JP2002528901A - 光増幅器のａｓｅの処理及び利用 - Google Patents

光増幅器のａｓｅの処理及び利用

Info

Publication number
JP2002528901A
JP2002528901A JP2000577742A JP2000577742A JP2002528901A JP 2002528901 A JP2002528901 A JP 2002528901A JP 2000577742 A JP2000577742 A JP 2000577742A JP 2000577742 A JP2000577742 A JP 2000577742A JP 2002528901 A JP2002528901 A JP 2002528901A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
edf
ase
stage
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000577742A
Other languages
English (en)
Inventor
フェルトン エイ． フラッド
マイケル ジェイ． ヤドロウスキィ
Original Assignee
コーニング・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コーニング・インコーポレーテッド filed Critical コーニング・インコーポレーテッド
Publication of JP2002528901A publication Critical patent/JP2002528901A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06795—Fibre lasers with superfluorescent emission, e.g. amplified spontaneous emission sources for fibre laser gyrometers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06754—Fibre amplifiers
    • H01S3/06758—Tandem amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 短波長帯及び長波長帯を含む利得スペクトルを有し、初期励起光とは逆方向に伝播して一定の量のＡＳＥを生成する励起光を有する多段の希土類ドープされた(１０)増幅器の増幅段である。当該逆方向伝播ＡＳＥ光は、増幅器(１０)の他の増幅段(１４)に向けられ、長波長帯を励起する励起光を実質的に提供する。提案された光信号増幅の増幅器構造及び増幅方法は、光信号増幅にとって避けられないＡＳＥ光を効率的に利用する。本発明は、従来の希土類ドープ光増幅器においてこれまで効率的に利用されなかった波長帯の信号増幅を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速通信システムのための光増幅器、特に、ＥＤＦＡなどの希土類
がドープされた多段光増幅器における増幅された自然放出光（以下、ＡＳＥとい
う）の効率的利用のための増幅器構造及び関連する方法に関し、ＡＳＥは、Ｌバ
ンド光信号増幅（以下、「ＡＳＥ励起」という）を提供するために利用される。
【０００２】
【関連技術の説明】
光通信サービスプロバイダは、現在及び将来の顧客の要求に対するサービスの
ため、より多くのデータ容量及びより高いデータ伝送速度を要求し続ける。しか
しながら、ＥＤＦＡを用いたシステムにおいて、チャネル密度はＥＤＦＡの使用
可能な利得帯域によって制限されてきた。この帯域は、多重チャネル増幅のため
にエルビウム利得スペクトルの平坦化を行うのに利得平坦化フィルタが用いられ
るときでも、３５ｎｍのオーダーである。多重チャネル光波システムのシステム
容量を増やすための３つの技術は下記を含む。すなわち、（１）チャネル当たり
のビットレートを増やすこと、（２）チャネル間隔を減少させることによってチ
ャネルの数を増やすこと、（３）利得媒体の全利得/伝送帯域を増やすことによ
ってチャネルの数を増やすこと、である。多くの設置されたシステムは現在のＯ
Ｃ４８ビットレート（２．５Gb/s）以上の動作ができないために、チャネル当た
りのビットレートを増やすことは常に現実的な解とはいえない。同様に、ファイ
バの非線形性によって、チャネル間隔を現在の５０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚ以下に
低減することは制限される。このように、チャネル当たりのチャネル間隔及びビ
ットレートを維持しつつ、ＥＤＦＡの利得帯域を増やすことはシステム容量を増
やすための直接的な方法を与える。１９９０年には、エインズリー（Ainslie）
他は、エレクトロニクス・レターズ誌、第２６巻、1645-1646頁（１９９０年）
の「広帯域１．６ミクロン（μｍ）ＥＲ3+ドープ・シリカ・ファイバ増幅器」（
High gain, broadband 1.6 micron ER3+ doped silica fiber amplifier, Elect
ronics Letters, volume 26, pp.1645-1646 (1990)）において、エルビウム利得
スペクトルの長波帯（１５６５−１６１０ｎｍ）の使用について調べた。最近で
は、スリヴァスタバ（Srivastava）他は、ＯＦＣ’９８のテクニカル・ダイジェ
スト、ポストデッドライン論文ＰＤＰ１０−１（サンノゼ、カリフォルニア、１
９９８年）の「１０Ｇｂ／ｓチャネル−１００ＷＤＭによる１Ｔｂ／ｓトゥルー
ウェーブ・ファイバ４００ｋｍ超伝送」（1Tb/s transmission of 100 WDM 10 G
b/s channels over 400 km of Truewave fiber, Tech. Dig. OFC'98, Post dead
line paper PD1O-1, San Jose, California, 1998）において、１．６ミクロン
帯（Ｌバンド）におけるシリカＥＤＦＡの応用について実証した。サン（Sun）
