JP2002544373A - 重合体フィルムをパターン化する方法及びその方法の使用 - Google Patents

重合体フィルムをパターン化する方法及びその方法の使用

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Abstract

(57)【要約】 材料表面上にコーティングを形成する重合体フィルムをパターン化する方法であって、重合体の薄いフィルムを該表面上に付着し、パターン化は、エラストマー材料から形成されたスタンプを該薄いフィルム表面と正しく整合接触させて、該材料表面上に適用し、その結果、エラストマースタンプの１つまたはそれ以上のくぼみにより形成された１つまたはそれ以上の出っ張り要素が接触し、該薄いフィルムが該出っ張り要素または複数のその要素に結合されそしてその該スタンプを用いて該材料表面から除去されることにより起こる。材料表面上にパターン化された重合体を転写するための方法であって、薄いフィルム重合体をスタンプ表面に付着させ、該スタンプを該材料表面と正しく整合接触させて適用し、その結果、該エラストマースタンプの少なくとも１つのくぼみにより形成された１つまたはそれ以上の出っ張り要素から重合体の薄いフィルムが材料表面上に転写され、かくして材料表面からスタンプを取り除いたときに、材料表面上に重合体のパターン化された薄いフィルムを残す。金層上に重合体の薄いフィルムの形でエッチングレジストをパターン化するためのその使用。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、形成された少なくとも１つのくぼみ（ｉｄｅｎｔａｔｉｏｎ）を持
つ表面を有するスタンプによりパターン化（形模様づけ）を生じさせる、材料表
面上にコーティングを形成する重合体フィルムをパターン化するための方法に関
し、また形成された少なくとも１つのくぼみを持つ表面を有するスタンプにより
、材料表面上に、パターン化された重合体フィルムを転写させるための方法に関
する。本発明はまた、この種類の方法の使用に関する。
【０００２】 （背景技術） 電子素子において共役重合体を使用するには、これらをパターン化可能な薄い
フィルムに加工するための手段を必要とする。重合体ダイオードにおけるパター
ン化用導電性電極および半導電性重合体は、０．１〜５０μｍの解像度で、すべ
ての材料をパターン化することを必要とする。これは恐らくはフォトレジストの
助けをかりる古典的写真製版の使用により達成されることが出来るがしかし材料
の化学的エッチングおよび慣用のフォトレジストとの化学的適合性において幾つ
かの新しい問題が生ずる。それ故に、非写真製版技術を用いてこの材料をパター
ン化することが望ましいだろう。
【０００３】 パターン化するための新しい方法はエラストマースタンプに基づいている。こ
こでは、表面のパターン化は、スタンプと表面との間の正しい整合接触を必要と
する。これらの技術の多くの種々の変形が、特にハーバード大学でのＧ．Ｗｈｉ
ｔｅｓｉｄｅｓのグループからの著作（Ｙ．ＸｉａおよびＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄ
ｅｓによる、英語での、Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ国際版３７（５）
：５５１−５７５（１９９８）のＳｏｆｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；およびＹ
．ＸｉａおよびＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、Ａｎｎｕａｌ Ｒｅｖｉｅｗ
ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８：１５３−１８４（１９９
８）のＳｏｆｔ ｌｉｔｏｇｒａｐｈｙ）において文献化されている。
【０００４】 Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓのグループの仕事は、“表面上にミクロスタンプ化され
たパターンの形成および誘導物品”と題する米国特許第５，５１２，１３１号（
ＫｕｍａｒおよびＷｈｉｔｅｓｉｄｅｓ）に開示されている。この先行技術の文
献は、形成された少なくとも１つのくぼみを含む表面を有するスタンプを用意し
（スタンプ用表面に形成されたこのくぼみは第１パターンを規定する）；このス
タンプの表面を下記材料に結合するように選ばれた官能基で第１末端が終わって
いる分子種を用いてコーティングし；第１オリエンテーションで前記スタンプ用
表面を加工しそして下記材料表面部分に対して前記分子種を保持するように前記
材料表面部分を前記スタンプ用表面と接触させて前記材料部分に前記官能基を結
合させ、そして前記スタンプ用表面を取り除いて、前記材料表面上に第１オリエ
ンテーションにおいて第１パターンの自己集成分子種（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂ
ｌｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｐｅｃｉｅｓ）を提供する工程からなる、材料
表面をパターン化する方法を開示している。
【０００５】 この先行技術の開示は、自己集成単層を形成することが出来る化学種（この種
は特定の材料に結合するように選ばれた官能基を有する）がエラストマースタン
プのスタンプ用表面にコーティングされる方法に相当する。スタンプ用表面は材
料表面に対して置かれそして取り除かれて、スタンプのスタンプ用表面パターン
に従う該種の自己集成単層を残す。
【０００６】 さらに、従来の写真製版に助けを求めずに、付着された材料や表面をパターン
化するための多くの異なる先行技術の技術が知られている。
【０００７】 先行技術の追加の例として、Ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ
，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．５〜６，７１３−７１５（１９９８年１０月〜１２月）の
“接触方法を用いての重合体上の微小加工（Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｏｎ ｐｏｌｙｍｅｒ ｗｉｔｈ ａ ｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ
）”と題するＺｈａｎｇ，Ｌ．Ｇ．、Ｌｉｕ，Ｊ．Ｆ．およびＬｕ，Ｚ．Ｈ．に
よる論文は接触方法に基づいて厚さ対照（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ−ｃｏｎｔｒａｓ
ｔ）ミクロパターンの作成を開示している。重合体（ポリジメチルシロキサン）
ミクロポスト配列がマスターとしてグリッドを用いて作成される。エッチングに
頼らないこの接触方法は、微小加工の現在の限界を拡大する。また、重合体上の
厚さ対照ミクロパターンは、微小接触印刷を用いて、シリコンウエーハのような
他の基体上に複製化されることが出来る。
【０００８】 いわゆる雑用語でのソフト製版（ｓｏｆｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の中に
集められるこれらの技術は、軟質ゴムのスタンプをパターン化されるべき表面や
材料と直接接触させることによるパターン転写に基づいている。ソフト製版は、
微小接触印刷（μＣＰ）、複製成形（ＲＥＭ）および毛細管中ミクロ成形（ＭＩ
ＭＩＣ）（ｍｉｃｒｏｍｏｌｄｉｎｇ ｉｎ ｃａｐｉｌｌａｒｉｅｓ）を包含
する。そのパターン化技術は物理的接触に基づいていて、写真製版におけるよう
なマスクを通過させての光の投映ではない。解像度に対する基本的な限界は、表
面の相互作用（〜１０ｎｍ）を決定するファンデルワールス力の範囲に起因して
いて、界域限界平面図形（ｆａｉｒ−ｆｉｅｌｄ ｇｅｏｍｅｔｒｉｅｓ）（〜
０．５ｎｍ）における光の回折ではない。
【０００９】 微小接触印刷（μＣＰ）の重要な要素は、耐エッチング性有機分子の単分子層
の自己集成による形成である。アルカンチオール類は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕおよび
他の金属の表面上に分子の薄いフィルムを形成して化学吸着する、好ましい種で
ある。それらは、しっかりと結合される（がしかし高い温度でそして交換により
