JP2002525775A - 二重周波数動作用の薄膜テープ書込み用ヘッド - Google Patents
二重周波数動作用の薄膜テープ書込み用ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
入力電流の実質的に同一の振幅が、磁気テープ上にデータ遷移及び等化パルスの双方を書込むために使用されることを可能とする薄膜書込み用ヘッドが記載されている。データ遷移はデータ周波数未満の周波数で生ずる。各等化パルスはデータ周波数よりも相当に大きな等化周波数で書込まれる信号である。薄膜書込み用ヘッドは、上部極、底部極、並びに、それら上部及び底部の極の間の導電性コイルを含む。上部極、底部極、並びに、導電性コイルは、入力電流を導電性コイルを介してヘッド磁場に変換することによって、磁気テープ上に書込み等化ディジタル・データストリームを書込むための電磁石を形成している。入力電流のデータ周波数での変換は、入力電流の等化周波数での変換と実質的に同一のヘッド磁場振幅と成る。これは、データ周波数で飽和させるためにギャップ深さを増大することによって達成され得る。
Description
【０００１】 技術分野 本発明は、磁気テープ上にディジタル・データ遷移及び等化パルスを記録する
ための薄膜テープ書込み用ヘッドに関する。
ための薄膜テープ書込み用ヘッドに関する。
【０００２】 発明の背景 書込み用ヘッドはディジタル情報を担持する電流信号を磁場に変換する。この
磁場は、磁気テープが書込み用ヘッドを通過する際に該磁気テープ上に磁束パタ
ーンを印加する。次いで読取りヘッドはその記録された磁束パターンを検知して
、ディジタル信号を回復する。１つの共通した入力書込み信号が図１ａに示され
ている。バイナリ信号２０は入力書込み信号２２に変換されている。入力書込み
信号２２は非ゼロ復帰逆転（ＮＲＺＩ）信号である。この特定のＮＲＺＩコード
において、各１はデータ遷移によって表現され、その内の１つが参照符号２４で
示され、各０がレシーバ電子機器におけるデータ・クロックに関連されるように
遷移の欠如で表現される。入力書込み信号２２が書込み用ヘッドへ供給され、テ
ープ２６がその書込み用ヘッド上を移動すると、データ場（データ磁場）２８，
３０が図２ａに示されるようにテープ２６上に書込まれる。各データ遷移２４は
隣接データ磁場２８，３０間で磁化方向における変化を生ずる。
磁場は、磁気テープが書込み用ヘッドを通過する際に該磁気テープ上に磁束パタ
ーンを印加する。次いで読取りヘッドはその記録された磁束パターンを検知して
、ディジタル信号を回復する。１つの共通した入力書込み信号が図１ａに示され
ている。バイナリ信号２０は入力書込み信号２２に変換されている。入力書込み
信号２２は非ゼロ復帰逆転（ＮＲＺＩ）信号である。この特定のＮＲＺＩコード
において、各１はデータ遷移によって表現され、その内の１つが参照符号２４で
示され、各０がレシーバ電子機器におけるデータ・クロックに関連されるように
遷移の欠如で表現される。入力書込み信号２２が書込み用ヘッドへ供給され、テ
ープ２６がその書込み用ヘッド上を移動すると、データ場（データ磁場）２８，
３０が図２ａに示されるようにテープ２６上に書込まれる。各データ遷移２４は
隣接データ磁場２８，３０間で磁化方向における変化を生ずる。
【０００３】 テープ２６が読取りヘッド上を通過すると、データ磁場２８，３０が出力信号
３２を読取るように変換される。その読取りヘッドに接続された電子機器は閾値
検出器等の手段を用いて、読取った出力信号３２からバイナリ信号２０を回復す
る。しかしながら、図３ａで判明されるように、バイナリ信号２０における複数
のゼロから成る長いストリングは読取った出力信号３２において大きな揺動を生
ずる。これは読取り電子機器を紛糾する。
３２を読取るように変換される。その読取りヘッドに接続された電子機器は閾値
検出器等の手段を用いて、読取った出力信号３２からバイナリ信号２０を回復す
る。しかしながら、図３ａで判明されるように、バイナリ信号２０における複数
のゼロから成る長いストリングは読取った出力信号３２において大きな揺動を生
ずる。これは読取り電子機器を紛糾する。
【０００４】 この問題を考察する１つの方法は、バイナリ信号２０におけるゼロから成る長
いストリングがテープ２６上の長いデータ磁場３０となることである。磁束場（
又は磁束磁場）３０は磁石である。データ磁場３０の長さがより長ければ、その
結果としての磁石の強さはより大きい。それ故に、読取った出力信号３２の振幅
における大きな揺動を低減することは長いデータ磁場３０を粉々にすることによ
って達成可能である。
いストリングがテープ２６上の長いデータ磁場３０となることである。磁束場（
又は磁束磁場）３０は磁石である。データ磁場３０の長さがより長ければ、その
結果としての磁石の強さはより大きい。それ故に、読取った出力信号３２の振幅
における大きな揺動を低減することは長いデータ磁場３０を粉々にすることによ
って達成可能である。
【０００５】 長いデータ磁場３０を粉々にする方法は、入力書込み信号２２内に高周波数の
短いパルスを含めることである。これは図１ｂに示される書込み−等化入力信号
３４として知られる信号を作り出す。等化パルス３６は、バイナリ信号２０にお
ける幾つかのゼロ或は全てのゼロを表している箇所で入力書込み信号２２に付加
される。等化パルス３６は読取りヘッド及びチャンネルの有効周波数範囲外の信
号から成る。書込み−等化信号３４が図２ｂに示されるようにテープ３８上に書
込まれると、等化パルス３６は高周波磁場４０として書込まれる。これは、高周
波記録が読取りヘッドによって再生されような高周波末梢になぞらえる。
短いパルスを含めることである。これは図１ｂに示される書込み−等化入力信号
３４として知られる信号を作り出す。等化パルス３６は、バイナリ信号２０にお
ける幾つかのゼロ或は全てのゼロを表している箇所で入力書込み信号２２に付加
される。等化パルス３６は読取りヘッド及びチャンネルの有効周波数範囲外の信
号から成る。書込み−等化信号３４が図２ｂに示されるようにテープ３８上に書
込まれると、等化パルス３６は高周波磁場４０として書込まれる。これは、高周
波記録が読取りヘッドによって再生されような高周波末梢になぞらえる。
【０００６】 高周波磁場４０を含むテープ３８が読取りヘッドによって読取られると、各高
周波磁場４０は磁束密度を何等作り出さない領域として検知される。図３ｂに示
されている読取り出力信号４２は、それ故に、高周波磁場４０を有することがな
いテープ２６からの読取り出力信号３２に見られる大きな振幅揺動を含まない。
従って、より簡略化された閾値回路が読取り電子機器内に使用され得る。
周波磁場４０は磁束密度を何等作り出さない領域として検知される。図３ｂに示
されている読取り出力信号４２は、それ故に、高周波磁場４０を有することがな
いテープ２６からの読取り出力信号３２に見られる大きな振幅揺動を含まない。
従って、より簡略化された閾値回路が読取り電子機器内に使用され得る。
【０００７】 等化パルス３６を書込み−等化される入力信号（又は読取り等化入力信号）３
４内のどこに配置すべきかを決定するために数多くの技術が可能である。例えば
、バイナリ信号２０内の各ゼロは対応する等化パルス３６を生成できる。図１ｂ
に示されるパターンを生成する技術は、書込み−等化入力信号３４を生成する追
加技術と書込み等化の議論と共に、引用することでこの明細書に合体する、Ｒｉ
ｃｈａｒｄ Ｃ． Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ著の「Ｗｒｉｔｅ Ｅｑｕａｌｉｚａｔ
ｉｏｎ Ｆｏｒ Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ （ｄ， ｋ） Ｃｏｄｅｓ」、ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ， Ｖｏｌ． ２４
， Ｎｏ． ６， Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９８８， ｐｐ．２５３３−２５３５
に記載されている。
４内のどこに配置すべきかを決定するために数多くの技術が可能である。例えば
、バイナリ信号２０内の各ゼロは対応する等化パルス３６を生成できる。図１ｂ
に示されるパターンを生成する技術は、書込み−等化入力信号３４を生成する追
加技術と書込み等化の議論と共に、引用することでこの明細書に合体する、Ｒｉ
ｃｈａｒｄ Ｃ． Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ著の「Ｗｒｉｔｅ Ｅｑｕａｌｉｚａｔ
ｉｏｎ Ｆｏｒ Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ （ｄ， ｋ） Ｃｏｄｅｓ」、ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ， Ｖｏｌ． ２４
， Ｎｏ． ６， Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９８８， ｐｐ．２５３３−２５３５
に記載されている。
【０００８】 テープ３８上に書込み−等化される入力信号３４を書込むための先行技術に係
るテープヘッドの断面図が図４に示されている。書込み用ヘッド５０は一体とな
って電磁石を形成する、底部極５２、上部極５４、並びに、伝導性コイル５６を
含む。図２ｂ及び図４を参照して、書込み用ヘッド５０の動作が説明される。電
流が導電性コイル５６に付加されると、参照符号５８で示される磁場がギャップ
を横切るように作り出される。テープ３８はギャップ５８を通って移動すると、
