JP2003007231A - 表示装置 - Google Patents
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- JP2003007231A JP2003007231A JP2002118120A JP2002118120A JP2003007231A JP 2003007231 A JP2003007231 A JP 2003007231A JP 2002118120 A JP2002118120 A JP 2002118120A JP 2002118120 A JP2002118120 A JP 2002118120A JP 2003007231 A JP2003007231 A JP 2003007231A
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
し、製造不良の低減および信頼性の向上を図ることが可
能な表示装置を提供することにある。 【解決手段】表示装置の真空外囲器は、対向配置された
背面基板20および前面基板10と、背面基板および前
面基板の間に設けられた側壁8と、を有している。前面
基板の内面には蛍光体スクリーン14が形成され、背面
基板の内面には、蛍光体スクリーンに電子を放出する多
数の電子放出素子が設けられている。背面基板と前面基
板との間にはグリッド18が配置され、背面基板に接合
されている。このグリッドは、背面基板よりも大きな熱
膨張率を有している。
Description
特に、多数の電子放出素子を用いた表示装置に関する。
高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリー
ン表示性能については一段と厳しい性能が要望されてい
る。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦
化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図
らねばならない。
の表示装置として、電子放出素子(以下、エミッタと称
する)を多数並べ、蛍光面と対向配置させた表示装置の
開発が進められている。エミッタとしては、電界放出型
あるいは表面伝導型の素子が想定される。通常、エミッ
タとして電界放出型電子放出素子を用いた表示装置は、
フィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと
称する)、また、エミッタとして表面導電型電子放出素
子を用いた表示装置は、表面導電電子放出ディスプレイ
(以下、SEDと称する)と呼ばれている。
置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、
これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を
互いに接合することにより真空外囲器を構成している。
前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面
基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子放出
源として多数のエミッタが設けられている。
され、このグリッドには、エミッタと整列して位置した
多数の開孔が形成されている。更に、背面基板および前
面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基
板間には複数の支持部材が配設されている。これらのグ
リッド、および支持部材の少なくとも一部は、背面基板
および前面基板のいずれかに接合されている。
ミッタから放出された電子ビームは、グリッドの対応す
る開孔を通って所望の蛍光体層に照射され、それによ
り、蛍光体を発光させて画像を表示する。
がマイクロメートルオーダーであり、前面基板と背面基
板との隙間をミリメートルオーダーに設定することがで
きる。このため、現在のテレビやコンピュータのディス
プレイとして使用されている陰極線管(CRT)などと
比較して、高解像度化、軽量化、薄型化を達成すること
が可能となる。
た表示装置の製造工程においては、グリッド、支持部材
等の構造体が予め接合された背面基板、および前面基板
を300℃以上でベーキングしてガス出しを行うととも
に、側壁を介して背面基板と前面基板とを接合する際、
