JP2002510140A - 基板を湿式処理する装置 - Google Patents

基板を湿式処理する装置

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JP2002510140A
JP2002510140A JP2000540562A JP2000540562A JP2002510140A JP 2002510140 A JP2002510140 A JP 2002510140A JP 2000540562 A JP2000540562 A JP 2000540562A JP 2000540562 A JP2000540562 A JP 2000540562A JP 2002510140 A JP2002510140 A JP 2002510140A
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シュトルツ ミヒャエル
レープシュトック ルッツ
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ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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Abstract

(57)【要約】 処理流体を受容する容器において基板を処理する装置であって、基板が基板保持体と一緒に容器内に挿入される形式のものにおいては、基板保持体の確実な保持は、基板保持体と係合させられる少なくとも1つの保持部材によって達成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、処理流体を含む容器において基体を湿式処理するための装置に関す
る。この場合、基体は基体保持体と一緒に容器内へかつ処理流体内へ挿入される
【0002】 EP−B−0 385536号及び本件出願の前にはまだ公開されていないD
E−A−19703646号には、処理流体を受容する容器内で基板を湿式処理
するための装置であって、基板が基板保持体と一緒に容器内へかつ処理流体内へ
挿入可能である形式のものが記述されている。例えば半導体ウェーハである基板
は、湿式処理する前に基板保持体に挿入され、次いで基板保持体と一緒に、処理
流体を受容している容器に挿入される。容器内での湿式処理の間、湿式処理を加
速するためには容器内の処理流体に流れが与えられる。これにより基体保持体が
、特に軽い基板保持体並びに軽い半導体ウェーハが用いられている場合には、半
導体ウェーハと一緒に液体内で浮き上がる危険がある。この効果は下から上へ向
けられた流体の流れによっても増長される。基板保持体の浮き上がりにより、処
理しようとする半導体ウェーハが湿式処理の間、部分的に処理流体から突出し、
この結果、半導体ウェーハが一様には処理されなくなる。さらに基板と基板保持
体は規定された予定位置に留まらず、湿式処理のあとで基板と基板保持体とを取
出すことが困難になる。
【0003】 GB1428545号明細書によれば、薄膜又はペーパクロマトグラフ用の装
置であって、保持レール及び保持クリップを介して現像板が処理室内でまず、室
内にある溶媒の上側に保持される形式のものが公知である。フィルタ紙を介して
溶媒はシールされた室内で気化され、室内には溶媒蒸気の飽和状態が生じる。次
いで現像が行われるために現像板の下方端部が溶媒内へ漬けられる。この場合に
は保持レール又は保持クリップは液状の溶媒に漬けられることなく現像板の下端
だけが溶媒に漬けられる。
【0004】 本発明の課題は、冒頭に述べた形式の装置において、基板の湿式処理の間に、
基板保持体が処理流体内で浮き上がることを回避することである。
【0005】 前記課題は本発明によれば処理槽としての容器内に、基板保持体と係合させる
ことのできる押さえ部材が少なくとも1つ設けられており、基板保持体がそこに
保持された基板と一緒に、湿式処理の間、浮き上がらないように保持されること
で解決された。これによって浮き上がりが阻止され、処理しようとする基板が処
理流体に完全に漬けられかつ一様に処理されることになる。特に該装置は流れの
強い流入ノズルの使用を可能にする。何故ならば流体の流れが強い場合ですら基
板保持体は浮き上がらなくなるからである。
【0006】 有利な実施例によれば2つの押さえ部材が設けられ、これらの押さえ部材が基
