JP2002530647A - 触媒ライブラリをスクリーニングする方法および装置 - Google Patents
触媒ライブラリをスクリーニングする方法および装置Info
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 229
- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 119
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 80
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 22
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 238000001561 resonance enhanced multiphoton ionisation spectroscopy Methods 0.000 abstract description 86
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 50
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 10
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 101
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 13
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002815 homogeneous catalyst Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 8
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000002638 heterogeneous catalyst Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001269 time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000577121 Homo sapiens Monocarboxylate transporter 3 Proteins 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100025275 Monocarboxylate transporter 3 Human genes 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 3
- 238000002898 library design Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000013537 high throughput screening Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000050 ionisation spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 2
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006576 Althaea officinalis Nutrition 0.000 description 1
- CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N Benzal chloride Chemical compound ClC(Cl)C1=CC=CC=C1 CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 102100022626 Glutamate receptor ionotropic, NMDA 2D Human genes 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000972840 Homo sapiens Glutamate receptor ionotropic, NMDA 2D Proteins 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001080180 Quinta Species 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- GZTMNDOZYLMFQE-UHFFFAOYSA-N coumarin 500 Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(=O)OC2=CC(NCC)=CC=C21 GZTMNDOZYLMFQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000003255 drug test Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000105 evaporative light scattering detection Methods 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000012615 high-resolution technique Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002773 nucleotide Substances 0.000 description 1
- 125000003729 nucleotide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000005173 quadrupole mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N tris(2-aminoethyl)amine Chemical compound NCCN(CCN)CCN MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
アドレスしうる試験部位を有する触媒ライブラリの活性および選択性の迅速スクリーニングは、潜在的触媒を試験部位で反応体流と接触させてアドレスしうる試験部位に生成物プルームを形成させる。生成物プルームは、試料プローブおよび／またはライブラリを１つのアドレスしうる部位が試料採取試料オリフィスに近位する位置まで並進させると共に、反応生成物の１部を試料採取オリフィスに通過させて少なくとも１つの減圧段階でフリージェット膨張容積を形成させ、さらに冷却かつ減圧されたジェット流を分析用の質量分光光度計の入口オリフィスに通過させることによりスクリーニングされる。質量分光光度法分析は、極めて迅速なライブラリ評価につき検出の共鳴強化マルチフォトンイオン化法と組み合わせることができる。適する反応器、微小反応器および質量分光光度計まで生成物移送する生成物移送試料微小プローブについても開示する。
Description
【０００１】 本発明は、質量分光光度法による不均質触媒および均質触媒の活性および選択
性の迅速スクリーニングに関するものである。本発明は、質量分光光度法により
触媒ライブラリにおける全触媒部位からの気体、液体もしくは固体生成物の極め
て迅速なスクリーニング、並びにこれと選択性共鳴強化マルチフォトンイオン化
（ＲＥＭＰＩ）との組み合わせを提供する。
性の迅速スクリーニングに関するものである。本発明は、質量分光光度法により
触媒ライブラリにおける全触媒部位からの気体、液体もしくは固体生成物の極め
て迅速なスクリーニング、並びにこれと選択性共鳴強化マルチフォトンイオン化
（ＲＥＭＰＩ）との組み合わせを提供する。
【０００２】 固体および液体の各触媒は広範な種類の薬品および燃料の製造に使用され、こ
のようにして経済および高生活規準に顕著に貢献する［ナショナル・リサーチ・
カウンシル、「触媒は将来を探求する」、ナショナル・アカデミー・プレス、ワ
シントンＤ．Ｃ．（１９９２）］。さらに触媒は、たとえば内燃エンジンのため
の触媒コンバータにおけるような重要な環境的利点をも与える。しかしながら、
その重要性および広範な用途にも拘わらず、新規かつ改善された触媒の開発は困
難かつかなり予想不能な試行錯誤のプロセスであり続ける。従来、個々の触媒は
触媒活性につき特性化および試験され、改変され、さらに改善が合理化されなく
なるまで再び特性化および試験される多くの種類の面倒かつ時間の掛かる方法を
用いて作成される。この手法は時間浪費的であるが、顕著な種類の固相種類の触
媒の発見に成功している［Ｈ．ハイネマン、「工業触媒の簡単な歴史」、キャタ
リシス：サイエンス・アンド・テクノロジー、Ｊ．Ｒ．アンダーソンおよびＭ．
ブーダルト編、第１章、スプリンガー・フェアラーク出版、ベルリン（１９８１
）］。さらに均質液相触媒の発見にも成功している［Ａ．モントローおよびＦ．
ペチット、「工業触媒の工業用途」、クルーバー出版社、ニューヨーク（１９８
８）］。
のようにして経済および高生活規準に顕著に貢献する［ナショナル・リサーチ・
カウンシル、「触媒は将来を探求する」、ナショナル・アカデミー・プレス、ワ
シントンＤ．Ｃ．（１９９２）］。さらに触媒は、たとえば内燃エンジンのため
の触媒コンバータにおけるような重要な環境的利点をも与える。しかしながら、
その重要性および広範な用途にも拘わらず、新規かつ改善された触媒の開発は困
難かつかなり予想不能な試行錯誤のプロセスであり続ける。従来、個々の触媒は
触媒活性につき特性化および試験され、改変され、さらに改善が合理化されなく
なるまで再び特性化および試験される多くの種類の面倒かつ時間の掛かる方法を
用いて作成される。この手法は時間浪費的であるが、顕著な種類の固相種類の触
媒の発見に成功している［Ｈ．ハイネマン、「工業触媒の簡単な歴史」、キャタ
リシス：サイエンス・アンド・テクノロジー、Ｊ．Ｒ．アンダーソンおよびＭ．
ブーダルト編、第１章、スプリンガー・フェアラーク出版、ベルリン（１９８１
）］。さらに均質液相触媒の発見にも成功している［Ａ．モントローおよびＦ．
ペチット、「工業触媒の工業用途」、クルーバー出版社、ニューヨーク（１９８
８）］。
【０００３】 多数の種類の薬品を迅速に製造する組合せ化学、および次いで適する技術によ
り所望の特性につきスクリーニングされる発生したライブラリは新規な触媒の発
見につき特に魅力的な処方である［ケミカル・エンジニアリング・ニュース、１
９９６年２月１２日］。組合せ合成は先ず最初にたとえばペプチドおよびヌクレ
オチドのような生物学的オリゴマーの大ライブラリを合成すべく使用されたが、
薬物試験につき使用しうる小分子ライブラリの形成が成長しつつある［Ｊ．ニー
ルセン、ケミストリー・アンド・インダストリー、第９０２頁、１９９４年１１
月２１日］。最近、組合わせ多様合成が、超伝導性［Ｘ−Ｄ、キシャング、Ｘ．
サン、Ｇ．ブリセノ、Ｙ．ラウ、Ｋ−Ａ．ワング、Ｈ．チャング、Ｗ．Ｇ．ワレ
ス−フリードマン、Ｓ−Ｗ．チェンおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「物質発見への組
合せ手法」、サイエンス、第２６８巻、第１７３８頁（１９９５）］、磁気抵抗
［Ｇ．ブリセノ、Ｈ．チャング、Ｘ．サン、Ｐ．Ｇ．シュルツおよびＸ−Ｄ．キ
シヤング、「組合せ合成で発見された種類の酸化コバルト磁気抵抗材料」、サイ
エンス、第２７０巻、第２７３頁（１９９５）およびルミネッセンス［Ｊ．ワン
グ、Ｙ．ユー、Ｉ．タケウチ、Ｘ−Ｄ．サン、Ｈ．チャング、Ｘ−Ｄ．キシヤン
グおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「組合せライブラリからの青色フォトルミネッセン
ス複合材料の同定」、サイエンス、第２７９巻、第１７１２頁（１９９８）、Ｅ
．ダニエルソン、Ｊ．Ｈ．ゴールデン、ＥＷ．マックファランド、Ｃ．Ｍ．リー
ブス、Ｗ．Ｈ．ワインベルグおよびＸ−Ｄ．ウー、「ルミネッセンス材料の発見
および最適化に対する組合せ手法」、ネイチャー、第３９８巻、第９４４頁（１
９９７）、Ｘ−Ｄ．サン、Ｃ．ガオ、Ｊ．ワングおよびＸ−Ｄ．キシアング、「
組合せライブラリを用いる高度燐の同定および最適化」、アプライド・フィジカ
ル・レタース、第７０巻、第３３５３頁（１９９７）、並びにＸ−Ｄ．サン、Ｋ
．Ａ．ワング、Ｙ．ユー、Ｗ．Ｇ．ワレス−フリードマン、Ｃ．ガオ、Ｘ−Ｄ．
キシアングおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「ルミネッセンス材料ライブラリの溶液相
合成」、アドバンスト・マテリアルス、第９巻、第１０４６頁（１９９７）］に
使用する固相化合物にも拡大されている。これらの場合、物理的に遮蔽された個
々の試料は、それぞれコンピュータ制御のマルチチャンネル切換システムにより
接触プローブを用いて測定された。質量分光光度計に連結されたミクロプローブ
試料採取［Ｍ．カセム、Ｍ．クムおよびＳ．Ｍ．センカン、「燃料リッチ１，２
−Ｃ２Ｈ４Ｃｌ２／ＣＨ４／Ｏ２／Ａｒフレームの化学構造：塩素化炭化水素フ
レームの試料採取に対するミクロプローブ冷却の効果」、コンバスト・サイエン
ス・テクノロジー、第６７巻、第１４７頁（１９８９）］および現場ＩＲ［Ｆ．
Ｃ．モエート、Ｍ．ソマニ、Ｊ．アンナマライ、Ｊ．Ｔ．リチャードソン、Ｄ．
ルスおよびＲ．Ｃ．ウイルソン、「不均質触媒の組合せライブラリの赤外ターモ
グラフスクリーニング」、インダストリアル・エンジニアリング・ケミストリー
・リサーチ、第３５巻、第４８０１頁（１９９６）］が触媒スクリーニングにつ
き提案されているが、大触媒ライブラリをスクリーニングするのに充分な感度、
選択性、空間分割もしくは高処理能力を持たず、さらに何百もしくは何千もの化
合物の作成を同時的に試験しうる能力を欠如するという重大な欠点を有する［Ｒ
．Ｆ．サービス、「高速度材料デザイン」、サイエンス、第２７７巻、第４７４
頁（１９９７）］。ミクロプローブ質量分光光度法は、低濃度の物質種類を含有
する極めて少量のガスを各部位から試料採取すると共に移送することを必要とし
、この方法を迅速スクリーニングについては非実用的にする。現場の赤外線技術
は、触媒同定につき重要である生成物選択性に関する情報を与えることができな
い。
り所望の特性につきスクリーニングされる発生したライブラリは新規な触媒の発
見につき特に魅力的な処方である［ケミカル・エンジニアリング・ニュース、１
９９６年２月１２日］。組合せ合成は先ず最初にたとえばペプチドおよびヌクレ
オチドのような生物学的オリゴマーの大ライブラリを合成すべく使用されたが、
薬物試験につき使用しうる小分子ライブラリの形成が成長しつつある［Ｊ．ニー
ルセン、ケミストリー・アンド・インダストリー、第９０２頁、１９９４年１１
月２１日］。最近、組合わせ多様合成が、超伝導性［Ｘ−Ｄ、キシャング、Ｘ．
サン、Ｇ．ブリセノ、Ｙ．ラウ、Ｋ−Ａ．ワング、Ｈ．チャング、Ｗ．Ｇ．ワレ
ス−フリードマン、Ｓ−Ｗ．チェンおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「物質発見への組
合せ手法」、サイエンス、第２６８巻、第１７３８頁（１９９５）］、磁気抵抗
［Ｇ．ブリセノ、Ｈ．チャング、Ｘ．サン、Ｐ．Ｇ．シュルツおよびＸ−Ｄ．キ
シヤング、「組合せ合成で発見された種類の酸化コバルト磁気抵抗材料」、サイ
エンス、第２７０巻、第２７３頁（１９９５）およびルミネッセンス［Ｊ．ワン
グ、Ｙ．ユー、Ｉ．タケウチ、Ｘ−Ｄ．サン、Ｈ．チャング、Ｘ−Ｄ．キシヤン
グおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「組合せライブラリからの青色フォトルミネッセン
ス複合材料の同定」、サイエンス、第２７９巻、第１７１２頁（１９９８）、Ｅ
．ダニエルソン、Ｊ．Ｈ．ゴールデン、ＥＷ．マックファランド、Ｃ．Ｍ．リー
ブス、Ｗ．Ｈ．ワインベルグおよびＸ−Ｄ．ウー、「ルミネッセンス材料の発見
および最適化に対する組合せ手法」、ネイチャー、第３９８巻、第９４４頁（１
９９７）、Ｘ−Ｄ．サン、Ｃ．ガオ、Ｊ．ワングおよびＸ−Ｄ．キシアング、「
組合せライブラリを用いる高度燐の同定および最適化」、アプライド・フィジカ
ル・レタース、第７０巻、第３３５３頁（１９９７）、並びにＸ−Ｄ．サン、Ｋ
．Ａ．ワング、Ｙ．ユー、Ｗ．Ｇ．ワレス−フリードマン、Ｃ．ガオ、Ｘ−Ｄ．
キシアングおよびＰ．Ｇ．シュルツ、「ルミネッセンス材料ライブラリの溶液相
合成」、アドバンスト・マテリアルス、第９巻、第１０４６頁（１９９７）］に
使用する固相化合物にも拡大されている。これらの場合、物理的に遮蔽された個
々の試料は、それぞれコンピュータ制御のマルチチャンネル切換システムにより
接触プローブを用いて測定された。質量分光光度計に連結されたミクロプローブ
試料採取［Ｍ．カセム、Ｍ．クムおよびＳ．Ｍ．センカン、「燃料リッチ１，２
−Ｃ２Ｈ４Ｃｌ２／ＣＨ４／Ｏ２／Ａｒフレームの化学構造：塩素化炭化水素フ
レームの試料採取に対するミクロプローブ冷却の効果」、コンバスト・サイエン
ス・テクノロジー、第６７巻、第１４７頁（１９８９）］および現場ＩＲ［Ｆ．
Ｃ．モエート、Ｍ．ソマニ、Ｊ．アンナマライ、Ｊ．Ｔ．リチャードソン、Ｄ．
ルスおよびＲ．Ｃ．ウイルソン、「不均質触媒の組合せライブラリの赤外ターモ
グラフスクリーニング」、インダストリアル・エンジニアリング・ケミストリー
・リサーチ、第３５巻、第４８０１頁（１９９６）］が触媒スクリーニングにつ
き提案されているが、大触媒ライブラリをスクリーニングするのに充分な感度、
選択性、空間分割もしくは高処理能力を持たず、さらに何百もしくは何千もの化
合物の作成を同時的に試験しうる能力を欠如するという重大な欠点を有する［Ｒ
．Ｆ．サービス、「高速度材料デザイン」、サイエンス、第２７７巻、第４７４
頁（１９９７）］。ミクロプローブ質量分光光度法は、低濃度の物質種類を含有
する極めて少量のガスを各部位から試料採取すると共に移送することを必要とし
、この方法を迅速スクリーニングについては非実用的にする。現場の赤外線技術
は、触媒同定につき重要である生成物選択性に関する情報を与えることができな
い。
【０００４】 質量分光光度法は、気体物質の質量を測定する充分確立されかつ広範に用いう
る方法である。この技術は、たとえば電子衝突もしくは光フォトイオン化に続く
、たとえばクアドラポール質量分光光度法のような技術または飛行時間質量分光
光度法および適する検出器による選択イオンの検出のような技術を用いるイオン
の分離など多数の方法による気体物質のイオン化を含む。毛細管プローブ試料採
取質量分光光度法が触媒ライブラリのスクリーニングにつき最近報告されている
［Ｐ．コング；Ｄ．ギアクインタ；Ｓ．グアン；Ｅ．マックファーランド；Ｋ．
セルフ；Ｈ．ターナー；およびＷ．Ｈ．ワインベルグ、「酸化触媒の発展および
最適化に対する組合せ化学手法」、プロセス・ミニアチャリゼーション・セクシ
ョン、第２インターナショナル・コンフェレンス・マイクロ・テクノロジー、１
９９８年３月９〜１２日、ニュー・オルルリーンズ、Ｌａ、第１１８頁］。コン
グ等は、生成ガス流がライブラリ部位から質量分光光度計のイオン化帯域まで流
動する毛細管チューブを包囲した環状空間を介し個々のライブラリ部位への反応
体ガスの導入を教示している。コング等は１４４個のライブラリ部位を約２時間
で測定することを報告している。コング等の方法にて毛細管による試料移送速度
は、質量分光光度計チャンバにより許容されるポンピング速度により制限される
。毛細管プローブ試料採取の他の欠点は、比較的長い移送ライン表面により誘発
される吸着および触媒反応の能力である。二成分、三成分、四成分および一層成
分の固相材料、有機金属物質および優れた触媒特性を有しうる他の錯体金属化合
物に普遍的な大きい未開発の分野が存在する。従来の慣用手法は、この膨大な種
類の触媒化合物を迅速に合成およびスクリーニングするには不充分であった。不
均質および均質状態のライブラリを作成すると共に、これらを所望の触媒特性に
つきスクリーニングする一層効率的かつ系統的な方法を開発するニーズが存在す
ることは明らかである。組合せ固相合成技術は、新規および／または改良触媒の
発見には用いられていない。これに関する重大な阻害は、広範に用いうると共に
大触媒ライブラリを迅速スクリーニングすべく使用しうる高感度、選択性および
高処理の測定技術の欠如であった。触媒スクリーニングは、慣用の接触プローブ
により容易に試験しうる超伝導性もしくは磁気抵抗または光放出により試験しう
るルミネッセンスとは異なり、大ライブラリにおける小触媒部位の近傍にて特定
生成物分子の存在を明確に検出することを必要とする。
る方法である。この技術は、たとえば電子衝突もしくは光フォトイオン化に続く
、たとえばクアドラポール質量分光光度法のような技術または飛行時間質量分光
光度法および適する検出器による選択イオンの検出のような技術を用いるイオン
の分離など多数の方法による気体物質のイオン化を含む。毛細管プローブ試料採
取質量分光光度法が触媒ライブラリのスクリーニングにつき最近報告されている
［Ｐ．コング；Ｄ．ギアクインタ；Ｓ．グアン；Ｅ．マックファーランド；Ｋ．
セルフ；Ｈ．ターナー；およびＷ．Ｈ．ワインベルグ、「酸化触媒の発展および
最適化に対する組合せ化学手法」、プロセス・ミニアチャリゼーション・セクシ
ョン、第２インターナショナル・コンフェレンス・マイクロ・テクノロジー、１
９９８年３月９〜１２日、ニュー・オルルリーンズ、Ｌａ、第１１８頁］。コン
グ等は、生成ガス流がライブラリ部位から質量分光光度計のイオン化帯域まで流
動する毛細管チューブを包囲した環状空間を介し個々のライブラリ部位への反応
体ガスの導入を教示している。コング等は１４４個のライブラリ部位を約２時間
で測定することを報告している。コング等の方法にて毛細管による試料移送速度
は、質量分光光度計チャンバにより許容されるポンピング速度により制限される
。毛細管プローブ試料採取の他の欠点は、比較的長い移送ライン表面により誘発
される吸着および触媒反応の能力である。二成分、三成分、四成分および一層成
分の固相材料、有機金属物質および優れた触媒特性を有しうる他の錯体金属化合
物に普遍的な大きい未開発の分野が存在する。従来の慣用手法は、この膨大な種
類の触媒化合物を迅速に合成およびスクリーニングするには不充分であった。不
均質および均質状態のライブラリを作成すると共に、これらを所望の触媒特性に
つきスクリーニングする一層効率的かつ系統的な方法を開発するニーズが存在す
ることは明らかである。組合せ固相合成技術は、新規および／または改良触媒の
発見には用いられていない。これに関する重大な阻害は、広範に用いうると共に
大触媒ライブラリを迅速スクリーニングすべく使用しうる高感度、選択性および
高処理の測定技術の欠如であった。触媒スクリーニングは、慣用の接触プローブ
により容易に試験しうる超伝導性もしくは磁気抵抗または光放出により試験しう
るルミネッセンスとは異なり、大ライブラリにおける小触媒部位の近傍にて特定
生成物分子の存在を明確に検出することを必要とする。
【０００５】 本発明は、組合せ合成により発生した均質および不均質触媒ライブラリの活性
および選択性を迅速スクリーニングするための高処理方法を提供する。固相およ
び液相の触媒ライブラリは各種の技術を用いて作成することができ、多数の化学
元素および化合物の組合せを含みうる。
および選択性を迅速スクリーニングするための高処理方法を提供する。固相およ
び液相の触媒ライブラリは各種の技術を用いて作成することができ、多数の化学
元素および化合物の組合せを含みうる。
【０００６】 １具体例において、触媒ライブラリは質量分光光度法を用いる高処理量スクリ
ーニングにより活性と選択性との両者につきスクリーニングすることができる。
微小反応器の触媒ライブラリおよび本発明による分析のため質量分光光度計への
反応生成物の直接移送は触媒ライブラリの迅速スクリーニングを与える。反応生
成物を質量分光光度計まで移送するフリージェット試料採取プローブを含むモノ
リス構造体における微小反応器列の触媒ライブラリを用いる本発明の技術および
装置は各部位を約１〜５秒にてスクリーニングことを可能にする（これはコング
等の上記引例の教示と比べ重要な改良である）と共に、毛細管ミクロプローブ試
料採取に固有の潜在的壁部作用を排除する。
ーニングにより活性と選択性との両者につきスクリーニングすることができる。
微小反応器の触媒ライブラリおよび本発明による分析のため質量分光光度計への
反応生成物の直接移送は触媒ライブラリの迅速スクリーニングを与える。反応生
成物を質量分光光度計まで移送するフリージェット試料採取プローブを含むモノ
リス構造体における微小反応器列の触媒ライブラリを用いる本発明の技術および
装置は各部位を約１〜５秒にてスクリーニングことを可能にする（これはコング
等の上記引例の教示と比べ重要な改良である）と共に、毛細管ミクロプローブ試
料採取に固有の潜在的壁部作用を排除する。
【０００７】 他の具体例において、質量分光光度分析は生成ガスの共鳴強化イオン化と微小
電極スクリーニングとを組み合わせて使用することもできる。両スクリーニング
法が可能である場合、照射活性化を用いて有望部位を迅速に同定することができ
、次いで質量分光光度法を用いて収率および選択率を一層詳細に定量することが
できる。反応生成物の独特な共鳴強化マルチフォトンイオン化シグナルを使用し
えない照射頻度の同定の場合、質量分光光度法を用いて触媒ライブラリを迅速ス
クリーニングすることができる。
電極スクリーニングとを組み合わせて使用することもできる。両スクリーニング
法が可能である場合、照射活性化を用いて有望部位を迅速に同定することができ
、次いで質量分光光度法を用いて収率および選択率を一層詳細に定量することが
できる。反応生成物の独特な共鳴強化マルチフォトンイオン化シグナルを使用し
えない照射頻度の同定の場合、質量分光光度法を用いて触媒ライブラリを迅速ス
クリーニングすることができる。
【０００８】 現場にて反応器内での検出法は共鳴強化マルチフォトンイオン化（ＲＥＭＰＩ
）の高感度、特異性および実時間特徴を使用し、ここではパルス化された調整自
在なイオン化用光源を用いて所望の反応生成物を反応体および／または他のバッ
クグランド物質のイオン化なしに選択的に光イオン化させる。特定触媒ライブラ
リ部位と接触させながら反応体から反応生成物プルームにおける調整自在な光線
で発生したフォトイオンもしくは光電子は、ライブラリ部位に近接位置した微小
電極列により検出される。本発明を調整自在なイオン化ビームを用いて説明する
が、特定フォトイオンおよび光電子の形成を促進するエネルギーレベルの任意の