他は、プロシーディングスＯＡＡ、ポストデッドライン論文ＰＤ２−２（ビクト
リア、ＢＣ、カナダ、１９９７年）の「８０ｎｍの帯域を有する超広帯域エルビ
ウムドープ・シリカファイバ増幅器」（Ultrawide band erbium-doped silica f
iber amplifier with 80 nm of bandwidth, PROC. OAA, Post deadline paper P
D 2-2, Victoria, BC Canada, 1997）において、従来のＣバンド（１５３０ｎｍ
−１５６０ｎｍ）及びＬバンドの双方を増幅して８０ｎｍの全利得帯域を提供す
る分割バンド・アーキテクチャを検討した。このように、Ｌバンド増幅は、実証
可能な、しかし、未開発のＷＤＭ光波システムの帯域制限に対する解決策を提供
する。
【０００３】 Ｌバンドにおいて動作するＥＤＦＡは、通常、盛んに用いられる約１５３０ｎ
ｍないし１５６０ｎｍのＣバンドで動作するよう設計された増幅器とは区別され
る特徴を有することが当業者によって認識されている。観測される顕著な違いは
、低い反転（すなわち、０．６−０．７に対する０．４）での比較的より平坦な
利得スペクトル、及びより長い長さのエルビウムドープファイバが必要であるこ
とを含む。これらは、少なくとも一部は、約１５６０ｎｍより長い波長に対して
エルビウムの放出断面積が比較的小さいということによっている。
【０００４】 ＬバンドＥＤＦＡの電力変換効率は、通常従来のＣバンドＥＤＦＡにおいて観
測される値よりも低いものであった。我々は、これは、１５３０ｎｍ付近での放
出ピークにおけるアルミニウム共添加シリカのエルビウムの放出断面積が１６０
０ｎｍのそれよりも約１０倍大きいということに関係しており、これにより、よ
り長波長バンドの信号が実質的に増幅される前に、より短い波長においてかなり
の放出が起こり得るためであると考える。これは、放出ピーク近くの自然放出が
信号自体よりも高い利得係数を有する（通常、入力段の反転は、通信システムの
ＥＤＦＡに望まれる雑音性能を得るために要求される約６０％より大きいと仮定
する）という事実によって倍加され、その結果、それ以上の割合で増幅される。
さらに、低反転増幅には、通常、長いエルビウムドープファイバ長が必要とされ
る（すなわち、現在の通常のＥｒ濃度においてはＬ≧１００メートル）ので、大
量の逆方向伝播ＡＳＥが提供される。
【０００５】 エルビウムのＬバンド内に含まれる信号は、低反転増幅の特性のために、Ｃバ
ンドにまで及ぶ励起波長によって効率的に励起されるという事実認識によって、
本発明者はＬバンド利得に対する効果的な励起のために適切に管理されたＡＳＥ
を用いることの有用性を認識した。 従って、本発明の目的は、増加された帯域能力を有する、光通信システムの光
増幅器、例えばマルチバンド増幅器を提供することである。
【０００６】 本発明の他の目的は、ＷＤＭ伝送システムにおいて用いられる従来の光増幅器
と比較して、著しく拡張された帯域を有する光増幅器を提供することにある。 本発明の更なる目的は、増幅器の長波長バンド構造によって生成されるＡＳＥ
により励起される、拡張された増幅帯域を有する光増幅器を提供することである
。
【０００７】 本発明の他の目的は、望ましい雑音性能を有し、効率的な励起パワーを呈する
上述の光増幅器を提供することである。
【０００８】
【発明の概要】
これらの及びその他の目的によれば、本発明は、広く励起ソースとして効率的
にＡＳＥ（通常、１５２５ｎｍ−１５６５ｎｍの波長領域）を利用し、その結果
、従来のＣバンド増幅器以上の拡張された信号帯域を提供する構造を有する光増
幅器に向けられている。本発明の更なる特徴及び利点は、部分的には以下の説明
に記載されるか、あるいは本発明の実行によって学ばれてもよい。本発明の目的
及び他の利点は、特に請求の範囲、詳細な説明及び添付の図面に示された装置及
び方法によって実現され、得られる。
【０００９】 本発明の実施例は、直列に相互接続された第１及び第２増幅器段と、順方向又
は逆方向に当該第１又は第２増幅器段を励起し、一方の非励起増幅器段を励起す
るのに用いられる励起増幅器段からある一定の量のＡＳＥを生成する手段と、を
有する光増幅器に向けられている。 他の実施例においては、第１増幅器段から第２増幅器段に信号光を伝播させる
ためのカプラによって直列に相互接続された当該第１及び第２増幅器段と、当該
第１増幅器段に逆伝播方向に励起光を導く当該カプラを介して当該第１増幅器段
に結合された励起光源と、を有し、当該第１増幅器段を逆方向で励起することに
よって、第２増幅器段に向けその内部に伝搬するある一定の量のＡＳＥを提供し
、第２増幅器段内にＬバンド信号増幅を提供する。
【００１０】 他の実施例では、光増幅器は、第１増幅段から第２増幅段に信号光を伝播させ
、第２増幅段に順方向伝播励起光を結合するカプラによって直列に相互接続され
たエルビウムドープファイバの第１及び第２増幅段を有し、第２増幅段から第１
増幅段への逆伝播方向においてある一定の量のＡＳＥが生成され、第１増幅段に
Ｌバンド信号増幅を生じせしめる。この実施例の一態様において、当該増幅器は
、第１増幅器段からのある一定の量の非吸収ＡＳＥを受け取って転送し、第１増
幅器段に戻す手段を更に含む。
【００１１】 他の実施例においては、それぞれ長さＬ１及びＬ２の直列に接続された希土類
ドープの第１及び第２増幅段と、第１増幅段の入力に結合されて比較的高い反転
を提供して当該増幅段において実質的に励起光吸収を完了し、第１増幅段の入力
に伝搬して戻るある一定の量のＡＳＥを提供する励起光源と、当該ＡＳＥを受け
取って第２増幅段の励起源として第２増幅段の入力に転送する手段と、を有する
。この実施例の一態様において、Ｌ1／（Ｌ2＋Ｌ3）として規定された値αは、
０．５より大きい。第１増幅段の励起光源は、好ましくは、約９８０ｎｍを中心
とする波長帯にある。この実施例の一態様において、第１増幅段からのＡＳＥは
、第１段から第２段へのフィードフォーワード光路によって第２段に転送される
。
【００１２】 前述の実施例の全てにおいて、増幅段は、好ましくはシリカ・ベースのエルビ
ウムドープファイバ導波路であるが、本発明の原理は他の希土類ドープ光増幅器
、例えば、３準位遷移の長波長側で動作するツリウムドープ光増幅器に適用でき