ヒータによって背面基板および前面基板を外側から加熱
する。従って、このような製造工程において、グリッド
等の構造体が固定された背面基板、および前面基板は、
これらの構造体よりも高温となる。
時、背面基板上に設けられた多数のエミッタは蛍光体層
に向けて電子を放出するが、その際、エミッタが発熱す
るため、背面基板の温度が上昇し、グリッドよりも高温
となり易い。
時、背面基板および前面基板はこれらの基板に固定され
た構造体よりも高温となり、例えば、背面基板と構造体
との間に数十度の温度差が生じる場合も考えられる。そ
して、このような温度差に起因して、背面基板とこの基
板に固定された構造体と間に熱膨張量の差が生じた場
合、特に、背面基板の方が構造体よりも熱膨張量が多く
なった場合、構造体に張力が作用し、これらの構造部と
背面基板との接合が外れてしまう恐れがある。
発生し製造歩留まりが低下するとともに、動作時におけ
る信頼性が低下する。
で、その目的は、温度差に起因する接合部の剥離、損傷
を防止し、製造不良の低減および信頼性の向上を図るこ
とが可能な表示装置を提供することにある。
め、本発明に係る表示装置は、隙間を置いて対向配置さ
れた第1基板および第2基板を有した真空外囲器と、上
記第1基板と第2基板との間に配設されているととも
に、第1および第2基板の一方に接合された構造体と、
上記第1および第2基板の一方の基板内面に設けられた
蛍光面と、上記第1および第2基板の他方の基板内面に
設けられ、上記蛍光面に電子を放出する複数の電子放出
素子と、を備え、上記構造体は、この構造体が接合され
た上記一方の基板よりも大きな熱膨張率を有しているこ
とを特徴としている。
構造体として、上記第1基板と第2基板との間にこれら
第1および第2基板と対向して配設された板状のグリッ
ド、および、あるいは、上記第1および第2絶縁基板の
間に配設され上記第1および第2基板を大気圧に対して
支持した複数の支持部材を含んでいることを特徴として
いる。
ば、上記構造体は、この構造体が接合された上記一方の
基板よりも大きな熱膨張率を有しているため、製造時あ
るいは動作時に、上記一方の基板の温度が上記構造体よ
りも高くなった場合でも、上記一方の基板の熱膨張量が
上記構造体の熱膨張量よりも大きくなることがない。従
って、上記構造体に引張力が生じることがなく、基板に
対する上記構造体の接合部の剥離、損傷を防止すること
ができる。
の温度においても、上記一方の基板より伸び率が高くな
る熱膨張特性を有していることが望ましい。
発明の表示装置をSEDに適用した実施の形態について
詳細に説明する。図1および図3に示すように、SED
は、アスペクト比4:3、対角寸法36インチの有効表
示領域3を備えて構成されている。このSEDは、所定
の隙間を置いて対向配置された矩形状の前面基板10お
よび背面基板20を備え、これら前面基板10および背
面基板20は、ガラス材からなる枠状の側壁8を介して
周縁部同士が接合され、真空外囲器4を構成している。
側壁8は、前面基板10および背面基板20に対し、フ
リットガラスあるいはインジウム等の低融点金属あるい
は合金により接合されている。そして、真空外囲器4の
内部空間は、例えば約10−8Torrの高真空に維持
されている。
これら基板間での異常放電を防止するために所定の電位
に接続された矩形板状のグリッド18が配設され、有効
表示領域3と対向して位置している。また、前面基板1
0および背面基板12は、これらの基板間に配設された
複数のスペーサ30により大気圧に対して支持され、例
えば1.5〜2.0mmの間隔に維持されている。
る前面基板10は、無アルカリガラスから成る絶縁基板
11と、この絶縁基板の内面上に形成された蛍光体スク
リーン12と、を備えている。画像表示面および蛍光面
として機能する蛍光体スクリーン12は、それぞれ赤
(R)、青(B)、および緑(G)の発光特性を有し所
定のピッチで配置されたストライプ状の蛍光体層13
と、蛍光体層13間に配置されコントラスト比を向上さ
せるための帯状の遮光層14とを有している。
ミニウムまたはその合金からなる導電薄膜15が形成さ
れ、更に、この導電薄膜15上には、バリウム(Ba)
からなる蒸着ゲッタ層16が形成されている。導電薄膜
15はアノード電極として機能する。また、蒸着ゲッタ
層16は、SEDの製造時、真空チャンバ内で前面基板