磁場２８，３０，４０がテープ３８上に書込まれる。
るテープヘッドの断面図が図４に示されている。書込み用ヘッド５０は一体とな
って電磁石を形成する、底部極５２、上部極５４、並びに、伝導性コイル５６を
含む。図２ｂ及び図４を参照して、書込み用ヘッド５０の動作が説明される。電
流が導電性コイル５６に付加されると、参照符号５８で示される磁場がギャップ
を横切るように作り出される。テープ３８はギャップ５８を通って移動すると、
磁場２８，３０，４０がテープ３８上に書込まれる。
【０００９】 先行技術のテープヘッド５０に伴う１つの難題は、等化パルス３６用にギャッ
プ５８において所望の大きさの磁場を作り出すために必要とされる入力電流の振
幅が、データ遷移２４に対する大きさと実質的に同一の大きさを有する磁場をギ
ャップ５８で作り出すために必要される電流の振幅よりも相当に大きいことであ
る。これの結果、書込み等化される入力信号３４を作り出すために複雑な書込み
等化回路となる。
プ５８において所望の大きさの磁場を作り出すために必要とされる入力電流の振
幅が、データ遷移２４に対する大きさと実質的に同一の大きさを有する磁場をギ
ャップ５８で作り出すために必要される電流の振幅よりも相当に大きいことであ
る。これの結果、書込み等化される入力信号３４を作り出すために複雑な書込み
等化回路となる。
【００１０】 その他の難題は、テープ３８への書込みの際に充分な等化が付加され得ない場
合に引き起こされる。第１として、複雑な等化回路が検出されたデータ遷移２４
の形を作り直すために必要される。この形の作り直しは、読取り信号対雑音比を
低下し得る高周波数成分を押し上げる必要があり得る。第２として、充分な等化
の欠如は読取りヘッドに見られる磁化におけるより大きな揺動を生ずる。これら
のより大きな揺動は読取りヘッドにおける非線形性によって歪みを増大する。第
３として、低周波数信号は高周波数信号よりもテープ３８により大きな深さで記
録を為すために、記録深さは必要とされるものよりも大きい。増大された記録深
さはテープ３８の上書きを低下し得ると共にヘッド５０上のテープ３８の速度に
対する制限範囲となり得る。
合に引き起こされる。第１として、複雑な等化回路が検出されたデータ遷移２４
の形を作り直すために必要される。この形の作り直しは、読取り信号対雑音比を
低下し得る高周波数成分を押し上げる必要があり得る。第２として、充分な等化
の欠如は読取りヘッドに見られる磁化におけるより大きな揺動を生ずる。これら
のより大きな揺動は読取りヘッドにおける非線形性によって歪みを増大する。第
３として、低周波数信号は高周波数信号よりもテープ３８により大きな深さで記
録を為すために、記録深さは必要とされるものよりも大きい。増大された記録深
さはテープ３８の上書きを低下し得ると共にヘッド５０上のテープ３８の速度に
対する制限範囲となり得る。
【００１１】 必要とされていることは、実質的に同等の磁場の強さの振幅をギャップ５８に
作り出すために、データ遷移２４の場合よりも等化パルス３６に対する入力電流
の大きさが実質的に大きくなることを必要としない薄膜書込み用ヘッドである。
このテープヘッドは製造に関して経済的であるべきであり、且つ、先行技術に係
るヘッドと構造において同様であるべきである。
作り出すために、データ遷移２４の場合よりも等化パルス３６に対する入力電流
の大きさが実質的に大きくなることを必要としない薄膜書込み用ヘッドである。
このテープヘッドは製造に関して経済的であるべきであり、且つ、先行技術に係
るヘッドと構造において同様であるべきである。
【００１２】 発明の概要 本発明の目的は、所望の磁場レベルのために、データ遷移を作り出す場合より
も、等化パルスを作り出すための入力電流の大きさが実質的に大きくなることを
必要としない薄膜テープヘッドを提供することである。
も、等化パルスを作り出すための入力電流の大きさが実質的に大きくなることを
必要としない薄膜テープヘッドを提供することである。
【００１３】 本発明の別の目的は、データ磁場用及び高周波等化磁場用に、磁気テープ上に
実質的に同一の場（又は磁場）の強さを作り出す薄膜テープヘッドを提供するこ
とである。
実質的に同一の場（又は磁場）の強さを作り出す薄膜テープヘッドを提供するこ
とである。
【００１４】 本発明の更に別の目的は、製造に関して経済的である薄膜書込み用ヘッドを提
供することである。
供することである。
【００１５】 本発明の更なる別の目的は、テープデッキに使用された場合、より簡略化され
た書込み等化回路を必要とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
た書込み等化回路を必要とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
【００１６】 本発明の更なる目的は、テープデッキに使用された場合、より簡略化された読
取り等化回路を必要とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
取り等化回路を必要とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
【００１７】 本発明の更なる目的は、テープデッキに使用された場合、読取り信号対雑音比
を改善する薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
を改善する薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
【００１８】 また本発明の別の目的は、テープデッキに使用された場合、読取り歪みを低減
する薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
する薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
【００１９】 また本発明の更なる別の目的は、テープデッキに使用された場合、テープ媒体
の厚み及び書込み電流の大きさとは略独立している記録深さを作り出す薄膜書込
み用ヘッドを提供することである。
の厚み及び書込み電流の大きさとは略独立している記録深さを作り出す薄膜書込
み用ヘッドを提供することである。
【００２０】 また本発明の更なる目的は、テープデッキに使用された場合、様々なテープ速
度で均一な記録を可能とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
度で均一な記録を可能とする薄膜書込み用ヘッドを提供することである。
【００２１】 本発明の所期の目的及び他の目的や特徴を実行するために、磁気テープ上に書
込み等化ディジタル・データストリームを書込むために薄膜書込み用ヘッドが提
供される。書込み等化データストリームはデータ遷移及び等化パルスを含む。デ
ータ遷移はデータ周波数未満の周波数で生ずる。各等化パルスは、データ周波数
よりも相当に大きな等化周波数で書込まれる信号である。薄膜書込み用ヘッドは
、上部極、底部極、並びに、それら上部極及び底部極の間に配置された導電性コ
イルを含む。上部極、底部極、並びに、導電性コイルは、入力電流を導電性コイ
ルを介してヘッド磁場に変換することによって磁気テープ上に書込み等化ディジ
タル・データストリームを書込むための電磁石を形成する。上部極及び底部極は
、データ周波数での入力電流の変換が入力電流の等化周波数での変換と実質的に
同一のヘッド磁場振幅と成るように設計されている。これは、入力電流の実質的
に同一の振幅が、テープ上にデータ遷移及び等化パルスの双方を書込むために使
用されることを可能としている。
込み等化ディジタル・データストリームを書込むために薄膜書込み用ヘッドが提
供される。書込み等化データストリームはデータ遷移及び等化パルスを含む。デ
ータ遷移はデータ周波数未満の周波数で生ずる。各等化パルスは、データ周波数
よりも相当に大きな等化周波数で書込まれる信号である。薄膜書込み用ヘッドは
、上部極、底部極、並びに、それら上部極及び底部極の間に配置された導電性コ
イルを含む。上部極、底部極、並びに、導電性コイルは、入力電流を導電性コイ
ルを介してヘッド磁場に変換することによって磁気テープ上に書込み等化ディジ
タル・データストリームを書込むための電磁石を形成する。上部極及び底部極は
、データ周波数での入力電流の変換が入力電流の等化周波数での変換と実質的に
同一のヘッド磁場振幅と成るように設計されている。これは、入力電流の実質的
に同一の振幅が、テープ上にデータ遷移及び等化パルスの双方を書込むために使
用されることを可能としている。
【００２２】 本発明の一実施例において、データ周波数は３ＭＨｚ未満であり、等化周波数
は１６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間である。
は１６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間である。
【００２３】 別の実施例において、テープは電磁石におけるギャップを通過する際に書込ま
れるテープ面を有する。ギャップは、底部極と平行する上部極を有すると共に、
テープ面に垂直な方向に延在する両極を有する。上部極が底部極から狭小な絶縁
ギャップ層によって分離されている。ギャップが、前記テープ面に垂直な方向へ
の狭小絶縁ギャップ層の長さとして規定されるギャップ深さを有する。データ周
波数での入力電流の変換が等化周波数での入力電流の変換と実質的に同一のヘッ
ド磁場振幅と成ることが、ギャップ深さを調節することによって達成されている
。
れるテープ面を有する。ギャップは、底部極と平行する上部極を有すると共に、