る。 他の実施例において、略１５６５ｎｍないし１６１５ｎｍの波長範囲の光伝送
信号を増幅する方法は、シリカ・ベースのエルビウムドープファイバ、好ましく
はＥＤＦＡのエルビウムドープファイバ段を、非ＡＳＥ励起光で他のエルビウム
ドープファイバ段を励起することによって生成されるＡＳＥによって励起するス
テップを含む。この実施例の一態様において、非ＡＳＥ励起によるエルビウムド
ープファイバ段は、略９８０ｎｍ又は１４８０ｎｍを中心とする波長帯を有する
光で好ましくは励起される。この実施例の好ましい態様において、本方法は、略
９８０ｎｍを中心とする波長を有する光で第１段エルビウムドープファイバを励
起するステップと、より短い波長（９８０ｎｍ）によって励起することによって
生成されるＡＳＥにより第２段エルビウムドープファイバを励起するステップと
、を有する。本実施例の他の態様において、本方法は、第１増幅器段からのＡＳ
Ｅを第２増幅器段に転送し、当該ＡＳＥで第２増幅器段を励起するステップを含
む。本発明のこの態様は、好ましくは、第１増幅器段を迂回してＡＳＥを第２増
幅器段にフォーワードフィードするステップを含む。
【００１３】 前述の概括的な説明及び下記の詳細な説明は例示的なものであって、請求項に
係る本発明の更なる説明を提供することが目的であることが理解されるべきであ
る。 添付の図面は、本発明の更なる理解を提供するために含まれ、本明細書に含ま
れその一部をなし、説明と共に本発明の実施例を示し、本発明の原理を説明する
のに役立つ。
【００１４】 ［発明の詳細な説明］ 本発明の好適な実施例は、エルビウム利得スペクトルのＬバンド（すなわち、
１５６０−１６２０ｎｍ、図７参照）の光信号を増幅するためのＡＳＥにより励
起されるエルビウムドープ・ファイバアンプ、及びエルビウム利得スペクトルの
ＬバンドをＡＳＥにより励起し、エルビウムドープ・ファイバアンプの利得帯域
を増加させる方法に向けられている。
【００１５】 本発明の好適な実施例が以下に詳細に説明され、それらの例が本願明細書に添
付の図面に示される。 本発明の好適な実施例による光増幅器１０が図１に示されている。この増幅器
は、以下において第１増幅段と称される長さＬ1の第１エルビウムドープ・ファ
イバコイル１２、及び第２増幅段と称される長さＬ2の第２エルビウムドープ・
ファイバコイル１４を有する。ＥＤＦ１２及び１４は、図示する信号波長λsig in の伝播方向に関してＥＤＦ１２の出力をＥＤＦ１４の入力に光学的に結合する
結合装置１６によって直列に相互接続されている。第１増幅段１２を励起する励
起源１８は、コネクタ２０を介して第１増幅段１２の入力に結合されている。励
起１８は、好ましくは約９８０ｎｍを中心とする波長帯の励起波長λpumpを放射
するが、当業者が従来のＥＤＦＡの励起波長として理解するように、１４８０ｎ
ｍ励起も適している。第１増幅器段１２（すなわち、従来の励起源によって励起
される増幅器段）の長さＬ1は、式α＝Ｌ1／（Ｌ1＋Ｌ2）によって第２増幅器段
１４の長さＬ2と関連している。アルファ（α）は、０．５ないし１．０の範囲
にあるのが好ましく、より好ましくは０．８５ないし０．９５の範囲であり、α
は約０．９に等しいことが最も好ましい。従って、Ｌ1はＬ2の約４ないし５倍の
値である。励起源１８からの光によって励起されるときに、本質的に励起光の全
てが第１増幅段において吸収されるように、第１増幅段の長さを長くする（好ま
しくは、≧１００メートル）ことにより、小さな全体的反転（好ましくは、約０
．４）及び逆方向（すなわち、λpumpの反対方向）に伝播するかなりの量のＡＳ
Ｅを生じさせる。装置２２は第１増幅段１２の入力の近くに配され、ＥＤＦ1に
おいて生成された逆方向伝播ＡＳＥを、結合装置１６を迂回するフィードフォー
ワード経路２４を経て第２増幅段１４の入力に向け反射する。接続装置１６は、
通常、９８０ｎｍに等しいλpumpを効率的に伝播しないアイソレータを含む。中
心が約１５３０ｎｍのＡＳＥは、第２増幅段１４のエルビウム利得スペクトルの
Ｌバンドを効率的に励起し、当該増幅器が従来のＣバンド増幅器と結合されると
き、約８０ｎｍの広い信号帯域λsig out（すなわち、Ｃバンド＋Ｌバンド全体
）を生じる。
【００１６】 図１に示す本発明によるＡＳＥ励起増幅器と対比して、２段／二重励起エルビ
ウムドープ・ファイバアンプ３０を図２に示す。なお、可能な場合には、同様な
参照番号を用いて増幅器の対応する装置を示してある。図２に示すように、第１
エルビウムドープファイバ増幅段１２’は、接続装置１６’を介して第２エルビ
ウムドープファイバ増幅段１４’に直列に接続されている。第１励起源１８ａは
、コネクタ２０を介して第１増幅段１２ａ’の入力に励起光を送出し、第２励起
源１８ｂは、同様に、接続装置１６’を介して第２増幅段１４’の入力に励起光
を送出する。図３は、図１及び２に示される増幅器アーキテクチャに関しての所
要励起パワー及び雑音指数をα（≡Ｌ1／（Ｌ1＋Ｌ2））の関数としてプロット
したものを示す。αが０．８未満のとき、二重励起アーキテクチャと比較して２
．０ｄＢまでの低雑音指数を提供すると共に、このＡＳＥ励起方式はより多くの
励起パワー（約２ｄＢ）を必要とする。α＞０．８のとき、両アーキテクチャの
所要励起パワーは同等であるが、ＡＳＥ励起方式では１．５ｄＢ低い雑音指数が
得られる。この雑音指数の改善は、９８０ｎｍの全励起信号が第１増幅段に注入
され、実質的に吸収されたときの固有の高いフロントエンド反転によるものであ
ろう。
【００１７】 ＡＳＥ励起光増幅器４０の他の実施例が図４に示されている。長さＬ1を有す
る第１エルビウムドープファイバ増幅段１２は、カプラ４２を介して長さＬ2を
有する第２エルビウムドープファイバ増幅段１４に直列に結合されている。好ま
しくは約９８０ｎｍを中心とする波長帯の励起光を放射する励起源１８は、カプ
ラ４２を介して第２増幅段１４の入力に前方結合されている。この場合、図１の
実施例においてＬ1がＬ2に関連したのと同様に、第２増幅段１４の長さは第１増
幅段１２の長さＬ1に関連付けられる。すなわち、Ｌ2はＬ1の約４ないし５倍の
値であり、Ｌ1及びＬ2は、この場合、Ｌ2／（Ｌ1＋Ｌ2）で規定されるαとして
関連している（０．５≦α≦１．０）。第２増幅段１４の長さが比較的長いこと