照射ビームを使用することもできる。反応生成物が固体もしくは液体である場合
、これらはパルス化レーザー光線に続き適するＵＶレーザーを用いる生成物の選
択的フォトイオン化により除去することができる。本発明の方法は、数種の反応
生成物質を検出することにより触媒選択性につき情報を与えることができる。こ
れは異なる光周波数を用い順次に異なる物質の特定イオンを発生させて行うこと
ができ、次いでＲＥＭＰＩシグナルを検量標準の使用により絶対濃度まで変換す
ることができる。
）の高感度、特異性および実時間特徴を使用し、ここではパルス化された調整自
在なイオン化用光源を用いて所望の反応生成物を反応体および／または他のバッ
クグランド物質のイオン化なしに選択的に光イオン化させる。特定触媒ライブラ
リ部位と接触させながら反応体から反応生成物プルームにおける調整自在な光線
で発生したフォトイオンもしくは光電子は、ライブラリ部位に近接位置した微小
電極列により検出される。本発明を調整自在なイオン化ビームを用いて説明する
が、特定フォトイオンおよび光電子の形成を促進するエネルギーレベルの任意の
照射ビームを使用することもできる。反応生成物が固体もしくは液体である場合
、これらはパルス化レーザー光線に続き適するＵＶレーザーを用いる生成物の選
択的フォトイオン化により除去することができる。本発明の方法は、数種の反応
生成物質を検出することにより触媒選択性につき情報を与えることができる。こ
れは異なる光周波数を用い順次に異なる物質の特定イオンを発生させて行うこと
ができ、次いでＲＥＭＰＩシグナルを検量標準の使用により絶対濃度まで変換す
ることができる。
【０００９】 反応体供給物と共にと導入される内部検量標準を用いて、当業者には既に明ら
かなように反応生成物を定量することができる。本発明の方法は広範囲に適用可
能であり、全触媒ライブラリを同時的にスクリーニングすべく使用することがで
きる。さらに本発明の方法を用いて操作寿命、毒物耐性、各試験もしくはフルス
ケールの化学プラントプロセスにおける触媒の再生および損失を検討することも
できる。
かなように反応生成物を定量することができる。本発明の方法は広範囲に適用可
能であり、全触媒ライブラリを同時的にスクリーニングすべく使用することがで
きる。さらに本発明の方法を用いて操作寿命、毒物耐性、各試験もしくはフルス
ケールの化学プラントプロセスにおける触媒の再生および損失を検討することも
できる。
【００１０】 触媒特性につき潜在的触媒ライブラリを迅速スクリーニングする本発明の方法
は広義において次の工程からなっている：複数のアドレスしうる部位に潜在的触
媒を有する潜在的触媒ライブラリを形成させ、複数のアドレスしうる部位にて潜
在的触媒と接触させながら反応体ガスを移送し、さらにアドレスしうる部位から
の反応生成物のガスプルームをスクリーニングし、このスクリーニングはアドセ
スしうる部位の１つを試料採取オリフィスに近位する位置まで並進させ、次いで
反応生成物をフリージェット試料採取プローブを介し分析用の質量分光光度計ま
で移送し、さらに生成物流における特定イオンおよび電子の形成を促進するエネ
ルギーレベルの照射ビーム、たとえば特定フォトイオンもしくは光電子の形成を
促進する周波数のレーザー光線を流し、かつ形成フォトイオンもしくは光電子を
アドレスしうる部位に近接する現場での微小電極収集により検出する少なくとも
１つの工程を含む。
は広義において次の工程からなっている：複数のアドレスしうる部位に潜在的触
媒を有する潜在的触媒ライブラリを形成させ、複数のアドレスしうる部位にて潜
在的触媒と接触させながら反応体ガスを移送し、さらにアドレスしうる部位から
の反応生成物のガスプルームをスクリーニングし、このスクリーニングはアドセ
スしうる部位の１つを試料採取オリフィスに近位する位置まで並進させ、次いで
反応生成物をフリージェット試料採取プローブを介し分析用の質量分光光度計ま
で移送し、さらに生成物流における特定イオンおよび電子の形成を促進するエネ
ルギーレベルの照射ビーム、たとえば特定フォトイオンもしくは光電子の形成を
促進する周波数のレーザー光線を流し、かつ形成フォトイオンもしくは光電子を
アドレスしうる部位に近接する現場での微小電極収集により検出する少なくとも
１つの工程を含む。
【００１１】 本発明の上記利点および他の特徴は図面を参照する本発明の特定実施例を読め
ば一層良く理解しうるであるう。
ば一層良く理解しうるであるう。
【００１２】 組合せ固相ライブラリの発生は、超伝導性［キシアング等（１９９５）上記］
、磁気抵抗［ブリセノ等（１９９５）、上記］、およびルミネッセンス［ワング
等（１９９８）上記およびサン等（１９９７）上記］を測定するための物理的遮
蔽でスパッタリングすることにより達成されている。他の薄膜付着技術は、たと
えば電子ビーム蒸発［ダニエルソン等（１９９７）、上記］、熱付着［Ｔ．ミヤ
ノ、Ｉ．シシクラ、Ｍ．マツオカおよびＭ．ナガイ、「アルミナ支持モリブデン
カーバイド触媒」、ケミカル・レタース、第１２１巻、第５６１頁（１９９６）
］およびプラズマ付着［Ｍ．Ｂ．キズリングおよびＳ．Ｇ．ジャラス、「触媒作
成および触媒反応におけるプラズマ技術の使用の概説」、アプライド・キャタリ
シス：ゼネラル、第１４７巻、第１頁（１９９６）］、化学蒸着、分子ビームエ
ピタンシー［Ｙ．Ｊ．キム、Ｙ．ガオおよびＳ．Ａ．チャンバース、「純エピタ
キシアルα−Ｆｅ２Ｏ３（０００１）およびＦｅ３Ｏ４（００１）フィルムのプ
ラズマ促進分子ビームエピタキシーによる選択的成長および特性化」、サーフェ
ス・サイエンス、第３７１巻、第３５８頁（１９９７）］およびパルス化レーザ
ー付着［Ａ．Ａ．ゴルブノフ、Ｗ．ポンペ、Ａ．スーイング、Ｓ．Ｖ．ガパノフ
、Ａ．Ｄ．アクサクハルヤン、Ｉ．Ｇ．ザブロジン、Ｉ．Ａ．カスコフ、Ｅ．Ｂ
．クリエンコフ、Ａ．Ｐモゾロフ、Ｎ．Ｎ．サラシェンコ、Ｒ．ジエッチ、Ｈ．
マイおよびＳ．ボルマー、「交差ビームを用いるパルス化レーザー除去による超
薄膜付着」、アプライド・サーフェス・サイエンス、第９６−９８巻、第６４９
頁（１９９６）およびＲ．Ｅ．ルソ、Ｌ．マオおよびＤ．Ｌ．ペリー、「パルス
化レーザー付着による触媒コーチングの作成」、ケムテクノロジー、第１２巻、
第１４頁（１９９４）］を用いて大きい固相触媒ライブラリを形成させることが
できる。これら技術は表面化学の良好な制御を与えると共に、広範囲の固体材料
を発生させるのに適する。たとえば、共沈および含浸のような他の充分確立した
作成技術を用いて、触媒ライブラリを発生させることもできる［Ｃ．Ｎ．サッタ
ーフィールド、「実用的不均質触媒」、第２版、第４章、第８７頁、マックグロ
ーヒル社、ニューヨーク（１９９１）］。たとえば多数の種類の共沈物を平行し
て合成することができ、得られたスラリー／ペーストを適する基質に施すことが
でき、これにはたとえばマルチチャンネルピぺットもしくはソレノイドインキジ
ェットを用いて空間的にアドレスしうる部位を発生させる［Ａ．Ｖ．レモ、Ｊ．
Ｔ．フィッシャー、Ｈ．Ｍ．ゲイセンおよびＤｊ．ローズ、「組合せライブラリ
合成のためのインクジェット化学ミクロディスペンサの特性化」、アナリチカル
・ケミストリー、第６９巻、第５７３頁（１９９７）］。触媒ライブラリは、た
とえば多孔質シリカもしくはアルミナのような適するキャリヤ材料（これらは基
質上のアドレスしうる部位に触媒を含有する適する溶液により予め施されたもの
）を含浸させて作成することもできる。次いで、基質に施されたスラリー／ペー
ストおよび含浸溶液を乾燥させると共に、適する触媒材料を生成させるよう処理
する。多孔質触媒ライブラリは、多孔質キャリヤ（たとえばシリカもしくはアル
ミナ）を上記の各種フィルム付着技術により触媒材料の薄膜で被覆して作成する
こともできる。この手法の重要な面は、過度の付着を防止して触媒材料により閉
塞される気孔を防止することである。多孔質ライブラリとの反応体接触は、反応
体を触媒部位上に或いはそれを通過させて行うことができる。
、磁気抵抗［ブリセノ等（１９９５）、上記］、およびルミネッセンス［ワング
等（１９９８）上記およびサン等（１９９７）上記］を測定するための物理的遮
蔽でスパッタリングすることにより達成されている。他の薄膜付着技術は、たと
えば電子ビーム蒸発［ダニエルソン等（１９９７）、上記］、熱付着［Ｔ．ミヤ
ノ、Ｉ．シシクラ、Ｍ．マツオカおよびＭ．ナガイ、「アルミナ支持モリブデン
カーバイド触媒」、ケミカル・レタース、第１２１巻、第５６１頁（１９９６）
］およびプラズマ付着［Ｍ．Ｂ．キズリングおよびＳ．Ｇ．ジャラス、「触媒作
成および触媒反応におけるプラズマ技術の使用の概説」、アプライド・キャタリ
シス：ゼネラル、第１４７巻、第１頁（１９９６）］、化学蒸着、分子ビームエ
ピタンシー［Ｙ．Ｊ．キム、Ｙ．ガオおよびＳ．Ａ．チャンバース、「純エピタ
キシアルα−Ｆｅ２Ｏ３（０００１）およびＦｅ３Ｏ４（００１）フィルムのプ
ラズマ促進分子ビームエピタキシーによる選択的成長および特性化」、サーフェ
ス・サイエンス、第３７１巻、第３５８頁（１９９７）］およびパルス化レーザ
ー付着［Ａ．Ａ．ゴルブノフ、Ｗ．ポンペ、Ａ．スーイング、Ｓ．Ｖ．ガパノフ
、Ａ．Ｄ．アクサクハルヤン、Ｉ．Ｇ．ザブロジン、Ｉ．Ａ．カスコフ、Ｅ．Ｂ
．クリエンコフ、Ａ．Ｐモゾロフ、Ｎ．Ｎ．サラシェンコ、Ｒ．ジエッチ、Ｈ．
マイおよびＳ．ボルマー、「交差ビームを用いるパルス化レーザー除去による超
薄膜付着」、アプライド・サーフェス・サイエンス、第９６−９８巻、第６４９
頁（１９９６）およびＲ．Ｅ．ルソ、Ｌ．マオおよびＤ．Ｌ．ペリー、「パルス
化レーザー付着による触媒コーチングの作成」、ケムテクノロジー、第１２巻、
第１４頁（１９９４）］を用いて大きい固相触媒ライブラリを形成させることが
できる。これら技術は表面化学の良好な制御を与えると共に、広範囲の固体材料
を発生させるのに適する。たとえば、共沈および含浸のような他の充分確立した
作成技術を用いて、触媒ライブラリを発生させることもできる［Ｃ．Ｎ．サッタ
ーフィールド、「実用的不均質触媒」、第２版、第４章、第８７頁、マックグロ
ーヒル社、ニューヨーク（１９９１）］。たとえば多数の種類の共沈物を平行し
て合成することができ、得られたスラリー／ペーストを適する基質に施すことが
でき、これにはたとえばマルチチャンネルピぺットもしくはソレノイドインキジ
ェットを用いて空間的にアドレスしうる部位を発生させる［Ａ．Ｖ．レモ、Ｊ．
Ｔ．フィッシャー、Ｈ．Ｍ．ゲイセンおよびＤｊ．ローズ、「組合せライブラリ
合成のためのインクジェット化学ミクロディスペンサの特性化」、アナリチカル
・ケミストリー、第６９巻、第５７３頁（１９９７）］。触媒ライブラリは、た
とえば多孔質シリカもしくはアルミナのような適するキャリヤ材料（これらは基
質上のアドレスしうる部位に触媒を含有する適する溶液により予め施されたもの
）を含浸させて作成することもできる。次いで、基質に施されたスラリー／ペー
ストおよび含浸溶液を乾燥させると共に、適する触媒材料を生成させるよう処理
する。多孔質触媒ライブラリは、多孔質キャリヤ（たとえばシリカもしくはアル
ミナ）を上記の各種フィルム付着技術により触媒材料の薄膜で被覆して作成する
こともできる。この手法の重要な面は、過度の付着を防止して触媒材料により閉
塞される気孔を防止することである。多孔質ライブラリとの反応体接触は、反応
体を触媒部位上に或いはそれを通過させて行うことができる。
【００１３】 しかしながら、触媒反応につき試験する際、化学組成は活性の唯一の決定因子
でない。たとえば縁部、隅部および欠陥部のような表面の物理的特性、並びに気
孔寸法も活性を決定するのに影響を与えうる［Ｃ．Ｎ．サッターフィールド（１
９９１）上記およびＪ．Ｍ．スミス、「ケミカル・エンジニアリング・キネチッ
クス」、第８章、第３２７−３５８頁、マックグロー・ヒル社、ニューヨーク（
１９８１）］。これら性質は、触媒作成手順により大きく決定される。従って薄
膜組合ライブラリを各種の処理方法にかけて適する触媒材料を作成させることが
でき、たとえば酸化、還元、焼成、リーチング、ドーパントのその後の添加、お
よび当業界で周知された他の処理を包含する。これら異なる作成プロセスは、最
良の触媒を得るため試験せねばならない触媒処方物の組合数を実質的に増大させ
る。
でない。たとえば縁部、隅部および欠陥部のような表面の物理的特性、並びに気
孔寸法も活性を決定するのに影響を与えうる［Ｃ．Ｎ．サッターフィールド（１
９９１）上記およびＪ．Ｍ．スミス、「ケミカル・エンジニアリング・キネチッ
クス」、第８章、第３２７−３５８頁、マックグロー・ヒル社、ニューヨーク（
１９８１）］。これら性質は、触媒作成手順により大きく決定される。従って薄
膜組合ライブラリを各種の処理方法にかけて適する触媒材料を作成させることが
でき、たとえば酸化、還元、焼成、リーチング、ドーパントのその後の添加、お
よび当業界で周知された他の処理を包含する。これら異なる作成プロセスは、最
良の触媒を得るため試験せねばならない触媒処方物の組合数を実質的に増大させ
る。
【００１４】 さらに不均質触媒ライブラリは、モノリスもしくは蜂巣構造体を用いて作成す
ることもできる［Ｃ．Ｎ．サッターフィールド（１９９１）上記］。これら材料
は平行、均一、直線および非接続の各チャンネルを与え、これにより大触媒ライ
ブラリを形成する便利なマトリックスを与える。１平方インチ当たり約１０〜約
５００個のセルで変化するセル密度を持った各種のセル形状および寸法を触媒ラ
イブラリ部位で形成させることができる。しかしながら、広範な種類の所望の一
般的セル密度を上記範囲内およびそれを越えて加工することができる。モノリス
構造体は金属から作成することができ、或いはこれらをたとえばマグネシア−ア
ルミナシリケートのような無機ドウからダイを介し押し出し、次いで乾燥および
焼成することができる。さらに触媒ライブラリは金属モノリスを無機基質で被覆
して作成することもでき、ここで金属インレイは物質のセル間拡散を防止するバ
リヤとして作用する。次いで触媒を上記各種の方法によりライブラリ基質中に混
入することができる。さらにモノリス構造体は、微小電極の光アクセスおよび設
置につき機械加工することもできる。
ることもできる［Ｃ．Ｎ．サッターフィールド（１９９１）上記］。これら材料
は平行、均一、直線および非接続の各チャンネルを与え、これにより大触媒ライ
ブラリを形成する便利なマトリックスを与える。１平方インチ当たり約１０〜約
５００個のセルで変化するセル密度を持った各種のセル形状および寸法を触媒ラ
イブラリ部位で形成させることができる。しかしながら、広範な種類の所望の一
般的セル密度を上記範囲内およびそれを越えて加工することができる。モノリス
構造体は金属から作成することができ、或いはこれらをたとえばマグネシア−ア
ルミナシリケートのような無機ドウからダイを介し押し出し、次いで乾燥および
焼成することができる。さらに触媒ライブラリは金属モノリスを無機基質で被覆
して作成することもでき、ここで金属インレイは物質のセル間拡散を防止するバ
リヤとして作用する。次いで触媒を上記各種の方法によりライブラリ基質中に混
入することができる。さらにモノリス構造体は、微小電極の光アクセスおよび設
置につき機械加工することもできる。
【００１５】 たとえば有機金属化合物と無機金属化合物およびたとえば酵素のような他の複
合体分子とからなる均質触媒ライブラリを同様に多チャンネルピペット［Ｋ．ブ
ルゲス、Ｈ−Ｊ．リム、Ａ．Ｍ．ポルテおよびＧ．Ａ．スリコウスキー、「高処
理量触媒スクリーニングにより同定されるＣ−Ｈ挿入反応のための新規な触媒お
よび条件」、アンゲバンテ・ヘミー、国際編（英国）、第５版、第２２０頁（１
９９６）］およびソレノイドインクジェット弁を用いて発生させることもできる
。これらライブラリは、これらを通しバブリングさせた反応体ガスと一緒に束ね
たミクロチューブの列を有することができる。さらに均質液体触媒は、粒子の形
態としうる或いはモノリス構造体の壁部に被覆しうる多孔質キャリヤの気孔に保
持もしくは固定化することもできる。本発明のスクリーニング法は容易に小型化
しうるので、ライブラリ密度を決定する触媒部位の物理的寸法は触媒、液相もし
くは固相の性質、ライブラリの作成方法、ライブラリにおけるガスの拡散混合、
ライブラリ基質の熱伝導率、スクリーニング法の目的、および他の該当する因子
に主として依存する。たとえばスクリーニングの目的が扁平触媒部位を用いる気
相反応のため触媒材料を評価することであれば、ライブラリ密度は高ライブラリ
密度にて部位間拡散が各部位間のシグナル交差をもたらしうるので気相拡散によ
り制限される。しかしながら、触媒操作温度範囲の評価は、各部位を断熱して種
々異なる温度を維持するライブラリの加工を必要とする。この場合、ライブラリ
密度は基質ウェファーの熱伝導率により制限される。液相均質触媒の場合は、表
面張力および密度がガス分散の決定、従ってライブラリ部位の最小寸法および従
ってライブラリ密度をの確定に重要な役割を演ずる。
合体分子とからなる均質触媒ライブラリを同様に多チャンネルピペット［Ｋ．ブ
ルゲス、Ｈ−Ｊ．リム、Ａ．Ｍ．ポルテおよびＧ．Ａ．スリコウスキー、「高処
理量触媒スクリーニングにより同定されるＣ−Ｈ挿入反応のための新規な触媒お
よび条件」、アンゲバンテ・ヘミー、国際編（英国）、第５版、第２２０頁（１
９９６）］およびソレノイドインクジェット弁を用いて発生させることもできる
。これらライブラリは、これらを通しバブリングさせた反応体ガスと一緒に束ね
たミクロチューブの列を有することができる。さらに均質液体触媒は、粒子の形
態としうる或いはモノリス構造体の壁部に被覆しうる多孔質キャリヤの気孔に保
持もしくは固定化することもできる。本発明のスクリーニング法は容易に小型化
しうるので、ライブラリ密度を決定する触媒部位の物理的寸法は触媒、液相もし
くは固相の性質、ライブラリの作成方法、ライブラリにおけるガスの拡散混合、
ライブラリ基質の熱伝導率、スクリーニング法の目的、および他の該当する因子
に主として依存する。たとえばスクリーニングの目的が扁平触媒部位を用いる気
相反応のため触媒材料を評価することであれば、ライブラリ密度は高ライブラリ
密度にて部位間拡散が各部位間のシグナル交差をもたらしうるので気相拡散によ
り制限される。しかしながら、触媒操作温度範囲の評価は、各部位を断熱して種
々異なる温度を維持するライブラリの加工を必要とする。この場合、ライブラリ
密度は基質ウェファーの熱伝導率により制限される。液相均質触媒の場合は、表
面張力および密度がガス分散の決定、従ってライブラリ部位の最小寸法および従
ってライブラリ密度をの確定に重要な役割を演ずる。
【００１６】 本発明において触媒部位は、各部位からの生成物形成およびその明瞭な検出を
達成しうるよう、互いに充分分離せねばならない。モノリスもしくは蜂巣構造体
は、ライブラリ部位の明瞭な物理的分離を与えることにより利点を与える。これ
らおよび他の触媒ライブラリの設計因子については、スクリーニング法の説明に
てさらに検討する。０．５ｃｍｘ０．５ｃｍの固体触媒部位の明瞭かつ迅速なス
クリーニングが本発明により示されている。これら部位寸法は１平方インチ当た
り約１０個の部位の密度を有する触媒ライブラリを与え、これは８．５インチｘ
１１インチの寸法（すなわち便箋の寸法）を有する基質に９００個を越える部位
の形成を可能にする。より高いライブラリ密度も、より小さい部位寸法を用いて
或いはモノリス構造体を用いて明らかに実用的となる。各部位のパターンは、こ
れら部位の発生およびスクリーニングの両者につき明瞭な利点を与える触媒部位
列を有するライブラリの発生およびスクリーニングを容易化させるよう設計すべ
きである。上記特性の部位を有する化学ライブラリの製造方法は、本発明による
触媒評価のための迅速スクリーニング法に使用するための触媒ライブラリの製造
に適する。
達成しうるよう、互いに充分分離せねばならない。モノリスもしくは蜂巣構造体
は、ライブラリ部位の明瞭な物理的分離を与えることにより利点を与える。これ
らおよび他の触媒ライブラリの設計因子については、スクリーニング法の説明に
てさらに検討する。０．５ｃｍｘ０．５ｃｍの固体触媒部位の明瞭かつ迅速なス
クリーニングが本発明により示されている。これら部位寸法は１平方インチ当た
り約１０個の部位の密度を有する触媒ライブラリを与え、これは８．５インチｘ
１１インチの寸法（すなわち便箋の寸法）を有する基質に９００個を越える部位
の形成を可能にする。より高いライブラリ密度も、より小さい部位寸法を用いて
或いはモノリス構造体を用いて明らかに実用的となる。各部位のパターンは、こ
れら部位の発生およびスクリーニングの両者につき明瞭な利点を与える触媒部位
列を有するライブラリの発生およびスクリーニングを容易化させるよう設計すべ
きである。上記特性の部位を有する化学ライブラリの製造方法は、本発明による
触媒評価のための迅速スクリーニング法に使用するための触媒ライブラリの製造
に適する。
【００１７】 本発明の１実施例において、ライブラリにおける個々の部位から発生する反応
生成物の試料採取は、反応生成物を反応生成物供給源に近接関係にて設置された
小オリフィスに顕著に大きい断面積のチャンバまで通過させて、たとえば質量分
光光度計のような検出装置まで移送することにより行われる。図２９には、以下
一層詳細に説明するように、微小反応器に配置された個々の部位を有する触媒ラ
イブラリを図示する。簡単に言えば、不活性微小反応器本体１００は、触媒床１
０１を有する拡大触媒帯域に到る反応体供給通路１０２を有する。反応体ガスは
、反応体ガス供給通路１０３を介し反応体ガス分配充気室１０４に反応体供給通
路１０２へ分配するため供給される。反応生成物は反応生成物出口通路１０５を
介し微小反応器から流出すると共に反応器エンクロジャー１０６から流出するこ
とができ、或いはその１部は個々のライブラリ部位からミクロ試料採取プローブ
を介し検出装置まで移動することができる。反応器エンクロジャーを加圧して所
望の反応圧力を与えることができる。代案として、各微小反応器を個々に加圧し
て触媒を種々異なる圧力下で試験することができ、或いは微小反応器の各列を個
々に加圧することもできる。図２９に示したように触媒ライブラリは、単一ライ
ブラリ部位にわたり試料採取プローブ１０８を位置決めしてその部位からの反応
生成物を検出すべく並進テーブル１０７上に固定装着される。並進テーブル１０
７は、当業者に周知されたように、コンピュータ制御ステップモータによりｘ−
ｙ−ｚ方向に移動して単一ライブラリ部位を、反応器エンクロジャー１０６に固
定装着された試料採取プローブ１０８により単一部位から試料採取する位置まで
急速移動させることができる。さらに試料採取プローブおよび検出システムを並
進させると共にライブラリを固定維持することもでき、或いはライブラリと試料
採取プローブとの両者を同時的に並進機により移動させることもできる。図２９
に示したように単一ライブラリ部位は、試料採取プローブ１０８に近位する試料
採取位置まで移動されて、試料プローブを介し反応生成ガスの１部を質量分光光
度計１０９まで移送する。各反応体は全ライブラリ部位を通過して同時的に操作
することができ、他のライブラリ部位からの生成ガスを反応器エンクロジャー１
０６から抜き取ることができる。特定ライブラリ部位における生成ガス分析の後
、ライブラリは他の触媒部位を評価する位置まで並進させることができる。ライ
ブラリにおける各部位の数個もしくは全部を同時的に反応条件下にすることがで
きるので、反応生成物の分析は平衡条件を待つ必要性なしにかつコング等（上記
）により記載されたように毛細管試料採取プローブの使用により遭遇する移送ラ
イン遅延なしにライブラリの位置決め直後に行うことができる。
生成物の試料採取は、反応生成物を反応生成物供給源に近接関係にて設置された
小オリフィスに顕著に大きい断面積のチャンバまで通過させて、たとえば質量分
光光度計のような検出装置まで移送することにより行われる。図２９には、以下
一層詳細に説明するように、微小反応器に配置された個々の部位を有する触媒ラ
イブラリを図示する。簡単に言えば、不活性微小反応器本体１００は、触媒床１
０１を有する拡大触媒帯域に到る反応体供給通路１０２を有する。反応体ガスは
、反応体ガス供給通路１０３を介し反応体ガス分配充気室１０４に反応体供給通
路１０２へ分配するため供給される。反応生成物は反応生成物出口通路１０５を
介し微小反応器から流出すると共に反応器エンクロジャー１０６から流出するこ
とができ、或いはその１部は個々のライブラリ部位からミクロ試料採取プローブ
を介し検出装置まで移動することができる。反応器エンクロジャーを加圧して所
望の反応圧力を与えることができる。代案として、各微小反応器を個々に加圧し
て触媒を種々異なる圧力下で試験することができ、或いは微小反応器の各列を個
々に加圧することもできる。図２９に示したように触媒ライブラリは、単一ライ
ブラリ部位にわたり試料採取プローブ１０８を位置決めしてその部位からの反応
生成物を検出すべく並進テーブル１０７上に固定装着される。並進テーブル１０
７は、当業者に周知されたように、コンピュータ制御ステップモータによりｘ−
ｙ−ｚ方向に移動して単一ライブラリ部位を、反応器エンクロジャー１０６に固
定装着された試料採取プローブ１０８により単一部位から試料採取する位置まで
急速移動させることができる。さらに試料採取プローブおよび検出システムを並
進させると共にライブラリを固定維持することもでき、或いはライブラリと試料
採取プローブとの両者を同時的に並進機により移動させることもできる。図２９
に示したように単一ライブラリ部位は、試料採取プローブ１０８に近位する試料
採取位置まで移動されて、試料プローブを介し反応生成ガスの１部を質量分光光
度計１０９まで移送する。各反応体は全ライブラリ部位を通過して同時的に操作
することができ、他のライブラリ部位からの生成ガスを反応器エンクロジャー１
０６から抜き取ることができる。特定ライブラリ部位における生成ガス分析の後
、ライブラリは他の触媒部位を評価する位置まで並進させることができる。ライ
ブラリにおける各部位の数個もしくは全部を同時的に反応条件下にすることがで
きるので、反応生成物の分析は平衡条件を待つ必要性なしにかつコング等（上記
）により記載されたように毛細管試料採取プローブの使用により遭遇する移送ラ
イン遅延なしにライブラリの位置決め直後に行うことができる。
【００１８】 試料採取プローブ１０８の先端部は、機械加工しうると共に反応器エンクロジ
ャー１０６を加圧する場合には反応チャンバの圧力および温度に耐えることがで
き、さらに反応体および反応生成物に対し不活性である材料から作成せねばなら
ない。図２９に示したように、反応器エンクロジャー壁部１０６は試料採取コー
ン１１０を有し、これは反応器エンクロジャー壁部に対する適正なシールと一体
化させ或いはそれを取り付けることができる。反応器列における微小反応器が内
部加圧されて生成物を大気圧まで放出する場合、試料採取コーンは質量分光光度
計に直接取り付けることができる。図示したように、試料採取コーン１１０は試