テープ面に垂直な方向に延在する両極を有する。上部極が底部極から狭小な絶縁
ギャップ層によって分離されている。ギャップが、前記テープ面に垂直な方向へ
の狭小絶縁ギャップ層の長さとして規定されるギャップ深さを有する。データ周
波数での入力電流の変換が等化周波数での入力電流の変換と実質的に同一のヘッ
ド磁場振幅と成ることが、ギャップ深さを調節することによって達成されている
。
【００２４】 また別の実施例において、上部極及び底部極はコバルト、ニッケル、並びに、
鉄からの少なくとも１つの元素を含む。
鉄からの少なくとも１つの元素を含む。
【００２５】 上部極及び底部極がコバルト−ジルコニア−タンタルから成る更なる実施例に
おいて、ギャップ深さは５ミクロン及び１０ミクロンの間である。最も好ましく
は、ギャップ深さは８ミクロンである。
おいて、ギャップ深さは５ミクロン及び１０ミクロンの間である。最も好ましく
は、ギャップ深さは８ミクロンである。
【００２６】 別の薄膜書込み用ヘッドが提供され、第１振幅を有する入力電流を等化周波数
で磁化回転を介して磁束に変換することによって等化パルスを書込むための第１
領域を含む。また書込み用ヘッドは、第２振幅を有する入力電流をデータ周波数
で磁区移動を介して磁束に変換することによってデータ遷移を書込むための第２
領域を含む。この第２領域は、もし第１振幅が第２振幅と実質的に同等であれば
、磁化回転によって作り出された磁束が磁区移動によって作り出された磁束と実
質的に同一の磁場の強さを作り出すように設計されている。一実施例において、
第１領域及び第２領域が共通である。
で磁化回転を介して磁束に変換することによって等化パルスを書込むための第１
領域を含む。また書込み用ヘッドは、第２振幅を有する入力電流をデータ周波数
で磁区移動を介して磁束に変換することによってデータ遷移を書込むための第２
領域を含む。この第２領域は、もし第１振幅が第２振幅と実質的に同等であれば
、磁化回転によって作り出された磁束が磁区移動によって作り出された磁束と実
質的に同一の磁場の強さを作り出すように設計されている。一実施例において、
第１領域及び第２領域が共通である。
【００２７】 別の薄膜書込み用ヘッドが提供され、磁気テープがその上に通過することにな
る端部を有する基板を含む。絶縁層がその基板上にデポジットされる。磁気底部
極はその絶縁層上にデポジットされる。コイル機構が、磁気テープがその上に通
過することになる基板の端部から隔たった配置された底部極の第１部上に構築さ
れる。絶縁ギャップ層は、コイル機構及び底部極の第２部の上に構築される。こ
の第２部は、磁気テープがその上を通過することになるがコイル機構によって覆
われていない基板の端部の近辺に配置された領域を画成する。磁気上部極はギャ
ップ層上にデポジットされる。上部極、底部極、並びに、コイル機構は、入力電
流をコイル機構を介してヘッド磁場に変換することによって、磁気テープ上に書
込み等化ディジタル・データストリームを書込むための電磁石を形成する。書込
み用ヘッドは、底部極の第２部、該底部極における第２部上方のギャップ層の一
部、並びに、底部極における第２部上方の上部極の一部とによって形成されたギ
ャップを有する。このギャップは、底部極における第２部上方のギャップ層のテ
ープ面に垂直な方向への長さとして規定されたギャップ深さを有する。このギャ
ップ深さは、入力電流のデータ周波数での変換が入力電流の等化周波数での変換
と実質的に同一のヘッド磁場振幅と成るように設計されている。
る端部を有する基板を含む。絶縁層がその基板上にデポジットされる。磁気底部
極はその絶縁層上にデポジットされる。コイル機構が、磁気テープがその上に通
過することになる基板の端部から隔たった配置された底部極の第１部上に構築さ
れる。絶縁ギャップ層は、コイル機構及び底部極の第２部の上に構築される。こ
の第２部は、磁気テープがその上を通過することになるがコイル機構によって覆
われていない基板の端部の近辺に配置された領域を画成する。磁気上部極はギャ
ップ層上にデポジットされる。上部極、底部極、並びに、コイル機構は、入力電
流をコイル機構を介してヘッド磁場に変換することによって、磁気テープ上に書
込み等化ディジタル・データストリームを書込むための電磁石を形成する。書込
み用ヘッドは、底部極の第２部、該底部極における第２部上方のギャップ層の一
部、並びに、底部極における第２部上方の上部極の一部とによって形成されたギ
ャップを有する。このギャップは、底部極における第２部上方のギャップ層のテ
ープ面に垂直な方向への長さとして規定されたギャップ深さを有する。このギャ
ップ深さは、入力電流のデータ周波数での変換が入力電流の等化周波数での変換
と実質的に同一のヘッド磁場振幅と成るように設計されている。
【００２８】 磁気テープ上に書込み等化ディジタル・データストリームを書込むためのテー
プデッキも記載されている。テープデッキは、ホストプロセッサからのデータを
受信すると共に、テープ上への書込みに適合するデータ・フォーマットで入力書
込み信号を作り出すホスト・インターフェースを含む。書込みイコライザーはそ
の入力書込み信号を受信し、データ遷移及び等化パルスを含む書込み等化入力信
号を作り出す。書込みドライバはその書込み等化入力信号を書込み電流に変換す
る。薄膜書込み用ヘッドは、その書込み電流をヘッド磁場に変換する。書込み用
ヘッドは、上部極、底部極、並びに、それら上部極及び底部極の間に配置された
導電性コイルを含み、上部極、底部極、並びに、導電性コイルは電磁石を形成し
ている。書込み電流のデータ周波数での変換は、書込み電流の等化周波数での変
換と実質的に同一のヘッド磁場振幅を生じさせ、それによって入力電流の実質的
に同一の振幅がデータ遷移及び等化パルス双方がテープ上への書込みのために使
用されることを可能としている。
プデッキも記載されている。テープデッキは、ホストプロセッサからのデータを
受信すると共に、テープ上への書込みに適合するデータ・フォーマットで入力書
込み信号を作り出すホスト・インターフェースを含む。書込みイコライザーはそ
の入力書込み信号を受信し、データ遷移及び等化パルスを含む書込み等化入力信
号を作り出す。書込みドライバはその書込み等化入力信号を書込み電流に変換す
る。薄膜書込み用ヘッドは、その書込み電流をヘッド磁場に変換する。書込み用
ヘッドは、上部極、底部極、並びに、それら上部極及び底部極の間に配置された
導電性コイルを含み、上部極、底部極、並びに、導電性コイルは電磁石を形成し
ている。書込み電流のデータ周波数での変換は、書込み電流の等化周波数での変
換と実質的に同一のヘッド磁場振幅を生じさせ、それによって入力電流の実質的
に同一の振幅がデータ遷移及び等化パルス双方がテープ上への書込みのために使
用されることを可能としている。
【００２９】 本発明の上記目的及び他の目的、特徴、並びに、長所等は、添付図面と関連さ
せて解釈することで、発明を実施する最善のモードの詳細な説明から容易に明ら
かとなるであろう。
せて解釈することで、発明を実施する最善のモードの詳細な説明から容易に明ら
かとなるであろう。
【００３０】 発明を実施するための最良のモード 図４を参照すると、先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドの概念的断面図が示さ
れている。書込み用ヘッド５０は、典型的にはＡｌＴｉＣから形成された基板６
０を含む。この基板６０は磁気テープ３８の面が通過することになる端部６２を
有する。典型的にはアルミナから形成される絶縁層６４が基板６０上にデポジッ
トされている。磁気底部極５２は絶縁層６４上にデポジットされている。コイル
機構６６は基板端部６２から隔てられ配置された底部極５２の一部上に構築され
ている。コイル機構６６は、典型的には銅で形成された導電性コイル５６を３つ
のフォトレジスト・プレーナ６８の中央層内に埋め込むことによって構築され得
る。典型的にはアルミナで形成された薄い絶縁ギャップ層７２がコイル機構６６
と、基板６０の端部６２近辺における底部極５２の一部とにデポジットされてい
る。上部極５４はギャップ層７２上にデポジットされ、底部極５２の一部はギャ
ップ層７２で覆われていない。底部極５２及び上部極５４は、テープ３８が書込
み用ヘッド５０上を通過する際に該テープ３８の面に対して垂直方向又は法線方
向に延在している。底部極５２及び上部極５４は、典型的には、コバルト、ニッ
ケル、並びに、鉄の各種元素の内の少なくとも１つを含む合金或はアモルファス
混合物から形成されている。両極５２，５４に対して選択された材料は適切な磁
気的、電気的、物理的な特性を有しなければならない。典型的にはアルミナであ
る保護層７４が上部極５４上にデポジットされている。
れている。書込み用ヘッド５０は、典型的にはＡｌＴｉＣから形成された基板６
０を含む。この基板６０は磁気テープ３８の面が通過することになる端部６２を
有する。典型的にはアルミナから形成される絶縁層６４が基板６０上にデポジッ
トされている。磁気底部極５２は絶縁層６４上にデポジットされている。コイル
機構６６は基板端部６２から隔てられ配置された底部極５２の一部上に構築され
ている。コイル機構６６は、典型的には銅で形成された導電性コイル５６を３つ
のフォトレジスト・プレーナ６８の中央層内に埋め込むことによって構築され得
る。典型的にはアルミナで形成された薄い絶縁ギャップ層７２がコイル機構６６
と、基板６０の端部６２近辺における底部極５２の一部とにデポジットされてい
る。上部極５４はギャップ層７２上にデポジットされ、底部極５２の一部はギャ
ップ層７２で覆われていない。底部極５２及び上部極５４は、テープ３８が書込
