JP2002502121A - 特にヘテロエピタキシャル堆積用のコンプライアント基板 - Google Patents
特にヘテロエピタキシャル堆積用のコンプライアント基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】他の材料のヘテロエピタキシャル成長を始めるため使用すべき材料の薄膜を供給するコンプライアント基板を提供するものである。
【解決手段】 キャリヤ（１，１４，２１，３１）と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層（４，１３，２３，３４）とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板（５，２０，３０）であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段（３；１１，１５，１６；２４，２５）によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄層及び／又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び／又は結合エネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とする。
Description
【０００１】
本発明は、コンプライアント（compliant）基板、すなわち、付着された構造 （最小可能応力を受けるようにヘテロエピタキシーによって基板表面上に堆積さ
れた層でもよい）によって誘起された応力を受容することができる基板に関する
ものである。
れた層でもよい）によって誘起された応力を受容することができる基板に関する
ものである。
【０００２】
エレクトロニクス及びオプトエレクトロニクス利用においては、多くの半導体
材料、特にIII-V族のような化合物半導体を要求されている。しかしながら、現 在、例えば、シリコン、ガリウム砒素、シリコン炭化物およびインジウムリン化
物のようなある種の半導体についての固体基板の製造の方法しか知られていない
。他の半導体に対しては、選択された方法は、結晶格子網（crystalline networ
k）が成長する半導体層の格子網に適合する基板上でのヘテロエピタキシャル成 長である。
材料、特にIII-V族のような化合物半導体を要求されている。しかしながら、現 在、例えば、シリコン、ガリウム砒素、シリコン炭化物およびインジウムリン化
物のようなある種の半導体についての固体基板の製造の方法しか知られていない
。他の半導体に対しては、選択された方法は、結晶格子網（crystalline networ
k）が成長する半導体層の格子網に適合する基板上でのヘテロエピタキシャル成 長である。
【０００３】 しかしながら、層と基板との間に形成した界面における格子パラメータに適合
しなければならないという制限は、所望の層に適合する格子網を有する基板を見
つけることはまれであるので、成長する層の数及びその多様性を厳しく制限する
。例えば、GaN、AlN及びInNのヘテロエピタキシャル成長に完全に適合する固体 基板はない。
しなければならないという制限は、所望の層に適合する格子網を有する基板を見
つけることはまれであるので、成長する層の数及びその多様性を厳しく制限する
。例えば、GaN、AlN及びInNのヘテロエピタキシャル成長に完全に適合する固体 基板はない。
【０００４】 適合の悪い基板の使用は非常に質の悪い層の成長につながる。特に、層厚が臨
界値（格子網の適合悪さが大きくなるほど、減少する）を越えるや否や、構造欠
陥（特に転位）の生成を通して、ヘテロエピタキシャル層における応力が開放さ
れる。
界値（格子網の適合悪さが大きくなるほど、減少する）を越えるや否や、構造欠
陥（特に転位）の生成を通して、ヘテロエピタキシャル層における応力が開放さ
れる。
【０００５】 これらの問題を克服するために、厚い基板におけるエピタキシーの専門家は、
バッファ層の積み重ねの形成を含む成長法を使用してきた。このバッファ層の積
み重ねの目的は、主にエピタキシー面における、２つの材料の間の熱膨張係数の
差によって、基板とエピタキシャル成長した層との間の格子パラメータの差によ
って誘起された応力の吸収を可能にすることである。この層の場合、エピタキシ
ャル層の成長する際の温度も考慮するべきパラメータである。バッファ層のこの
積み重ねは、所望の層であるエピタキシャル成長層を終端するために使用する表
面層（superficial layer）で終端する。しかしながら、この全ノウハウを使用 するときさえ、得られる材料は常に結晶欠陥を含んでおり、エレクトロニクス及
びオプトエレクトロニクス素子を製造するにはしばしば品質が不十分である。
バッファ層の積み重ねの形成を含む成長法を使用してきた。このバッファ層の積
み重ねの目的は、主にエピタキシー面における、２つの材料の間の熱膨張係数の
差によって、基板とエピタキシャル成長した層との間の格子パラメータの差によ
って誘起された応力の吸収を可能にすることである。この層の場合、エピタキシ
ャル層の成長する際の温度も考慮するべきパラメータである。バッファ層のこの
積み重ねは、所望の層であるエピタキシャル成長層を終端するために使用する表
面層（superficial layer）で終端する。しかしながら、この全ノウハウを使用 するときさえ、得られる材料は常に結晶欠陥を含んでおり、エレクトロニクス及
びオプトエレクトロニクス素子を製造するにはしばしば品質が不十分である。
【０００６】 この問題を改善するため、コンプライアント基板についての様々な研究が行わ
れてきた。一例として例えば、Y.H.LOによってAppl.Phys.Lett. 59(18)（1991年
10月28日）において発表された論文“New Approach to Grow Pseudomorphic Str
uctures over the Critical Thickness”が挙げられる。この分野では、コンプ ライアント基板とは本質的にその結晶格子（格子パラメータ）が層に適合される
ことが必要とされない結晶基板であり、ヘテロエピタキシャル層が成長したとき
、層の成長に関係した応力の緩和が、ヘテロエピタキシャル層で生ずるのではな
く、コンプライアント基板自体あるいは界面において生ずる性質を有するように
成長することが望まれているものである。この場合、非常に品質の高いヘテロエ
ピタキシャル層を得ることができ、原理的にはコンプライアント基板は結晶格子
網上でいかなる種類の層の成長も可能にする。
れてきた。一例として例えば、Y.H.LOによってAppl.Phys.Lett. 59(18)（1991年
10月28日）において発表された論文“New Approach to Grow Pseudomorphic Str
uctures over the Critical Thickness”が挙げられる。この分野では、コンプ ライアント基板とは本質的にその結晶格子（格子パラメータ）が層に適合される
ことが必要とされない結晶基板であり、ヘテロエピタキシャル層が成長したとき
、層の成長に関係した応力の緩和が、ヘテロエピタキシャル層で生ずるのではな
く、コンプライアント基板自体あるいは界面において生ずる性質を有するように
成長することが望まれているものである。この場合、非常に品質の高いヘテロエ
ピタキシャル層を得ることができ、原理的にはコンプライアント基板は結晶格子
網上でいかなる種類の層の成長も可能にする。
【０００７】 コンプライアント基板の製造は３つグループに分類される。
【０００８】 第１のグループは、自己支持型の非常に微細な（数ｎｍ）基板であり、広い表
面積を得ることを要求されている場合は、製造が困難であり、事実上不可能なも
のである。この点については、参考として、F.E.EJECKAM et al.によってAppl.P
hys.Lett. 70(13)（1997年3月31日）において発表された論文“Lattice Enginee
red Compliant Substrate for defect-free Hetero-epitaxial Growth”が挙げ られる。
面積を得ることを要求されている場合は、製造が困難であり、事実上不可能なも
のである。この点については、参考として、F.E.EJECKAM et al.によってAppl.P
hys.Lett. 70(13)（1997年3月31日）において発表された論文“Lattice Enginee