10と背面基板20とを貼り合わせるに先立ち、真空チ
ャンバ内でゲッタ材を蒸着することにより形成される。
ゲッタ材の蒸着から封着までの一連の工程を大気に晒す
ことなく真空雰囲気中で行うことにより、高性能な蒸着
ゲッタ層16を得ることができる。
して機能する背面基板20は、無アルカリガラスから成
る絶縁基板22を備えている。絶縁基板22の内面上に
は、マトリクス状に配置された複数本の走査電極23お
よび信号電極24が設けられている。各走査電極23と
信号電極24との交差部近傍には、それぞれ走査電極お
よび信号電極から延出したゲート電極25およびエミッ
タ電極26が設けられている。ゲート電極25とエミッ
タ電極26とは所定の間隔を置いて対向配置されてい
る。更に、これらの電極25、26間には、図示しない
が、例えばグラファイト膜が5mmの間隔を持って対向
配置され、これにより表面伝導型の電子放出素子27を
構成している。なお、各走査電極23上には保護膜28
が形成されている。
の間に配設されたグリッド18は、有効表示領域3にほ
ぼ対応した大きさの矩形状に形成され、前面基板10お
よび背面基板20と対向している。そして、図1および
図3に示すように、グリッド18の4つの角部は、それ
ぞれ台座60を介して背面基板20に固定されている。
は、円板状に形成され、導電性を有したフリットガラス
62および銀ペースト64を介して背面基板20の絶縁
基板22上に固定されている。そして、グリッド18
は、例えば、角部側縁が2つの溶接点61で台座60の
上面に溶接されている。なお、絶縁基板22において、
1つの台座60と対向する位置にはスルーホール66が
形成され、この台座60は、スルーホール66を介し
て、絶縁基板22の外面に形成された給電端子67に電
気的に接続されている。従って、給電端子67からスル
ーホール66および台座60を通して、グリッド18に
所定のグリッド電位を供給することができる。
定されている背面基板20の絶縁基板22よりも熱膨張
率の大きな材料によって形成されている。例えば、グリ
ッド18は、0.1mm厚の鉄−ニッケル合金で形成さ
れ、その表面が酸化処理されている。そして、絶縁基板
22を構成するガラスの熱膨張率は84×10-7/Kで
あるのに対して、グリッド18の熱膨張率は94×10
-7/Kとなっている。
絶縁基板22を構成するガラスの熱膨張特性Aを比較し
て示したもので、グリッド18は、いずれの温度におい
ても、絶縁基板22より伸び率が高くなる熱膨張特性を
有している。
8には、それぞれ電子放出素子27から放出された電子
線を透過させるための矩形の開孔44が形成され、電子
放出素子27と対向している。また、グリッド18に
は、後述する第1および第2スペーサを連結するための
複数の円形の開口46が形成されている。
グリッド18と一体に作り込まれている。すなわち、グ
リッド18は、背面基板20と対向した第1主面、およ
び前面基板10に対向した第2主面を有している。第1
主面側には複数の第1スペーサ48がグリッド18と一
体的に形成され、また、第2主面側には複数の第2スペ
ーサ50がグリッド18と一体的に形成されている。そ
して、これら第1スペーサ48と第2スペーサ50と
は、グリッド18の開口46内に配置された連結部52
により連結されている。本実施の形態においては、1つ
の第1スペーサ48に対して2つの第2スペーサ50が
それぞれ連結部52を介して連結され、スペーサ30を
構成している。
護膜28を介して配置され、走査電極の延出方向に沿っ
て延びている。各第1スペーサ48は断面が長楕円形に
形成され、高さh1が0.5mmに形成されている。
つずつ設けられた第2スペーサ50は、若干のテーパー
を有する円柱状に形成され、その高さh2はそれぞれ
1.0mmに形成されている。これにより、第2スペー
サ50は、第1スペーサ48に対してアスペクト比(第
2スペーサのグリッド18側端における断面の長軸方向
の長さと、第2スペーサの高さとの比)が十分に大きく
形成されている。そして、隣り合う2つの第2スペーサ
50は、それぞれグリッド18の開口46を介して、す
なわち、連結部52を介して1つの第1スペーサ48に
連結され、この第1スペーサ48およびグリッド18と
一体となっている。
リッド18を真空外囲器4内に配設した状態において、
各第1スペーサ48は保護膜28および走査電極23を
介して背面基板10に当接し、各第2スペーサ50は、
