JP2002524869A - 荷電粒子を利用する投影リソグラフィ装置 - Google Patents

荷電粒子を利用する投影リソグラフィ装置

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JP2002524869A JP2000569420A JP2000569420A JP2002524869A JP 2002524869 A JP2002524869 A JP 2002524869A JP 2000569420 A JP2000569420 A JP 2000569420A JP 2000569420 A JP2000569420 A JP 2000569420A JP 2002524869 A JP2002524869 A JP 2002524869A
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Abstract

(57)【要約】 既知の投影リソグラフィ方法に従って、対象物(14)は、回転対称の電子レンズ(10、12)の望遠系により結像面(16)上に結像される。投影リソグラフィによる集積回路の製作の間のスループットは、結像電子ビームの電流の量によって決まる。この電流は、解像度を制限する電子の相互作用(クーロン相互作用)により強いられる制約を受ける。本発明は、高い電流の収束を伴う領域(18)を無くすという観点で、一層大きいビーム電流を可能にする。このために、結像系は２つの四重極を含み、それらの各々は２つの円形レンズ(10、12)のうちの１つと一致する。従って電子は、(小さい)環状のクロスオーバー(18)の代わりに線状の焦点に収束される。この系は高い程度で望遠のままであり、結像はスチグマチックなままである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、荷電粒子のビームによって投影リソグラフィを行うためのリソグラ
フィ装置に関連し、前記装置は、前記ビームによってリソグラフィック結像面上
にリソグラフィック対象構造を結像するための結像粒子-光学系を含み、前記粒
子-光学系は、第１及び第２の回転対称のレンズ場を形成するように構成される
第１及び第２の円形(輪形)粒子レンズをもつ実質的に望遠の系を含む。
【０００２】 この種の装置は、Proceedings SPIE「Electron-Beam Sources and Charged-Pa
rticle Optics」(1995年7月10-14日)の中のW.K.Waskiewicz他による「Electron-
Optical Design for the SCALPEL Proof-of-Concept Tools」(SPIE、VOL.2522、
1995年)というタイトルの文献に記載されている。
【０００３】 粒子-光学結像、特に電子-光学結像は、光の波長以下の解像度をもつ集積電子
回路又はそのような回路のマスクのような非常に小さい構造をリソグラフィで製
作するために使用することができる。
【０００４】 リソグラフィック結像面上へのリソグラフィック対象構造の電子による結像は
、原則として、順次及び非順次の２つの方法で行うことができる。順次の結像の
場合、電子源の放射面又はその一部は、形成されるべきリソグラフィック構造が
与えられるリソグラフィック結像面上に非常に縮小されて結像される。電子源の
この像(「スポット」)は、例えば偏向コイルによって対象物を横切って動かされ
、上記移動の間、電子ビームはブランクされたりされなかったりする。こうして
、結像されるべきパターンの画素が、リソグラフィック結像面上に順次に書かれ
る。リソグラフィック構造の寸法が大きくなるにつれて、この構造の走査書込み
のためにかなり多くの時間が必要とされる(すなわち構造の表面積に比例して時
間が増加する)。現在では、集積回路技術においてますます大きい構造を結像す
る傾向があるので、集積回路の製作の間のスループットは非常に低下しており、
この結像方法はますます異論のあるものになっている。
【０００５】 非順次の結像の場合、結像されるリソグラフィック対象構造は、電子ビームに
よって一様に照射され、集束レンズ系を使用して、リソグラフィック結像面上に
該リソグラフィック対象構造の縮小された又はそうでない像を形成する。こうし