red Compliant Substrate for defect-free Hetero-epitaxial Growth”が挙げ られる。
【０００９】 第２のグループは、基板上のSOI（Silicon-On-Insulator）構造に関係する。 この場合、得られた表面膜は非常に薄く、下の絶縁層は薄膜の成長の間、温度の
効果で変形する傾向がある。
効果で変形する傾向がある。
【００１０】 第３のグループは、いわゆる“捻り結合（twist bonding）”型の構造に関係 する。この場合、引き続きコンプライアンスと呼ばれる応力緩和が生ずる薄膜は
、結晶網が方向付けられていない同じ種類の２つの結晶基板についてその一方の
基板を非常に薄い層になるまで薄くすることによって分子付着（molecular adhe
sion）を通してその２つの結晶基板を結合することによって形成する。この点に
ついては、参考として、F.E.EJECKAM et al.によってAppl.Phys.Lett. 71(6)（1
997年8月11日）において発表された論文“Dislocation-free InSb Grown on GaA
s Compliant Universal Substrates”が挙げられる。この方向付けのない結合は
、界面近傍において、薄くした層において見つけられる転位の形成を引き起こし
、それによってヘテロエピタキシャル層がその界面の上に成長したときに、その
層が応力を適合させる。
、結晶網が方向付けられていない同じ種類の２つの結晶基板についてその一方の
基板を非常に薄い層になるまで薄くすることによって分子付着（molecular adhe
sion）を通してその２つの結晶基板を結合することによって形成する。この点に
ついては、参考として、F.E.EJECKAM et al.によってAppl.Phys.Lett. 71(6)（1
997年8月11日）において発表された論文“Dislocation-free InSb Grown on GaA
s Compliant Universal Substrates”が挙げられる。この方向付けのない結合は
、界面近傍において、薄くした層において見つけられる転位の形成を引き起こし
、それによってヘテロエピタキシャル層がその界面の上に成長したときに、その
層が応力を適合させる。
【００１１】 これらの従来技術におけるコンプライアント基板は使用に制限がある。自己支
持型膜に対しては、制限は、数mm2の面上、及びさらに数10cm2の面上に数nmの膜
を形成することの困難性あるいは実質的な不可能性に帰する。このような膜厚で
は、扱いが十分に確立した材料はない。SOI構造に対して、制限は基板の完全で ないコンプライアンスに帰する。これは、応力を吸収するために変形する（ある
いはずれる）絶縁体の能力に関係している。この結果を達成するため、高温で熱
処理、及び／又は（例えば、二酸化シリコンタイプの絶縁体にホウ素やリンをド
ープして）適合した組成にしなければならない。これらの熱処理はエピタキシャ
ルされる層に必ずしも整合しない。第３のグループの基板では、大きな面上で欠
陥のない結合を得ること、及び、層を非常に薄くすることは困難である。さらに
、この技術は、コンプライアントな性質をこのタイプの構造に伝える転位の数及
び種類を適当に制御することが望まれているならば、２つの基板間の結晶方位の
適合性の乏しさを越える非常に優れた制御を必要とする。
持型膜に対しては、制限は、数mm2の面上、及びさらに数10cm2の面上に数nmの膜
を形成することの困難性あるいは実質的な不可能性に帰する。このような膜厚で
は、扱いが十分に確立した材料はない。SOI構造に対して、制限は基板の完全で ないコンプライアンスに帰する。これは、応力を吸収するために変形する（ある
いはずれる）絶縁体の能力に関係している。この結果を達成するため、高温で熱
処理、及び／又は（例えば、二酸化シリコンタイプの絶縁体にホウ素やリンをド
ープして）適合した組成にしなければならない。これらの熱処理はエピタキシャ
ルされる層に必ずしも整合しない。第３のグループの基板では、大きな面上で欠
陥のない結合を得ること、及び、層を非常に薄くすることは困難である。さらに
、この技術は、コンプライアントな性質をこのタイプの構造に伝える転位の数及
び種類を適当に制御することが望まれているならば、２つの基板間の結晶方位の
適合性の乏しさを越える非常に優れた制御を必要とする。
【００１２】 ２つの材料の間での密な結合が分子付着によって得られることも周知である。
いくつかの場合には、結合時に表面上に存在する終端に関連して生ずる。例えば
、用語親水性結合あるいは疎水性結合が使用される。
いくつかの場合には、結合時に表面上に存在する終端に関連して生ずる。例えば
、用語親水性結合あるいは疎水性結合が使用される。
【００１３】 表面の親水性は一般に、OH水酸基で表面を飽和する（シリコンに対しては、例
えば、表面密度4.6/nm2）ことを目的とする化学洗浄によって得られる。それで 、水分子はこれらのサイトに自然に吸着することができる。準備された２つの面
の接触は、室温でさえ大きな結合エネルギー（シリコン酸化物／シリコン酸化物
結合の場合には0.1J/m2）での付着となる。引き続く熱処理は、界面に存在する 結合の発達によって強化する。従って、SiO2-SiO2結合に対しては、低温（通常3
00℃以下）での熱処理は、初期のSi-O-Si結合の開始を介して、２つの表面を相 対する水酸基間の水素結合をもたらす。従って、結合エネルギーは900℃で2J/m2 の結合エネルギーに達するまで温度と共に規則的に増加する。
えば、表面密度4.6/nm2）ことを目的とする化学洗浄によって得られる。それで 、水分子はこれらのサイトに自然に吸着することができる。準備された２つの面
の接触は、室温でさえ大きな結合エネルギー（シリコン酸化物／シリコン酸化物
結合の場合には0.1J/m2）での付着となる。引き続く熱処理は、界面に存在する 結合の発達によって強化する。従って、SiO2-SiO2結合に対しては、低温（通常3
00℃以下）での熱処理は、初期のSi-O-Si結合の開始を介して、２つの表面を相 対する水酸基間の水素結合をもたらす。従って、結合エネルギーは900℃で2J/m2 の結合エネルギーに達するまで温度と共に規則的に増加する。
【００１４】 それに対して、疎水性結合（すなわち、水分子あるいは水酸基を含まない結合
）では、裸の酸化物を除去するために一般に表面をはがす。はがすために用いる
洗浄は例えばシリコンの場合、表面を主にSi-H終端で飽和する。結合抵抗（bond
ing resistance）は、ファンデルワールス型の引力によって保証され、シリコン
-シリコン結合に対して室温で測定される結合エネルギーは（およそ10mJ/m2)、 理論計算によく関係している。温度の上昇とともに、Si-Si結合は２つの接触面 の再構成によって形成される。
）では、裸の酸化物を除去するために一般に表面をはがす。はがすために用いる
洗浄は例えばシリコンの場合、表面を主にSi-H終端で飽和する。結合抵抗（bond
ing resistance）は、ファンデルワールス型の引力によって保証され、シリコン
-シリコン結合に対して室温で測定される結合エネルギーは（およそ10mJ/m2)、 理論計算によく関係している。温度の上昇とともに、Si-Si結合は２つの接触面 の再構成によって形成される。
【００１５】 この結合メカニズムは、ラフネスや平坦性が十分に低ければ、多くの材料に対
して生ずる。用いられるこれら２つの方法は、熱処理及び表面ラフネスを加えた
表面処理に関連して異なる接触材料間の結合力を制御することが可能であること
をよく照明している。この結合エネルギーの発達の一例は以下の文献に記載され
ている：J.Micrmech.Microeng. 2(1992),頁158-160に掲載のY.BACKLUND et al. による“Mechanism for Silicon Direct Bonding”（特に図１を見よ）。この結
合エネルギーは、結合界面でこの界面に平行に、刃の挿入による効果で界面結合
に亀裂を成長することを利用する方法によって決定する。
して生ずる。用いられるこれら２つの方法は、熱処理及び表面ラフネスを加えた
表面処理に関連して異なる接触材料間の結合力を制御することが可能であること
をよく照明している。この結合エネルギーの発達の一例は以下の文献に記載され
