JP2002515665A - 矩形波パルスの歪みおよびノイズを低減する方法、歪みを最小限にしたパルスを発生するための回路、ならびにその方法と回路の使用方法 - Google Patents

矩形波パルスの歪みおよびノイズを低減する方法、歪みを最小限にしたパルスを発生するための回路、ならびにその方法と回路の使用方法

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JP2002515665A
JP2002515665A JP2000548950A JP2000548950A JP2002515665A JP 2002515665 A JP2002515665 A JP 2002515665A JP 2000548950 A JP2000548950 A JP 2000548950A JP 2000548950 A JP2000548950 A JP 2000548950A JP 2002515665 A JP2002515665 A JP 2002515665A
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terminals
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アンデルスコウ,ニルス
リスボ,ラース
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トッカータ テクノロジー エイピーエス
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/84Generating pulses having a predetermined statistical distribution of a parameter, e.g. random pulse generators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit

Abstract

(57)【要約】 例えばD級増幅器出力ステージまたは電力供給源などのスイッチド回路におけるスイッチングシーケンス中およびその後に、限られたノイズと限られたピーク電流で最小限に歪んだ矩形波パルスを発生させるために、本発明は回路および方法を提供する。回路の1個のポートから見て、短絡インピーダンスは低周波数では低インピーダンスを有するとともに、高周波数では高インピーダンスを有しかつ主に抵抗性である。ひとつの実施態様において、回路は2ポートネットワークの1個のポートともう1方のポート間で接続されたインダクタンス、および回路のもう1方のポート端子間で接続される抵抗器とキャパシタとの直列接続から構成される。回路は、インダクタンスが導体経路によって有利に形成される場合には、スイッチド回路と共同して基板上に一体型ユニットとして形成してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は矩形波パルスの歪みとノイズを低減する方法、および第2回路の端子
間で切替可能なスイッチング端子を有する切替可能なポートを備えた2ポートシ
ステムのスイッチド回路におけるスイッチングシーケンス中に発生するピーク電
流を制限する方法に関する。
【0002】 本発明はまた、2ポート型のスイッチド回路と組み合わせて、歪みを最小限に
した矩形波パルスを最小限のノイズで発生することができ、矩形波パルスのスイ
ッチングシーケンス中に発生するピーク電流を制限することができる回路に関す
る。前記スイッチド回路は第2回路の2つの端子間で切替可能な端子を有する。
【0003】 最後に、本発明はこの方法および回路の使用に関する。
【0004】 パワーエレクトロニクスにおいて使用される従来のスイッチド回路は、破壊的
に大きい接続電流および非接続電流を回避するための一定のデットタイムを必要
とし、その一部で回路に組み込まれたハーフブリッジでのスイッチングロスを制
限し、またその一部では並列スナバを追加することなく出力信号のリンギングを
除去すると共にそれによって増大したロスを除去する。
【0005】 しかしながら、増幅器、特にハイファイ用のD級増幅器に使用するスイッチド
回路にデットタイムを付加すると、変調した出力信号に極めて大きい歪みが伴う
。したがって、上記のような欠点をもたらすことなしに、ハーフブリッジのデッ
ドタイムを低減することのできる原理を発見することが長く試みられてきた。
【0006】 スイッチド増幅器の原理は、1個または複数の2ポート型スイッチド回路中の
1個以上のスイッチを、例えば音声信号等の信号の振幅に応じてパルス幅または
パルス密度を変調することによって、導通および非導通にそれぞれ切り替えるこ
とである。
【0007】 この結果、音声信号情報は、音声信号情報に正確に対応する多数のパルスに変
換される。
【0008】 パルス変調増幅器の主要な利点は、効率が極めて高いことであり、理論的には
100%である。このことは増幅器にロスがないということを理論的に意味して
いる。パルス変調増幅器の実際の実用化においては、一般的には90〜98%の
効率が達成されるだろう。パルス変調増幅器はまた理論的には完全に直線性であ
り、したがって歪みが極めて少ない。しかしながら実際には非直線性のために音
響用のハイファイ増幅器に使用するには不適当となる。主な理由として、スイッ