て、結像されるべきパターンの画素が同時に、すなわち非順次にリソグラフィッ
ク結像面上に投影される。従って、このリソグラフィ方法は投影リソグラフィと
も呼ばれる。
【０００６】 上記の引用文献は、リソグラフィック対象構造が回転対称の電子レンズの系に
よってリソグラフィック結像面上に結像される投影リソグラフィ方法について述
べている。そのようなリソグラフィック対象構造は、リソグラフィック・マスク
の(比較的大きい)描画によって形成することができる。このリソグラフィック・
マスクは、実際の(ずっと小さい)リソグラフィック・マスクを得るためにリソグ
ラフィック結像面上に結像される。また、結像されるリソグラフィック対象構造
は、実際のマスクによって形成することもできる。この実際のマスクは、(ウェ
ハである場合)集積回路を形成するためにリソグラフィック結像面上に結像され
る。この既知のリソグラフィック方法は、SCALPEL(Scattering with Angular Li
mitation Projection Electron-beam Lithography)と呼ばれている。その中の電
子レンズの結像系は、協働して望遠系を構成する回転対称のレンズ場を有する２
つの電子レンズにより形成される。
【０００７】 本発明の説明の中では、望遠系は、入力平行ビームを平行出力ビームに変換す
るレンズ系を意味することを理解されたい。そのような系の最も単純な形態は、
共通の光軸をもつ２つのレンズからなり、その一方のレンズの後焦点は、他方の
レンズの前焦点と一致する。比較的大きいリソグラフィック対象構造(1mmの大き
さのオーダーの直径を持つ)をリソグラフィック結像面上に完全に結像しなけれ
ばならないので、投影リソグラフィは望遠系を必要とする。構造のエッジは、原
則としてその中心と同じくらい鋭くなければならず、これは、結像されるべき構
造のエッジにおける結像欠陥(imaging defects)が、中心部のものより大きくな
ることはほとんどないことを意味する。結像系が望遠系である場合のみこの条件
を最適に満足することができ、本発明ではそのような系を用いて結像を行うこと
が本質的に重要である。
【０００８】 投影リソグラフィによる集積回路の製作の間、スループットは、結像されるリ
ソグラフィック対象構造(IC製作の場合の結像されるべきマスク)に照射される電
子ビームの電流の大きさによって決まる。ビームの電子は互いに反発して(いわ
ゆるクーロン相互作用)、ビーム内の電子のエネルギーの広がり及びビームの歪
みを引き起こすので、電子ビームの電流に関して制限が課せられる。電子ビーム
の電流が大きいほど両方の結果は大きくなり、結像系による結像欠陥を引き起こ
す。結像欠陥は、指定された値を上回ることができないので、ビームの電流及び
それに応じて製作されるべき集積回路のスループットに関して上限が課せられる
。
【０００９】 上述した反発作用は、ビームの電子の間隔(spacing)が狭くなる電子ビームの
一部、すなわち電子ビームのクロスオーバーの領域において最も強くなる。その
ようなクロスオーバーは、協働して望遠系を構成する上記の２つの円形レンズの
間、すなわち２つのレンズの一致する焦点の領域に生じる。クロスオーバーは、
望遠系の先の電子ビーム内にも形成されうるが、そのようなクロスオーバーは、
結像(幾何的)欠陥に影響を及ぼさない。なぜならそれらは、ビームの照射部分に
位置し、対象物(リソグラフィック対象構造)と像(リソグラフィック結像面)との
間の結像ビーム経路には生じないからである。
【００１０】 本発明の目的は、電子ビームの電流の上記の制限を緩和し、集積回路の製作の
間のスループットを向上させる。
【００１１】 このために、本発明によるリソグラフィ装置は、粒子-光学系が、第１及び第
２の四重極場を生成するように構成される第１の四重極手段及び第２の四重極手
段を有し、前記ビームに対する前記四重極場の収束作用は、実質的に直角に互い
に交差し、前記第１及び第２の四重極場は、第１及び第２の回転対称のレンズ場
と実質的に一致し、前記四重極場の強度は、結像されるべきリソグラフィック対
象構造がリソグラフィック結像面上にスチグマチック(無収差)に結像されるもの
であることを特徴とする。
【００１２】 粒子光学で知られているように、四重極場は、光軸を含む第１平面では荷電粒