ている：J.Micrmech.Microeng. 2(1992),頁158-160に掲載のY.BACKLUND et al. による“Mechanism for Silicon Direct Bonding”（特に図１を見よ）。この結
合エネルギーは、結合界面でこの界面に平行に、刃の挿入による効果で界面結合
に亀裂を成長することを利用する方法によって決定する。
【００１６】 1989年に、研究者の中には、GaAs/InGaAs/GaAsの多重膜（以前はこの構造によ
く適合する基板上に作られていた）と酸化シリコンキャリヤとの間に結合を形成
する分子付着を用いる可能性について議論する者もいた。特定の表面準備によっ
て低結合力を得ることはできる。この点については、参考として、J.F.KLEM et
al.によってJ.Appl.Phys. 66(1)（1989年7月第1週）に発表された論文“Charact
erization of Thin AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum-well Structure Bonded Direc
tly to SiO2/Si and Glass Substrates”が挙げられる。
く適合する基板上に作られていた）と酸化シリコンキャリヤとの間に結合を形成
する分子付着を用いる可能性について議論する者もいた。特定の表面準備によっ
て低結合力を得ることはできる。この点については、参考として、J.F.KLEM et
al.によってJ.Appl.Phys. 66(1)（1989年7月第1週）に発表された論文“Charact
erization of Thin AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum-well Structure Bonded Direc
tly to SiO2/Si and Glass Substrates”が挙げられる。
【００１７】 半導体材料、あるいは結晶か否かを問わず固体材料への希ガスあるいは水素の
ボンバードによる注入は、注入種の平均侵入深さに近い深さに微小キャビティあ
るいは微小板を形成することが可能である。これらの欠陥の形態（サイズ、形状
等）は熱処理の間に変化するかもしれないし、特にこれらのキャビティがこれら
のサイズを成長させるかもしれない。材料のタイプ特にその機械的性質に依存し
て、これらのキャビティは、熱処理の条件に従って、“膨れ（blister）”と呼 ばれる表面変形を誘起する。このような変形を得るために制御を必要とする最も
重要なパラメータは、注入中に入れた気体のドーズ(dose)、気体種の注入深さ、
及び注入中に加えられる加熱スケジュールである。例として、エネルギー40keV の3×1016H+/cm2のドーズでシリコンウェーハに水素を注入すると、平均深さ330
nmでおよそ150nm厚さの微小キャビティの連続埋め込み層が形成される。連続層 によって、ある厚さにわたって一様に分散した微小キャビティを含む層を意味す
る。これらの微小キャビティは細長い形状をしている（従って、“微小板”とも
いう）。これらのサイズは、例えば、長さ6nmのオーダーで、厚さ2原子面である
。熱処理を700℃で30分間行うと、微小キャビティは拡大し、そのサイズは例え ば長さが6nmから50nmまで、厚さで4-6nmの数原子面まで増加する。一方、注入面
に乱れがないことは注目されたい。キャビティサイズ及びこれらのキャビティ内
での圧力は表面変形を誘起するには十分の大きさではない。これによって、微小
亀裂（あるいは微小キャビティあるいは微小板）を含むが表面劣化がないゾーン
を有する埋め込み欠陥の連続層が形成される。
ボンバードによる注入は、注入種の平均侵入深さに近い深さに微小キャビティあ
るいは微小板を形成することが可能である。これらの欠陥の形態（サイズ、形状
等）は熱処理の間に変化するかもしれないし、特にこれらのキャビティがこれら
のサイズを成長させるかもしれない。材料のタイプ特にその機械的性質に依存し
て、これらのキャビティは、熱処理の条件に従って、“膨れ（blister）”と呼 ばれる表面変形を誘起する。このような変形を得るために制御を必要とする最も
重要なパラメータは、注入中に入れた気体のドーズ(dose)、気体種の注入深さ、
及び注入中に加えられる加熱スケジュールである。例として、エネルギー40keV の3×1016H+/cm2のドーズでシリコンウェーハに水素を注入すると、平均深さ330
nmでおよそ150nm厚さの微小キャビティの連続埋め込み層が形成される。連続層 によって、ある厚さにわたって一様に分散した微小キャビティを含む層を意味す
る。これらの微小キャビティは細長い形状をしている（従って、“微小板”とも
いう）。これらのサイズは、例えば、長さ6nmのオーダーで、厚さ2原子面である
。熱処理を700℃で30分間行うと、微小キャビティは拡大し、そのサイズは例え ば長さが6nmから50nmまで、厚さで4-6nmの数原子面まで増加する。一方、注入面
に乱れがないことは注目されたい。キャビティサイズ及びこれらのキャビティ内
での圧力は表面変形を誘起するには十分の大きさではない。これによって、微小
亀裂（あるいは微小キャビティあるいは微小板）を含むが表面劣化がないゾーン
を有する埋め込み欠陥の連続層が形成される。
【００１８】 微小キャビティの存在は、例えばシリコン基板における注入平均深さRpのでの
ヘリウムボンバードによって行った注入の場合にも見られる。この場合には、得
られるキャビティは1000℃のオーダーのアニール温度でさえ存在する。これらの
欠陥は、材料において強力で深い弱さの原因となる。
ヘリウムボンバードによって行った注入の場合にも見られる。この場合には、得
られるキャビティは1000℃のオーダーのアニール温度でさえ存在する。これらの
欠陥は、材料において強力で深い弱さの原因となる。
【００１９】
従来技術の欠点を改善するため、本発明は、他の材料のヘテロエピタキシャル
成長を始めるため使用すべき材料の薄膜を供給するコンプライアント基板を提案
するものである。薄層及び／又は結合手段がエピタキシャル材料のエピタキシャ
ル成長の間に生ずる応力の全てあるいはその一部を受容して、その結果、エピタ
キシャル材料においてこれらの応力が生ずるのを防ぐように、埋め込み領域（em
bedded region）と呼ばれる結合手段によって基板の残部（remainder）にその薄
層を結合する。
成長を始めるため使用すべき材料の薄膜を供給するコンプライアント基板を提案
するものである。薄層及び／又は結合手段がエピタキシャル材料のエピタキシャ
ル成長の間に生ずる応力の全てあるいはその一部を受容して、その結果、エピタ
キシャル材料においてこれらの応力が生ずるのを防ぐように、埋め込み領域（em
bedded region）と呼ばれる結合手段によって基板の残部（remainder）にその薄
層を結合する。
【００２０】 次に堆積する材料に相対するこのような構造のコンプライアント特性は、格子
パラメータ、熱膨張係数、及び埋め込み領域の存在の差に関係するものである。
定義によって、このコンプライアント基板の目的は、埋め込み領域、薄層でも可
能であるが、応力の緩和によって堆積材料の膜の応力を適合される。
パラメータ、熱膨張係数、及び埋め込み領域の存在の差に関係するものである。
定義によって、このコンプライアント基板の目的は、埋め込み領域、薄層でも可
能であるが、応力の緩和によって堆積材料の膜の応力を適合される。
【００２１】 方法の一変形例は、エピタキシーのために発芽膜（germination film）を形成
する薄膜の結晶パラメータを修正し、その結果、得られる層のエピタキシャル成
長の前に応力状態を変えるために、表面薄膜に異種原子を入れることを含んでい
る。
する薄膜の結晶パラメータを修正し、その結果、得られる層のエピタキシャル成
長の前に応力状態を変えるために、表面薄膜に異種原子を入れることを含んでい
る。
【００２２】 このようなコンプライアント基板は原理的に、エピタキシーによる材料の成長
以外の原因による応力の吸収のために用いられてもよいこともわかった。実際、
このコンプライアント基板はいかなる応力供給構造を受けるために用いてもよい
。
以外の原因による応力の吸収のために用いられてもよいこともわかった。実際、
このコンプライアント基板はいかなる応力供給構造を受けるために用いてもよい
。
【００２３】 従って、本発明の目的は、キャリヤと該キャリヤの表面上に形成した少なくと