チ素子の周辺に寄生容量要素かつ誘導要素を有する理想的でないスイッチを使用
するために、スイッチド回路で理想的な矩形波パルスを提供することができない
ことが挙げられる。
【0009】 パルスを理想的に発生することができない主な理由の1つは、とりわけスイッ
チの接続および非接続に見られる。パルス幅はスイッチのターンオン時間とター
ンオフ時間の変動の結果として変化するが、2個のスイッチの接続と非接続の間
に必要なデッドタイムは一定に維持される。ターンオン時間とターンオフ時間の
変動はいくつかの要因によるものであるが、そのうちで最も重要なのは、変化す
る負荷電流と、出力側の中および周辺で使用する素子の特性の変化である。素子
の特性における最も重要な変化は温度変化によるものであるが、異なるバッチお
よび老化現象によって変化する素子特性もまた、考慮されなければならない重要
な問題として知られている。したがって、ターンオン時間およびターンオフ時間
を低減し、それによってパルス変調増幅器におけるデッドタイムを最小限に低減
することが望ましい。
【0010】 逆に言うと、低減したターンオン時間およびターンオフ時間ならびに低減した
デッドタイムは、電力消費の増加とその結果スイッチに生じる破壊的なピーク電
流、および両方のスイッチを一時的に同時にオンにした場合の出力信号での強い
リンギングといった問題を引き起こす。
【0011】 さらに、負荷電流を接続および非接続した時に発生するリンギングによってパ
ルス高が変化することが知られており、このことが音声信号の歪みを生じさせる
【0012】 このようなリンギングは、スイッチング回路の寄生インダクタンスおよび容量
のために起こる振動を減少させる公知の型の並列スナバ回路をスイッチに設置す
ることによって一部制限されるだろう。しかしながら、このような回路の欠点は
、ターンオン時間およびターンオフ時間が増加し、スイッチングロスが増加して
増幅器の無駄なロスが増加することによって、増幅器の効率が減少し、パルス幅
の歪みが増加することである。
【0013】 現在、実際に実用化されているものでは、それにも関わらず並列スナバ回路が
使用されている。スイッチド回路中および周辺でのリンギングは、回路が極めて
強度の高周波数の信号を発しているために、この回路を現在の技術水準に応じて
使用することができないことを意味しているためである。
【0014】 スイッチド増幅器において矩形波パルスを発生させる公知の方法は、このよう
に変調信号の歪みを伴う。これらの方法は、少ない歪み、少ないノイズおよび高
効率等の設計基準が重要である場合には、例えばハイファイ用のD級増幅器など
のスイッチド増幅器での使用にとりわけ適していない。
【0015】 音響用のスイッチド増幅器には2つのカテゴリーがある。1つのカテゴリーは
アナログ入力信号を有するスイッチド増幅器である。もう1つのカテゴリーはデ
ジタル入力信号を有するスイッチド増幅器である。
【0016】 後者の増幅器は、デジタルドメインのみで作動するため、全デジタル電力増幅
器と称される。
【0017】 特に全デジタル電力増幅器において、ほぼ理想的な矩形波パルスを発生できる
ことが重要である。デジタルドメインを離れない限り、出力側周辺で歪みを低減
するフィードバックが実現できないからである。
【0018】 このことは、出力側の直線性にきわめて厳格な要求を設定し、ひいては最小限
の歪みおよびノイズで矩形波パルスを発生することを要求する。
【0019】 したがって、本発明の目的は、歪みを最小限にした矩形波パルスを出力側にお
いて最小のノイズおよび最小のロスで発生することができる方法、ならびにスイ
ッチド回路におけるスイッチングシーケンス中のピーク電流を低減する方法を提
供することである。
【0020】 本発明の目的は、スイッチド回路の端子が第2回路の一組の端子に接続され、
スイッチド回路から見て、低周波数では低インピーダンスを有し、高周波数では
高インピーダンスを有しかつ主として抵抗性である特性を備えた短絡インピーダ
ンスが第2回路に付与されることを特徴とする、請求項1の前置き部分に記載の
方法によって達成される。
【0021】 したがってこの回路は、通常はスイッチド回路中の寄生インダクタンスと寄生
容量のために起こる高周波数のリンギングが抵抗減衰によって著しく低減され得
るという利点を有する。
【0022】 高周波数でのノイズ低減回路の抵抗の作用もまた、スイッチド回路中の一時的
なピーク電流を、スイッチングコンタクトの短絡によって最大値まで低減できる
という利点を有する。したがって、デッドタイムは、スイッチでの破壊電流、ま
たは強大な短絡電流に起因する出力信号の強度のリンギングとしてのパルス高エ
ラーを発生することなく、最小限に低減されるだろう。
【0023】 請求項2に記載のように、単一または二つの電圧供給源が、スイッチド回路に
接続されていない第2回路の端子に接続され、インダクタンスと負荷回路との直
列回路が、スイッチング端子を含むスイッチド回路のポートに接続される場合に
は、スイッチド回路でのスイッチのピーク電流を最大値に制限するとともに、ス
イッチド回路における最小限のデットタイムおよびリンギングとしての最小限の
歪みおよびノイズを有する理想的な矩形波パルスを発生することがほとんど可能
な降圧形(Buck)コンバータが形成されることが確実になる。
【0024】 請求項3に記載のように、負荷回路が、スイッチド回路に接続されていない第
