５）式で表される。なお、インピーダンス
層２０で吸収される電力の吸収電力係数Ａpは、［Ａp＝
１−Ｔp］で表される。
過する透過波（誘電体層１０を介してインピーダンス層
２０及び領域３に透過する電波）は、端子２−２から右
側を見たインピーダンスＺs3によって吸収される。ここ
で、インピーダンスＺs3はインピーダンスＺsとＺ3の組
み合わせであるから、領域３への透過波Ｅtの透過電力
係数Ｔpは（５）式で表される。なお、インピーダンス
層２０で吸収される電力の吸収電力係数Ａpは、［Ａp＝
１−Ｔp］で表される。
【数６】
ここで、Ｐs、Ｐ3は、それぞれインピーダンスＺs、Ｚ3
で消費される電力である。なお、簡略化するためにイン
ピーダンスＺ3を純抵抗とした。
で消費される電力である。なお、簡略化するためにイン
ピーダンスＺ3を純抵抗とした。
【００１１】領域１と領域３が同じ空間である場合に
は、［Ｚ3＝Ｚ0］である。この場合には、（４）式及び
（５）式は（６）式及び（７）式のように簡略化され
る。
は、［Ｚ3＝Ｚ0］である。この場合には、（４）式及び
（５）式は（６）式及び（７）式のように簡略化され
る。
【数７】
【数８】
【００１２】領域１及び領域３を同じ空間とした場合
の、誘電体層１０の比誘電率εr、インピーダンス層２
０のインピーダンス（この場合は純抵抗）Ｚs、透過電
力係数Ｔp等の関係を図３に示す。図３から、誘電体層
１０の比誘電率εrが大きいほど、誘電体層１０の厚さ
ｄが小さくなっていることが分かる。すなわち、誘電体
層１０の比誘電率εrが大きいほど、誘電体層１０の厚
さを薄くすることができる。また、誘電体層１０の比誘
電率εrが大きいほど、インピーダンス層２０のインピ
ーダンスＺsが小さくなっていることが分かる。また、
誘電体層１０の比誘電率εrが大きいほど、透過電力係
数Ｔpが小さくなっていることが分かる。すなわち、誘
電体層１０の比誘電率が大きいほど、領域３に透過する
電波を少なくすることできる。このように、本実施の形
態の透過型電波吸収体を用いることにより、対象電波の
入射側への反射を防止しながら、誘電体層の比誘電率、
厚さ、透過電力係数等を任意に設定することができる。
すなわち、誘電体層を形成する誘電体の選択、透過型電
波吸収体の厚さの設定、透過電力係数の設定等の自由度
が増加する。これにより、製作が容易となる。
の、誘電体層１０の比誘電率εr、インピーダンス層２
０のインピーダンス（この場合は純抵抗）Ｚs、透過電
力係数Ｔp等の関係を図３に示す。図３から、誘電体層
１０の比誘電率εrが大きいほど、誘電体層１０の厚さ
ｄが小さくなっていることが分かる。すなわち、誘電体
層１０の比誘電率εrが大きいほど、誘電体層１０の厚
さを薄くすることができる。また、誘電体層１０の比誘
電率εrが大きいほど、インピーダンス層２０のインピ
ーダンスＺsが小さくなっていることが分かる。また、
誘電体層１０の比誘電率εrが大きいほど、透過電力係
数Ｔpが小さくなっていることが分かる。すなわち、誘
電体層１０の比誘電率が大きいほど、領域３に透過する
電波を少なくすることできる。このように、本実施の形
態の透過型電波吸収体を用いることにより、対象電波の
入射側への反射を防止しながら、誘電体層の比誘電率、
厚さ、透過電力係数等を任意に設定することができる。
すなわち、誘電体層を形成する誘電体の選択、透過型電
波吸収体の厚さの設定、透過電力係数の設定等の自由度
が増加する。これにより、製作が容易となる。
【００１３】なお、透過型電波吸収体により構成される
透過型電波吸収装置の厚さや透過電力係数等を任意に設
定可能とするために、種々の比誘電率εrの誘電体層を
有する透過型電波吸収体を用意しておくことはコストが
高くなる。コストを安くするためには、透過型電波吸収
体の種類を少なくすることが好ましい。少ない種類の透
過型電波吸収体によって、透過型電波吸収装置の厚さや
透過電力係数等を任意に設定可能とするには、例えば、
透過型電波吸収体を多段化して透過型電波吸収装置を構
成する方法が考えられる。例えば、同じ種類の透過型電
波吸収体を複数段重ねる。一般に、透過電力係数がＴp
である透過型電波吸収体をｎ段に重ねた透過型電波吸収
装置の透過電力係数Ｔpnは、（８）式により表される。
透過型電波吸収装置の厚さや透過電力係数等を任意に設
定可能とするために、種々の比誘電率εrの誘電体層を
有する透過型電波吸収体を用意しておくことはコストが
高くなる。コストを安くするためには、透過型電波吸収
体の種類を少なくすることが好ましい。少ない種類の透
過型電波吸収体によって、透過型電波吸収装置の厚さや
透過電力係数等を任意に設定可能とするには、例えば、
透過型電波吸収体を多段化して透過型電波吸収装置を構
成する方法が考えられる。例えば、同じ種類の透過型電
波吸収体を複数段重ねる。一般に、透過電力係数がＴp
である透過型電波吸収体をｎ段に重ねた透過型電波吸収
装置の透過電力係数Ｔpnは、（８）式により表される。
【数９】