（好ましくは、≧１００メートル）及び低反転レベル（好ましくは約０．４）は
、第１増幅段１２へのλpumpの方向に関して逆伝播方向のかなりのＡＳＥを生じ
させ、Ｌバンドの信号増幅のために第１増幅段を励起するのに用いられる。
【００１８】 図５に示す他の実施例において、ＡＳＥリフレクタ５２が、第１増幅段１２の
上流端の近くに配される。このように、第１増幅段１２からの残りＡＳＥは、Ａ
ＳＥの効率的な利用のためＡＳＥリフレクタ５２の反射によって増幅段１２に戻
される。当業者は、図５のＡＳＥリフレクタ５２及び図１の２２はグレーティン
グ、バンド・スプリッタ、薄膜フィルタ、ＷＤＭ装置、及び、特に他の波長帯域
の信号に影響を及ぼさないようにＡＳＥ帯域（１５２５ｎｍ−１５６５ｎｍ）の
波長バンドを反射又は転送する他の適切な装置の形をとることができる。
【００１９】 図６に示す本発明の他の実施例において、ＡＳＥ励起光増幅器６０は、カプラ
４２を介して第２エルビウムドープファイバ増幅段１４に光学的に結合された第
１エルビウムドープファイバ増幅段１２を示している。好ましくは約９８０ｎｍ
を中心とする波長帯の励起光を放射する励起源１８は、逆方向励起増幅段１２の
ためカプラ４２を介して増幅段１２に逆結合されている。上記したように、増幅
段１２が増幅段１４に比べて長く（すなわち、０．５≦α≦１．０）、段１２に
おいて低反転が維持される限り、逆方向伝播ＡＳＥ（すなわち、励起源１８から
の励起光伝播の方向と反対）が生成され、増幅段１４に結合されて段１４のＬバ
ンドを励起する。
【００２０】 上記した実施例の全てにおいて、エルビウムドープ・ファイバアンプにおいて
Ｌバンド信号増幅を生成する方法は、約１５３０ｎｍを中心とするＥｒ3+Ｃバン
ドのＡＳＥでエルビウムドープ利得媒体を励起することを含む。一方が他方の約
４−５倍の長さを有し、好ましくは、長い方が１００メートル以上の対にされた
利得段を有する増幅器が設けられているのが好ましい。長い方のエルビウムドー
プ利得媒体は、好ましくは約９８０ｎｍを中心とする波長帯の従来の励起源によ
って共通又は逆伝播方向に励起される。長い方のエルビウムドープ利得媒体の反
転が低く（好ましくは約０．４）維持されているときは、元々の励起方向とは反
対方向にかなりの量のＡＳＥが生成される。次に、この「逆」伝播ＡＳＥは、こ
こで述べられる様々な手段によって他の増幅段の入力に向けられ、図７に示すよ
うに、約１５６５−１６２０ｎｍまで拡がるＬバンド信号光の増幅を提供する。
【００２１】 説明された本発明の実施は、コイル形状ファイバのシリカ・ベースのエルビウ
ムドープ導波路によって得られると共に、エルビウムドープ利得段の長さが第１
の利得段に結合された他のエルビウムドープ利得段を励起するのに十分なＡＳＥ
を生成するのに十分である限り、プレーナ型導波路／増幅器もまた実施可能であ
ることは当業者によって認識される。さらに、本発明の原理は、例えば、ツリウ
ム・ドープされたファイバ又はハイブリッド型の、例えば酸ハロゲン（oxyhalid
e）活性ファイバを用いた他の希土類ドープ光増幅器に適用できる。
【００２２】 本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更態様及び改変が本発明の装置
及び方法でなされ得ることは当業者にとって明らかである。従って、本発明は、
添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内の変更及び改変を含むことが
意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１実施例による、第１段から第２段へのフィードフォーワードＡＳＥ
経路を有する２段ＡＳＥ励起増幅器を模式的に示す図である。
【図２】 二段励起源を有する従来の２段増幅器を模式的に示す図である。
【図３】 アルファに対する雑音指数及び所要励起パワーを、それぞれ図１及び図２のＡ
ＳＥ励起及び二段増幅器に関しての比較を示す図である。
【図４】 本発明の他の実施例によるＡＳＥ励起Ｌバンド増幅器を模式的に示す図である
。
【図５】 本発明の他の実施例によるＡＳＥ励起Ｌバンド増幅器を示す図である。
【図６】 本発明の他の実施例によるＡＳＥ励起Ｌバンド増幅器を示す図である。
【図７】 エルビウムＬバンドにおける利得対波長のプロファイルを３つの異なる反転レ
ベルに関して例示する図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＬ，ＡＭ，Ａ Ｔ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ， ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，Ｉ Ｌ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ， ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (44)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多段階、広帯域の光増幅器であって、 短波長帯及び長波長帯からなるスペクトル領域に利得スペクトルを有する希土
    類ドープがなされた利得媒体と、 前記利得媒体の１段に結合され、ある一定の量のＡＳＥが前記励起光の方向と
    逆方向に放射される励起光の光源と、 前記ＡＳＥを前記利得媒体の他の段に導く手段と、を有し、 前記ＡＳＥは、前記長波長帯を実質的に励起することを特徴とする増幅器。
  2. 【請求項２】 前記長波長帯は、当該希土類ドーパントの放出断面積が対象遷
    移のピーク値の１０％以下であるスペクトル領域を含むことを特徴とする請求項
    １記載の増幅器。
  3. 【請求項３】 前記利得媒体は、光ファイバアンプであることを特徴とする請
    求項１記載の増幅器。
  4. 【請求項４】 前記利得媒体は、プレーナ光増幅器であることを特徴とする請
    求項１記載の増幅器。
  5. 【請求項５】 前記ファイバ利得媒体は、シリカベースのエルビウムドープ光
    ファイバであることを特徴とする請求項４記載の増幅器。
  6. 【請求項６】 前記利得媒体は、直列に相互接続された少なくとも第１増幅段
