JP2002538583A - 低圧水銀蒸気放電ランプ - Google Patents
低圧水銀蒸気放電ランプInfo
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- Discharge Lamp (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
低圧水銀放電ランプは放電容器（１０）を備えている。この放電容器（１０）は水銀及び希ガスを含む放電空間（１１）を気密的に封止する。この放電容器は、放電空間（１１）と連通するアマルガム（６３）が備えられている。この放電ランプは放電容器（１０）内で電気放電を維持するための手段を有する。この放電ランプでは、アマルガム（６３）はＢｉ：Ｓｎが８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８０の範囲にあり、Ｐｂが０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲にあり、Ｈｇが０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦２ａｔ％の範囲にあることを特徴とする。小型蛍光放電ランプに対しては、アマルガム（６３）は７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０、１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％、０．２５ａｔ％≦Ｈｇ≦１．２ａｔ％であることが好ましい。無極型の低圧水銀蒸気放電ランプに対しては、７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０、１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％、０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％であることが好ましい。本発明に係るランプは、比較的大きい初期放電出力と、公称ランプ動作の間の比較的高い放射出力との協働による短いランナップ時間とを有し、これは、比較的大きい温度間隔で達成される。
Description
【０００１】
本発明は、放電容器を備えた低圧水銀蒸気放電ランプに関し、このランプは、
前記放電容器が水銀及び希ガスを含む放電空間を気密的に封止し、前記放電容器
が、前記放電空間と連通するアマルガムを含み、前記放電容器内に電気放電を維
持するための放電手段を有する。
前記放電容器が水銀及び希ガスを含む放電空間を気密的に封止し、前記放電容器
が、前記放電空間と連通するアマルガムを含み、前記放電容器内に電気放電を維
持するための放電手段を有する。
【０００２】
水銀蒸気放電ランプでは、水銀は、紫外線（ＵＶ）を（効率よく）生成するた
めの主成分を構成する。ＵＶを、例えば日焼けするためのＵＢ−Ｂ及びＵＶ−Ａ
（サンパネルランプ）に変換するか又は照明するという一般的な目的のための可
視放射線に変換するために、発光物質（例えば蛍光粉末）を有する発光層が放電
容器の内壁に存在している。それ故に、このような放電ランプは蛍光ランプとも
呼ばれる。低圧水銀蒸気放電ランプの放電容器は通常円形であり、長く延びた小
型の形状を有している。一般的に、小型の蛍光ランプの管状放電容器は、比較的
小さい径を有する短いまっすぐな部分の集合体であり、このまっすぐな部分は、
ブリッジ部によって又は屈曲部を介して相互に接続されている。小型の蛍光ラン
プは、通常、（一体的に）ランプ口金が備えられている。このような例の低圧水
銀蒸気放電ランプでは、放電手段は、放電空間に配置された電極を有する。他の
実施例としては無極型の低圧水銀蒸気放電ランプがある。
めの主成分を構成する。ＵＶを、例えば日焼けするためのＵＢ−Ｂ及びＵＶ−Ａ
（サンパネルランプ）に変換するか又は照明するという一般的な目的のための可
視放射線に変換するために、発光物質（例えば蛍光粉末）を有する発光層が放電
容器の内壁に存在している。それ故に、このような放電ランプは蛍光ランプとも
呼ばれる。低圧水銀蒸気放電ランプの放電容器は通常円形であり、長く延びた小
型の形状を有している。一般的に、小型の蛍光ランプの管状放電容器は、比較的
小さい径を有する短いまっすぐな部分の集合体であり、このまっすぐな部分は、
ブリッジ部によって又は屈曲部を介して相互に接続されている。小型の蛍光ラン
プは、通常、（一体的に）ランプ口金が備えられている。このような例の低圧水
銀蒸気放電ランプでは、放電手段は、放電空間に配置された電極を有する。他の
実施例としては無極型の低圧水銀蒸気放電ランプがある。
【０００３】 本発明の説明において”公称動作”という言葉は、水銀蒸気圧が、ランプの放
電出力が最適動作中において少なくとも８０％の出力となるような動作条件、す
なわち水銀蒸気圧が最適となる動作条件を示すために用いられている。アマルガ
ムは、遊離水銀のみを含む放電ランプと比較して、放電容器内の水銀蒸気圧を制
限する。これにより、ランプに高負荷がかかる場合、又はランプが換気を閉じた
若しくは換気が悪い照明器具に用いられた場合に起こり得る比較的高いランプ温
度において、ランプの公称動作が可能となる。さらに、本発明において”初期放
射出力”という言葉は、放電ランプを点灯してから１秒後の放電ランプの放射出
力として規定され、”ランナップ時間”は、放電ランプが最適動作中に８０％の
放射出力を達成するために必要な時間である。
電出力が最適動作中において少なくとも８０％の出力となるような動作条件、す
なわち水銀蒸気圧が最適となる動作条件を示すために用いられている。アマルガ
ムは、遊離水銀のみを含む放電ランプと比較して、放電容器内の水銀蒸気圧を制
限する。これにより、ランプに高負荷がかかる場合、又はランプが換気を閉じた
若しくは換気が悪い照明器具に用いられた場合に起こり得る比較的高いランプ温
度において、ランプの公称動作が可能となる。さらに、本発明において”初期放
射出力”という言葉は、放電ランプを点灯してから１秒後の放電ランプの放射出
力として規定され、”ランナップ時間”は、放電ランプが最適動作中に８０％の
放射出力を達成するために必要な時間である。
【０００４】 冒頭に記載されたような低圧水銀蒸気放電ランプ（以下、蒸気圧制御型ランプ
とも呼ばれる）は米国特許ＵＳ４,０９３,８８９から既知である。この既知のラ
ンプでは、室温での水銀蒸気圧は比較的低い。それ故に、この既知のランプを通
常のランプ電源で動作させると、初期放射出力も比較的低くなるという欠点があ