2回路の端子に接続され、インダクタンスと電圧供給源との直列回路が、スイッ
チング端子を含むスイッチド回路のポートに接続される場合には、スイッチド回
路でのスイッチのピーク電流を最大値に制限するとともに、スイッチド回路にお
ける最小限のデットタイムおよびリンギングとしての最小限の歪みおよびノイズ
を有する理想的な矩形波パルスを発生することがほとんど可能な昇圧形(Boost)
コンバータが形成されることが確実になる。
【0025】 記載のように、本発明はまた回路に関する。
【0026】 この回路は、第2回路が、スイッチド回路から見て、低周波数では低インピー
ダンスを有し、高周波数では高インピーダンスを有しかつ主として抵抗性である
短絡インピーダンスを有するネットワークによって形成されることを特徴とする
【0027】 高周波数で主に抵抗性のインピーダンスによって、回路がスイッチド回路での
一時的なスイッチングシーケンス中に電流リミッタとして働くという利点が提供
され、それによって最小限のデッドタイムを維持することができる。高周波数で
のノイズ低減回路の主に抵抗性の行動は、通常はスイッチド回路中の寄生インダ
クタンスと容量のために起こる高周波数のリンギングが著しく減少するという利
点をさらに有する。同様のことが達成される並列スナバ回路と比較して、この回
路はスイッチによって電圧を変えなければならない並列キャパシタがないため、
ロスが少ない。
【0028】 請求項6に記載のように、ネットワークが、容量素子と抵抗素子との直列回路
に接続された誘導素子を備える場合には、3個の素子のみを有する極めて簡素な
回路構造が得られる。
【0029】 請求項7に記載のように、抵抗素子が誘導素子に並列に接続される場合には、
2個の抵抗器がAC並列結合を形成するので、キャパシタと抵抗器の直列結合に
おける抵抗器の値が増加することが確実となる。
【0030】 請求項8に記載のように、ネットワークの容量素子と誘導素子の値が、スイッ
チド回路の寄生容量と寄生インダクタンスの値の少なくとも4倍以上であること
が好都合である。
【0031】 請求項9に記載のように、高周波数でのネットワークの抵抗値が、スイッチド
回路の全体の寄生インダクタンスと全体の寄生容量の特性インピーダンスの2倍
である場合には、必然的に発生する振動の著しい減少が達成される。このことは
、ともすれば歪みおよびノイズを引き起こし、スイッチの破壊を引き起こす可能
性のある強度のリンギングを発生することなく、スイッチド回路のスイッチのタ
ーンオン時間およびターンオフ時間の間のデッドタイムが最小限に低減されるこ
とを意味する。
【0032】 請求項10に記載のように、矩形波パルスの歪みは、キャパシタと抵抗器の直
列回路からなる公知のスナバ回路がスイッチド回路のスイッチ素子に並列に接続
されることによってさらに低減されるだろう。回路は比較的大きな寄生インダク
タンスを有するスイッチド回路で使用される場合に歪みを著しく低減する。並列
スナバ回路の追加は寄生インダクタンスと容量の特性インピーダンスが大きい場
合において、スイッチド回路構造中で、例えば広範な寸法の配置で、有利に行っ
てもよい。
【0033】 請求項11に記載のように、ネットワークとスイッチド回路は基板上に一体型
ユニットとして形成される。これはハーフブリッジにおける寄生インダクタンス
と歪みがさらに低減されることを意味する。
【0034】 請求項13に記載のように、回路のキャパシタと抵抗器との直列回路が、キャ
パシタとその内部直列抵抗によって形成される場合には、回路が極めて簡潔な方
法によって実現されることが確実となる。
【0035】 本発明の好都合な実施態様は、後に続く請求項において規定される。
【0036】 記載のように、最後に本発明はこの方法ならびに回路の使用方法に関する。
【0037】 これらの使用方法は請求項14および15に定義する。
【0038】 このように、D級増幅器および電力源において、スイッチでのピーク電流を制
限すること、およびそこに組み込まれるスイッチド回路でのノイズ、歪みおよび
リンギングを、スイッチド回路において従来から使用されるフィルタで達成可能
なものよりも簡素に低減することを提供することができる。
【0039】 以下、図面に示す発明の実施の様態に基づいてこの発明を詳述する。
【0040】 図1において、符号1は、端子5および端子6を介して2ポート型のスイッチ
ド回路2に接続された回路を示す。スイッチド回路は2ポートで形成されており
、端子6と端子8とが連結され、1つのポートには、他のポートの2つの端子5
と端子6との間でスイッチされ得るスイッチ17に接続されたスイッチ端子7が
収容されている。端子5および端子6を含むポートから見た場合、回路1の短絡
インピーダンス(端子3、4および20が短絡した状態でのインピーダンス)は
、低周波数では低く、高周波数では高く、かつ、主に抵抗性を有することが特徴
である。
【0041】 図2は回路1およびスイッチド回路2を用いた例を示しており、回路1の端子
3、4および20は回路9に接続され、スイッチド回路の端子7はインダクタン
ス11と端子8に接続された回路10とを直列結合したものに接続されている。
回路9および10は、例えば電圧源9および負荷10であってもよく、それによ
り、回路1およびスイッチド回路2は、文献からバック変換器として知られる形
態に組み込まれる。相応じて、回路9および回路10は、負荷9および電圧源1