板保持体の対抗した側に配置され、基板保持体を摩擦接続で保持するようになっ
ている。
【0007】 1実施例によれば、少なくとも1つの押さえ部材がばね部材であって、基板保
持体を容器へ挿入した場合にばね部材が軽く変位させられ、基板保持体が容器に
挿入された状態でばね部材がばね力で基板保持体を押しかつ保持するようになっ
ている。有利な形式でばね部材は磁石、特にカプセルに入れられた電磁石によっ
て変位させられて、基板保持体を容器内へ挿入する際の摩擦を回避するか又は基
板保持体とばね部材との間の接触力を増大させて、より良い保持が達成されるよ
うにすることもできる。
【0008】 本発明の特に有利な実施例によれば、少なくとも1つの押さえ部材が膨らまし
可能である。膨らまし可能な押さえ部材は特に有利である。何故ならば膨らまし
可能な押さえ部材は基板保持体の挿入後にはじめて圧力で負荷されて直接的に基
板保持体に圧着されるので、基板保持体を挿入する際に膨らまし可能な部材と基
板保持体との間に発生する摩擦、ひいては摩擦粒子の発生が回避されるからであ
る。これによって基板保持体と押さえ部材との間の摩擦は最少に減じられる。さ
らにこの保持は容易にかつ正確に制御可能で、特に自動制御された装置に適して
いる。
【0009】 本発明の別の実施例によれば、押さえ部材は基板保持体に係合する突起を有し
ている。この突起は穹隆突起の形を有するか又は規定された係合点を形成するた
めに尖端を有していると有利である。
【0010】 形状接続的な、確実に規定された保持を提供するためには基板保持体は有利に
は1つの切欠きを、押さえ部材と係合させるために有している。この場合、押さ
え部材における突起と前記切欠きは有利には相補的に成形されている。
【0011】 別の特に有利な実施例によれば押さえ部材は旋回可能な保持部材を有し、まず
基板保持体が処理槽に挿入され、あとから保持部材を旋回させるようにし、挿入
に際しては保持部材と基板保持体との間に摩擦が発生しないようにすることがで
きる。
【0012】 汚染を回避するためには前記保持部材が押さえ部材の1部分の膨らましにより
旋回可能であることが特に有利である。これによって機械的な駆動手段による摩
擦粒子発生は排除されるか、少なくとも最少に減じられる。
【0013】 有利には基板保持体は積極的に確保されたかつ規定された基板保持体の保持を
保証するために、前記保持部材に係合させる肩を有している。
【0014】 以下、有利な実施例に基づき図面を援用して本発明を説明する。
【0015】 図面においては同じ符号は基板を湿式処理する本発明の装置の同じ部材を示し
ている。図1においては基板保持体と該基板保持体1内にある基板2とが示され
ている。基板保持体1は図示されていない、処理流体4で充たされた容器に挿入
される。基板保持体1の側方部分6と上側部分7は、処理されるウェーハが完全
に処理流体内に漬浸されることを保証するために処理流体4の表面5の下側に配
置されている。
【0016】 基板保持体1の対向した側には膨らまし可能な押さえ部材(以後保持部材10
と呼ぶ)が配置されている。この場合、右側の保持部材10は膨らまされた状態
で示されているのに対し、左側の保持部材10は無圧の状態で示されかつ膨らま
された状態は破線で示されている。保持部材10はそれぞれ膨らまし可能なバル
ーン11と供給導管12とから構成され、該供給導管12を介して圧力流動媒体
がバルーン11内へ導かれる。さらに保持部材10は図示されていない装置で容
器内の規定位置に保持される。保持部材の無圧状態でバルーン11は正方形の形
を有し、バルーン11は基板保持体1の側方部分6から間隔を有している。この
状態で基板保持体1は保持部材10の間に、保持部材10に対する接触と摩擦な
しで挿入される。保持部材10のバルーン11が圧力で負荷されると、バルーン
11は膨らまされ、バルーン11の側方領域は基板保持体の側方部分6に向かっ
て移動させられる。2つの保持部材が基板保持体の対抗した側にあるので、基板
保持体は保持部材の間に締込まれかつ保持される。したがって基板保持体1はウ
ェーハ2の湿式処理の間に浮き上がることはない。この浮き上がりは容器内に上
方へ向けられた流れが与えられている場合でも回避される。
【0017】 図2においては保持部材10の選択的な1実施例が示されている。保持部材1
0はこの場合にも膨らまし可能なバルーン11を有している。このバルーン11
は無圧な状態で示されている。膨らまされた状態は破線で示されている。バルー