子のビームに対し単なる収束作用を与えるが、それに垂直に延び且つ光軸を含む
平面では単なる発散作用を与える。２つの連続する四重極が、互いに90゜回転さ
せる位置にあるとき、第１の四重極の収束作用は、次の四重極の収束作用と垂直
な方向となる。しかし、光軸を中心とするビームの回転が２つの四重極の間で起
こることがあるので(それが回転対称の磁界を通過するときに起こる)、次の四重
極は、その収束作用を第１の四重極のものと垂直に保つためには同じ角度だけ回
転させる必要がある。一方の四重極の発散作用が他方の四重極の収束作用によっ
て補償される場合(及びその逆)のみ、２つの四重極によるスチグマチックな結像
が可能であるので、本発明の説明では、四重極場が互いに直角に交差する収束作
用を与える状況を記述している。
【００１３】 上述した四重極の構成にかかわらずスチグマチックな像を得るために、四重極
の強度は、概して完全には等しくない。この構成及び等しくない強度のため、光
軸を通る１つの平面(x-z平面)における倍率は、それに垂直に延び且つ光軸を通
る平面(y-z平面)のものからわずかにずれる。この現象が望ましくない場合、こ
の不等性は、同じ比率で結像されるべきリソグラフィック対象構造の長さ対幅の
比率を変更することにより補償することができる。これは容易に行うことができ
る。なぜならそのような対象構造は常にコンピューターによって設計され、それ
ゆえこの変更された比率を簡単に考慮に入れることができるからである。
【００１４】 日本特許出願5-286948(出願日1993年11月16日、特開平7-142318、公開日1995
年6月2日)によれば、拡大されたビーム断面をもつビーム構造を形成するために
クロスオーバーの領域に設けられる２つの四重極を用いてクロスオーバーを歪め
ることにより、レンズ系を横切る電子ビームのクーロン相互作用を和らげること
が本質的に知られている。しかし、上記の引用文献に記載される結像系は、順次
の結像の適用(リソグラフィック結像面の走査露光)のためにスポット形状を形成
する。上記の引用文献に記載される方法によれば、望ましいスポット形状は、第
２のビーム制限間隙上にビーム制限間隙を結像し、次にこのアセンブリをリソグ
ラフィック結像面上に結像することによって得られる。これは投影リソグラフィ
の問題でないことは明らかであり、従って上記の引用文献は、四重極が投影リソ
グラフィの中に加えられるときに望遠の性質を維持するためにどんな工程が必要
であるかについていかなる手がかりも提供していない。
【００１５】 本発明は、四重極が加えられるとき、第１の四重極が第１のレンズと実質的に
一致し、第２の四重極が第２のレンズと実質的に一致する場合のみ、非常に重要
な結像粒子-光学系の望遠の性質を維持することができるという事実の認識に基
づく。それぞれの四重極の励磁は、像がスチグマチックであるように調整されな
ければならない。回転対称のレンズの間の元の距離が維持される場合、このよう
に形成される系の望遠の性質を維持するために、(像の最も近くに位置するレン
ズである)第２の円形レンズの励磁は、わずかに(10分の数パーセントのオーダー
で)適応されなければならない。
【００１６】 本発明によるリソグラフィ装置の好ましい実施例では、結像粒子-光学系の多
様なパラメータが、請求項２に示す値をもつ。この実施例におけるビーム経路の
シミュレーションは、この実施例のパラメータaが規定される区間(すなわち0.01
＜|a|＜0.1)にある場合には、y-z平面Myに対するx-z平面Mxの倍率の比はなお許
容できるものであることを示す。この区間の外側では、比率が、すべての実際的
な目的で値１から大きくはずれてしまう。
【００１７】 本発明によるリソグラフィ装置の別の好ましい実施例では、結像粒子-光学系
の多様なパラメータが、請求項３に示す値をもつ。この実施例におけるビーム経
路のシミュレーションは、該請求項の中でパラメータaについて規定される値に
関して、ビームの電流が、四重極なしの類似の系の中のビーム電流の約2.65倍に
大きくなりうることを示す。これはまた、同じ率でスループットが向上すること
を意味する。
【００１８】 本発明の他の有利な実施例は他の請求項の中に開示されている。本発明は、図