も一つの薄層とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されている
コンプライアント基板であって、そのキャリヤとその薄層が結合手段によって互
いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄
層及び／又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結
合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び／又は結合エネルギー
が前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された
少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライアント基
板を提供することである。
も一つの薄層とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されている
コンプライアント基板であって、そのキャリヤとその薄層が結合手段によって互
いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄
層及び／又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結
合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び／又は結合エネルギー
が前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された
少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライアント基
板を提供することである。
【００２４】 結合ゾーンは欠陥層、例えば、微小キャビティ層であってもよい。欠陥層は一
あるいは二以上の気体種のボンバードによる注入を通して形成されてもよい。こ
れらの気体種は希ガス、水素、及びフッ素の中から選択されてもよい。ドーピン
グ剤は一あるいは二以上の気体種に関係していてもよい。一あるいは二以上の注
入された気体種の拡散を行うことも可能である。注入の後に欠陥が成長できるよ
うに熱処理を行ってもよい。ボンバードによる注入が特に基板表面を介して行わ
れ、基板表面と微小キャビティ層との間の領域が前記薄層を規定する。任意に、
基板表面と微小キャビティ層との間の領域を薄くして前記の薄層を形成する。ボ
ンバードによる注入が、前記基板表面に支持される犠牲層を介して行われてもよ
く、その犠牲層はその後で除去される。
あるいは二以上の気体種のボンバードによる注入を通して形成されてもよい。こ
れらの気体種は希ガス、水素、及びフッ素の中から選択されてもよい。ドーピン
グ剤は一あるいは二以上の気体種に関係していてもよい。一あるいは二以上の注
入された気体種の拡散を行うことも可能である。注入の後に欠陥が成長できるよ
うに熱処理を行ってもよい。ボンバードによる注入が特に基板表面を介して行わ
れ、基板表面と微小キャビティ層との間の領域が前記薄層を規定する。任意に、
基板表面と微小キャビティ層との間の領域を薄くして前記の薄層を形成する。ボ
ンバードによる注入が、前記基板表面に支持される犠牲層を介して行われてもよ
く、その犠牲層はその後で除去される。
【００２５】 注入は基板表面を介して行われ、この表面が第１の薄層を支持し、その基板表
面と微小キャビティ層との間の領域が第２の薄層を規定する。微小キャビティ層
は第１の薄層と基板との間の界面の近傍に形成される。ボンバードによる注入は
、第１の薄層で支持される犠牲層を介して行われてもよく、その犠牲層はその後
で除去される。
面と微小キャビティ層との間の領域が第２の薄層を規定する。微小キャビティ層
は第１の薄層と基板との間の界面の近傍に形成される。ボンバードによる注入は
、第１の薄層で支持される犠牲層を介して行われてもよく、その犠牲層はその後
で除去される。
【００２６】 結合エネルギーは表面準備及び／又は熱処理及び／又は界面における欠陥の形
成によって制御されてもよい。これらの欠陥は、例えば、ボンバードによる注入
を通して及び／又は欠陥を結合することによって形成されてもよい。この欠陥の
形成は一般に結合界面を弱くする。表面準備はラフネス及び／又は親水性の制御
であってもよい。ウェーハラフネスは例えばＨＦによる化学攻撃によって得られ
てもよい。親水性はＲＣＡタイプの化学洗浄によって得られてもよい。結合ゾー
ンは薄層とキャリヤとの間に少なくとも一つの中間層も備えている。中間層は応
力を緩和することができる非均質性を有するように形成されてもよい。例として
、粒界結合、成長線、異物（inclusion）等が挙げられる。この層はその表面の 全部あるいは一部をエッチングしてもよい。中間層は金属層または金属合金層で
あってもよい。
成によって制御されてもよい。これらの欠陥は、例えば、ボンバードによる注入
を通して及び／又は欠陥を結合することによって形成されてもよい。この欠陥の
形成は一般に結合界面を弱くする。表面準備はラフネス及び／又は親水性の制御
であってもよい。ウェーハラフネスは例えばＨＦによる化学攻撃によって得られ
てもよい。親水性はＲＣＡタイプの化学洗浄によって得られてもよい。結合ゾー
ンは薄層とキャリヤとの間に少なくとも一つの中間層も備えている。中間層は応
力を緩和することができる非均質性を有するように形成されてもよい。例として
、粒界結合、成長線、異物（inclusion）等が挙げられる。この層はその表面の 全部あるいは一部をエッチングしてもよい。中間層は金属層または金属合金層で
あってもよい。
【００２７】 結合手段は、微小キャビティとその微小キャビティの上または下のいずれかに
配置した結合界面とを備えてもよい。
配置した結合界面とを備えてもよい。
【００２８】 特別な一応用では、薄層が第１の結晶材料から成り、前記構造を形成する第２
の結晶材料に対してヘテロエピタキシャル成長の種として用いられることが意図
されている。この薄層は、前記基板のコンプライアンスを促進するために、前記
第１の結晶材料に異種原子を入れることを通しての応力付与の前の層であっても
よい。異種物質がボンバードによる注入及び／又は拡散による挿入を介して入れ
られてもよい。この注入は犠牲層を介して行われてもよい。この異種原子は薄層
のドーピング剤であってもよい。この第１の結晶材料は特に半導体であって、例
えば、SiあるいはGaAsあってもよい。このようなコンプライアント基板は、GaN 、SiGe、AlN、InN及びSiCの中から選択された結晶材料のヘテロエピタキシャル 成長に対して有利に用いてもよい。
の結晶材料に対してヘテロエピタキシャル成長の種として用いられることが意図
されている。この薄層は、前記基板のコンプライアンスを促進するために、前記
第１の結晶材料に異種原子を入れることを通しての応力付与の前の層であっても
よい。異種物質がボンバードによる注入及び／又は拡散による挿入を介して入れ
られてもよい。この注入は犠牲層を介して行われてもよい。この異種原子は薄層
のドーピング剤であってもよい。この第１の結晶材料は特に半導体であって、例
えば、SiあるいはGaAsあってもよい。このようなコンプライアント基板は、GaN 、SiGe、AlN、InN及びSiCの中から選択された結晶材料のヘテロエピタキシャル 成長に対して有利に用いてもよい。
【００２９】
本発明は、添付の図面を参照して非制限的な以下の記載を読むことによって、
よりよく理解され、かつ他の利点及び特別な態様が明らかになる。
よりよく理解され、かつ他の利点及び特別な態様が明らかになる。
【００３０】 好適な例によって、明細書の残りは、ヘテロエピタキシーによる材料の堆積用
のコンプライアント基板を製造することに関係している。
のコンプライアント基板を製造することに関係している。
【００３１】 粒子種（例えばイオン）の注入を行った基板から薄い膜厚の膜を得ることが可
能であって、この注入は、その粒子種の平均侵入深さの近傍の深さに欠陥の層を
形成することが可能であって、その欠陥層は基板とその欠陥層との間にその薄い
膜厚の膜を規定するものである。この粒子種は、形成される欠陥の層が薄い薄膜
の膜が受ける応力を受容することができるように選択される。欠陥層の役割は、
水平面（表面に平行）における応力がないままにする間、薄い膜厚の膜を支持す
る（表面に垂直方向の、垂直方向作用）ことでもある。ある場合には、例えば、