る。さらに、水銀蒸気圧はランプの点灯後ゆっくりとしか上昇できないため、ラ
ンナップ時間は比較的長い。
とも呼ばれる）は米国特許ＵＳ４,０９３,８８９から既知である。この既知のラ
ンプでは、室温での水銀蒸気圧は比較的低い。それ故に、この既知のランプを通
常のランプ電源で動作させると、初期放射出力も比較的低くなるという欠点があ
る。さらに、水銀蒸気圧はランプの点灯後ゆっくりとしか上昇できないため、ラ
ンナップ時間は比較的長い。
【０００５】 上記のアマルガムランプに加えて、（主）アマルガムだけでなく補助アマルガ
ムを有する低圧水銀蒸気放電ランプが知られている。この補助アマルガムが水銀
を十分に含んでいるとすると、ランプは比較的短いランナップ時間をもつ。ラン
プを点灯すると、補助アマルガムが電極により加熱され、その結果、アマルガム
に存在する大部分の水銀がそのアマルガムから比較的速く発生する。ランプは、
点灯させる前は長時間動作させないことが望まれ、その結果補助アマルガムは水
銀を十分に保持しておくことができる。もしランプの動作していない時間が比較
的短いのであれば、ランナップ時間を短くする効果が弱い。加えて、補助アマル
ガムにより放電空間に生じる水銀蒸気圧は比較的小さいため、初期放電出力は主
アマルガムのみを伴うランプの初期放電出力よりも（さらに）低い。さらに、長
尺のランプでは、補助アマルガムにより発生する水銀が放電容器全体に渡って広
がるまでに比較的長い時間が必要であり、その結果、このようなランプは、点灯
を開始してから数分間は、補助アマルガムの近くは比較的明るく、この補助アマ
ルガムから離れると比較的暗いという欠点がある。
ムを有する低圧水銀蒸気放電ランプが知られている。この補助アマルガムが水銀
を十分に含んでいるとすると、ランプは比較的短いランナップ時間をもつ。ラン
プを点灯すると、補助アマルガムが電極により加熱され、その結果、アマルガム
に存在する大部分の水銀がそのアマルガムから比較的速く発生する。ランプは、
点灯させる前は長時間動作させないことが望まれ、その結果補助アマルガムは水
銀を十分に保持しておくことができる。もしランプの動作していない時間が比較
的短いのであれば、ランナップ時間を短くする効果が弱い。加えて、補助アマル
ガムにより放電空間に生じる水銀蒸気圧は比較的小さいため、初期放電出力は主
アマルガムのみを伴うランプの初期放電出力よりも（さらに）低い。さらに、長
尺のランプでは、補助アマルガムにより発生する水銀が放電容器全体に渡って広
がるまでに比較的長い時間が必要であり、その結果、このようなランプは、点灯
を開始してから数分間は、補助アマルガムの近くは比較的明るく、この補助アマ
ルガムから離れると比較的暗いという欠点がある。
【０００６】 更に、アマルガムを備えておらず専ら遊離水銀を含む低圧水銀蒸気放電ランプ
が知られている。このランプ（以下水銀ランプとも呼ばれる）は、室温での水銀
蒸気圧及び初期放射出力が比較的高いという利点がある。更に、ランナップ時間
は比較的短い。比較的長尺の型式のランプも、点灯したときの（室温での）蒸気
圧が十分大きいため、点灯後はその長さに渡って実質的に略一定の明るさを有す
る。動作温度で最適水銀蒸気圧に近い水銀蒸気圧を持たせるために放電空間が水
銀を十分に含む水銀ランプでは、比較的高いランプ温度で公称動作が達成される
。しかしながら、ランプの寿命がくるまでの間、水銀は、例えば放電容器及び／
又は放出体物質の壁に付着するため、水銀の損失が生じる。実際、このようなラ
ンプは限られた寿命しかもたない。それ故に、水銀ランプでは、水銀の量は、公
称動作の間に蒸気相において要求される量よりもかなり多い水銀が備えられる。
しかしながら、この方法では、水銀蒸気圧が放電容器内の冷点の温度に関係する
飽和蒸気圧に等しいという欠点がある。飽和蒸気圧は温度に対して指数関数的に
上昇するため、例えば照明器具の換気が悪く又はランプ負荷が高い場合に生じる
温度変化により、放射出力が減少する。周囲温度が比較的低いと、水銀蒸気圧は
減少し、この場合も放射出力は減少する。
が知られている。このランプ（以下水銀ランプとも呼ばれる）は、室温での水銀
蒸気圧及び初期放射出力が比較的高いという利点がある。更に、ランナップ時間
は比較的短い。比較的長尺の型式のランプも、点灯したときの（室温での）蒸気
圧が十分大きいため、点灯後はその長さに渡って実質的に略一定の明るさを有す
る。動作温度で最適水銀蒸気圧に近い水銀蒸気圧を持たせるために放電空間が水
銀を十分に含む水銀ランプでは、比較的高いランプ温度で公称動作が達成される
。しかしながら、ランプの寿命がくるまでの間、水銀は、例えば放電容器及び／
又は放出体物質の壁に付着するため、水銀の損失が生じる。実際、このようなラ
ンプは限られた寿命しかもたない。それ故に、水銀ランプでは、水銀の量は、公
称動作の間に蒸気相において要求される量よりもかなり多い水銀が備えられる。
しかしながら、この方法では、水銀蒸気圧が放電容器内の冷点の温度に関係する
飽和蒸気圧に等しいという欠点がある。飽和蒸気圧は温度に対して指数関数的に
上昇するため、例えば照明器具の換気が悪く又はランプ負荷が高い場合に生じる
温度変化により、放射出力が減少する。周囲温度が比較的低いと、水銀蒸気圧は
減少し、この場合も放射出力は減少する。
【０００７】 本発明は、冒頭に記載した型式のランプであって、少なくとも恒常的な使用で
、比較的高い初期放射出力及び比較的短いランナップ時間を有し、比較的広範囲
の周囲温度で比較的高い放射出力をもつランプを提供することを目的とする。
、比較的高い初期放射出力及び比較的短いランナップ時間を有し、比較的広範囲
の周囲温度で比較的高い放射出力をもつランプを提供することを目的とする。
【０００８】
本発明によれば、冒頭に記載された型式の低圧水銀放電ランプは、アマルガム
が、８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ（ビスマス−スズ比）≦２０：８０の範囲のビスマ
ス−スズ比と、０．７ａｔ％（アトミックパーセンテージ、原子濃度）≦Ｐｂ（
鉛含有量）≦１２ａｔ％の範囲の鉛含有量と、０．０５ａｔ％≦Ｈｇ（水銀含有
量）≦２ａｔ％の範囲の水銀含有量とを有することを特徴とする。
が、８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ（ビスマス−スズ比）≦２０：８０の範囲のビスマ
ス−スズ比と、０．７ａｔ％（アトミックパーセンテージ、原子濃度）≦Ｐｂ（
鉛含有量）≦１２ａｔ％の範囲の鉛含有量と、０．０５ａｔ％≦Ｈｇ（水銀含有
量）≦２ａｔ％の範囲の水銀含有量とを有することを特徴とする。