み用ヘッド５０上を通過する際に該テープ３８の面に対して垂直方向又は法線方
向に延在している。底部極５２及び上部極５４は、典型的には、コバルト、ニッ
ケル、並びに、鉄の各種元素の内の少なくとも１つを含む合金或はアモルファス
混合物から形成されている。両極５２，５４に対して選択された材料は適切な磁
気的、電気的、物理的な特性を有しなければならない。典型的にはアルミナであ
る保護層７４が上部極５４上にデポジットされている。
【００３１】 代替構造において、絶縁ギャップ層７２はコイル機構６６及び上部極５４の間
の代わりに、底部極５２及びコイル機構６６の間にデポジットされ得る。
の代わりに、底部極５２及びコイル機構６６の間にデポジットされ得る。
【００３２】 上部極５４、底部極５２、並びに、コイル機構６６における導電性コイル５６
は電磁石を形成している。導電性コイル５６を通る入力電流は電磁石によってギ
ャップ５８におけるヘッド場（又はヘッド磁場）に変換される。ギャップ５８の
厚みは、基板６０における端部６２上のギャップ層７２の厚みによって決定され
る。全般的に参照符号７６で示されるギャップ深さｄは、テープ３８が書込み用
ヘッド５０上を通過する際に該テープ３８の面に対して垂直方向であり、底部極
５２がコイル機構６６で覆われていない底部極５２の上方でのギャップ層７２の
長さとして規定される。
は電磁石を形成している。導電性コイル５６を通る入力電流は電磁石によってギ
ャップ５８におけるヘッド場（又はヘッド磁場）に変換される。ギャップ５８の
厚みは、基板６０における端部６２上のギャップ層７２の厚みによって決定され
る。全般的に参照符号７６で示されるギャップ深さｄは、テープ３８が書込み用
ヘッド５０上を通過する際に該テープ３８の面に対して垂直方向であり、底部極
５２がコイル機構６６で覆われていない底部極５２の上方でのギャップ層７２の
長さとして規定される。
【００３３】 図４に示されるテープヘッド５０は狭小トラックの長尺蛇行データ・テープ・
レコーディングに対して多重的に使用され得る。テープ・トラックはテープ３８
上に横たわっており、各テープ・パス（通過）毎にテープ３８を横切る異なる横
方向箇所を想定すれば、一回でＮ個のトラックがヘッド５０上方のＭ回のテープ
・パス（通過）を使用する。テープ３８は各パス毎に両相対方向を通過し、それ
によってテープ３８をＮ×Ｍ本のトラックで一杯にする。ここに記載されている
実施例の場合、テープ３８はテープヘッド５０上を毎秒２メートルの速さで移動
する。テープ３８上に書込まれる磁場２８，３０，４０の幅と略同等であるギャ
ップ５８の幅は３６ミクロンである。ギャップ５８の長さは該ギャップ５８内の
ギャップ層７２の厚み或は約０．６から０．７ミクロンである。先行技術に係る
テープヘッド５０において、ギャップ深さ７６は３ミクロンである。
レコーディングに対して多重的に使用され得る。テープ・トラックはテープ３８
上に横たわっており、各テープ・パス（通過）毎にテープ３８を横切る異なる横
方向箇所を想定すれば、一回でＮ個のトラックがヘッド５０上方のＭ回のテープ
・パス（通過）を使用する。テープ３８は各パス毎に両相対方向を通過し、それ
によってテープ３８をＮ×Ｍ本のトラックで一杯にする。ここに記載されている
実施例の場合、テープ３８はテープヘッド５０上を毎秒２メートルの速さで移動
する。テープ３８上に書込まれる磁場２８，３０，４０の幅と略同等であるギャ
ップ５８の幅は３６ミクロンである。ギャップ５８の長さは該ギャップ５８内の
ギャップ層７２の厚み或は約０．６から０．７ミクロンである。先行技術に係る
テープヘッド５０において、ギャップ深さ７６は３ミクロンである。
【００３４】 ここで図５を参照すると、薄膜書込み用ヘッドを形成するために使用され得る
磁性材料に対する周波数の関数としての相対的透磁率の概念グラフが示されてい
る。一般に、相対的な透磁率がより大きければ、その材料から形成される電磁石
はより効率的となる。よって、所与の振幅の入力電流はより大きな磁場ヘッドの
強さを作り出すことになる。
磁性材料に対する周波数の関数としての相対的透磁率の概念グラフが示されてい
る。一般に、相対的な透磁率がより大きければ、その材料から形成される電磁石
はより効率的となる。よって、所与の振幅の入力電流はより大きな磁場ヘッドの
強さを作り出すことになる。
【００３５】 参照符号９０で全般的に示される相対的透磁率曲線は、低周波数の平坦部９２
において高い相対的透磁率、遷移部９４、その遷移部９４以上の周波数での平坦
部９６において低い相対的透磁率をそれぞれ有する。高い相対的透磁率部９２に
おいて、透磁率効果は磁性材料における磁区壁運動が支配的である。低い相対的
透磁率部９６において、透磁率効果は磁化回転が支配的である。
において高い相対的透磁率、遷移部９４、その遷移部９４以上の周波数での平坦
部９６において低い相対的透磁率をそれぞれ有する。高い相対的透磁率部９２に
おいて、透磁率効果は磁性材料における磁区壁運動が支配的である。低い相対的
透磁率部９６において、透磁率効果は磁化回転が支配的である。
【００３６】 典型的には、データ遷移２４が入力書込み信号２２において生じ得る最大速度
に対応する周波数は、遷移部９４において見られる周波数よりも小さい。また、
典型的には、等化パルス３６の周波数は遷移部９４に対する周波数よりも大きい
。よって、透磁率曲線９０によって説明された材料から形成された電磁石はデー
タ遷移２４に対する場合よりも書込み等化パルス３６に対する効率より相当に低
くなっている。よって、入力電流に対するより大きな振幅が、高周波磁場４０と
同一の磁場の強さを有するデータ磁場２８，３０に対する場合よりも高周波磁場
４０を作り出すために必要とされる。
に対応する周波数は、遷移部９４において見られる周波数よりも小さい。また、
典型的には、等化パルス３６の周波数は遷移部９４に対する周波数よりも大きい
。よって、透磁率曲線９０によって説明された材料から形成された電磁石はデー
タ遷移２４に対する場合よりも書込み等化パルス３６に対する効率より相当に低
くなっている。よって、入力電流に対するより大きな振幅が、高周波磁場４０と
同一の磁場の強さを有するデータ磁場２８，３０に対する場合よりも高周波磁場
４０を作り出すために必要とされる。
【００３７】 解決策は、等化周波数での第１振幅を伴う入力電流を磁化回転を介しての磁束
に変換することによって、等化パルスを書込むように動作する書込み用ヘッドの
第１領域を設けることである。書込み用ヘッドの第２領域は、データ周波数での
第２振幅を伴う入力電流を磁区移動を介しての磁束に変換することによって、デ
ータ遷移を書込むように動作する。この第２領域は飽和するように設計されて、
第１振幅が第２振幅と実質的に同等であれば、磁化回転によって作り出される磁
束が磁区移動によって作り出される磁束と実質的に同一の磁場の強さをテープ３
８上に作り出すようになる。好適実施例において、第１領域及び第２領域は１つ
の共通領域である。
に変換することによって、等化パルスを書込むように動作する書込み用ヘッドの
第１領域を設けることである。書込み用ヘッドの第２領域は、データ周波数での
第２振幅を伴う入力電流を磁区移動を介しての磁束に変換することによって、デ
ータ遷移を書込むように動作する。この第２領域は飽和するように設計されて、
第１振幅が第２振幅と実質的に同等であれば、磁化回転によって作り出される磁
束が磁区移動によって作り出される磁束と実質的に同一の磁場の強さをテープ３
８上に作り出すようになる。好適実施例において、第１領域及び第２領域は１つ
の共通領域である。
【００３８】 次に図６を参照すると、本発明の実施例に従った薄膜書込み用ヘッドの概念的
な断面図が示されている。この薄膜書込み用ヘッド１００は書込み用ヘッド５０
と同一材料及び同一方式で構成されている。書込み用ヘッド５０及び書込み用ヘ
ッド１００の間での相違は、ギャップ５８と比べてギャップ１０２の幾何形状で
ある。特にギャップ深さ１０４は調節されて、データ周波数での入力電流の変換
が等化周波数での入力電流の変換と実質的に同一のヘッド磁場振幅が生ずるよう
に為している。
な断面図が示されている。この薄膜書込み用ヘッド１００は書込み用ヘッド５０
と同一材料及び同一方式で構成されている。書込み用ヘッド５０及び書込み用ヘ
ッド１００の間での相違は、ギャップ５８と比べてギャップ１０２の幾何形状で
ある。特にギャップ深さ１０４は調節されて、データ周波数での入力電流の変換
が等化周波数での入力電流の変換と実質的に同一のヘッド磁場振幅が生ずるよう
に為している。
【００３９】 次に図７乃至図９を参照すると、先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドと本発明
に係る薄膜書込み用ヘッドに対するテスト結果が示されている。テストされたこ
れらの書込み用ヘッドは先の図４及び図６に示される構造を有したものである。
に係る薄膜書込み用ヘッドに対するテスト結果が示されている。テストされたこ
れらの書込み用ヘッドは先の図４及び図６に示される構造を有したものである。
【００４０】 そして図７を参照すると、先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドと本発明に係る
薄膜書込み用ヘッドに対する入力電流に対する相対的磁場の強さを比較したグラ
フが示されている。これらグラフは、３ミクロンのギャップ深さ７６を有する書
込み用ヘッド５０に対するＤＣ（直流）電流の関数としての相対的なヘッド磁場
の強さを曲線１１０で示し、そして、８ミクロンのギャップ深さ１０４を有する
書込み用ヘッド１１０に対するＤＣ（直流）電流の関数としての相対的なヘッド