    及び第２増幅段からなることを特徴とする請求項１記載の増幅器。
  7. 【請求項７】 前記第１及び第２増幅段のうちの１つは長さＬ１を、他方は長
    さＬ２をそれぞれ有し、Ｌ１／(Ｌ１＋Ｌ２)として定められる量αは、０．５≦
    α≦１．０の範囲にあることを特徴とする請求項６記載の増幅器。
  8. 【請求項８】 αは、０．８５≦α≦０．９５の範囲にあることを特徴とする
    請求項７記載の増幅器。
  9. 【請求項９】 αは、０．９にほぼ等しいことを特徴とする請求項７記載の増
    幅器。
  10. 【請求項１０】 当該非ＡＳＥ励起光は、略９８０ｎｍを中心とする波長帯に
    あることを特徴とする請求項６記載の増幅器。
  11. 【請求項１１】 当該非ＡＳＥ励起光は、略１４８０ｎｍを中心とする波長帯
    にあることを特徴とする請求項６記載の増幅器。
  12. 【請求項１２】 当該９８０ｎｍ励起光は、増幅された信号光の方向に関して
    順方向及び逆方向のいずれか１方向に伝播することを特徴とする請求項１０記載
    の増幅器。
  13. 【請求項１３】 当該１４８０ｎｍ励起光は、増幅された信号光の方向に関し
    て順方向及び逆方向のいずれか１方向に伝播することを特徴とする請求項１１記
    載の増幅器。
  14. 【請求項１４】 前記利得媒体の前記他の段に、吸収されていないＡＳＥ励起
    光を転送する手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の増幅器。
  15. 【請求項１５】 広帯域の光増幅器であって、 長さＬ1を有する第１エルビウムドープ・ファイバアンプ段（ＥＤＦ1）と、 ＥＤＦ1の出力に結合された入力を含む、長さＬ2を有する第２エルビウムドー
    プ・ファイバアンプ段（ＥＤＦ2）と、 ＥＤＦ1の入力に結合されてＥＤＦ1に反転分布を提供する励起光源と、 前記ＡＳＥを受け取ってＥＤＦ2の入力に転送し、前記ＡＳＥでＥＤＦ2を励起
    する手段と、を有し、 ＥＤＦ1内に前記励起光の比較的高吸収を有し、前記ＥＤＦ1の励起は前記励起
    光に関して逆方向に前記ＥＤＦ1の入力の方へ伝播するある一定の量の増幅され
    た自然放出（ＡＳＥ）を提供し、値α≡Ｌ1／( Ｌ1＋Ｌ2）は０．５より大きい
    ことを特徴とする増幅器。
  16. 【請求項１６】 前記励起光源は、略９８０ｎｍを中心とする波長帯の光を提
    供することを特徴とする請求項１５記載の増幅器。
  17. 【請求項１７】 前記励起光源は、略１４８０ｎｍを中心とする波長帯の光を
    提供することを特徴とする請求項１５記載の増幅器。
  18. 【請求項１８】 前記ＡＳＥを受け取って前記ＥＤＦ2の入力に転送する手段
    は、ＥＤＦ1からＥＤＦ2へのフィードフォーワード経路を有することを特徴とす
    る請求項１６記載の増幅器。
  19. 【請求項１９】 Ｌ1≧１００ｍであることを特徴とする請求項１５記載の増
    幅器。
  20. 【請求項２０】 ＥＤＦ1及びＥＤＦ2は、シリカ-ベースのＥＤＦであること
    を特徴とする請求項１５記載の増幅器。
  21. 【請求項２１】 ０．５≦α＜１．０であることを特徴とする請求項１５記載
    の増幅器。
  22. 【請求項２２】 ０．８５≦α≦０．９５であることを特徴とする請求項１５
    記載の増幅器。
  23. 【請求項２３】 α≒０．９であることを特徴とする請求項１５記載の増幅器
    。
  24. 【請求項２４】 広帯域の光増幅器であって、 入力及び出力を有する第１エルビウムドープ・ファイバアンプ段（ＥＤＦ1）
    と、 入力及び出力を有し、ＥＤＦ1の出力がＥＤＦ2の入力に結合された第２エルビ
    ウムドープ・ファイバアンプ段（ＥＤＦ2）と、 ＥＤＦ1及びＥＤＦ2の中間に配され、ＥＤＦ1からＥＤＦ2へ信号光を伝播させ
    るカプラと、 前記ＥＤＦ2の入力に結合され、励起光を順伝播方向によりＥＤＦ2に導く励起
    光源と、を有し、 前記ＥＤＦ2の順方向励起は、前記励起光に関して逆方向にＥＤＦ1に向け、Ｅ
    ＤＦ1内に伝播するある一定の量の増幅された自然放出（ＡＳＥ）を提供し、前
    記ＡＳＥは、ＥＤＦ1によるＬバンド信号増幅の励起光を実質的に提供すること
    を特徴とする増幅器。
  25. 【請求項２５】 ＥＤＦ1からある一定の量の非吸収ＡＳＥを受け取ってＥＤ
    Ｆ1に戻るように転送する手段を更に含むことを特徴とする請求項２４記載の増
    幅器。
  26. 【請求項２６】 ＥＤＦ1は長さＬ１を有し、ＥＤＦ2は長さＬ２を有し、値α
    ≡Ｌ1／( Ｌ1＋Ｌ2）は０．５より大きいことを特徴とする請求項２４記載の増
    幅器。
  27. 【請求項２７】 広帯域の光増幅器であって、 入力及び出力を有する第１希土類ドープ増幅器段（Ｓ1）と、 入力及び出力を有し、Ｓ1の出力がＳ2の入力に結合された第２希土類ドープ増
    幅器段（Ｓ2）と、 順方向及び逆方向のいずれかにおいてＳ1及びＳ2のいずれかを励起し、前記励
    起された段からある一定の量のＡＳＥを生成する手段と、を有し、 前記ＡＳＥは、それぞれ逆方向及び順方向のいずれかに伝播し、それぞれＳ2
    及びＳ1のいずれかを励起することを特徴とする増幅器。
  28. 【請求項２８】 前記ＡＳＥ励起段におけるある一定の量の非吸収ＡＳＥを受
    け取って前記ＡＳＥ励起段に戻るように転送する手段を更に含むことを特徴とす
    る請求項２７記載の増幅器。
  29. 【請求項２９】 Ｓ1及びＳ2は、エルビウムドープのシリカベース導波路から
    なることを特徴とする請求項２７記載の増幅器。
  30. 【請求項３０】 Ｓ1及びＳ2は、ファイバ導波路であることを特徴とする請求
    項２９記載の増幅器。
  31. 【請求項３１】 Ｓ1及びＳ2は、プレーナ導波路であることを特徴とする請求
    項２９記載の増幅器。
  32. 【請求項３２】 前記励起手段は、略９８０ｎｍを中心とする帯域の励起光を
    含むことを特徴とする請求項２７記載の増幅器。
  33. 【請求項３３】 前記励起手段は、略１４８０ｎｍを中心とする帯域の励起光
