JP2003004926A - 光ファイバーグレーティングの作製方法及び作製装置 - Google Patents
光ファイバーグレーティングの作製方法及び作製装置Info
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相マスク長により制限されずにスーパース
トラクチャー・ファイバー・ブラッグ・グレーティング
を作製する。 【解決手段】 まず、マスクと光ファイバーの相対位置
を固定してビームを走査する（ステップ1）。次に、マ
スクと光ファイバーの相対位置を光ファイバーの長さ方
向に対して動かす（ステップ２）。そして、ステップ１
と同じようにマスクと光ファイバーの相対位置を固定し
てビームを走査する。次に、位相ずれを補正・整合する
ために、マスクをはずし、光ファイバーに一様な紫外光
ビームを当てることにより、一様に屈折率を変えること
ができ、その部分の光学長を変化させ位相シフトを与え
る（ステップ３）。位相シフトを与える位置は、両固定
間の他適当な場所でよい。位相シフト量は紫外光ビーム
照射時間（あるいは光パルス数）で決まり、必要な位相
シフト量が達成できたかどうかは反射スペクトラムを観
察しながら決める。以上のステップを繰り返すことによ
り、自由な長さのＳＳＦＢＧが作成できる。
トラクチャー・ファイバー・ブラッグ・グレーティング
を作製する。 【解決手段】 まず、マスクと光ファイバーの相対位置
を固定してビームを走査する（ステップ1）。次に、マ
スクと光ファイバーの相対位置を光ファイバーの長さ方
向に対して動かす（ステップ２）。そして、ステップ１
と同じようにマスクと光ファイバーの相対位置を固定し
てビームを走査する。次に、位相ずれを補正・整合する
ために、マスクをはずし、光ファイバーに一様な紫外光
ビームを当てることにより、一様に屈折率を変えること
ができ、その部分の光学長を変化させ位相シフトを与え
る（ステップ３）。位相シフトを与える位置は、両固定
間の他適当な場所でよい。位相シフト量は紫外光ビーム
照射時間（あるいは光パルス数）で決まり、必要な位相
シフト量が達成できたかどうかは反射スペクトラムを観
察しながら決める。以上のステップを繰り返すことによ
り、自由な長さのＳＳＦＢＧが作成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバーグレ
ーティングの作製方法及び作製装置に係り特に、スーパ
ーストラクチャ光ファイバーブラッググレーティングの
作製方法及び作製装置に関する。
ーティングの作製方法及び作製装置に係り特に、スーパ
ーストラクチャ光ファイバーブラッググレーティングの
作製方法及び作製装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９７０年代における低損失光ファイバ
ーの登場と同時期に半導体レーザの常温発振が可能とな
って以来、光を用いた様々な研究が世界中で活発となっ
た。特に光通信分野は光アンプ（ＥＤＦＡ）の登場によ
り急速に発展し、現在では超長距離伝送（〜１０，００
０ｋｍ）、超高速伝送（〜４０Ｇｂ／ｓ）、波長多重伝
送（ＷＤＭ，〜２５６波長）等の伝送システムの実現が
可能となっている。そのため、光ファイバー情報通信ネ
ットワークは２１世紀初頭の最重要な社会基盤（インフ
ラストラクチャ）であると考えられている。しかしなが
ら、現在のところ、光ファイバー通信システムは、主に
１対１の基幹線系にのみ用いられており、ネットワーク
部分は従来の同軸ケーブルと半導体集積回路・電子デバ
イスが主役である。近年のインターネットの爆発的な発
展により、今後のネットワークに求められる伝送容量の
伸びは１２ヶ月で２倍と予測されている。これは半導体
集積回路に関するいわゆるムーアの法則（１８ヶ月で２
倍）を上回っているという状況であり、例えば、ネット
ワーク部分も光を用いるＷＤＭ光ネットワークがやがて
は必要とされることは間違いないであろう。しかしなが
ら、現状ではＷＤＭ光ネットワークのための光デバイス
がまだまだ未熟であり、これらの光デバイスの開発が急
務である。
ーの登場と同時期に半導体レーザの常温発振が可能とな
って以来、光を用いた様々な研究が世界中で活発となっ
た。特に光通信分野は光アンプ（ＥＤＦＡ）の登場によ
り急速に発展し、現在では超長距離伝送（〜１０，００
０ｋｍ）、超高速伝送（〜４０Ｇｂ／ｓ）、波長多重伝
送（ＷＤＭ，〜２５６波長）等の伝送システムの実現が
可能となっている。そのため、光ファイバー情報通信ネ
ットワークは２１世紀初頭の最重要な社会基盤（インフ
ラストラクチャ）であると考えられている。しかしなが
ら、現在のところ、光ファイバー通信システムは、主に
１対１の基幹線系にのみ用いられており、ネットワーク
部分は従来の同軸ケーブルと半導体集積回路・電子デバ
イスが主役である。近年のインターネットの爆発的な発
展により、今後のネットワークに求められる伝送容量の
伸びは１２ヶ月で２倍と予測されている。これは半導体
集積回路に関するいわゆるムーアの法則（１８ヶ月で２
倍）を上回っているという状況であり、例えば、ネット
ワーク部分も光を用いるＷＤＭ光ネットワークがやがて
は必要とされることは間違いないであろう。しかしなが
ら、現状ではＷＤＭ光ネットワークのための光デバイス
がまだまだ未熟であり、これらの光デバイスの開発が急
務である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＷＤＭ技術
においては、例えば、光フィルタが必須のデバイスとな
ってくる。このＷＤＭ光通信用光フィルタとして、光フ
ァイバーブラッググレーティング(ＦＢＧ)の一種である
スーパーストラクチャー・ファイバー・ブラック・グレ
ーティング(Super Structure ＦＢＧ)が注目されてい
る。ここで、ＦＢＧ（Fiber Bragg Grating 光ファイバ
ー回折格子（グレーティング））とは、光ファイバーの
コア部分に波長オーダ(〜1ミクロン)周期の屈折率変化
を与えたもので、鋭い波長選択反射特性をもつデバイス
である。屈折率変化は、紫外光を光ファイバーの外側か
ら照射することにより非破壊的に得られ、また波長オー
ダ周期構造は、位相マスクなどを紫外光を照射する際に
介在させると、その位相マスクで形成される干渉縞によ
り得られる。ＦＢＧは、他の光フィルターに比べ柔軟な
設計が可能であるため、回折格子の工夫により従来には
ない機能をもった光フィルターの作成が可能である。屈
折率が変化された回折格子を直接光ファイバー中に形成
するため、低損失、小型、高信頼性、ファイバーを基本
とした光システムとの親和性など、多くの利点がある。
ＦＢＧの鋭い波長選択反射特性は、光通信の分野では波
長多重(ＷＤＭ)光ファイバー通信技術に欠かせないもの
として利用される。また、ＦＢＧの反射波長は歪・温度
依存性をもつため、光計測の分野ではこれらの多点型高
分解能センサとして利用される。
においては、例えば、光フィルタが必須のデバイスとな
ってくる。このＷＤＭ光通信用光フィルタとして、光フ
ァイバーブラッググレーティング(ＦＢＧ)の一種である
スーパーストラクチャー・ファイバー・ブラック・グレ
ーティング(Super Structure ＦＢＧ)が注目されてい
る。ここで、ＦＢＧ（Fiber Bragg Grating 光ファイバ
ー回折格子（グレーティング））とは、光ファイバーの
コア部分に波長オーダ(〜1ミクロン)周期の屈折率変化
を与えたもので、鋭い波長選択反射特性をもつデバイス
である。屈折率変化は、紫外光を光ファイバーの外側か
ら照射することにより非破壊的に得られ、また波長オー
ダ周期構造は、位相マスクなどを紫外光を照射する際に
介在させると、その位相マスクで形成される干渉縞によ
り得られる。ＦＢＧは、他の光フィルターに比べ柔軟な
設計が可能であるため、回折格子の工夫により従来には
ない機能をもった光フィルターの作成が可能である。屈
折率が変化された回折格子を直接光ファイバー中に形成
するため、低損失、小型、高信頼性、ファイバーを基本
とした光システムとの親和性など、多くの利点がある。
ＦＢＧの鋭い波長選択反射特性は、光通信の分野では波
長多重(ＷＤＭ)光ファイバー通信技術に欠かせないもの
として利用される。また、ＦＢＧの反射波長は歪・温度
依存性をもつため、光計測の分野ではこれらの多点型高
分解能センサとして利用される。
【０００４】また、ＳＳＦＢＧ（Super Structure ＦＢ
Ｇ）とは、Sampled ＦＢＧとも呼ばれ、同じ周期の短い
ＦＢＧを等間隔で並べたデバイスである。ＳＳＦＢＧ
は、ＦＢＧの波長オーダ周期構造の上に数mm程度の周期
構造（＝サンプリング構造）が乗畳された構造になって
いる。ＳＳＦＢＧは、サンプリング構造の周期で決まる
等間隔の鋭い波長選択反射特性をもつ、くし（コム）型
反射光フィルタである。ＳＳＦＢＧは、ＷＤＭ通信で用
いられる多波長の光を一括してフィルタリングできるた
め、波長多重(ＷＤＭ)光ファイバー通信に適し、ＷＤＭ
システムの低価格化や簡易化が期待できる。
Ｇ）とは、Sampled ＦＢＧとも呼ばれ、同じ周期の短い
ＦＢＧを等間隔で並べたデバイスである。ＳＳＦＢＧ
は、ＦＢＧの波長オーダ周期構造の上に数mm程度の周期
構造（＝サンプリング構造）が乗畳された構造になって
いる。ＳＳＦＢＧは、サンプリング構造の周期で決まる
等間隔の鋭い波長選択反射特性をもつ、くし（コム）型
反射光フィルタである。ＳＳＦＢＧは、ＷＤＭ通信で用
いられる多波長の光を一括してフィルタリングできるた
め、波長多重(ＷＤＭ)光ファイバー通信に適し、ＷＤＭ
システムの低価格化や簡易化が期待できる。
【０００５】しかし、理論上提案されているＦＢＧの内