【０００９】 このようなアマルガムを用いる利点は、室温で、水銀蒸気圧が液体水銀の蒸気
圧に比較的近いことである。アマルガムの上記の組成により、放電ランプは公称
上、６５℃乃至１４０℃という比較的広い温度範囲で、放電容器内の冷点の対応
する温度で動作する。このようなアマルガムを用いる他の利点は、水銀蒸気圧を
温度の関数として表す曲線を、水銀含有量及び／又はアマルガムの組成により調
節できることである。（主）アマルガムの上記の特性、すなわち広い温度間隔及
び可変水銀蒸気圧曲線は、本発明に係るアマルガムの組成を選択することにより
実現される。本発明に係る組成を伴うアマルガムに対して、水銀蒸気圧を温度の
関数として表す曲線は、３相Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶（１００℃において）を用い
たときの温度範囲に、第１の安定範囲を有する。上記の安定範囲では、曲線は、
水銀含有量及びアマルガムの組成には少なくとも実質的に依存しない。後者の特
性は、対応する温度間隔における相の数が含有成分の数に等しいという事実によ
り主に生じ、この結果、水銀蒸気圧は基本的に温度のみの関数となる。本発明に
おいて、”安定範囲”という言葉は、水銀圧（ｐＨｇ）が少なくとも実質的に一
定となる温度範囲を意味するものとして理解される。
圧に比較的近いことである。アマルガムの上記の組成により、放電ランプは公称
上、６５℃乃至１４０℃という比較的広い温度範囲で、放電容器内の冷点の対応
する温度で動作する。このようなアマルガムを用いる他の利点は、水銀蒸気圧を
温度の関数として表す曲線を、水銀含有量及び／又はアマルガムの組成により調
節できることである。（主）アマルガムの上記の特性、すなわち広い温度間隔及
び可変水銀蒸気圧曲線は、本発明に係るアマルガムの組成を選択することにより
実現される。本発明に係る組成を伴うアマルガムに対して、水銀蒸気圧を温度の
関数として表す曲線は、３相Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶（１００℃において）を用い
たときの温度範囲に、第１の安定範囲を有する。上記の安定範囲では、曲線は、
水銀含有量及びアマルガムの組成には少なくとも実質的に依存しない。後者の特
性は、対応する温度間隔における相の数が含有成分の数に等しいという事実によ
り主に生じ、この結果、水銀蒸気圧は基本的に温度のみの関数となる。本発明に
おいて、”安定範囲”という言葉は、水銀圧（ｐＨｇ）が少なくとも実質的に一
定となる温度範囲を意味するものとして理解される。
【００１０】 本発明に係る組成を伴うアマルガムの温度に対する水銀蒸気圧曲線は、３相Ｂ
ｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶以上、２相Ｂｉ−Ｓｎ共晶以下の温度範囲に存在する第２の
安定範囲を有する。上記の第２の安定範囲（共晶点以上）では相の数が含有成分
の数よりも小さいため、水銀蒸気圧は、温度とアマルガムの組成（特にアマルガ
ムの鉛含有量及び水銀含有量）との双方の関数である。この結果として、本発明
に係る組成を有するアマルガムを備えた低圧水銀蒸気放電ランプは、放電容器内
の冷点の温度に対して、公称動作において、比較的広い間隔を伴う比較的短いラ
ンナップ時間と、十分な初期放射出力とを兼ね備える。それ故に、比較的広い温
度間隔で公称ランプ動作が可能である。
ｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶以上、２相Ｂｉ−Ｓｎ共晶以下の温度範囲に存在する第２の
安定範囲を有する。上記の第２の安定範囲（共晶点以上）では相の数が含有成分
の数よりも小さいため、水銀蒸気圧は、温度とアマルガムの組成（特にアマルガ
ムの鉛含有量及び水銀含有量）との双方の関数である。この結果として、本発明
に係る組成を有するアマルガムを備えた低圧水銀蒸気放電ランプは、放電容器内
の冷点の温度に対して、公称動作において、比較的広い間隔を伴う比較的短いラ
ンナップ時間と、十分な初期放射出力とを兼ね備える。それ故に、比較的広い温
度間隔で公称ランプ動作が可能である。
【００１１】 本発明に係るアマルガムを用いる他の利点は、このアマルガムを、減光できる
低圧水銀蒸気放電ランプに使用可能なことである。
低圧水銀蒸気放電ランプに使用可能なことである。
【００１２】 本発明の第１の態様に係る低圧水銀蒸気放電ランプの実施例は、アマルガムに
おいて、ビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８０の範囲にあり
、前記鉛含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲にあり、水銀含有量が
０．２ａｔ％≦Ｈｇ≦２ａｔ％の範囲にあることを特徴とする。
おいて、ビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８０の範囲にあり
、前記鉛含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲にあり、水銀含有量が
０．２ａｔ％≦Ｈｇ≦２ａｔ％の範囲にあることを特徴とする。
【００１３】 アマルガムの組成を上記のようにすることにより、放電容器内の冷点の対応す
る温度において、６５℃乃至１４０℃のかなり広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成され、一
方、冷点の対応する温度において、７０℃乃至１３０℃のかなり広い温度範囲で
、放射出力の少なくとも９０％が達成される。双方の場合において、本発明の第
１の態様に係るアマルガムを伴う放電ランプのランナップ時間は、１０分以下で
あり、補助アマルガムを備えると、ランナップ時間は３分以下に減少する。本発
明の第１の態様に係る組成を有するアマルガムは、（省エネ型で）（小型の）低
圧水銀蒸気放電ランプでの使用にとりわけ適している。このような放電ランプは
十分な初期放射出力を有し、公称動作の間、放電容器内の冷点の温度に対して比
較的広い間隔を伴う比較的短いランナップ時間を兼ね備える。結果として、かな
り広い温度間隔内で、公称ランプ動作が可能である。
る温度において、６５℃乃至１４０℃のかなり広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成され、一
方、冷点の対応する温度において、７０℃乃至１３０℃のかなり広い温度範囲で
、放射出力の少なくとも９０％が達成される。双方の場合において、本発明の第