0であってもよく、それにより、これらの回路およびスイッチド回路は、ブース
ト変換器として知られる形態に組み込まれる。
【0042】 図3は2ポート型の簡略化したスイッチド回路2の例を示しており、寄生要素
も図示されている。1つのポートには、図1あるいは図2の他のポートの端子5
と端子6との間でスイッチされるスイッチ可能端子7が収容されている。これら
のポートの端子6と端子8とは、図示されているように、連結されている。スイ
ッチド回路の寄生要素は、スイッチ34および35の周囲に図示されている。寄
生インダクタンス28および31が、端子5と端子6との間に生じ、スイッチ3
4および35、ならびにこれらのインダクタンスの値は、レイアウトやダイの取
り付け技術により最初に決定される。寄生インダクタンス29および30が、端
子7とスイッチ34との間および端子7とスイッチ35との間に設けられており
、これらのインダクタンスの値も、同様にして、レイアウトやダイの取り付け技
術により最初に決定される。
【0043】 寄生キャパシタ32および33が、スイッチ34および35と並列に設けられ
ており、これらのキャパシタの値は、構成要素の製造元により用いられた製造方
法により決定される。 これらの寄生キャパシタとインダクタンスは、従って、オシレーション回路を
形成する。このオシレーション回路は、端子5と端子6との間でスイッチ端子7
によりオンにされ、これにより、スイッチド回路の端子上でリンギングが生じる
。これらのリンギングは、回路1を端子5および6に接続すれば、かなり減衰す
る。図3のスイッチは、2つの強制整流コンタクト(トランジスタ)で示されて
いるが、強制整流コンタクトと非強制整流コンタクト(例えば、ダイオード)と
で形成してもよい。
【0044】 図4は回路1を2ポートネットワークとして実現させた例を示している。回路
のインダクタンス13は、図示されているように、端子21と端子23との間に
接続されており、直列結合のキャパシタ14と抵抗15が、図示されているよう
に、端子23と端子24との間に接続されている。
【0045】 図5は、回路1を2ポートネットワークとして実現させた別の例を示しており
、この2ポートネットワークには、端子21と端子23との間のインダクタンス
13に並列に抵抗16が設けられている。 2ポートネットワークのこの実施様態を用いる場合、抵抗15と抵抗16が高
周波的に並列結合を形成しているので、抵抗15の値を増大させてもよい。任意
のことであるが、抵抗15に無限に大きな抵抗を選択してもよく、その場合、キ
ャパシタ14と抵抗15を完全に省くことができる。端子22と24は互いに連
結されている。
【0046】 図6は回路1に端子5および端子6が接続されている状態と接続されていない
状態での、端子7のスイッチング直後のリンギングの推移を示している。端子7
についてのリンギングの交番的推移を、回路1に端子5および端子6が接続され
ていない状態では27で、接続されている状態では18で示す。リンギング27
は、わずかに減衰し、それにより、スイッチング期間の比較的大きな部分が形成
され、これに起因してパルス高さのひずみと電磁放射が生じることが理解される
。一方、18は、リンギングの推移が非常に大きく減衰し、過渡現象が実際に実
現される期間より小さくなる。すなわち、パルス高さのひずみと電磁放射が非常
に低い。
【0047】 図7は、端子7が端子6から端子5へスイッチした直後の、抵抗15の端子電
圧の交番的推移の例を18で示しており、このとき、端子7へ入る電流は正の極
性を有している。直列オシレーション回路の非常に大きな減衰がスイッチド回路
において得られるように抵抗の値を選択した場合、18で与えられたのと同じタ
イプの推移が得られる。このように、抵抗15の端子電圧が、ピーク値まで非常
に急速に増大する様子が18で示されている。なお、ピーク値は、抵抗15の値
と端子7に流れる電流との積により決定される。この電圧は、電流がインダクタ
ンス13により引き取られるにつれて降下し、短い過渡現象の後にゼロになる。
同じ条件において、19は、端子7が端子5から端子6にスイッチされるときの
シーケンスを示し、インダクタンス13を流れる電流は、端子5を流れている状
態からキャパシタ14および抵抗15を流れている状態へスイッチされ、これに
よって、抵抗15の端子電圧が、スイッチングの瞬間において抵抗15の値とイ
ンダクタンスを流れる電流との積により与えられ負の値をとる。この電圧は、次
いで、インダクタンス13を流れる電流が減少するにつれて、ゼロへ向かって減
少し、短い過渡現象の後にゼロとなる。
【0048】 図8は、図1および図3に関連して記載されている1つの2ポートネットワー
クを用いた、回路1の実例を示す。2ポートネットワークの端子21および22
は、それぞれ、端子3および4に接続されており、回路の端子20は、端子4に
接続されている。2ポートネットワークの端子23および24は、回路の端子5
および6にそれぞれ接続されている。
【0049】 図9は、2つの2ポートネットワークを用いた、回路1の別の実例を示してお
り、2ポートネットワークの端子21は、回路1の端子3および4にそれぞれ接
続され、両方の2ポートネットワークの端子22は、回路の端子20に接続され
ている。2ポートネットワークの端子23は、回路の端子5および6にそれぞれ
接続されている。
【0050】 図10は、単一の電圧源24を用いた、回路9の実例を示しており、電圧源2