磁場の強さを曲線１１２で示している。相対的なヘッド磁場の強さは磁力顕微鏡
を用いて測定された。磁力顕微鏡は磁場の強さと比例する振動の周波数で振動す
る先端を有する。先行技術に係る書込み用ヘッド５０に対する曲線１１０は、増
大する入力電流に対して、ヘッド磁場の強さに関して相対的に安定した増大を示
している。しかしながら、曲線１１２は、入力電流の約６０ミリアンペアで飽和
している書込み用ヘッド１００を示している。書込み用ヘッド５０，１００の周
波数応答がＤＣからデータ周波数を超えるまで相対的に一定であるので、ＤＣ入
力電流は使用可能である。
薄膜書込み用ヘッドに対する入力電流に対する相対的磁場の強さを比較したグラ
フが示されている。これらグラフは、３ミクロンのギャップ深さ７６を有する書
込み用ヘッド５０に対するＤＣ（直流）電流の関数としての相対的なヘッド磁場
の強さを曲線１１０で示し、そして、８ミクロンのギャップ深さ１０４を有する
書込み用ヘッド１１０に対するＤＣ（直流）電流の関数としての相対的なヘッド
磁場の強さを曲線１１２で示している。相対的なヘッド磁場の強さは磁力顕微鏡
を用いて測定された。磁力顕微鏡は磁場の強さと比例する振動の周波数で振動す
る先端を有する。先行技術に係る書込み用ヘッド５０に対する曲線１１０は、増
大する入力電流に対して、ヘッド磁場の強さに関して相対的に安定した増大を示
している。しかしながら、曲線１１２は、入力電流の約６０ミリアンペアで飽和
している書込み用ヘッド１００を示している。書込み用ヘッド５０，１００の周
波数応答がＤＣからデータ周波数を超えるまで相対的に一定であるので、ＤＣ入
力電流は使用可能である。
【００４１】 次に図８を参照すると、テープへ書込む変動ギャップ深さを伴う薄膜書込み用
ヘッド・ファミリーの複数のメンバーに対する入力電流振幅の関数としての正規
化された読取り信号振幅のグラフが示されている。１．４ミクロン、３ミクロン
（２つ）、４．５ミクロン、６ミクロン、並びに、８ミクロンのギャップ深さ７
６，１０４を有する書込み用ヘッド５０，１００のファミリーが構築された。各
書込み用ヘッド５０，１００は２．７ＭＨｚ正弦波信号を、１０ミリアンペアか
ら１２０ミリアンペアまでの範囲の入力電流ピーク振幅で磁気テープ上に書込む
ために使用された。読取りヘッドは、記録されたテープから以上の結果としての
磁束を読取るべく使用された。図８における各種グラフは、６５ミリアンペアの
入力書込み電流から生ずる読取り磁場出力の強さに正規化したものである。曲線
１２０は１．４ミクロンのギャップ深さを伴う書込み用ヘッドの結果を示してい
る。曲線１２２及び１２４は、各々が３ミクロンのギャップ深さ７４を有してい
る２つの装置の結果を示している。曲線１２６、１２８、並びに、１３０は、そ
れぞれ、４．５ミクロン、６ミクロン、並びに、８ミクロンのギャップ深さ１０
４を有する装置の結果を示している。
ヘッド・ファミリーの複数のメンバーに対する入力電流振幅の関数としての正規
化された読取り信号振幅のグラフが示されている。１．４ミクロン、３ミクロン
（２つ）、４．５ミクロン、６ミクロン、並びに、８ミクロンのギャップ深さ７
６，１０４を有する書込み用ヘッド５０，１００のファミリーが構築された。各
書込み用ヘッド５０，１００は２．７ＭＨｚ正弦波信号を、１０ミリアンペアか
ら１２０ミリアンペアまでの範囲の入力電流ピーク振幅で磁気テープ上に書込む
ために使用された。読取りヘッドは、記録されたテープから以上の結果としての
磁束を読取るべく使用された。図８における各種グラフは、６５ミリアンペアの
入力書込み電流から生ずる読取り磁場出力の強さに正規化したものである。曲線
１２０は１．４ミクロンのギャップ深さを伴う書込み用ヘッドの結果を示してい
る。曲線１２２及び１２４は、各々が３ミクロンのギャップ深さ７４を有してい
る２つの装置の結果を示している。曲線１２６、１２８、並びに、１３０は、そ
れぞれ、４．５ミクロン、６ミクロン、並びに、８ミクロンのギャップ深さ１０
４を有する装置の結果を示している。
【００４２】 １０ミリアンペア及び６５ミリアンペアの間での各曲線１２０，１２２，１２
４，１２６，１２８，１３０は、磁極５２，５４を形成すべく使用されたＣＺＴ
材に対するＢ−Ｈ曲線から予想され得るように、増大する入力電流の関数として
の増大する記録振幅を示している。しかしながら曲線１２０を考察すると、６５
ミリアンペアを超える増大電流は位相効果によって減少する読取り磁場出力とな
る。増大入力書込み電流はヘッド磁場を増大させ、それはテープ３８の幅及び長
さにわたって書込まれた磁場の対応する増大となる。結局、現行書込まれる磁場
は先行して書込まれた磁場と干渉する。この効果はテープ・レコーディングにお
いて周知である。ギャップ深さ７６，１０４が増大すれば、ギャップは増大する
入力電流振幅で飽和しがちである。よって、１２２，１２４，１２６，１２８，
１３０は、ギャップ深さ７６，１０４が増大すると、増大入力書込み電流に対し
て読取り出力において漸次より少なく減少する（位相効果）。
４，１２６，１２８，１３０は、磁極５２，５４を形成すべく使用されたＣＺＴ
材に対するＢ−Ｈ曲線から予想され得るように、増大する入力電流の関数として
の増大する記録振幅を示している。しかしながら曲線１２０を考察すると、６５
ミリアンペアを超える増大電流は位相効果によって減少する読取り磁場出力とな
る。増大入力書込み電流はヘッド磁場を増大させ、それはテープ３８の幅及び長
さにわたって書込まれた磁場の対応する増大となる。結局、現行書込まれる磁場
は先行して書込まれた磁場と干渉する。この効果はテープ・レコーディングにお
いて周知である。ギャップ深さ７６，１０４が増大すれば、ギャップは増大する
入力電流振幅で飽和しがちである。よって、１２２，１２４，１２６，１２８，
１３０は、ギャップ深さ７６，１０４が増大すると、増大入力書込み電流に対し
て読取り出力において漸次より少なく減少する（位相効果）。
【００４３】 特定の書込み用ヘッドの構造及び材料、磁気テープ構造、テープ速さ、並びに
、使用された書込み信号周波数に対して、少なくとも５ミクロンのギャップ深さ
１０４を有する書込み用ヘッド１００は書込み電流を入力すべく充分な飽和を提
供する。ギャップ深さ１０４は１０ミクロン未満に限定されるべきであり、それ
によって極５２，５４の減少された効率による過剰な磁束減衰を防止する。好適
実施例において、ギャップ深さ１０４は８ミクロンである。
、使用された書込み信号周波数に対して、少なくとも５ミクロンのギャップ深さ
１０４を有する書込み用ヘッド１００は書込み電流を入力すべく充分な飽和を提
供する。ギャップ深さ１０４は１０ミクロン未満に限定されるべきであり、それ
によって極５２，５４の減少された効率による過剰な磁束減衰を防止する。好適
実施例において、ギャップ深さ１０４は８ミクロンである。
【００４４】 次に図９を参照すると、２つの先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドと本発明の
一実施例に係る薄膜書込み用ヘッドとに対する入力電流振幅の関数としての密度
比のグラフが示されている。密度比は相互に大きく離間されたデータ遷移によっ
て作り出される磁場の振幅の、相互に密に離間されたデータ遷移によって作り出
された磁場の振幅に対する比として規定される。図９にグラフ化されたデータの
場合、１に７個のゼロが追従された繰り返しパターンと、全て１であるパターン
とから成るバイナリ信号２０が使用された。その結果としての信号は図１ｂに示
されているものと等化の書込みであった。曲線１２０及び１２２は密度比が、入
力書込み電流の振幅が増大している約１．７から約９５ミリアンペアまで密度比
が増大していることを示している。約９５ミリアンペア以降、密度比は曲線１２
０の場合には約１．９５まで減少し、曲線１２２の場合には約１．７まで減少す
る。対照的に、９ミクロンのギャップ深さを有する書込み用ヘッド１００に対す
る曲線１２４は７０ミリアンペアでの１．６５の密度比から１１０ミリアンペア
での約１．２の密度比まで安定して減少している。１に近い密度比が望ましい。
しかしながら１．５未満の密度比は、改善された書込み等化レベルを実証する等
化パルスによって作り出された磁場と実質的に同一振幅を有するデータ遷移によ
って作り出された磁場に成ると考えられる。
一実施例に係る薄膜書込み用ヘッドとに対する入力電流振幅の関数としての密度
比のグラフが示されている。密度比は相互に大きく離間されたデータ遷移によっ
て作り出される磁場の振幅の、相互に密に離間されたデータ遷移によって作り出
された磁場の振幅に対する比として規定される。図９にグラフ化されたデータの
場合、１に７個のゼロが追従された繰り返しパターンと、全て１であるパターン
とから成るバイナリ信号２０が使用された。その結果としての信号は図１ｂに示
されているものと等化の書込みであった。曲線１２０及び１２２は密度比が、入
力書込み電流の振幅が増大している約１．７から約９５ミリアンペアまで密度比
が増大していることを示している。約９５ミリアンペア以降、密度比は曲線１２
０の場合には約１．９５まで減少し、曲線１２２の場合には約１．７まで減少す
る。対照的に、９ミクロンのギャップ深さを有する書込み用ヘッド１００に対す
る曲線１２４は７０ミリアンペアでの１．６５の密度比から１１０ミリアンペア
での約１．２の密度比まで安定して減少している。１に近い密度比が望ましい。
しかしながら１．５未満の密度比は、改善された書込み等化レベルを実証する等
化パルスによって作り出された磁場と実質的に同一振幅を有するデータ遷移によ
って作り出された磁場に成ると考えられる。