１の態様に係るアマルガムを伴う放電ランプのランナップ時間は、１０分以下で
あり、補助アマルガムを備えると、ランナップ時間は３分以下に減少する。本発
明の第１の態様に係る組成を有するアマルガムは、（省エネ型で）（小型の）低
圧水銀蒸気放電ランプでの使用にとりわけ適している。このような放電ランプは
十分な初期放射出力を有し、公称動作の間、放電容器内の冷点の温度に対して比
較的広い間隔を伴う比較的短いランナップ時間を兼ね備える。結果として、かな
り広い温度間隔内で、公称ランプ動作が可能である。
【００１４】 本発明の第１の態様に係る低圧水銀蒸気放電ランプの好ましい実施例は、前記
アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲に
あり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範囲にあり、前記水銀含有
量が０．２５ａｔ％≦Ｈｇ≦１．２ａｔ％の範囲にある。
アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲に
あり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範囲にあり、前記水銀含有
量が０．２５ａｔ％≦Ｈｇ≦１．２ａｔ％の範囲にある。
【００１５】 アマルガムの組成を上記のようにすることにより、放電容器内の冷点の対応す
る温度において、７０℃乃至１７０℃のかなり広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成され、一
方、冷点の対応する温度において、７５℃乃至１６０℃のかなり広い温度範囲で
、放射出力の少なくとも９０％が達成される。双方の場合において、放電ランプ
のランナップ時間は１０分以下であり、補助アマルガムを備えると、ランナップ
時間は３分以下に減少する。結果として、本発明の第１の態様に係るアマルガム
を備えた（省エネ型で）（小型の）低圧水銀蒸気放電ランプは、十分な初期放射
出力と、公称動作の間、放電容器内の冷点の温度に対して、かなり広い間隔を伴
う比較的短いランナップ時間とを兼ね備える。それ故に、かなり広い温度間隔内
で、公称ランプ動作が可能である。適切に選択されたＨｇ含有量（例えば、０．
５ａｔ％Ｈｇ）に対して、放電ランプの公称動作中での冷点の温度は、１８０℃
程度まで高くてもよい。
る温度において、７０℃乃至１７０℃のかなり広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成され、一
方、冷点の対応する温度において、７５℃乃至１６０℃のかなり広い温度範囲で
、放射出力の少なくとも９０％が達成される。双方の場合において、放電ランプ
のランナップ時間は１０分以下であり、補助アマルガムを備えると、ランナップ
時間は３分以下に減少する。結果として、本発明の第１の態様に係るアマルガム
を備えた（省エネ型で）（小型の）低圧水銀蒸気放電ランプは、十分な初期放射
出力と、公称動作の間、放電容器内の冷点の温度に対して、かなり広い間隔を伴
う比較的短いランナップ時間とを兼ね備える。それ故に、かなり広い温度間隔内
で、公称ランプ動作が可能である。適切に選択されたＨｇ含有量（例えば、０．
５ａｔ％Ｈｇ）に対して、放電ランプの公称動作中での冷点の温度は、１８０℃
程度まで高くてもよい。
【００１６】 本発明の第２の態様において、冒頭に記載された型式の低圧水銀蒸気放電ラン
プは、前記アマルガムのビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８
０の範囲にあり、前記鉛の含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲にあ
り、前記水銀の含有量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲にあること
を特徴とする。
プは、前記アマルガムのビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８
０の範囲にあり、前記鉛の含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲にあ
り、前記水銀の含有量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲にあること
を特徴とする。
【００１７】 アマルガムの組成を上記のようにすることにより、放電容器内の冷点の対応す
る温度において、６５℃乃至１４０℃の比較的広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成される。
本発明の第２の態様にかかるアマルガムは、とりわけ無極ランプに適している。
る温度において、６５℃乃至１４０℃の比較的広い温度範囲で、動作中に、低圧
水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成される。
本発明の第２の態様にかかるアマルガムは、とりわけ無極ランプに適している。
【００１８】 本発明の第２の態様に係る低圧水銀蒸気放電ランプの好ましい実施例は、前記
アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲に
あり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範囲にあり、前記水銀含有
量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲にある。
アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲に
あり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範囲にあり、前記水銀含有
量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲にある。
【００１９】 アマルガムの組成を上記のようにすることにより、放電容器内の冷点の対応す
る温度において、７０℃乃至１７０℃のかなり広い温度範囲内で、動作中に、低
圧水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成される
。
る温度において、７０℃乃至１７０℃のかなり広い温度範囲内で、動作中に、低
圧水銀蒸気放電ランプの放射出力の少なくとも８０％（公称動作）が達成される
。
【００２０】 上記の物質に加えて、本発明に係るアマルガムは、例えば亜鉛、銀、ガリウム