料採取プローブ延長部１１１を備えて反応生成物流の乱れを最小化すると共に試
料採取プローブを生成ガス排気の阻害なしに触媒反応部位に極めて近接して試料
採取プローブを位置決めするのを可能にする。試料採取コーン１１０は約１５〜
約４５°の半円錐角度を有して、減圧室へのガス試料のフリージェット膨張を可
能にすると共に、試料採取プローブ延長部１１１が一層小さい円錐角度を有しう
るようすべきである。試料採取プローブにおけるフリージェット膨張は、可能な
全ての均質および不均質反応の実質的な冷却および停止をもたらすと共に、分子
を試料採取コーンの下流に位置する質量分光光度計の方向へ指向させる。円錐の
小端部における試料採取コーンオリフィス１１２は、反応チャンバ圧力および前
段階の減圧ポンプ能力を吸収しうるような寸法である。適する試料採取コーンオ
リフィス直径は中庸寸法減圧ポンプと共に使用するため約１μｍ〜約２００μｍ
、典型的には約５〜約５０μｍである。試料採取コーンからの膨張反応生成物試
料は第１減圧段階１１３およびスキミングコーン１１４を通過して、反応生成物
試料ジェットの中心部分のみが質量分光光度計チャンバに流入するよう確保し、
試料採取プローブにて生じうる表面誘発反応を排除する。スキマーの先端部にお
ける開口部の円錐角度および直径は、当業者により容易に決定しうるように、反
応チャンバ圧力および試料採取プローブポンピング速度要の件を満たすのに適さ
ねばならない。次いでスキミングコーンを通過する反応生成物試料ジェットは第
２減圧段階１１５を通過して、質量分光光度計入口オリフィス１１６を介し質量
分光光度計に直接導入される。質量分光光度計はクワドラポール質量分光光度計
または急速エレクトロニクスを備えた飛行時間分光光度計としてデータを獲得お
よび処理することができる。電子衝撃もしくは照射を用いて物質をイオン化させ
ることができる。さらに、調整自在なレーザーを用いてＲＥＭＰＩ条件下に反応
生成物を選択的にイオン化させることもできる。触媒ライブラリを大気圧にてス
クリーニングする場合または微小反応器列を内部加圧して生成物を大気圧まで放
出する場合、１個のみのポンプダウン段階が質量分光光度計圧力条件のための試
料を作成する必要があると共に、高圧にてスクリーニングされる触媒ライブラリ
は３個以上のポンプダウン段階を必要とし、これは当業者に明らかである。段階
的ポンプダウンプロセスは高圧から反応生成物の圧力を急速にもたらし、或る用
途では約２０〜約５０気圧から一層低い気圧まで低下させて、反応生成物試料を
圧力が典型的には約１０−５〜約１０−６トールに維持された質量分光光度計に
直接導入しうるようにする。列における微小反応器が内部加圧されると共に大気
圧まで放出される場合、これはポンプダウン段階を構成する。最後のポンプダウ
ン段階（図２９にて第２段階）の圧力および質量分光光度計入口オリフィスの直
径は、減圧システムにより得られるポンピング速度の観点からこの圧力限界に適
合せねばならない。典型的には、２段階システムの第１および第２段階における
圧力は約７６０〜約１０−２および１０−２〜約１０−５トールにそれぞれ維持
せねばならない。全段階における圧力は、検量およびスクリーニング過程に際し
同じに維持されて触媒用液の結果を定量せねばならない。
ャー１０６を加圧する場合には反応チャンバの圧力および温度に耐えることがで
き、さらに反応体および反応生成物に対し不活性である材料から作成せねばなら
ない。図２９に示したように、反応器エンクロジャー壁部１０６は試料採取コー
ン１１０を有し、これは反応器エンクロジャー壁部に対する適正なシールと一体
化させ或いはそれを取り付けることができる。反応器列における微小反応器が内
部加圧されて生成物を大気圧まで放出する場合、試料採取コーンは質量分光光度
計に直接取り付けることができる。図示したように、試料採取コーン１１０は試
料採取プローブ延長部１１１を備えて反応生成物流の乱れを最小化すると共に試
料採取プローブを生成ガス排気の阻害なしに触媒反応部位に極めて近接して試料
採取プローブを位置決めするのを可能にする。試料採取コーン１１０は約１５〜
約４５°の半円錐角度を有して、減圧室へのガス試料のフリージェット膨張を可
能にすると共に、試料採取プローブ延長部１１１が一層小さい円錐角度を有しう
るようすべきである。試料採取プローブにおけるフリージェット膨張は、可能な
全ての均質および不均質反応の実質的な冷却および停止をもたらすと共に、分子
を試料採取コーンの下流に位置する質量分光光度計の方向へ指向させる。円錐の
小端部における試料採取コーンオリフィス１１２は、反応チャンバ圧力および前
段階の減圧ポンプ能力を吸収しうるような寸法である。適する試料採取コーンオ
リフィス直径は中庸寸法減圧ポンプと共に使用するため約１μｍ〜約２００μｍ
、典型的には約５〜約５０μｍである。試料採取コーンからの膨張反応生成物試
料は第１減圧段階１１３およびスキミングコーン１１４を通過して、反応生成物
試料ジェットの中心部分のみが質量分光光度計チャンバに流入するよう確保し、
試料採取プローブにて生じうる表面誘発反応を排除する。スキマーの先端部にお
ける開口部の円錐角度および直径は、当業者により容易に決定しうるように、反
応チャンバ圧力および試料採取プローブポンピング速度要の件を満たすのに適さ
ねばならない。次いでスキミングコーンを通過する反応生成物試料ジェットは第
２減圧段階１１５を通過して、質量分光光度計入口オリフィス１１６を介し質量
分光光度計に直接導入される。質量分光光度計はクワドラポール質量分光光度計
または急速エレクトロニクスを備えた飛行時間分光光度計としてデータを獲得お
よび処理することができる。電子衝撃もしくは照射を用いて物質をイオン化させ
ることができる。さらに、調整自在なレーザーを用いてＲＥＭＰＩ条件下に反応
生成物を選択的にイオン化させることもできる。触媒ライブラリを大気圧にてス
クリーニングする場合または微小反応器列を内部加圧して生成物を大気圧まで放
出する場合、１個のみのポンプダウン段階が質量分光光度計圧力条件のための試
料を作成する必要があると共に、高圧にてスクリーニングされる触媒ライブラリ
は３個以上のポンプダウン段階を必要とし、これは当業者に明らかである。段階
的ポンプダウンプロセスは高圧から反応生成物の圧力を急速にもたらし、或る用
途では約２０〜約５０気圧から一層低い気圧まで低下させて、反応生成物試料を
圧力が典型的には約１０−５〜約１０−６トールに維持された質量分光光度計に
直接導入しうるようにする。列における微小反応器が内部加圧されると共に大気
圧まで放出される場合、これはポンプダウン段階を構成する。最後のポンプダウ
ン段階（図２９にて第２段階）の圧力および質量分光光度計入口オリフィスの直
径は、減圧システムにより得られるポンピング速度の観点からこの圧力限界に適
合せねばならない。典型的には、２段階システムの第１および第２段階における
圧力は約７６０〜約１０−２および１０−２〜約１０−５トールにそれぞれ維持
せねばならない。全段階における圧力は、検量およびスクリーニング過程に際し
同じに維持されて触媒用液の結果を定量せねばならない。
【００１９】 試料採取プローブオリフィスから質量分光光度計への距離はできるだけ短く保
って検出感度を最大化すべきである。何故なら、ガス濃度はＩ／ｒ２（ここでｒ
は試料採取プローブの先端部からの距離である）により減圧まで膨脹する際に減
少するからである。しかしながら、質量分光光度計への試料採取プローブオリフ
ィスの一層短い距離は減圧ポンプにより与えられるポンピング速度を減少させ、
これによりフリージェット試料採取プロセスに悪影響を与える。これら矛盾した
結果に鑑み、試料採取プローブオリフィスと質量分光光度計との間の間隔はシグ
ナル検出とポンピング速度との要求をバランスさせるよう決定される。典型的に
は、試料採取プローブオリフィスと質量分光光度計との間の間隔は約７．５〜約
２５ｃｍである。限界として試料採取システム性能は分子ビーム試料採取条件に
達し［Ｗ．Ｄ．チャング；Ｓ．Ｂ．カラ；およびＳ．Ｍ．センカン、「トリクロ
ルエチレンフレームの分子ビーム質量分光光度法研究」、エンバイロンメンタル
・サイエンス・テクノロジー、第２０巻、第１２、１２４３頁（１９８６）］、
ここで第１段階における膨張試料ジェット速度は超音波レベルに達し、質量分光
光度計に流入するジェット流は指向分子ビームである。
って検出感度を最大化すべきである。何故なら、ガス濃度はＩ／ｒ２（ここでｒ
は試料採取プローブの先端部からの距離である）により減圧まで膨脹する際に減
少するからである。しかしながら、質量分光光度計への試料採取プローブオリフ
ィスの一層短い距離は減圧ポンプにより与えられるポンピング速度を減少させ、
これによりフリージェット試料採取プロセスに悪影響を与える。これら矛盾した
結果に鑑み、試料採取プローブオリフィスと質量分光光度計との間の間隔はシグ
ナル検出とポンピング速度との要求をバランスさせるよう決定される。典型的に
は、試料採取プローブオリフィスと質量分光光度計との間の間隔は約７．５〜約
２５ｃｍである。限界として試料採取システム性能は分子ビーム試料採取条件に
達し［Ｗ．Ｄ．チャング；Ｓ．Ｂ．カラ；およびＳ．Ｍ．センカン、「トリクロ
ルエチレンフレームの分子ビーム質量分光光度法研究」、エンバイロンメンタル
・サイエンス・テクノロジー、第２０巻、第１２、１２４３頁（１９８６）］、
ここで第１段階における膨張試料ジェット速度は超音波レベルに達し、質量分光
光度計に流入するジェット流は指向分子ビームである。
【００２０】 本発明の他の実施例を図３０に示し、ここでは微小反応器列の触媒ライブラリ
を図２９に示した試料採取位置から抜き取られた並進モードで示されると共に、
試料採取オリフィス１１７は約１〜約５００μｍ、典型的には約５〜約１００μ
ｍの直径および約１μｍ〜約２０ｃｍ、典型的には約５〜約１００μｍの長さを
有する反応体および反応生成物に不活性な短い毛細管である。本発明で使用する
毛細管オリフィスはＭ．カセム、Ｍ．クムおよびＳ．Ｍ．センカン（上記）によ
りおよびＰ．コング、Ｄ．ギアキンカ、Ｓ．グアン、Ｅ．マックファーランド、
Ｋ．セルフ、Ｈ．ターナーおよびＷ．Ｈ．ワインベルグ（上記）により使用され
たものよりも顕著に短い。生成物試料シグナルを最大化させると共にポンピング
速度要件を最小化させるには、約５〜約２０μｍの毛細管直径および約５０〜約
１００μｍの毛細管長さが小工業減圧ポンプに適合する。この実施例の毛細管オ
リフィスは、試料採取ミクロプローブ１０８の第１減圧段階１１３に直接突入す
る。他面において、図３０に示した装置および方法は図２９につき上記したもの
と同様である。
を図２９に示した試料採取位置から抜き取られた並進モードで示されると共に、
試料採取オリフィス１１７は約１〜約５００μｍ、典型的には約５〜約１００μ
ｍの直径および約１μｍ〜約２０ｃｍ、典型的には約５〜約１００μｍの長さを
有する反応体および反応生成物に不活性な短い毛細管である。本発明で使用する
毛細管オリフィスはＭ．カセム、Ｍ．クムおよびＳ．Ｍ．センカン（上記）によ
りおよびＰ．コング、Ｄ．ギアキンカ、Ｓ．グアン、Ｅ．マックファーランド、
Ｋ．セルフ、Ｈ．ターナーおよびＷ．Ｈ．ワインベルグ（上記）により使用され
たものよりも顕著に短い。生成物試料シグナルを最大化させると共にポンピング
速度要件を最小化させるには、約５〜約２０μｍの毛細管直径および約５０〜約
１００μｍの毛細管長さが小工業減圧ポンプに適合する。この実施例の毛細管オ
リフィスは、試料採取ミクロプローブ１０８の第１減圧段階１１３に直接突入す
る。他面において、図３０に示した装置および方法は図２９につき上記したもの
と同様である。
【００２１】 図２９および３０に示した試料採取プローブ配置において、反応生成物を微小
反応器の反応帯域から質量分光光度計に移送するのに要する時間はμ秒〜数１０
μ秒の程度とすることができる。質量分光光度データの獲得は、特に特定質量イ
オンを監視する場合は、数百ミリ秒の程度の時間尺度で行うことができる。従っ
て、スクリーニング過程の時間制限工程はライブラリにおける個々の部位を試料
採取プローブの試料採取オリフィスに近位した試料採取位置に機械的に位置決め
する時間であって、ステップモータ駆動並進装置により行われる。触媒ライブラ
リにおける全微小反応器部位を同時的に操作して、反応生成物を同時的に発生さ
せることができる。このモードにて、ライブラリにおける任意の部位からの生成
物流は、各部位における一定状態の操作条件を確立するのを待つ要件なしに、任
意の時点でサンプリングすることができる。代案として、ライブラリにおける個
々の部位への反応体ガス流は各反応体供給通路における流動コントローラにより
独立して制御することができ、特定ライブラリへの反応体流を一定状態の操作条
件を確立させると共に他の部位をスクリーニングする間に充分早期に付勢し、次
いでその部位のスクリーニング過程の遮断を行うことができ、これを以下一層充
分に説明する。この操作モードは同一のオンストリーム時間条件にてライブラリ
部位をスクリーニングするのが重要な場合に必要である。
反応器の反応帯域から質量分光光度計に移送するのに要する時間はμ秒〜数１０
μ秒の程度とすることができる。質量分光光度データの獲得は、特に特定質量イ
オンを監視する場合は、数百ミリ秒の程度の時間尺度で行うことができる。従っ
て、スクリーニング過程の時間制限工程はライブラリにおける個々の部位を試料
採取プローブの試料採取オリフィスに近位した試料採取位置に機械的に位置決め
する時間であって、ステップモータ駆動並進装置により行われる。触媒ライブラ
リにおける全微小反応器部位を同時的に操作して、反応生成物を同時的に発生さ
せることができる。このモードにて、ライブラリにおける任意の部位からの生成
物流は、各部位における一定状態の操作条件を確立するのを待つ要件なしに、任
意の時点でサンプリングすることができる。代案として、ライブラリにおける個
々の部位への反応体ガス流は各反応体供給通路における流動コントローラにより
独立して制御することができ、特定ライブラリへの反応体流を一定状態の操作条
件を確立させると共に他の部位をスクリーニングする間に充分早期に付勢し、次
いでその部位のスクリーニング過程の遮断を行うことができ、これを以下一層充
分に説明する。この操作モードは同一のオンストリーム時間条件にてライブラリ
部位をスクリーニングするのが重要な場合に必要である。
【００２２】 図２９および３０に示した触媒ライブラリは、高熱伝導率の金属微小反応器本
体における充填床微小反応器列の断面を示す。触媒粉末、粒子または任意他の形
態の固体触媒を円筒状または他の形状のカートリッジに設置して、これを微小反
応器本体の触媒帯域に挿入することができる。以下充分説明するように、微小反
応器の他の触媒充填方法も適している。反応器加熱素子１１８が微小反応器本体
１００に埋設して示され、全ライブラリの均一温度コントロールを与えることが
できる。さらに個々のライブラリ部位は互いに隔離することができ、それぞれは
個々の制御された加熱素子を有して各部位の種々異なる温度制御を与える。同様
にして、各部位には個々の流動制御調整器を設けて各部位で種々異なる滞留を与
えることができる。反応体供給帯域における同様な反応体予熱帯域を設け（反応
体予熱素子１１９により示される）、反応体ガスを触媒との接触前に所望温度ま
で加熱することができる。これら微小反応器の配置を以下一層詳細に説明する。
全ライブラリを固定関係で並進テーブル１０７に取り付けて、並進矢印１２０に
示しされるように精密なｘ−ｙ−ｚ三次元移動を与える。ｘおよびｙ軸における
二次元並進はライブラリを特定部位を試料採取するための位置まで移動させると
共に、三次元ｚ軸における移動は反応生成物出口通路１２１を試料採取ミクロプ
ローブ１０８の試料採取コーンオリフィス１１２に近接位置せしめる。
体における充填床微小反応器列の断面を示す。触媒粉末、粒子または任意他の形
態の固体触媒を円筒状または他の形状のカートリッジに設置して、これを微小反
応器本体の触媒帯域に挿入することができる。以下充分説明するように、微小反
応器の他の触媒充填方法も適している。反応器加熱素子１１８が微小反応器本体
１００に埋設して示され、全ライブラリの均一温度コントロールを与えることが
できる。さらに個々のライブラリ部位は互いに隔離することができ、それぞれは
個々の制御された加熱素子を有して各部位の種々異なる温度制御を与える。同様
にして、各部位には個々の流動制御調整器を設けて各部位で種々異なる滞留を与
えることができる。反応体供給帯域における同様な反応体予熱帯域を設け（反応
体予熱素子１１９により示される）、反応体ガスを触媒との接触前に所望温度ま
で加熱することができる。これら微小反応器の配置を以下一層詳細に説明する。
全ライブラリを固定関係で並進テーブル１０７に取り付けて、並進矢印１２０に
示しされるように精密なｘ−ｙ−ｚ三次元移動を与える。ｘおよびｙ軸における
二次元並進はライブラリを特定部位を試料採取するための位置まで移動させると
共に、三次元ｚ軸における移動は反応生成物出口通路１２１を試料採取ミクロプ
ローブ１０８の試料採取コーンオリフィス１１２に近接位置せしめる。
【００２３】 上記質量分光光度スクリーニング法は、たとえば上記したもの並びに均質触媒
ライブラリ、流動床（ガスおよび液体）ライブラリおよびその組合せを含みうる
他の種類のライブラリのような他の触媒ライブラリ設計で使用することができる
。質量分光光度スクリーニング法は、以下詳細に説明するように共鳴強化マルチ
フォトンイオン化法（ＲＥＭＰＩ）と組み合わせることもできる。触媒ライブラ
リをスクリーニングするＲＥＭＰＩ法はＳ．Ｍ．センカン、「固相触媒ライブラ
リの高処理スクリーニング」、ネイチャー、第３９４巻、第３５０頁、１９９８
年７月２３日に充分記載されている。上記したような質量分光光度法スクリーニ
ングと図２４に説明かつ図示される微小反応器列との組合せを図３１に示す。図
３１に示したように、微小反応器列１２２は、微小電極８７を有する個々の部位
から反応生成物流を通過する活性化放射ビーム７７をこれに近接して有すると共
に、各電極に出力しかつ各電極から検出装置へ検出シグナルを移送する内部回線
リード８８を有する。図２９に関し上記したように、試料採取オリフィスを有す
る試料採取コーン先端部１１１は個々の微小反応器の出口にて反応生成物流に近
接位置し、これには並進テーブル１０７における微小反応器列をｘ方向に移動さ
せると共にｚ方向への微小反応器列の移動により試料採取位置に並進矢印１２０
で示したように設置する。
ライブラリ、流動床（ガスおよび液体）ライブラリおよびその組合せを含みうる
他の種類のライブラリのような他の触媒ライブラリ設計で使用することができる
。質量分光光度スクリーニング法は、以下詳細に説明するように共鳴強化マルチ
フォトンイオン化法（ＲＥＭＰＩ）と組み合わせることもできる。触媒ライブラ
リをスクリーニングするＲＥＭＰＩ法はＳ．Ｍ．センカン、「固相触媒ライブラ
リの高処理スクリーニング」、ネイチャー、第３９４巻、第３５０頁、１９９８
年７月２３日に充分記載されている。上記したような質量分光光度法スクリーニ
ングと図２４に説明かつ図示される微小反応器列との組合せを図３１に示す。図
３１に示したように、微小反応器列１２２は、微小電極８７を有する個々の部位
から反応生成物流を通過する活性化放射ビーム７７をこれに近接して有すると共
に、各電極に出力しかつ各電極から検出装置へ検出シグナルを移送する内部回線
リード８８を有する。図２９に関し上記したように、試料採取オリフィスを有す
る試料採取コーン先端部１１１は個々の微小反応器の出口にて反応生成物流に近
接位置し、これには並進テーブル１０７における微小反応器列をｘ方向に移動さ
せると共にｚ方向への微小反応器列の移動により試料採取位置に並進矢印１２０
で示したように設置する。
【００２４】 図２５に関し一層詳細に図示すと共に説明したように、組合せ質量分光光度法
およびＲＥＭＰＩスクリーニング法のための微小反応器の積層列を複数反応器列
を用いて形成することができる。図２９および３０に示した反応器列の場合と同
様に、加熱素子を個々の微小反応器の間における熱伝導性壁部に埋設することが
できる。図３１に図示すと共に説明したと同様に、ＲＥＭＰＩ測定および／また
は質量分光光度測定は、各列を並進矢印１２０により示されるｘ−ｙ−ｚ軸にお
ける並進テーブルの移動により質量分光試料採取のため単一部位まで位置決めし
て行うことができる。光ファイバーは、並進テーブル１０７に対するレーザー光
源の装着を容易化させてレーザービーム７７を迅速ＲＥＭＰＩ微小電極スクリー
ニングのため同時的にライブラリ部位の全部に与えるのを容易化させる。両スク
リーニング法が可能である場合、照射線活性を用いて有望な部位を迅速同定する
と共に収率と活性とをより精密正確に定量化すべく質量分光光度分析を用いるこ
とができる。
およびＲＥＭＰＩスクリーニング法のための微小反応器の積層列を複数反応器列
を用いて形成することができる。図２９および３０に示した反応器列の場合と同
様に、加熱素子を個々の微小反応器の間における熱伝導性壁部に埋設することが
できる。図３１に図示すと共に説明したと同様に、ＲＥＭＰＩ測定および／また
は質量分光光度測定は、各列を並進矢印１２０により示されるｘ−ｙ−ｚ軸にお
ける並進テーブルの移動により質量分光試料採取のため単一部位まで位置決めし
て行うことができる。光ファイバーは、並進テーブル１０７に対するレーザー光
源の装着を容易化させてレーザービーム７７を迅速ＲＥＭＰＩ微小電極スクリー
ニングのため同時的にライブラリ部位の全部に与えるのを容易化させる。両スク
リーニング法が可能である場合、照射線活性を用いて有望な部位を迅速同定する
と共に収率と活性とをより精密正確に定量化すべく質量分光光度分析を用いるこ
とができる。
【００２５】 微小反応器配置、微小反応器列およびＲＥＭＰＩ微小電極スクリーニング法に
関し開示された微小反応器の積層列を、適する並進テーブルに微小反応器を装着
すると共に質量分光測定スクリーニング法に到るフリージェット膨張試料採取プ
ローブを設けて質量分光光度スクリーニング法に容易に適合させうることが、こ
の説明を読めば当業者には明らかであろう。
関し開示された微小反応器の積層列を、適する並進テーブルに微小反応器を装着
すると共に質量分光測定スクリーニング法に到るフリージェット膨張試料採取プ
ローブを設けて質量分光光度スクリーニング法に容易に適合させうることが、こ
の説明を読めば当業者には明らかであろう。
【００２６】 本発明により所望触媒活性のための大ライブラリのスクリーニングは、レーザ
ー周波数を気体分子の実電子中間段階に調整する場合はその分子のイオン化用断
面積が顕著に増大するという事実に基づく。このプロセスは共鳴強化マルチフォ
トンイオン化、すなわちＲＥＭＰＩである。レーザー波長が実電子状態に調整さ
れない場合、光イオン化の確率が極めて小さくなる。従ってイオン化断面積は分
子の中間電子状態の吸収−励起スペクトルを反映する。ＲＥＭＰＩを用いて、特
定触媒反応生成物を適するレーザー周波数により高効率にて選択的にイオン化さ
せることができ流と共に、反応体および／またはバックグランドガスの同時的光
イオン化を回避することができる。本発明の好適実施例につきレーザー光線を用
いて説明したが、反応生成物からの特定イオンおよび電子の形成を促進するのに
適するエネルギーレベルの照射ビームを用いることができ、これにより照射ビー
ムに近位した下流における微小電極収集による形成イオンおよび／または電子の
検出を可能にする。
ー周波数を気体分子の実電子中間段階に調整する場合はその分子のイオン化用断
面積が顕著に増大するという事実に基づく。このプロセスは共鳴強化マルチフォ
トンイオン化、すなわちＲＥＭＰＩである。レーザー波長が実電子状態に調整さ
れない場合、光イオン化の確率が極めて小さくなる。従ってイオン化断面積は分
子の中間電子状態の吸収−励起スペクトルを反映する。ＲＥＭＰＩを用いて、特
定触媒反応生成物を適するレーザー周波数により高効率にて選択的にイオン化さ
せることができ流と共に、反応体および／またはバックグランドガスの同時的光
イオン化を回避することができる。本発明の好適実施例につきレーザー光線を用
いて説明したが、反応生成物からの特定イオンおよび電子の形成を促進するのに
適するエネルギーレベルの照射ビームを用いることができ、これにより照射ビー
ムに近位した下流における微小電極収集による形成イオンおよび／または電子の
検出を可能にする。
【００２７】 触媒反応生成物がＲＥＭＰＩフォトイオンの容易な発生を与えない場合、本発
明の方法は直接関連した生成物の検出に用いることができる。たとえば反応生成
物分子を、より小さい娘生成物まで適するエネルギー源（たとえばパルス化レー
ザー光線もしくはプラズマアーク）により断片化することができる。これら断片
は安定分子、ラジカルもしくはイオン性物質とすることができる。検出すること
が望ましい触媒反応生成物分子に独特に寄与しうる娘生成物までの触媒反応生成
物分子の断片化に続き、娘生成物ＲＥＭＰＩプロセスにより選択的にフォトイオ
ン化させて、上記したように微小電極により検出することができる。断片化生成
物の検出による反応生成物の定量は、断片化の効率を算出するさらなる検量を必
要とする。
明の方法は直接関連した生成物の検出に用いることができる。たとえば反応生成
物分子を、より小さい娘生成物まで適するエネルギー源（たとえばパルス化レー
ザー光線もしくはプラズマアーク）により断片化することができる。これら断片
は安定分子、ラジカルもしくはイオン性物質とすることができる。検出すること
が望ましい触媒反応生成物分子に独特に寄与しうる娘生成物までの触媒反応生成
物分子の断片化に続き、娘生成物ＲＥＭＰＩプロセスにより選択的にフォトイオ
ン化させて、上記したように微小電極により検出することができる。断片化生成
物の検出による反応生成物の定量は、断片化の効率を算出するさらなる検量を必
要とする。
【００２８】 さらに、特定光周波数による反応生成物の照射に際し反応生成物またはその断
片化生成物は、たとえばルミネッセンス、フルオレッセンスもしくはホスホレッ
センスを含む独特の照射線シグナルを発生することも可能である。これら放出物
を次いで触媒ライブラリを迅速スクリーニングすべく使用することができ、これ
にはたとえばモノクロマトールおよびダイオード列および電荷連結装置（ＣＣＤ
）ディテクタを用いる。
片化生成物は、たとえばルミネッセンス、フルオレッセンスもしくはホスホレッ
センスを含む独特の照射線シグナルを発生することも可能である。これら放出物
を次いで触媒ライブラリを迅速スクリーニングすべく使用することができ、これ
にはたとえばモノクロマトールおよびダイオード列および電荷連結装置（ＣＣＤ
）ディテクタを用いる。
【００２９】 たとえばエチレン（Ｃ２Ｈ４）および（Ｏ２）の反応結果としての酸化エチレ
ン（Ｃ２Ｈ４Ｏ）およびアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の選択的同定は、以