いくつかは、その作製技術の限界のため、容易に作製で
きないものもある。その作製限界のうちの一つは、長い
ＦＢＧの作製が困難であるというものである。スーパー
ストラクチャー・ファイバー・ブラッグ・グレーティン
グ（ＳＳＦＢＧ）はその一例であり、このＳＳＦＢＧを
大容量化するＷＤＭ光通信に合わせて広帯域化・高密度
化するためには、全長が数センチから数十センチという
長いＳＳＦＢＧ長が必要となるが、従来の方法ではＳＳ
ＦＢＧ長は位相マスク長により制限されるため、その作
製が困難である。
いくつかは、その作製技術の限界のため、容易に作製で
きないものもある。その作製限界のうちの一つは、長い
ＦＢＧの作製が困難であるというものである。スーパー
ストラクチャー・ファイバー・ブラッグ・グレーティン
グ（ＳＳＦＢＧ）はその一例であり、このＳＳＦＢＧを
大容量化するＷＤＭ光通信に合わせて広帯域化・高密度
化するためには、全長が数センチから数十センチという
長いＳＳＦＢＧ長が必要となるが、従来の方法ではＳＳ
ＦＢＧ長は位相マスク長により制限されるため、その作
製が困難である。
【０００６】本発明は、以上の点に鑑み、位相マスク長
により制限されないスーパーストラクチャー・ファイバ
ー・ブラッグ・グレーティング作製方法及び作製装置を
提供することを目的とする。
により制限されないスーパーストラクチャー・ファイバ
ー・ブラッグ・グレーティング作製方法及び作製装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の解決手段
によると、グレーティングが形成された位相マスクと光
ファイバーの相対位置を第１の位置に固定する工程と、
第１の位置において、レーザからの紫外光により位相マ
スクを介して所定のグレーティング幅の干渉光を形成
し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所定のグレ
ーティング間隔で複数箇所に照射することにより、ひと
つ又は複数の第１の光ファイバーグレーティングを形成
する工程と、位相マスク及び／又は光ファイバーを光フ
ァイバーの長さ方向に移動させて、位相マスクと光ファ
イバーとの相対位置を第２の位置に固定する工程と、
によると、グレーティングが形成された位相マスクと光
ファイバーの相対位置を第１の位置に固定する工程と、
第１の位置において、レーザからの紫外光により位相マ
スクを介して所定のグレーティング幅の干渉光を形成
し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所定のグレ
ーティング間隔で複数箇所に照射することにより、ひと
つ又は複数の第１の光ファイバーグレーティングを形成
する工程と、位相マスク及び／又は光ファイバーを光フ
ァイバーの長さ方向に移動させて、位相マスクと光ファ
イバーとの相対位置を第２の位置に固定する工程と、
【０００８】第２の位置において、レーザからの紫外光
により位相マスクを介して所定のグレーティング幅の干
渉光を形成し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は
所定のグレーティング間隔で複数箇所に照射することに
より、ひとつ又は複数の第２の光ファイバーグレーティ
ングを形成する工程と、位相シフトを調整するために、
第１の光ファイバーグレーティングと第２の光ファイバ
ーグレーティングとの間において、位相マスクを介さず
にレーザからの紫外光を光ファイバーに照射することに
より、位相をシフトする領域を形成する工程とを含む光
ファイバーグレーティングの作製方法が提供される。
により位相マスクを介して所定のグレーティング幅の干
渉光を形成し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は
所定のグレーティング間隔で複数箇所に照射することに
より、ひとつ又は複数の第２の光ファイバーグレーティ
ングを形成する工程と、位相シフトを調整するために、
第１の光ファイバーグレーティングと第２の光ファイバ
ーグレーティングとの間において、位相マスクを介さず
にレーザからの紫外光を光ファイバーに照射することに
より、位相をシフトする領域を形成する工程とを含む光
ファイバーグレーティングの作製方法が提供される。
【０００９】本発明の第２の解決手段によると、紫外光
を照射するレーザと、前記レーザからの紫外光の幅を調
整するスリットと、グレーティングが形成された位相マ
スクと、光ファイバーと前記位相マスクとの相対位置を
第１の位置および第２の位置にそれぞれ固定するための
稼動部と、前記レーザからの紫外光により前記スリット
及び位相マスクを介して所定のグレーティング幅の干渉
光を形成し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所
定のグレーティング間隔で複数箇所に照射するための照
射調整部とを備えた光ファイバーグレーティングの作製
装置が提供される。
を照射するレーザと、前記レーザからの紫外光の幅を調
整するスリットと、グレーティングが形成された位相マ
スクと、光ファイバーと前記位相マスクとの相対位置を
第１の位置および第２の位置にそれぞれ固定するための
稼動部と、前記レーザからの紫外光により前記スリット
及び位相マスクを介して所定のグレーティング幅の干渉
光を形成し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所
定のグレーティング間隔で複数箇所に照射するための照
射調整部とを備えた光ファイバーグレーティングの作製
装置が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】１．ＦＢＧの作成
ＦＢＧ は、ファイバーのコア中に例えば約500[nm] の
周期を持つ摂動を形成する必要がある。これを実現する
ための、位相マスク法(Phase-Mask Method)とフォトセ
ンシティビティー(photosensitivity)についてを以下に
説明する。図１に、位相マスク法によるＦＢＧの作製に
ついての説明図を示す。レーザからの紫外光１０１、伝
送マスク１０２、光ファイバー１０３が図示されてい
る。なお、以下の材料及び各データは、一例を示すもの
であり、これに限定されない。摂動の種類としては、屈
折率の変化を用いる。ゲルマニウムドープ（Ge-doped）
光ファイバーは紫外線を照射すると屈折率が変化すると
いう非線形な性質を持つ。これは、フォトセンシティビ
ティーと呼ばれ、ＦＢＧはこの非線形現象を用いて作製
される。このフォトセンシティビティーを最大限に引き
出す為に、光ファイバー１０２を、例えば、１２０［ａ
ｔｍ］の水素雰囲気中に２週間ほど留置する。ここで
は、この水素処理を行ったGe-doped 光ファイバーを用
いる。
周期を持つ摂動を形成する必要がある。これを実現する
ための、位相マスク法(Phase-Mask Method)とフォトセ
ンシティビティー(photosensitivity)についてを以下に
説明する。図１に、位相マスク法によるＦＢＧの作製に
ついての説明図を示す。レーザからの紫外光１０１、伝
送マスク１０２、光ファイバー１０３が図示されてい
る。なお、以下の材料及び各データは、一例を示すもの
であり、これに限定されない。摂動の種類としては、屈
折率の変化を用いる。ゲルマニウムドープ（Ge-doped）
光ファイバーは紫外線を照射すると屈折率が変化すると
いう非線形な性質を持つ。これは、フォトセンシティビ
ティーと呼ばれ、ＦＢＧはこの非線形現象を用いて作製
される。このフォトセンシティビティーを最大限に引き
出す為に、光ファイバー１０２を、例えば、１２０［ａ
ｔｍ］の水素雰囲気中に２週間ほど留置する。ここで
は、この水素処理を行ったGe-doped 光ファイバーを用
いる。
【００１１】例えば、５００［ｎｍ］の所定周期をもつ
紫外線の強度分布は、位相マスク法によって実現でき
る。位相マスク法では図に示すように、石英基板にピッ
チｄの凹凸を電子ビーム・リソグラフィーにより形成し
た位相マスク１０２が用いられる。位相マスク１０２に
垂直に入射された紫外光１０１（ＵＶ光）は、位相マス
ク１０２を通過すると＋１次と−１次の回折光に分離さ
れ、それらが干渉縞（間隔ｄ／２）を形成する。溝の深
さと形状が適当であれば、０次光（そのまま透過する
光）は数％以下になる。
紫外線の強度分布は、位相マスク法によって実現でき
る。位相マスク法では図に示すように、石英基板にピッ
チｄの凹凸を電子ビーム・リソグラフィーにより形成し
た位相マスク１０２が用いられる。位相マスク１０２に
垂直に入射された紫外光１０１（ＵＶ光）は、位相マス
ク１０２を通過すると＋１次と−１次の回折光に分離さ
れ、それらが干渉縞（間隔ｄ／２）を形成する。溝の深
さと形状が適当であれば、０次光（そのまま透過する
光）は数％以下になる。
【００１２】位相マスク法の利点は同一のものを再現性
よく製作でき、また時間コヒーレンスの低いレーザでも
使用できることである。また、位相マスク法は、他の方
法よりアライメイントが比較的容易で、本実施の形態で
一例として用いるＫｒＦエキシマレーザに現状では最適
な方法であると考えられる。
よく製作でき、また時間コヒーレンスの低いレーザでも
使用できることである。また、位相マスク法は、他の方
法よりアライメイントが比較的容易で、本実施の形態で
一例として用いるＫｒＦエキシマレーザに現状では最適
な方法であると考えられる。
【００１３】２．詳細な作製系
図２に、ＳＳＦＢＧの作製系の構成図を示す。この構成
は、レーザ１、スリット２、位相マスク３、稼動ステー
ジ４、光スペクトラムアナライザ５、ＥＤＦＡ６、サー