ン11は基板保持体の概略的に示された側方部分6に向いた突起14を有してい
る。突起14は尖端を有し、バルーン11が膨らまされた状態で基板保持体1の
側方部分6を押す。
【0018】 図3には本発明の保持装置の別の実施例が示されている。図1の場合のように
半導体ウェーハ2を有する基板保持体1は上側部分7と側方部分で処理流体4に
漬浸されている。この場合にも基板保持体1の上側部分7は処理流体4の表面5
の下側に位置している。基板保持体1の側方部分6にはそれぞれ1つの肩16が
構成されている。基板保持体1の反対側には同様に保持部材10が配置されてい
る。保持部材10はそれぞれ1つのバルーン11と、バルーン11の圧力負荷で
基板保持体1に向かって移動させられて側方部分6の肩16に係合させられるた
めに旋回させられる保持部材20とを有している。図3においてはこの場合も同
様に、右側の保持部材10が圧力で負荷された状態で示されているのに対し、左
側の保持部材10は無圧の状態で示されている。基板保持体1を挿入する場合、
両方の保持部材10が無圧でありかつ保持部材20が基板保持体1から離れるよ
うに旋回させられている(左側の保持部材で図示)ので、基板保持体は解放され
ており、基板保持体1は保持部材10と接触することなく容器内へ挿入される。
基板保持体が容器に挿入されたあとで両方の保持部材10は圧力で負荷され、保
持部材20は基板保持体1に向かって旋回させられ、それぞれ一方の側方部分6
の肩16に係合させられ、基板保持体が確実に保持される(図3の右側の保持部
材10で図示)。
【0019】 図4は本発明による保持部材の別の実施例が示されている。図4には図1と図
3と同じように半導体ウェーハを有する基板保持体1と側方部分6と上側部分7
が示されている。この場合にも基板保持体1は処理流体4内に、基板保持体1の
上側部分7が処理流体4の表面5の下側に位置するように漬浸されている。基板
保持体1の対抗する側には保持部材10が設けられている。保持部材10はそれ
ぞれ1つの扁平なばね部材25を有している。これらのばね部材25は基板保持
体12に向かって緊張させられている。ばね部材25は図示されていない容器に
固定された下方端部26と自由な上方端部27とを有している。自由な上方端部
27には、ばね部材25の基板保持体1に向いた側に、粒状突起の形をした突起
30が構成されている。
【0020】 基板保持体1を容器に挿入する場合には基板保持体はばね部材25の間に挿入
され、それぞれ突起が基板保持体の側方部分6に係合させられ、ばね部材25が
軽く外方へ変位させられ、基板保持体に向かってプレロード力が生ぜしめられる
。これによって側方部分6と突起30との間に接触力が生ぜしめられるので、基
板保持体は保持部材の間に挟持される。この場合、挿入に際して発生させられる
摩擦ができるだけ摩擦粒子を発生させないように、接触圧はできるだけ小さく保
っておきたい。それでも接触圧は基板保持体の浮き上がりを阻止するために十分
な大きさを有していなければならない。
【0021】 図5には本発明による保持部材の別の実施例が示されている。図5による実施
例は図4による実施例とほぼ同じ基本構造を有しているので、その限りにおいて
は記述は省略する。唯一の相違はばね部材25の背面側にて突起30の高さのと
ころにそれぞれ1つの磁石32が取付けられかつ図示されていない容器内に前記
磁石32に向き合って電磁石34が配置されていることである。電磁石34は磁
石32を引付けるか突き離すため又は両磁石32,34の間に中立的な関係を成
立させるために、図示されていない制御装置で制御される。磁石32,34処理
流体の汚染を阻止するために有利にはカプセルに入れられている。
【0022】 基板保持体1を容器に挿入する場合には基板保持体はばね部材25の間に挿入
される。この場合、ばね部材25は電磁石34の適当な制御によって変位させら
れ、挿入過程の間に突起30と基板保持体の側方部分6との間に摩擦が発生させ
られないようになる。基板保持体を挿入したあとで電磁石34が適当に制御され
、ばね部材25が解放されかつ基板保持体1に向かって移動する。ばね部材25
の突起30は基板保持体1の側方部分6に係合し、側方部分6と突起30との間
に接触圧が生ぜしめられる。したがって基板保持体は保持部材10の間に締め込
まれる。ばね部材のばね作用によって生ぜしめられた接触圧が十分でないと、接
触圧は電磁石34の適当な制御により高められる。