脱着されることが出来る）非常に薄い厚さ（１〜３ｎｍ）の層を形成する。これ
らのアルカン層は、レジストとして用いられる。即ち金属層はその分子フィルム
の下ではエッチングから保護されそしてそれが付着されていない場所では金属が
取り除かれる。レジスト層のパターン化は、順に、分子スタンプを用いて行われ
る。前の段階において出っ張りおよびへこみ要素を用いてパターン化されたポリ
（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）層は、アルカンチオール類の溶液にさらさ
れ；ゴムスタンプが短い時間表面上にプレスされ；アルカンチオール類は、緊密
な接触が得られた時、金表面と反応し；そして保護されたＡｕと保護されていな
いＡｕとのパターンが得られる。さてこの層は、溶液から保護されていない金表
面上に吸着する他のアルカンチオールにさらされる。パターン化された層が得ら
れる。その方法は、微小接触印刷（ｍｉｃｒｏｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｉｎｔｉｎ
ｇ）（μＣＰ）と呼ばれる。パターン化構造の形成が２、３秒で起こることが確
立された。
【００１０】 さて、そのパターン化された層は、選択性湿式エッチングにおける超薄レジス
トとしてあるいは湿潤化、脱湿潤化、核形成、他の材料の成長または析出の制御
のための型板として用いられることが出来る。Ａｕ層における３５ｎｍの溝（ト
レンチ）の最小寸法は、エッチング技術を用いて得られていた。
【００１１】 パターン化された自己集成単層（ＳＡＭｓ）は、局所表面の疎水性／親水性の
性質の制御を可能にしそしてそれ故に、材料の析出を制御するように働く。水は
表面の親水性部分上で凝縮し；これは規則正しい様式でパターン化された表面上
に水溶液からの物質を析出させることができる。同様に、有機重合体は、有機溶
媒から疎水性表面上に析出される。これらの方法の両方は、析出された材料のパ
ターン化された構造の形成を可能にする。核形成挙動を制御するＳＡＭｓ上への
選択的化学的蒸着（ＣＶＤ）方法は、セラミック類および金属類においてパター
ン形成のための他の方法である。たんぱく質および細胞はパターン化された表面
上に選択的に吸着される。
【００１２】 写真製版ではほとんど不可能である、平らでない表面を、この方法を用いてパ
ターン化することが容易である。曲率半径５０μｍのキャピラリーが、数ミクロ
ンのディメンジョンを有する構造でパターン化された。これは、平らな写真製版
の過酷性を取り除き、パターン化されそして平らでない表面上への一層複雑な構
造の構成を可能にする。
【００１３】 微小接触印刷は簡単で費用がかからずそして融通性がある、一層大きな構造（
＞２０μｍ）を用いて、ルーム内の設備の清潔化（クリーン化）が必要ない。ス
タンプは多くの回数使用されそして再使用されて高い忠実度の再現を提供する。
マスター構造は通常は、（いわゆる）“ネガ”を造るための型板として用いられ
るので、１つのマスターから多数の同一のスタンプを形成することが出来そして
これらの各々の１つは数百回用いられることが出来；それ故に、構造の複数の複
写および平行加工が可能である。その構造を生成するための資本コストは非常に
低い。マスターの製造は勿論、写真製版または電子ビーム製版のような他の製版
の技術を必要とするがしかしスタンプの複数化は平行生産ラインを提供する。微
小成形は堅い型よりもむしろソフトな且つ柔軟なシリコーンゴムが用いられる点
で古典的な成形に対して少し方向を変えての工夫である。この型材料の弾性およ
び低い表面エネルギーはそれが造られた構造体からそれを容易に取り出すことを
可能にする。３０ｎｍの寸法まで低下させた複製成形（ＲＥＭ）を得ることが出
来る。そのような方法は、回折格子、ミクロレンズ、フレネルレンズそして光の
回折および屈折について同様なデザインにおけるような光構造体を造るために用
いることが出来る。パターン化された型が液体先駆体で充たされ、過剰の液体が
除去され、型が表面に対してプレスされ、照射されるかまたは加熱されて重合化
する、ミクロトランスファー成形（μＴＭ）と称される技術を用いて、微小印刷
が最も良く得られる。液体先駆体は固体に変換された後に、型から引き剥がされ
る。この技術の僅かな修正（毛細管中微小成形：ＭＩＭＩＣ）において、接触し
ている構造体は、毛細管作用によりチャネルを充たしている、低い粘度の液体と
接触して置かれる。これらの液体は、ナノ級の粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ
ｓ）、またはゾル−ゲル変換のための溶液または溶液中の重合体を運ぶことが出
来る。固体への液体の変換後、型は取り除かれる。このとき、光化学処理または
熱処理による、得られた構造体の処理、例えば炭素物質への先駆体の変換が可能
である。残っている構造体は、このとき、（光学導波管のような）官能性素子ま
たは下にある材料をエッチングするために用いられるべきレジストであることが
出来る。この方法に対しての少し方向を変えての工夫であるＳＡＭＩＭ（溶媒助
力によるＭＩＭＩＣ）において溶媒がパターン化されるべきサンプル表面を変性
するために用いられそしてパターンは、構造が決められているミクロ型で規定さ
れる。
【００１４】 大きな面積にわたってそして低い欠陥密度で忠実な再現の非常に重要な面はい
まだに十分に解決されていない。チューリッヒのＩＢＭからの最近の報告におい
て１ミクロメーターのピッチの構造体がμＣＰまたはＭＩＭＩＣを用いて、１０
ｃｍ2の面積にわたって欠陥なしに忠実に複製されることが主張されている。
【００１５】 分子の単層のパターン化は最も優雅でありそしてこれらの先行技術の方法の新
規性であるがしかしあとでエッチングレジストおよび表面活性化素子のために用
いられる単層の転写に限られている。重合体パターンの転写は通常、ＭＩＭＩＣ
および微小接触印刷を用いて行われる。ＭＩＭＩＣにおいては、重合体先駆体は
、表面上へのスタンプの適用により規定されたチャネルを充たすことによりパタ
ーン化され；微小接触印刷においては、上下逆転したチャンネルに重合体（先駆
体）を充たし構造体が形成され、次にこれを表面上に転写する。機能的に変性さ
れた表面への重合体層の転写が報告された（Ｌ．Ｙａｎ、Ｗ．Ｔ．Ｓ．Ｈｕｃｋ
、Ｘ．Ｍ．ＺｈａｏおよびＧ．Ｍ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、Ｌａｎｇｍｕ
ｉｒ，１５（４）：１２０８−１２１４（１９９９）のＰａｔｔｅｒｉｎｇ ｔ
ｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｉｍｉｎｅ） ｏｎ
ａ ｒｅａｃｔｉｖｅ ＳＡＭ ｕｓｉｎｇ ｍｉｃｒｏｃｏｎｔａｃｔ ｐ
ｒｉｎｔｉｎｇ参照）。
【００１６】 単量体接着の疎水性／親水性変性を用いる、重合体そして特に共役重合体のパ
ターン化が報告された（Ｚ．Ｈｕａｎｇ、Ｐ．Ｃ．Ｗａｎｇ、Ｊ．Ｆｅｎｇ、Ａ
．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄ、Ｙ．ＸｉａおよびＧ．Ｍ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓ
による、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，８５（１−３）１３７５−１３７
６（１９９７）のＳｅｌｅｃｔｉｖｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｆｉｌｍ
ｓ ｏｆ ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ，ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ ａｎｄ ｎｉｃ
ｋｅｌ ｏｎ ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ／ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ ｐａｔｔｅ
ｒｅｎｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、そしてＺ
．Ｙ．Ｈｕａｎｇ、Ｐ．Ｃ．Ｗａｎｇ、Ａ．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄ、Ｙ．Ｎ
．ＸｉａおよびＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、Ｌａｎｇｍｕｉｒ，１３（２