、インジウム及び／又は他の元素の添加物を有していてもよい。このような添加
物を加えることにより、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ合金の溶融範囲（１００℃乃至１４０
℃）のシフトが多くとも２０℃程度であることが望ましい。
、インジウム及び／又は他の元素の添加物を有していてもよい。このような添加
物を加えることにより、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ合金の溶融範囲（１００℃乃至１４０
℃）のシフトが多くとも２０℃程度であることが望ましい。
【００２１】 低圧水銀蒸気放電ランプの寿命の初期段階において、動作中、比較的多くの量
の水銀が壁に付着する可能性がある。これを避けるため、本発明に係るランプの
放電容器は、その内面に金属酸化物の保護膜を有することができる。例えば、ス
カンジウム酸化物、イットリウム酸化物、ランタン酸化物、又はランタニドのう
ちの１つの元素の酸化物等の保護膜により、壁に付着することによる水銀のロス
が抑えられる。これにより、放電ランプが少量の水銀を消費する場合は、アマル
ガムをより最適な方法で設計することができる。
の水銀が壁に付着する可能性がある。これを避けるため、本発明に係るランプの
放電容器は、その内面に金属酸化物の保護膜を有することができる。例えば、ス
カンジウム酸化物、イットリウム酸化物、ランタン酸化物、又はランタニドのう
ちの１つの元素の酸化物等の保護膜により、壁に付着することによる水銀のロス
が抑えられる。これにより、放電ランプが少量の水銀を消費する場合は、アマル
ガムをより最適な方法で設計することができる。
【００２２】 本発明のこれら及び他の態様は、以下の実施例を参照しながら明白に説明され
るだろう。
るだろう。
【００２３】
図１Ａは、低圧水銀蒸気放電ランプの透視正面図である。このランプは、約３
０ｃｍ３の体積を有する放電空間１１を気密的に封止する放射線透過型放電容器
１０を有する。ここでは、この放電容器１０には、７５容量％のアルゴンと２５
容量％のネオンとの混合ガスが全圧４００Ｐａで封止されている。この実施例で
は、放電容器１０は、直径が１１ｍｍ、全長が約４６ｃｍ及び内径が約１０ｍｍ
の３つのＵ形状セグメント３２，３４及び３６を有する石灰ガラスの光透過型管
状部から形成されており、端部１４ａ；１４ｂが封止されている。このセグメン
ト３２，３４及び３６は（管状）ダクト６１及び６２により相互に接続されてい
る。この管状部は内壁面に発光コーティング１７を有している。図１Ａの実施例
では、放電を維持するための手段は、放電空間１１に配置された電極対４１ａ；
４１ｂにより構成されている。この電極対４１ａ；４１ｂは、ここではバリウム
、カルシウム及びストロンチウムの酸化物の混合物質である電子放出物質（放出
体物質）で覆われたタンステン巻線である。各電極４１ａ；４１ｂは放電容器１
０の（内側にへこんだ）端部１４ａ；１４ｂにより支持されている。電流供給導
体５０ａ，５０ａ’；５０ｂ，５０ｂ’は、電極４１ａ；４１ｂから放電容器１
０の端部１４ａ；１４ｂを貫いて突出している。この電流供給導体５０ａ，５０
ａ’；５０ｂ，５０ｂ’は、ハウジング７０に内蔵された電源（図示せず）に接
続され、ランプ口金７１の既知の電気的及び機械的接触部７３ａ，７３ｂに電気
的に接続されている。この実施例では、放電空間１１は、水銀に加えて、希ガス
すなわちアルゴン及びネオンを有する。この実施例では、水銀は、放電空間１１
だけでなく本発明の第１の態様に係るアマルガム６３にも存在している（図１Ａ
のランプのＩＢに係る詳細が側面図で示されている図１Ｂも参照）。この目的の
ため、４．０重量％のＦｅＯを有する石灰ガラスの壁６１を伴うカプセル６０が
、放電容器１０（ここでは管状の突出部６２ａ）に配置されている。動作中、ア
マルガム６３は放電容器１０に伝わる。口径部６４はカプセル６０の壁６１に溶
融している。このカプセル６０はドーム型の部分６８を有しており、この部分６
８により突出部６２ａ内でクランプされている。このカプセル６０は、本発明は
第１の態様に係るアマルガム６３を有しており、ここでは、ビスマス、スズ及び
鉛の合金を伴うＨｇのアマルガム１００ｍｇが用いられている。本発明の第１の
態様に係るアマルガム６３の特に適切な組成は、Ｂｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−
Ｈｇ０．５で表される、４４ａｔ％のＢｉ、５２ａｔ％のＳｎ、４ａｔ％のＰｂ
及び０．５ａｔ％のＨｇ（添加物又は不純物は別とする）を有する。図１Ｂの実
施例では、電流供給導体５０ａ’には、補助アマルガム８３を支持するフラッグ
がさらに備えられている。低圧水銀蒸気放電ランプがＯＮ状態になると、この補
助アマルガム８３が電極４１ａにより加熱され、その結果、大部分の水銀が比較
的高速で発生する。上記の低圧水銀蒸気放電ランプの代わりの実施例では、アマ
ルガムが、カプセルを用いずに、アマルガムが放電容器に達しないようにするた
めのガラスロッドを用いて備えられる。
０ｃｍ３の体積を有する放電空間１１を気密的に封止する放射線透過型放電容器
１０を有する。ここでは、この放電容器１０には、７５容量％のアルゴンと２５
容量％のネオンとの混合ガスが全圧４００Ｐａで封止されている。この実施例で
は、放電容器１０は、直径が１１ｍｍ、全長が約４６ｃｍ及び内径が約１０ｍｍ
の３つのＵ形状セグメント３２，３４及び３６を有する石灰ガラスの光透過型管
状部から形成されており、端部１４ａ；１４ｂが封止されている。このセグメン
ト３２，３４及び３６は（管状）ダクト６１及び６２により相互に接続されてい
る。この管状部は内壁面に発光コーティング１７を有している。図１Ａの実施例
では、放電を維持するための手段は、放電空間１１に配置された電極対４１ａ；
４１ｂにより構成されている。この電極対４１ａ；４１ｂは、ここではバリウム
、カルシウム及びストロンチウムの酸化物の混合物質である電子放出物質（放出
体物質）で覆われたタンステン巻線である。各電極４１ａ；４１ｂは放電容器１
０の（内側にへこんだ）端部１４ａ；１４ｂにより支持されている。電流供給導
体５０ａ，５０ａ’；５０ｂ，５０ｂ’は、電極４１ａ；４１ｂから放電容器１
０の端部１４ａ；１４ｂを貫いて突出している。この電流供給導体５０ａ，５０
ａ’；５０ｂ，５０ｂ’は、ハウジング７０に内蔵された電源（図示せず）に接
続され、ランプ口金７１の既知の電気的及び機械的接触部７３ａ，７３ｂに電気
的に接続されている。この実施例では、放電空間１１は、水銀に加えて、希ガス