    を含むことを特徴とする請求項２７記載の増幅器。
  34. 【請求項３４】 Ｓ1及びＳ2のうちの少なくとも１つは、当該希土類ドーパン
    トの放出断面積が対象遷移のピーク値の１０％以下であるスペクトル領域を含む
    ことを特徴とする請求項２７記載の増幅器。
  35. 【請求項３５】 広帯域の光増幅器であって、 入力及び出力を有する第１希土類ドープ増幅器段（Ｓ1）と、 入力及び出力を有し、Ｓ1の出力がＳ2の入力に結合された第２希土類ドープ増
    幅器段（Ｓ2）と、 Ｓ1及びＳ2の中間に配され、Ｓ1からＳ2へ信号光を伝播させるカプラと、 前記Ｓ1の出力に結合され、励起光を逆伝播方向によりＳ1に導く励起光源と、
    を有し、 前記Ｓ1の逆方向励起は、前記励起光に関して順方向にＳ2に向け、Ｓ2内に伝
    播するある一定の量の増幅された自然放出（ＡＳＥ）を提供し、Ｓ2内において
    Ｌバンド信号増幅を生じせしめることを特徴とする増幅器。
  36. 【請求項３６】 前記励起光は、略９８０ｎｍを中心とするスペクトル帯域内
    にあることを特徴とする請求項３５記載の増幅器。
  37. 【請求項３７】 前記励起光は、略１４８０ｎｍを中心とするスペクトル帯域
    内にあることを特徴とする請求項３５記載の増幅器。
  38. 【請求項３８】 光通信信号を増幅する方法であって、 略１４８０ｎｍを中心とするレーザー・ダイオード又はＬＥＤ以外の手段によ
    り略１４６０ｎｍないし略１５５０ｎｍまで波長帯の光によって希土類ドープ光
    導波路増幅器段を励起し、略１５６５ｎｍ−１６１５ｎｍの間の波長範囲におい
    て前記信号を増幅するステップを有することを特徴とする方法。
  39. 【請求項３９】 当該増幅器段を非ＡＳＥ光によって励起された他の増幅器段
    からのＡＳＥ光によって励起するステップを有することを特徴とする請求項３８
    記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記ＡＳＥは、前記他の増幅器段を略９８０ｎｍを中心とす
    る波長帯の光で励起することによって提供されることを特徴とする請求項３９記
    載の方法。
  41. 【請求項４１】 対象とする信号遷移についてのピーク値の１０％以下である
    当該希土類ドーパントの放出断面積を有する信号波長範囲のスペクトル領域を励
    起するステップを有することを特徴とする請求項３８記載の方法。
  42. 【請求項４２】 光学長Ｌ１を有する非ＡＳＥ励起増幅器段を設けるステップ
    と、 光学長Ｌ２を有するＡＳＥ励起増幅器段を設けるステップと、を有し、 値α≡Ｌ1／( Ｌ1＋Ｌ2）は０．５より大きいことを特徴とする請求項３９記
    載の方法。
  43. 【請求項４３】 略１５６５ｎｍ−１６１５ｎｍの波長範囲においてＥＤＦＡ
    内で光通信信号を増幅する方法であって、 長さＬ1を有する第１のシリカベースＥＤＦを設けるステップと、 前記第１ＥＤＦに直列に結合され、値α≡Ｌ1／( Ｌ1＋Ｌ2）が０．５より大
    きな、長さＬ2を有する第２のシリカベースＥＤＦを設けるステップと、 前記第１ＥＤＦを、実質的に光の全てが前記第１ＥＤＦにより吸収され、これ
    により、一定の量のＡＳＥが前記第１ＥＤＦから前記励起光の逆方向に放出され
    るように略９８０ｎｍを中心とする波長帯の前記光で励起するステップと、 前記ＡＳＥを前記第２ＥＤＦに転送し、当該転送されたＡＳＥで前記第２ＥＤ
    Ｆを励起し、これにより、非ＡＳＥ励起ＥＤＦに比べて改善された雑音指数を前
    記ＥＤＦＡが有することを特徴とする方法。
  44. 【請求項４４】 前記ＡＳＥを前記第２ＥＤＦに転送するステップは、前記第
    １ＥＤＦを迂回して前記ＡＳＥを前記第２ＥＤＦ内にフォワードフィードするこ
    とを特徴とする請求項４３記載の方法。
JP2000577742A 1998-10-16 1999-09-17 光増幅器のａｓｅの処理及び利用 Pending JP2002528901A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10453698P 1998-10-16 1998-10-16
US60/104,536 1998-10-16
PCT/US1999/021502 WO2000024094A1 (en) 1998-10-16 1999-09-17 Management and utilization of ase in optical amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002528901A true JP2002528901A (ja) 2002-09-03

Family

ID=22301002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000577742A Pending JP2002528901A (ja) 1998-10-16 1999-09-17 光増幅器のａｓｅの処理及び利用

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6233092B1 (ja)
EP (1) EP1121733A1 (ja)
JP (1) JP2002528901A (ja)
KR (1) KR20010089300A (ja)
CN (1) CN1323458A (ja)
AU (1) AU6391999A (ja)
CA (1) CA2346664A1 (ja)
TW (1) TW515133B (ja)
WO (1) WO2000024094A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7136219B2 (en) 2003-02-21 2006-11-14 Fujitsu Limited Optical amplifier using delayed phase matching fiber
US7650074B2 (en) 2005-03-30 2010-01-19 Fujitsu Limited Optical transmission apparatus