下の反応式により説明しうる断片化生成物で行うことができる： Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→ＣＨ２Ｏ＋ＣＨ２ Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→Ｃ２Ｈ４＋Ｏ Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→Ｃ２Ｈ３＋ＯＨ
ン（Ｃ２Ｈ４Ｏ）およびアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の選択的同定は、以
下の反応式により説明しうる断片化生成物で行うことができる： Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→ＣＨ２Ｏ＋ＣＨ２ Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→Ｃ２Ｈ４＋Ｏ Ｃ２Ｈ４Ｏ＋ｈν→Ｃ２Ｈ３＋ＯＨ
【００３０】 アセトアルデビトの場合、断片化は次式により記載することができる： ＣＨ３ＣＨＯ＋ｈν→ＣＨ３＋ＣＨＯ
【００３１】 ＲＥＭＰＩイオンにより触媒生成物分子を直接検出することもできるが、反応
生成混合物におけるその存在の情報はその断片化生成物のＲＥＭＰＩ特性を測定
して得ることもできる。すなわち断片化生成物ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２、Ｃ２Ｈ３、Ｏ
およびＯＨの生成は酸化エチレンに独特に寄与しうる一方、ＣＨ３およびＣＨＯ
の生成はアセトアルデヒドに独特に寄与しうる。このようにして、断片化生成物
のいずれか１種の選択的検出（反応体として豊富に存在するエチレンを除く）は
親酸化エチレンおよび／またはアルデヒドのこれら化合物におけるレベルを示す
ことができる。
生成混合物におけるその存在の情報はその断片化生成物のＲＥＭＰＩ特性を測定
して得ることもできる。すなわち断片化生成物ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２、Ｃ２Ｈ３、Ｏ
およびＯＨの生成は酸化エチレンに独特に寄与しうる一方、ＣＨ３およびＣＨＯ
の生成はアセトアルデヒドに独特に寄与しうる。このようにして、断片化生成物
のいずれか１種の選択的検出（反応体として豊富に存在するエチレンを除く）は
親酸化エチレンおよび／またはアルデヒドのこれら化合物におけるレベルを示す
ことができる。
【００３２】 他の実施例として、プロパン（Ｃ３Ｈ８）とアンモニア（ＮＨ３）と酸素との
反応により生成されるアクリロニトリル（Ｃ２Ｈ３ＣＮ）は断片化Ｃ２Ｈ３ＣＮ
＋ｈν→Ｃ２Ｈ２＋ＣＮから生ずる生成物の検出により検出して生成混合物にお
けるアクリロニトリルのレベルに関する独特な情報を与えることができる。
反応により生成されるアクリロニトリル（Ｃ２Ｈ３ＣＮ）は断片化Ｃ２Ｈ３ＣＮ
＋ｈν→Ｃ２Ｈ２＋ＣＮから生ずる生成物の検出により検出して生成混合物にお
けるアクリロニトリルのレベルに関する独特な情報を与えることができる。
【００３３】 ＲＥＭＰＩを誘発させる数種の手段も存在するが、最も一般的なものは共鳴２
−光イオン化（Ｒ２ＰＩ）であり、ここで１個のフォトンｈν１は分子を励起電
子状態までエネルギー付与すると共に、第２フォトンｈν２は分子をイオン化さ
せる［Ｄ．Ｍ．ルブマン、「レーザーおよび質量分光光度法」、オックスフォー
ド大学プレス社、ニューヨーク（１９９０）、第１６章、Ｄ．Ｍ．ラブマンおよ
びＬ．リー、「パルス化レーザー脱着により気化された超音波ジェットにおける
生物学的分子の共鳴２−フォトンイオン化分光光度法」、第３５３頁」。しかし
ながら状況に応じ、各工程における２個もしくはそれ以上のフォトンの吸収をＲ
ＥＭＰＩにつき用いることができる。（ｈν１＋ｈν２）＞ＩＰ（ここでＩＰは
イオン化電位である）であれば、イオン化が生ずる。用いる２個のフォトンは同
一もしくは異なるエネルギーを有することができ、同一もしくは異なるレーザー
から得ることができる。より高いエネルギーのＵＶフォトンを用いて、単一フォ
トンプロセスで物質を光イオン化させることもできる。２フォトンＲＥＭＰＩプ
ロセスは、次式により生成物Ｐの選択的光イオン化につき説明することができる
：Ｐ＋ｈν１＝Ｐ＊およびＰ＊＋ｈν２＝Ｐ＋＋ｅ（ここでＰは生成物であり、
Ｐ＊は生成物の実電子励起状態であり、Ｐ＋は生成物のフォトイオンであり、ｅ
は光電子である）。調整自在なレーザーを用いて達成しうるフォトンエネルギー
を変化させることにより、標的分子Ｐのイオン化スペクトルをマッピングして適
するレーザー周波数を決定し、これを用いて混合物における他の分子を同時的に
イオン化させることなく専らこれをイオン化することができる。ＲＥＭＰＩプロ
セスは２種もしくはそれ以上のフォトイオンの関与を含むので、用いるレーザー
光波長を考慮せねばならない。概算として、有利なＲＥＭＰＩにおける各フォト
ンは単一レーザー光線を用いるＲ２ＰＩプロセスにて約ＩＰの１／２のエネルギ
ー持たねばならない。同様に、単一レーザー光線を使用する場合、各フォトンエ
ネルギーは２＋１プロセスにてＩＰの約１／３および２＋２プロセスにてＩＰの
１／４とせねばならない。２つもしくはそれ以上のレーザー光線を使用する場合
、各フォトンエネルギーは得られるＲＥＭＰＩシグナルを最適化すべく独立選択
することができる。深紫外線ＵＶ（たとえば１５０ナノメータ（ｎｍ））から可
視光線（たとえば７００ｎｍ）に到る範囲を網羅するレーザー波長を用いて、各
種のフォトイオン過程によりＲＥＭＰＩを誘発させることができる。
−光イオン化（Ｒ２ＰＩ）であり、ここで１個のフォトンｈν１は分子を励起電
子状態までエネルギー付与すると共に、第２フォトンｈν２は分子をイオン化さ
せる［Ｄ．Ｍ．ルブマン、「レーザーおよび質量分光光度法」、オックスフォー
ド大学プレス社、ニューヨーク（１９９０）、第１６章、Ｄ．Ｍ．ラブマンおよ
びＬ．リー、「パルス化レーザー脱着により気化された超音波ジェットにおける
生物学的分子の共鳴２−フォトンイオン化分光光度法」、第３５３頁」。しかし
ながら状況に応じ、各工程における２個もしくはそれ以上のフォトンの吸収をＲ
ＥＭＰＩにつき用いることができる。（ｈν１＋ｈν２）＞ＩＰ（ここでＩＰは
イオン化電位である）であれば、イオン化が生ずる。用いる２個のフォトンは同
一もしくは異なるエネルギーを有することができ、同一もしくは異なるレーザー
から得ることができる。より高いエネルギーのＵＶフォトンを用いて、単一フォ
トンプロセスで物質を光イオン化させることもできる。２フォトンＲＥＭＰＩプ
ロセスは、次式により生成物Ｐの選択的光イオン化につき説明することができる
：Ｐ＋ｈν１＝Ｐ＊およびＰ＊＋ｈν２＝Ｐ＋＋ｅ（ここでＰは生成物であり、
Ｐ＊は生成物の実電子励起状態であり、Ｐ＋は生成物のフォトイオンであり、ｅ
は光電子である）。調整自在なレーザーを用いて達成しうるフォトンエネルギー
を変化させることにより、標的分子Ｐのイオン化スペクトルをマッピングして適
するレーザー周波数を決定し、これを用いて混合物における他の分子を同時的に
イオン化させることなく専らこれをイオン化することができる。ＲＥＭＰＩプロ
セスは２種もしくはそれ以上のフォトイオンの関与を含むので、用いるレーザー
光波長を考慮せねばならない。概算として、有利なＲＥＭＰＩにおける各フォト
ンは単一レーザー光線を用いるＲ２ＰＩプロセスにて約ＩＰの１／２のエネルギ
ー持たねばならない。同様に、単一レーザー光線を使用する場合、各フォトンエ
ネルギーは２＋１プロセスにてＩＰの約１／３および２＋２プロセスにてＩＰの
１／４とせねばならない。２つもしくはそれ以上のレーザー光線を使用する場合
、各フォトンエネルギーは得られるＲＥＭＰＩシグナルを最適化すべく独立選択
することができる。深紫外線ＵＶ（たとえば１５０ナノメータ（ｎｍ））から可
視光線（たとえば７００ｎｍ）に到る範囲を網羅するレーザー波長を用いて、各
種のフォトイオン過程によりＲＥＭＰＩを誘発させることができる。
【００３４】 ＲＥＭＰＩは本質的に高解像技術であって、任意の分子のイオン吸収特性を高
精度にて測定しうるものである。さらに分子は電子励起状態の振動レベルからイ
オン化され、これにより標的分子のみの特定光イオン化を与える。これを用いて
、たとえばジクロルトルエンのような異性体をその異なる電子構造に基づき区別
することができる［Ｒ．チンマーマン、Ｃｈ．レルナー、Ｋ．Ｗ．シラム、Ａ．
ケトラップおよびＵ．ベースル、「三次元追跡分析：ガスクロマトグラフィーと
超音波ビームＵＶ分光光度法と飛行時間質量分光光度法との組合せ］、ヨーロピ
アン・マス・スペクトロメトリー、第１巻、第３４１頁（１９９５）］。ＲＥＭ
ＰＩプロセスを順次に用いて、異なるレーザー周波数により種々異なる生成物を
検出することができ、従って触媒選択性の決定をも与えうる。ＲＥＭＰＩは高感
度技術であって、低ｐｐｂで物質の実時間検出を与え［Ｃ．Ｍ．ギッチンス、Ｍ
．Ｊ．カスタルジ、Ｓ．Ｍ．センカンおよびＥ．Ａ．ロールフィング、「共鳴強
化マルチフォトンイオン化飛行時間質量分光光度法による燃焼発生の多環式芳香
族炭化水素の実時間定量分析」、アナリチカル・ケミストリー、第６９巻、第２
８７頁（１９９７）］、また高ＰＰｔも既に示されている［Ｍ．Ｊ．カスタルジ
およびＳ．Ｍ．シェンカン、「レーザー光イオン化飛行時間質量分光光度法によ
る空気毒物の実時間超感度監視」、ジャーナル・エアー・アンド・ウエイスト・
Ｍｇｍｎｔ・アソシエーション、第４８巻、第７７頁（１９９８）］。
精度にて測定しうるものである。さらに分子は電子励起状態の振動レベルからイ
オン化され、これにより標的分子のみの特定光イオン化を与える。これを用いて
、たとえばジクロルトルエンのような異性体をその異なる電子構造に基づき区別
することができる［Ｒ．チンマーマン、Ｃｈ．レルナー、Ｋ．Ｗ．シラム、Ａ．
ケトラップおよびＵ．ベースル、「三次元追跡分析：ガスクロマトグラフィーと
超音波ビームＵＶ分光光度法と飛行時間質量分光光度法との組合せ］、ヨーロピ
アン・マス・スペクトロメトリー、第１巻、第３４１頁（１９９５）］。ＲＥＭ
ＰＩプロセスを順次に用いて、異なるレーザー周波数により種々異なる生成物を
検出することができ、従って触媒選択性の決定をも与えうる。ＲＥＭＰＩは高感
度技術であって、低ｐｐｂで物質の実時間検出を与え［Ｃ．Ｍ．ギッチンス、Ｍ
．Ｊ．カスタルジ、Ｓ．Ｍ．センカンおよびＥ．Ａ．ロールフィング、「共鳴強
化マルチフォトンイオン化飛行時間質量分光光度法による燃焼発生の多環式芳香
族炭化水素の実時間定量分析」、アナリチカル・ケミストリー、第６９巻、第２
８７頁（１９９７）］、また高ＰＰｔも既に示されている［Ｍ．Ｊ．カスタルジ
およびＳ．Ｍ．シェンカン、「レーザー光イオン化飛行時間質量分光光度法によ
る空気毒物の実時間超感度監視」、ジャーナル・エアー・アンド・ウエイスト・
Ｍｇｍｎｔ・アソシエーション、第４８巻、第７７頁（１９９８）］。
【００３５】 図１は、触媒部位を反応体と接触させることにより発生した気体生成物を選択
検出するＲＥＭＰＩ法の概略図である。本発明によれば気体反応生成物は、基質
２０に装着された触媒２１を反応体と接触させると気体プルーム２２を形成する
。気体生成物は、調整自在なレーザー源２４からおよび／またはフォトイオンＰ ＋ および光電子ｅ−を図１に示したように発生する気体生成物プルーム２２の中
央部分から鏡２２により指向される第２調整レーザー源２５を用いて形成された
パルス化ＵＶレーザー光線２３により光イオン化される。微小電極２７をレーザ
ー光線２３の数ｍｍ上方に位置せしめて、陰極２８および陽極２９にＤＣ電源３
０により加えた電圧バイヤスに基づき、光電子もしくはフォトイオンを収集する
。微小電極２７により収集された電気シグナルを次いで増幅すると共に、検出器
３１（たとえばデジタルオシロスコープ）により検出する。測定された電気シグ
ナルが触媒を持たない基準部位より高ければ、この部位を触媒活性と標識するこ
とができる。或いは、部位は触媒不活性と考えねばならない。適するレーザー周
波数または複数生成物を検出するための周波数の選択は、レーザー光線により発
生した電気シグナルが専ら特定生成ガスの光イオン化に基づくものであって反応
体および／またはバックグランドガスからのものでないよう確保するのが重要で
あることが了解されよう。特定材料につき適するレーザー周波数は、たとえば調
整自在なレーザーおよび飛行時間質量分光光度計を用いレーザー光イオン化質量
分光光度測定研究により同定することができる［Ｍ．Ｊ．カスタルジおよびＳ．
Ｍ．センカン（１９９７）、上記およびＣ．Ｍ．ギッチンス、Ｍ．Ｊ．カスタリ
ジ、Ｓ．Ｍ．センカンおよびＥ．Ａ．ロールフィング（１９９８）、上記］。こ
の手法を用い興味ある物質を含有するガス混合物を、たとえばパルス弁により減
圧チャンバに導入する。次いで、膨張ガスジェットを特定エネルギーのＵＶフォ
トンにより調整自在レーザー発生器から遮断する。次いで得られるＲＥＭＰＩシ
グナルを飛行時間質量分光光度計システムにより記録する。ＵＶレーザー周波数
範囲を走査することにより反応体、生成物、副生物およびバックグランドガスの
光イオン化スペクトルを決定することができる。分子異性体の場合、各異性体の
光イオン化スペクトルは個々に決定せねばならない。該当する物質の全てにつき
光イオン化スペクトルを決定した後、特定ＵＶ周波数を同定することができ、こ
れは評価することが望ましい特定生成異性体のＲＥＭＰＩイオンの専一発生をも
たらす。
検出するＲＥＭＰＩ法の概略図である。本発明によれば気体反応生成物は、基質
２０に装着された触媒２１を反応体と接触させると気体プルーム２２を形成する
。気体生成物は、調整自在なレーザー源２４からおよび／またはフォトイオンＰ ＋ および光電子ｅ−を図１に示したように発生する気体生成物プルーム２２の中
央部分から鏡２２により指向される第２調整レーザー源２５を用いて形成された
パルス化ＵＶレーザー光線２３により光イオン化される。微小電極２７をレーザ
ー光線２３の数ｍｍ上方に位置せしめて、陰極２８および陽極２９にＤＣ電源３
０により加えた電圧バイヤスに基づき、光電子もしくはフォトイオンを収集する
。微小電極２７により収集された電気シグナルを次いで増幅すると共に、検出器
３１（たとえばデジタルオシロスコープ）により検出する。測定された電気シグ
ナルが触媒を持たない基準部位より高ければ、この部位を触媒活性と標識するこ
とができる。或いは、部位は触媒不活性と考えねばならない。適するレーザー周
波数または複数生成物を検出するための周波数の選択は、レーザー光線により発
生した電気シグナルが専ら特定生成ガスの光イオン化に基づくものであって反応
体および／またはバックグランドガスからのものでないよう確保するのが重要で
あることが了解されよう。特定材料につき適するレーザー周波数は、たとえば調
整自在なレーザーおよび飛行時間質量分光光度計を用いレーザー光イオン化質量
分光光度測定研究により同定することができる［Ｍ．Ｊ．カスタルジおよびＳ．
Ｍ．センカン（１９９７）、上記およびＣ．Ｍ．ギッチンス、Ｍ．Ｊ．カスタリ
ジ、Ｓ．Ｍ．センカンおよびＥ．Ａ．ロールフィング（１９９８）、上記］。こ
の手法を用い興味ある物質を含有するガス混合物を、たとえばパルス弁により減
圧チャンバに導入する。次いで、膨張ガスジェットを特定エネルギーのＵＶフォ
トンにより調整自在レーザー発生器から遮断する。次いで得られるＲＥＭＰＩシ
グナルを飛行時間質量分光光度計システムにより記録する。ＵＶレーザー周波数
範囲を走査することにより反応体、生成物、副生物およびバックグランドガスの
光イオン化スペクトルを決定することができる。分子異性体の場合、各異性体の
光イオン化スペクトルは個々に決定せねばならない。該当する物質の全てにつき
光イオン化スペクトルを決定した後、特定ＵＶ周波数を同定することができ、こ
れは評価することが望ましい特定生成異性体のＲＥＭＰＩイオンの専一発生をも
たらす。
【００３６】 ＲＥＭＰＩスペクトルは高温度にて多数のロビブロニックレベルからの重なり
移行に基づき拡開するることを認識すべきである。しかしながら、反応体、他の
生成物およびキャリヤガスからの干渉なしに幅広調整ＵＶレーザーの可能性に基
づき所望生成物を選択フォトイオン化するレーザー周波数を同定することができ
る。この同定プロセスは、生成ガスが反応体およびバックグランドガスとは、唯
一の副生物としてのＨ２を含むＡｒキャリヤガスにおけるベンゼン（芳香族化合
物）、ヘキサン（脂肪族化合物）の製造にて構造上異なる場合に促進される。Ｒ
ＥＭＰＩシグナルのスペクトル認識に関連する有力な問題は、超音波ジェット膨
張の使用により効果的に解決しうる［Ｄ．Ｈ．パーカー、「レーザーイオン化分
光光度法および質量分光光度法」、「超感度レーザー分光光度法」、Ｄ．Ｓ．ク
リガー編、アカデミック・プレス社、ニューヨーク（１９８３）およびＲ．トレ
ンブロイル、Ｃ．Ｈ．シン、Ｐ．リー、Ｈ．Ｍ．パングおよびＤ．Ｍ．ラブマン
、「ハロゲン化芳香族炭化水素に対する超音波ビーム質量分光光度法における共
鳴２−フォトンイオン化の利用性」、アナリチカル・ケミストリー、第５７巻、
第１１８６頁（１９８５）］。生成ガスを小オリフィスを介し減圧中に膨張させ
て達成しうるジェット膨張は移行、回転的および振動的冷却をもたらして、ＲＥ
ＭＰＩスペクトルの顕著な単純化をもたらす。この方法は、同様なバックグラン
ドにて特定物質の選択的検出を可能にする。
移行に基づき拡開するることを認識すべきである。しかしながら、反応体、他の
生成物およびキャリヤガスからの干渉なしに幅広調整ＵＶレーザーの可能性に基
づき所望生成物を選択フォトイオン化するレーザー周波数を同定することができ
る。この同定プロセスは、生成ガスが反応体およびバックグランドガスとは、唯
一の副生物としてのＨ２を含むＡｒキャリヤガスにおけるベンゼン（芳香族化合
物）、ヘキサン（脂肪族化合物）の製造にて構造上異なる場合に促進される。Ｒ
ＥＭＰＩシグナルのスペクトル認識に関連する有力な問題は、超音波ジェット膨
張の使用により効果的に解決しうる［Ｄ．Ｈ．パーカー、「レーザーイオン化分
光光度法および質量分光光度法」、「超感度レーザー分光光度法」、Ｄ．Ｓ．ク
リガー編、アカデミック・プレス社、ニューヨーク（１９８３）およびＲ．トレ
ンブロイル、Ｃ．Ｈ．シン、Ｐ．リー、Ｈ．Ｍ．パングおよびＤ．Ｍ．ラブマン
、「ハロゲン化芳香族炭化水素に対する超音波ビーム質量分光光度法における共
鳴２−フォトンイオン化の利用性」、アナリチカル・ケミストリー、第５７巻、
第１１８６頁（１９８５）］。生成ガスを小オリフィスを介し減圧中に膨張させ
て達成しうるジェット膨張は移行、回転的および振動的冷却をもたらして、ＲＥ
ＭＰＩスペクトルの顕著な単純化をもたらす。この方法は、同様なバックグラン
ドにて特定物質の選択的検出を可能にする。
【００３７】 触媒部位の上方で発生した生成物フォトイオンおよび光電子は、陽極もしくは
陰極のいずれか或いは両者としうる微小電極を用いて集めることができる。触媒
ライブラリを付着させる基質も陰極または陽極として作用することができ、或い
は他の微小電極をこの目的で基質内に設置することもできる。高温ＲＥＭＰＩ−
電極手法は、たとえばＰＯ、ＮＯ、ＨおよびＯのような僅か数原子を含有する気
体物質の濃度を決定すべく従来使用されていた［Ｋ．Ｃ．スミスおよびＷ．Ｇ．
マラード、「Ｃ２Ｈ２／空気フレームにおけるＰＯの２フォトンイオン化プロセ
ス」、ジャーナル・ケミカル・フィジークス、第７７巻、第１７７９頁（１９８
２）；Ｔ．Ａ．クール、「共鳴３−フォトンイオン化によるＮＯ密度の定量測定
」、アプライド・オプチックス、第２３巻、第１０頁、第１５５９頁（１９８４
）；Ｊ．Ｅ．Ｍ．ゴールドスミス、「フレームにおける原子酸素の共鳴マルチフ
ォトンオプトガルバニック検出」、ジャーナル・ケミカル・フィジークス、第７
８（３）巻、第１６１０頁（１９８３）；およびＧ．Ｃ．ブヨルクルンド、Ｒ．
Ｒ．フリーマンおよびＲ．Ｈ．ストルツ、「３フォトン吸収による原子水素にお
けるライドベルクレベルの選択的励起」、オクチックス・コミュニケーション、
第３１（１）巻、第４７頁（１９７９）］。ＲＥＭＰＩシグナルのスペクトル認
識および拡開の問題を示すこれら初期の研究は、より大の分子物質が関与する場
合にはＲＥＭＰＩ−電極手法の使用を暗示する。しかしながら今回、より大の分
子は触媒スクリーニングにつきこの技術により測定しうることが突き止められた
。ＲＥＭＰＩスペクトルの顕著な拡開は、反応体および生成物のＲＥＭＰＩ特徴
を一般に分離する際、触媒スクリーニングにて許容することができる。反応体お
よび生成物が明確な電子構造を有する触媒スクリーニングにて稀であるＲＥＭＰ
Ｉスペクトルが重なる場合、この問題は小オリフィスを介し減圧チャンバ中へ膨
張させることにより生成物をジェット冷却して解決することができる。
陰極のいずれか或いは両者としうる微小電極を用いて集めることができる。触媒
ライブラリを付着させる基質も陰極または陽極として作用することができ、或い
は他の微小電極をこの目的で基質内に設置することもできる。高温ＲＥＭＰＩ−
電極手法は、たとえばＰＯ、ＮＯ、ＨおよびＯのような僅か数原子を含有する気
体物質の濃度を決定すべく従来使用されていた［Ｋ．Ｃ．スミスおよびＷ．Ｇ．
マラード、「Ｃ２Ｈ２／空気フレームにおけるＰＯの２フォトンイオン化プロセ
ス」、ジャーナル・ケミカル・フィジークス、第７７巻、第１７７９頁（１９８
２）；Ｔ．Ａ．クール、「共鳴３−フォトンイオン化によるＮＯ密度の定量測定
」、アプライド・オプチックス、第２３巻、第１０頁、第１５５９頁（１９８４
）；Ｊ．Ｅ．Ｍ．ゴールドスミス、「フレームにおける原子酸素の共鳴マルチフ
ォトンオプトガルバニック検出」、ジャーナル・ケミカル・フィジークス、第７
８（３）巻、第１６１０頁（１９８３）；およびＧ．Ｃ．ブヨルクルンド、Ｒ．
Ｒ．フリーマンおよびＲ．Ｈ．ストルツ、「３フォトン吸収による原子水素にお
けるライドベルクレベルの選択的励起」、オクチックス・コミュニケーション、
第３１（１）巻、第４７頁（１９７９）］。ＲＥＭＰＩシグナルのスペクトル認
識および拡開の問題を示すこれら初期の研究は、より大の分子物質が関与する場
合にはＲＥＭＰＩ−電極手法の使用を暗示する。しかしながら今回、より大の分
子は触媒スクリーニングにつきこの技術により測定しうることが突き止められた
。ＲＥＭＰＩスペクトルの顕著な拡開は、反応体および生成物のＲＥＭＰＩ特徴
を一般に分離する際、触媒スクリーニングにて許容することができる。反応体お
よび生成物が明確な電子構造を有する触媒スクリーニングにて稀であるＲＥＭＰ
Ｉスペクトルが重なる場合、この問題は小オリフィスを介し減圧チャンバ中へ膨
張させることにより生成物をジェット冷却して解決することができる。
【００３８】 さらにＲＥＭＰＩ微小電極技術を用いて液体および固体の生成物を検出するこ
とができる。これらの場合、反応生成物は除去レーザー（たとえばパルス化ＣＯ ２ もしくは他の種類のレーザー）を用いて最初にガス化させねばならない。次い
でガス化した生成物をＲＥＭＰＩにより光イオン化させると共に、上記したよう
に微小電極で検出することができる。さらにＲＥＭＰＩ法を用いて、反応器の出
口で収集された生成ガスの分析により検出しえない、触媒プロセスに関与した反
応中間体を監視することもできる。これは触媒反応に関連した反応経路の洞察を
発展させるのに特に有用であり、従って触媒開発プロセスを顕著に加速しうる。
とができる。これらの場合、反応生成物は除去レーザー（たとえばパルス化ＣＯ ２ もしくは他の種類のレーザー）を用いて最初にガス化させねばならない。次い
でガス化した生成物をＲＥＭＰＩにより光イオン化させると共に、上記したよう
に微小電極で検出することができる。さらにＲＥＭＰＩ法を用いて、反応器の出
口で収集された生成ガスの分析により検出しえない、触媒プロセスに関与した反
応中間体を監視することもできる。これは触媒反応に関連した反応経路の洞察を
発展させるのに特に有用であり、従って触媒開発プロセスを顕著に加速しうる。
【００３９】 不均質および均質触媒ライブラリの高速スクリーニングにつきＲＥＭＰＩおよ
び微小電極の使用を示唆する刊行物は、本発明者には知られていない。触媒活性
につき大ライブラリの迅速スクリーニングのための多数の手法に従うことができ
、以下の現在好適な手法が例として示され、これは本発明を限定するものと考え
てはならない。
び微小電極の使用を示唆する刊行物は、本発明者には知られていない。触媒活性
につき大ライブラリの迅速スクリーニングのための多数の手法に従うことができ
、以下の現在好適な手法が例として示され、これは本発明を限定するものと考え
てはならない。
【００４０】 不均質触媒ライブラリにつき、固相触媒は扁平シートにおける触媒クラスター
の列で配置されてスクリーニングプロセスを容易化させることができる。さらに
、充分規定されたチャンネルを有するモノリスもしくは蜂巣構造体を使用して、
適する触媒ライブラリを発生させることもできる。さらに触媒部位を、触媒およ
び作成方法に応じて多孔質または非多孔質となるよう形成させることもできる。
図２は、ライブラリ上に反応体ガスを流動させて得られる触媒の反応体と接触の
後に生成物プルーブを列スクリーニングする非孔質扁平シート触媒ライブラリを
示す。同じ数字は本明細書全体および図面にて同じ意味を有する。上流触媒部位
２１ｕおよび下流触媒部位２１ｄを有する試験触媒部位２１は、反応体速度プロ
フィル３３により示される反応体ガス流から上流触媒部位２１ｕをシールドする
マスク３２を含む基質２０に示される。生成物を含有するガスは、各部位から発
生した後にライブラリから除去されて、反応器における生成物循環を最小化させ
ねばならない。図２に示した配置において、試験触媒部位２１から上流の触媒部
位は種々異なる部位からのシグナル交差を防止すべく遮蔽せねばならない。上流
部位が遮蔽されず、かつこれら部位の幾つかが触媒的であれば、これら部位で生
成される生成物は下流に輸送されて列スクリーニング過程を阻害する。遮蔽は、
図２に示したように上流触媒部位を覆う物理的マスクを用いることにより或いは
反応体ガスを専用ガス反応体供給チューブ（図３に参照符号３４で示す）を使用
して触媒部位に直接導入することにより行うことができる。図４は、触媒表面か
らの生成物の輸送を促進する傾斜触媒試験部位２１ｔを示す。この配置は、試験
部位からの生成物のシグナル検出を向上させる。
の列で配置されてスクリーニングプロセスを容易化させることができる。さらに
、充分規定されたチャンネルを有するモノリスもしくは蜂巣構造体を使用して、
適する触媒ライブラリを発生させることもできる。さらに触媒部位を、触媒およ
び作成方法に応じて多孔質または非多孔質となるよう形成させることもできる。
図２は、ライブラリ上に反応体ガスを流動させて得られる触媒の反応体と接触の
後に生成物プルーブを列スクリーニングする非孔質扁平シート触媒ライブラリを
示す。同じ数字は本明細書全体および図面にて同じ意味を有する。上流触媒部位