すなわちアルゴン及びネオンを有する。この実施例では、水銀は、放電空間１１
だけでなく本発明の第１の態様に係るアマルガム６３にも存在している（図１Ａ
のランプのＩＢに係る詳細が側面図で示されている図１Ｂも参照）。この目的の
ため、４．０重量％のＦｅＯを有する石灰ガラスの壁６１を伴うカプセル６０が
、放電容器１０（ここでは管状の突出部６２ａ）に配置されている。動作中、ア
マルガム６３は放電容器１０に伝わる。口径部６４はカプセル６０の壁６１に溶
融している。このカプセル６０はドーム型の部分６８を有しており、この部分６
８により突出部６２ａ内でクランプされている。このカプセル６０は、本発明は
第１の態様に係るアマルガム６３を有しており、ここでは、ビスマス、スズ及び
鉛の合金を伴うＨｇのアマルガム１００ｍｇが用いられている。本発明の第１の
態様に係るアマルガム６３の特に適切な組成は、Ｂｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−
Ｈｇ０．５で表される、４４ａｔ％のＢｉ、５２ａｔ％のＳｎ、４ａｔ％のＰｂ
及び０．５ａｔ％のＨｇ（添加物又は不純物は別とする）を有する。図１Ｂの実
施例では、電流供給導体５０ａ’には、補助アマルガム８３を支持するフラッグ
がさらに備えられている。低圧水銀蒸気放電ランプがＯＮ状態になると、この補
助アマルガム８３が電極４１ａにより加熱され、その結果、大部分の水銀が比較
的高速で発生する。上記の低圧水銀蒸気放電ランプの代わりの実施例では、アマ
ルガムが、カプセルを用いずに、アマルガムが放電容器に達しないようにするた
めのガラスロッドを用いて備えられる。
【００２４】 図２では、図１Ａの部品に対応する部品には、２００を加えた参照番号が付さ
れている。図２に示す、本発明の第２の態様にかかるアマルガムを伴う低圧水銀
蒸気放電ランプの実施例では、放電容器２１０は、洋梨型のエンベロープ部分２
１６と、じょうご形状の部分２１８を経由してこのエンベロープ部分２１６に接
続される管状の鞘の部分２１９とを有している。本発明の第２の態様に係るアマ
ルガム２６３を有するカプセル２６０は、放電容器２１０のじょうご形状の部分
２１８の上の突出部２６２に形成される。放電容器２１０により囲まれる放電空
間２１１の外側の鞘の部分２１９は、この放電空間２１１に電気放電を維持する
ための手段を構成する電気導体の巻回部２３４を有するコイル２３３を収容する
。動作中、コイル２３３には、電流供給導体２５２，２５２’を経由して、例え
ば約２０ｋＨ以上（例えば約３ＭＨｚ）の高周波電圧が供給される。このコイル
２３３は、軟磁性体のコア２３５（破線で示されている）を取り巻いている。こ
の代わりに、コアが無くてもよい。代わりの実施例では、コイルは例えば放電空
間２１１に配置される。
れている。図２に示す、本発明の第２の態様にかかるアマルガムを伴う低圧水銀
蒸気放電ランプの実施例では、放電容器２１０は、洋梨型のエンベロープ部分２
１６と、じょうご形状の部分２１８を経由してこのエンベロープ部分２１６に接
続される管状の鞘の部分２１９とを有している。本発明の第２の態様に係るアマ
ルガム２６３を有するカプセル２６０は、放電容器２１０のじょうご形状の部分
２１８の上の突出部２６２に形成される。放電容器２１０により囲まれる放電空
間２１１の外側の鞘の部分２１９は、この放電空間２１１に電気放電を維持する
ための手段を構成する電気導体の巻回部２３４を有するコイル２３３を収容する
。動作中、コイル２３３には、電流供給導体２５２，２５２’を経由して、例え
ば約２０ｋＨ以上（例えば約３ＭＨｚ）の高周波電圧が供給される。このコイル
２３３は、軟磁性体のコア２３５（破線で示されている）を取り巻いている。こ
の代わりに、コアが無くてもよい。代わりの実施例では、コイルは例えば放電空
間２１１に配置される。
【００２５】 図３は、本発明に係るアマルガム６３の組成の範囲を含むＢｉ−Ｓｎ−Ｐｂの
３成分相図であり、本発明の第１の態様に係る０．２ａｔ％−２ａｔ％の範囲の
Ｈｇ、又は本発明の第２の態様に係る０．０５ａｔ％−０．５ａｔ％の範囲のＨ
ｇが所望の組成に加えられると、所望の効果が実現される。図３の範囲（ａ）は
、アマルガムが、８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８０の範囲内のビスマス−ス
ズ比（Ｂｉ：Ｓｎ）と、０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲内の鉛含有量（
Ｐｂ）とを有する範囲を示す。図３の範囲（ｂ）は、アマルガムが、７０：３０
≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲内のビスマス−スズ比と、１ａｔ％≦Ｐｂ≦１
０ａｔ％の範囲内の鉛含有量とを有する範囲を示す。
３成分相図であり、本発明の第１の態様に係る０．２ａｔ％−２ａｔ％の範囲の
Ｈｇ、又は本発明の第２の態様に係る０．０５ａｔ％−０．５ａｔ％の範囲のＨ
ｇが所望の組成に加えられると、所望の効果が実現される。図３の範囲（ａ）は
、アマルガムが、８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ≦２０：８０の範囲内のビスマス−ス
ズ比（Ｂｉ：Ｓｎ）と、０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％の範囲内の鉛含有量（
Ｐｂ）とを有する範囲を示す。図３の範囲（ｂ）は、アマルガムが、７０：３０
≦Ｂｉ：Ｓｎ≦３０：７０の範囲内のビスマス−スズ比と、１ａｔ％≦Ｐｂ≦１
０ａｔ％の範囲内の鉛含有量とを有する範囲を示す。
【００２６】 図４Ａは、本発明の第１の態様に係る特に適切なアマルガムＢｉ４４−Ｓｎ５
２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．５（曲線Ａ）の温度（摂氏で表される）の関数で表される
水銀蒸気圧（ｐＨｇはＰａで表される）を、２つの既知のアマルガムに対応する
水銀蒸気圧曲線、すなわちＢｉ５３−Ｓｎ４７−Ｈｇ３（曲線Ｒ，米国特許ＵＳ
４,１５７,４８５から既知のアマルガム）及びＢｉ４８−Ｓｎ２４−Ｐｂ２８−
Ｈｇ３（曲線Ｔ，米国特許ＵＳ４,０９３,８８９から既知のアマルガム）の曲線
と比較したグラフを示す。２本の水平な一点鎖線は、最適動作中において放射出
力が少なくとも８０％である範囲を示す。図４Ａの水銀蒸気圧曲線を比較するこ
とにより、本発明の第１の態様にかかるアマルガムがより広い安定範囲を有し、
しかも、このようなアマルガムは、より高い冷点温度を伴うランプに用いること