面に関してこの後に詳しく記述される。図の中で、対応する参照数字は対応する
素子を示す。
【００１９】 図１は、リソグラフィック結像面上にリソグラフィック対象構造を結像するた
めの従来技術の結像粒子-光学系の概略図である。この図において、電子ビーム
は電子源２によって生成される。電子ビームは、光軸4に沿ってレンズ系を進む
。図示した系は更に、２つの円形(すなわち回転対称)レンズ8及び10を含み、そ
れらレンズの軸は、系の光軸と一致する。この図は、これらの円形レンズをギャ
ップレンズの形態で示しているが、それらをイマージョン(液浸)レンズ又はいわ
ゆるVALレンズ(Variable Axis Lenses、可変光軸レンズ)として構成してもよい
。VALレンズ内の光軸は、レンズ内に１つ又は２つの二重極を設けることにより
それ自身に対しわずかに平行にシフトさせてもよい。これらの二重極は、光軸に
垂直な磁界分布を実現する。両方のレンズ10及び12は、結像されるべきリソグラ
フィック対象構造14(例えばリソグラフィック・マスク)を、リソグラフィック結
像面16(例えば集積回路が形成されるウェハ)上に結像する。図示する系では、レ
ンズ10の焦点距離f1は160mmであり、マスク14からレンズ10までの距離d1と同じ
である。レンズ12の焦点距離f2は40mmであり、レンズ12から照射されるウェハの
表面16までの距離d2と同じである。これらの数字から、マスクは、160:40=4:1の
縮小率でウェハ上に結像されることが明らかである。２つのレンズの間隙に対す
る口径(bore)の直径の比率(口径対間隙の比率)が等しくなるように選択され、且
つ、これらのレンズの励磁が等しいけれども逆であるとき、この系は、像の回転
をほとんど又は全く生じさせない。
【００２０】 ウェハ16の表面上に結像されるマスク14は、ビーム断面20の領域、すなわちマ
スク14の領域において幅が約1mmのほぼ平行のビームを形成する２つのコンデン
サーレンズ6及び8によって照射される。この図は更に、レンズ10及び12の一致す
る焦点の領域において160μmの直径を持つ円形のビーム制限絞り24を示す。レン
ズ10の焦点距離f1及び絞り24の直径の上述した値から、電子ビームのアパーチャ
(aperture)角度26は1mradに等しくなることが分かる。
【００２１】 図１は、２つのビーム経路、すなわち(実線で示す)照射ビーム28のビーム経路
と(破線で示す)結像ビーム30のビーム経路とを示している。照射ビーム及び結像
ビームが個別のビームではなく、ソース２から発せられる電子ビームの一部を形
成するとしても、異なる働き(照射及び作像)を明確にするように２つの仮想のビ
ーム28と30との間で区別がなされる。照射ビーム28の放射線は、コンデンサー系
6、8を介してマスク14に平行に入射する。平行な放射線は、レンズ10を介してこ
のレンズとレンズ12との共通の焦点面に集束され、その後、それらは再びレンズ
12から平行に発せられ、結像面16の方向に進む。結像ビーム30の放射線は、コン
デンサー系6、8を介して非平行にマスク14に入射する。従って、マスク14は、レ
ンズ10によって無限遠に結像される。すなわち、マスク14の所与の点から発せら
れる放射線は、レンズ10から平行ビームとして発せられる。レンズ12は、この平
行ビームを、レンズ12の後焦点に一致する結像面16上に集束させる。こうして、
ビーム28によって照射されるマスク14は、結像面16上に結像される。
【００２２】 協働して望遠系を構成する２つのレンズ10と12との間では、クロスオーバー18
が、２つのレンズの一致する焦点の領域に形成される。こうして、レンズ10と12
との間の最も高い空間電子密度は、ビーム経路中のこの点、つまり160μmの直径
を持つ円形ビーム制限絞り24の開口内に生じる。絞り24の寸法は、結像ビームの
必要とされるアパーチャ角度によって決まる。このアパーチャ角度自体は、許容
される結像欠陥、従って像の望ましい解像度に従うものである。
【００２３】 図２は、図１に示される結像系の変形例の概略図である。この変形例は、図１
の系が本発明に従う２つの四重極を用いて引き延ばされていることを示す。これ
らの四重極は、２つの円形レンズ10及び12に一致し、光軸を通る１つの平面(x-z
平面)では、レンズ10の強度が明らかにわずかに増加し、レンズ12の強度がわず