【００４５】 次に図１０を参照すると、本発明に従った書込み用ヘッドを含むテープデッキ
のブロック線図が示されている。参照符号１３０で全般的に示されるテープデッ
キはホストプロセッサ１３２からデータを受信できると共に、テープ３８上にデ
ータの表示を書込むことができる。テープデッキ１３０はテープ３８からデータ
表示を読取って、そのデータをホストプロセッサ１３２へ送信することもできる
。
のブロック線図が示されている。参照符号１３０で全般的に示されるテープデッ
キはホストプロセッサ１３２からデータを受信できると共に、テープ３８上にデ
ータの表示を書込むことができる。テープデッキ１３０はテープ３８からデータ
表示を読取って、そのデータをホストプロセッサ１３２へ送信することもできる
。
【００４６】 ホスト・インターフェース１３４はデータをホストプロセッサ１３２から受信
し該ホストプロセッサ１３２へ送信する。ホスト・インターフェース１３４はデ
ータ・フォーマッタ１３６を含むことができ、磁気媒体への書込みのために適切
にデータをフォーマットする。このフォーマットは一意となるように各記録の識
別、記録長の提供、その記録の圧縮状態の記載、データが１つ或はそれ以上のト
ラックにわたってどのように分散されるべきかの決定、或はその類のために、特
別な磁場（複数）を含み得る。ホスト・インターフェース１３４はランレングス
（ｒｕｎ ｌｅｎｇｔｈ）制限された（ＲＬＬ）エンコーダ１３８を含むことも
できる。このＲＬＬエンコーダ１３８はデータをより容易に検出され得るような
フォーマットに変換する。この変換はデータストリームにおける連続的なゼロの
数の制限をも為し得る。ひとたびホスト・インターフェース１３４によって処理
されたならば、ホストプロセッサ１３２からの入力書込み信号２２は磁気テープ
３８上への書込み用にフォーマットされている。
し該ホストプロセッサ１３２へ送信する。ホスト・インターフェース１３４はデ
ータ・フォーマッタ１３６を含むことができ、磁気媒体への書込みのために適切
にデータをフォーマットする。このフォーマットは一意となるように各記録の識
別、記録長の提供、その記録の圧縮状態の記載、データが１つ或はそれ以上のト
ラックにわたってどのように分散されるべきかの決定、或はその類のために、特
別な磁場（複数）を含み得る。ホスト・インターフェース１３４はランレングス
（ｒｕｎ ｌｅｎｇｔｈ）制限された（ＲＬＬ）エンコーダ１３８を含むことも
できる。このＲＬＬエンコーダ１３８はデータをより容易に検出され得るような
フォーマットに変換する。この変換はデータストリームにおける連続的なゼロの
数の制限をも為し得る。ひとたびホスト・インターフェース１３４によって処理
されたならば、ホストプロセッサ１３２からの入力書込み信号２２は磁気テープ
３８上への書込み用にフォーマットされている。
【００４７】 書込みイコライザー１４０は、引き続く読取り動作中におけるより活発な検出
を可能とするように入力書込み信号２２を事前歪曲する。特に高周波等化パルス
３６は、書込み等化入力信号３４を形成すべく、入力書込み信号２２内へ挿入さ
れ得る。等化パルス３６の挿入は磁気テープ３８から再生された読取り出力信号
４２におけるダイナミックレンジを低減する。書込み用ヘッド１００をテープデ
ッキ１３０内へ含めることは、より簡略化された回路が書込みイコライザー１４
０用に使用されることを可能とし、その理由は、書込み等化入力信号３４に対す
る高周波利得がもはや必要ないからである。
を可能とするように入力書込み信号２２を事前歪曲する。特に高周波等化パルス
３６は、書込み等化入力信号３４を形成すべく、入力書込み信号２２内へ挿入さ
れ得る。等化パルス３６の挿入は磁気テープ３８から再生された読取り出力信号
４２におけるダイナミックレンジを低減する。書込み用ヘッド１００をテープデ
ッキ１３０内へ含めることは、より簡略化された回路が書込みイコライザー１４
０用に使用されることを可能とし、その理由は、書込み等化入力信号３４に対す
る高周波利得がもはや必要ないからである。
【００４８】 書込みドライバ１４２は書込みイコライザー１４０からの書込み等化入力信号
３４を交替する極を有する書込み電流１４４に変換する。書込み電流１４４の大
きさは誤差性能を最適化すべく調節され得る。
３４を交替する極を有する書込み電流１４４に変換する。書込み電流１４４の大
きさは誤差性能を最適化すべく調節され得る。
【００４９】 ヘッド１００は、書込みドライバ１４２からテープ３８上に磁場２８，３０，
４０を書込むヘッド磁場に書込み電流１４４を変換する。書込み用ヘッド１００
は先の図５乃至図９を通じて説明されている。書込み用ヘッド１００のテープデ
ッキ内への使用は、充分な量の等化パルス３６を書込み等化入力信号３４内へ許
容することを含む数多くの利点を提供する。これはヘッド磁場の低周波成分の大
きさを低減する。低周波成分はテープ３８上により深い記録深さを作り出すため
に、書込み用ヘッド１００の使用は記録深さを全般的に低減しより均一に為す。
低減された記録深さは、先行する磁場２８，３０，４０上に新しい磁場２８，３
０，４０を書込んだ後、テープ３８上に先行する磁場２８，３０，４０の著しい
量が残存する可能性を低減する。また、低減され且つ均一な記録深さはテープ３
８を、書込み用ヘッド１００及び読取りヘッド１４６上に、さもなければあり得
るようなものよりも広範な速度範囲内での速度で移動させ得る。
４０を書込むヘッド磁場に書込み電流１４４を変換する。書込み用ヘッド１００
は先の図５乃至図９を通じて説明されている。書込み用ヘッド１００のテープデ
ッキ内への使用は、充分な量の等化パルス３６を書込み等化入力信号３４内へ許
容することを含む数多くの利点を提供する。これはヘッド磁場の低周波成分の大
きさを低減する。低周波成分はテープ３８上により深い記録深さを作り出すため
に、書込み用ヘッド１００の使用は記録深さを全般的に低減しより均一に為す。
低減された記録深さは、先行する磁場２８，３０，４０上に新しい磁場２８，３
０，４０を書込んだ後、テープ３８上に先行する磁場２８，３０，４０の著しい
量が残存する可能性を低減する。また、低減され且つ均一な記録深さはテープ３
８を、書込み用ヘッド１００及び読取りヘッド１４６上に、さもなければあり得
るようなものよりも広範な速度範囲内での速度で移動させ得る。
【００５０】 読取りヘッド１４６はテープ３８から磁場２８，３０，４０を読取る。読取り
ヘッド１４６は誘導センサとして、或は、好ましくは磁気抵抗（ＭＲ）センサと
して構築され得る。一般に、高周波磁場４０は読取りヘッド１４６の作動範囲外
にある周波数で記録され、よって、テープデッキ１３０の読取り部に直接的な影
響を与えない。しかしながら、もし高周波磁場４０の大きさが充分でなければ、
過剰な低周波数含有物が読取り出力信号４２に現れることになる。ＭＲ読取りヘ
ッド１４６は偶数順序の調波を生成する非線形性を示し、過剰な低周波数成分は
読取り出力信号４２を歪ませる。
ヘッド１４６は誘導センサとして、或は、好ましくは磁気抵抗（ＭＲ）センサと
して構築され得る。一般に、高周波磁場４０は読取りヘッド１４６の作動範囲外
にある周波数で記録され、よって、テープデッキ１３０の読取り部に直接的な影
響を与えない。しかしながら、もし高周波磁場４０の大きさが充分でなければ、
過剰な低周波数含有物が読取り出力信号４２に現れることになる。ＭＲ読取りヘ
ッド１４６は偶数順序の調波を生成する非線形性を示し、過剰な低周波数成分は
読取り出力信号４２を歪ませる。
【００５１】 プリアンプ１４８は読取り出力信号４２を増幅する。もし読取りヘッド１４６
がＭＲ読取りヘッドであれば、プリアンプ１４８はＭＲ読取りヘッド１４６用に
必要とされるバイアスを提供するバイアス供給源をも含み得る。
がＭＲ読取りヘッドであれば、プリアンプ１４８はＭＲ読取りヘッド１４６用に
必要とされるバイアスを提供するバイアス供給源をも含み得る。
【００５２】 読取りイコライザー１５０は増幅された読取り出力信号４２を整形する。整形
には、周波数の関数としての１つ或はそれ以上の振幅等化、絶縁されたパルスの
幅を低減するパルス整形、読取り信号対雑音比を改善する低域濾波、並びに、そ
うした類を含むことができる。もし読取り出力信号４２における低周波数成分の
大きさが低減されたならば、パルス分散がより少ない。よって、読取りイコライ
ザー１５０はそんなに整形を実行する必要性はない。パルスを狭小化するか、或
は、遷移を先鋭化する整形は高周波数成分そしてそれ故に高周波数雑音を押し上
げるので、より少ない雑音低減が必要とされる。それ故に、読取りイコライザー
１５０の回路は書込み用ヘッド１００をテープデッキ１３０に含めることによっ
て簡略化される。
には、周波数の関数としての１つ或はそれ以上の振幅等化、絶縁されたパルスの
幅を低減するパルス整形、読取り信号対雑音比を改善する低域濾波、並びに、そ
うした類を含むことができる。もし読取り出力信号４２における低周波数成分の
大きさが低減されたならば、パルス分散がより少ない。よって、読取りイコライ
ザー１５０はそんなに整形を実行する必要性はない。パルスを狭小化するか、或
は、遷移を先鋭化する整形は高周波数成分そしてそれ故に高周波数雑音を押し上
げるので、より少ない雑音低減が必要とされる。それ故に、読取りイコライザー
１５０の回路は書込み用ヘッド１００をテープデッキ１３０に含めることによっ
て簡略化される。
【００５３】 自動利得制御（ＡＧＣ）１５２は読取りイコライザー１５０の出力を正規化す
る。全ての読取りヘッド１４６は出力振幅に変動を表示する。また、書込み電流
１４４の大きさ、ヘッド１００，１４６、テープ３８、並びに、その類の間の間
隔等のシステム変動は振幅変動に寄与する。ＡＧＣ１５２はこの変動を低減する