キュレータ７を備える。光ファイバー１０は、稼動ステ
ージ４上に位相マスク３で覆われて固定される。
は、レーザ１、スリット２、位相マスク３、稼動ステー
ジ４、光スペクトラムアナライザ５、ＥＤＦＡ６、サー
キュレータ７を備える。光ファイバー１０は、稼動ステ
ージ４上に位相マスク３で覆われて固定される。
【００１４】レーザ１は、ファイバーの屈折率を変化さ
せる為に用いる紫外光源として、高いパワー密度と高い
干渉性が望まれる。ここでは、一例として、紫外光パル
スを発生するＫｒＦエキシマレーザを用いる。なお、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ以外には、ＡｒＦエキシマレーザ、
アルゴンレーザのＳＨＧ（２倍高調波）、銅蒸気レーザ
などが用いられてもよい。エキシマレーザ、銅蒸気はパ
ルスレーザであるが、アルゴンレーザのＳＨＧは連続発
振レーザであり、いずれを用いても良い。本実施の形態
で用いたＫｒＦエキシマレーザは、一例として、波長２
４８ｎｍ、パルスの繰り返し周波数１００Ｈｚ、１パル
スあたりのエネルギー約５５ｍＪ、ビーム径６ｘ１２ｍ
ｍである。
せる為に用いる紫外光源として、高いパワー密度と高い
干渉性が望まれる。ここでは、一例として、紫外光パル
スを発生するＫｒＦエキシマレーザを用いる。なお、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ以外には、ＡｒＦエキシマレーザ、
アルゴンレーザのＳＨＧ（２倍高調波）、銅蒸気レーザ
などが用いられてもよい。エキシマレーザ、銅蒸気はパ
ルスレーザであるが、アルゴンレーザのＳＨＧは連続発
振レーザであり、いずれを用いても良い。本実施の形態
で用いたＫｒＦエキシマレーザは、一例として、波長２
４８ｎｍ、パルスの繰り返し周波数１００Ｈｚ、１パル
スあたりのエネルギー約５５ｍＪ、ビーム径６ｘ１２ｍ
ｍである。
【００１５】また、スリット２は、一例として、１２ｍ
ｍ幅の紫外光をスリットで０．３ｍｍに狭窄し、位相マ
スクを通して光ファイバーに照射する。位相マスク３
は、たとえば、ガラスに０．５ミクロン程度のピッチで
回折格子が描かれている。ファイバー１０は、次のよう
な光ファイバーを用いることができる。例えば、ファイ
バー１０は、紫外光誘起屈折率変化が大きなファイバー
が好ましい。通常の光ファイバーではこの変化は小さい
ので、水素処理（高圧水素中に１〜２週間留置して水素
をロード）して高めることができる。また、光ファイバ
ーのコア中のＧｅ（ゲルマニウム）ドープ量が大きいほ
ど紫外光誘起屈折率変化が大きいことが知られているの
で、ＦＢＧ用の高Ｇｅドープ光ファイバーを用いること
ができる。本実施の形態では、ＦＢＧ用の高Ｇｅドープ
光ファイバーを水素処理したものを用いている。その他
にファイバー１０として、分散シフトファイバー（ＤＳ
Ｆ）、シングルモードファイバー（ＳＭＦ）、マルチモ
ードファイバー等、各種のファイバーを用いることがで
きる。
ｍ幅の紫外光をスリットで０．３ｍｍに狭窄し、位相マ
スクを通して光ファイバーに照射する。位相マスク３
は、たとえば、ガラスに０．５ミクロン程度のピッチで
回折格子が描かれている。ファイバー１０は、次のよう
な光ファイバーを用いることができる。例えば、ファイ
バー１０は、紫外光誘起屈折率変化が大きなファイバー
が好ましい。通常の光ファイバーではこの変化は小さい
ので、水素処理（高圧水素中に１〜２週間留置して水素
をロード）して高めることができる。また、光ファイバ
ーのコア中のＧｅ（ゲルマニウム）ドープ量が大きいほ
ど紫外光誘起屈折率変化が大きいことが知られているの
で、ＦＢＧ用の高Ｇｅドープ光ファイバーを用いること
ができる。本実施の形態では、ＦＢＧ用の高Ｇｅドープ
光ファイバーを水素処理したものを用いている。その他
にファイバー１０として、分散シフトファイバー（ＤＳ
Ｆ）、シングルモードファイバー（ＳＭＦ）、マルチモ
ードファイバー等、各種のファイバーを用いることがで
きる。
【００１６】図３に、伝送マスクと光ファイバーとの固
定についての説明図を示す。この例では、位相マスク３
と光ファイバー１０は同じプレート８上に固定され、相
対的な振動を抑圧する。このプレート８を稼動ステージ
４上に固定し、稼動ステージ４の移動量とパルス数を制
御することで、ＦＢＧ、ＳＳＦＢＧなどを作製する。
定についての説明図を示す。この例では、位相マスク３
と光ファイバー１０は同じプレート８上に固定され、相
対的な振動を抑圧する。このプレート８を稼動ステージ
４上に固定し、稼動ステージ４の移動量とパルス数を制
御することで、ＦＢＧ、ＳＳＦＢＧなどを作製する。
【００１７】紫外光の照射の仕方は次のように成る。位
相マスク３に一様な紫外光を垂直に当てると、位相マス
ク３よる＋１次と−１次の回折光どうしが光ファイバー
上に１ミクロン程度の干渉縞を作る。紫外光誘起屈折率
変化により、干渉縞の強いところでは大きな屈折率変化
が、干渉縞の弱いところでは小さな屈折率変化が起こ
り、１ミクロン程度の屈折率の周期構造（屈折率回折格
子）ができる。
相マスク３に一様な紫外光を垂直に当てると、位相マス
ク３よる＋１次と−１次の回折光どうしが光ファイバー
上に１ミクロン程度の干渉縞を作る。紫外光誘起屈折率
変化により、干渉縞の強いところでは大きな屈折率変化
が、干渉縞の弱いところでは小さな屈折率変化が起こ
り、１ミクロン程度の屈折率の周期構造（屈折率回折格
子）ができる。
【００１８】以上のように、位相マスク３にレーザ１か
らの平行光を入射することにより、より鮮明な干渉縞が
得られる。紫外光又は紫外線パルスを照射するにしたが
って、光ファイバー１０中のコアにグレーティングが形
成される。作製中、広帯域光源であるＥＤＦＡ６のＡＳ
Ｅを光ファイバー１０に入射し、その反射光をサーキュ
レータ７を経て光スペクトラルアナライザー５に入射す
ることより、反射スペクトルを監視する。これにより、
レーザ光の照射を調整させることができる。
らの平行光を入射することにより、より鮮明な干渉縞が
得られる。紫外光又は紫外線パルスを照射するにしたが
って、光ファイバー１０中のコアにグレーティングが形
成される。作製中、広帯域光源であるＥＤＦＡ６のＡＳ
Ｅを光ファイバー１０に入射し、その反射光をサーキュ
レータ７を経て光スペクトラルアナライザー５に入射す
ることより、反射スペクトルを監視する。これにより、
レーザ光の照射を調整させることができる。
【００１９】３．位相マスク走査法
まず、ＳＳＦＢＧの基本原理を説明する。図４に、ＳＳ
ＦＢＧの概念図を示す。図に示すように、ＳＳＦＢＧ
は、離散的にＦＢＧが形成されることで、作製される。
図４（ａ）には、伝送マスク３を介して紫外光が光ファ
イバー１０に複数箇所で照射される様子を示す。ここ
で、矢印は紫外光ビームを表す。複数の紫外光ビームが
矢印で表されているが、本実験では一度に複数のビーム
で照射するのではなく、１本の紫外光ビーム（もしくは
伝送マスク３と光ファイバー１０）を移動させて必要な
部分だけにＦＢＧを描く。なお、複数箇所に一度に紫外
光ビームを照射する光学系配置としてもよい。レーザ光
は、スリットにより必要な部分だけ（例えば、約１ｍ
ｍ）切り出してから位相マスク３に照射される。
ＦＢＧの概念図を示す。図に示すように、ＳＳＦＢＧ
は、離散的にＦＢＧが形成されることで、作製される。
図４（ａ）には、伝送マスク３を介して紫外光が光ファ
イバー１０に複数箇所で照射される様子を示す。ここ
で、矢印は紫外光ビームを表す。複数の紫外光ビームが
矢印で表されているが、本実験では一度に複数のビーム
で照射するのではなく、１本の紫外光ビーム（もしくは
伝送マスク３と光ファイバー１０）を移動させて必要な
部分だけにＦＢＧを描く。なお、複数箇所に一度に紫外
光ビームを照射する光学系配置としてもよい。レーザ光
は、スリットにより必要な部分だけ（例えば、約１ｍ
ｍ）切り出してから位相マスク３に照射される。
【００２０】図４（ｂ）は、光ファイバ１０の位置Ｚに
おける屈折率ｎを示される。ここで、ＬｇはＦＢＧ幅、
ＬｓはＦＢＧ間隔である。また、図中屈折率ｎがギザギ
ザで表示されている箇所は、光ファイバー１０中にＦＢ
Ｇが刻まれているところである。
おける屈折率ｎを示される。ここで、ＬｇはＦＢＧ幅、
ＬｓはＦＢＧ間隔である。また、図中屈折率ｎがギザギ
ザで表示されている箇所は、光ファイバー１０中にＦＢ
Ｇが刻まれているところである。
【００２１】図５に、ＳＳＦＢＧの特性図を示す。図に
は、屈折率ｎと、波長λの関係を示す。ここで、νＢは
１／Ｌｇに比例する包絡線幅、νＣは１／Ｌｓに比例す
るチャネル間隔である。こうして、図に示すようにくし
（コム）型の反射フィルタが形成される。このくし状反
射スペクトルの包絡線幅νＢは離散的に作製されたＦＢ
Ｇの長さに反比例し、また、チャネル間隔νＣは作製さ
れたＦＢＧの間隔Ｌｓに反比例する。そのため、より狭
いチャネル間隔を得るためにはより大きな間隔でＦＢＧ
を離散的に作製する必要がある。なお、ＦＢＧの個数は
ひとつでもよく、また、個数が多いほど反射率が高くな
る。反射率が１に達すると、包絡線幅が広がる。ここ
で、このくし状の反射スペクトルの一本をチャネルと呼
ぶ。
は、屈折率ｎと、波長λの関係を示す。ここで、νＢは
１／Ｌｇに比例する包絡線幅、νＣは１／Ｌｓに比例す
るチャネル間隔である。こうして、図に示すようにくし
（コム）型の反射フィルタが形成される。このくし状反
射スペクトルの包絡線幅νＢは離散的に作製されたＦＢ
Ｇの長さに反比例し、また、チャネル間隔νＣは作製さ
れたＦＢＧの間隔Ｌｓに反比例する。そのため、より狭
いチャネル間隔を得るためにはより大きな間隔でＦＢＧ