蒸着ゲッタ層16、導電薄膜層15、および蛍光体スク
リーン12を介して前面基板10に当接している。それ
により、スペーサ30は、大気圧に対して前面基板10
および背面基板20を支持している。
製造工程において、グリッド18およびスペーサ30等
の構造体を予め背面基板20に固定および接合した後、
この背面基板20および前面基板10を300℃以上で
ベーキングしてガス出しを行う。また、ベーキング後、
側壁8を介して背面基板20と前面基板10とを接合し
真空外囲器4を形成する際、ヒータによって背面基板2
0および前面基板10を外側から加熱する。従って、こ
のような製造工程において、グリッド18等の構造体が
固定された背面基板20、および前面基板10は、これ
らの構造体よりも高温となる。
設けられた多数の電子放出素子27は蛍光体層に向けて
電子を放出するが、その際、発熱する。そのため、背面
基板20の温度が上昇し、グリッド18、スペーサ30
等の構造体よりも高温となる。
時、背面基板20は、この背面基板に固定された構造
体、例えば、グリッド18よりも高温となり、これらの
間に数十度の温度差が生じる場合も考えられる。しかし
ながら、本実施の形態に係るSEDによれば、グリッド
18は、このグリッドが接合されている背面基板20の
絶縁基板22よりも大きな熱膨張率を有している。その
ため、製造時あるいは動作時、絶縁基板22の温度がグ
リッド18より高くなった場合でも、絶縁基板22の熱
膨張量がグリッドの熱膨張量よりも大きくなることがな
い。従って、グリッド18に引張力が生じることがな
く、絶縁基板22に対するグリッド18の接合部、つま
り、グリッド18と台座60との溶接部、あるいは、台
座60と絶縁基板22との接合部、の剥離や損傷を確実
に防止することができる。これにより、製造不良の発生
を防止し製造歩留まりの向上を図ることができるととも
に、信頼性の向上したSEDを得ることができる。
10と背面基板20との間に配設されこれら基板の少な
くとも一方に接合された構造体の内、グリッド18を中
心に説明したが、本発明において、上記構造体は、グリ
ッド18に限らず、走査電極、信号電極等の配線やスペ
ーサをも含む概念である。
走査電極23および信号電極24は背面基板20の絶縁
基板22上に形成され、つまり、絶縁基板22上に接合
されている。そのため、上述したグリッド18と同様
に、これらの走査電極23および信号電極24を、絶縁
基板22の熱膨張率よりも大きな熱膨張率を有した材料
で形成するとともに、いずれの温度においても、絶縁基
板22より伸び率が高くなる熱膨張特性を持たせること
により、製造時および動作時、走査電極および信号電極
に引張力が作用することがなく、これら走査電極および
信号電極の剥離、断線等を防止することができる。
0あるいは背面基板20の熱膨張率よりも大きな熱膨張
率を有した材料で形成するとともに、上記と同様の熱膨
張特性を持たせることにより、スペーサと背面基板との
間の接合部、スペーサと前面基板との間の接合部の剥
離、損傷を防止することができる。特に、スペーサとし
て、例えば、真空外囲器の対向する2辺間に亘って延び
るような長尺なスペーサを用いた場合に顕著な作用効果
を得ることができる。
述べる。いま、構造体と基板の温度が等しいときに、接
合部に引っ張り力が発生しない温度をTfとする。構造
体を引っ張り力を印加しないで固定すれば、Tfは固定
時の温度となる。構造体の熱膨張率と温度をそれぞれα
s、Ts、構造体が取り付けられている基板の熱膨張率
と温度をそれぞれαp、Tpとすると、構造体の接合部
に引っ張り力が発生する条件は、 αs(Ts−Tf)≦αp(Tp−Tf) より、 αs/αp≦(Tp−Tf)/(Ts−Tf) となる。この式の左辺、右辺をそれぞれ、k、Qとする
と、 k≦Q となる。
件により異なる。また、実際には、構造体や基板の温度
は一様ではなく、内部に分布がある。さらに、接合部が
はずれるかどうかは、接合部の固定強度も関係してく
る。
生しなくなるが、熱膨張差による構造体のたわみなどが
問題となってくる。したがって、kの許容量がいくつに
なるかは、単純には求めることができず、実用性を考慮
して設計された表示装置で、量産を想定した製造装置に
おいて検討することで決定される。
ついては、 1.07≦k≦1.15 とすることが望ましいという結果が得られた。kが1.