ができることがわかる。本発明の第１の態様に係るアマルガムは、とりわけ（小
型の）蛍光ランプの使用に適している。
２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．５（曲線Ａ）の温度（摂氏で表される）の関数で表される
水銀蒸気圧（ｐＨｇはＰａで表される）を、２つの既知のアマルガムに対応する
水銀蒸気圧曲線、すなわちＢｉ５３−Ｓｎ４７−Ｈｇ３（曲線Ｒ，米国特許ＵＳ
４,１５７,４８５から既知のアマルガム）及びＢｉ４８−Ｓｎ２４−Ｐｂ２８−
Ｈｇ３（曲線Ｔ，米国特許ＵＳ４,０９３,８８９から既知のアマルガム）の曲線
と比較したグラフを示す。２本の水平な一点鎖線は、最適動作中において放射出
力が少なくとも８０％である範囲を示す。図４Ａの水銀蒸気圧曲線を比較するこ
とにより、本発明の第１の態様にかかるアマルガムがより広い安定範囲を有し、
しかも、このようなアマルガムは、より高い冷点温度を伴うランプに用いること
ができることがわかる。本発明の第１の態様に係るアマルガムは、とりわけ（小
型の）蛍光ランプの使用に適している。
【００２７】 図４Ｂは、本発明の第１の態様に係る２種類の組成のアマルガム、つまりＢｉ
４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４（曲線Ａ）及びＢｉ４５−Ｓｎ５３−Ｐｂ２（曲線Ｂ）
（双方ともに、０．５ａｔ％のＨｇが加えられている）に対して、水銀蒸気圧ｐ Ｈｇ を温度の関数として示したグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最適動
作中において放射出力が少なくとも８０％である範囲を示す。図４Ｂは、３成分
Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶（図３にＥで示されている）と２成分Ｂｉ−Ｓｎ共晶との
間の温度範囲において、鉛の含有量により水銀蒸気圧曲線がどの程度影響を受け
るのかを示す。
４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４（曲線Ａ）及びＢｉ４５−Ｓｎ５３−Ｐｂ２（曲線Ｂ）
（双方ともに、０．５ａｔ％のＨｇが加えられている）に対して、水銀蒸気圧ｐ Ｈｇ を温度の関数として示したグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最適動
作中において放射出力が少なくとも８０％である範囲を示す。図４Ｂは、３成分
Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐｂ共晶（図３にＥで示されている）と２成分Ｂｉ−Ｓｎ共晶との
間の温度範囲において、鉛の含有量により水銀蒸気圧曲線がどの程度影響を受け
るのかを示す。
【００２８】 図４Ｃは、本発明の第１の態様に係る２種類の組成のアマルガム、つまりＢｉ
４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．５（曲線Ａ）及びＢｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ
４−Ｈｇ０．８（曲線Ｃ）に対して、水銀蒸気圧ｐＨｇを温度の関数として示し
たグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最適動作中において放射出力が少な
くとも８０％である範囲を示す。図４Ｃは、水銀蒸気圧曲線がどの程度の水銀含
有量で最適化できるのかを示す。寿命がくるまでの間に比較的少量の水銀を消費
する低圧水銀蒸気放電ランプに対しては、最初の水銀含有量が比較的低いアマル
ガムであって、放電ランプの動作中、比較的広範囲の周囲温度内において高い放
射出力を得るのに適したより最適なアマルガムを設計することができる。
４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．５（曲線Ａ）及びＢｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ
４−Ｈｇ０．８（曲線Ｃ）に対して、水銀蒸気圧ｐＨｇを温度の関数として示し
たグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最適動作中において放射出力が少な
くとも８０％である範囲を示す。図４Ｃは、水銀蒸気圧曲線がどの程度の水銀含
有量で最適化できるのかを示す。寿命がくるまでの間に比較的少量の水銀を消費
する低圧水銀蒸気放電ランプに対しては、最初の水銀含有量が比較的低いアマル
ガムであって、放電ランプの動作中、比較的広範囲の周囲温度内において高い放
射出力を得るのに適したより最適なアマルガムを設計することができる。
【００２９】 図５は、本発明の第２の態様に係るアマルガムであって、鉛及び水銀の含有量
が異なるアマルガム、つまりＢｉ４５−Ｓｎ５３−Ｐｂ２−Ｈｇ０．１（曲線Ｄ
）及びＢｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．２（曲線Ｅ）に対して、水銀蒸気
圧ｐＨｇを温度の関数として示したグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最
適動作中において放射出力が少なくとも８０％である範囲を示す。図５は、水銀
蒸気圧曲線がどの程度の鉛及び水銀含有量で最適化できるのかを示す。本発明の
第２の態様に係るアマルガムは、とりわけ無極型の低圧水銀蒸気放電ランプの使
用に適している。寿命がくるまでの間に比較的少量の水銀を消費する無極型の低
圧水銀蒸気放電ランプに対しては、最初の水銀含有量が比較的低く、放電ランプ
の動作中、比較的広範囲の周囲温度内において高い放射出力を得るのに適したよ
り最適なアマルガムを設計することができる。
が異なるアマルガム、つまりＢｉ４５−Ｓｎ５３−Ｐｂ２−Ｈｇ０．１（曲線Ｄ
）及びＢｉ４４−Ｓｎ５２−Ｐｂ４−Ｈｇ０．２（曲線Ｅ）に対して、水銀蒸気
圧ｐＨｇを温度の関数として示したグラフである。２本の水平な一点鎖線は、最
適動作中において放射出力が少なくとも８０％である範囲を示す。図５は、水銀
蒸気圧曲線がどの程度の鉛及び水銀含有量で最適化できるのかを示す。本発明の
第２の態様に係るアマルガムは、とりわけ無極型の低圧水銀蒸気放電ランプの使
用に適している。寿命がくるまでの間に比較的少量の水銀を消費する無極型の低
圧水銀蒸気放電ランプに対しては、最初の水銀含有量が比較的低く、放電ランプ
の動作中、比較的広範囲の周囲温度内において高い放射出力を得るのに適したよ