４）：６４８０−６４８４（１９９７）のＳｅｌｅｃｔｉｖｅ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｏｎ ｈｙｄｒｏｘ
ｙｌ−ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ ｗｉｔｈ ｐｒｉｎｔｅｄ
ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ ｏｆ ａｌｋｙｌｓｉｌｏｘａｎｅｓ ａｓ ｔｅｍｐ
ｌａｔｅｓ参照）。これらのスタンプにおいて用いられる材料を有する分散液お
よび溶液から高品質の重合体を析出することは困難であろう；特に、クロロホル
ム中のポリ（ジメチルシロキサン）スタンプの膨潤はパターン化が望まれる電気
蛍光発光性重合体のために用いられる多くの発光性重合体のパターン化を防止す
る。これらの重合体は、しばしばクロロホルムのような溶媒中で溶媒和化される
。同様に、水溶性重合体のパターン化は、溶媒がエラストマー膜を通過すること
が必要とされるのでＭＩＭＩＣのような幾種かのソフト製版技術の使用を妨げる
（Ｙ．ＸｉａおよびＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、英語でのＡｎｇｅｗａｎ
ｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ国際版３７（５）：５５１−５７５（１９９８）のＳｏｆ
ｔ ｌｉｔｏｇｒａｐｈｙそしてＹ．Ｘｉａ及びＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによ
る、Ａｎｎｕａｌ Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ
，２８：１５３−１８４（１９９８）のＳｏｆｔ ｌｉｔｏｇｒａｐｈｙ）。ク
ロロホルムはスタンプを膨潤させそして転写されるべき微細なパターンを破壊す
る；他の極端において、水は極度に非極性のエラストマースタンプ中を容易に輸
送されず、パターン転写が妨げられる。それ故に、新規なパターン化方法が望ま
れる。
【００１７】 （発明の開示） 上記先行技術の方法の或る欠陥および限界を考慮にいれて、したがって本発明
の目的は、パターンを生成するために特にデザインされたスタンプを使用して、
簡単な且つ費用のかからない技術によって、材料の表面上に付着された重合体フ
ィルムに薄いフィルムのパターンを生成出来る方法を提供することである。特に
、本発明の他の目的は、初め、連続層として形成され、有利な電子的または光学
的性質を示す重合体の薄膜をパターン化して、例えば光電子ディスプレーにおい
てパターン電極または画素として使用することである。
【００１８】 最後に、基体の特定の処理を容易にするために、基体上に重合体のパターン化
された薄いフィルムを提供することがまた、本発明の目的である。
【００１９】 上記の目的および利点は下記の方法により実現される。 材料表面上に重合体の薄いフィルムを付着（ｄｅｐｏｓｉｔ）させ、エラスト
マー材料から形成されたスタンプをこの薄いフィルムの表面と正しく整合接触（
ｉｎ ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｃｏｎｔａｃｔ）させて該材料表面に適用し、その
結果、上記エラストマースタンプの少なくとも１つのくぼみにより形成されたエ
ラストマースタンプの１つまたはそれ以上の出っ張っている要素が接触し、この
薄いフィルムが該出っ張っている要素または複数のその要素に結合され、このス
タンプを用いて該材料表面から取り除かれることを特徴とする、本発明に従う重
合体フィルムをパターン化する方法。
【００２０】 本発明に従えば、重合体フィルムの結合（ｃｏｈｅｓｉｖｅ ｂｉｎｄｉｎｇ
）を減少させるために添加剤を加えて重合体を有利に変性することが出来、その
場合において、添加剤は水溶性有機化合物であることが出来るかあるいはエチレ
ングリコール、ポリ（エチレングリコール）、グリセロール、ソルビトール、ポ
リオールまたはそれらの任意の組み合わせの中から選ばれることが出来る。
【００２１】 本発明に従えば、該重合体は水溶性または分散された重合体あるいはそのドー
ピングされたまたはドーピングされていない状態での導伝性共役重合体あるいは
ポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）あるいはその共重
合体からの誘導体あるいはその単量体（ＥＤＯＴ）形を導入している１種または
それ以上の混合物であることが出来る。
【００２２】 本発明に従えば、材料表面とそこから取り除かれるべき重合体フィルムとの間
に弱い接着を提供するために、材料表面を変性することが有利でありそしてその
ときは、プラズマエッチングにより該材料表面を変性することが好ましい。
【００２３】 本発明に従えば、スタンプとそれに結合されるべき重合体フィルムとの間に強
い接着を提供するために、エラストマースタンプ表面を変性することがまた有利
でありそしてそのときはプラズマエッチングにより該エラストマースタンプ表面
を変性することが好ましい。
【００２４】 最後に、本発明に従って、重合体フィルムへの添加剤により、スタンプと重合
体フィルムとの間の接着が高められていることが有利であり、そのときは、添加
剤はグリセロールであることが好ましい。
【００２５】 上記の目的および利点はさらに重合体フィルムを転写する方法により実現され
る。この方法はスタンプ表面上に重合体の薄いフィルムを付着させ、エラストマ
ー材料から形成されたスタンプを材料表面と正しく整合接触させて適用し、その
結果、エラストマースタンプの少なくとも１つのくぼみにより形成されたエラス
トマースタンプの１つまたはそれ以上の出っ張っている要素から、重合体の薄い
フィルムが材料表面に転写されそしてそこからスタンプを取り除いたときに材料
表面上に重合体のパターン化された薄いフィルムを残す、ことを特徴とする。
【００２６】 本発明に従う上記方法において、重合体フィルムの結合を減少させるために、
添加剤を導入することにより重合体フィルムを変性することが有利であり、その
ときは、添加剤は水溶性有機化合物であることが好ましく、あるいはエチレング
リコール、ポリ（エチレングリコール）、グリセロール、ソノビトール、ボリオ
ールまたはそれらの任意の組み合わせの中から添加剤が選ばれるのが好ましい。
【００２７】 本発明に従う上記方法において、重合体フィルムは水溶性または分散された重
合体が有利であり、あるいはその重合体はドーピングされたまたはドーピングさ
れていない状態での導伝性共役重合体あるいはポリ（３，４−ジオキシエチレン
チオフェン）（ＰＥＤＯＴ）あるいはその共重合体からの誘導体あるいはその単
量体（ＥＤＯＴ）を導入している１種またはそれ以上の混合物であることが有利
である。
【００２８】 本発明に従う上記方法において、エラストマー表面とそれから除去されるべき
重合体フィルムとの間に弱い接着を提供するために、エラストマースタンプ表面
を変性することが有利でありそしてそのときはプラズマエッチングによりエラス
トマースタンプ表面を変性することが好ましい。
【００２９】 本発明に従う上記方法において、材料表面とそれに転写されるべき重合体フィ
ルムとの間に強い接着を提供するために、該材料表面を変性することが有利であ
りそしてそのときは、プラズマエッチングにより該材料表面を変性することが好
ましい。
【００３０】 最後に、金層上に重合体の薄いフィルムの形でパターン化されたエッチングレ
ジストを設け、レジストにより保護されていない領域の金層をエッチングにより
取り除くことが出来る、パターン化のための方法あるいは転写のための方法を使
用して、上記目的および利点が提供され、該重合体はＰＥＤＯＴであるのが好ま
しい。
【００３１】 本発明に従う方法のさらなる特徴および利点は、添付の従属項から明らかであ
る。
【００３２】 以下、本発明を一般的な方法で記載する。本方法の１つを添付図面と一緒に記
載する。両方の方法を例示的態様を参照して記載する。
【００３３】 これらの機構において非常に関心のある特定の重合体はバイエルＡＧからの市
販の重合体であるポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）
である。それは水性分散液の形で生成されそして一表面上にコーティング、例え
ばスピンコーティングされて薄いフィルムを形成することが出来る。このフィル