欠陥サイズを大きくして、欠陥を融合してより大きなサイズのクラスターとし、
層が応力受容により適合するようにするために欠陥の分散を変えるために、注入
段階の後で、基板に熱処理を行うことが必要になるかもしれない。
能であって、この注入は、その粒子種の平均侵入深さの近傍の深さに欠陥の層を
形成することが可能であって、その欠陥層は基板とその欠陥層との間にその薄い
膜厚の膜を規定するものである。この粒子種は、形成される欠陥の層が薄い薄膜
の膜が受ける応力を受容することができるように選択される。欠陥層の役割は、
水平面（表面に平行）における応力がないままにする間、薄い膜厚の膜を支持す
る（表面に垂直方向の、垂直方向作用）ことでもある。ある場合には、例えば、
欠陥サイズを大きくして、欠陥を融合してより大きなサイズのクラスターとし、
層が応力受容により適合するようにするために欠陥の分散を変えるために、注入
段階の後で、基板に熱処理を行うことが必要になるかもしれない。
【００３２】 微小キャビティ型の欠陥の生成を可能にすることが周知である希ガスあるいは
水素、あるいはその組み合わせの中から粒子種を選ぶことが好ましい。この場合
には、それ以上では粒子種の注入が“膨れ”型の表面変形を誘起する傾向が強い
臨界ドーズより低いが、それらの微小キャビティを生成するために十分なドーズ
を選択しなけらばならない。例として、シリコンの場合には、3×1016/cm2のド ーズで水素イオンを注入することを選択してもよい。しかしながら、この臨界ド
ーズは注入条件とドーピングのタイプとに関係していることが特定されなければ
ならない。
水素、あるいはその組み合わせの中から粒子種を選ぶことが好ましい。この場合
には、それ以上では粒子種の注入が“膨れ”型の表面変形を誘起する傾向が強い
臨界ドーズより低いが、それらの微小キャビティを生成するために十分なドーズ
を選択しなけらばならない。例として、シリコンの場合には、3×1016/cm2のド ーズで水素イオンを注入することを選択してもよい。しかしながら、この臨界ド
ーズは注入条件とドーピングのタイプとに関係していることが特定されなければ
ならない。
【００３３】 膜厚は注入エネルギーの選択によって決定しなければならない。（優れたコン
プライアンスを保証するのに必要である）非常に薄い膜を形成するために、低い
注入エネルギーを選択しなければならない。例えば、シリコン及び水素イオンの
場合には、エネルギーは1keVから10keVの間で選択することが好ましい。この範 囲では、膜を5nmから60nmの間の膜厚に形成することが可能である。所定の膜厚 を直接供給するエネルギーより大きなエネルギーを用いた注入によって得られた
膜を薄くすることによって、所定の膜厚を得ることも可能である。
プライアンスを保証するのに必要である）非常に薄い膜を形成するために、低い
注入エネルギーを選択しなければならない。例えば、シリコン及び水素イオンの
場合には、エネルギーは1keVから10keVの間で選択することが好ましい。この範 囲では、膜を5nmから60nmの間の膜厚に形成することが可能である。所定の膜厚 を直接供給するエネルギーより大きなエネルギーを用いた注入によって得られた
膜を薄くすることによって、所定の膜厚を得ることも可能である。
【００３４】 場合によっては、表面層、例えば、シリコン酸化物層を介して注入することは
有利であるかもしれない。この場合には、もはや非常に低いエネルギーを用いる
ことは必要ない。犠牲層の除去で非常に薄い表面層を得るには十分であるかもし
れない。
有利であるかもしれない。この場合には、もはや非常に低いエネルギーを用いる
ことは必要ない。犠牲層の除去で非常に薄い表面層を得るには十分であるかもし
れない。
【００３５】 図１（ａ）から図１（ｃ）はこの最後の例を示している。図１（ａ）は、単結
晶シリコンからなる基板１であって、例えば、犠牲層として働くシリコン酸化物
層２によって被覆されたもの側面図を示している。図１（ｂ）は、酸化物層２を
介して基板１に水素イオンを用いてイオン注入している段階を示している。注入
は上述の条件で行った。微小キャビティあるいは微小板の層３が得られ、酸化物
層２に隣接する薄膜４の層を決定する。この酸化層の存在のため、薄層４の膜厚
は減少して、非常に正確に調整してもよい。次に酸化物層２を化学衝撃によって
除去し、かつ、コンプライアント基板５が図１（ｃ）に示したように得られる。
すなわち、微小キャリヤと（エピタキシーされる材料の種として用いられる）薄
層４とから形成されたアセンブリがコンプライアント層を形成する。任意で、層
３の微小キャビティのサイズを増加するために熱処理を実施する。
晶シリコンからなる基板１であって、例えば、犠牲層として働くシリコン酸化物
層２によって被覆されたもの側面図を示している。図１（ｂ）は、酸化物層２を
介して基板１に水素イオンを用いてイオン注入している段階を示している。注入
は上述の条件で行った。微小キャビティあるいは微小板の層３が得られ、酸化物
層２に隣接する薄膜４の層を決定する。この酸化層の存在のため、薄層４の膜厚
は減少して、非常に正確に調整してもよい。次に酸化物層２を化学衝撃によって
除去し、かつ、コンプライアント基板５が図１（ｃ）に示したように得られる。
すなわち、微小キャリヤと（エピタキシーされる材料の種として用いられる）薄
層４とから形成されたアセンブリがコンプライアント層を形成する。任意で、層
３の微小キャビティのサイズを増加するために熱処理を実施する。
【００３６】 いくつかの応用に対して、イオン注入も２つの単結晶層を介して行ってもよい
。基板に形成された第１の単結晶層は、基板表面と注入によって誘起された微小
キャビティの層との間に厚さを有する。第２の単結晶層を基板上に堆積あるいは
基板へ転写（transfer)してもよい。例として、選択された基板は、犠牲層の方 法によって薄膜化することに関連した仏国特許第2 681 472号公開公報に記載さ れたような方法を用いてシリコン基板上に転写した（例えば、3nm厚の）GaAsの 薄層から成る構造であってもよい。次に、シリコン酸化物の犠牲層を、所定の深
さに水素注入することができるように構造上に堆積する。シリコンへの水素注入
は、シリコン内の、GaAs/Si界面の深さに非常に近接した深さ、例えば数nm、あ るいは数10nmの深さに微小キャビティを形成するように、犠牲酸化物層及びGaAs
層を横切って行う。実施形態の一変形例は、GaAs及びシリコンの間の界面の近傍
に微小キャビティを形成することを含む。
。基板に形成された第１の単結晶層は、基板表面と注入によって誘起された微小
キャビティの層との間に厚さを有する。第２の単結晶層を基板上に堆積あるいは
基板へ転写（transfer)してもよい。例として、選択された基板は、犠牲層の方 法によって薄膜化することに関連した仏国特許第2 681 472号公開公報に記載さ れたような方法を用いてシリコン基板上に転写した（例えば、3nm厚の）GaAsの 薄層から成る構造であってもよい。次に、シリコン酸化物の犠牲層を、所定の深
さに水素注入することができるように構造上に堆積する。シリコンへの水素注入
は、シリコン内の、GaAs/Si界面の深さに非常に近接した深さ、例えば数nm、あ るいは数10nmの深さに微小キャビティを形成するように、犠牲酸化物層及びGaAs
層を横切って行う。実施形態の一変形例は、GaAs及びシリコンの間の界面の近傍
に微小キャビティを形成することを含む。
【００３７】 前述のように、結合力は多くのパラメータ（表面上の化学種のタイプ、行われ
る加熱スケジュール、初期表面ラフネス）に依存する。しかしながら、これらの
力は、結合エネルギーを制御することができるように制御してもよい。これらの
結合力は、材料の薄いエピタキシャル層の存在によって生じ、かつ格子パラメー
タの差、熱膨張係数の差によって誘起された応力であって、分子付着を介した結
合によって誘起された応力を考慮した応力に関係して説明されてもよい。例とし
て、単結晶シリコンウェハーの親水性結合に対して、仏国特許第2 681 472号公 開公報に記載されたような半導体材料の薄膜を形成する方法を用いて、非常に薄
い膜厚（5nm以下）の酸化物層上のシリコンの非常に薄い層（10nm以下）を得る ことが可能である。仏国特許第2 681 472号公開公報に開示された方法に比較し た、この場合における独創性は結合力の最終制御、すなわち、低温でのアニーリ
ング（通常、6×1016H+/cm2のオーダーの水素注入ドーズで450℃で30分間）及び