。
る。全ての読取りヘッド１４６は出力振幅に変動を表示する。また、書込み電流
１４４の大きさ、ヘッド１００，１４６、テープ３８、並びに、その類の間の間
隔等のシステム変動は振幅変動に寄与する。ＡＧＣ１５２はこの変動を低減する
。
【００５４】 検出器及びクロック・リカバリ１５４は大きさが正規化された読取り信号を受
け取って、データ磁場２８，３０間に記録された遷移の時間的な箇所を決定する
。クロック・リカバリは、遷移箇所の決定に必要とされる基準周波数及び位相を
決定する。
け取って、データ磁場２８，３０間に記録された遷移の時間的な箇所を決定する
。クロック・リカバリは、遷移箇所の決定に必要とされる基準周波数及び位相を
決定する。
【００５５】 もしホスト・インターフェース１３４がＲＬＬエンコーダ１３８を含めば、Ｒ
ＬＬデコーダ１５６をも含まなくてはならない。ＲＬＬデコーダ１５６はＲＬＬ
エンコーダ１３８によって実行されたコード化を元に戻す。データ・フォーマッ
タ１３６はそのコード化解除されたデータストリームを受け取って、ホストプロ
セッサ１３２による受領用にそのデータをフォーマットする。
ＬＬデコーダ１５６をも含まなくてはならない。ＲＬＬデコーダ１５６はＲＬＬ
エンコーダ１３８によって実行されたコード化を元に戻す。データ・フォーマッ
タ１３６はそのコード化解除されたデータストリームを受け取って、ホストプロ
セッサ１３２による受領用にそのデータをフォーマットする。
【００５６】 以上、本発明を実行する最善のモードが詳細に記載されたが、他の具現化も本
発明の精神及び範囲の中で可能である。例えば、ギャップ幅及びギャップ厚みは
変更され得る。また、上部極、底部極、或は、それら双方の一部はギャップが同
様な効果を作り出す範囲で狭小化され得る。
発明の精神及び範囲の中で可能である。例えば、ギャップ幅及びギャップ厚みは
変更され得る。また、上部極、底部極、或は、それら双方の一部はギャップが同
様な効果を作り出す範囲で狭小化され得る。
【００５７】 以上に記載された最善モードは、書込み用ヘッド構造、磁気テープ構造、テー
プ速さ、等化技術、並びに、使用された書込み用ヘッド材料の特定の組み合わせ
に対応している。獲得された数値的結果における変動はこれら変数の内の１つ或
はそれ以上を変更することによって予想可能である。
プ速さ、等化技術、並びに、使用された書込み用ヘッド材料の特定の組み合わせ
に対応している。獲得された数値的結果における変動はこれら変数の内の１つ或
はそれ以上を変更することによって予想可能である。
【００５８】 この発明が関係する技術に精通したものであれば、特許請求の範囲によって記
載された発明を実施する様々な代替的設計及び実施例を理解するであろう。
載された発明を実施する様々な代替的設計及び実施例を理解するであろう。
【図１】 図１ａは、バイナリ信号と対応する概念的ＮＲＺＩ入力書込み信
号を示しており、図１ｂは、書込み等化入力信号を作り出すための等化パルスの
追加を伴う、図１の信号を示している。
号を示しており、図１ｂは、書込み等化入力信号を作り出すための等化パルスの
追加を伴う、図１の信号を示している。
【図２】 図２ａは、図１ａの入力書込み信号によって書込まれた反対極の
磁性領域を含むテープの概略図であり、図２ｂは、図１ｂの書込み等化入力信号
によって書込まれた反対極の磁性領域を含むテープの概略図である。
磁性領域を含むテープの概略図であり、図２ｂは、図１ｂの書込み等化入力信号
によって書込まれた反対極の磁性領域を含むテープの概略図である。
【図３】 図３ａは、図２ａのテープの読取りヘッド上の通過によって生ず
る概念的な読取り信号を示しており、図３ｂは、図２ｂのテープの読取りヘッド
上の通過によって生ずる概念的な読取り信号を示している。
る概念的な読取り信号を示しており、図３ｂは、図２ｂのテープの読取りヘッド
上の通過によって生ずる概念的な読取り信号を示している。
【図４】 先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドの概念的な断面図である。
【図５】 薄膜書込み用ヘッドを製作すべく使用され得る磁性材料に対する
周波数の関数としての相対的透磁率を示す概念的グラフである。
周波数の関数としての相対的透磁率を示す概念的グラフである。
【図６】 本発明の実施例に従った薄膜書込み用ヘッドの概念的断面図であ
る。
る。
【図７】 先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドと本発明の実施例に係る薄膜
書込み用ヘッドに対する、入力電流振幅と相対的磁場の強さとを比較したグラフ
である。
書込み用ヘッドに対する、入力電流振幅と相対的磁場の強さとを比較したグラフ
である。
【図８】 テープ上への記録を為すギャップ深さの変動を伴った各種の薄膜
書込み用ヘッドのファミリーの内のメンバーに対する、入力電流振幅の関数とし
ての正規化された読み戻し振幅を示すグラフである。
書込み用ヘッドのファミリーの内のメンバーに対する、入力電流振幅の関数とし
ての正規化された読み戻し振幅を示すグラフである。
【図９】 ２つの先行技術に係る薄膜書込み用ヘッドと、本発明の実施例に
係る薄膜書込み用ヘッドとに対する、入力電流振幅の関数としての密度比のグラ
フである。
係る薄膜書込み用ヘッドとに対する、入力電流振幅の関数としての密度比のグラ
フである。
【図１０】 本発明に係る書込み用ヘッドを含むテープデッキのブロック線
図である。
図である。
２２ 入力書込み信号 ２４ データ遷移 ２８，３０，４０ データ磁場 ３２ 読取り出力信号 ３４ 書込み等化入力信号 ３６ 書込み等化パルス ３８ 磁気テープ ５０，１００ 薄膜書込み用ヘッド ５２ 底部極 ５４ 上部極 ５６ 導電性コイル ６０ 基板 ６２ 基板の端部 ６４ 絶縁層 ６６ コイル機構 ７２ ギャップ層 ７６，１０４ ギャップ深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D031 AA01 CC01 CC03 HH13 5D033 BA03 BA07 BA22 CA01 5D091 AA01 CC04 GG01 HH20
Claims (24)
- 【請求項１】 データ周波数未満の周波数で生ずるデータ遷移と、前記デー
タ周波数よりも相当に大きな等化周波数で信号書込みされる等化パルスを含む書
込み等化ディジタル・データストリームを磁気テープ上に書込む薄膜書込み用ヘ
ッドであって、 上部極と、 底部極と、 前記上部極及び前記底部極の間に配置された導電性コイルであり、これら上部
極、底部極、並びに、導電性コイルが、入力電流を前記導電性コイルを介してヘ
ッド磁場に変換することによって前記磁気テープ上に前記書込み等化ディジタル
・データストリームを書込むように動作する電磁石を形成することから成る導電
性コイルと、を備え、 前記入力電流の前記データ周波数での変換が前記入力電流の前記等化周波数で
の変換と実質的に同一のヘッド磁場振幅を生じ、 それによって、入力電流のその実質的に同一の振幅がデータ遷移及び等化パル
ス双方を前記磁気テープ上への書込み用に使用されることを可能としている薄膜
等化書込み用ヘッド。 - 【請求項２】 前記データ周波数が３ＭＨｚ未満であり、前記等化周波数が
６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間にあることから成る、請求項１に記載の薄膜等化
書込み用ヘッド。 - 【請求項３】 前記テープが前記電磁石におけるギャップを通過する際に書
込まれるテープ面を有し、前記ギャップが、前記底部極に平行する前記上部極を
有すると共に前記上部極及び前記底部極が前記テープ面に垂直な方向へ延在する
領域を有し、前記上部極が狭小な絶縁ギャップ層で前記底部極から分離されてお
り、前記ギャップが前記狭小絶縁ギャップ層の前記テープ面に垂直な方向への長
さとして規定されているギャップ深さを有し、前記データ周波数での前記入力電
流の変換が、前記等化周波数での前記入力電流の変換と実質的に同一のヘッド磁
場振幅となることを前記ギャップ深さを調節することによって達成している、請
求項１に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項４】 前記上部極及び前記底部極が、コバルト、ニッケル、並びに
、鉄を含むセットからの少なくとも１つの元素から形成される、請求項３に記載
の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項５】 前記上部極及び前記底部極がコバルト−ジルコニア−タンタ
ル（ＣＺＴ）から形成され、前記ギャップ深さが５ミクロン及び１０ミクロンの
間である、請求項４に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項６】 前記ギャップ深さが８ミクロンである、請求項５に記載の薄
膜書込み用ヘッド。 - 【請求項７】 データ周波数未満の周波数で生ずるデータ遷移と、各々が前
記データ周波数より相当に大きな等化周波数で書込まれる信号を含んでいる等化
パルスとを含有する書込み等化ディジタル・データストリームを入力電流に応じ
て磁気テープ上に書込む薄膜書込み用ヘッドであって、 前記等化周波数で第１振幅を伴う入力電流を磁化回転を介して磁束に変換する
ことによって等化パルスを書込むように動作する第１領域と、 前記データ周波数で第２振幅を伴う入力電流を磁区移動を介して磁束に変換す
ることによってデータ遷移を書込むように動作する第２領域と、を備え、 もし前記第１振幅が前記第２振幅と実質的に等しければ、磁化回転によって作