4は回路9の端子3と端子4との間に接続され、端子20は端子4に接続されて
いる。
【0051】 図11は、24と25の二つの電圧源を用いた、回路9の他の実例を示してお
り、電圧源24は回路9の端子3および端子20に接続され、電圧源25は回路
9の端子20および端子4に接続されている。
【0052】 図12は、負荷26を用いた、回路9の実例を示しており、負荷26は端子3
と端子4との間に接続され、端子20は端子4に接続されている。
【0053】 図13は、図1に示されている回路1および回路2の実例を示しており、負荷
を端子7と端子8との間に接続することができ、電源を端子3と端子4との間に
接続することができる。
【0054】 図14a〜図14gは、図13に示された回路の異なる電流の流れの図表を示
しており、この電流の流れの図表は、回路1および回路3について6つの状態に
分割されている。
【0055】 図14aは、スイッチ35が正の負荷電流を導き、電流がスナバインダクタ1
3と2つの寄生インダクタ30および31に流れている状態である。
【0056】 図14bは、スイッチ35がオフにされた直後、および、スイッチ34がオン
にされた直後の、回路1および回路3を示しており、スナバインダクタ13を流
れる電流と寄生インダクタ30および31を流れる電流が同時に変化し得ないこ
とにより、インダクタ13、30および31に含まれるエネルギーがゼロになる
まで電流はキャパシタ14および抵抗15を流れる。回路1および回路3の実現
化においては、インダクター13は、寄生インダクタンスを合わせたものよりも
はるかに大きなインダクタンスを有するように一般的には選択され、これに起因
し、インダクタンス13は、寄生要素28、29、30、31、32および33
の共振周波数において無視され得る。このため、抵抗15が出力側のリンギング
を減衰させることが理解される。
【0057】 図14cは、寄生インダクタのエネルギーがゼロになった直後の回路1および
回路3を示しており、負荷電流がスイッチ34および寄生インダクタンス28お
よび29を流れているのが理解される。さらに、インダクタ13を流れている電
流は、インダクタ13のエネルギーがゼロとなるまで依然としてキャパシタ14
および抵抗15を流れていることが理解される。
【0058】 図14dは、スイッチ35からスイッチ34へのスイッチングが終了し、34
が正の負荷電流を導き、電流がスイッチ34それ自体を流れかつ寄生インダクタ
28および29を流れている状態における回路1および回路3を示す。
【0059】 図14eは、負荷がスイッチ34からスイッチ35へスイッチングされている
状態における回路1および回路3の電流の流れを示しており、負荷からの電流が
キャパシタ14および抵抗15を流れ、スイッチ34および35の寄生要素28
、29、30および31を流れる共振高周波数電流が、また、キャパシタ14お
よび抵抗15を流れていることが理解される。寄生要素28、29、30、31
、32および33の共振周波数は、このため、抵抗15により減衰される。
【0060】 図14fは、スイッチ34からスイッチ35へのスイッチングが行われ、かつ
、負荷電流が、スナバインダクタによりキャパシタ14および抵抗15から引き
取られた直後の回路1および回路3の電流の流れを示す。
【0061】 図14gは、回路1および回路3の続くの電流の流れを示しており、電流の流
れが、図14aの電流の流れと同一であり、これによって電流の流れの図表が完
結することが理解される。
【0062】 図15aは、負荷すなわち端子7が電源すなわち端子3にスイッチされたとき
の低周波数における回路1および回路3についての電流の流れ図を示しており、
電流経路がスイッチ35により厳密に与えられていることが理解される。
【0063】 図15bは、負荷すなわち端子7が接地端子3にスイッチされたときの低周波
数における回路1および回路3についての電流の流れ図を示しており、電流経路
がスイッチ34により厳密に与えられていることが理解される。
【0064】 図16aは、負荷がスイッチ34からスイッチ35にスイッチされた直後の、
非常に高い周波数における回路1および回路3についての電流の流れ図を示して
おり、寄生要素28、29、30、31、32および33を流れている電流が、
キャパシタ14および抵抗15を主として流れ、キャパシタ14および抵抗15
が適正な値を有するときには、寄生要素28、29、30、31、32および3
3を構成するオシレーション回路が、抵抗15により効果的に減衰され得ること
が理解される。
【0065】 図16bは、負荷がスイッチ35からスイッチ34にスイッチされた直後の、
非常に高い周波数における回路1および回路3についての電流の流れ図を示して
おり、寄生要素28、29、30、31、32および33を流れている電流が、
キャパシタ14および抵抗15を主に流れ、キャパシタ14および抵抗15が適
正な値を有するときには、寄生要素28、29、30、31、32および33を
構成するオシレーション回路が、抵抗15により効果的に減衰され得ることが理
解される。
【0066】 以上より理解されるように、この発明は、2ポート型のスイッチド回路と組み
合わされた場合、ノイズおよびオシレーションが最少でひずみを最少限度に抑制
した矩形波パルスを発生することができ、かつ、スイッチングシーケンス中のス