２１ｕおよび下流触媒部位２１ｄを有する試験触媒部位２１は、反応体速度プロ
フィル３３により示される反応体ガス流から上流触媒部位２１ｕをシールドする
マスク３２を含む基質２０に示される。生成物を含有するガスは、各部位から発
生した後にライブラリから除去されて、反応器における生成物循環を最小化させ
ねばならない。図２に示した配置において、試験触媒部位２１から上流の触媒部
位は種々異なる部位からのシグナル交差を防止すべく遮蔽せねばならない。上流
部位が遮蔽されず、かつこれら部位の幾つかが触媒的であれば、これら部位で生
成される生成物は下流に輸送されて列スクリーニング過程を阻害する。遮蔽は、
図２に示したように上流触媒部位を覆う物理的マスクを用いることにより或いは
反応体ガスを専用ガス反応体供給チューブ（図３に参照符号３４で示す）を使用
して触媒部位に直接導入することにより行うことができる。図４は、触媒表面か
らの生成物の輸送を促進する傾斜触媒試験部位２１ｔを示す。この配置は、試験
部位からの生成物のシグナル検出を向上させる。
【００４１】 反応体分子が触媒特性を有する試験部位の上を通過する際、生成物が表面にて
生成される。次いで、これら生成物は流動するガス流に拡散すると共に、生成物
濃度境界層もしくは生成物プルーム２２を図２〜４に示したように確立する。生
成物につき一定の触媒表面濃度を仮定して、生成物濃度層厚さはδｃ（Ｘ）＝３
．３（ＤｘＬ／Ｕｏ）１／３であり、（ここでｘは図２〜４に示した触媒部位の
先端部からの距離であり、Ｄは生成物の分子拡散係数であり、Ｕｏは図３〜４に
示した特徴的ガス速度であり、Ｌは垂直方向（たとえば反応器の高さ）における
特徴的寸法または図３〜４に２Ｒとして示した反応体供給チューブの直径である
）。
生成される。次いで、これら生成物は流動するガス流に拡散すると共に、生成物
濃度境界層もしくは生成物プルーム２２を図２〜４に示したように確立する。生
成物につき一定の触媒表面濃度を仮定して、生成物濃度層厚さはδｃ（Ｘ）＝３
．３（ＤｘＬ／Ｕｏ）１／３であり、（ここでｘは図２〜４に示した触媒部位の
先端部からの距離であり、Ｄは生成物の分子拡散係数であり、Ｕｏは図３〜４に
示した特徴的ガス速度であり、Ｌは垂直方向（たとえば反応器の高さ）における
特徴的寸法または図３〜４に２Ｒとして示した反応体供給チューブの直径である
）。
【００４２】 関与する設計問題の幾つかを例示するため、長さ５ｍｍｘ幅５ｍｍの触媒部位
の固相ライブラリを考慮する。０．５ｃｍのガス供給ライン直径と１．０ｃｍ／
ｓｅｃの平均反応体ガス速度と０．１ｃｍ２／ｓｅｃの拡散係数（これは大抵の
ガスにつき１ａｔｍにて典型的である）とを仮定して、触媒部位の先端部からの
濃度境界層厚さ（５ｍｍ）は次の通り推定することができる： δ（０．５）＝３．３［（０．１）（０．５）（０．２５）／１．０］１／３ ＝０．７６７ｃｍもしくは７．６７ｍｍ
の固相ライブラリを考慮する。０．５ｃｍのガス供給ライン直径と１．０ｃｍ／
ｓｅｃの平均反応体ガス速度と０．１ｃｍ２／ｓｅｃの拡散係数（これは大抵の
ガスにつき１ａｔｍにて典型的である）とを仮定して、触媒部位の先端部からの
濃度境界層厚さ（５ｍｍ）は次の通り推定することができる： δ（０．５）＝３．３［（０．１）（０．５）（０．２５）／１．０］１／３ ＝０．７６７ｃｍもしくは７．６７ｍｍ
【００４３】 この境界層はレーザー光線を通過させて、存在すれば生成物を光イオン化させ
るのに充分な厚さである。ガス供給チューブの直径２Ｒ、ガス速度Ｕｏおよび触
媒部位寸法ｘを変化させて、濃度境界層の厚さをさらに調節することができる。
さらに図４に示したように、試験部位２１ｔをスクリーニング過程に際し傾斜さ
せて、触媒表面からの生成物の輸送を促進することもできる。
るのに充分な厚さである。ガス供給チューブの直径２Ｒ、ガス速度Ｕｏおよび触
媒部位寸法ｘを変化させて、濃度境界層の厚さをさらに調節することができる。
さらに図４に示したように、試験部位２１ｔをスクリーニング過程に際し傾斜さ
せて、触媒表面からの生成物の輸送を促進することもできる。
【００４４】 多孔質触媒ライブラリを発生させる場合は、反応体ガスをライブラリにおける
各部位に通過させて、図５に示したように試験触媒部位の上方に生成物プルーム
を発生させることもできる。この実施例において反応体は全触媒部位を通過し、
これによりライブラリにおける全部位の同時的スクリーニングを可能にする。図
５に示したように、各反応体を反応体充気室まで移送すると共に多孔質試験部位
２１ｐに通過させて、上記したと同様に測定される生成物プルーム３５を形成さ
せる。
各部位に通過させて、図５に示したように試験触媒部位の上方に生成物プルーム
を発生させることもできる。この実施例において反応体は全触媒部位を通過し、
これによりライブラリにおける全部位の同時的スクリーニングを可能にする。図
５に示したように、各反応体を反応体充気室まで移送すると共に多孔質試験部位
２１ｐに通過させて、上記したと同様に測定される生成物プルーム３５を形成さ
せる。
【００４５】 さらに、図６に示したようにモノリス構造体４０を用いて触媒ライブラリを形
成させることもでき、ここで反応体ガスは触媒コーチング３８にわたるチャンネ
ル３７を通過してレーザー光線２３を通過すると共に微小電極２７上を通る生成
物ガスを形成する。この実施例において、全ライブラリの同時的スクリーニング
が容易に達成される。微小電極２７を図６に示したようにチャンネル３７中へ挿
入して、各触媒部位間におけるシグナル交差を顕著に減少されることができる。
各チャンネルにおける生成物ガスに対する光学アクセスを、図６に示したように
レーザービームのための小ウインドウ３９に設けねばならない。良好な空間分割
および部位分離を設けた結果、モノリス構造体は高密度触媒ライブラリの高処理
量および同時的スクリーニングに対する良好な骨格を与える。
成させることもでき、ここで反応体ガスは触媒コーチング３８にわたるチャンネ
ル３７を通過してレーザー光線２３を通過すると共に微小電極２７上を通る生成
物ガスを形成する。この実施例において、全ライブラリの同時的スクリーニング
が容易に達成される。微小電極２７を図６に示したようにチャンネル３７中へ挿
入して、各触媒部位間におけるシグナル交差を顕著に減少されることができる。
各チャンネルにおける生成物ガスに対する光学アクセスを、図６に示したように
レーザービームのための小ウインドウ３９に設けねばならない。良好な空間分割
および部位分離を設けた結果、モノリス構造体は高密度触媒ライブラリの高処理
量および同時的スクリーニングに対する良好な骨格を与える。
【００４６】 生成物分子の高温微小電極ＲＥＭＰＩスペクトルが明瞭な特徴を持たず或いは
重畳を示す特徴を持たない場合は、生成物を冷却してＲＥＭＰＩスペクトルを改
善せねばならない。これは、ライブラリ部位３３から小オリフィス４３を介し減
圧チャンバ４２中へ発生する生成物ガスプルーム４１の１部を膨張させて容易に
行うことができる。オリフィス４３を介し指向される生成物ガスの部分は断熱膨
張を受けて減圧チャンバ４２内に超音波ジェットを形成し、これによりガス温度
を低下させてＲＥＭＰＩスペクトルの顕著な単純化をもたらす。さらに図７に示
したように、予備冷却熱交換器をオリフィス４３の上流に位置せしめて、オリフ
ィス４３を通過する前に生成ガスの温度を低下させることもできる。減圧チャン
バ中へのガス流入をパルス化させて、ポンピング要件を改善することもできる。
γ＝ｃｐ／ｃｖである熱容量比γを有する理想ガスにつき、ガスの温度は断熱条
件下に次の関係式により圧力に関連する：Ｔ２＝Ｔ１（Ｐ１／Ｐ２）（１−γ） γ （ここでＴ１、Ｐ１およびＴ２、Ｐ２はそれぞれ初期および最終の温度および
圧力である）。たとえばγ＝１．４並びに８００Ｋの初期温度および７６０トー
ルの圧力につき、１０−３トールの減圧まで膨張した断熱冷却ガスの温度は次の
通りである： Ｔ２＝８００（１０−３／７６０）（１．４−１）／１．４＝１６．７Ｋ
重畳を示す特徴を持たない場合は、生成物を冷却してＲＥＭＰＩスペクトルを改
善せねばならない。これは、ライブラリ部位３３から小オリフィス４３を介し減
圧チャンバ４２中へ発生する生成物ガスプルーム４１の１部を膨張させて容易に
行うことができる。オリフィス４３を介し指向される生成物ガスの部分は断熱膨
張を受けて減圧チャンバ４２内に超音波ジェットを形成し、これによりガス温度
を低下させてＲＥＭＰＩスペクトルの顕著な単純化をもたらす。さらに図７に示
したように、予備冷却熱交換器をオリフィス４３の上流に位置せしめて、オリフ
ィス４３を通過する前に生成ガスの温度を低下させることもできる。減圧チャン
バ中へのガス流入をパルス化させて、ポンピング要件を改善することもできる。
γ＝ｃｐ／ｃｖである熱容量比γを有する理想ガスにつき、ガスの温度は断熱条
件下に次の関係式により圧力に関連する：Ｔ２＝Ｔ１（Ｐ１／Ｐ２）（１−γ） γ （ここでＴ１、Ｐ１およびＴ２、Ｐ２はそれぞれ初期および最終の温度および
圧力である）。たとえばγ＝１．４並びに８００Ｋの初期温度および７６０トー
ルの圧力につき、１０−３トールの減圧まで膨張した断熱冷却ガスの温度は次の
通りである： Ｔ２＝８００（１０−３／７６０）（１．４−１）／１．４＝１６．７Ｋ
【００４７】 この温度は、優秀なＲＥＭＰＩスペクトルの発生に適している［Ｍ．Ｊ．カス
タルジおよびＳ．Ｍ．センカン（１９９８）上記］。触媒ライブラリの同時的生
成物スクリーニングは、レーザービーム２３を用いて生成物を光イオン化させた
後に、光電子もしくはフォトイオンを膨張ジェットに近位した減圧チャンバ４２
の内側に設置された微小電極２７を用いて光電子もしくはフォトイオンを検出す
ることにより達成することができる。
タルジおよびＳ．Ｍ．センカン（１９９８）上記］。触媒ライブラリの同時的生
成物スクリーニングは、レーザービーム２３を用いて生成物を光イオン化させた
後に、光電子もしくはフォトイオンを膨張ジェットに近位した減圧チャンバ４２
の内側に設置された微小電極２７を用いて光電子もしくはフォトイオンを検出す
ることにより達成することができる。
【００４８】 図８は、互いに充分分離されて反応器４５内に生成ガスの最小部位間分散をも
たらす幅８列ｘ９列にて軸方向で配列された７２個の試験部位２１を有する平板
固相触媒ライブラリを図示する。反応体と触媒試験部位との接触は図３を参照し
て記載したように反応体供給チューブ３４の使用により達成され、これは上流触
媒部位を効果的に遮蔽する。スクリーニングされる列における各試験部位は図８
に示したように生成ガス検出のための専用微小電極２７を有して列によりスクリ
ーニングする。列にて試験部位を配置すれば、単一レーザービームを用いて列毎
でのスクリーニングを容易化させると共に、８個の部位の同時的スクリーニング
を可能にする。列寸法を本発明により収容することができる。しかしながら、個
々の部位につき特定アドレスを有するライブラリパターンは、ライブラリをコン
ピュータ制御の二次元並進装置を移動させてスクリーニングすることができる。
最高のライブラリ密度を与える最小の部位寸法は、各試験部位間の生成ガスの気
相分散速度により決定される。その結果、種々異なる生成物は種々異なるライブ
ラリ密度の発生および試験を可能にする。図８に例示されるように列スクリーニ
ング過程にて、レーザービーム２３は反応器４５のウインドウ３９および反応体
供給チューブ３４からの反応体ガス流に対し垂直な試験部位２１の上方の形成ガ
スを通過し、点線により示されるように列としての全部位の生成ガスプルームを
通過すると共に、反応器４５からレーザービームダンプ４６まで流出する。反応
体供給チューブ３４は、反応器ガス供給マニホールド４８により供給される。図
８には２つのレーザーを示すが、任意の個数のレーザーを所定用途に用いること
ができる。上記複数設計の例に基づき、基質表面の上方約５ｍｍのレーザービー
ムの位置決めは、レーザービームが生成プルームを遮断すると共に生成物が形成
されればフォトイオンを発生するのに充分とすべきである。生成ガスはガス出口
４９を介し反応器４５から流出する。しかしながら、レーザービームを生成物プ
ルームにおけるいずれの箇所でも設置して、シグナル発生を最大化させることが
できる。試験部位が触媒的でなければ、生成物形成および従って光イオン化は生
じないことも明らかである。発生したフォトイオンおよび光電子は、レーザービ
ーム上方の近接位置にて位置決めされた微小電極に２７により収集される。上記
複数測定例に基づき、微小電極は試験部位表面の５ｍｍ上方を越えたいずれの箇
所にも位置決めしてレーザービームに近接させ、シグナル強度を最大化させるこ
とができる。しかしながら微小電極を試験部位の上方の種々異なる位置に設置し
て、生成物プルームの局部的流体力学と共にシグナル収集を最大化させることが
できる。上記したように、ライブラリ基質はグランドもしくは陰極としても作用
し、或いは微小電極を必要に応じ非導電性基質を介し設置することもでき、或い
は微小電極が図８に示すように陽極と陰極との両者を含むこともできる。微小電
極は多チャンネルスイッチ介しＤＣ電力源３０から入力され、各微小電極の測定
シグナルを検出器３１に供給する。特定列を試験した後、ライブラリを上流もし
くは下流のいずれかにライブラリ並進器４７により移動させて、次の各部位の列
を触媒スクリーニングにつき位置決めすることができる。
たらす幅８列ｘ９列にて軸方向で配列された７２個の試験部位２１を有する平板
固相触媒ライブラリを図示する。反応体と触媒試験部位との接触は図３を参照し
て記載したように反応体供給チューブ３４の使用により達成され、これは上流触
媒部位を効果的に遮蔽する。スクリーニングされる列における各試験部位は図８
に示したように生成ガス検出のための専用微小電極２７を有して列によりスクリ
ーニングする。列にて試験部位を配置すれば、単一レーザービームを用いて列毎
でのスクリーニングを容易化させると共に、８個の部位の同時的スクリーニング
を可能にする。列寸法を本発明により収容することができる。しかしながら、個
々の部位につき特定アドレスを有するライブラリパターンは、ライブラリをコン
ピュータ制御の二次元並進装置を移動させてスクリーニングすることができる。
最高のライブラリ密度を与える最小の部位寸法は、各試験部位間の生成ガスの気
相分散速度により決定される。その結果、種々異なる生成物は種々異なるライブ
ラリ密度の発生および試験を可能にする。図８に例示されるように列スクリーニ
ング過程にて、レーザービーム２３は反応器４５のウインドウ３９および反応体
供給チューブ３４からの反応体ガス流に対し垂直な試験部位２１の上方の形成ガ
スを通過し、点線により示されるように列としての全部位の生成ガスプルームを
通過すると共に、反応器４５からレーザービームダンプ４６まで流出する。反応
体供給チューブ３４は、反応器ガス供給マニホールド４８により供給される。図
８には２つのレーザーを示すが、任意の個数のレーザーを所定用途に用いること
ができる。上記複数設計の例に基づき、基質表面の上方約５ｍｍのレーザービー
ムの位置決めは、レーザービームが生成プルームを遮断すると共に生成物が形成
されればフォトイオンを発生するのに充分とすべきである。生成ガスはガス出口
４９を介し反応器４５から流出する。しかしながら、レーザービームを生成物プ
ルームにおけるいずれの箇所でも設置して、シグナル発生を最大化させることが
できる。試験部位が触媒的でなければ、生成物形成および従って光イオン化は生
じないことも明らかである。発生したフォトイオンおよび光電子は、レーザービ
ーム上方の近接位置にて位置決めされた微小電極に２７により収集される。上記
複数測定例に基づき、微小電極は試験部位表面の５ｍｍ上方を越えたいずれの箇
所にも位置決めしてレーザービームに近接させ、シグナル強度を最大化させるこ
とができる。しかしながら微小電極を試験部位の上方の種々異なる位置に設置し
て、生成物プルームの局部的流体力学と共にシグナル収集を最大化させることが
できる。上記したように、ライブラリ基質はグランドもしくは陰極としても作用
し、或いは微小電極を必要に応じ非導電性基質を介し設置することもでき、或い
は微小電極が図８に示すように陽極と陰極との両者を含むこともできる。微小電
極は多チャンネルスイッチ介しＤＣ電力源３０から入力され、各微小電極の測定
シグナルを検出器３１に供給する。特定列を試験した後、ライブラリを上流もし
くは下流のいずれかにライブラリ並進器４７により移動させて、次の各部位の列
を触媒スクリーニングにつき位置決めすることができる。
【００４９】 列スクリーニング過程を例示する本発明の他の実施例を図９に示す。図９に示
した実施例は図８と同様であるが、ただし多孔質試験部位２１ｐを有する多孔質
触媒ライブラリには下方の充気室から反応体ガスに供給し、これは反応体ガス供
給入口５０を介し供給された反応体ガスである。反応体ガスは多孔質試験部位２
１ｐを通過して、各試験部位の上方に矢印で示したように同時的にプルームを形
成する。反応器を所望ならばｘ軸を中心として１８０°回転させて、反応容器内
での自然滞留過程を変化させることにより生成物検出を向上させることができる
。図９に示したように、スクリーニングは図８に関し説明したと同様に列毎行わ
れる。代案として、同時的な全部位のスクリーニングを、各部位に専用微小電極
を装着すると共にイオン化レーザービーム２３を設けて図１０の平面図で示した
ように調整用鏡２６により移動させることにより行うこともできる。光ファイバ
ーを用いてレーザービームを全部位に同時的に指向させることもできる。次いで
微小電極からのシグナルを検出すると共に触媒ライブラリ５１における各部位に
つき専用検出器により記録し、或いはコンピュータ化マルチチャンネル切換シス
テム６５の使用により各部位から到来するシグナルを迅速かつ順次に検出するこ
ともできる。任意の触媒ライブラリ寸法および形状も各部位が個々にアドレスし
うる限りこの同時的スクリーニング方式で行いかつ操作しうること明らかである
。
した実施例は図８と同様であるが、ただし多孔質試験部位２１ｐを有する多孔質
触媒ライブラリには下方の充気室から反応体ガスに供給し、これは反応体ガス供
給入口５０を介し供給された反応体ガスである。反応体ガスは多孔質試験部位２
１ｐを通過して、各試験部位の上方に矢印で示したように同時的にプルームを形
成する。反応器を所望ならばｘ軸を中心として１８０°回転させて、反応容器内
での自然滞留過程を変化させることにより生成物検出を向上させることができる
。図９に示したように、スクリーニングは図８に関し説明したと同様に列毎行わ
れる。代案として、同時的な全部位のスクリーニングを、各部位に専用微小電極
を装着すると共にイオン化レーザービーム２３を設けて図１０の平面図で示した
ように調整用鏡２６により移動させることにより行うこともできる。光ファイバ
ーを用いてレーザービームを全部位に同時的に指向させることもできる。次いで
微小電極からのシグナルを検出すると共に触媒ライブラリ５１における各部位に
つき専用検出器により記録し、或いはコンピュータ化マルチチャンネル切換シス
テム６５の使用により各部位から到来するシグナルを迅速かつ順次に検出するこ
ともできる。任意の触媒ライブラリ寸法および形状も各部位が個々にアドレスし
うる限りこの同時的スクリーニング方式で行いかつ操作しうること明らかである
。
【００５０】 本発明の他の実施例を図１１に示し、これは固相触媒ライブラリを形成する図
７に関し説明したような１６ｘ１６（すなわち２５６）部位のモノリス構造体４
０を図示する。モノリスセル密度も使用することができる。反応体ガスを反応体
ガス供給入口５０を介しライブラリの下のマニホールドに供給し、チャンネルを
介し上方向に通過させ、触媒に通すと共に図６に示したようにチャンネル内で測
定しうる生成物プルームを発生させ、図９に示したチャンネルからの出口の上方
にて発生させ、或いは超音波ジェットを図７に示したように減圧チャンバに突入
させて冷却する。触媒スクリーニングは、図１１に示した列毎の方法により或い
は図１０に関し説明してように全部位を同時的にスクリーニングして行うことが
できる。
７に関し説明したような１６ｘ１６（すなわち２５６）部位のモノリス構造体４
０を図示する。モノリスセル密度も使用することができる。反応体ガスを反応体
ガス供給入口５０を介しライブラリの下のマニホールドに供給し、チャンネルを
介し上方向に通過させ、触媒に通すと共に図６に示したようにチャンネル内で測
定しうる生成物プルームを発生させ、図９に示したチャンネルからの出口の上方
にて発生させ、或いは超音波ジェットを図７に示したように減圧チャンバに突入
させて冷却する。触媒スクリーニングは、図１１に示した列毎の方法により或い
は図１０に関し説明してように全部位を同時的にスクリーニングして行うことが
できる。
【００５１】 反応器内のモノリス支持された触媒ライブラリスクリーニング構造体の他の実
施例を図１２に示し、これは一般に図６に関し説明した配置を用いる。図１２に
示したように、７２部位を示す別のライブラリモノリス５５および別の触媒スク
リーニングモノリス５６は反応器４５内に触媒スクリーニング構造体を形成する
。専用微小電極２７を各モノリスチャンネルの内側に設ける。各微小電極２７の
上流には、各チャンネルへの光学アクセスをレーザーアクセス窓３９により設け
る。反応体ガスを反応体ガス流分配器により導入すると共に、個々のライブラリ
チャンネルのそれぞれに矢印に示したように流入させて、触媒部位の上に通す。
生成物をスクリーニングモノリス５６の内側にて下流で検出する。調整自在なレ
ーザー供給源２４および／または２５から発生するレーザーを、スクリーニング
モノリス５６の各列にビームスプリッタ５２およびレーザー窓３９を介し指向さ
せて、図示したように内部レーザー窓を貫通する列におけるチャンネルのそれぞ
れに通過させる。この配置はライブラリにおける全部位の同時的スクリーニング
を与える。種々異なるレーザービームをスクリーニングモノリス５６における種
々異なる列に指向させて、種々異なる生成物につきスクリーニングすることがで
きる。さらに、この技術を他のライブラリ配置をスクリーニングすべく用いるこ
ともできる。光ファイバーライン５３を用いて、レーザービームをライブラリ部
位に指向させることもできる。生成物冷却が望ましければ、これは生成物ガスプ
ルームを小オリフィスを介し図７に示したように減圧チャンバ中へ断熱膨張させ
て行うことができる。
施例を図１２に示し、これは一般に図６に関し説明した配置を用いる。図１２に
示したように、７２部位を示す別のライブラリモノリス５５および別の触媒スク
リーニングモノリス５６は反応器４５内に触媒スクリーニング構造体を形成する
。専用微小電極２７を各モノリスチャンネルの内側に設ける。各微小電極２７の
上流には、各チャンネルへの光学アクセスをレーザーアクセス窓３９により設け
る。反応体ガスを反応体ガス流分配器により導入すると共に、個々のライブラリ
チャンネルのそれぞれに矢印に示したように流入させて、触媒部位の上に通す。
生成物をスクリーニングモノリス５６の内側にて下流で検出する。調整自在なレ
ーザー供給源２４および／または２５から発生するレーザーを、スクリーニング
モノリス５６の各列にビームスプリッタ５２およびレーザー窓３９を介し指向さ
せて、図示したように内部レーザー窓を貫通する列におけるチャンネルのそれぞ
れに通過させる。この配置はライブラリにおける全部位の同時的スクリーニング
を与える。種々異なるレーザービームをスクリーニングモノリス５６における種
々異なる列に指向させて、種々異なる生成物につきスクリーニングすることがで
きる。さらに、この技術を他のライブラリ配置をスクリーニングすべく用いるこ
ともできる。光ファイバーライン５３を用いて、レーザービームをライブラリ部
位に指向させることもできる。生成物冷却が望ましければ、これは生成物ガスプ
ルームを小オリフィスを介し図７に示したように減圧チャンバ中へ断熱膨張させ
て行うことができる。
【００５２】 触媒スクリーニング装置および技術の上記説明にて、温度は全触媒部位にて同
一とし、これは新規な触媒をスクリーニングし或いは触媒を改変するのに適する
。本発明によれば、個々に温度制御された部位を有する触媒ライブラリを構成す
ることができ、ここで種々異なる部位を種々異なる温度に維持し、或いはその温
度を特定の温度−時間プログラムに従うようプログラミングすることもできる。
この種の異なる温度は、触媒活性および選択性に対する反応温度の作用につき情
報を発生する。微小機械加工を用い、個々に温度制御されかつプログラミングし
うる部位を経済的に構成することができ、たとえば熱インキジェットプリンタヘ
ッドにつき行われる。基質および温度プログラミング要求により与えられる断熱
の程度は、部位間の間隔および温度制御部位を有する触媒ライブラリの密度に影
響を与えることが容易に明らかとなる。
一とし、これは新規な触媒をスクリーニングし或いは触媒を改変するのに適する
。本発明によれば、個々に温度制御された部位を有する触媒ライブラリを構成す
ることができ、ここで種々異なる部位を種々異なる温度に維持し、或いはその温
度を特定の温度−時間プログラムに従うようプログラミングすることもできる。
この種の異なる温度は、触媒活性および選択性に対する反応温度の作用につき情
報を発生する。微小機械加工を用い、個々に温度制御されかつプログラミングし
うる部位を経済的に構成することができ、たとえば熱インキジェットプリンタヘ
ッドにつき行われる。基質および温度プログラミング要求により与えられる断熱
の程度は、部位間の間隔および温度制御部位を有する触媒ライブラリの密度に影
響を与えることが容易に明らかとなる。
【００５３】 さらに、バッチ式操作により全触媒ライブラリをスクリーニングすることもで
きる。バッチ方式にて、全触媒ライブラリは先ず最初に物理的マスクにより反応
体ガスから隔離される。次いで試験チャンバを新鮮反応体ガスでパージすると共
に満たす。チャンバ内容物を熱平衡に達せしめ、これを試験チャンバ内に設置さ
れた熱電対により監視することができる。次いで物理的マスクを除去して特定セ
クションまたは全触媒ライブラリを反応体ガスに露出させる。強制対流が存在し
ないので、拡散および自然対流が試験チャンバにおけるガス輸送の主たるモード
である。触媒である各部位は次いで反応生成物を発生し、これらはバルク気相中
に分散して生成物濃度プルームを発生する。生成物の一定濃度につき濃度侵入深
さ、すなわちδｃ（ｔ）は次の関係式により概算することができる：δｃ（ｔ）
＝（１２Ｄｔ）１／２（ここでＤは拡散度であり、ｔは時間である）。濃度侵入
深さを部位間間隔より小さく保って、シグナル交差をもたらす隣接部位からの濃
度プルームの重畳を防止せねばならない。平板触媒ライブラリにつき１ｃｍの部
位間間隔δｃ（ｔ）＝１およびガス拡散につき０．１ｃｍ２／ｓｅｃと仮定して
全ライブラリのＲＥＭＰＩ測定は約１秒で完結して濃度境界層の重なりを回避せ
ねばならない。入手しうる急速電子装置はこれら要件を満たすことができる。よ
り大きい部位寸法および／または各部位間の物理的バリヤの設置は部位間の拡散