【0023】 図面には示されていないが基板保持体は、側方部分6と突起14又は30との
係合を改善するために、軽い切欠き又は突起を有していることができる。
【0024】 差当たり有利な実施例に基づき本発明を説明したが、当業者にとっては、本発
明の思想を逸脱することなく数多くの変更と構成が可能である。特に種々異なる
保持部材の他の形状が考えられる。この場合には基板保持体が確実に保持される
ことが保証されるだけで十分である。さらに特にチップ又は半導体製作と関連し
て使用する場合には、基板保持体を挿入する場合に摩擦が発生させられないか又
は摩擦が発生させられてもこれをわずかにして、摩擦粒子の発生が回避させられ
るようにしなければならない。さらに本発明は図示の形状の基板保持体とウェー
ハの処理とに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による押さえ保持部材によって保持されて処理流体内にある基板保持体
の概略的な側面図。
【図2】 押さえ部材の選択的な実施例を示した図。
【図3】 旋回可能な保持部材を有する本発明の押さえ部材の1実施例を示す、図1と同
様の概略的な側面図。
【図4】 本発明による押さえ部材の別の実施例を示す概略的な側面図。
【図5】 本発明による押さえ部材の別の実施例を示した、図1と同様の側面図。
【符号の説明】
1 基板保持体、 2 基板、 4 処理流体、 5 上面、 6 側方部分
、 7 上側、 10 保持部材、 11 バルーン、 12 供給導管、 1
4 突起、 15 尖端、 20 保持部材、 25 ばね部材、 30 突起
、 32 磁石、 34 電磁石
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成11年12月31日(1999.12.31)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、処理流体を受容する容器内で基板を湿式処理するための装置であっ
て、基板が基板保持体と一緒に容器内及び処理流体内へ挿入可能でありかつ容器
内に、基板保持体と係合させることのできる押さえ部材が少なくとも1つ設けら
れている形式のものに関する。
【0002】 EP−B−0 385536号及び本件出願の前にはまだ公開されていないD
E−A−19703646号には、処理流体を受容する容器内で基板を湿式処理
するための装置であって、基板が基板保持体と一緒に容器内へかつ処理流体内へ
挿入可能である形式のものが記述されている。例えば半導体ウェーハである基板
は、湿式処理する前に基板保持体に挿入され、次いで基板保持体と一緒に、処理
流体を受容している容器に挿入される。容器内での湿式処理の間、湿式処理を加
速するためには容器内の処理流体に流れが与えられる。これにより基体保持体が
、特に軽い基板保持体並びに軽い半導体ウェーハが用いられている場合には、半
導体ウェーハと一緒に液体内で浮き上がる危険がある。この効果は下から上へ向
けられた流体の流れによっても増長される。基板保持体の浮き上がりにより、処
理しようとする半導体ウェーハが湿式処理の間、部分的に処理流体から突出し、
この結果、半導体ウェーハが一様には処理されなくなる。さらに基板と基板保持
体は規定された予定位置に留まらず、湿式処理のあとで基板と基板保持体とを取
出すことが困難になる。
【0003】 GB1428545号明細書によれば、薄膜又はペーパクロマトグラフ用の装
置であって、保持レール及び保持クリップを介して現像板が処理室内でまず、室
内にある溶媒の上側に保持される形式のものが公知である。フィルタ紙を介して
溶媒はシールされた室内で気化され、室内には溶媒蒸気の飽和状態が生じる。次
いで現像が行われるために現像板の下方端部が溶媒内へ漬けられる。この場合に
は保持レール又は保持クリップは液状の溶媒に漬けられることなく現像板の下端
だけが溶媒に漬けられる。
【0004】 1991年10月3日の日本国の特許要約書015巻,No.390(E−1 118)並びにJP−A−03156954号には、処理流体を受容する容器内
で基板を処理するための装置であって、基板が基板保持体と一緒に容器内へかつ
処理流体内へ挿入される形式のものが公知である。基板保持体を処理流体内に挿
入する場合には、基板保持体の対抗した側に配置された、ばねで負荷されたレバ
ーアームが基板保持体と接触させられかつばね負荷に抗して外方へ旋回させられ
る。基板保持体が完全に処理流体内に挿入されると、レバーアームはばね負荷に