ムは、例えば重合体光ダイオードにおけるホールコレクション（ｈｏｌｅ ｃｏ
ｌｌｅｃｔｉｏｎ）あるいは金属／ＰＥＤＯＴ／重合体構造体におけるホールイ
ンジェクション（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）の安定性および効率を高める
ので、このフィルムは重合体電子装置のために非常に魅力的な性質を有する。し
かしながら、ＭＩＭＩＣ法における疎水性ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）
スタンプを用いてはこの重合体分散液をパターン化することは困難である。した
がって本発明はＰＥＤＯＴフィルムをパターン化する別の方法を提供する。
【００３４】 このパターン化されたフィルムの使用が要求される理由の１つはその重合体が
素子における電極として用いられることを可能にするために十分で電気伝導率を
与えることが出来ることである。驚くべきことに、同様な添加剤を用いて熱硬化
後に８０Ｓ／ｃｍまでの高められた電気伝導率を与えることが示されたパターン
化可能なフィルムが得られる。
【００３５】 本発明に従うこれらの方法において、変性されたＰＥＤＯＴのフィルムがスピ
ン−コーティングによりパターン化されるべき表面上に付着されそしてパターン
化は、適当なエラストマースタンプを用いてフィルムの部分を取り除くことによ
り行われる。これは本発明に従う第１方法でありそして以後、“リフト−アップ
（ｌｉｆｔ−ｕｐ）”と呼ばれる。別の方法では、変性されたＰＥＤＯＴ層がス
タンプ上に付着されそして次にパターン化されるべき表面上に転写される。これ
は本発明に従う第２方法でありそして以後“プット−ダウン（ｐｕｔ−ｄｏｗｎ
）”と呼ばれる。
【００３６】 これらの方法は、それらが（平らでない）表面上の非常に大きな面積のパター
ン化を可能にする点で先行技術よりも優れている。スタンプ中のくぼみが毛細管
充填のチャネルとして働くＭＩＭＩＣを用いて、重合体溶液または先駆体重合体
で、重合体をパターンの表面上に析出させることが出来ることが文献中に示され
ている（Ｙ，ＸｉａおよびＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、英語でのＡｎｇｅ
ｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ国際版３７（５）：５５１−５７５（１９９８）の
Ｓｏｆｔ ｌｉｔｏｇｒａｐｈｙそしてＹ．Ｘｉａ及びＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅ
ｓによる、Ａｎｎｕａｌ Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆ Ｍｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ，２８：１５３−１５４（１９９８）のＳｏｆｔ ｌｉｔｏｇｒａｐｈｙ参
照）。これは充填されるべきすべての領域が連通していることを必要とする；孤
立した画素は、毛細管作用により充填されることが出来ない。ＭＩＭＩＣはまた
、チャネルの大きさが減少し、長さが増大すると、長い充填時間を必要とする。
それ故に、それは巻き返し（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）生産のためには適当で
はない。本発明に従う両方の方法は、本質において巻き返し生産と適合しており
そしてまた、単離された構造体のパターン化を可能にする。
【００３７】 重合体のパターン化が例えば下記の文献におけるような表面の予めのパターン
化を必要としない点でそして単量体でなく重合体が付着される点でそれら本発明
はまた優れている（Ｚ．Ｈｕａｎｇ、Ｐ．Ｃ．Ｗａｎｇ、Ｊ．Ｆｅｎｇ、Ａ．Ｇ
．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄ、Ｙ．Ｘｉａ及びＧ．Ｍ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる
、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，８５（１−３）：１３７５−１３７６（
１９９７）のＳｅｌｅｃｔｉｖｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｆｉｌｍｓ
ｏｆ ｐｏｌｙｐｙｒｒｏｌｅ， ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ ａｎｄ ｎｉｃｋ
ｅｌ ｏｎ ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ／ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ ｐａｔｔｅｒ
ｎｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ；そしてＺ．Ｙ
．Ｈｕａｎｇ、 Ｐ．Ｃ．Ｗａｎｇ、Ａ．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄ、Ｙ．Ｎ．
Ｘｉａ及びＧ．Ｗｈｉｔｅｓｉｄｅｓによる、Ｌａｎｇｕｍｕｉｒ １３（２４
）：６４８０−６４８４（１９９７）のＳｅｌｅｃｔｉｖｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ｏｆ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｏｎ ｈｙｄｒｏｘｙ
ｌ−ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ ｗｉｔｈ ｐｒｉｎｔｅｄ ｍ
ｏｎｏｌａｙｅｒｓ ｏｆ ａｌｋｙｌｓｉｌｏｘａｎｅｓ ａｓ ｔｅｍｐｌ
ａｔｅｓ）。
【００３８】 変性重合体の製造は、両方の方法において、フィルムの破断を可能にしなけれ
ばならない、フィルムの結合エネルギーを調整するために行われ；それはまた、
基体および（または）スタンプへの接着を調整するために行われる。フィルムの
内部結合（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｃｏｈｅｓｉｏｎ）は、本件において、低分子量
種を加えることにより修正されるがしかし一般にこの機能を与える任意の添加剤
であることが出来る。勿論、該添加剤は、いかなる場合であっても、その層の機
能に対して有害であってはならないことが必須である。本件において添加剤は実
際に該機能に対して有益である。
【００３９】 これらの方法の利点を考えるとき、リフト−アップが働かない場合はプット−
ダウンは働くという意味において、リフト−アップとプット−ダウンとは相補的
である。パターン化されるべきフィルムの基体への貧弱な接着は、リフト−アッ
プが使用されるべきことを示唆しており、そしてスタンプへの貧弱な接着は、プ
ット−ダウンが用いられることが出来ることを示唆している。
【００４０】 リフト−アップにおいて、スタンプと表面との間の重合体フィルム転写は、十
分にカバーされた基体上のＰＥＤＯＴの薄いフィルム上にエラストマースタンプ
をくっつけることにより、基体からＰＥＤＯＴフィルムの複数の部分を拾い上げ
て行なわれる。フィルムとスタンプとの間の分子接触はフィルムを破断させこの
方法により、任意のトポロジーにミクロパターン化できる。ＰＥＤＯＴフィルム
はまた、添加剤の助けをかりて造られそして転写後にフィルムは熱処理により高
い導伝性に硬化／転写される。１０μｍまでに下がった寸法の特徴が容易にパタ
ーン化されることが出来る。ＭＩＭＩＣと比較したときのこの特徴の利点の１つ
は単離されたＰＥＤＯＴ画素の輪郭が明瞭である（ｄｅｆｉｎｅ）ことである。
この方法において溶媒は使用されず、このことはパターン化されることが出来る
材料数を増大させる。
【００４１】 特定的に図１はリフト−アップに関しそしてＰＥＤＯＴフィルムがどのように
して基体上にスピン付着されるかが示されている。図２において示される第２工
程において、プラズマエッチングされたポリ（ジメチルシロキサン）スタンプが
薄いフィルムに適用されそして同時に加熱される。薄いフィルムと基体との間の
接着よりも一層強く、薄いフィルムとスタンプとの間の接着を得るためにスタン
プはプラズマエッチングされることが出来る。図３において示されるリフト−ア
ップ法における次のそして最終の工程において、スタンプが持ち上げられそして