すなわち、透過電力係数Ｔpの透過型電波吸収体をｎ段
に重ねた透過型電波吸収装置の透過電力係数Ｔpnは、透
過型電波吸収体の透過電力係数ＴpのｄＢ表示でｎ倍と
なる。ただし、透過型電波吸収装置の厚さは、透過型電
波吸収体の厚さのｎ倍となる。例えば、比誘電率εrが
［εr＝１０］の透過型電波吸収体を２段に重ねて透過
型電波吸収装置を構成すると、透過型電波吸収装置の透
過電力係数Ｔp2は［Ｔp＝０．１×０．１＝０．０１
（−２０ｄＢ）］となる。あるいは、必要最小限の種類
の透過型電波吸収体を用意しておき、複数種類の透過型
電波吸収体を多段に重ねて透過型電波吸収装置を構成す
ることもできる。透過型電波吸収装置を構成する透過型
電波吸収体の種類や数等は、適宜変更可能である。
に重ねた透過型電波吸収装置の透過電力係数Ｔpnは、透
過型電波吸収体の透過電力係数ＴpのｄＢ表示でｎ倍と
なる。ただし、透過型電波吸収装置の厚さは、透過型電
波吸収体の厚さのｎ倍となる。例えば、比誘電率εrが
［εr＝１０］の透過型電波吸収体を２段に重ねて透過
型電波吸収装置を構成すると、透過型電波吸収装置の透
過電力係数Ｔp2は［Ｔp＝０．１×０．１＝０．０１
（−２０ｄＢ）］となる。あるいは、必要最小限の種類
の透過型電波吸収体を用意しておき、複数種類の透過型
電波吸収体を多段に重ねて透過型電波吸収装置を構成す
ることもできる。透過型電波吸収装置を構成する透過型
電波吸収体の種類や数等は、適宜変更可能である。
【００１４】また、透過型電波吸収体を所定段数重ねて
透過型電波吸収装置を構成する代わりに、誘電体層を所
定段数重ねて所定周波数ｆ0の電波の反射を防止するこ
とができる透過型電波吸収装置を構成することもでき
る。例えば、ｎ段に重ねた同じ種類の誘電体層とインピ
ーダンス層により透過型電波吸収装置を構成する。ある
いは、ｎ段に重ねた複数種類の誘電体層とインピーダン
ス層により等価型電波吸収装置を構成する。インピーダ
ンス層のインピーダンスは、電波が入射側に反射しない
ように設定される。なお、インピーダンス層は、電波透
過側に１層だけ設けてもよいし、電波透過側と任意の誘
電体層の間に設けてもよい。この場合には、誘電体層を
構成する誘電体の種類を必要最小限の数（１種類を含
む）にすることができる。透過型電波吸収装置を構成す
る誘電体層の種類や数、インピーダンス層の数等は、適
宜変更可能である。
透過型電波吸収装置を構成する代わりに、誘電体層を所
定段数重ねて所定周波数ｆ0の電波の反射を防止するこ
とができる透過型電波吸収装置を構成することもでき
る。例えば、ｎ段に重ねた同じ種類の誘電体層とインピ
ーダンス層により透過型電波吸収装置を構成する。ある
いは、ｎ段に重ねた複数種類の誘電体層とインピーダン
ス層により等価型電波吸収装置を構成する。インピーダ
ンス層のインピーダンスは、電波が入射側に反射しない
ように設定される。なお、インピーダンス層は、電波透
過側に１層だけ設けてもよいし、電波透過側と任意の誘
電体層の間に設けてもよい。この場合には、誘電体層を
構成する誘電体の種類を必要最小限の数（１種類を含
む）にすることができる。透過型電波吸収装置を構成す
る誘電体層の種類や数、インピーダンス層の数等は、適
宜変更可能である。
【００１５】本発明は、実施の形態で説明した構成に限
定されることなく、種々の変更、追加、削除が可能であ
る。例えば、インピーダンス層として抵抗薄膜を用いた
場合について説明したが、インピーダンス層は抵抗薄膜
に限定されない。磁性を有しない誘電体層について説明
したが、磁性を有する誘電体層を用いることもできる。
誘電体層の損失を考慮しなかったが、誘電体層として損
失性誘電体層を用いることもできる。また、誘電体層の
厚さｄを、ｄ＝λ0／［４（εr）1/2］に設定したが、
誘電体層の厚さｄはこの値に限定されず種々変更可能で
ある。この場合には、例えば、誘電体の誘電率やインピ
ーダンス層のインピーダンス等を選択することによって
入射側への電波の反射を防止する。
定されることなく、種々の変更、追加、削除が可能であ
る。例えば、インピーダンス層として抵抗薄膜を用いた
場合について説明したが、インピーダンス層は抵抗薄膜
に限定されない。磁性を有しない誘電体層について説明
したが、磁性を有する誘電体層を用いることもできる。
誘電体層の損失を考慮しなかったが、誘電体層として損
失性誘電体層を用いることもできる。また、誘電体層の
厚さｄを、ｄ＝λ0／［４（εr）1/2］に設定したが、
誘電体層の厚さｄはこの値に限定されず種々変更可能で
ある。この場合には、例えば、誘電体の誘電率やインピ
ーダンス層のインピーダンス等を選択することによって
入射側への電波の反射を防止する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び請求
項２に記載の透過型電波吸収装置を用いれば、透過型電
波吸収体の誘電体層を形成する誘電体の選択の自由度等
が増加し、製作が容易となる。また、請求項３に記載の