−混合速度を顕著に減少させ、これにより測定のため一層長い時間を与えうる。
モノリス構造体の場合、各部位間に存在する物理的壁部は部位間の拡散を実質的
に減少させ、これによりレーザービームにより形成されたフォトイオンおよび／
または光電子を検出するためチャンネル近くまたはその内側に設置された微小電
極による長時間にわたるデータの獲得を可能にする。バッチシステムの利点は、
これを用いて固相触媒ライブラリにて全部位を同時的にスクリーニングしうる点
である。
きる。バッチ方式にて、全触媒ライブラリは先ず最初に物理的マスクにより反応
体ガスから隔離される。次いで試験チャンバを新鮮反応体ガスでパージすると共
に満たす。チャンバ内容物を熱平衡に達せしめ、これを試験チャンバ内に設置さ
れた熱電対により監視することができる。次いで物理的マスクを除去して特定セ
クションまたは全触媒ライブラリを反応体ガスに露出させる。強制対流が存在し
ないので、拡散および自然対流が試験チャンバにおけるガス輸送の主たるモード
である。触媒である各部位は次いで反応生成物を発生し、これらはバルク気相中
に分散して生成物濃度プルームを発生する。生成物の一定濃度につき濃度侵入深
さ、すなわちδｃ（ｔ）は次の関係式により概算することができる：δｃ（ｔ）
＝（１２Ｄｔ）１／２（ここでＤは拡散度であり、ｔは時間である）。濃度侵入
深さを部位間間隔より小さく保って、シグナル交差をもたらす隣接部位からの濃
度プルームの重畳を防止せねばならない。平板触媒ライブラリにつき１ｃｍの部
位間間隔δｃ（ｔ）＝１およびガス拡散につき０．１ｃｍ２／ｓｅｃと仮定して
全ライブラリのＲＥＭＰＩ測定は約１秒で完結して濃度境界層の重なりを回避せ
ねばならない。入手しうる急速電子装置はこれら要件を満たすことができる。よ
り大きい部位寸法および／または各部位間の物理的バリヤの設置は部位間の拡散
−混合速度を顕著に減少させ、これにより測定のため一層長い時間を与えうる。
モノリス構造体の場合、各部位間に存在する物理的壁部は部位間の拡散を実質的
に減少させ、これによりレーザービームにより形成されたフォトイオンおよび／
または光電子を検出するためチャンネル近くまたはその内側に設置された微小電
極による長時間にわたるデータの獲得を可能にする。バッチシステムの利点は、
これを用いて固相触媒ライブラリにて全部位を同時的にスクリーニングしうる点
である。
【００５４】 前記したように合成しうると共に本発明によりスクリーニングしうる均質触媒
ライブラリの１実施例を図１３に示し、ここでは触媒溶液５７を容器５８内に維
持すると共に、反応体ガスを液体中にバブリングさせる。液体触媒へのガス分散
は当業者には明らかなように任意適する方法で達成することができ、たとえば加
圧反応体ガスを反応体充気室３６に供給して、図１３の左側に示したように試料
部位の底部における調節多硬度分配板に圧入する。代案として、反応体充気室３
６からの反応体ガスを、図１３の右側に示したように各試料部位にて毛細管スパ
ージャー６０を介しバブリングさせることもできる。生成した気体生成物２２は
図１３にて矢印で示したように液体触媒溶液から離れ、生成ガス検出を前記した
任意の方法にて行う。ライブラリ密度を調節する容器５８の最小直径は、ガス分
散および液体キャリーオーバーの程度に影響を与える触媒溶液５７の表面張力お
よび密度を考慮して確立せねばならない。
ライブラリの１実施例を図１３に示し、ここでは触媒溶液５７を容器５８内に維
持すると共に、反応体ガスを液体中にバブリングさせる。液体触媒へのガス分散
は当業者には明らかなように任意適する方法で達成することができ、たとえば加
圧反応体ガスを反応体充気室３６に供給して、図１３の左側に示したように試料
部位の底部における調節多硬度分配板に圧入する。代案として、反応体充気室３
６からの反応体ガスを、図１３の右側に示したように各試料部位にて毛細管スパ
ージャー６０を介しバブリングさせることもできる。生成した気体生成物２２は
図１３にて矢印で示したように液体触媒溶液から離れ、生成ガス検出を前記した
任意の方法にて行う。ライブラリ密度を調節する容器５８の最小直径は、ガス分
散および液体キャリーオーバーの程度に影響を与える触媒溶液５７の表面張力お
よび密度を考慮して確立せねばならない。
【００５５】 図１４は、反応器４５内の図１３に関し説明した均質液体触媒ライブラリを用
いる触媒ライブラリスクリーニングを示す略図である。ＲＥＭＰＩ触媒スクリー
ニングは図１４に示したように列毎の基準とすることができ、或いは全触媒ライ
ブラリを図１０に関し説明した方法により同時的にスクリーニングすることもで
きる。図１４に例示した反応器システムを用いて、図１５に関し詳細に説明した
ように容器内に設置しうる固体触媒粉末をスクリーニングすることもできる。
いる触媒ライブラリスクリーニングを示す略図である。ＲＥＭＰＩ触媒スクリー
ニングは図１４に示したように列毎の基準とすることができ、或いは全触媒ライ
ブラリを図１０に関し説明した方法により同時的にスクリーニングすることもで
きる。図１４に例示した反応器システムを用いて、図１５に関し詳細に説明した
ように容器内に設置しうる固体触媒粉末をスクリーニングすることもできる。
【００５６】 固体粒子を液体触媒ライブラリに混入して、３相の気体−液体−固体操作条件
を達成することができる。容器５８内の液体に対する固体粒子６０の導入はガス
分散を増大させ、より少量のガスバブル６１を形成して一層良好な気−液接触を
与えると共に反応体変換を向上させ、これによりライブラリスクリーニングの速
度を増大させ、これを図１５の左手部分に示す。床をスクリーニング条件下で部
分的または完全に流動化させることもできる。矢印で示した生成ガス２２は容器
５８から発生し、上記した任意のＲＥＭＰＩ法により分析することができる。使
用した固体粒子は触媒となることができ、これにより多層触媒反応をスクリーニ
ングする機会を与える。均質液体触媒を多孔質粒子中に設置して、たとえば図１
５に示したシステムにおける蛋白質もしくは溶融塩触媒を固定化することもでき
る。固体触媒粒子６２を液体なしに容器５８中へ導入して、図１５の右手部分に
示したように気体−固体操作条件を達成することもできる。多数の異なる方法で
作成された触媒粉末を図１５に示した容器内に設置して、ミクロ充填床反応器ラ
イブラリを形成することもできる。反応体ガスは充気室３６を介し充填床反応器
に導入することができ、生成した生成物は上記ＲＥＭＰＩ微小電極を用いて検出
することができる。
を達成することができる。容器５８内の液体に対する固体粒子６０の導入はガス
分散を増大させ、より少量のガスバブル６１を形成して一層良好な気−液接触を
与えると共に反応体変換を向上させ、これによりライブラリスクリーニングの速
度を増大させ、これを図１５の左手部分に示す。床をスクリーニング条件下で部
分的または完全に流動化させることもできる。矢印で示した生成ガス２２は容器
５８から発生し、上記した任意のＲＥＭＰＩ法により分析することができる。使
用した固体粒子は触媒となることができ、これにより多層触媒反応をスクリーニ
ングする機会を与える。均質液体触媒を多孔質粒子中に設置して、たとえば図１
５に示したシステムにおける蛋白質もしくは溶融塩触媒を固定化することもでき
る。固体触媒粒子６２を液体なしに容器５８中へ導入して、図１５の右手部分に
示したように気体−固体操作条件を達成することもできる。多数の異なる方法で
作成された触媒粉末を図１５に示した容器内に設置して、ミクロ充填床反応器ラ
イブラリを形成することもできる。反応体ガスは充気室３６を介し充填床反応器
に導入することができ、生成した生成物は上記ＲＥＭＰＩ微小電極を用いて検出
することができる。
【００５７】 図１６は、モノリスライブラリにおける触媒粒子を用いる他の触媒スクリーニ
ング法を示す略図である。多数の異なる方法で作成された触媒粒子もしくは粉末
６２をモノリス構造体４０のセル中に設置することができる。次いで、反応体ガ
スを触媒粒子６２の充填床に通過させると共に、小チャンネル／オリフィス４３
を介し減圧チャンバ４２中へ放出させる。次いで生成ジェットは膨張冷却を受け
、フォトイオンおよび光電子を発生させるべくレーザービーム２３にかけられる
。次いで、発生したフォトイオンもしくは光電子を上記したように微小電極２７
により検出する。
ング法を示す略図である。多数の異なる方法で作成された触媒粒子もしくは粉末
６２をモノリス構造体４０のセル中に設置することができる。次いで、反応体ガ
スを触媒粒子６２の充填床に通過させると共に、小チャンネル／オリフィス４３
を介し減圧チャンバ４２中へ放出させる。次いで生成ジェットは膨張冷却を受け
、フォトイオンおよび光電子を発生させるべくレーザービーム２３にかけられる
。次いで、発生したフォトイオンもしくは光電子を上記したように微小電極２７
により検出する。
【００５８】 生成物質の光イオン化により生成するＲＥＭＰＩシグナルの程度はその濃度に
比例する。さらに、発生シグナルはたとえば用いるＵＶレーザーの出力、フォト
イオン／光電子を収集すべく用いたＤＣバイヤス電圧、陽極と陰極との分離間隔
およびレーザービームに対する微小電極の位置など操作パラメータによっても影
響を受ける。触媒ライブラリスクリーニングにつき使用する特定システムを最適
化した後、操作態様を固定して、測定ＲＥＭＰＩシグナルが触媒部位により発生
した濃度を生成するのに直接寄与しうるようにする。その結果、触媒ライブラリ
の定量的な活性対不活性のスクリーニングに加え、本発明のＲＥＭＰＩ微小電極
技術を用いて、触媒の活性および選択性を定量的にランク付けすることができる
。触媒的に一層活性な部位はより高濃度の生成物を生成物プルームにて発生させ
、これにより一層大きいＲＥＭＰＩシグナルを発生し、同様に一層活性の低い触
媒部位はより低濃度の生成物を発生し、これにより一層低いＲＥＭＰＩシグナル
を発生する。触媒ライブラリ定量スクリーニングにおいては、先ず最初に既知濃
度の生成ガスを含有するガス混合物を、もはや反応が生ぜずに微小電極反応が認
められない条件下で、ライブラリに対し順次に通過させる。既知生成物濃度に対
する微小電極応答を用い、各部位および微小電極の検量を達成することができる
。次いで、これら検量機能を用いて、活性触媒スクリーニング過程に際し形成し
た生成物の定量濃度を決定する。触媒負荷が種々異なるライブラリ部位にて異な
る場合、これは各部位の触媒活性のランク付けに際し考慮せねばならない。代案
として、内部標準をスクリーニング過程に際し反応体供給流に添加し、触媒部位
の活性および選択性の定量を容易化させることもできる。
比例する。さらに、発生シグナルはたとえば用いるＵＶレーザーの出力、フォト
イオン／光電子を収集すべく用いたＤＣバイヤス電圧、陽極と陰極との分離間隔
およびレーザービームに対する微小電極の位置など操作パラメータによっても影
響を受ける。触媒ライブラリスクリーニングにつき使用する特定システムを最適
化した後、操作態様を固定して、測定ＲＥＭＰＩシグナルが触媒部位により発生
した濃度を生成するのに直接寄与しうるようにする。その結果、触媒ライブラリ
の定量的な活性対不活性のスクリーニングに加え、本発明のＲＥＭＰＩ微小電極
技術を用いて、触媒の活性および選択性を定量的にランク付けすることができる
。触媒的に一層活性な部位はより高濃度の生成物を生成物プルームにて発生させ
、これにより一層大きいＲＥＭＰＩシグナルを発生し、同様に一層活性の低い触
媒部位はより低濃度の生成物を発生し、これにより一層低いＲＥＭＰＩシグナル
を発生する。触媒ライブラリ定量スクリーニングにおいては、先ず最初に既知濃
度の生成ガスを含有するガス混合物を、もはや反応が生ぜずに微小電極反応が認
められない条件下で、ライブラリに対し順次に通過させる。既知生成物濃度に対
する微小電極応答を用い、各部位および微小電極の検量を達成することができる
。次いで、これら検量機能を用いて、活性触媒スクリーニング過程に際し形成し
た生成物の定量濃度を決定する。触媒負荷が種々異なるライブラリ部位にて異な
る場合、これは各部位の触媒活性のランク付けに際し考慮せねばならない。代案
として、内部標準をスクリーニング過程に際し反応体供給流に添加し、触媒部位
の活性および選択性の定量を容易化させることもできる。
【００５９】 開示した触媒スクリーニング技術を用いて、対象物の一層大きいスペクトルを
得ることができる。２つもしくはそれ以上のレーザービームエネルギーを順次に
用いて生成物プルームにおける２つもしくはそれ以上の反応生成物を監視するこ
とができ、これは触媒選択性を確認すると共に多機能触媒を発見するのに重要で
ある。たとえば、特定生成物の生成を最大化させるだけでなく副生物もしくは汚
染物の生成をも最小化させる触媒の開発は、環境を意識する製造にて益々重要な
目的ととなる。本発明の実施に際し、各パルスが選択分子を特異的に光イオン化
させる一連のレーザーパルスを用いて、種々異なる生成物を順次に監視すること
ができる。レーザー光イオン化および生成物検出はマイクロ秒の時間尺度を有す
る迅速プロセスであるため、多機能触媒活性のための大きい潜在的触媒ライブラ
リの迅速スクリーニングを多数の物質の順次検出でさえ行うことができる。
得ることができる。２つもしくはそれ以上のレーザービームエネルギーを順次に
用いて生成物プルームにおける２つもしくはそれ以上の反応生成物を監視するこ
とができ、これは触媒選択性を確認すると共に多機能触媒を発見するのに重要で
ある。たとえば、特定生成物の生成を最大化させるだけでなく副生物もしくは汚
染物の生成をも最小化させる触媒の開発は、環境を意識する製造にて益々重要な
目的ととなる。本発明の実施に際し、各パルスが選択分子を特異的に光イオン化
させる一連のレーザーパルスを用いて、種々異なる生成物を順次に監視すること
ができる。レーザー光イオン化および生成物検出はマイクロ秒の時間尺度を有す
る迅速プロセスであるため、多機能触媒活性のための大きい潜在的触媒ライブラ
リの迅速スクリーニングを多数の物質の順次検出でさえ行うことができる。
【００６０】 或る種の用途において、触媒反応により生成された生成物はたとえば高分子の
生物分子量反応は酵素により触媒される液相もしくは固相とすることでき、従っ
てＲＥＭＰＩの直接的用途は触媒活性および選択性をスクリーニングするのに適
さない。しかしながらＲＥＭＰＩ法は、反応生成物を先ず最初にガス化させれば
適用することができる。これは、たとえばパルス化ＣＯ２もしくは励起レーザー
のようなパルス化除去（ａｂｌａｔｉｏｎ）レーザーを用いて、生成物分子を液
体もしくは固体表面から迅速にガス化させて行うことができる。除去レーザーを
用いる１実施例を図１７に示し、ここでは除去レーザー源６３が除去レーザービ
ーム６４を発生して生成物分子を液体触媒溶液５７の表面から気体生成物プルー
ム２２中へ急速にガス化させ、これはイオン化レーザービーム２４により遮断し
て、フォトイオンおよび光電子を上記任意の微小電極法により検出することがで
きる。
生物分子量反応は酵素により触媒される液相もしくは固相とすることでき、従っ
てＲＥＭＰＩの直接的用途は触媒活性および選択性をスクリーニングするのに適
さない。しかしながらＲＥＭＰＩ法は、反応生成物を先ず最初にガス化させれば
適用することができる。これは、たとえばパルス化ＣＯ２もしくは励起レーザー
のようなパルス化除去（ａｂｌａｔｉｏｎ）レーザーを用いて、生成物分子を液
体もしくは固体表面から迅速にガス化させて行うことができる。除去レーザーを
用いる１実施例を図１７に示し、ここでは除去レーザー源６３が除去レーザービ
ーム６４を発生して生成物分子を液体触媒溶液５７の表面から気体生成物プルー
ム２２中へ急速にガス化させ、これはイオン化レーザービーム２４により遮断し
て、フォトイオンおよび光電子を上記任意の微小電極法により検出することがで
きる。
【００６１】 上記開示から明らかなように、反応中間体および反応生成物を本発明のＲＥＭ
ＰＩ微小電極法により監視することも可能である。反応中間体、並びに生成物を
監視しうる能力は、本発明による方法の用途範囲を著しく増大させる。さらに、
本発明による測定は何ら遅延なしに実時間で行いうるので、迅速な一時的プロセ
スを監視することもできる。次いで、この能力は触媒機能の一層良好な理解をも
たらし、従って新規かつ向上した触媒の開発に役立つ。
ＰＩ微小電極法により監視することも可能である。反応中間体、並びに生成物を
監視しうる能力は、本発明による方法の用途範囲を著しく増大させる。さらに、
本発明による測定は何ら遅延なしに実時間で行いうるので、迅速な一時的プロセ
スを監視することもできる。次いで、この能力は触媒機能の一層良好な理解をも
たらし、従って新規かつ向上した触媒の開発に役立つ。
【００６２】 以下、本発明を特定的に例示すべく特定例を詳細に説明するが、決して本発明
を限定するものと解釈してはならない。
を限定するものと解釈してはならない。
【００６３】 本発明の触媒スクリーニング法を、反応Ｃ６Ｈ１２→Ｃ６Ｈ６＋３Ｈ２に従う
シクロヘキサンからベンゼンへの接触脱水素化に用いた。これは充分確立した反
応であって、遷移金属および貴金属により２５０〜３５０℃の温度範囲にて触媒
される［Ｄ．Ｍ．レブハンおよびＶ．ヘンセル、「シクロヘキサン不均化反応の
速度論およびメカニズムの研究：不可逆的水素移行の例」、ジャーナル・キャタ
リシス、第１１１巻、第３９７頁（１９８８）］。
シクロヘキサンからベンゼンへの接触脱水素化に用いた。これは充分確立した反
応であって、遷移金属および貴金属により２５０〜３５０℃の温度範囲にて触媒
される［Ｄ．Ｍ．レブハンおよびＶ．ヘンセル、「シクロヘキサン不均化反応の
速度論およびメカニズムの研究：不可逆的水素移行の例」、ジャーナル・キャタ
リシス、第１１１巻、第３９７頁（１９８８）］。
【００６４】 活性炭における０．５％および１．０％のＰｔおよびＰｄである支持Ｐｔおよ
びＰｄ触媒をプレシャス・メタルス・コーポレーション社から得た。これら触媒
および数種の不活性キャリヤ材料（シリカおよびアルミナ）を、次いで図５と同
様な５ｍｍｘ５ｍｍセルにおける１列のライブラリ基質に混入した。触媒および
不活性キャリヤ材料のためのアドレスは次の通りとした： 部位No．１ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ 材料 不活性 0.5%Pt 不活性 1.0%Pd 不活性 不活性 1.0%Pt 0.5%Pd
びＰｄ触媒をプレシャス・メタルス・コーポレーション社から得た。これら触媒
および数種の不活性キャリヤ材料（シリカおよびアルミナ）を、次いで図５と同
様な５ｍｍｘ５ｍｍセルにおける１列のライブラリ基質に混入した。触媒および
不活性キャリヤ材料のためのアドレスは次の通りとした： 部位No．１ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ 材料 不活性 0.5%Pt 不活性 1.0%Pd 不活性 不活性 1.0%Pt 0.5%Pd
【００６５】 次いで触媒ライブラリを反応器に入れて、アルゴンガス流の存在下に３００℃
まで加熱した。定常状態の操作温度（これは反応器内で熱電対により測定）の確
率後、シクロヘキサン反応体流を導入した。反応体流の組成はアルゴンガスにお
ける１３％のシクロヘキサンとし、これはアルゴンガスを約２５℃のシクロヘキ
サン液にスパージャによりバブリングさせて作成した。
まで加熱した。定常状態の操作温度（これは反応器内で熱電対により測定）の確
率後、シクロヘキサン反応体流を導入した。反応体流の組成はアルゴンガスにお
ける１３％のシクロヘキサンとし、これはアルゴンガスを約２５℃のシクロヘキ
サン液にスパージャによりバブリングさせて作成した。
【００６６】 ライブラリスクリーニング法はシクロヘキサン、水素およびアルゴンの混合物
におけるベンゼンの明瞭な検出を要求する。ベンゼンを選択的に生成するのに適
するＵＶレーザー波長は飛行時間分光光度計（ＴＯＦ−ＭＳ）のレーザー光イオ
ン化時間を用いて別途の試験で同定した。それぞれアルゴン中約５００ｐｐｍの
濃度におけるシクロヘキサンおよびベンゼンのガスパルスをＴＯＦ−ＭＳの減圧
チャンバ中へパルス弁により膨張させ、得られたジェット／分子ビームを２５８
〜２６２ｎｍ範囲におけるパルス化ＵＶレーザービームにより交差させて、その
光イオン化および質量スペクトルを発生させた。ＵＶレーザーは約１００μＪ／
パルスエネルギーを有し、クマリン５００染料を用いて染料レーザーから得た。
これら測定は２５０〜２６２ｎｍ ＵＶレーザーにより生成したＲＥＭＰＩイオ
ンが専らベンゼン（質量７８）の光イオン化に基づくものであるという結論を与
え、フォトイオンはシクロヘキサンにつき質量８４にて或いはアルゴンにつき４
０にて或いは水素につき２にて検出されなかった。質量７８にてベンゼン以外の
ピークは検出されなかった。図１８は、ＴＯＦ−ＭＳ技術により測定されたベン
ゼンおよびシクロヘキサンのＲＥＭＰＩスペクトルを示す。ベンゼンは２５９．
７ｎｍ（ここではシクロヘキサンからの寄与が存在しない）から出発した主たる
ＲＥＭＰＩピークを示すことが図１８から明らかである。
におけるベンゼンの明瞭な検出を要求する。ベンゼンを選択的に生成するのに適
するＵＶレーザー波長は飛行時間分光光度計（ＴＯＦ−ＭＳ）のレーザー光イオ
ン化時間を用いて別途の試験で同定した。それぞれアルゴン中約５００ｐｐｍの
濃度におけるシクロヘキサンおよびベンゼンのガスパルスをＴＯＦ−ＭＳの減圧
チャンバ中へパルス弁により膨張させ、得られたジェット／分子ビームを２５８
〜２６２ｎｍ範囲におけるパルス化ＵＶレーザービームにより交差させて、その
光イオン化および質量スペクトルを発生させた。ＵＶレーザーは約１００μＪ／
パルスエネルギーを有し、クマリン５００染料を用いて染料レーザーから得た。
これら測定は２５０〜２６２ｎｍ ＵＶレーザーにより生成したＲＥＭＰＩイオ
ンが専らベンゼン（質量７８）の光イオン化に基づくものであるという結論を与
え、フォトイオンはシクロヘキサンにつき質量８４にて或いはアルゴンにつき４
０にて或いは水素につき２にて検出されなかった。質量７８にてベンゼン以外の
ピークは検出されなかった。図１８は、ＴＯＦ−ＭＳ技術により測定されたベン
ゼンおよびシクロヘキサンのＲＥＭＰＩスペクトルを示す。ベンゼンは２５９．
７ｎｍ（ここではシクロヘキサンからの寄与が存在しない）から出発した主たる
ＲＥＭＰＩピークを示すことが図１８から明らかである。
【００６７】 ベンゼンおよびシクロヘキサンのＲＥＭＰＩスペクトルを１気圧および室温で
も微小電極法により測定した。アルゴンキャリヤガスにおけるシクロヘキサンお
よびベンゼンを、２５８〜２６２ｎｍ範囲にてプローブ先端部の１〜２ｍｍ以内
でのパルス化ＵＶレーザービームの通過により光イオン化させた。電力源からの
＋５００ＶのＤＣバイヤスを陽極に加えて光電子を収集した。得られたＲＥＭＰ
Ｉスペクトルを図１９に示し、これは図１８に示したＴＯＦ−ＭＳにより得られ
るスペクトルと同様であり、ただし予想されるスペクトル拡開が室温および１気
圧の条件下で観察された。これは、２５９．７レーザーの使用が専らかつ効率的
なベンゼンＲＥＭＰＩイオンの生成を反応器システムにおけるシクロヘキサン、
アルゴンおよび水素の存在下にもたらすことを示す。
も微小電極法により測定した。アルゴンキャリヤガスにおけるシクロヘキサンお
よびベンゼンを、２５８〜２６２ｎｍ範囲にてプローブ先端部の１〜２ｍｍ以内
でのパルス化ＵＶレーザービームの通過により光イオン化させた。電力源からの
＋５００ＶのＤＣバイヤスを陽極に加えて光電子を収集した。得られたＲＥＭＰ
Ｉスペクトルを図１９に示し、これは図１８に示したＴＯＦ−ＭＳにより得られ
るスペクトルと同様であり、ただし予想されるスペクトル拡開が室温および１気
圧の条件下で観察された。これは、２５９．７レーザーの使用が専らかつ効率的
なベンゼンＲＥＭＰＩイオンの生成を反応器システムにおけるシクロヘキサン、
アルゴンおよび水素の存在下にもたらすことを示す。
【００６８】 図９に示した反応器システムを用いて、アルゴンキャリヤガスにおけるシクロ
ヘキサンを上記したような列における８個のライブラリ部位に通過させた。２５
９．７ｎｍレーザービームをライブラリ部位からの生成物プルームに通過させ、
ベンゼンＲＥＭＰＩシグナルを８個の部位のそれぞれの近傍で検出した（図２０
に示す）。これら測定値は１回のレーザーショットにより得られたデータに対応
し、シグナルはμ秒の程度にて急速な上昇および遅延時間を示した。図２０から
明らかなように部位２、４、７および８に位置する微小電極はこれら部位におけ
るＰｔおよびＰｄ触媒の存在に一致する。顕著なベンゼンシグナルを採取した。
幾つかのＲＥＭＰＩシグナルも部位１、３、５および６にて検出されたが、これ
らは顕著に低く、これら部位における触媒の不存在と一致する。明らかに或る程
度のベンゼンが、反応器に存在する低ガス流量および循環パターンに基づき、反
応器バルクガスに存在し、その両者は反応器からの反応生成物の急速除去を減少
させる。より小さい反応チャンバ、モノリス構造体の使用、または他のライブラ
リ設計はこの問題を減少させる。しかしながら図１９は、本発明の方法がライブ
ラリにおける活性部位と不活性部位との間を迅速かつ明瞭に区別することを示す
。反応器の排気ガスをもスクリーニングに際し２５９．７ｎｍレーザービームを
用いるＴＯＦ−ＭＳにより分析して、ベンゼン以外の物質が測定微小電極シグナ
ルに寄与したかどうかを確認した。質量７８を有するもの以外のフォトイオンは
検出されなかった。
ヘキサンを上記したような列における８個のライブラリ部位に通過させた。２５
９．７ｎｍレーザービームをライブラリ部位からの生成物プルームに通過させ、
ベンゼンＲＥＭＰＩシグナルを８個の部位のそれぞれの近傍で検出した（図２０
に示す）。これら測定値は１回のレーザーショットにより得られたデータに対応
し、シグナルはμ秒の程度にて急速な上昇および遅延時間を示した。図２０から
明らかなように部位２、４、７および８に位置する微小電極はこれら部位におけ
るＰｔおよびＰｄ触媒の存在に一致する。顕著なベンゼンシグナルを採取した。
幾つかのＲＥＭＰＩシグナルも部位１、３、５および６にて検出されたが、これ
らは顕著に低く、これら部位における触媒の不存在と一致する。明らかに或る程
度のベンゼンが、反応器に存在する低ガス流量および循環パターンに基づき、反
応器バルクガスに存在し、その両者は反応器からの反応生成物の急速除去を減少
させる。より小さい反応チャンバ、モノリス構造体の使用、または他のライブラ
リ設計はこの問題を減少させる。しかしながら図１９は、本発明の方法がライブ
ラリにおける活性部位と不活性部位との間を迅速かつ明瞭に区別することを示す
。反応器の排気ガスをもスクリーニングに際し２５９．７ｎｍレーザービームを
用いるＴＯＦ−ＭＳにより分析して、ベンゼン以外の物質が測定微小電極シグナ
ルに寄与したかどうかを確認した。質量７８を有するもの以外のフォトイオンは
検出されなかった。
【００６９】 図２０に示したように測定ＲＥＭＰＩシグナルの程度に基づき、触媒部位の相