ＰＥＤＯＴの形での薄いフィルム重合体がスタンプの出っ張っている部分に接着
し、その結果、スタンプが取り除かれたときにパターンが基体上の薄いフィルム
ＰＥＤＯＴに形成される。
【００４２】 プット−ダウンでは、わずかに変性されたＰＥＤＯＴ分散液がスピンコーティ
ングによりエラストマースタンプ上にコーティングされる。該分散液に、エチレ
ングリコール、グリセロールまたはソルビトールのような低分子量化合物を加え
ることにより、フィルムの表面は接近させたときに他の表面に結合するのに十分
な粘着性の状態を維持する。出っ張っている部分間に大きな十分な間隔を有する
構造について、これは適合する温度および圧力で、対をなすもう一方の面上にそ
の構造の上端上に存在するＰＥＤＯＴを転写するのに十分である。プット−ダウ
ン方法の使用を用いて、１００μｍより小さな構造を有するフィルムを転写する
ことが出来るだろう。この方法は、ＭＩＭＩＣ方法におけるような液体でチャネ
ルを充填することから生じるトポロジーに対する限界がない追加の利点を有する
。コーティングされるべき表面が平面であることを必要としない利点がまた存在
し；実際に平坦でない表面が取り扱われることが出来る。
【００４３】 （発明を実施するための最良の形態） さて、リフト−アップ法およびプット−ダウン法の両方を包含する、本発明に
従う特に好ましい態様の例が記載される。
【００４４】例 １：リフト−アップ： ポリ（３，４−ジオキシメチレンチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（
ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をグリセロールと混合
して１：２の重量比の混合物を造る。その混合物をガラス表面上に薄い連続層に
スピンコーティングする。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウコーニング製のＳ
ｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸素プラズマ中で
１０〜３０秒間プラズマ処理する。その浮き彫りパターン化された（ｒｅｌｉｅ
ｆ−ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）スタンプを該層と正しい整合接触にもたらし、これを
次に１５〜６０秒間５０〜１００℃に加熱しそして次にエラストマースタンプの
除去により除去した。（グリセロールの代わりとしてソルビトールを用いること
が出来るがしかし全体的にリフト−アップを用いたならば、ソルビトール混合Ｐ
ＥＤＯＴ−ＰＳＳは貧弱に働く）。
【００４５】例 ２：リフト−アップ： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をグリセロールと混合
して１：１の重量比の混合物を造る。その混合物をガラス表面上に薄い連続層に
スピンコーティングする。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウコーニング製のＳ
ｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸素プラズマ中で
１０〜３０秒間プラズマ処理する。その浮き彫りパターン化されたスタンプを該
層と正しい整合接触にもたらし、これを次に１５〜６０秒間５０〜１００℃に加
熱しそして次にエラストマースタンプの除去により除去した。
【００４６】例 ３：プット−ダウン： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をエチレングリコール
と混合して１：１のモル比の混合物を造る。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウ
コーニング製Ｓｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸
素プラズマ中で１０秒間プラズマ処理する。浮き彫りパターン化されたスタンプ
を該混合物中に浸漬しそして浸漬コーティングする。それをＩＴＯ表面との正し
い整合接触にもたらしそしてその層の部分をスタンプからＩＴＯ上に付着させ、
パターン化されたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ混合物の層を残す。
【００４７】例 ４：プット−ダウン： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をエチレングリコール
と混合して１：１のモル比の混合物を造る。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウ
コーニング製Ｓｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸
素プラズマ中で１０秒間プラズマ処理する。浮き彫りパターン化されたスタンプ
を該混合物で浸漬コーティングする。それをＡｕ表面との正しい整合接触にもた
らしそしてその層の部分をスタンプからＡｕ上に付着させ、パターン化されたＰ
ＥＤＯＴ−ＰＳＳ混合物の層を残す。
【００４８】例 ５：プット−ダウン： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をグリセロールと混合
して１：１のモル比の混合物を造る。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウコーニ
ング製のＳｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸素プ
ラズマ中で１０秒間プラズマ処理する。浮き彫りパターン化されたスタンプを該
混合物で浸漬コーティングする。それをＣｕ表面との正しい整合接触にもたらし
そしてその層の部分をスタンプからＣｕ上に付着させ、パターン化されたＰＥＤ
ＯＴ−ＰＳＳ混合物の層を残す。
【００４９】例 ６：プット−ダウン： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をグリセロールと混合
して１：１のモル比の混合物を造る。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウコーニ
ング製のＳｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸素プ
ラズマ中で１０秒間プラズマ処理する。浮き彫りパターン化されたスタンプを該
混合物で浸漬コーティングする。それをガラス表面との正しい整合接触にもたら
しそしてその層の部分をスタンプからガラス上に付着させ、パターン化されたＰ
ＥＤＯＴ−ＰＳＳ混合物の層を残す。
【００５０】例 ７：プット−ダウン： ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（バイエルＡＧ製Ｂａｙｔｒｏｎ）をグリセロールと混合
して１：１のモル比の混合物を造る。ポリ（ジメチルシロキサン）（ダウコーニ
ング製のＳｙｌｇａｒｄ １８４）で形成されたエラストマースタンプを酸素プ
ラズマ中で１０秒間プラズマ処理する。浮き彫りパターン化されたスタンプを該
混合物で浸漬コーティングする。それをＡｕ表面との正しい整合接触にもたらし
そしてその層の部分をスタンプからＡｕ上に付着させ、パターン化されたＰＥＤ
ＯＴ−ＰＳＳ混合物の層を残す。装飾されたＡｕ表面をエッチング液（金エッチ
ング溶液：５ｇのＩ2、２５０ｍｌのＨ2Ｏ中に溶解された１０ｇのＫＩ）にさら
して保護されていないＡｕ層を取り除く。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基体上への重合体の薄いフィルムの付着を示す。
【図２】 薄いフィルム重合体へのスタンプの適用を示す。
【図３】 重合体の薄いフィルムのパターン化を概略的に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ， ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，Ｌ Ｃ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ， ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，Ｓ Ｌ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 グランルンド、トマス スウェーデン国 リンケピング、アルレン デガタン 23 Ｆターム(参考） 4F006 AB32 BA06 BA07 CA02 CA03 4F073 AA32 BA32 CA13 4J005 AA02 AA06 BA00 【要約の続き】 トをパターン化するためのその使用。