機械的研磨による破壊の後に関係している。得られる結合力の一例を図５にグラ
フで示す。例えば、２つの接触面に対して6.25 A rms（1×1μm分析面のAFM測定
）の表面ラフネスを伴ったSiO2-SiO2結合に対しては、250mJ/m2のオーダーの結 合エネルギーが800℃での処理後に得られる。
る加熱スケジュール、初期表面ラフネス）に依存する。しかしながら、これらの
力は、結合エネルギーを制御することができるように制御してもよい。これらの
結合力は、材料の薄いエピタキシャル層の存在によって生じ、かつ格子パラメー
タの差、熱膨張係数の差によって誘起された応力であって、分子付着を介した結
合によって誘起された応力を考慮した応力に関係して説明されてもよい。例とし
て、単結晶シリコンウェハーの親水性結合に対して、仏国特許第2 681 472号公 開公報に記載されたような半導体材料の薄膜を形成する方法を用いて、非常に薄
い膜厚（5nm以下）の酸化物層上のシリコンの非常に薄い層（10nm以下）を得る ことが可能である。仏国特許第2 681 472号公開公報に開示された方法に比較し た、この場合における独創性は結合力の最終制御、すなわち、低温でのアニーリ
ング（通常、6×1016H+/cm2のオーダーの水素注入ドーズで450℃で30分間）及び
機械的研磨による破壊の後に関係している。得られる結合力の一例を図５にグラ
フで示す。例えば、２つの接触面に対して6.25 A rms（1×1μm分析面のAFM測定
）の表面ラフネスを伴ったSiO2-SiO2結合に対しては、250mJ/m2のオーダーの結 合エネルギーが800℃での処理後に得られる。
【００３８】 図２（ａ）から図２（ｃ）は実施形態の例を示したものである。図２（ａ）は
、単結晶シリコンからなる基板１０であって、その一面がシリコン酸化物層１１
によって被覆されたものの側面図を示している。酸化物層１１を介して、水素イ
オンを注入して破壊層を誘起する。微小キャビティ層１２を得て、それと酸化物
層１１との間にシリコンの非常に薄い領域１３を規定する。図２（ｂ）も、シリ
コン酸化物の非常に薄い層１で被覆した他のシリコン基板１４の側面図を示して
いる。基板１０及び１４は、その酸化物層１１及び１５の分子付着によって一体
に形成される。次に、適当な熱処理を介して、層１２の微小キャビティは、亀裂
を得て、基板１０を２つの部分に分離するように合体してできたものである。領
域１３の自由面を研磨してヘテロエピタキシーのための薄層を形成する（図２（
ｃ）を見よ）。酸化物層１１及び１５を結合界面１６によって結合する。
、単結晶シリコンからなる基板１０であって、その一面がシリコン酸化物層１１
によって被覆されたものの側面図を示している。酸化物層１１を介して、水素イ
オンを注入して破壊層を誘起する。微小キャビティ層１２を得て、それと酸化物
層１１との間にシリコンの非常に薄い領域１３を規定する。図２（ｂ）も、シリ
コン酸化物の非常に薄い層１で被覆した他のシリコン基板１４の側面図を示して
いる。基板１０及び１４は、その酸化物層１１及び１５の分子付着によって一体
に形成される。次に、適当な熱処理を介して、層１２の微小キャビティは、亀裂
を得て、基板１０を２つの部分に分離するように合体してできたものである。領
域１３の自由面を研磨してヘテロエピタキシーのための薄層を形成する（図２（
ｃ）を見よ）。酸化物層１１及び１５を結合界面１６によって結合する。
【００３９】 結合界面／基板に対して種（seed)／結合ゾーンとして働く薄膜構造は、仏国 特許第2 681 472号公開公報に開示された方法以外の方法によって得てもよい。 示唆として、分子付着による結合と削り及び磨くによる薄め化をもとにした方法
を挙げてもよい。リフトオフエピタキシーによって転写した薄層を用いることも
可能である。文献には特に、例えば、GaAsのようなIII-V材料の薄膜を得るため の多くの例が記載されている。基礎基板からコンプライアントになる基板への種
として使用する薄層を転写するために、キャリヤハンドルを使用することも可能
である。
を挙げてもよい。リフトオフエピタキシーによって転写した薄層を用いることも
可能である。文献には特に、例えば、GaAsのようなIII-V材料の薄膜を得るため の多くの例が記載されている。基礎基板からコンプライアントになる基板への種
として使用する薄層を転写するために、キャリヤハンドルを使用することも可能
である。
【００４０】 結合力を制御するために、この界面に存在する多くの結合欠陥（すなわち、非
結合ゾーン）を利用することも可能である。
結合ゾーン）を利用することも可能である。
【００４１】 以前に提唱された解決策の一つは、応力を吸収するための薄層にとって十分に
低いが離れることはない、結合力を種として用いられる薄層とキャリヤとの間に
得ることである。
低いが離れることはない、結合力を種として用いられる薄層とキャリヤとの間に
得ることである。
【００４２】 この方法の一変形例は、これらの結合力と中間層の存在を利用することを含ん
でおり；これらの中間層は構造のコンプライアント性質を強化することができる
からである。さらに正確には、この場合には、種膜と表面との間の結合力だけで
なく、応力を説明するために異なる層と異なる薄層との間の付着力に対して考慮
することである。
でおり；これらの中間層は構造のコンプライアント性質を強化することができる
からである。さらに正確には、この場合には、種膜と表面との間の結合力だけで
なく、応力を説明するために異なる層と異なる薄層との間の付着力に対して考慮
することである。
【００４３】 図３はこのようなコンプライアント基板の側面図である。コンプライアント基
板２０は、キャリヤ２１、ヘテロエピタキシーの種として作用することが意図さ
れた薄層２３で被覆した中間層２２とを備えている。中間層２２は結合界面２４
を介してキャリヤ２１に結合している。
板２０は、キャリヤ２１、ヘテロエピタキシーの種として作用することが意図さ
れた薄層２３で被覆した中間層２２とを備えている。中間層２２は結合界面２４
を介してキャリヤ２１に結合している。
【００４４】 例として、中間層２２に対して、機械的性質（変形）が応力の大部分を吸収す
るような金属を使用する。例えば、仏国特許第2 681 472号公開公報に記載され た方法は、発芽（種成長：germination）のために用いた半導体の薄層２３を得 るために使用してもよいが、薄層２３を中間層２２と一体に形成するため、Au(9
5%)−Sn(5%)を含む金属化合物あるいはAl(5%)-Cu(95%)を含む化合物が用いられ る。これらの金属化合物は、エピタキシーが通常行われる温度（900-1000°C） に適合する広い温度範囲にわたって粘性のある性質を有する。例として、Pd、Pt
、シリサイド、金属合金、金属−基板合金の使用が挙げられてもよい。
るような金属を使用する。例えば、仏国特許第2 681 472号公開公報に記載され た方法は、発芽（種成長：germination）のために用いた半導体の薄層２３を得 るために使用してもよいが、薄層２３を中間層２２と一体に形成するため、Au(9
5%)−Sn(5%)を含む金属化合物あるいはAl(5%)-Cu(95%)を含む化合物が用いられ る。これらの金属化合物は、エピタキシーが通常行われる温度（900-1000°C） に適合する広い温度範囲にわたって粘性のある性質を有する。例として、Pd、Pt
、シリサイド、金属合金、金属−基板合金の使用が挙げられてもよい。
【００４５】 中間層はいわゆる適当にキャリヤを形成する基板の部分も被覆してもよい。こ
れは図４で示しており、コンプライアント基板３０は第１の中間層３２で被覆し
たキャリヤ部３１と、第２の中間層３３と、種として用いられる薄層３４とを備
えている。次に結合界面３５は、２つの中間層３２及び３３との間で飽和してい
る。これらの中間層は同じ種類であっても異なる種類であってもよい。
れは図４で示しており、コンプライアント基板３０は第１の中間層３２で被覆し
たキャリヤ部３１と、第２の中間層３３と、種として用いられる薄層３４とを備
えている。次に結合界面３５は、２つの中間層３２及び３３との間で飽和してい
る。これらの中間層は同じ種類であっても異なる種類であってもよい。
【００４６】 薄層上及び任意でキャリヤ基板上への中間層の形成は、キャリヤ基板上で種と
して用いられる中間層／薄層の転写の前に行われる。中間層はアモルファス、多