イッチのピーク電流を制限することができる、低損失の回路を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の基本的な構成をブロック図で示す。
【図2】 この発明の使用例をブロック図で示す。
【図3】 図1の基本的な構成の2ポート型のスイッチド回路の例を示す。
【図4】 この発明の図1の基本的な構成の2ポートネットワークの例を示す。
【図5】 この発明の図1の基本的な構成の第2の回路の例を示す。
【図6】 スイッチングシーケンス中およびシーケンス後の回路の電圧の推移を示す。
【図7】 この発明を構成する回路の電圧の推移を示す。
【図8】 図1の基本的な構成のノイズ減衰(低減)回路の例を示す。
【図9】 図1の基本的な構成のノイズ減衰回路の別の例を示す。
【図10】 単一の電圧源のノイズ減衰回路への接続例を示す。
【図11】 二つの電圧源の図2のノイズ減衰回路への接続例を示す。
【図12】 負荷の図2のノイズ減衰回路への接続例を示す。
【図13】 図1の回路1および回路2の実例を示す。
【図14a】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14b】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14c】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14d】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14e】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14f】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図14g】 図13に示された回路1および回路2における電流の流れの異なる状態を示す
【図15a】 低周波数での回路1および回路2の電流の流れの状態を示す。
【図15b】 低周波数での回路1および回路2の電流の流れの状態を示す。
【図16a】 非常な高周波数での回路1および回路2の電流の流れの状態を示す。
【図16b】 非常な高周波数での回路1および回路2の電流の流れの状態を示す。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年5月13日(2000.5.13)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】 本発明は矩形波パルスの歪みとノイズを低減する方法、および第1組の端子と
第2組の端子を有し、さらに第2組の端子のうちの1つの端子に接続され、第1
組の端子のうちの2つの端子の間で切替可能なスイッチング端子を有する2ポー
ト型のスイッチング回路におけるスイッチングシーケンス中に発生するピーク電
流を制限する方法に関する。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0002
【補正方法】変更
【補正内容】
【0002】 本発明はまた、歪みを最小限にした矩形波パルスを最小限のノイズで発生する
ことができ、矩形波パルスのスイッチングシーケンス中に発生するピーク電流を
制限することができるスイッチング回路に関する。前記スイッチング回路は第1
組の端子と第2組の端子を有し、さらに第2組の端子のうちの1つの端子に接続
されたスイッチング端子を有する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0003
【補正方法】変更
【補正内容】
【0003】 最後に、本発明はこの回路の使用に関する。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】 本発明の目的は、スイッチング回路の第1組の端子のうちの2つの端子が第2
回路の一組の出力端子に接続され、スイッチング回路から見て、低周波数では低
インピーダンスを有し、高周波数では高インピーダンスを有しかつ主として抵抗
性である特性を備えた短絡インピーダンスが第2回路に付与されることを特徴と
する、請求項1の前置き部分に記載の方法によって達成される。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】 請求項2に記載のように、第2回路が、単一または二つの電圧供給源に接続さ
れた一組の入力端子を有し、インダクタンスと負荷回路との直列回路が第2組の
端子に接続される場合には、スイッチド回路でのスイッチのピーク電流を最大値
に制限するとともに、スイッチド回路における最小限のデットタイムおよびリン
ギングとしての最小限の歪みおよびノイズを有する理想的な矩形波パルスを発生
することがほとんど可能な降圧形(Buck)コンバータが形成されることが確実にな
る。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】 請求項3に記載のように、第2回路が、負荷回路に接続された一組の入力端子
を有し、インダクタンスと電圧供給源との直列回路が第2組の端子に接続される
場合には、スイッチド回路でのスイッチのピーク電流を最大値に制限するととも
に、スイッチド回路における最小限のデットタイムおよびリンギングとしての最
小限の歪みおよびノイズを有する理想的な矩形波パルスを発生することがほとん