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 材料表面上にコーティングを形成する重合体フィルムをパタ
    ーン化するための方法であって、そのパターン化がスタンプに形成された少なく
    とも１つのくぼみを有するスタンプによって生じる方法であって、材料表面上に
    重合体の薄いフィルムを付着させ、エラストマー材料から形成されたスタンプを
    該薄いフィルムの表面と正しく整合接触させて該材料表面上に適用し、その結果
    、前記エラストマースタンプの少なくとも１つのくぼみにより形成された１つま
    たはそれ以上の出っ張っている要素が接触し、前記薄いフィルムが出っ張ってい
    る要素または複数のその要素に結合され、そして前記スタンプを用いて該材料表
    面から取り除かれる、ことを特徴とする、前記重合体フィルムをパターン化する
    方法。
  2. 【請求項２】 重合体フィルムの結合を減少させるために添加剤を導入する
    ことにより重合体を変性させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 添加剤が水溶性有機化合物であることを特徴とする、請求項
    ２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 添加剤がエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール）
    、グリセロール、ソルビトール、ポリオールまたはそれらの任意の組み合わせの
    中から選ばれることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】 重合体が水溶性または分散された重合体であることを特徴と
    する、請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 重合体がそのドーピングされた又はドーピングされていない
    状態での導伝性共役重合体であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 重合体が、ポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）（
    ＰＥＤＯＴ）あるいはその共重合体からの誘導体あるいはその単量体（ＥＤＯＴ
    ）形を導入する１種またはそれ以上の混合物であることを特徴とする、請求項１
    に記載の方法。
  8. 【請求項８】 材料表面とそこから除去されるべき重合体フィルムとの間に
    弱い接着を提供するために、材料表面を変性することを特徴とする、請求項１に
    記載の方法。
  9. 【請求項９】 プラズマエッチングにより該材料表面を変性することを特徴
    とする、請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 スタンプとそれに結合されるべき重合体フィルムとの間に
    強い接着を提供するために、エラストマースタンプ表面を変性することを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 プラズマエッチングによりエラストマースタンプ表面を変
    性することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 重合体のフィルムへの添加剤により、スタンプと重合体フ
    ィルムとの接着を高めることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 添加剤が、グリセロールであることを特徴とする、請求項
    １２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 スタンプに形成されたすくなくとも１つのくぼみを有する
    表面を有するスタンプにより材料表面上にパターン化された重合体フィルムを転
    写する方法であって、重合体の薄いフィルムを前記スタンプ表面上に付着させ、
    エラストマー材料から形成されたスタンプを該材料表面と正しく整合接触させて
    適用し、その結果、前記エラストマースタンプの少なくとも１つのくぼみにより
    形成された１つまたはそれ以上の出っ張っている要素から該材料表面に前記重合
    体の薄いフィルムが転写され、そしてそこからスタンプを取り除いたときに該材
    料表面上に重合体のパターン化された薄いフィルムを残すことを特徴とする、上
    記重合体フィルムの転写方法。
  15. 【請求項１５】 重合体フィルムの結合を減少させるために、添加剤を導入
    することにより重合体フィルムを変性することを特徴とする、請求項１４に記載
    の方法。
  16. 【請求項１６】 添加剤が水溶性有機化合物であることを特徴とする、請求
    項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 添加剤がエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール
    ）、グリセロール、ソルビトール、ポリオールまたはそれらの任意の組み合わせ
    の中から選ばれることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 重合体が水溶性または分散された重合体であることを特徴
    とする、請求項１４に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 重合体がそのドーピングされたまたはドーピングされてい
    ない状態での導伝性共役重合体であることを特徴とする、請求項１４に記載の方
    法。
  20. 【請求項２０】 重合体がポリ（３，４−ジオキシエチレンチオフェン）（
    ＰＥＤＯＴ）あるいはその共重合体からの誘導体あるいはその単量体（ＥＤＯＴ
    ）を導入している１種またはそれ以上の混合物であることを特徴とする、請求項
    １４に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 エラストマー表面とそこから除去されるべき重合体フィル
    ムとの間に弱い接着を提供するために、エラストマースタンプ表面を変性するこ
    とを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 プラズマエッチングによりエラストマースタンプ表面を変
    性することを特徴とする、請求項２１に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 材料表面とそれに転写されるべき重合体フィルムとの間に
    強い接着を提供するために、該材料表面を変性することを特徴とする、請求項１
    ４に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 プラズマエッチングにより材料表面を変性することを特徴
    とする、請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 金層上に重合体の薄いフィルムの形でパターン化されたエ
    ッチングレジストを設け、それにより該レジストによって保護されていない領域
    でエッチングにより前記金層を除去し、しかも該重合体が好ましくはＰＥＤＯＴ
    である、請求項１または１４に記載の方法の使用。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014501099A (ja) * 2010-12-16 2014-01-20 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 細胞担体、関連する細胞担体を作製する方法及び同担体を使用する細胞培養