JP2011138933A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Fujitsu Ltd 光増幅器

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3808632B2 (ja) * 1998-06-18 2006-08-16 富士通株式会社 光増幅器及び光増幅方法
KR100326119B1 (ko) * 1999-06-23 2002-03-07 윤종용 씨드-빔을 이용한 엘-밴드 광섬유 증폭기
KR100350482B1 (ko) * 1999-07-22 2002-08-28 삼성전자 주식회사 비동기전송모드 무선접속망의 고장관리방법
US6459526B1 (en) * 1999-08-09 2002-10-01 Corning Incorporated L band amplifier with distributed filtering
US6507429B1 (en) * 1999-08-26 2003-01-14 Agere Systems Inc. Article comprising a high power/broad spectrum superfluorescent fiber radiation source
US6441953B1 (en) * 2000-04-24 2002-08-27 Corning Incorporated L band multistage amplifier with improved noise figure
KR100399578B1 (ko) * 2000-11-29 2003-09-26 한국전자통신연구원 장파장 이득대역 어븀 첨가 광섬유 증폭기 및 역방향 진행자연방출광 차단 방법
US6396623B1 (en) * 2000-12-19 2002-05-28 Onetta, Inc. Wide-band optical amplifiers with interleaved gain stages
JP4388705B2 (ja) * 2001-01-31 2009-12-24 富士通株式会社 光増幅器
JP2002232044A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujitsu Ltd 光ファイバ増幅器
US6731426B2 (en) 2001-02-23 2004-05-04 Photon-X, Inc. Long wavelength optical amplifier
US6507430B2 (en) 2001-02-23 2003-01-14 Photon X, Inc. Long wavelength optical amplifier
US6476960B1 (en) * 2001-05-21 2002-11-05 Corning Incorporated Thulium doped fiber amplifier pumping scheme
US6388802B1 (en) 2001-07-31 2002-05-14 Seneca Networks Reduction of ASE in WDM optical ring networks
US6421168B1 (en) 2001-07-31 2002-07-16 Seneca Networks Reduction of ASE in WDM optical ring networks
US6781748B2 (en) 2001-09-28 2004-08-24 Photon-X, Llc Long wavelength optical amplifier
WO2003044569A2 (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Photon-X, Inc. L band optical amplifier
KR100810859B1 (ko) * 2001-12-28 2008-03-06 엘지노텔 주식회사 엘밴드 광신호의 효율적 광증폭 이득향상 장치
KR100424630B1 (ko) * 2002-02-14 2004-03-25 삼성전자주식회사 엘-밴드 어븀첨가 광섬유 증폭기
US6690508B2 (en) 2002-03-26 2004-02-10 Fujitsu Network Communications, Inc. Control system and method for an optical amplifier
GB0208082D0 (en) * 2002-04-08 2002-05-22 Marconi Comm Ltd Optical amplifiers
KR100480259B1 (ko) * 2002-12-14 2005-04-07 삼성전자주식회사 툴륨 첨가 광섬유 증폭기
KR100474701B1 (ko) * 2003-05-20 2005-03-10 삼성전자주식회사 이득 조절이 가능한 광대역 광섬유 증폭기
KR100557170B1 (ko) * 2003-11-14 2006-03-03 삼성전자주식회사 광대역 광원
CN1317600C (zh) * 2003-12-30 2007-05-23 武汉光迅科技股份有限公司 用自发辐射光源为辅助泵浦的增益位移型掺铥光纤放大器
US7876497B2 (en) * 2008-05-09 2011-01-25 Institut National D'optique Multi-stage long-band optical amplifier with ASE re-use
US9509113B2 (en) * 2014-06-17 2016-11-29 Fujitsu Limited Transient gain cancellation for optical amplifiers
DE102021103243A1 (de) 2021-02-11 2022-08-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Faserlaseranordnung und Verfahren zur Erzeugung von Hochleistungs-Laserstrahlung