結晶、あるいは結晶タイプの固体である。同じ材料あるいは異なる材料において
、一あるいはそれ以上の副層（sub-layer）を形成しても、及び／又は一あるい はそれ以上の界面を形成してもよい。
して用いられる中間層／薄層の転写の前に行われる。中間層はアモルファス、多
結晶、あるいは結晶タイプの固体である。同じ材料あるいは異なる材料において
、一あるいはそれ以上の副層（sub-layer）を形成しても、及び／又は一あるい はそれ以上の界面を形成してもよい。
【００４７】 適合可能な薄層上及び任意でキャリヤ基板上への中間層の形成は以下のいずれ
かの方法によって行われる： −従来の薄層真空堆積法（蒸着、陰極スプレー、CVD、MBE...）を用いる、 −電気化学的堆積法（電気分解法、無電解メッキ...）による、 −薄層転位法（分子付着によって結合して薄くし、仏国特許第2 681 472号公開 公報に記載した方法を用いて結合して薄くし、中間層（すでに薄層に付けられた
）をキャリヤとして作用するハンドルを介して結合し、ハンドルを除去する）に
よる −表面からある厚さの変換（conversion）による。この変換は例えば、酸化ある
いは窒化によって行ってもよい。酸化を用いるならば、それは、熱的に、あるい
は、陽極的に、あるいは、他の方法（酸素プラズマ、酸素注入...）を用いて得 てもよい。酸化は複数の酸化法の組み合わせを介して行ってもよい。 −変形可能な多孔性層の形成を可能にする方法を用いる。
かの方法によって行われる： −従来の薄層真空堆積法（蒸着、陰極スプレー、CVD、MBE...）を用いる、 −電気化学的堆積法（電気分解法、無電解メッキ...）による、 −薄層転位法（分子付着によって結合して薄くし、仏国特許第2 681 472号公開 公報に記載した方法を用いて結合して薄くし、中間層（すでに薄層に付けられた
）をキャリヤとして作用するハンドルを介して結合し、ハンドルを除去する）に
よる −表面からある厚さの変換（conversion）による。この変換は例えば、酸化ある
いは窒化によって行ってもよい。酸化を用いるならば、それは、熱的に、あるい
は、陽極的に、あるいは、他の方法（酸素プラズマ、酸素注入...）を用いて得 てもよい。酸化は複数の酸化法の組み合わせを介して行ってもよい。 −変形可能な多孔性層の形成を可能にする方法を用いる。
【００４８】 コンプライアント基板の製造において、表面膜の厚さは極端に重要であっても
よい。場合によっては、非常に薄い膜厚の表面層を形成することできることが必
要である。薄膜を薄くするのにいくつかの方法を用いてもよい。非制限的な方法
を以下に挙げる：イオン研磨、化学エッチング、犠牲層の形成（表面層の酸化、
窒化による、...）及び様々な方法によるこの犠牲層の除去。
よい。場合によっては、非常に薄い膜厚の表面層を形成することできることが必
要である。薄膜を薄くするのにいくつかの方法を用いてもよい。非制限的な方法
を以下に挙げる：イオン研磨、化学エッチング、犠牲層の形成（表面層の酸化、
窒化による、...）及び様々な方法によるこの犠牲層の除去。
【００４９】 種として働く薄層がシリコンである一応用では、この膜は、SINOX法あるいは 例えば仏国特許第2 681 472号公開公報に記載されているようないわゆるウェハ ー結合と呼ばれる分子付着法を行って形成したシリコンオン絶縁体（silicon-on
-insulator）構造の上膜であってもよい。この場合には、薄くする前のシリコン
の膜厚は、例えば、0.2μmのオーダーである。蒸気雰囲気下での1000°Ｃで70分
間の表面シリコン膜の熱処理によって、約0.4μm厚のシリコン酸化物膜の形成を
行う。このため、表面シリコン膜は1nmから数10nmのオーダーの薄い膜厚に薄く なる。表面のシリカ膜の化学的除去を10％フッ化水素酸を用いて行う。このシリ
コン膜のこの薄化段階は、シリコンの非常に薄い膜に対しては、高温で水素雰囲
気での表面の熱処理によって、実施されると有利である。例えば、1150°Ｃの領
域の温度で10分間の処理は、自由シリコン表面の結晶再構成を行わせる。同時に
、数nmのシリコン膜の薄化が明らかになる。
-insulator）構造の上膜であってもよい。この場合には、薄くする前のシリコン
の膜厚は、例えば、0.2μmのオーダーである。蒸気雰囲気下での1000°Ｃで70分
間の表面シリコン膜の熱処理によって、約0.4μm厚のシリコン酸化物膜の形成を
行う。このため、表面シリコン膜は1nmから数10nmのオーダーの薄い膜厚に薄く なる。表面のシリカ膜の化学的除去を10％フッ化水素酸を用いて行う。このシリ
コン膜のこの薄化段階は、シリコンの非常に薄い膜に対しては、高温で水素雰囲
気での表面の熱処理によって、実施されると有利である。例えば、1150°Ｃの領
域の温度で10分間の処理は、自由シリコン表面の結晶再構成を行わせる。同時に
、数nmのシリコン膜の薄化が明らかになる。
【００５０】 コンプライアンスへのアプローチでは、原理の一つは、コンプライアンスの膜
を介してエピタキシー関係応力の緩和を可能にすることである。エピタキシーの
前に、物理的パラメータの変化、行われる堆積法の種類と性質に依存する化学的
性質の変更を介して、室温で種として働く表面層における応力を導入することは
有利である。これらの方法は、堆積応力の引き続く緩和を促進する目的で行う。
材料に予め応力をかけておくことによって、コンプライアンスの表面膜における
、あるいはこれらの膜の界面での転位の発生を促進することは可能である。
を介してエピタキシー関係応力の緩和を可能にすることである。エピタキシーの
前に、物理的パラメータの変化、行われる堆積法の種類と性質に依存する化学的
性質の変更を介して、室温で種として働く表面層における応力を導入することは
有利である。これらの方法は、堆積応力の引き続く緩和を促進する目的で行う。
材料に予め応力をかけておくことによって、コンプライアンスの表面膜における
、あるいはこれらの膜の界面での転位の発生を促進することは可能である。
【００５１】 一般に、エピタキシーは数100°Ｃの温度で実施する。従って、格子適合性の 基準は室温で考慮する必要はない。例えば、様々な膜と機械的なキャリヤ（基板
）との間の熱膨張の差に関連した熱起源の応力の役割を査定することは重要であ
る。
）との間の熱膨張の差に関連した熱起源の応力の役割を査定することは重要であ
る。
【００５２】 任意に原子の熱拡散を追加した、表面膜の結晶マトリックスにおける原子のボ
ンバードによる注入を使って、表面膜の結晶パラメータを変えることが可能であ
るという事実を用いてもよい。ボンバードによる注入の一変形例は、シリコンに
おけるドーピング剤の拡散のような原子の熱拡散だけをもとにした方法を用いて
も良い。イオン注入の例として、結晶シリコンへのホウ素の注入を述べておく。
これは、挿入したものの0.0014Å/atomの結晶格子の減少につながる。表面膜が 機械的キャリヤに強く付着すると、シリコン膜は伸張状態で載置する。同様にし
て、ゲルマニウムの注入の効果は0.0022Å/atomの結晶格子の増加につながる。 表面膜が機械的キャリヤに強く付着すると、シリコン膜は圧縮状態で載置する。
ンバードによる注入を使って、表面膜の結晶パラメータを変えることが可能であ
るという事実を用いてもよい。ボンバードによる注入の一変形例は、シリコンに
おけるドーピング剤の拡散のような原子の熱拡散だけをもとにした方法を用いて
も良い。イオン注入の例として、結晶シリコンへのホウ素の注入を述べておく。
これは、挿入したものの0.0014Å/atomの結晶格子の減少につながる。表面膜が 機械的キャリヤに強く付着すると、シリコン膜は伸張状態で載置する。同様にし
て、ゲルマニウムの注入の効果は0.0022Å/atomの結晶格子の増加につながる。 表面膜が機械的キャリヤに強く付着すると、シリコン膜は圧縮状態で載置する。
【００５３】 前述のように犠牲酸化を介した薄化によってコンプライアンスを行ったこのシ
リコン膜の場合には、注入は酸化膜の除去の前に行うと有利である。例として、
数1015/cm2から数1016/cm2のオーダーのドーズによって、110keVの領域のエネル
ギーでの0.4μｍ近傍の厚さの酸化膜を介したホウ素の注入によって、この膜の 深さがイオン注入の深さに一致するので非常に薄いシリコン膜をホウ素リッチに
することができる。
リコン膜の場合には、注入は酸化膜の除去の前に行うと有利である。例として、
数1015/cm2から数1016/cm2のオーダーのドーズによって、110keVの領域のエネル