ど可能な昇圧形(Boost)コンバータが形成されることが確実になる。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】 この回路は、スイッチング回路の第1組の端子に接続された一組の出力端子を
有する第2回路が、スイッチング回路の第1組の端子から見て、低周波数では低
インピーダンスを有し、高周波数では高インピーダンスを有しかつ主として抵抗
性である短絡インピーダンスを有するネットワークによって形成されることを特
徴とする。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】 請求項6に記載のように、2ポートネットワークが、容量素子と抵抗素子との
直列回路に接続された誘導素子を備える場合には、3個の素子のみを有する極め
て簡素な回路構造が得られる。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】 請求項8に記載のように、ネットワークの容量素子と誘導素子の値が、スイッ
チング回路の寄生容量と寄生インダクタンスの値の少なくとも4倍以上であるこ
とが好都合である。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】 請求項9に記載のように、高周波数での第2ネットワークの抵抗値が、スイッ
チング回路の全体の寄生インダクタンスと全体の寄生容量の特性インピーダンス
の2倍である場合には、必然的に発生する振動の著しい減少が達成される。この
ことは、ともすれば歪みおよびノイズを引き起こし、スイッチの破壊を引き起こ
す可能性のある強度のリンギングを発生することなく、スイッチド回路のスイッ
チのターンオン時間およびターンオフ時間の間のデッドタイムが最小限に低減さ
れることを意味する。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0032
【補正方法】変更
【補正内容】
【0032】 請求項10に記載のように、抵抗器とキャパシタとの直列回路がスイッチング
回路のスイッチング端子と共通端子との間に接続され、もう一組の抵抗器とキャ
パシタとの直列回路が共通端子によって形成されていない2つの端子間に接続さ
れることにより、第2ネットワークの抵抗値が低減される。 回路は比較的大きな寄生インダクタンスを有するスイッチド回路で使用される場
合に歪みを著しく低減する。並列スナバ回路の追加は寄生インダクタンスと容量
の特性インピーダンスが大きい場合において、スイッチド回路構造中で、例えば
広範な寸法の配置で、有利に行ってもよい。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0033
【補正方法】変更
【補正内容】
【0033】 請求項11に記載のように、第2ネットワークとスイッチング回路は基板上に
集積型ユニットとして形成される。 これはハーフブリッジにおける寄生インダクタンスと歪みがさらに低減されるこ
とを意味する。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】 請求項13に記載のように、容量素子(14)と抵抗素子(15)との直列回
路が、キャパシタとその内部直列抵抗によって形成される場合には、回路が極め
て簡潔な方法によって実現されることが確実となる。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】 記載のように、最後に本発明はこの回路の使用に関する。
【手続補正16】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正17】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】
【手続補正18】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図15a
【補正方法】変更
【補正内容】
【図15a】
【手続補正19】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図15b
【補正方法】変更
【補正内容】
【図15b】
【手続補正20】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図16a
【補正方法】変更
【補正内容】
【図16a】
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図16b
【補正方法】変更
【補正内容】