05より小さい場合は、製造の段階でどうしても発生す
る温度差により接合部がはずれるという問題を避けるこ
とが困難であった。また、kが1.15より大きい場合
は、グリッドと背面基板の温度が高くなった場合のグリ
ッドのたわみ、位置精度が問題となることを避けること
が困難であった。
また、構造体一般に関して、許容されうるkの範囲を推
定してみたところ、 1.02≦k≦1.2 という結果が得られた。
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、この発明はSEDに限らず、電界放出型
電子放出素子を用いたFED、その他の平面表示装置に
も適用可能である。また、グリッドは背面基板に限ら
ず、前面基板に接合されていても良い。更に、各構成要
素の寸法、材料等は、上述の実施の形態で示した数値、
材料に限定されることなく、必要に応じて種々選択可能
である。
温度差に起因する接合部の剥離、損傷を防止し、製造不
良の低減および信頼性の向上を図ることが可能な表示装
置を提供することができる。
図。
合部を拡大して示す平面図。
膨張特性を比較して示す図。
Claims (13)
- 【請求項1】隙間を置いて対向配置された第1基板およ
び第2基板を有した真空外囲器と、 上記第1基板と第2基板との間に配設されているととも
に、第1および第2基板の少なくとも一方に接合された
構造体と、 上記第1および第2基板の一方の基板内面に設けられた
蛍光面と、 上記第1および第2基板の他方の基板内面に設けられ、
上記蛍光面に電子を放出する複数の電子放出素子と、を
備え、 上記構造体は、この構造体が接合された上記少なくとも
一方の基板よりも大きな熱膨張率を有していることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項2】上記構造体は、上記一方の基板の熱膨張率
に対し、1.02ないし1.2倍の熱膨張率を有してい
ることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 【請求項3】上記構造体は、上記一方の基板の熱膨張率
に対し、1.07ないし1.15倍の熱膨張率を有して
いることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 【請求項4】上記構造体は、上記第1基板と第2基板と
の間にこれら第1および第2基板と対向して配設された
板状のグリッドを含んでいることを特徴とする請求項1
ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 【請求項5】上記構造体は、上記第1基板と第2基板と
の間に配設され上記第1および第2基板を大気圧に対し
て支持した複数の支持部材を含んでいることを特徴とす
る請求項1ないし4のいずれか1項に記載の表示装置。 - 【請求項6】上記構造体は、いずれの温度においても、
上記少なくとも一方の基板より伸び率が高くなる熱膨張
特性を有していることを特徴とする請求項1ないし5の
いずれか1項に記載の表示装置。 - 【請求項7】内面に蛍光面が形成された前面基板と、 上記蛍光面と所定の隙間を置いて対向配置されていると
ともに、上記蛍光面に向けて電子を放出する複数の電子
放出素子が配置された背面基板と、 上記前面基板と背面基板との間にこれら前面基板および
背面基板と対向して配設されているとともに、上記背面
基板に接合された板状のグリッドと、 を備え、上記グリッドは、上記背面基板よりも大きな熱
膨張率を有していることを特徴とする表示装置。 - 【請求項8】上記第1基板と第2基板との間に配設され
上記第1および第2基板を大気圧に対して支持した複数
の支持部材を備え、各支持部材は、上記背面基板に接合
されているとともに、上記背面基板よりも大きな熱膨張
率を有していることを特徴とする請求項7に記載の表示
装置。 - 【請求項9】上記支持部材は上記グリッドに固定されて
いることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 【請求項10】上記グリッドは、上記一方の基板の熱膨
張率に対し、1.02ないし1.2倍の熱膨張率を有し
ていることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか1
項に記載の表示装置。 - 【請求項11】上記グリッドは、上記一方の基板の熱膨
張率に対し、1.07ないし1.15倍の熱膨張率を有
していることを特徴とする請求項10に記載の表示装
置。 - 【請求項12】上記グリッドは、それぞれ台座を介して
上記背面基板に接合された複数の接合部を備えているこ
とを特徴とする請求項7ないし11のいずれか1項に記
載の表示装置。 - 【請求項13】上記背面基板の外面に設けられた給電端
子を備え、上記グリッドは導電性を有しているとともに
少なくとも1つの台座、および上記背面基板に形成され
た貫通孔を介して上記給電端子に電気的に接続されてい
ることを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
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JP2002118120A JP3898555B2 (ja) | 2001-04-20 | 2002-04-19 | 表示装置 |
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KR100986895B1 (ko) | 2004-03-31 | 2010-10-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 그리드 고정 구조를 구비한 전자방출 표시장치 |
KR101009985B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2011-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치 |
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- 2002-04-19 JP JP2002118120A patent/JP3898555B2/ja not_active Expired - Fee Related
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KR20050050841A (ko) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출 표시장치 |
KR101009985B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2011-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치 |
KR100986895B1 (ko) | 2004-03-31 | 2010-10-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 그리드 고정 구조를 구비한 전자방출 표시장치 |
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