ギーでの0.4μｍ近傍の厚さの酸化膜を介したホウ素の注入によって、この膜の 深さがイオン注入の深さに一致するので非常に薄いシリコン膜をホウ素リッチに
することができる。
【図１】 本発明のコンプライアント基板の実施形態の第１の例であって 、結晶ゾーンが微小キャビティの場合の側面図を示したものである。
【図２】 本発明のコンプライアント基板の実施形態の第２の例であって 、結晶ゾーンが結合界面を備えた場合の側面図を示したものである。
【図３】 本発明のコンプライアント基板であって、結晶ゾーンが結合界 面と中間層とを備えた場合の側面図を示したものである。
【図４】 本発明のコンプライアント基板であって、結晶ゾーンが２つの 中間層間の結合界面を備えた場合の側面図を示したものである。
【図５】 温度及び表面ラフネスに関係したSiO2-SiO2結合に対する結合エ
ネルギーの変化を示すグラフを示している。
ネルギーの変化を示すグラフを示している。
１，１４，２１，３１ キャリヤ ２ 犠牲層 ３；１１，１５，１６；２４，２５ 結合手段 ４，１３，２３，３４ 薄層 ５，２０，３０ コンプライアント基板
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年２月２４日（２０００．２．２４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２４】 GaN、SiGe、AlN、InN及びSiCの中から選択された結晶材 料のヘテロエピタキシャル成長への、請求項１９から請求項２３のいずれかに記
載のコンプライアント基板（５，２０，３０）の応用。
載のコンプライアント基板（５，２０，３０）の応用。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月２８日（２０００．３．２８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリック・ジャラギュイアー フランス・Ｆ−38240・サン・マルタン・ ドゥリアージュ・シュマン・デ・ロウ− ル・ペネ・205 (72)発明者 ユベルト・モリセウ フランス・Ｆ−38120・サン・テグレヴ・ リュ・デュ・フールネ・26 Ｆターム(参考） 5F052 KA05 KA06 KA10 KB05
Claims (24)
- 【請求項１】 キャリヤ（１，１４，２１，３１）と該キャリヤの表面上 に形成した少なくとも一つの薄層（４，１３，２３，３４）とを備え、一体の形
で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板（５，２０
，３０）であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段（３；１１，１５，１
６；２４，２５）によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力
の全てあるいはその一部が薄層及び／又は結合手段に吸収されているコンプライ
アント基板において、 前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び／又は結合エ
ネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選
択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライ
アント基板。 - 【請求項２】 微小キャビティの層が一あるいは二以上の気体種のボンバ ードによる注入を通して形成されることを特徴とする請求項１に記載のコンプラ
イアント基板の製造方法。 - 【請求項３】 気体種が希ガス、水素、及びフッ素の中から選択されるこ とを特徴とする請求項２に記載のコンプライアント基板の製造方法。
- 【請求項４】 ドーピング剤が一あるいは二以上の気体種に関係している ことを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載のコンプライアント
基板の製造方法。 - 【請求項５】 一あるいは二以上の注入された気体種の拡散を行うことを 特徴とする請求項２に記載のコンプライアント基板の製造方法。
- 【請求項６】 注入の後に熱処理を行うことを特徴とする請求項２に記載 のコンプライアント基板の製造方法。
- 【請求項７】 前記注入が基板表面を介して行われ、基板表面と微小キャ ビティ層との間の領域が前記薄層を規定することを特徴とする請求項２から請求
項６のいずれか一項に記載のコンプライアント基板の製造方法。 - 【請求項８】 基板表面と微小キャビティ層との間の領域を薄くして前記 の薄層を形成することを特徴とする請求項７に記載のコンプライアント基板の製
造方法。 - 【請求項９】 ボンバードによる注入が、前記基板表面に支持される犠牲 層（２）を介して行われ、その犠牲層はその後で除去される前記に行われること
を特徴とする請求項７に記載のコンプライアント基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記注入が基板表面を介して行われ、この表面が第１の 薄層を支持し、その基板と微小キャビティ層との間の領域が第２の薄層を規定す
ることを特徴とする請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のコンプライア
ント基板の製造方法。 - 【請求項１１】 微小キャビティ層が、前記第１の薄層と基板との間の界 面の近傍に形成されることを特徴とする請求項１０に記載のコンプライアント基
板の製造方法。 - 【請求項１２】 ボンバードによる注入が、第１の薄層で支持される犠牲 層を介して行われ、その犠牲層はその後で除去されることを特徴とする請求項１
０または請求項１１のいずれかに記載のコンプライアント基板の製造方法。 - 【請求項１３】 結合エネルギーが表面準備及び／又は熱処理及び／又は 界面における欠陥の形成によって制御されることを特徴とする請求項１に記載の
コンプライアント基板。 - 【請求項１４】 表面準備がラフネス及び／又は親水性の制御であること を特徴とする請求項１３に記載のコンプライアント基板。
- 【請求項１５】 前記結合ゾーンが、薄層（２３；３４）とキャリヤ（２ １；３１）との間に少なくとも一つの中間層（２２；３２，３３）も備えたこと
を特徴とする請求項１３または請求項１４のいずれかに記載のコンプライアント
基板。 - 【請求項１６】 中間層（２２；３２，３３）が金属層または金属合金層 であることを特徴とする請求項１５に記載のコンプライアント基板。
- 【請求項１７】 少なくとも一つの中間層が、応力を緩和することができ る非均質性を有するように形成されたことを特徴とする請求項１５に記載のコン
プライアント基板。 - 【請求項１８】 結合手段が、微小キャビティとその微小キャビティの上 または下のいずれかに配置した結合界面とを備えたことを特徴とする請求項１か
ら請求項１７のいずれか一項に記載のコンプライアント基板。 - 【請求項１９】 前記薄層（４，１３，２３，３４）が第１の結晶材料か ら成り、前記構造を形成する第２の結晶材料に対してヘテロエピタキシャル成長
の種として用いられることが意図されていることを特徴とする請求項１から請求
項１８のいずれか一項に記載のコンプライアント基板。 - 【請求項２０】 前記薄層が、前記基板のコンプライアンスを促進するた めに、前記第１の結晶材料に異種原子を入れることを通しての応力付与の前の層
であることを特徴とする請求項１９に記載のコンプライアント基板。 - 【請求項２１】 前記異種原子がボンバードによる注入及び／又は拡散に よる挿入を介して入れられることを特徴とする請求項２０に記載のコンプライア
ント基板。 - 【請求項２２】 前記異種原子が薄層のドーピング剤であることを特徴と する請求項２０または請求項２１のいずれかに記載のコンプライアント基板。
- 【請求項２３】 前記第１の結晶材料が半導体であることを特徴とする請 求項１９または請求項２２のいずれかに記載のコンプライアント基板（５，２０
，３０）。 - 【請求項２４】 GaN、SiGe、AlN、InN及びSiCの中から選択された結晶材 料のヘテロエピタキシャル成長への、請求項１９から請求項２３のいずれかに記
載のコンプライアント基板（５，２０，３０）の応用。
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