透過型電波吸収装置を用いれば、入射側への電波の反射
を防止しながら、厚さや透過電力係数等を任意に設定す
ることができる。また、請求項４に記載の透過型電波吸
収装置を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体によ
り透過型電波吸収装置を構成することができる。また、
請求項５に記載の透過型電波吸収装置を用いれば、少な
い種類の誘電体と抵抗薄膜との組み合わせにより透過型
電波吸収装置を構成することができる。また、請求項６
に記載の電波反射防止方法を用いれば、透過型電波吸収
体の誘電体層を形成する誘電体の選択の自由度等が増加
し、製作が容易となる。また、請求項７に記載の電波反
射防止方法を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体
により透過型電波吸収装置を構成することができる。
項２に記載の透過型電波吸収装置を用いれば、透過型電
波吸収体の誘電体層を形成する誘電体の選択の自由度等
が増加し、製作が容易となる。また、請求項３に記載の
透過型電波吸収装置を用いれば、入射側への電波の反射
を防止しながら、厚さや透過電力係数等を任意に設定す
ることができる。また、請求項４に記載の透過型電波吸
収装置を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体によ
り透過型電波吸収装置を構成することができる。また、
請求項５に記載の透過型電波吸収装置を用いれば、少な
い種類の誘電体と抵抗薄膜との組み合わせにより透過型
電波吸収装置を構成することができる。また、請求項６
に記載の電波反射防止方法を用いれば、透過型電波吸収
体の誘電体層を形成する誘電体の選択の自由度等が増加
し、製作が容易となる。また、請求項７に記載の電波反
射防止方法を用いれば、少ない種類の透過型電波吸収体
により透過型電波吸収装置を構成することができる。
【図１】本発明の透過型電波吸収装置で用いる透過型電
波吸収体の一実施の形態を示す図である。
波吸収体の一実施の形態を示す図である。
【図２】図１の等価回路を示す図である。
【図３】本発明の透過型電波吸収装置で用いる透過型電
波吸収体の特性を示す図である。
波吸収体の特性を示す図である。
【図４】従来の電波吸収体を示す図である。
【図５】従来の電波吸収体を示す図である。
１ 透過型電波吸収体
１０ 誘電体層
２０ インピーダンス層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 隆
岐阜県岐阜市本荘3680−15 本荘住宅３−
207
Ｆターム(参考） 2E001 DH01 GA06 HA03 HA04 HA11
HB01 HB07
5E321 BB21 CC16 GG11
5J020 BD02 EA03 EA04 EA10
Claims (7)
- 【請求項１】 誘電体層とインピーダンス層を備える透
過型電波吸収体により構成される透過型電波吸収装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の透過型電波吸装置であ
って、透過型電波吸収体のインピーダンス層が抵抗薄膜
である透過型電波吸収装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の透過型電波吸
収装置であって、透過型電波吸収体の誘電体層の厚さを
ｄ、誘電体層の比誘電率をεr、インピーダンス層のイ
ンピーダンスをＺs、対象電波の波長をλ0、入射側の領
域の固有インピーダンスをＺ0、透過側の領域の固有イ
ンピーダンスをＺ3としたとき 【数１】 の条件を満足するよう構成されている透過型電波吸収装
置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の透過型
電波吸収装置であって、複数の透過型電波吸収体を多段
に配設した透過型電波吸収装置。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の透過型
電波吸収装置であって、誘電体層を多段に配設した透過
型電波吸収装置。 - 【請求項６】 誘電体層とインピーダンス層を備える透
過型電波吸収体を、誘電体層側が電波入射側となるよう
に配設することによって電波の反射を防止する電波反射
防止方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の電波反射防止方法であ
って、複数の透過型電波吸収体を多段に配設する電波反
射防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001195225A JP3556618B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 透過型電波吸収装置と電波反射防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001195225A JP3556618B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 透過型電波吸収装置と電波反射防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008279A true JP2003008279A (ja) | 2003-01-10 |