CN116937300A (zh) * 2022-04-11 2023-10-24 华为技术有限公司 光纤放大器和光传输系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185749A (en) * 1990-09-18 1993-02-09 The Board Of Trustee Of The Leland Stanford Junior University Large signal three-level superfluorescent fiber sources
JP3048398B2 (ja) * 1991-03-28 2000-06-05 株式会社東芝 光ファイバ増幅装置
US5191586A (en) * 1991-07-18 1993-03-02 General Instrument Corporation Narrow band incoherent optical carrier generator
US5440417A (en) * 1993-10-04 1995-08-08 At&T Corp. System for spectrum-sliced fiber amplifier light for multi-channel wavelength-division-multiplexed applications
JPH09107141A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光増幅装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7136219B2 (en) 2003-02-21 2006-11-14 Fujitsu Limited Optical amplifier using delayed phase matching fiber
US8194309B2 (en) 2003-02-21 2012-06-05 Fujitsu Limited Optical amplifier using delayed phase matching fiber
US7650074B2 (en) 2005-03-30 2010-01-19 Fujitsu Limited Optical transmission apparatus
JP2011138933A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Fujitsu Ltd 光増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
CN1323458A (zh) 2001-11-21
WO2000024094A1 (en) 2000-04-27
AU6391999A (en) 2000-05-08
US6233092B1 (en) 2001-05-15
TW515133B (en) 2002-12-21
CA2346664A1 (en) 2000-04-27
KR20010089300A (ko) 2001-09-29
EP1121733A1 (en) 2001-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002528901A (ja) 光増幅器のａｓｅの処理及び利用
US6437907B1 (en) Wide-band optical fiber amplifier and amplifying method thereof
JP3571967B2 (ja) 高出力変換効率を有する長波長帯域向きの光ファイバ増幅器
US6731426B2 (en) Long wavelength optical amplifier
JP4179662B2 (ja) 光増幅器及び能動型光ファイバ
US6646796B2 (en) Wide band erbium-doped fiber amplifier (EDFA)
GB2326998A (en) Optical fibre amplifier using a circulator and a fibre-loop mirror
JP2001077451A (ja) フィードバックループを用いた長波長帯域光ファイバー増幅器
US6507430B2 (en) Long wavelength optical amplifier
US20030035204A1 (en) Two-stage L-band erbium-doped fiber amplifier and method thereof
WO2002049170A2 (en) Composite optical amplifier
JP3884716B2 (ja) 利得向上を伴う広帯域エルビウム添加光ファイバ増幅器
JP2003243755A (ja) Ｌバンドエルビウム添加光ファイバ増幅器
US6556342B1 (en) Thulium doped fiber pump for pumping Raman amplifiers
JP2003273431A (ja) バンドクロストークを最小化する広帯域エルビウム添加光ファイバ増幅器
US7095552B2 (en) Raman optical fiber amplifier using erbium doped fiber
US6781748B2 (en) Long wavelength optical amplifier
JPH1174597A (ja) 吸収体を有する光増幅器
US6307669B1 (en) L-band amplification with detuned 980nm pump
JP2002252399A (ja) 光増幅器
US6246515B1 (en) Apparatus and method for amplifying an optical signal
JP2003198022A (ja) 光増幅器及びそれを用いた光伝送システム
US20040196535A1 (en) Long wavelength optical amplifier with C-band seed
JPWO2007034563A1 (ja) 光増幅器
JPH0575191A (ja) １．３μｍ帯光フアイバ増幅器