KR101384573B1 (ko) 2007-04-16 2014-04-11 소니 주식회사 패턴 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6663820B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-16 The Procter & Gamble Company Method of manufacturing microneedle structures using soft lithography and photolithography
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
GB2387268A (en) * 2002-01-22 2003-10-08 Darren Edward Robertson Silicon stamped circuits
GB0207134D0 (en) 2002-03-27 2002-05-08 Cambridge Display Tech Ltd Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
DE10217151A1 (de) * 2002-04-17 2003-10-30 Clariant Gmbh Nanoimprint-Resist
JP4147221B2 (ja) * 2002-05-30 2008-09-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション パターニング方法
EP1512049A1 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Obducat AB Method for transferring a pattern
US8222072B2 (en) * 2002-12-20 2012-07-17 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by low pressure cold welding
EP1443344A1 (en) * 2003-01-29 2004-08-04 Heptagon Oy Manufacturing micro-structured elements
US7179396B2 (en) * 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
JP3928727B2 (ja) * 2003-09-17 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 電極形成方法
US7114448B2 (en) * 2003-11-06 2006-10-03 Palo Alto Research Center, Incorporated Method for large-area patterning dissolved polymers by making use of an active stamp
JP4781819B2 (ja) * 2003-12-17 2011-09-28 住友化学株式会社 有機光−光変換デバイス
WO2006138272A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Northwestern University Metal ion-based immobilization
KR101264673B1 (ko) * 2005-06-24 2013-05-20 엘지디스플레이 주식회사 소프트 몰드를 이용한 미세 패턴 형성방법
US7572667B2 (en) * 2006-01-20 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming an organic semiconductor pattern and method of manufacturing an organic thin film transistor using the same
TW200739982A (en) * 2006-04-06 2007-10-16 Nat Univ Chung Cheng Method for manufacturing full-color organic light-emitting diode array based on microcontact printing technology
KR20090031349A (ko) * 2006-04-28 2009-03-25 폴리셋 컴파니, 인코퍼레이티드 재분배층 적용을 위한 실록산 에폭시 중합체
KR101309861B1 (ko) * 2006-06-30 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 인쇄 장치 시스템, 및 그를 이용한 패턴 형성방법 및액정표시소자 제조방법
US20080110363A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 National Chung Cheng University Physisorption-based microcontact printing process capable of controlling film thickness
WO2008091571A2 (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Nano Terra Inc. High-throughput apparatus for patterning flexible substrates and method of using the same
WO2008130587A2 (en) 2007-04-16 2008-10-30 Corium International, Inc. Solvent-cast microneedle arrays containing active
US20080309900A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Micron Technology, Inc. Method of making patterning device, patterning device for making patterned structure, and method of making patterned structure
WO2009048607A1 (en) 2007-10-10 2009-04-16 Corium International, Inc. Vaccine delivery via microneedle arrays
WO2009094786A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Acadia University Device and method for collecting a sample from a wet environment
US8652393B2 (en) * 2008-10-24 2014-02-18 Molecular Imprints, Inc. Strain and kinetics control during separation phase of imprint process
WO2010061206A1 (en) * 2008-11-03 2010-06-03 Cambridge Enterprise Limited Method of patterning an electronic of photonic material
JP5195439B2 (ja) * 2009-01-07 2013-05-08 ソニー株式会社 印刷方法および表示装置の製造方法
GB0912034D0 (en) * 2009-07-10 2009-08-19 Cambridge Entpr Ltd Patterning
GB0913456D0 (en) 2009-08-03 2009-09-16 Cambridge Entpr Ltd Printed electronic device
SG181954A1 (en) * 2009-12-30 2012-07-30 3M Innovative Properties Co Method of using a mask to provide a patterned substrate