基づき基板保持体の外面に押し付け、この基板保持体が処理流体内で浮き上がる
ことが阻止される。
【0005】 本発明の課題は冒頭に述べた形式の装置を改良し、基板保持体と押さえ部材と
の間の摩擦が減少させられかつ有利には完全に回避されるようにすることである
【0006】 本発明の課題は、基板保持体と係合させることができる少なくとも1つの押さ
え部材が膨らまし可能であることによって解決された。これにより、基板保持体
を挿入する間の、膨らまし可能な部材との間の摩擦、ひいては摩擦粒子の発生が
回避される。何故ならば膨らまし可能な押さえ部材は基板保持体が挿入されたあ
とで圧力で負荷され、次いで基板保持体に対して押しつけられるからである。こ
れによって基板保持体と押さえ部材との間の摩擦が最少に減少させられる。さら
にこの保持装置は容易にかつ正確に制御可能で、特に自動的に制御された装置の
ために特に適している。
【0007】 本発明の1実施例によれば有利には基板保持体の対抗する側に配置された2つ
の押さえ部材が設けられ、基板保持体がその間に挟持され、基板保持体が伝力接
続によって保持されるようになっている。
【0008】 本発明の1実施例によれば少なくとも1つの押さえ部材がばね部材であって、
このばね部材が容器内へ基板保持体を挿入する場合に軽く変位させられ、基板保
持体が挿入された状態で、基板保持体にばね部材が押し付けられ、基板保持体を
保持するようになっている。有利にはばね部材は磁石、特にカプセルに入れられ
た電磁石によって変位させられ、基板保持体を挿入する場合の摩擦を回避するか
又は基板保持体とばね部材との間の接触圧を高めて基板保持体の保持を改善する
ことができる。
【0009】 本発明の別の実施例によれば、押さえ部材は基板保持体に係合する突起を有し
ている。この突起は穹隆突起の形を有するか又は規定された係合点を形成するた
めに尖端を有していると有利である。
【0010】 形状接続的な、確実に規定された保持を提供するためには基板保持体は有利に
は1つの切欠きを、押さえ部材と係合させるために有している。この場合、押さ
え部材における突起と前記切欠きは有利には相補的に成形されている。
【0011】 別の特に有利な実施例によれば押さえ部材は旋回可能な保持部材を有し、まず
基板保持体が処理槽に挿入され、あとから保持部材を旋回させるようにし、挿入
に際しては保持部材と基板保持体との間に摩擦が発生しないようにすることがで
きる。
【0012】 汚染を回避するためには前記保持部材が押さえ部材の1部分の膨らましにより
旋回可能であることが特に有利である。これによって機械的な駆動手段による摩
擦粒子発生は排除されるか、少なくとも最少に減じられる。
【0013】 有利には基板保持体は積極的に確保されたかつ規定された基板保持体の保持を
保証するために、前記保持部材に係合させる肩を有している。
【0014】 以下、有利な実施例に基づき図面を援用して本発明を説明する。
【0015】 図面においては同じ符号は基板を湿式処理する本発明の装置の同じ部材を示し
ている。図1においては基板保持体と該基板保持体1内にある基板2とが示され
ている。基板保持体1は図示されていない、処理流体4で充たされた容器に挿入
される。基板保持体1の側方部分6と上側部分7は、処理されるウェーハが完全
に処理流体内に漬浸されることを保証するために処理流体4の表面5の下側に配
置されている。
【0016】 基板保持体1の対向した側には膨らまし可能な押さえ部材(以後保持部材10
と呼ぶ)が配置されている。この場合、右側の保持部材10は膨らまされた状態
で示されているのに対し、左側の保持部材10は無圧の状態で示されかつ膨らま
された状態は破線で示されている。保持部材10はそれぞれ膨らまし可能なバル
ーン11と供給導管12とから構成され、該供給導管12を介して圧力流動媒体
がバルーン11内へ導かれる。さらに保持部材10は図示されていない装置で容
器内の規定位置に保持される。保持部材の無圧状態でバルーン11は正方形の形
を有し、バルーン11は基板保持体1の側方部分6から間隔を有している。この
状態で基板保持体1は保持部材10の間に、保持部材10に対する接触と摩擦な
しで挿入される。保持部材10のバルーン11が圧力で負荷されると、バルーン
11は膨らまされ、バルーン11の側方領域は基板保持体の側方部分6に向かっ
て移動させられる。2つの保持部材が基板保持体の対抗した側にあるので、基板