かに低下するのに対し、それに垂線であり光軸を通る平面では、レンズ10の強度
が明らかにわずかに低下し、レンズ12の強度がわずかに増加するという影響を与
える。２つの四重極は、図２に明確には示されていないが、それらの存在は、増
加し且つ減少する強度を示す２つのレンズ10及び12の大きい又は小さい曲率によ
って示されている。これらの２つの四重極の存在のため、図１の元のクロスオー
バー18の代わりに２つの相互に垂直な焦線36及び38が現れる。それに応じて、図
１の元の円形絞り24は、図２では、関連する焦線と同じ方向をもつ２つの互いに
垂直な間隙、すなわちx-z平面の間隙32及びy-z平面の間隙34と置き換えられる。
【００２４】 図１の元の投影系は望遠であり、すなわちこの系の伝達マトリクスTは次の通
りである。
【数１】 ここで、Mは系の角倍率であり、C=0である。この系ではM=-4である。
【００２５】 図２の変形された系では、Cはもはや厳密にはゼロではない。しかしCは小さい
ままであるので、結像面16上の像の質はその影響をあまり受けない。従ってx-z
平面及びy-z平面の角倍率はわずかではあるが等しくなくなる。しかし、この不
等性は、同じ比率で結像されるべきリソグラフィック対象構造の長さ対幅の比率
を変更することによって補償することができる。
【００２６】 図２に示す系に当てはめられるパラメータを決めるために、以下の量が規定さ
れる。fl及びf2は、レンズ10及びレンズ12のそれぞれの焦点距離であり、d1は、
マスク14からレンズ10までの距離であり、d2は、レンズ12から結像面16までの距
離であり、q1及びq2は、レンズ10に一致する四重極と、レンズ12に一致する四重
極とのそれぞれの焦点距離である。更に、x-z平面の角倍率及びy-z平面の角倍率
を表す量Mx及び量Myと、x-z平面の結像のための量Cx(式１を参照)と、y-z平面の
結像のための量Cyとが規定される。f1=d1が再び選択される図2に示す系において
、指定された結像面16上へのスチグマチックな結像(すなわちx-z平面における集
束がy-z平面における集束と同じように行われる)を実現し、像が可能な限り望遠
形態に保たれることを目的とする。これらの条件に従って、f2及びq2について以
下の式が得られる。
【数２】 これらの内容に関して、量Mx、Cx、My、及びCyに次式が当てはめられる。
【数３】 d1=160mm、d2=40mm、及び、q1=1600mmが選ばれるとき、多様なパラメータの値は
、以下の表１に示す通りである。
【表１】 上記の表１から、レンズ12の焦点距離f2は、約0.3%大きくなければならないこと
が分かる。更に、x-z平面及びy-z平面における倍率は、名目上の値M=4から12.5%
ずれることが分かる。
【００２７】 図２が、望ましいアパーチャ角度により、コンデンサーレンズ8の後(つまりマ
スク14並びにレンズ10及び12の領域内)でビーム28を平行ビームとして示すとし
ても、このビームは実際には、関係するアパーチャ角度に関連する角度の開きを
呈し、この開きは、実際の状況では1mradである。これは、クロスオーバー18に
ついては160μmの寸法を与えることにより、これはまた、間隙32及び34の各々の
横の寸法でもある。これらの２つの間隙の主な役目は、これらの間隙を通る光学
経路内の散乱された電子の遮断であり、それらは、実際のクロスオーバーをはず
し、それらの結像欠陥のため解像度を低減させる。
【００２８】 焦線36及び38が生じるため、電子ビームの最も小さい横断面は２つの焦線の間
のほぼ中間に位置することは明らかであろう。四重極の非点収差によるビーム断
面の拡大は簡単に評価することができる。これはこの最も小さい横断面の寸法で
もある。これに関して近似値は次の通りである。
【数４】 上式で、dは、マスク14付近のビームの直径であり約1mmである。表１に示す値を
使用すると、D=100μmとなる。ビームの角度の開きは、すでに約160μmの焦線の
寸法を与えているので、２つの焦線36及び38の間のビームの直径全体は260μmに
なる。図１の元のクロスオーバー18は160μmであるので、ビームの横断面の表面
積は、以下の倍率で増加する。
【数５】 従ってビームの許容電流を同じ率で増加させることができ、更に集積回路の製作