KR101184161B1 (ko) 2010-04-15 2012-09-18 한남대학교 산학협력단 소프트 리소그래피를 이용하여 패턴화된 금 표면의 표면 개질 방법
JP6327852B2 (ja) 2010-05-04 2018-05-23 コリウム インターナショナル， インコーポレイテッド 微小突起アレイを使用した副甲状腺ホルモンの経皮送達のための方法及びデバイス
TWI378039B (en) * 2010-06-21 2012-12-01 Compal Electronics Inc Pattern processing method of a workpiece's surface
US8242012B2 (en) 2010-07-28 2012-08-14 International Business Machines Corporation Integrated circuit structure incorporating a conductor layer with both top surface and sidewall passivation and a method of forming the integrated circuit structure
US9453197B2 (en) 2010-12-16 2016-09-27 General Electric Company Methods of making cell carrier
US9534206B2 (en) 2010-12-16 2017-01-03 General Electric Company Cell carrier, associated methods for making cell carrier and culturing cells using the same
US9453196B2 (en) 2010-12-16 2016-09-27 General Electric Company Cell carrier, methods of making and use
US9518249B2 (en) 2010-12-16 2016-12-13 General Electric Company Cell carrier, associated methods for making cell carrier and culturing cells using the same
US9926523B2 (en) 2010-12-16 2018-03-27 General Electric Company Cell carriers and methods for culturing cells
KR101218580B1 (ko) * 2011-05-13 2013-01-21 한국화학연구원 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 및 그 장치
EP2856178B1 (en) 2012-05-31 2020-07-15 The University of North Carolina at Chapel Hill Dissolution guided wetting of structured surfaces
US9422237B2 (en) * 2012-07-31 2016-08-23 New York University Covalently patterned graphene surfaces by a force accelerated cycloaddition reaction
KR101889920B1 (ko) 2012-12-21 2018-08-21 삼성전자주식회사 박막 형성 방법, 전자 소자 및 그 제조 방법
WO2014100750A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
CN103030104A (zh) * 2012-12-25 2013-04-10 江苏大学 一种制备超疏油表面的二步成形法
CA2903748C (en) 2013-03-12 2021-11-02 Corium International, Inc. Microprojection applicators
EP4194028A1 (en) 2013-03-15 2023-06-14 Corium Pharma Solutions, Inc. Multiple impact microprojection applicators
WO2014144973A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
JP6700170B2 (ja) 2013-03-15 2020-05-27 コリウム， インコーポレイテッド 治療剤の送達のためのマイクロアレイおよび使用の方法
US10384045B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray with polymer-free microstructures, methods of making, and methods of use
EP3188714A1 (en) 2014-09-04 2017-07-12 Corium International, Inc. Microstructure array, methods of making, and methods of use
KR101592371B1 (ko) * 2014-12-18 2016-02-05 광주과학기술원 고전도성 pedot:pss 기반 전극의 전사방법
US20170342213A1 (en) * 2014-12-24 2017-11-30 Newsouth Innovations Pty Limited Electrically conductive polymeric material
JP2016203518A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 平板状ブランケットおよび当該ブランケットを用いた転写方法
US10857093B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
CN108269656A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 深圳光启空间技术有限公司 超材料制造方法
CN108640081B (zh) * 2018-05-07 2019-11-12 徐小女 一种微结构的制备方法
CN109179312B (zh) * 2018-08-03 2019-09-24 山东科技大学 一种图案化金属薄膜的制备方法
CN113211935A (zh) * 2021-05-20 2021-08-06 汕头市辰安新材料科技有限公司 一种模压版的制版方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3717668A1 (de) * 1987-05-26 1988-12-15 Hoechst Ag Elektrisch leitende beschichtungsmasse, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
CN1017709B (zh) * 1988-02-13 1992-08-05 赫彻斯特股份公司 制备具有改进了溶解性能的本征导电聚合物的方法
US5358604A (en) * 1992-09-29 1994-10-25 Microelectronics And Computer Technology Corp. Method for producing conductive patterns
US5512131A (en) 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101384573B1 (ko) 2007-04-16 2014-04-11 소니 주식회사 패턴 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP2014501099A (ja) * 2010-12-16 2014-01-20 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 細胞担体、関連する細胞担体を作製する方法及び同担体を使用する細胞培養

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