保持体は保持部材の間に締込まれかつ保持される。したがって基板保持体1はウ
ェーハ2の湿式処理の間に浮き上がることはない。この浮き上がりは容器内に上
方へ向けられた流れが与えられている場合でも回避される。
【0017】 図2においては保持部材10の選択的な1実施例が示されている。保持部材1
0はこの場合にも膨らまし可能なバルーン11を有している。このバルーン11
は無圧な状態で示されている。膨らまされた状態は破線で示されている。バルー
ン11は基板保持体の概略的に示された側方部分6に向いた突起14を有してい
る。突起14は尖端を有し、バルーン11が膨らまされた状態で基板保持体1の
側方部分6を押す。
【0018】 図3には本発明の保持装置の別の実施例が示されている。図1の場合のように
半導体ウェーハ2を有する基板保持体1は上側部分7と側方部分で処理流体4に
漬浸されている。この場合にも基板保持体1の上側部分7は処理流体4の表面5
の下側に位置している。基板保持体1の側方部分6にはそれぞれ1つの肩16が
構成されている。基板保持体1の反対側には同様に保持部材10が配置されてい
る。保持部材10はそれぞれ1つのバルーン11と、バルーン11の圧力負荷で
基板保持体1に向かって移動させられて側方部分6の肩16に係合させられるた
めに旋回させられる保持部材20とを有している。図3においてはこの場合も同
様に、右側の保持部材10が圧力で負荷された状態で示されているのに対し、左
側の保持部材10は無圧の状態で示されている。基板保持体1を挿入する場合、
両方の保持部材10が無圧でありかつ保持部材20が基板保持体1から離れるよ
うに旋回させられている(左側の保持部材で図示)ので、基板保持体は解放され
ており、基板保持体1は保持部材10と接触することなく容器内へ挿入される。
基板保持体が容器に挿入されたあとで両方の保持部材10は圧力で負荷され、保
持部材20は基板保持体1に向かって旋回させられ、それぞれ一方の側方部分6
の肩16に係合させられ、基板保持体が確実に保持される(図3の右側の保持部
材10で図示)。
【0019】 図4は本発明による保持部材の別の実施例が示されている。図4には図1と図
3と同じように半導体ウェーハを有する基板保持体1と側方部分6と上側部分7
が示されている。この場合にも基板保持体1は処理流体4内に、基板保持体1の
上側部分7が処理流体4の表面5の下側に位置するように漬浸されている。基板
保持体1の対抗する側には保持部材10が設けられている。保持部材10はそれ
ぞれ1つの扁平なばね部材25を有している。これらのばね部材25は基板保持
体12に向かって緊張させられている。ばね部材25は図示されていない容器に
固定された下方端部26と自由な上方端部27とを有している。自由な上方端部
27には、ばね部材25の基板保持体1に向いた側に、粒状突起の形をした突起
30が構成されている。
【0020】 基板保持体1を容器に挿入する場合には基板保持体はばね部材25の間に挿入
され、それぞれ突起が基板保持体の側方部分6に係合させられ、ばね部材25が
軽く外方へ変位させられ、基板保持体に向かってプレロード力が生ぜしめられる
。これによって側方部分6と突起30との間に接触力が生ぜしめられるので、基
板保持体は保持部材の間に挟持される。この場合、挿入に際して発生させられる
摩擦ができるだけ摩擦粒子を発生させないように、接触圧はできるだけ小さく保
っておきたい。それでも接触圧は基板保持体の浮き上がりを阻止するために十分
な大きさを有していなければならない。
【0021】 図5には本発明による保持部材の別の実施例が示されている。図5による実施
例は図4による実施例とほぼ同じ基本構造を有しているので、その限りにおいて
は記述は省略する。唯一の相違はばね部材25の背面側にて突起30の高さのと
ころにそれぞれ1つの磁石32が取付けられかつ図示されていない容器内に前記
磁石32に向き合って電磁石34が配置されていることである。電磁石34は磁
石32を引付けるか突き離すため又は両磁石32,34の間に中立的な関係を成
立させるために、図示されていない制御装置で制御される。磁石32,34処理
流体の汚染を阻止するために有利にはカプセルに入れられている。
【0022】 基板保持体1を容器に挿入する場合には基板保持体はばね部材25の間に挿入
される。この場合、ばね部材25は電磁石34の適当な制御によって変位させら
れ、挿入過程の間に突起30と基板保持体の側方部分6との間に摩擦が発生させ