の間のスループットも同じ率で向上させることができる。
【００２９】 図３は、図２の粒子-光学系を示しており、円形レンズにおける四重極の構成
を示す。第１の円形レンズ10は、コイル10-4により生成される磁界を光軸付近に
集中させるための鉄心回路10-2を含む。この円形レンズ内には更に、この図のコ
イル10-6によって概略で表されている四重極手段が設けられる。第２の円形レン
ズ12は、第１の円形レンズ10と同じ構造であり、鉄心回路12-2を含む。この円形
レンズ内には更に、コイル12-6により再び概略で表されている四重極手段が設け
られる。四重極手段10-6及び12-6はそれぞれ既知の形状をもつ。それらは、望ま
しい四重極場を生成するための４つの物理的な極を含むように構成してもよいが
、多重極(例えば8極、10極又は12極)の形態で構成してもよい。そのような多重
極は、適切に選ばれた励磁を使用して望ましい四重極場を生成し、また、四重極
場の不完全さの補正のためにもっと高いオーダーの場を生成することができる。
四重極場が物理的な10極又は12極によって生成されるとき、当該素子の光軸をそ
れ自身に平行にシフトさせることが可能である。その場合、四重極は、図１に関
して述べたVALレンズと組み合わせて有利に使用することができる。従って単にV
ALレンズを用いて四重極の光軸をシフトさせることが可能である。
【００３０】 図４は、円形レンズの中の四重極の構成に関する代替例を示す。この実施例の
四重極は、光軸の方向に２つの同等の部分10-8及び10-10に分かれている。これ
ら２つの部分は、該２つの部分を組み合わせた四重極の強度全体が図３に示す単
一の四重極の強度と等しくなるように全く同様に励磁することができる。この構
成は、単一の四重極が円形レンズ10の磁界の影響を過度に受けるときに選択する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術に従うリソグラフィック結像面上にリソグラフィック対
象構造を結像させるための結像粒子-光学系の概略図。
【図２】 本発明による四重極手段を備える図１の結像粒子-光学系の概略
図。
【図３】 円形レンズの四重極の構成を示す図２の粒子-光学系の概略図。
【図４】 四重極の代替構成を示す図２の粒子-光学系の円形レンズの概略
図。
【符号の説明】
１０,１２ 第１及び第２の円形粒子レンズ １４ リソグラフィック対象構造 １６ リソグラフィック結像面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｅ (71)出願人 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １， 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA01 BA10 BB01 CA16 KA38 LA10 5C030 AA01 AB03 5C033 DE07 5C034 BB02 5F056 CB31 EA05

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 荷電粒子のビームにより投影リソグラフィを行うリソグラフ
    ィ装置であって、前記装置は、前記ビームによって、リソグラフィック結像面上
    にリソグラフィック対象構造を結像するための結像粒子-光学系を有し、前記粒
    子-光学系は、第１及び第２の回転対称のレンズ場を形成するように構成される
    第１及び第２の円形粒子レンズをもつ実質的に望遠の系を含む、リソグラフィ装
    置であって、 前記粒子-光学系は、第１及び第２の四重極場を生成するように構成される第
    １の四重極手段及び第２の四重極手段を有し、前記第１及び第２の四重極場の前
    記ビームへの収束作用は、実質的に直角に互いに交差し、前記第１及び第２の四
    重極場はそれぞれ、第１及び第２の回転対称のレンズ場と実質的に一致し、前記
    四重極場の強度は、結像されるべき前記リソグラフィック対象構造が前記リソグ
    ラフィック結像面上にスチグマチックに結像されるものであることを特徴とする
    、リソグラフィ装置。
  2. 【請求項２】 q1=f1/a、q2={(1/a)-(25a/16)}f1、及びf2={(16-25a2)/(64-