を離散的に作製する必要がある。なお、ＦＢＧの個数は
ひとつでもよく、また、個数が多いほど反射率が高くな
る。反射率が１に達すると、包絡線幅が広がる。ここ
で、このくし状の反射スペクトルの一本をチャネルと呼
ぶ。
【００２２】たとえば、全長５０ｍｍで、反射率１００
％、チャネル間隔１００ＧＨｚのスーパーストラクチャ
が得られるとする。このときチャネル間隔５０ＧＨｚを
得ようとすると、グレーティング間隔を２倍にする必要
があり、全長を１００ｍｍにしなければならない。同
様、チャネル間隔を３３．３ＧＨｚにすると、全長が１
５０ｍｍとなってしまう。
％、チャネル間隔１００ＧＨｚのスーパーストラクチャ
が得られるとする。このときチャネル間隔５０ＧＨｚを
得ようとすると、グレーティング間隔を２倍にする必要
があり、全長を１００ｍｍにしなければならない。同
様、チャネル間隔を３３．３ＧＨｚにすると、全長が１
５０ｍｍとなってしまう。
【００２３】このように、ＳＳＦＢＧは離散的にＦＢＧ
を刻むものである。これらのＦＢＧはその屈折率変調に
一定の位相関係を持たなければならないため、１つの固
定した位相マスクに紫外光を離散的に照射することで実
現する。したがって、ＳＳＦＢＧの全長は位相マスクの
長さにより制限される。つぎに、位相マスクの長さに制
限されないＳＳＦＢＧ作製法として、位相マスク走査法
を説明する。
を刻むものである。これらのＦＢＧはその屈折率変調に
一定の位相関係を持たなければならないため、１つの固
定した位相マスクに紫外光を離散的に照射することで実
現する。したがって、ＳＳＦＢＧの全長は位相マスクの
長さにより制限される。つぎに、位相マスクの長さに制
限されないＳＳＦＢＧ作製法として、位相マスク走査法
を説明する。
【００２４】図６に、位相マスクの走査によるＳＳＦＢ
Ｇ作製法の説明図を示す。また、図７に、ＳＳＦＢＧの
特性図を示す。以下に、マスク走査の具体的工程を説明
する。上述ではマスクと光ファイバーの相対位置を固定
して、ビームを走査しているので、マスクの長さ以上の
ＳＳＦＢＧは描けない。そこで、まず図４と同様に、マ
スクと光ファイバーの相対位置を固定してビームを走査
する（ステップ１）。この場合のＳＳＦＢＧの特性図を
図７（ａ）に示す。その次に、マスクと光ファイバーの
相対位置を光ファイバーの長さ方向に対して動かす（ス
テップ２）。そして、ステップ１と同じようにマスクと
光ファイバーの相対位置を固定してビームを走査する。
走査するための構成は、例えば、マスクと光ファイバー
をそれぞれ別の稼働ステージに固定して、ＰＣ制御で別
々に動かすことで実現できる。次に、位相ずれを補正・
整合するために、マスクをはずし、光ファイバーに一様
な紫外光ビームを当てることにより、一様に屈折率を変
えることができ、その部分の光学長を変化させ位相シフ
トを与える（ステップ３）。位相シフトを与える位置
は、第１のＳＳＦＢＧと第２のＳＳＦＢＧの間の適当な
場所でよい。位相シフト量は紫外光ビーム照射時間（あ
るいは光パルス数）で決まり、必要な位相シフト量が達
成できたかどうかは反射スペクトラムを観察しながら決
める。以上のステップを繰り返すことにより、自由な長
さのＳＳＦＢＧが作成できる。図７（ｂ）に示すよう
に、もともとのＳＳＦＢＧの反射率が１に近い場合、ス
テップ３の工程後は、包絡線幅が広がる。
Ｇ作製法の説明図を示す。また、図７に、ＳＳＦＢＧの
特性図を示す。以下に、マスク走査の具体的工程を説明
する。上述ではマスクと光ファイバーの相対位置を固定
して、ビームを走査しているので、マスクの長さ以上の
ＳＳＦＢＧは描けない。そこで、まず図４と同様に、マ
スクと光ファイバーの相対位置を固定してビームを走査
する（ステップ１）。この場合のＳＳＦＢＧの特性図を
図７（ａ）に示す。その次に、マスクと光ファイバーの
相対位置を光ファイバーの長さ方向に対して動かす（ス
テップ２）。そして、ステップ１と同じようにマスクと
光ファイバーの相対位置を固定してビームを走査する。
走査するための構成は、例えば、マスクと光ファイバー
をそれぞれ別の稼働ステージに固定して、ＰＣ制御で別
々に動かすことで実現できる。次に、位相ずれを補正・
整合するために、マスクをはずし、光ファイバーに一様
な紫外光ビームを当てることにより、一様に屈折率を変
えることができ、その部分の光学長を変化させ位相シフ
トを与える（ステップ３）。位相シフトを与える位置
は、第１のＳＳＦＢＧと第２のＳＳＦＢＧの間の適当な
場所でよい。位相シフト量は紫外光ビーム照射時間（あ
るいは光パルス数）で決まり、必要な位相シフト量が達
成できたかどうかは反射スペクトラムを観察しながら決
める。以上のステップを繰り返すことにより、自由な長
さのＳＳＦＢＧが作成できる。図７（ｂ）に示すよう
に、もともとのＳＳＦＢＧの反射率が１に近い場合、ス
テップ３の工程後は、包絡線幅が広がる。
【００２５】この位相マスク走査法について検証を行っ
た。ＵＶ光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）を用い、位相マスクのピッチは１０７４ｎｍでＬｇ
＝０．３ｍｍ、Ｌｓ＝３．０ｍｍのＳＳＦＢＧを作製し
た。図８に、位相整合のための紫外光照射前と後の反射
スペクトル図を示す。図８（ａ）のように、整合を取る
前、つまり単純に位相マスクを走査することにより２つ
のＳＳＦＢＧを結合した場合、２つのＳＳＦＢＧが干渉
しあうため反射ピークが分裂する。そこで、その後位相
整合をとると、図８（ｂ）のように理想的なくし型フィ
ルタが実現できることがわかる。また、位相調整をする
前は反射帯域外の余分なサイドローブが大きく生じてい
たものが、位相調整により抑圧できている。したがっ
て、位相マスクを走査することにより、２倍の長さの位
相マスクにより作製したＳＳＦＢＧと同じ特性を持つＳ
ＳＦＢＧが作製できる。
た。ＵＶ光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）を用い、位相マスクのピッチは１０７４ｎｍでＬｇ
＝０．３ｍｍ、Ｌｓ＝３．０ｍｍのＳＳＦＢＧを作製し
た。図８に、位相整合のための紫外光照射前と後の反射
スペクトル図を示す。図８（ａ）のように、整合を取る
前、つまり単純に位相マスクを走査することにより２つ
のＳＳＦＢＧを結合した場合、２つのＳＳＦＢＧが干渉
しあうため反射ピークが分裂する。そこで、その後位相
整合をとると、図８（ｂ）のように理想的なくし型フィ
ルタが実現できることがわかる。また、位相調整をする
前は反射帯域外の余分なサイドローブが大きく生じてい
たものが、位相調整により抑圧できている。したがっ
て、位相マスクを走査することにより、２倍の長さの位
相マスクにより作製したＳＳＦＢＧと同じ特性を持つＳ
ＳＦＢＧが作製できる。
【００２６】つぎに、図９に、ＳＳＦＢＧの反射スペク
トル図を示す。図９（ａ）は、従来法により作製した長
さ３０ｍｍのＳＳＦＢＧ、図９（ｂ）は、走査位相マス
ク法により図９（ａ）のＳＳＦＢＧを３つ結合して長さ
９０ｍｍにしたＳＳＦＢＧの反射スペクトル図である。
図示のように、結合後もきれいなくし型フィルタになっ
ていることがわかる。このように、もともとのＳＳＦＢ
Ｇの反射率が小さい場合、包絡線幅は変わらず反射率が
高くなる。
トル図を示す。図９（ａ）は、従来法により作製した長
さ３０ｍｍのＳＳＦＢＧ、図９（ｂ）は、走査位相マス
ク法により図９（ａ）のＳＳＦＢＧを３つ結合して長さ
９０ｍｍにしたＳＳＦＢＧの反射スペクトル図である。
図示のように、結合後もきれいなくし型フィルタになっ
ていることがわかる。このように、もともとのＳＳＦＢ
Ｇの反射率が小さい場合、包絡線幅は変わらず反射率が
高くなる。
【００２７】４．チャープト−ＳＳＦＢＧ（Chirped-SS
FBG） 上述の実施の形態では、屈折率の変調周期が同じＦＢＧ
を離散的に作製した通常のＳＳＦＢＧを作製したが、こ
の位相マスク走査法を用いれば様々なＳＳＦＢＧが作製
できる。たとえば、Chirped-SSFBGなどは特に容易に作
製できる。Chirped-SSFBGとは、屈折率の変調周波数を
少しずつ変化させたＦＢＧを離散的に作製したものであ
る。この変化させる周波数自体に周期性を持たせ、広帯
域なくし型反射光フィルタを実現することができる。ま
た、このChirped-SSFBGは、光ファイバーの分散補償器
に応用することができる。
FBG） 上述の実施の形態では、屈折率の変調周期が同じＦＢＧ
を離散的に作製した通常のＳＳＦＢＧを作製したが、こ
の位相マスク走査法を用いれば様々なＳＳＦＢＧが作製
できる。たとえば、Chirped-SSFBGなどは特に容易に作
製できる。Chirped-SSFBGとは、屈折率の変調周波数を
少しずつ変化させたＦＢＧを離散的に作製したものであ
る。この変化させる周波数自体に周期性を持たせ、広帯
域なくし型反射光フィルタを実現することができる。ま
た、このChirped-SSFBGは、光ファイバーの分散補償器
に応用することができる。
【００２８】つぎに、従来の位相マスク固定法によるCh
irped-SSFBGの作製手順と、今回提案する位相マスク走
査法による作製手順を比較する。図１０に、Chirped-SS
FBGの作製方法の説明図を示す。図１０（ａ）は、従来
の位相マスク固定法によるChirped-SSFBG作製方法、図
１０（ｂ）は、本実施の形態の走査位相マスク法による
Chirped-SSFBG作製方法である。複数の矢印は、紫外光
ビームを出力し、一度に複数のビームで照射するのでは
なく、１本の紫外光ビームを移動させて必要な部分だけ
にＦＢＧを描くようにしている。なお、同時に複数ビー
ムを照射してもよい。位相マスクは、グレーティング周
期の変化するものを用いる。