| JP3556618B2 JP3556618B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=19033243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001195225A Expired - Fee Related JP3556618B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 透過型電波吸収装置と電波反射防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3556618B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214231A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | C Tekku:Kk | 透過型電波吸収装置 |
| WO2006070696A1 (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Central Glass Company, Limited | 電磁波吸収板 |
| JP2006266863A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nec Corp | Ｅｍｉ予測方法および装置 |
| WO2007129607A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Central Glass Company, Limited | 無線ｌａｎに用いる電磁波吸収板 |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001195225A patent/JP3556618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214231A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | C Tekku:Kk | 透過型電波吸収装置 |
| WO2006070696A1 (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Central Glass Company, Limited | 電磁波吸収板 |
| US7623058B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-11-24 | Central Glass Company, Limited | Electromagnetic wave absorbing plate |
| JP2006266863A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nec Corp | Ｅｍｉ予測方法および装置 |
| WO2007129607A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Central Glass Company, Limited | 無線ｌａｎに用いる電磁波吸収板 |
| US7940203B2 (en) | 2006-05-02 | 2011-05-10 | Central Glass Company, Limited | Electromagnetic wave absorption board to be used in wireless LAN |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3556618B2 (ja) | 2004-08-18 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20031209 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
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Effective date: 20040116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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