り最適なアマルガムを設計することができる。
【００３０】 本発明の範囲内において多くの変形が当業者により考えられることは明らかで
あろう。
あろう。
【００３１】 本発明の保護範囲は、上記の実施例には限定されない。本発明は、あらゆる新
規な特徴、及びあらゆる特徴の組合せに存在する。特許請求の範囲において、”
有する”という言葉の使用は、請求項に記載された以外の要素の存在を排除する
ものではない。特許請求の範囲において、要素の前の”１つ”という言葉の使用
は、この要素が複数存在することを排除するものではない。
規な特徴、及びあらゆる特徴の組合せに存在する。特許請求の範囲において、”
有する”という言葉の使用は、請求項に記載された以外の要素の存在を排除する
ものではない。特許請求の範囲において、要素の前の”１つ”という言葉の使用
は、この要素が複数存在することを排除するものではない。
【図１Ａ】 本発明の第１の態様に係るアマルガムを有する低圧水銀蒸気放電ランプの実施
例の透視図である。
例の透視図である。
【図１Ｂ】 図１ＡのランプのＩＢに係る詳細を示す側面図である。
【図２】 本発明の第２の態様に係るアマルガムを有する低圧水銀蒸気放電ランプの実施
例である。
例である。
【図３】 本発明に係るアマルガムの組成の範囲を含むＢｉ−Ｓｎ−Ｐｂの３成分相図で
ある。
ある。
【図４Ａ】 本発明の第１の態様に係る特に適切なアマルガムに対して、温度の関数で表さ
れた水銀蒸気圧を、２つの既知のアマルガムの水銀蒸気圧曲線と比較したグラフ
を示す。
れた水銀蒸気圧を、２つの既知のアマルガムの水銀蒸気圧曲線と比較したグラフ
を示す。
【図４Ｂ】 本発明の第１の態様に係る、鉛含有量が異なるアマルガムに対して、水銀蒸気
圧を温度の関数として示したグラフである。
圧を温度の関数として示したグラフである。
【図４Ｃ】 本発明の第１の態様に係る、水銀含有量が異なるアマルガムに対して、水銀蒸
気圧を温度の関数として示したグラフである。
気圧を温度の関数として示したグラフである。
【図５】 本発明の第２の態様に係る、鉛含有量及び水銀含有量が異なるアマルガムに対
して、水銀蒸気圧を温度の関数として示したグラフである。
して、水銀蒸気圧を温度の関数として示したグラフである。
１０，２１０ 放電容器 １１，２１１ 放電空間 １４ａ，１４ｂ 端部 １７ 発光コーティング ３２，３４，３６ セグメント ４１ａ，４１ｂ 電極対 ５０ａ，５０ａ’，５０ｂ，５０ｂ’，２５２，２５２’ 電流供給導体 ６０，２６０ カプセル ６２ａ，２６２ 突出部 ６３，２６３ アマルガム ６４ 開口 ７０ ハウジング ７１ ランプ口金 ７３ａ，７３ｂ 電気的及び機械的接触部 ８３ 補助アマルガム ２３３ コイル ２３４ 巻回部 ２３５ コア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランコルスト マルティン エッチ アー ル オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 ニーマン ウルリッヒ オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 カルデンホーヴェン ランベルト シー アイ オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 ケール ウィルヘルムス シー オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 ヴァン デ ヴェン マリナス ジェイ ダブリュー エム オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ 【要約の続き】 間とを有し、これは、比較的大きい温度間隔で達成され る。
Claims (5)
- 【請求項１】 放電容器を備えた低圧水銀蒸気放電ランプであって、 前記放電容器が、水銀及び希ガスを含む放電空間を気密的に封止し、 前記放電容器が、前記放電空間と連通するアマルガムを含み、 前記放電容器内に電気放電を維持するための放電手段を有する低圧水銀蒸気放
電ランプであって、 前記アマルガムが、８０：２０≦Ｂｉ：Ｓｎ（ビスマス−スズ比）≦２０：８
０の範囲のビスマス−スズ比と、０．７ａｔ％≦Ｐｂ（鉛含有量）≦１２ａｔ％
の範囲の鉛含有量と、０．０５ａｔ％≦Ｈｇ（水銀含有量）≦２ａｔ％の範囲の
水銀含有量とを有することを特徴とする低圧水銀蒸気放電ランプ。 - 【請求項２】 前記アマルガムのビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓ
ｎ≦２０：８０の範囲にあり、前記鉛含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％
の範囲にあり、前記水銀含有量が０．２ａｔ％≦Ｈｇ≦２ａｔ％の範囲にあるこ
とを特徴とする請求項１に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。 - 【請求項３】 前記アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓ
ｎ≦３０：７０の範囲にあり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範
囲にあり、前記水銀含有量が０．２５ａｔ％≦Ｈｇ≦１．２ａｔ％の範囲にある
ことを特徴とする請求項２に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。 - 【請求項４】 前記アマルガムのビスマス−スズ比が８０：２０≦Ｂｉ：Ｓ
ｎ≦２０：８０の範囲にあり、前記鉛含有量が０．７ａｔ％≦Ｐｂ≦１２ａｔ％
の範囲にあり、前記水銀含有量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲に
あることを特徴とする請求項１に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。 - 【請求項５】 前記アマルガムのビスマス−スズ比が７０：３０≦Ｂｉ：Ｓ
ｎ≦３０：７０の範囲にあり、前記鉛含有量が１ａｔ％≦Ｐｂ≦１０ａｔ％の範
囲にあり、前記水銀含有量が０．０５ａｔ％≦Ｈｇ≦０．５ａｔ％の範囲にある
ことを特徴とする請求項４に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
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