irped-SSFBGの作製手順と、今回提案する位相マスク走
査法による作製手順を比較する。図１０に、Chirped-SS
FBGの作製方法の説明図を示す。図１０（ａ）は、従来
の位相マスク固定法によるChirped-SSFBG作製方法、図
１０（ｂ）は、本実施の形態の走査位相マスク法による
Chirped-SSFBG作製方法である。複数の矢印は、紫外光
ビームを出力し、一度に複数のビームで照射するのでは
なく、１本の紫外光ビームを移動させて必要な部分だけ
にＦＢＧを描くようにしている。なお、同時に複数ビー
ムを照射してもよい。位相マスクは、グレーティング周
期の変化するものを用いる。
【００２９】従来の位相マスク固定法では、作製するCh
irped-ＳＳＦＢＧと同じ長さの位相マスクが必要であ
り、図１０(a)のように回折格子の周期が周期的に変化
した位相マスクを作製する必要がある。これに対して本
実施の形態によれば、短い（例えば、全長の数分の１）
長さの位相マスクがあればよく、単純なChirped-FBG用
の位相マスク1つで十分である。そして、短い位相マス
クで複数の紫外光を照射した後、それを横にずらして再
び照射する。この実施の形態は、上述の実施の形態と同
様であるが、描いているＳＳＦＢＧが異なる。また、上
述と同様に、位相マスクの複数位置における位相整合の
ための一様な紫外光の照射が必要である。
irped-ＳＳＦＢＧと同じ長さの位相マスクが必要であ
り、図１０(a)のように回折格子の周期が周期的に変化
した位相マスクを作製する必要がある。これに対して本
実施の形態によれば、短い（例えば、全長の数分の１）
長さの位相マスクがあればよく、単純なChirped-FBG用
の位相マスク1つで十分である。そして、短い位相マス
クで複数の紫外光を照射した後、それを横にずらして再
び照射する。この実施の形態は、上述の実施の形態と同
様であるが、描いているＳＳＦＢＧが異なる。また、上
述と同様に、位相マスクの複数位置における位相整合の
ための一様な紫外光の照射が必要である。
【００３０】通常のＳＳＦＢＧや、Chirped-SSFBGなど
を作製するために必要な長い位相マスクは、その作製段
階において溝（回折格子）の周期性に多少なりとも誤差
が生じる。これは、現時点での位相マスクの作製技術の
限界(スティッチング・エラー)によるものである。この
誤差によりＳＳＦＢＧの設計性は悪化する。しかし、本
実施の形態は短い位相マスクを用いるため、ほとんど溝
（回折格子）の周期性に誤差のない位相マスクでＳＳＦ
ＢＧの作製が可能である。この点においても、位相マス
ク走査法は、有効なＳＳＦＢＧ作製方法である。
を作製するために必要な長い位相マスクは、その作製段
階において溝（回折格子）の周期性に多少なりとも誤差
が生じる。これは、現時点での位相マスクの作製技術の
限界(スティッチング・エラー)によるものである。この
誤差によりＳＳＦＢＧの設計性は悪化する。しかし、本
実施の形態は短い位相マスクを用いるため、ほとんど溝
（回折格子）の周期性に誤差のない位相マスクでＳＳＦ
ＢＧの作製が可能である。この点においても、位相マス
ク走査法は、有効なＳＳＦＢＧ作製方法である。
【００３１】５. 多点位相シフト法
次に、多点型位相シフト(ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧ = Multipl
e phase shift SSFBG)法によるＳＳＦＢＧ(ＭＰＳ-ＳＳ
ＦＢＧ)について説明する。ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧは、通常
のＳＳＦＢＧと同じく反射くし型フィルタであるが、従
来型のＳＳＦＢＧに比べてより短い長さで同じ特性を実
現できるという画期的な方法である。ＳＳＦＢＧは離散
的にＦＢＧを作製して作られるため、チャネル間隔の狭
い高密度なＳＳＦＢＧでは各々のＦＢＧの間隔が長くな
り、この部分が無駄になる。そこで、本実施の形態のＭ
ＰＳ法ではＦＢＧ間に適切な位相シフトを与えること
で、ＦＢＧ間隔を短く保ったままでチャネル間隔を高密
度化できる方法であり、効率よく光ファイバーを用いる
ことができる。
e phase shift SSFBG)法によるＳＳＦＢＧ(ＭＰＳ-ＳＳ
ＦＢＧ)について説明する。ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧは、通常
のＳＳＦＢＧと同じく反射くし型フィルタであるが、従
来型のＳＳＦＢＧに比べてより短い長さで同じ特性を実
現できるという画期的な方法である。ＳＳＦＢＧは離散
的にＦＢＧを作製して作られるため、チャネル間隔の狭
い高密度なＳＳＦＢＧでは各々のＦＢＧの間隔が長くな
り、この部分が無駄になる。そこで、本実施の形態のＭ
ＰＳ法ではＦＢＧ間に適切な位相シフトを与えること
で、ＦＢＧ間隔を短く保ったままでチャネル間隔を高密
度化できる方法であり、効率よく光ファイバーを用いる
ことができる。
【００３２】上述のように、くし状反射スペクトルの包
絡線幅は離散的に作製されたＦＢＧの長さに反比例し、
チャネル間隔は作製したＦＢＧの間隔に反比例する。よ
り狭いチャネル間隔を得るためにはより大きな間隔でＦ
ＢＧを離散的に作製する必要がある。たとえば、全長５
０ｍｍで、反射率１００％、チャネル間隔１００ＧＨｚ
のスーパーストラクチャが得られるとする。このときチ
ャネル間隔５０ＧＨｚを得ようとすると、グレーティン
グ間隔、即ちＦＢＧ間隔を２倍にする必要があり、全長
を１００ｍｍにしなければならない。同様に、チャネル
間隔を３３．３ＧＨｚにすると、全長が１５０ｍｍとな
ってしまう。
絡線幅は離散的に作製されたＦＢＧの長さに反比例し、
チャネル間隔は作製したＦＢＧの間隔に反比例する。よ
り狭いチャネル間隔を得るためにはより大きな間隔でＦ
ＢＧを離散的に作製する必要がある。たとえば、全長５
０ｍｍで、反射率１００％、チャネル間隔１００ＧＨｚ
のスーパーストラクチャが得られるとする。このときチ
ャネル間隔５０ＧＨｚを得ようとすると、グレーティン
グ間隔、即ちＦＢＧ間隔を２倍にする必要があり、全長
を１００ｍｍにしなければならない。同様に、チャネル
間隔を３３．３ＧＨｚにすると、全長が１５０ｍｍとな
ってしまう。
【００３３】それに比べて、本実施の形態のＭＰＳ-Ｓ
ＳＦＢＧは、通常のＳＳＦＢＧの適切な場所に位相シフ
トを与えたもので、これは全体の反射率をあまり下げる
ことなく、またＳＳＦＢＧの全長も維持したままチャネ
ル間隔を狭く高密度化できる方法である。つまり、チャ
ネル間隔を１００ＧＨｚ、５０ＧＨｚ、３３．３ＧＨｚ
と狭めても、全長は変わらない。
ＳＦＢＧは、通常のＳＳＦＢＧの適切な場所に位相シフ
トを与えたもので、これは全体の反射率をあまり下げる
ことなく、またＳＳＦＢＧの全長も維持したままチャネ
ル間隔を狭く高密度化できる方法である。つまり、チャ
ネル間隔を１００ＧＨｚ、５０ＧＨｚ、３３．３ＧＨｚ
と狭めても、全長は変わらない。
【００３４】以下に、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの設計手順を
説明する。はじめに、得たいチャネル間隔や帯域などか
ら、上述のような実施の形態のＳＳＦＢＧ設計を行う。
このとき、各々のＦＢＧ間隔Ｌｇ、ＦＢＧ長Ｌｇ、ＦＢ
Ｇの個数ＮＦＢＧ個、ＳＳＦＢＧの全長Ｌ
ＳＳＦＢＧ（≒Ｌｇ×ＮＦＢＧ）のＳＳＦＢＧが作製さ
れたとする。通常のＳＳＦＢＧは各々のＦＢＧの間が有
効に利用されていないため、必然的に全長が長くなって
しまう。したがって、このようなＦＢＧの間に新たにＦ
ＢＧを集積してＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを実現し全長を１／
ｍ（ｍ＝２，３，．．．）にするために必要な手順を以
下に述べる。
説明する。はじめに、得たいチャネル間隔や帯域などか
ら、上述のような実施の形態のＳＳＦＢＧ設計を行う。
このとき、各々のＦＢＧ間隔Ｌｇ、ＦＢＧ長Ｌｇ、ＦＢ
Ｇの個数ＮＦＢＧ個、ＳＳＦＢＧの全長Ｌ
ＳＳＦＢＧ（≒Ｌｇ×ＮＦＢＧ）のＳＳＦＢＧが作製さ
れたとする。通常のＳＳＦＢＧは各々のＦＢＧの間が有
効に利用されていないため、必然的に全長が長くなって
しまう。したがって、このようなＦＢＧの間に新たにＦ
ＢＧを集積してＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを実現し全長を１／
ｍ（ｍ＝２，３，．．．）にするために必要な手順を以
下に述べる。
【００３５】まず、先の設計で得たＦＢＧ間隔Ｌｇを１
／ｍに短縮し、ＮＦＢＧ個のＦＢＧを離散的に作製する
ことで全長を１／ｍにする。このままでは、チャネル間
隔はｍ倍に拡大する。そこで、ｋ番目のＦＢＧとｋ＋１
番目のＦＢＧの間に、次式の位相シフトφｋを与える。 φｋ＝２π（ｋ−１）／ｍ （０≦ｋ≦ＮＦＢＧ）
／ｍに短縮し、ＮＦＢＧ個のＦＢＧを離散的に作製する
ことで全長を１／ｍにする。このままでは、チャネル間
隔はｍ倍に拡大する。そこで、ｋ番目のＦＢＧとｋ＋１
番目のＦＢＧの間に、次式の位相シフトφｋを与える。 φｋ＝２π（ｋ−１）／ｍ （０≦ｋ≦ＮＦＢＧ）
【００３６】一様な紫外光ビームを光ファイバーの一部
に照射すると、その部分の屈折率が一様に変わるので、
その部分の光学長ｎＬが変化し、位相シフトが起こる。
ここで、位相シフトとは、その部分での光の位相回転が
変化（シフト）することをいう。０、２π／３、４π／
３等のそれぞれ必要な位相シフト量が達成できたかどう
かは、光スペクトラムアナライザを用いて反射スペクト
ラムを観察しながら決める。
に照射すると、その部分の屈折率が一様に変わるので、