【図16b】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,UG,ZW),E A(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB ,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ, DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,GE,G H,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP ,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR, LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,M W,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD ,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR, TT,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW (71)出願人 Birkedommervej 27,3, DK−2400 Copenhagen NV Denmark (72)発明者 リスボ,ラース デンマーク、ディーケイ−2300 コペンハ ーゲン・エス、5.ティヴイ、マークマン ズゲーデ 14 Fターム(参考) 5J091 AA01 AA02 AA41 AA66 CA00 CA21 CA41 HA25 HA29 HA33 HA38 KA00 KA13 MA09 TA01 TA06

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第2回路の端子間で切替可能なスイッチング端子を備えた切
    替可能なポートを有する2ポート型のスイッチド回路のスイッチングシーケンス
    中に発生するピーク電流を制限する、矩形波パルスの歪みおよびノイズを低減す
    る方法において、 スイッチド回路の端子が第2回路の一組の端子に接続され、スイッチド回路か
    ら見て、低周波数では低インピーダンスを有し、高周波数では高インピーダンス
    を有しかつ主として抵抗性である特性を備えた短絡インピーダンスが第2回路に
    付与されることを特徴とする矩形波パルスの歪みおよびノイズを低減する方法。
  2. 【請求項2】 単一または二つの電圧供給源が、スイッチド回路に接続され
    ていない第2回路の端子に接続され、インダクタンスと負荷回路との直列回路が
    スイッチング端子を含むスイッチド回路のポートに接続されていることを特徴と
    する請求項1の方法。
  3. 【請求項3】 負荷回路が、スイッチド回路に接続されていない第2回路の
    端子に接続され、インダクタンスと電圧供給源との直列回路がスイッチング端子
    を含むスイッチド回路のポートに接続されていることを特徴とする請求項1の方
    法。
  4. 【請求項4】 第2回路の2つの端子間で切替可能な端子を有する2ポート
    システムのスイッチド回路と組み合わされ、歪みを最小限にした矩形波パルスを
    最小限のノイズで発生させることができ、その矩形波パルスのスイッチングシー
    ケンス中に発生するピーク電流を制限することができるタイプの回路において、 第2回路が、スイッチド回路から見て、低周波数では低インピーダンスを有し
    、高周波数では高インピーダンスを有しかつ主として抵抗性である短絡インピー
    ダンスを有するネットワークによって形成されることを特徴とする回路。
  5. 【請求項5】 スイッチド回路によって切り替えられない第2回路のポート
    が、相互接続された2つの2ポートネットワークによって形成されていることを
    特徴とする請求項4の回路。
  6. 【請求項6】 ネットワークが、容量素子と抵抗素子との直列回路に接続さ
    れた誘導素子を備えていることを特徴とする請求項4または5の回路。
  7. 【請求項7】 抵抗素子が誘導素子に並列に接続されていることを特徴とす
    る請求項6の回路。
  8. 【請求項8】 ネットワークの容量素子と誘導素子の値が、スイッチド回路
    の寄生容量と寄生インダクタンスの値の少なくとも4倍以上であることを特徴と
    する請求項6または7の回路。
  9. 【請求項9】 高周波数でのネットワークの抵抗値が、スイッチド回路の全
    体の寄生インダクタンスと全体の寄生容量の特性インピーダンスの2倍であるこ
    とを特徴とする請求項6から8のいずれか1つの回路。
  10. 【請求項10】 抵抗器とキャパシタとの直列回路がスイッチング端子と共
    通端子との間に接続され、もう一組の抵抗器とキャパシタとの直列回路が共通端
    子によって形成されていない2つの端子間に接続されることによって、ネットワ
    ークの抵抗値が低減されることを特徴とする請求項4から9のいずれか1つの回
    路。
  11. 【請求項11】 ネットワークとスイッチド回路が、基板上に集積型ユニッ
    トとして形成されていることを特徴とする請求項4から10のいずれか1つの回
    路。
  12. 【請求項12】 基板上の導体経路が回路の誘導素子を形成することを特徴
    とする請求項11の回路。
  13. 【請求項13】 容量素子と抵抗素子との直列回路が、キャパシタとその内
    部直列抵抗によって形成されることを特徴とする請求項4から12のいずれか1
    つの回路。
  14. 【請求項14】 オーディオ用D級増幅器のハーフブリッジと組み合わせて
    なる請求項4から13のいずれか1つの回路の使用。
  15. 【請求項15】 スイッチモード電力源のハーフブリッジと組み合わせてな
    る請求項4から12のいずれか1つの回路の使用。
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