    120a2)}f1であり、ここで、q1=前記第１の四重極手段の焦点距離、f1=前記第１
    の円形粒子レンズの焦点距離、a=絶対値が0.01ないし0.5の間にあるパラメータ
    、q2=前記第２の四重極手段の焦点距離、f2=前記第２の円形粒子レンズの焦点距
    離、である請求項１に記載のリソグラフィ装置。
  3. 【請求項３】s=1.25f1、d1=f1、d2=f1/4、q1=10f1、及びa=0.1であり、ここ
    で、s=前記第１及び前記第２の円形粒子レンズの間の距離、d1=前記リソグラフ
    ィック対象構造と前記第１の円形粒子レンズとの間の距離、d2=前記リソグラフ
    ィック結像面と前記第２の円形粒子レンズとの間の距離、である請求項２に記載
    のリソグラフィ装置。
  4. 【請求項４】 前記第１及び第２の四重極手段が、２つの互いに垂直な焦線
    を形成し、平行であり且つ互いに垂直な２つの間隙が、前記２つの円形レンズの
    間の前記焦線の領域に供給される、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記
    載のリソグラフィ装置。
  5. 【請求項５】 前記間隙のそれぞれの幅は100ないし200μmの間にある、請
    求項４に記載のリソグラフィ装置。
  6. 【請求項６】 リソグラフィック対象構造の投影リソグラフィック結像が、
    荷電粒子のビームによって、集積電子回路の一部を形成するリソグラフィック結
    像面上に形成され、前記結像が、第１及び第２の回転対称のレンズ場を含む実質
    的に望遠の粒子-光学系によって実現される、集積電子回路の製造方法であって
    、 結像ビームは、第１及び第２の四重極場の影響をそれぞれ受け、前記第１及び
    第２の四重極場の前記ビームへの収束作用は、実質的に直角に互いに交差し、前
    記第１及び第２の四重極場は、前記第１及び第２の回転対称のレンズ場と実質的
    に一致し、前記四重極場の強度は、結像されるべき前記リソグラフィック対象構
    造が前記リソグラフィック結像面上にスチグマチックに結像されるものであるこ
    とを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 前記強度は、q1=f1/a、q2={(1/a)-(25a/16)}f1、及び、f2={
    (16-25a2)/(64-120a2)}f1である前記回転対称のレンズ場及び前記四重極場に与
    えられ、ここで、q1=前記第１の四重極場の焦点距離、f1=前記第１の回転対称の
    レンズ場の焦点距離、a=絶対値が0.01ないし0.5の間にあるパラメータ、q2=前記
    第２の四重極場の焦点距離、f2=前記第２の回転対称のレンズ場の焦点距離、で
    ある請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 結像されるべき素子と結像素子との間の距離は、s=1.25f1、
    d1=f1、d2=f1/4、q1=10f1、及び、a=0.1であり、ここで、s=前記第１の回転対称
    のレンズ場の中心と前記第２の回転対称のレンズ場の中心との間の距離、d1=前
    記リソグラフィック対象構造と前記第１の回転対称のレンズ場の中心との間の距
    離、d2=前記リソグラフィック結像面と前記第２の回転対称のレンズ場の中心と
    の間の距離、である請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記第１及び第２の四重極場が、２つの互いに垂直な焦線を
    形成し、平行であり且つ互いに垂直な２つの間隙が、２つの前記回転対称のレン
    ズ場の間の前記焦線の領域に供給される、請求項６ないし請求項８のいずれか１
    項に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記間隙のそれぞれの幅は100ないし200μｍの間にある、
    請求項９に記載の方法。
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