その部分の光学長ｎＬが変化し、位相シフトが起こる。
ここで、位相シフトとは、その部分での光の位相回転が
変化（シフト）することをいう。０、２π／３、４π／
３等のそれぞれ必要な位相シフト量が達成できたかどう
かは、光スペクトラムアナライザを用いて反射スペクト
ラムを観察しながら決める。
【００３７】ここで、図１１に、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧに
おける光ファイバー軸方向の屈折率と位相シフトの説明
図を示す。上式により、図示のような鋸状の位相シフト
量が与えられる。与えられる位相シフト量が２πを越え
ると折り返すことができる。これにより、チャネル間隔
を設計通りに保ち、反射率もほぼ保ったまま、全長を１
／ｍにできる。
おける光ファイバー軸方向の屈折率と位相シフトの説明
図を示す。上式により、図示のような鋸状の位相シフト
量が与えられる。与えられる位相シフト量が２πを越え
ると折り返すことができる。これにより、チャネル間隔
を設計通りに保ち、反射率もほぼ保ったまま、全長を１
／ｍにできる。
【００３８】つぎに、図１２に、ＳＳＦＢＧとＭＰＳ−
ＳＳＦＢＧとの比較に関する説明図を示す。この図は、
ｍ＝２，３としたときのＭＰＳ−ＳＳＦＢＧとＳＳＦＢ
Ｇを比較したものである。図１２中、右図は波長に対す
る反射率、中図は、通常又は上述の実施の形態により作
製されたＳＳＦＢＧ、左図は、多点型位相シフト技術に
よるＳＳＦＢＧをそれぞれ示す。
ＳＳＦＢＧとの比較に関する説明図を示す。この図は、
ｍ＝２，３としたときのＭＰＳ−ＳＳＦＢＧとＳＳＦＢ
Ｇを比較したものである。図１２中、右図は波長に対す
る反射率、中図は、通常又は上述の実施の形態により作
製されたＳＳＦＢＧ、左図は、多点型位相シフト技術に
よるＳＳＦＢＧをそれぞれ示す。
【００３９】図１２（ａ）は、ＳＳＦＢＧの元の長さ
で、位相シフトを与えていない場合を示す。図１２
（ｂ）は、ＦＢＧ間隔を２倍（ｍ＝２）をした場合を示
す。このとき、チャネル間隔は１／２（１／ｍ）にな
る。通常又は上述のＳＳＦＢＧ作製法によると、全長が
２倍となるが、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧでは、各ＦＢＧ間に
０、π．．．の位相シフトを与えることで、同じ全長の
ままチャネル間隔を１／２（１／ｍ）とすることができ
る。同様に、図１２（ｃ）は、ＦＢＧ間隔を３倍（ｍ＝
３）とした場合を示す。このとき、チャネル間隔は１／
３（１／ｍ）になる。各ＦＢＧ間に０、２π／３、４π
／３、．．．の位相シフトを与えることで、同じ全長の
ままチャネル間隔を１／３（１／ｍ）とすることができ
る。
で、位相シフトを与えていない場合を示す。図１２
（ｂ）は、ＦＢＧ間隔を２倍（ｍ＝２）をした場合を示
す。このとき、チャネル間隔は１／２（１／ｍ）にな
る。通常又は上述のＳＳＦＢＧ作製法によると、全長が
２倍となるが、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧでは、各ＦＢＧ間に
０、π．．．の位相シフトを与えることで、同じ全長の
ままチャネル間隔を１／２（１／ｍ）とすることができ
る。同様に、図１２（ｃ）は、ＦＢＧ間隔を３倍（ｍ＝
３）とした場合を示す。このとき、チャネル間隔は１／
３（１／ｍ）になる。各ＦＢＧ間に０、２π／３、４π
／３、．．．の位相シフトを与えることで、同じ全長の
ままチャネル間隔を１／３（１／ｍ）とすることができ
る。
【００４０】このＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの検証を行った。
ＵＶ光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を
用い、位相マスク固定法によりＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの作
製を行った。今回作製したＭＰＳ−ＳＳＦＢＧはｍ＝
２、Ｌｇ＝０．３［ｍｍ］、Ｌ ｓ＝３．０［ｍｍ］、Ｎ
ＦＢＧ＝１５であり、位相マスクのピッチは１０７４
［ｎｍ］である。
ＵＶ光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を
用い、位相マスク固定法によりＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの作
製を行った。今回作製したＭＰＳ−ＳＳＦＢＧはｍ＝
２、Ｌｇ＝０．３［ｍｍ］、Ｌ ｓ＝３．０［ｍｍ］、Ｎ
ＦＢＧ＝１５であり、位相マスクのピッチは１０７４
［ｎｍ］である。
【００４１】図１３に、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの作製（ｍ
＝２）の説明図を示す。これは、図１２（ｂ）に対応す
る場合である。まず、通常のＳＳＦＢＧの作製方法に従
って作製した、位相シフトを与える前のＳＳＦＢＧの反
射スペクトルを図１３（ａ−１，２）に示す。図１３
（ａ，ｂ，ｃ−２）は、図１３（ａ，ｂ，ｃ−１）の拡
大図である。この例ではｍ＝２のＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを
作製したため、グレーティングの間に与える位相シフト
量はφｋ＝０，π，０，π，０，π，０，π，．．．．
となる。πの位相シフトを完全に与える前、つまり途中
過程であり、φｋ≒０，π／２，０，π／２，０，π／
２，０，π／２，．．．．の位相シフトを与えた状態の
反射スペクトルを図１３（ｂ−１，２）に示す。元々の
チャネルの間に新しいチャネルが成長していく様子がわ
かる。最終的に設計した位相シフトを完全に与えた際の
反射スペクトルを図１３（ｃ−１，２）に示す。図１３
（ａ−１，２）と比較すると、チャネル間隔が半分にな
り、設計どおりの反射スペクトルが得られていることが
わかる。
＝２）の説明図を示す。これは、図１２（ｂ）に対応す
る場合である。まず、通常のＳＳＦＢＧの作製方法に従
って作製した、位相シフトを与える前のＳＳＦＢＧの反
射スペクトルを図１３（ａ−１，２）に示す。図１３
（ａ，ｂ，ｃ−２）は、図１３（ａ，ｂ，ｃ−１）の拡
大図である。この例ではｍ＝２のＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを
作製したため、グレーティングの間に与える位相シフト
量はφｋ＝０，π，０，π，０，π，０，π，．．．．
となる。πの位相シフトを完全に与える前、つまり途中
過程であり、φｋ≒０，π／２，０，π／２，０，π／
２，０，π／２，．．．．の位相シフトを与えた状態の
反射スペクトルを図１３（ｂ−１，２）に示す。元々の
チャネルの間に新しいチャネルが成長していく様子がわ
かる。最終的に設計した位相シフトを完全に与えた際の
反射スペクトルを図１３（ｃ−１，２）に示す。図１３
（ａ−１，２）と比較すると、チャネル間隔が半分にな
り、設計どおりの反射スペクトルが得られていることが
わかる。
【００４２】図１４に、ＭＰＳ−ＳＳＦＢＧの作製（ｍ
＝３）の説明図を示す。これは、図１２（ｃ）に対応す
る場合である。まず、通常のＳＳＦＢＧの作製方法に従
って作製した、位相シフトを与える前のＳＳＦＢＧの反
射スペクトルを図１４（ａ）に示す。この例ではｍ＝３
のＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを作製したため、グレーティング
の間に与える位相シフト量はφｋ＝０，２π／３，４π
／３，０，２π／３，４π／３，０，．．．．となる。
最終的に設計した位相シフトを完全に与えた際の反射ス
ペクトルを図１３（ｂ）に示す。図１３（ａ）と比較す
ると、チャネル間隔が１／３になり、設計どおりの反射
スペクトルが得られていることがわかる。
＝３）の説明図を示す。これは、図１２（ｃ）に対応す
る場合である。まず、通常のＳＳＦＢＧの作製方法に従
って作製した、位相シフトを与える前のＳＳＦＢＧの反
射スペクトルを図１４（ａ）に示す。この例ではｍ＝３
のＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを作製したため、グレーティング
の間に与える位相シフト量はφｋ＝０，２π／３，４π
／３，０，２π／３，４π／３，０，．．．．となる。
最終的に設計した位相シフトを完全に与えた際の反射ス
ペクトルを図１３（ｂ）に示す。図１３（ａ）と比較す
ると、チャネル間隔が１／３になり、設計どおりの反射
スペクトルが得られていることがわかる。
【００４３】このＭＰＳ−ＳＳＦＢＧを用いると、チャ
ネル数を数倍に増やして高密度化することができる。し
かも、光ファイバーと位相マスクを有効に使用できた
め、作製のコストダウンにもつながる。最近の微細加工
技術の向上により位相マスクに位相シフトを精密に与え
ることが可能となっている。したがって、ＭＰＳ−ＳＳ
ＦＢＧを作る際に与える位相シフトを位相マスク自体に
与えることで、短い位相マスクでも高密度化な光ファイ
バーくし型反射フィルタを作製することもできる。
ネル数を数倍に増やして高密度化することができる。し
かも、光ファイバーと位相マスクを有効に使用できた
め、作製のコストダウンにもつながる。最近の微細加工
技術の向上により位相マスクに位相シフトを精密に与え
ることが可能となっている。したがって、ＭＰＳ−ＳＳ
ＦＢＧを作る際に与える位相シフトを位相マスク自体に
与えることで、短い位相マスクでも高密度化な光ファイ
バーくし型反射フィルタを作製することもできる。
【００４４】以上の説明では、所望の位相シフトを光フ