対的活性は７＞２＞４＞８であると思われる。これら結果は、これらの部位にお
けるＰｄおよびＰｔ市販触媒の相対的充填量に一致し、さらにＰｔがＰｄよりも
活性が大のシクロヘキサン脱水素化触媒であることを示唆する。これら知見は、
慣用の触媒反応器システムを用いる結果と一致する［Ｄ．Ｍ．レーボンおよびＶ
．ヘンセル（１９８８）上記およびＫ．アーメドおよびＨ．Ｍ．チョウドハリー
、「支持ニッケルおよび白金触媒におけるシクロヘキサンおよびシクロヘキセン
の脱水」、ケミカル・エンジニアリング・ジャーナル、第５０巻、第１６５頁（
１９９２）］。
対的活性は７＞２＞４＞８であると思われる。これら結果は、これらの部位にお
けるＰｄおよびＰｔ市販触媒の相対的充填量に一致し、さらにＰｔがＰｄよりも
活性が大のシクロヘキサン脱水素化触媒であることを示唆する。これら知見は、
慣用の触媒反応器システムを用いる結果と一致する［Ｄ．Ｍ．レーボンおよびＶ
．ヘンセル（１９８８）上記およびＫ．アーメドおよびＨ．Ｍ．チョウドハリー
、「支持ニッケルおよび白金触媒におけるシクロヘキサンおよびシクロヘキセン
の脱水」、ケミカル・エンジニアリング・ジャーナル、第５０巻、第１６５頁（
１９９２）］。
【００７０】 上記説明および実施例で特定した条件は、本発明の触媒スクリーニング技術の
使用を例示することを意味することが了解されよう。この説明および実施例から
、当業者は本発明の方法を用いて任意の反応につき任意の触媒をスクリーニング
しうることを推測しうるであろう。反応条件は、スクリーニング法における変化
なしに広く変化させることができる。たとえば反応温度は、たとえば２５℃のよ
うな室温から、たとえば１０００℃のような高温度まで容易に変化させることが
できる。同様に、圧力はたとえば１０−４トールのような減圧から、たとえば５
００気圧のような高圧まで変化させることができる。スクリーニング法は、純粋
成分（１００％）からたとえば数百ｐｐｍ（１００ｐｐｍ）のような極めて希薄
な流れまで広範囲の反応体供給物濃度を容易に吸収することができる。
使用を例示することを意味することが了解されよう。この説明および実施例から
、当業者は本発明の方法を用いて任意の反応につき任意の触媒をスクリーニング
しうることを推測しうるであろう。反応条件は、スクリーニング法における変化
なしに広く変化させることができる。たとえば反応温度は、たとえば２５℃のよ
うな室温から、たとえば１０００℃のような高温度まで容易に変化させることが
できる。同様に、圧力はたとえば１０−４トールのような減圧から、たとえば５
００気圧のような高圧まで変化させることができる。スクリーニング法は、純粋
成分（１００％）からたとえば数百ｐｐｍ（１００ｐｐｍ）のような極めて希薄
な流れまで広範囲の反応体供給物濃度を容易に吸収することができる。
【００７１】 さらに、組合せ触媒ライブラリは、たとえば薄膜付着、トリグラフィー、エッ
チング、プラズマ処理などの集積回路製造工程を用いて小型反応器を機械加工す
ることにより発生させることもできる。この手法は、アンモニアの触媒酸化のた
めチップに反応器を作成すべく最近使用されている［Ｒ．スリニバサン、Ｉ．Ｍ
．シング、Ｐ．Ｅ．ベルガー、Ｋ．Ｆ．ジエンセン、Ｓ．Ｌ．ファイアバウ、Ｍ
．Ａ．シュミット、Ｍ．Ｐ．ハロルド、Ｊ．Ｊ．レロウおよびＪ．Ｆ．リレー、
「触媒部分酸化反応のための微細機械加工反応器」、ＡＩＣｈＥジャーナル、第
４３巻、第３０５９−３０６９頁（１９９７）］。受動的であるモノリスもしく
は蜂巣構造体とは異なり、微細機械加工反応器は流動および温度センサと加熱素
子と操作条件を制御するためのアクチュエータとを組み込みうる。本発明におい
て、多数の微小反応器が任意適する証跡回路製造順序により並列平行して作成さ
れる。各微小反応器システムは反応体供給、触媒反応、生成物出口および照射ア
クセスのための各通路を含む。これら通路は、たとえばシリカもしくはアルミナ
または不活性材料で被覆された金属のような不活性フィルムにより被覆された材
料など不活性ウェファー基質の湿式もしくは乾式エッチングにより機械加工する
ことができる。各反応帯域の出口通路は、生成ＲＥＭＰＩイオンの検出につき微
小電極を収容するよう充分大とすべきである。検知用の流動および温度制御器を
もウェファーにおける個々の反応器部位に埋設することができる。さらに電気回
路をも埋設して、触媒反応を電気化学的に制御することができる。異なる触媒材
料をライブラリの異なる反応器通路に各種の技術（たとえばスパッタリング、レ
ーザー除去、熱もしくはプラズマ増強化学蒸着など）によってマスクの使用によ
り付着させることができる。代案として、触媒はミクロジェットもしくはミクロ
ドロップ・ディスペンサの支援による溶液技術を用いて反応器通路に付着させる
こともできる。これらディスペンサは、触媒粒子を含有するスラリーを付着させ
るためにも使用することができる。溶液技術を用いる場合、反応器通路を反応帯
域で改変して、液体および／またはスラリーの触媒先駆体の必要量を含有するこ
とができる。これは、たとえば液体もしくはスラリーの触媒先駆体混合物を収集
すべく反応器通路の中央領域に貯槽を機械加工して達成することができる。これ
ら貯槽は任意の形状とすることができ、内部邪魔板とアクチュエータとセンサと
を有して触媒の作成およびスクリーニング過程における反応器の操作を一層良好
に制御することもできる。さらに貯槽を微小反応器に沿った種々異なる位置に設
置して、圧力低下、反応体予熱および生成物急冷の各条件を制御することもでき
る。触媒先駆体の液体および／またはスラリー混合物を、ミクロジェットもしく
はミクロドロップ・ディスペンサおよびロボット技術により貯槽に導入すること
もできる。液体を添加した後、たとえば機械的振動、ミクロアクチベータもしく
は音波処理により撹拌を誘発させて液体もしくはスラリー混合物の混合を確保す
ることができる。触媒先駆体をディスペンスした後、得られた混合物を触媒の生
成につき熱処理および化学処理する。これら処理方法は乾燥、焼成、酸化、還元
および活性化を包含する。
チング、プラズマ処理などの集積回路製造工程を用いて小型反応器を機械加工す
ることにより発生させることもできる。この手法は、アンモニアの触媒酸化のた
めチップに反応器を作成すべく最近使用されている［Ｒ．スリニバサン、Ｉ．Ｍ
．シング、Ｐ．Ｅ．ベルガー、Ｋ．Ｆ．ジエンセン、Ｓ．Ｌ．ファイアバウ、Ｍ
．Ａ．シュミット、Ｍ．Ｐ．ハロルド、Ｊ．Ｊ．レロウおよびＪ．Ｆ．リレー、
「触媒部分酸化反応のための微細機械加工反応器」、ＡＩＣｈＥジャーナル、第
４３巻、第３０５９−３０６９頁（１９９７）］。受動的であるモノリスもしく
は蜂巣構造体とは異なり、微細機械加工反応器は流動および温度センサと加熱素
子と操作条件を制御するためのアクチュエータとを組み込みうる。本発明におい
て、多数の微小反応器が任意適する証跡回路製造順序により並列平行して作成さ
れる。各微小反応器システムは反応体供給、触媒反応、生成物出口および照射ア
クセスのための各通路を含む。これら通路は、たとえばシリカもしくはアルミナ
または不活性材料で被覆された金属のような不活性フィルムにより被覆された材
料など不活性ウェファー基質の湿式もしくは乾式エッチングにより機械加工する
ことができる。各反応帯域の出口通路は、生成ＲＥＭＰＩイオンの検出につき微
小電極を収容するよう充分大とすべきである。検知用の流動および温度制御器を
もウェファーにおける個々の反応器部位に埋設することができる。さらに電気回
路をも埋設して、触媒反応を電気化学的に制御することができる。異なる触媒材
料をライブラリの異なる反応器通路に各種の技術（たとえばスパッタリング、レ
ーザー除去、熱もしくはプラズマ増強化学蒸着など）によってマスクの使用によ
り付着させることができる。代案として、触媒はミクロジェットもしくはミクロ
ドロップ・ディスペンサの支援による溶液技術を用いて反応器通路に付着させる
こともできる。これらディスペンサは、触媒粒子を含有するスラリーを付着させ
るためにも使用することができる。溶液技術を用いる場合、反応器通路を反応帯
域で改変して、液体および／またはスラリーの触媒先駆体の必要量を含有するこ
とができる。これは、たとえば液体もしくはスラリーの触媒先駆体混合物を収集
すべく反応器通路の中央領域に貯槽を機械加工して達成することができる。これ
ら貯槽は任意の形状とすることができ、内部邪魔板とアクチュエータとセンサと
を有して触媒の作成およびスクリーニング過程における反応器の操作を一層良好
に制御することもできる。さらに貯槽を微小反応器に沿った種々異なる位置に設
置して、圧力低下、反応体予熱および生成物急冷の各条件を制御することもでき
る。触媒先駆体の液体および／またはスラリー混合物を、ミクロジェットもしく
はミクロドロップ・ディスペンサおよびロボット技術により貯槽に導入すること
もできる。液体を添加した後、たとえば機械的振動、ミクロアクチベータもしく
は音波処理により撹拌を誘発させて液体もしくはスラリー混合物の混合を確保す
ることができる。触媒先駆体をディスペンスした後、得られた混合物を触媒の生
成につき熱処理および化学処理する。これら処理方法は乾燥、焼成、酸化、還元
および活性化を包含する。
【００７２】 図２１および２２は、本発明による単一の微小反応器システムの底部を示す略
図である。図２１は薄膜もしくは固体粒子の触媒付着プロセスに適する微小反応
器を示し、図２２はさらに溶液系触媒付着プロセスに適する微小反応器を示す。
図面において、不活性微小反応器本体７０は、図２１には帯域７２としておよび
図２２には拡大貯槽触媒帯域７３として示した触媒帯域に到る反応体供給通路７
１を備える。図２２に示したように、邪魔板構造体７４を貯槽７３に位置せしめ
ることができる。この種の邪魔板構造体は多数の作用、たとえば触媒のため並び
におよび混合を誘発させて幾つかの反応に利点を与えるための追加露出表面積を
与えることができる。生成物は出口通路７５を介し反応空間から流出する。反応
体供給および生成物流を矢印により示す。出口通路７５を隔離すべく光学アクセ
ス窓を有する活性化用照射通路７６を設けて出口通路７５を通過する生成物流を
通し活性化照射ビーム７７を直接通路させる。図２１は外部微小電極７８を示し
、図２２は活性化照射ビーム７７に近位した光電子もしくはフォトイオンを検出
すべく収集する前記したような出口通路７５に位置せしめた内部微小電極を示す
。内部微小電極８４は、たとえば生成物出口通路の底部、側部もしくは頂部の各
壁部に埋設するように微小反応器本体７０に取り付ける。これら内部微小電極は
生成物出口通路壁部に整列することができ、或いはこれらから突出することもで
きる。内部微小電極には、これら微小電極に入力すると共に検出シグナルを検出
測定装置に移送するのに適する配線を設ける。これら配線および接続部を、確立
された微小電極製造技術により加工に際し微小反応器本体に埋設する。
図である。図２１は薄膜もしくは固体粒子の触媒付着プロセスに適する微小反応
器を示し、図２２はさらに溶液系触媒付着プロセスに適する微小反応器を示す。
図面において、不活性微小反応器本体７０は、図２１には帯域７２としておよび
図２２には拡大貯槽触媒帯域７３として示した触媒帯域に到る反応体供給通路７
１を備える。図２２に示したように、邪魔板構造体７４を貯槽７３に位置せしめ
ることができる。この種の邪魔板構造体は多数の作用、たとえば触媒のため並び
におよび混合を誘発させて幾つかの反応に利点を与えるための追加露出表面積を
与えることができる。生成物は出口通路７５を介し反応空間から流出する。反応
体供給および生成物流を矢印により示す。出口通路７５を隔離すべく光学アクセ
ス窓を有する活性化用照射通路７６を設けて出口通路７５を通過する生成物流を
通し活性化照射ビーム７７を直接通路させる。図２１は外部微小電極７８を示し
、図２２は活性化照射ビーム７７に近位した光電子もしくはフォトイオンを検出
すべく収集する前記したような出口通路７５に位置せしめた内部微小電極を示す
。内部微小電極８４は、たとえば生成物出口通路の底部、側部もしくは頂部の各
壁部に埋設するように微小反応器本体７０に取り付ける。これら内部微小電極は
生成物出口通路壁部に整列することができ、或いはこれらから突出することもで
きる。内部微小電極には、これら微小電極に入力すると共に検出シグナルを検出
測定装置に移送するのに適する配線を設ける。これら配線および接続部を、確立
された微小電極製造技術により加工に際し微小反応器本体に埋設する。
【００７３】 上記した参照符号が同じ意味を有する図２３は、単一の不活性微小反応器本体
７０における微小反応器の列を図示する。任意の個数の微小反応器を、これら微
小反応器の寸法および基質ウェファーの物理的特性に応じて、列で存在させるこ
とができる。各微小反応器７２は任意の寸法を有しうるが、幅約０．１〜２ｍｍ
の程度の反応器チャンネルが加工およびその後のスクリーニング過程につき最も
適している。反応体充気室７９を各反応体供給通路７２と流体連通させて、反応
体を各微小反応器に分配する。反応体充気室７９は各微小反応器を流過する同様
な流体流量の確立を確保するよう充分大であり、ただし微小反応器の圧力低下特
性は同様となるようにする。代案として、流動センサおよびアクチュエータを各
微小反応器に加工して、各微小反応器に対する液体流動を独立制御することがで
きる。たとえば上記技術のいずれかを用いて、各微小反応器に異なる触媒を入れ
ることもできる。これら触媒の物理的形態は参照符号８６により示したフィルム
または参照符号８５により示した粉末とすることができる。単一のベースフェフ
ァーからの微小反応器列の加工は活性化照射通路７６と微小電極８４との良好な
整列を確保し、これによりスクリーニング過程を容易化させる。内部電極８４は
、微小電極に入力すると共に検出シグナルを検出測定装置に移動するための内部
配線を可能にする。代案として別途の異なる電極（一方は陽極用および一方は陰
極用）を、入力およびシグナル検出のため反応器の異なる壁部に埋設することも
できる。適するコネクタを列の外部に位置せしめて、全アレイを選択切換により
電力源および検出測定装置に容易に接続することができる。反応体供給および生
成物流れを矢印により示す。
７０における微小反応器の列を図示する。任意の個数の微小反応器を、これら微
小反応器の寸法および基質ウェファーの物理的特性に応じて、列で存在させるこ
とができる。各微小反応器７２は任意の寸法を有しうるが、幅約０．１〜２ｍｍ
の程度の反応器チャンネルが加工およびその後のスクリーニング過程につき最も
適している。反応体充気室７９を各反応体供給通路７２と流体連通させて、反応
体を各微小反応器に分配する。反応体充気室７９は各微小反応器を流過する同様
な流体流量の確立を確保するよう充分大であり、ただし微小反応器の圧力低下特
性は同様となるようにする。代案として、流動センサおよびアクチュエータを各
微小反応器に加工して、各微小反応器に対する液体流動を独立制御することがで
きる。たとえば上記技術のいずれかを用いて、各微小反応器に異なる触媒を入れ
ることもできる。これら触媒の物理的形態は参照符号８６により示したフィルム
または参照符号８５により示した粉末とすることができる。単一のベースフェフ
ァーからの微小反応器列の加工は活性化照射通路７６と微小電極８４との良好な
整列を確保し、これによりスクリーニング過程を容易化させる。内部電極８４は
、微小電極に入力すると共に検出シグナルを検出測定装置に移動するための内部
配線を可能にする。代案として別途の異なる電極（一方は陽極用および一方は陰
極用）を、入力およびシグナル検出のため反応器の異なる壁部に埋設することも
できる。適するコネクタを列の外部に位置せしめて、全アレイを選択切換により
電力源および検出測定装置に容易に接続することができる。反応体供給および生
成物流れを矢印により示す。
【００７４】 微小反応器ベース層の加工の後、不活性カバーフェファー８０を不活性微小反
応器ベース７０に接着し、微小反応器列を図２４に示したように覆って各微小反
応器システムを隔離すると共に反応体の流れを微小反応器列に対し流入させかつ
生成物を流出させることができる。図２４は、上記で開示した微小反応器本体７
０に取り付けられた内部微小電極８４に関し説明したと同様に、カバーウェファ
ー８０に取り付け或いは埋設された内部微小電極８７を示す。内部配線８８は各
微小電極８７から外部コネクタ８９に到り、各微小電極に入力すると共に検出シ
グナルを各微小電極から検出装置まで移送する。代案として、別途の電極をベー
ス７０に埋設してシグナルを検出しかつ／または電力供給する。加熱素子を微小
反応器の各チャンバ７２間における伝熱性微小反応器本体７０および／または伝
熱性カバーウェファー８０および／または積層反応器列の間における伝熱性シー
トに埋設して、微小反応器および／または反応体供給チャンネルに所望温度制御
を与えることができる。図２５に示したように、個々の扁平微小反応器列を図２
４に示したように垂直積層させて、複数の扁平微小反応器列の三次元構造体を得
、これにより図１２に示したと同様に多数の試料の迅速分析を可能にする。微小
反応器列は任意適するファスナーを備えて、隣接列を互いに固定関係に維持する
。微小電極はＤＣ電源により入力され、各微小電極からのシグナルをマルチチャ
ンネルセレクタを介し測定装置に供給する。
応器ベース７０に接着し、微小反応器列を図２４に示したように覆って各微小反
応器システムを隔離すると共に反応体の流れを微小反応器列に対し流入させかつ
生成物を流出させることができる。図２４は、上記で開示した微小反応器本体７
０に取り付けられた内部微小電極８４に関し説明したと同様に、カバーウェファ
ー８０に取り付け或いは埋設された内部微小電極８７を示す。内部配線８８は各
微小電極８７から外部コネクタ８９に到り、各微小電極に入力すると共に検出シ
グナルを各微小電極から検出装置まで移送する。代案として、別途の電極をベー
ス７０に埋設してシグナルを検出しかつ／または電力供給する。加熱素子を微小
反応器の各チャンバ７２間における伝熱性微小反応器本体７０および／または伝
熱性カバーウェファー８０および／または積層反応器列の間における伝熱性シー
トに埋設して、微小反応器および／または反応体供給チャンネルに所望温度制御
を与えることができる。図２５に示したように、個々の扁平微小反応器列を図２
４に示したように垂直積層させて、複数の扁平微小反応器列の三次元構造体を得
、これにより図１２に示したと同様に多数の試料の迅速分析を可能にする。微小
反応器列は任意適するファスナーを備えて、隣接列を互いに固定関係に維持する
。微小電極はＤＣ電源により入力され、各微小電極からのシグナルをマルチチャ
ンネルセレクタを介し測定装置に供給する。
【００７５】 図２６は微小反応器列９１を示し、図２４に示したように微小反応器列のフレ
ーム９２に設置して、容易に取り扱うと共に触媒スクリーニングにつき接続する
。微小反応器列は往復矢印により示されるようにフレームにおける開口部に嵌合
する。反応体供給部はフレームを介し微小反応器列の反応体供給マニホールドに
矢印により示すように設けられ、生成物は矢印により示されるようにフレームか
ら流出する。照射通路９３をフレーム９２に設けて、照射ビーム７７の入口およ
び出口を上記したように微小反応器本体７０における照射通路７６を通過するよ
う整列させる。さらにフレームは、１端部にて微小反応器列の内部配線８８に接
続すると共に他端部にて電源および検出測定装置に接続するための内部配線９４
を有する。複数の微小反応器列フレームの内部配線は単一コネクタを介し外部配
線に接続することができる。これらフレームは、単一供給部が反応体を複数の微
小反応器列−フレーム集成体に供給しうるよう配置された反応体供給マニホール
ドを備えることもできる。さらにフレームは、これらフレームに組み込まれた加
熱素子を介し微小反応器列の温度制御をも与えうる。微小反応器列−フレームは
隣接する微小反応器列−フレーム集成体を接続するのに適する手段を備えること
ができる。
ーム９２に設置して、容易に取り扱うと共に触媒スクリーニングにつき接続する
。微小反応器列は往復矢印により示されるようにフレームにおける開口部に嵌合
する。反応体供給部はフレームを介し微小反応器列の反応体供給マニホールドに
矢印により示すように設けられ、生成物は矢印により示されるようにフレームか
ら流出する。照射通路９３をフレーム９２に設けて、照射ビーム７７の入口およ
び出口を上記したように微小反応器本体７０における照射通路７６を通過するよ
う整列させる。さらにフレームは、１端部にて微小反応器列の内部配線８８に接
続すると共に他端部にて電源および検出測定装置に接続するための内部配線９４
を有する。複数の微小反応器列フレームの内部配線は単一コネクタを介し外部配
線に接続することができる。これらフレームは、単一供給部が反応体を複数の微
小反応器列−フレーム集成体に供給しうるよう配置された反応体供給マニホール
ドを備えることもできる。さらにフレームは、これらフレームに組み込まれた加
熱素子を介し微小反応器列の温度制御をも与えうる。微小反応器列−フレームは
隣接する微小反応器列−フレーム集成体を接続するのに適する手段を備えること
ができる。
【００７６】 複数の微小反応器−フレーム集成体を、図２５に示したものと同様に、垂直方
向に連結することができる。他の実施例においては図２７に示したように、微小
反応器列−フレーム集成体９５を並列関係で水平連結することもできる。照射通
路９３の整列は、大触媒ライブラリを評価する際に一１つの照射ビーム７７を使
用することを可能にする。
向に連結することができる。他の実施例においては図２７に示したように、微小
反応器列−フレーム集成体９５を並列関係で水平連結することもできる。照射通
路９３の整列は、大触媒ライブラリを評価する際に一１つの照射ビーム７７を使
用することを可能にする。
【００７７】 スクリーニングは既知量の反応体ガスを潜在的触媒と接触させながら微小反応
器列に通過させて反応生成物を形成させ、この生成物は適する調整自在な照射ビ
ームを活性化用照射通路７６（流体分離を与えるアクセス窓を有する）に通過さ
せて生成物出口通路７５に生成ＲＥＭＰＩイオンを形成させることにより行われ
る。これら生成ＲＥＭＰＩイオンを出口通路内の微小電極により検出すると共に
、上記したように測定する。スクリーニングに際し、微小反応器列は全列の温度
制御のため炉内に設置することができ、或いは各微小反応器の温度を微小反応器
加工プロセスに際し微小反応器に組み込まれたセンサおよび加熱素子を用いて独
立制御することもできる。代案として、温度制御はフレームにより与えることも
できる。
器列に通過させて反応生成物を形成させ、この生成物は適する調整自在な照射ビ
ームを活性化用照射通路７６（流体分離を与えるアクセス窓を有する）に通過さ
せて生成物出口通路７５に生成ＲＥＭＰＩイオンを形成させることにより行われ
る。これら生成ＲＥＭＰＩイオンを出口通路内の微小電極により検出すると共に
、上記したように測定する。スクリーニングに際し、微小反応器列は全列の温度
制御のため炉内に設置することができ、或いは各微小反応器の温度を微小反応器
加工プロセスに際し微小反応器に組み込まれたセンサおよび加熱素子を用いて独
立制御することもできる。代案として、温度制御はフレームにより与えることも
できる。
【００７８】 図２８Ａおよび２８Ｂは、本発明による異なる微小反応器列およびミクロドロ
ップ／ミクロジェット技術を用いる組合せ触媒ライブラリ作成およびスクリーニ
ング法の他の例を要約する。工程１は、所望の通路を形成すると共に溶液付着に
際し液体を保持するプラグを用いた触媒ライブラリ不活性基質の作成を示す。工
程２は、触媒反応帯域の貯槽に対する触媒先駆体溶液付着を示す。工程３は、当
業界で周知された方法による触媒の乾燥および焼成を示す。工程４は、通路を形
成すべく使用したプラグの除去による生成物出口通路の開口を示す。工程５は、
適するガスを微小反応器列に通過させることによる触媒の形成および／または活
性化を示す。工程６は、反応体ガスを各微小反応器における触媒と接触させなが
ら通過させ、各反応生成物流に特定イオンの形成を促進するエネルギーレベルの
照射ビームを通させ、さらに形成イオンもしくは電子を活性化照射ビームに近位
する微小電極収集により検出することによる微小反応器の列における触媒のスク
リーニングを示す。
ップ／ミクロジェット技術を用いる組合せ触媒ライブラリ作成およびスクリーニ
ング法の他の例を要約する。工程１は、所望の通路を形成すると共に溶液付着に
際し液体を保持するプラグを用いた触媒ライブラリ不活性基質の作成を示す。工
程２は、触媒反応帯域の貯槽に対する触媒先駆体溶液付着を示す。工程３は、当
業界で周知された方法による触媒の乾燥および焼成を示す。工程４は、通路を形
成すべく使用したプラグの除去による生成物出口通路の開口を示す。工程５は、
適するガスを微小反応器列に通過させることによる触媒の形成および／または活
性化を示す。工程６は、反応体ガスを各微小反応器における触媒と接触させなが
ら通過させ、各反応生成物流に特定イオンの形成を促進するエネルギーレベルの
照射ビームを通させ、さらに形成イオンもしくは電子を活性化照射ビームに近位
する微小電極収集により検出することによる微小反応器の列における触媒のスク
リーニングを示す。
【００７９】 以上、本発明を或る種の好適実施例につき説明すると共に多くの詳細を例示の
目的で示したが、本発明は多くの改変も可能であると共に上記した或る種の詳細
を本発明の基本的原理から逸脱することなく相当に改変しうることも当業者には
明らかであろう。
目的で示したが、本発明は多くの改変も可能であると共に上記した或る種の詳細
を本発明の基本的原理から逸脱することなく相当に改変しうることも当業者には
明らかであろう。
【図１】 生成物質のＲＥＭＰＩ微小電極検出の原理を示す略図である。
【図２】 物理的遮蔽での触媒ライブラリの反応体接触により生成された生成物のＲＥＭＰ
Ｉ微小電極検出を示す略図である。
Ｉ微小電極検出を示す略図である。
【図３】 専用反応体供給チューブを介する触媒ライブラリの反応体接触により生成され
た生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
た生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
【図４】 図３と同様であるが傾斜した試験部位を有する略図である。
【図５】 多孔質部位を流過させる触媒ライブラリの反応体接触により生成された生成物
のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
【図６】 モノリス構造体に対する触媒コーチングの触媒ライブラリの反応体接触により
生成された生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
生成された生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を示す略図である。