られないようになる。基板保持体を挿入したあとで電磁石34が適当に制御され
、ばね部材25が解放されかつ基板保持体1に向かって移動する。ばね部材25
の突起30は基板保持体1の側方部分6に係合し、側方部分6と突起30との間
に接触圧が生ぜしめられる。したがって基板保持体は保持部材10の間に締め込
まれる。ばね部材のばね作用によって生ぜしめられた接触圧が十分でないと、接
触圧は電磁石34の適当な制御により高められる。
【0023】 図面には示されていないが基板保持体は、側方部分6と突起14又は30との
係合を改善するために、軽い切欠き又は突起を有していることができる。
【0024】 差当たり有利な実施例に基づき本発明を説明したが、当業者にとっては、本発
明の思想を逸脱することなく数多くの変更と構成が可能である。特に種々異なる
保持部材の他の形状が考えられる。この場合には基板保持体が確実に保持される
ことが保証されるだけで十分である。さらに特にチップ又は半導体製作と関連し
て使用する場合には、基板保持体を挿入する場合に摩擦が発生させられないか又
は摩擦が発生させられてもこれをわずかにして、摩擦粒子の発生が回避させられ
るようにしなければならない。さらに本発明は図示の形状の基板保持体とウェー
ハの処理とに限定されるものではない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 処理流体(4)を受容する容器内で基板(2)を湿式処理す
    るための装置であって、基板(2)が基板保持体(1)と一緒に容器内及び処理
    流体内へ挿入可能である形式のものにおいて、槽体としての容器内に、基板保持
    体(1)と係合させることのできる押さえ部材(10)が少なくとも1つ設けら
    れていることを特徴とする、基板を湿式処理するための装置。 【請求項2】 2つの押さえ部材(10)が設けられている、請求項1記載
    の装置。 【請求項3】 2つの押さえ部材(10)が基板保持体(1)の対向する側
    に配置されている、請求項1記載の装置。 【請求項5】 少なくとも1つの押さえ部材(10)がばね部材(25)で
    ある、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。 【請求項6】 前記ばね部材(25)を変位させるために少なくとも1つの
    磁石(32,34)を有する、請求項5記載の装置。 【請求項7】 少なくとも1つの磁石が電磁石である、請求項6記載の装置
    。 【請求項8】 少なくとも1つの磁石(32,34)がカプセルに入れられ
    ている、請求項6又は7記載の装置。 【請求項9】 少なくとも1つの押さえ部材(10)が膨らまし可能である
    、請求項1から8までのいずれか1項記載の装置。 【請求項10】 押さえ部材(10)が基板保持体(1)に係合する突起(
    14,30)を有している、請求項1から9までのいずれか1項記載の装置。 【請求項11】 前記突起(30)が粒状突起の形を有している、請求項1
    0記載の装置。 【請求項12】 前記突起が尖端を有している、請求項10記載の装置。 【請求項13】 基板保持体(1)が押さえ部材(10)と係合する切欠き
    又は突起を有している、請求項1から12までのいずれか1項記載の装置。 【請求項14】 押さえ部材(10)の突起(14,30)と前記切欠き(
    14,30)とが相補する形を有している、請求項1から13までのいずれか1
    項記載の装置。 【請求項15】 押さえ部材(10)が旋回可能な保持部材(20)を有し
    ている、請求項1から14までのいずれか1項記載の装置。 【請求項16】 前記保持部材(20)が押さえ部材(10)の1部(11
    )を膨らませることで旋回させられる、請求項15記載の装置。 【請求項17】 基板保持体(1)が保持部材(20)が係合する肩(16
    )を有している、請求項15記載の装置。
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DE19800951.8 1998-01-13
DE19800951A DE19800951A1 (de) 1998-01-13 1998-01-13 Vorrichtung zur Naßbehandlung von Substraten
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