ァイバーに与えるために、光スペクトラムアナライザを
観察しながら、レーザ出力を調整するようにしていた。
これを自動的にコンピュータにより実行させることも可
能である。
ァイバーに与えるために、光スペクトラムアナライザを
観察しながら、レーザ出力を調整するようにしていた。
これを自動的にコンピュータにより実行させることも可
能である。
【００４５】図１５に、作製装置の他の構成図を示す。
これは、上述の実施の形態の作製装置の構成に、さら
に、制御部３０と照射調整部４０とを備え、稼動ステー
ジ４を位相マスク用稼動ステージ４−１及び光ファイバ
ー用稼動ステージ４−２に置換えたたものである。
これは、上述の実施の形態の作製装置の構成に、さら
に、制御部３０と照射調整部４０とを備え、稼動ステー
ジ４を位相マスク用稼動ステージ４−１及び光ファイバ
ー用稼動ステージ４−２に置換えたたものである。
【００４６】制御部３０は、光スペクトラムアナライザ
５の測定結果を内部のインタフェースを介して入力す
る。入力された波長に対する反射率に基づき、レーザ１
の出力時間、パルスエネルギー、繰返し周波数、ビーム
サイズ等のいずれか又は複数を調整する。さらに、制御
部３０は、所定の位置にレーザ１の紫外光を照射するよ
うに照射調整部４０を制御することができる。さらに、
制御部３０は、稼動ステージ４−１及び４−２を移動制
御することで、位相マスク３と光ファイバー１０の相対
位置を制御することが可能である。また、光ファイバー
１０を固定する制御を行なうことも可能である。このよ
うな構成により、所定の位置への位相マスクの移動、位
相シフト量調整、レーザ照射の調整等が制御される。
５の測定結果を内部のインタフェースを介して入力す
る。入力された波長に対する反射率に基づき、レーザ１
の出力時間、パルスエネルギー、繰返し周波数、ビーム
サイズ等のいずれか又は複数を調整する。さらに、制御
部３０は、所定の位置にレーザ１の紫外光を照射するよ
うに照射調整部４０を制御することができる。さらに、
制御部３０は、稼動ステージ４−１及び４−２を移動制
御することで、位相マスク３と光ファイバー１０の相対
位置を制御することが可能である。また、光ファイバー
１０を固定する制御を行なうことも可能である。このよ
うな構成により、所定の位置への位相マスクの移動、位
相シフト量調整、レーザ照射の調整等が制御される。
【００４７】つぎに、本発明の応用について、以下に例
示する。例えば、本発明は、光多重通信における、多波
長フィルター、分波・合波、ＷＤＭ通信用のＡＤＭ(add
/drop multiplexer)光増幅器の利得均一化、分散補償フ
ィルター、利得等化器などに応用可能である。また、本
発明は、光通信用光源としては、多波長光源用フィルタ
ー、半導体レーザ、ファイバーレーザなどのレーザの波
長選択、波長安定化、波長一括分散保証に応用できる。
さらに、本発明は、ファイバーセンサとしては、ひずみ
等を測定するなど、多くの応用が考えられている。
示する。例えば、本発明は、光多重通信における、多波
長フィルター、分波・合波、ＷＤＭ通信用のＡＤＭ(add
/drop multiplexer)光増幅器の利得均一化、分散補償フ
ィルター、利得等化器などに応用可能である。また、本
発明は、光通信用光源としては、多波長光源用フィルタ
ー、半導体レーザ、ファイバーレーザなどのレーザの波
長選択、波長安定化、波長一括分散保証に応用できる。
さらに、本発明は、ファイバーセンサとしては、ひずみ
等を測定するなど、多くの応用が考えられている。
【００４８】
【発明の効果】本発明によると、以上のように、位相マ
スク長により制限されないスーパーストラクチャー・フ
ァイバー・ブラッグ・グレーティング作製方法及び作製
装置を提供することができる。
スク長により制限されないスーパーストラクチャー・フ
ァイバー・ブラッグ・グレーティング作製方法及び作製
装置を提供することができる。
【図１】位相マスク法によるＦＢＧの作製についての説
明図。
明図。
【図２】ＳＳＦＢＧの作製系の構成図。
【図３】伝送マスクと光ファイバーとの固定についての
説明図。
説明図。
【図４】ＳＳＦＢＧの概念図。
【図５】ＳＳＦＢＧの特性図。
【図６】位相マスクの走査によるＳＳＦＢＧ作製法の説
明図。
明図。
【図７】ＳＳＦＢＧに特性図。
【図８】位相整合のための紫外光照射前と後の反射スペ
クトル図。
クトル図。
【図９】ＳＳＦＢＧの反射スペクトル図。
【図１０】Chirped-SSFBGの作製方法の説明図。
【図１１】ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧにおける光ファイバー軸
方向の屈折率と位相シフトの説明図。
方向の屈折率と位相シフトの説明図。
【図１２】ＳＳＦＢＧとＭＰＳ-ＳＳＦＢＧとの比較に
関する説明図。
関する説明図。
【図１３】ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧの作製（ｍ＝２）の説明
図。
図。
【図１４】ＭＰＳ-ＳＳＦＢＧの作製（ｍ＝３）の説明
図。
図。
【図１５】作製装置の他の構成図。
１ レーザ
２ スリット
３ 位相マスク
４ 稼動ステージ
５ 光スペクトラムアナライザ
６ ＥＤＦＡ
７ サーキュレータ
１０ 光ファイバー
Claims (11)
- 【請求項１】グレーティングが形成された位相マスクと
光ファイバーの相対位置を第１の位置に固定する工程
と、 第１の位置において、レーザからの紫外光により位相マ
スクを介して所定のグレーティング幅の干渉光を形成
し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所定のグレ
ーティング間隔で複数箇所に照射することにより、ひと
つ又は複数の第１の光ファイバーグレーティングを形成
する工程と、 位相マスク及び／又は光ファイバーを光ファイバーの長
さ方向に移動させて、位相マスクと光ファイバーとの相
対位置を第２の位置に固定する工程と、 第２の位置において、レーザからの紫外光により位相マ
スクを介して所定のグレーティング幅の干渉光を形成
し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所定のグレ
ーティング間隔で複数箇所に照射することにより、ひと
つ又は複数の第２の光ファイバーグレーティングを形成
する工程と、 位相シフトを調整するために、第１の光ファイバーグレ
ーティングと第２の光ファイバーグレーティングとの間
において、位相マスクを介さずにレーザからの紫外光を
光ファイバーに照射することにより、位相をシフトする
領域を形成する工程とを含む光ファイバーグレーティン
グの作製方法。 - 【請求項２】隣接する光ファイバーグレーティングの間
に、必要とされる位相シフトを調整するために、位相マ
スクを介さずにレーザからの紫外光を光ファイバーに照
射することにより、位相をシフトする領域を形成する工
程をさらに含む請求項１に記載の光ファイバーグレーテ
ィングの作製方法。 - 【請求項３】スーパーストラクチャ光ファイバーグレー
ティングの全長又はチャネル間隔を１／ｍ（ｍ＝２，
３．．．）にする場合、ｋ番目とｋ＋１番目の光ファイ
バーグレーティングの間に、次式の位相シフトφｋを与
えることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバーグ
レーティングの作製方法。 φｋ＝２π（ｋ−１）／ｍ （ここで、０≦ｋ≦ＮＦＢＧ、ＮＦＢＧは光ファイバー
グレーティングの数、ただし、φｋは２πで折り返され
る） - 【請求項４】第１及び第２の光ファイバーグレーティン
グは、光ファイバーブラッググレーティングであり、ス
ーパーストラクチャ光ファイバーブラックグレーティン
グの全長により反射特性の包絡線幅を設定し、その間隔
によりチャネル間隔を設定することを特徴とする請求項
１に記載の光ファイバーグレーティングの作製方法。 - 【請求項５】光ファイバーは、高ゲルマニウムドープ及
び／又は水素処理した光ファイバーであることを特徴と
する請求項１に記載の光ファイバーグレーティングの作
製方法。 - 【請求項６】グレーティング周期の変化するグレーティ
ングを有する位相マスクを用いることを特徴とする請求
項１に記載の光ファイバーグレーティングの作製方法。 - 【請求項７】紫外光を照射するレーザと、 前記レーザからの紫外光の幅を調整するスリットと、 グレーティングが形成された位相マスクと、 光ファイバーと前記位相マスクとの相対位置を第１の位
置および第２の位置にそれぞれ固定するための稼動部
と、 前記レーザからの紫外光により前記スリット及び位相マ
スクを介して所定のグレーティング幅の干渉光を形成
し、その干渉光を光ファイバーに１箇所又は所定のグレ
ーティング間隔で複数箇所に照射するための照射調整部
とを備えた光ファイバーグレーティングの作製装置。 - 【請求項８】前記稼動部及び前記レーザ及び前記照射調
整部を制御する制御部をさらに備え、 前記制御部は、 前記稼動部を制御することにより、前記位相マスクと光
ファイバーの相対位置を第１の位置に固定するための手
段と、 前記レーザ、前記スリット及び前記照射調整部を制御す
ることにより、第１の位置において、前記レーザからの
紫外光により前記位相マスクを介して所定のグレーティ
ング幅の干渉光を形成し、その干渉光を光ファイバーに
１箇所又は所定のグレーティング間隔で複数箇所に照射
することにより、ひとつ又は複数の第１の光ファイバー
グレーティングを形成するための手段と、 前記稼動部を制御することにより、前記位相マスク及び
／又は光ファイバーを光ファイバーの長さ方向に移動さ
せて、位相マスクと光ファイバーとの相対位置を第２の