【図７】 ＲＥＭＰＩ微小電極検出のため生成物の膨張冷却を含むモノリス触媒ライブラ
リを示す略図である。
リを示す略図である。
【図８】 列のＲＥＭＰＩ微小電極検出での平板固体触媒ライブラリを含む反応器を示す
略図である。
略図である。
【図９】 多孔質部位に反応体を流過させる平板触媒ライブラリおよび列のＲＥＭＰＩ微
小電極検出を含む反応器を示す略図である。
小電極検出を含む反応器を示す略図である。
【図１０】 全部位の同時的ＲＥＭＰＩ検出を有する図９に示した反応器の平面図である。
【図１１】 列のＲＥＭＰＩ微小電極検出を含め反応体を流過させるモノリス固体触媒ライ
ブラリを含む反応器を示す略図である。
ブラリを含む反応器を示す略図である。
【図１２】 全部位の同時的ＲＥＭＰＩ検出を有するモノリス触媒ライブラリを含む反応器
を示す略図である。
を示す略図である。
【図１３】 生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を含む均質触媒部位のための反応体接触を有
する触媒ライブラリを示す略図である。
する触媒ライブラリを示す略図である。
【図１４】 生成物の列ＲＥＭＰＩ微小電極検出で反応体を流過させる均質触媒ライブラリ
を含む反応器を示す略図である。
を含む反応器を示す略図である。
【図１５】 生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出を含むガス分配および触媒接触のための固体
触媒粒子を用いる触媒ライブラリを示す略図である。
触媒粒子を用いる触媒ライブラリを示す略図である。
【図１６】 ＲＥＭＰＩ微小電極検出のため生成物の膨張冷却を含む反応体を流過させる不
均質触媒ライブラリを示す略図である。
均質触媒ライブラリを示す略図である。
【図１７】 生成物のＲＥＭＰＩ微小電極検出のため固体および／または液体生成物をガス
化させるアブレーションレーザーを用いる触媒ライブラリを示す略図である。
化させるアブレーションレーザーを用いる触媒ライブラリを示す略図である。
【図１８】 ＴＯＦ−ＭＳによるベンゼンおよびシクロヘキサンの分子ビームＲＥＭＰＩス
ペクトル図である。
ペクトル図である。
【図１９】 ベンゼンおよびシクロヘキサンの微小電極ＲＥＭＰＩスペクトル図である。
【図２０】 ベンゼン生成のための触媒ライブラリ部位活性のスクリーニングから得られる
微小電極ＲＥＭＰＩシグナル図である。
微小電極ＲＥＭＰＩシグナル図である。
【図２１】 本発明の単一微小反応器システムの１実施例を示す略図である。
【図２２】 溶液付着に適する本発明の単一微小反応器システムの他の実施例を示す略図で
ある。
ある。
【図２３】 単一本体における微小反応器の列を示す略図である。
【図２４】 カバーウェファーを有する単一本体における微小反応器の列の他の実施例を示
す略図である。；
す略図である。；
【図２５】 図２４に示した微小反応器の垂直積層列における触媒ライブラリを示す略図で
ある。
ある。
【図２６】 フレームに嵌合する図２４に示した微小反応器列を示す略図である。；
【図２７】 隣接する並列配置にて配置した図２６に示す各フレームにおける微小反応器の
列を示す略図である。
列を示す略図である。
【図２８Ａ】 本発明の１実施例による組合せ触媒ライブラリ作成およびスクリーニングを要
約する図面である。
約する図面である。
【図２８Ｂ】 本発明の１実施例による組合せ触媒ライブラリ作成およびスクリーニングを要
約する図面である。
約する図面である。
【図２９】 微小反応器の列における触媒ライブラリの１部位の反応生成物を分析用の質量
分光光度計に移送する試料採取モードにおける円錐オリフィスを持った試料採取
プローブの略断面図である。
分光光度計に移送する試料採取モードにおける円錐オリフィスを持った試料採取
プローブの略断面図である。
【図３０】 並進モードにて毛細管オリフィスを有する図２９と同様な試料採取プローブを
示す略図である。
示す略図である。
【図３１】 反応生成物の１部を質量分光光度計まで単一寸法における並進用の並進テーブ
ルにてＲＥＭＰＩ測定するための活性化エネルギービームと組み合わせて通過さ
せるため試料採取プローブを有する微小反応器の列を示す斜視図である。
ルにてＲＥＭＰＩ測定するための活性化エネルギービームと組み合わせて通過さ
せるため試料採取プローブを有する微小反応器の列を示す斜視図である。
【図３２】 触媒ライブラリからの反応生成物の組合せ質量分光光度計およびＲＥＭＰＩ測
定のための２つの寸法の並進用テーブルにおける微小反応器の水平積層列を示す
斜視図である。
定のための２つの寸法の並進用テーブルにおける微小反応器の水平積層列を示す
斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，Ｌ Ｃ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ， ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，Ｓ Ｌ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (71)出願人 レーザー キャタリスト システムズ イ ンコーポレイテッド ＬＡＳＥＲ ＣＡＴＡＬＹＳＴ ＳＹＳＴ ＥＭＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ アメリカ合衆国、カリフォルニア 90024、 ロス アンジェルス、ボックス 24314、 ウィルシャー ブールバード 11000 (72)発明者 センカン，セリム，メメット アメリカ合衆国、カリフォルニア 90024、 ロス アンジェルス、ワーナー アベニュ ー 1269 Ｆターム(参考） 2G052 AD26 CA08 CA39 DA02 DA03 DA09 DA15 EB11 EB13 FB09 FD18 GA11 GA23 GA28 HC03 HC04 HC22 HC25 HC28 HC35 HC36 HC38 JA04 JA07 4G069 AA02 AA20 BA08B BB02B BC72B BC75B CB07 CB66
Claims (20)
- 【請求項１】 触媒反応生成物および潜在的触媒反応生成物を質量分光光度
スクリーニングするための微小反応器および試料採取プローブシステムにおいて
、前記システムは複数のアドレスしうる微小反応器を備え、そのそれぞれは不活
性基質本体と、前記基質本体の一方の側における第１開口部から前記基質本体の
反対側における第２開口部まで延在する反応器通路と、前記反応器通路の中央部
分に位置して各反応体を前記反応帯域における触媒と接触させる反応帯域として
作用する反応帯域と、反応体供給通路として作用する前記反応帯域から延びる前
記反応器通路の反応体帯域と、前記反応帯域から生成物出口通路として作用する
前記第２開口部まで延在する前記反応器通路の生成物帯域とからなり；チューブ
状試料採取プローブは少なくとも１つの減圧段階の実質的に膨張したチャンバ中
へフリージェット膨張流を形成する試料採取オリフィスを１端部に備えると共に
、質量分光光度計の入口オリフィスに接続しうる開口他端部とを備え；さらに並
進メカニズムを備えて前記試料採取オリフィスを試料採取モードにつきアドレス
しうる単一微小反応器の前記生成物出口通路に近接させうると共に、前記試料採
取オリフィスを前記第２微小反応器の試料採取モードにつきアドレスしうる第２
の単一微小反応器の生成物出口通路に近接する位置に位置決めするよう急速に並
進しうることを特徴とする微小反応器および試料採取プローブシステム。 - 【請求項２】 前記試料採取オリフィスが、約１５〜約４５°の半円錐角度
を有する膨張円錐の頂点に位置する直径にて約１〜約２００μｍである請求項１
に記載のシステム。 - 【請求項３】 前記試料採取オリフィスが、約１〜約５００μｍの直径およ
び約１〜約２００μｍの長さを有する短い毛細管である請求項１に記載のシステ
ム。 - 【請求項４】 前記毛細管が約５〜約２０μｍの直径および約５０〜１００
μｍの長さを有する請求項３に記載のシステム。 - 【請求項５】 前記試料採取オリフィスから前記質量分光光度計の前記入口
オリフィスに到る距離が約３〜約１０インチである請求項１〜４のいずれか一項
に記載のシステム。 - 【請求項６】 前記膨張チャンバが、第１減圧段階と第２減圧段階との間に
スキミングオリフィスを有する２つの減圧段階を含む請求項１〜５のいずれか一
項に記載のシステム。 - 【請求項７】 前記微小反応器が、前記生成物帯域に一般に垂直であると共
に交差する前記基質本体を貫通する照射ビーム通路をさらに備え、前記照射ビー
ム通路は照射ビームの通過および前記生成物帯域からの前記照射通路の流体分離
を与える照射線アクセス窓を有し；さらに前記照射ビーム通路と前記生成物帯域
との交差点に近接して前記生成物帯域に微小電極を備える請求項１〜６のいずれ
か一項に記載のシステム。 - 【請求項８】 前記複数の微小反応器が、前記試料採取オリフィスおよび前
記生成物出口通路を整列させるためのｘ軸に沿って、並びに前記試料採取オリフ
ィスおよび前記生成物出口通路を互いに近接位置せしめるためのｚ軸に沿って急
速移動しうる並進テーブルに固定装着されたインライン列の微小反応器である請
求項１〜７のいずれか一項に記載のシステム。 - 【請求項９】 前記複数の微小反応器が、前記試料採取オリフィスおよび前
記生成物出口通路を整列させるためのｘ軸およびｙ軸に沿って、並びに前記試料
採取オリフィスおよび前記生成物出口通路を互いに近位して設置するためのｚ軸
に沿って急速移動しうる並進テーブルに固定装着された複数のインライン列の微
小反応器よりなる平行積層体である請求項１〜８のいずれか一項に記載のシステ
ム。 - 【請求項１０】 各微小反応器が、各微小反応器における温度および流動を
個々に制御するための温度制御部および流動制御部を含む請求項１〜９のいずれ
か一項に記載のシステム。 - 【請求項１１】 各微小反応器が、触媒充填のため前記反応帯域に対し設置
および除去する挿入体を備える請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシステム
。 - 【請求項１２】 触媒特性につき潜在的ライブラリを迅速スクリーニングす
る方法において、複数のアドレスしうる試験部位に潜在的触媒を有する潜在的触
媒ライブラリを形成させ；反応体ガスを前記複数のアドレスしうる部位の少なく
とも１つにて前記潜在的触媒と接触させながら通し；反応生成物のガスプルーム
を前記アドレスしうる部位からスクリーニングすることからなり；前記スクリー
ニングは試料採取プローブおよび前記ライブラリの少なくとも１つを、アドレス
しうる１つの部位が試料採取プローブオリフィスに近位する位置まで並進させ、
前記反応生成物の１部を前記１つのアドレスしうる部位から前記試料採取プロー
ブオリフィスに通過させて、少なくとも１つの減圧段階の実質的に膨張した容積
でフリージェット膨張流を形成させ、これにより前記反応生成物のジェット流を
冷却すると共にその圧力を質量分光光度計に導入するのに適した圧力まで低下さ
せ；さらに反応生成物のジェット流の１部を減圧下に入口オリフィスを介し分析
用の質量分光光度計まで移送することを特徴とする潜在的触媒ライブラリの迅速
スクリーニング法。 - 【請求項１３】 前記試料採取プローブオリフィスが、約１５〜約４５°の
半円錐角度を有する膨張円錐の頂点に位置する直径にて約１〜約２００μｍであ
る請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記試料採取プローブオリフィスが約１〜約５００μｍの
直径および約１〜約２００μｍの長さを有する短い毛細管である請求項１２に記
載の方法。 - 【請求項１５】 前記毛細管が約５〜約２０μｍの直径および約５０〜１０
０μｍの長さを有する請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記試料採取プローブオリフィスから前記質量分光光度計
の前記入口オリフィスに到る距離が約７．５〜約２５ｃｍである請求項１２〜１
５のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記膨張チャンバが、第１減圧段階と第２減圧段階との間
にスキミングオリフィスを有する２つの減圧段階を含む請求項１２〜１６のいず
れか一項に記載の方法。 - 【請求項１８】 特定イオンおよび電子からなるエネルギー付与物質の生成
を促進するエネルギーレベルの少なくとも１つの照射ビームを反応生成物の前記
ガスプルームに通過させると共に、前記アクセスしうる部位に近位して現場で微
小電極収集により前記生成イオンもしくは電子を実時間で検出することをさらに
含む請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記反応生成物を断片化娘生成物を生成する少なくとも１
つのエネルギービームと接触させ、さらに前記スクリーニングおよび前記検出を
前記断片化娘生成物につき行うことをさらに含む請求項１８に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記複数のアドレスしうる試験部位が、前記試料採取プロ
ーブオリフィスおよび単一のアドレスしうる微小反応器からの反応生成物出口通
路を整列させるためのｘ軸およびｙ軸に沿って、並びに前記試料採取オリフィス
および前記生成物出口通路を互いに近位して設置するためのｚ軸に沿って急速移
動しうる並進テーブルに固定装着された複数のインライン列の微小反応器よりな
る平行積層体にて微小反応器を備える請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19184998A | 1998-11-12 | 1998-11-12 | |
| US09/191,849 | 1998-11-12 | ||
| PCT/GB1999/003767 WO2000029844A1 (en) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | Method and apparatus for screening catalyst libraries |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002530647A true JP2002530647A (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=22707151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000582796A Pending JP2002530647A (ja) | 1998-11-12 | 1999-11-11 | 触媒ライブラリをスクリーニングする方法および装置 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1129348A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002530647A (ja) |
| KR (1) | KR20010092734A (ja) |
| CN (1) | CN1333871A (ja) |
| AU (1) | AU1064200A (ja) |
| BR (1) | BR9915268A (ja) |
| CA (1) | CA2347697A1 (ja) |
| ID (1) | ID29172A (ja) |
| MX (1) | MXPA01004785A (ja) |
| NO (1) | NO20012341D0 (ja) |
| NZ (1) | NZ511228A (ja) |
| PL (1) | PL348157A1 (ja) |
| WO (1) | WO2000029844A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19642261A1 (de) * | 1996-10-11 | 1998-04-16 | Hoechst Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erkennen der katalytischen Aktivität von Feststoffen |
| US7491677B2 (en) | 1999-01-15 | 2009-02-17 | Basf Catalysts Llc | Combinatorial synthesis |
| DE19959973A1 (de) * | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Basf Ag | Verfahren zur kombinatorischen Herstellung und Testung von Heterogenkatalysatoren |
| WO2002014854A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Chevron U.S.A. Inc. | Use of microchannel reactors in combinatorial chemistry |
| US6864091B1 (en) | 2000-08-31 | 2005-03-08 | Symyx Technologies, Inc. | Sampling probe |
| US6692708B2 (en) | 2001-04-05 | 2004-02-17 | Symyx Technologies, Inc. | Parallel reactor for sampling and conducting in situ flow-through reactions and a method of using same |
| DE10117274B4 (de) * | 2001-04-06 | 2005-03-03 | Hte Ag The High Throughput Experimentation Company | Verfahren zur Analyse und Archivierung von wenigstens einer Materialbibliothek |
| DE10117275B4 (de) * | 2001-04-06 | 2005-02-24 | Hte Ag The High Throughput Experimentation Company | Vorrichtung zur Archivierung und Analyse von Materialien |
| WO2002094431A2 (de) * | 2001-05-23 | 2002-11-28 | Nanoscape Ag | Integriertes miniaturisiertes chemisches labor |
| US6838052B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-01-04 | Symyx Technologies, Inc. | In-situ injection and materials screening device |
| US6923939B1 (en) | 2001-07-05 | 2005-08-02 | Uop Llc | Heat activated membrane introduction apparatus and method for screening materials |
| US6949267B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-09-27 | Engelhard Corporation | Combinatorial synthesis |
| WO2005033712A1 (en) * | 2002-10-29 | 2005-04-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for performing chemical reactions in a plurality of samples |
| CN1695061A (zh) | 2002-10-29 | 2005-11-09 | 纳幕尔杜邦公司 | 对多个试样进行化学反应的方法和装置 |
| US7390664B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-06-24 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Method and apparatus for high throughput catalysts screening and optimization |
| CN105784917B (zh) * | 2014-12-26 | 2018-06-29 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 质谱仪在检测催化反应离子化中间体过程中的应用 |
| CN105823820B (zh) * | 2015-11-13 | 2019-02-15 | 亚申科技研发中心（上海）有限公司 | 催化剂评价装置 |
| CN110100162B (zh) * | 2016-12-22 | 2022-08-30 | 文塔纳医疗系统公司 | 用于样本处理的系统和方法 |
| CN107024560B (zh) * | 2017-02-24 | 2023-11-21 | 金华职业技术学院 | 一种用于气体与反应面多相催化的测试装置 |
| GB2566326A (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-13 | Owlstone Inc | Ion mobility filter |
| CN109884168B (zh) * | 2017-12-06 | 2021-11-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种用于催化反应过程实时在线分析的装置及方法 |
| CN113295763B (zh) * | 2021-06-03 | 2023-07-25 | 浙江师范大学 | 一种可消除反应物背景信号干扰的交叉分子束探测装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR900005250B1 (ko) * | 1986-10-28 | 1990-07-21 | 몬산토 캄파니 | 촉매화 화학반응을 수행하고, 촉매작용을 연구하기 위한 방법과 장치 |
| US6063633A (en) * | 1996-02-28 | 2000-05-16 | The University Of Houston | Catalyst testing process and apparatus |
| EP0934515B1 (en) * | 1996-10-09 | 2006-03-08 | Symyx Technologies, Inc. | Infrared spectroscopy and imaging of libraries |
| JP2001520380A (ja) * | 1997-10-10 | 2001-10-30 | ビーピー ケミカルズ リミテッド | 触媒評価のための触媒ライブラリの照射活性化およびスクリーニング並びにそのための反応器 |
-
1999
- 1999-11-11 MX MXPA01004785A patent/MXPA01004785A/es unknown
- 1999-11-11 NZ NZ511228A patent/NZ511228A/xx unknown
- 1999-11-11 KR KR1020017005945A patent/KR20010092734A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-11-11 PL PL99348157A patent/PL348157A1/xx unknown
- 1999-11-11 EP EP99954228A patent/EP1129348A1/en not_active Withdrawn
- 1999-11-11 AU AU10642/00A patent/AU1064200A/en not_active Abandoned
- 1999-11-11 JP JP2000582796A patent/JP2002530647A/ja active Pending
- 1999-11-11 CA CA002347697A patent/CA2347697A1/en not_active Abandoned
- 1999-11-11 CN CN99815596A patent/CN1333871A/zh active Pending
- 1999-11-11 BR BR9915268-1A patent/BR9915268A/pt not_active Application Discontinuation
- 1999-11-11 WO PCT/GB1999/003767 patent/WO2000029844A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-11-11 ID IDW00200101044A patent/ID29172A/id unknown
-
2001
- 2001-05-11 NO NO20012341A patent/NO20012341D0/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000029844A1 (en) | 2000-05-25 |
| KR20010092734A (ko) | 2001-10-26 |
| NZ511228A (en) | 2003-01-31 |
| ID29172A (id) | 2001-08-09 |
| PL348157A1 (en) | 2002-05-06 |
| NO20012341L (no) | 2001-05-11 |
| NO20012341D0 (no) | 2001-05-11 |
| MXPA01004785A (es) | 2002-05-06 |
| BR9915268A (pt) | 2001-08-07 |
| CA2347697A1 (en) | 2000-05-25 |
| AU1064200A (en) | 2000-06-05 |
| CN1333871A (zh) | 2002-01-30 |
| EP1129348A1 (en) | 2001-09-05 |
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