り出される前記磁束が前記磁区移動によって作り出される前記磁束と実質的に同
一の磁場の強さを前記テープ上に作り出すように、前記第２領域が飽和されるよ
うに設計されていることから成る薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項８】 前記データ周波数が３ＭＨｚ未満であり、前記等化周波数が
１６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間である、請求項７に記載の薄膜書込み用ヘッド
。 - 【請求項９】 前記第１領域及び前記第２領域が１つの共通領域である、請
求項７に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１０】 前記磁気テープがギャップを通過の際に書込まれるテープ
面を有し、前記ギャップが、前記底部極と平行する前記上部極を有すると共に前
記上部極及び前記底部極が前記テープ面に垂直な方向へ延在している領域を含み
、前記上部極が前記領域が狭小な絶縁ギャップ層で前記底部極から分離されてお
り、前記ギャップが、前記テープ面に垂直な方向への前記狭小絶縁ギャップ層の
長さとして規定されたギャップ深さを有し、前記第１振幅での入力電流による磁
化回転によって作り出される前記磁束が、前記第１振幅と実質的に同一である第
２振幅での入力電流による磁区移動によって作り出される前記磁束と実質的に同
一の磁場の強さを作り出すことが前記ギャップ深さを調節することによって達成
される、請求項９に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１１】 前記上部極及び前記底部極が、コバルト、ニッケル、並び
に、鉄を含むセットからの少なくとも１つの元素から形成される、請求項１０に
記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１２】 前記上部極及び前記底部極がコバルト−ジルコニア−タン
タル（ＣＺＴ）から形成され、前記ギャップ深さが５ミクロン及び１０ミクロン
の間である、請求項１１に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１３】 前記ギャップ深さが８ミクロンである、請求項１２に記載
の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１４】 データ周波数未満の周波数で生ずるデータ遷移と、前記デ
ータ周波数よりも相当に大きな等化周波数で信号書込みされる等化パルスを含む
書込み等化ディジタル・データストリームを磁気テープ面上に書込む薄膜書込み
用ヘッドであって、 前記磁気テープが上方を通過することになる端部を有する基板と、 前記基板上にデポジットされた絶縁層と、 前記絶縁層上にデポジットされた磁気底部極と、 前記磁気テープがその上方を通過することになる前記基板の前記端部から隔た
って配置された前記底部極の第１部上に構築されたコイル機構と、 前記コイル機構と前記底部極の第２部との上の絶縁ギャップ層であり、前記第
２部が、前記磁気テープがその上を通過し前記コイル機構によって覆われていな
い前記基板の端部の近辺に配置された領域を画成していることから成る絶縁ギャ
ップ層と、 前記ギャップ層上にデポジットされた磁気上部極であり、当該上部極、前記底
部極、並びに、前記コイル機構が入力電流を前記コイル機構を介してヘッド磁場
に変換することによって前記磁気テープ上に前記書込み等化ディジタル・データ
ストリームを書込むように動作する電磁石を形成していることから成る磁気上部
極と、を備え、 ギャップが、前記底部極の前記第２部、前記底部極の前記第２部上の前記ギャ
ップ層の一部、前記底部極における前記第２部上の前記上部極の一部とから成り
、前記ギャップが前記底部極における前記第２部上の前記ギャップ層の前記テー
プ面に垂直な方向への長さとして規定されたギャップ深さを有しており、 前記ギャップ深さが、前記データ周波数での前記入力電流の変換が前記等化周
波数での前記入力電流の変換と実質的に同一のヘッド磁場となるように設計され
ていることから成る薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１５】 前記データ周波数が３ＭＨｚ未満であり、前記等化周波数
が１６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間である、請求項１４に記載の薄膜書込み用ヘ
ッド。 - 【請求項１６】 前記上部極及び前記底部極が、コバルト、ニッケル、並び
に、鉄を含むセットからの少なくとも１つの元素から成る、請求項１４に記載の
薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１７】 前記上部極及び前記底部極がコバルト−ジルコニア−タン
タル（ＣＺＴ）から成り、前記ギャップ深さが５ミクロン及び１０ミクロの間で
ある、請求項１６に記載の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１８】 前記ギャップ深さが８ミクロンである、請求項１７に記載
の薄膜書込み用ヘッド。 - 【請求項１９】 書込み等化ディジタル・データストリームを磁気テープ上
に書込むテープデッキであって、 ホストプロセッサからデータを受信し、前記テープ上への書込みに適合したデ
ータ・フォーマットで入力書込み信号を作り出すように動作するホスト・インタ
ーフェースと、 前記ホスト・インターフェースと通信する書込みイコライザーであり、前記入
力書込み信号を受信し、データ周波数未満の周波数で生ずるデータ遷移と、前記
データ周波数よりも相当に大きな等化周波数で書込まれる信号である等化パルス
とを含む書込み等化入力信号を作り出すように動作する書込みイコライザーと、 前記書込みイコライザーと通信する書込みドライバであり、前記書込み等化入
力信号を書込み電流に変換するように動作できる書込みドライバと、 上部極、底部極、それら上部極及び底部極の間に配置された導電性コイルを含
む薄膜書込み用ヘッドであり、前記上部極、前記底部極、並びに、前記導電性コ
イルが前記書込み電流をヘッド磁場に変換するように動作する電磁石を形成する
ことから成る薄膜書込み用ヘッドと、を備え、 前記データ周波数での前記書込み電流の変換が前記等化周波数での前記書込み
電流の変換と実質的に同一のヘッド磁場振幅と成り、それによって入力電流の実
質的に同一の振幅が前記データ遷移及び前記等化パルス双方を前記テープ上に書
込むために使用されることを可能としていることから成るテープデッキ。 - 【請求項２０】 前記データ周波数が３ＭＨｚ未満であり、前記等化周波数
が１６ＭＨｚ及び１００ＭＨｚの間である、請求項１９に記載のテープデッキ。 - 【請求項２１】 前記テープが前記電磁石におけるギャップを通過する際に
書込まれるテープ面を有し、前記ギャップが、前記底部極に平行する前記上部極
を有すると共に前記上部極及び前記底部極が前記テープ面に垂直な方向へ延在す
る領域を有し、前記上部極が狭小な絶縁ギャップ層で前記底部極から分離されて
おり、前記ギャップが前記狭小絶縁ギャップ層の前記テープ面に垂直な方向への
長さとして規定されているギャップ深さを有し、前記データ周波数での前記入力
電流の変換が、前記等化周波数での前記入力電流の変換と実質的に同一のヘッド
磁場振幅となることを前記ギャップ深さを調節することによって達成している、
請求項１９に記載のテープデッキ。 - 【請求項２２】 前記上部極及び前記底部極が、コバルト、ニッケル、並び
に、鉄を含むセットからの少なくとも１つの元素から成る、請求項２１に記載の
テープデッキ。 - 【請求項２３】 前記上部極及び前記底部極が、コバルト−ジルコニア−タ
ンタル（ＣＺＴ）から成り、前記ギャップ深さが５ミクロン及び１０ミクロンの
間である、請求項２２に記載のテープデッキ。 - 【請求項２４】 前記テープ深さが８ミクロンである、請求項２３に記載の
テープデッキ。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| US09/150,803 | 1998-09-10 | ||
| US09/150,803 US6191917B1 (en) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | Thin film tape write head for dual frequency operation |
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|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-09-02 WO PCT/US1999/020144 patent/WO2000016317A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-09-02 EP EP99945431A patent/EP1110212A1/en not_active Withdrawn
- 1999-09-02 JP JP2000570773A patent/JP2002525775A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US6191917B1 (en) | 2001-02-20 |
| EP1110212A1 (en) | 2001-06-27 |
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