位置に固定するための手段と、 前記レーザ、前記スリット及び前記照射調整部を制御す
ることにより、第２の位置において、前記レーザからの
紫外光により前記位相マスクを介して所定のグレーティ
ング幅の干渉光を形成し、その干渉光を光ファイバーに
１箇所又は所定のグレーティング間隔で複数箇所に照射
することにより、ひとつ又は複数の第２の光ファイバー
グレーティングを形成するための手段と、 前記レーザ、前記スリット、前記照射調整部及び前記稼
動部を制御することにより、位相シフトを調整するため
に、第１の光ファイバーグレーティングと第２の光ファ
イバーグレーティングとの間において、前記位相マスク
を介さずに前記レーザからの紫外光を光ファイバーに照
射することにより、位相をシフトする領域を形成するた
めの手段とを備えた請求項７に記載の光ファイバーグレ
ーティングの作製装置。 - 【請求項９】光ファイバーの光スペクトルを測定するア
ナライザをさらに備え、 前記制御部は、前記アナライザからの測定出力に基づい
て、所望の位相シフト量が達成されるように前記レーザ
による照射出力を制御することを特徴とする請求項７又
は８に記載の光ファイバーグレーティングの作製装置。 - 【請求項１０】前記稼動部は、光ファイバーを固定して
その位置を移動するための第１稼動ステージと、前記位
相マスクを固定してその位置を移動するための第２稼動
ステージとを備えた請求項７に記載の光ファイバーグレ
ーティングの作製装置。 - 【請求項１１】前記位相マスクはグレーティング周期の
変化するグレーティングを有することを特徴とする請求
項７又は８に記載の光ファイバーグレーティングの作製
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194462A JP3754634B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光ファイバーグレーティングの作製方法及び作製装置、光ファイバーグレーティング |
| DE60232412T DE60232412D1 (de) | 2001-06-27 | 2002-05-29 | Verfahren zur herstellung eines faseroptischen gitters und herstellungseinrichtung dafür |
| EP02733242A EP1400819B1 (en) | 2001-06-27 | 2002-05-29 | Method of producing optical fiber grating and production device therefor |
| US10/482,590 US6973237B2 (en) | 2001-06-27 | 2002-05-29 | Method of producing optical fiber grating and production device therefor |
| PCT/JP2002/005210 WO2003003084A1 (fr) | 2001-06-27 | 2002-05-29 | Procede et dispositif pour produire un reseau de fibres optiques |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194462A JP3754634B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光ファイバーグレーティングの作製方法及び作製装置、光ファイバーグレーティング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003004926A true JP2003004926A (ja) | 2003-01-08 |
| JP3754634B2 JP3754634B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=19032598
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194462A Expired - Fee Related JP3754634B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 光ファイバーグレーティングの作製方法及び作製装置、光ファイバーグレーティング |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1400819B1 (ja) |
| JP (1) | JP3754634B2 (ja) |
| DE (1) | DE60232412D1 (ja) |
| WO (1) | WO2003003084A1 (ja) |
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| JP2011170026A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 光フィルタ、その製造方法及びその設計方法 |
| JP5978413B1 (ja) * | 2016-03-25 | 2016-08-24 | 株式会社フジクラ | 光ファイバグレーティングの製造装置及び製造方法 |
| CN105988153A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-10-05 | 濮阳光电产业技术研究院 | 一种在锥形光纤上制备切趾相移光栅的装置及其方法 |
| WO2019177114A1 (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバおよび光ファイバグレーティング |
| KR20190135714A (ko) * | 2018-05-29 | 2019-12-09 | 한국광기술원 | 대구경 광섬유 브래그 격자 형성장치 및 방법 |
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| WO2020090450A1 (ja) | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 住友電気工業株式会社 | スラント型ファイバグレーティング |
| US10908353B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and slanted fiber grating |
| WO2021215232A1 (ja) | 2020-04-20 | 2021-10-28 | 住友電気工業株式会社 | 利得等化フィルタ及び利得等化フィルタの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4784096B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2011-09-28 | 沖電気工業株式会社 | 光パルス時間拡散器及び光符号分割多重伝送装置 |
| KR100782879B1 (ko) * | 2006-12-07 | 2007-12-06 | 한국전자통신연구원 | 광섬유 브래그 격자 제조 장치 및 그 장치로 제조된 브래그격자를 갖는 광섬유 및 중적외선 광섬유 레이저 |
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| EP2136227B1 (en) * | 2008-06-18 | 2015-08-19 | National Research Council of Canada | High temperature stable fiber grating sensor and method for producing same |
| JP5228646B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2013-07-03 | 沖電気工業株式会社 | 光パルス時間拡散器 |
| US8036534B2 (en) | 2009-01-22 | 2011-10-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter outputting a plurality of signal light with a preset wavelength span |
| US9864139B1 (en) * | 2016-01-22 | 2018-01-09 | Seagate Technology Llc | Uniform laser direct writing for waveguides |
| US10288808B1 (en) | 2016-01-22 | 2019-05-14 | Seagate Technology Llc | Laser direct writing for non-linear waveguides |
| CA2978018A1 (en) * | 2016-09-02 | 2018-03-02 | National Research Council Of Canada | Automated system for trans-jacket fiber bragg grating inscription and manufacturing |
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