JP2002373787A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な発光色と、高い発光輝度、発光効率を示
し、さらに長い寿命を持つ有機ＥＬ素子と、それを満足
しうる有機ＥＬ素子用材料を提供すること。 【解決手段】下記一般式［１］で表される化合物を含有
する発光層を形成してなる有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、前記発光層と陰極との間に少なくとも
一層の電子注入層を有することを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｚは、５〜７員環を形成する炭素数２〜２０の
置換または未置換の２価の脂肪族炭化水素基、Ａｒ
¹は、炭素数４〜３０の置換または未置換の２価の芳香
族炭化水素基または芳香族複素環基である。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は平面光源や表示に使
用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に
関する。さらに詳しくは、高輝度、高効率、長寿命を有
し、赤色の発光を得るための有機ＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
され、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネ
ルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギー
を光として放出する現象である。

【０００３】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，第５１巻，９１３頁，１９８７年発行
参照）。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、６〜１０Ｖの直流電圧で輝度は数１０００
（ｃｄ／ｍ²）、最大発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を
達成して、実用領域に近い性能を持っている。

【０００４】有機ＥＬ素子の中でも特に赤色の発光を得
るための有機ＥＬ素子用発光材料については報告例は少
なく、近年、Ｘ．Ｔ．Ｔａｏら著，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．，第７８号，第３号，２７９〜２８１
頁，２００１年発行に記載されている３−（ジシアノメ
チレン）−５，５−ジメチル−１−（４−ジメチルアミ
ノ−スチリル）シクロヘキセン（ＤＣＤＤＣ）を用いた
二層型素子で良好な赤色の発光が得られることが明らか
にされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたＤ
ＣＤＤＣは、赤色発光を示す有機ＥＬ素子用発光材料で
あるものの、これを用いた二層型ＥＬ素子（Ｘ．Ｔ．Ｔ
ａｏら著，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第７８
号，第３号，２７９〜２８１頁，２００１年発行参照）
は、未だ充分な発光輝度、発光効率を有しているとはい
えず、繰り返し使用時の安定性についても不明であっ
た。そのため、良好な赤色発光のみならず、高い発光輝
度、発光効率を示し、長い寿命を持つ有機ＥＬ素子が求
められていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上の諸
問題を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明
に至った。

【０００７】すなわち、本発明は、陽極と陰極とからな
る一対の電極間に、下記一般式［１］で表される化合物
を含有する発光層を形成してなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、前記発光層と陰極との間に少な
くとも一層の電子注入層を有することを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子に関する。一般式［１］

【０００８】

【化３】

【０００９】［式中、Ｚは、５〜７員環を形成するため
の炭素数２〜２０の置換または未置換の２価の脂肪族炭
化水素基、Ａｒ¹は、炭素数４〜３０の置換または未置
換の２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であ
る。］また、本発明は、さらに、発光層と陽極との間に
少なくとも二層の正孔注入層を形成してなる上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。

【００１０】さらに、本発明は、電子注入層に、下記一
般式［２］で示される化合物を含有することを特徴とす
る上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。一
般式［２］

【００１１】

【化４】

【００１２】［式中、Ｑ¹およびＱ²は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換のヒドロキシキノリン誘導体ま
たは置換もしくは未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘
導体を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換の芳香族複素環基、−ＯＲ（Ｒは水素原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシク
ロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、また
は、置換もしくは未置換の芳香族複素環基を表す。）、
または、−Ｏ−Ｇａ−Ｑ³（Ｑ⁴）（Ｑ³およびＱ⁴は、Ｑ
¹ およびＱ²と同じ意味を表す。）で表される配位子を
表す。］

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、詳細にわたって本発明を説
明する。まずはじめに、本発明で用いられる一般式
［１］で表される化合物について説明する。

【００１４】まず、一般式［１］中のＺについて説明す
る。Ｚは、５〜７員環を形成するための炭素数２〜２０
の置換または未置換の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
そのような脂肪族炭化水素基としては、例えば、５〜７
員環を形成するための炭素数２〜２０飽和もしくは不飽
和の２価の脂肪族炭化水素基があげられ、分岐していて
も、環状構造を含んでいても構わない。

【００１５】これら２価の脂肪族炭化水素基における置
換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、
アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、
アリールチオ基、アリール基、芳香族複素環基、置換ア
ミノ基があげられる。ここで、ハロゲン原子としては、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子があげられる。

【００１６】また、アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ
ｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、オクタデシル基といった炭素数１〜２
０のアルキル基があげられる。

【００１７】また、アルコキシル基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ
−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチル
オキシ基といった炭素数１〜２０のアルコキシル基があ
げられる。

【００１８】また、アリールオキシ基としては、フェノ
キシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフ
チルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリル
オキシ基といった炭素数６〜２０のアリールオキシ基が
あげられる。

【００１９】また、アルキルチオ基としては、メチルチ
オ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシ
ルチオ基、オクチルチオ基といった炭素数１〜２０のア
ルキルチオ基があげられる。

【００２０】また、アリールチオ基としては、フェニル
チオ基、２−メチルフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルチオ基といった炭素数６〜２０のアリール
チオ基があげられる。

【００２１】また、アリール基としては、フェニル基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−
キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基、１−ナフチ
ル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、９−フェナ
ントリル基、１−アセナフチル基、２−アズレニル基、
１−ピレニル基、２−トリフェニレル基等の炭素数６〜
３０のアリール基があげられる。

【００２２】また、芳香族複素環基としては、２−フリ
ル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル
基、１−ピローリル基、２−ピローリル基、３−ピロー
リル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジ
ル基、２−ピラジル基、２−オキサゾリル基、３−イソ
オキサゾリル基、２−チアゾリル基、３−イソチアゾリ
ル基、２−イミダゾリル基、３−ピラゾリル基、２−キ
ノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノ
リル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリ
ル基、１−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、２
−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、Ｎ−インド
リル基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−アクリジニル基とい
った炭素数３〜２０の芳香族複素環基があげられる。

【００２３】また、置換アミノ基としては、Ｎ−メチル
アミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミ
ノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブ
チルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベン
ジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェニル−
Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、
Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス
（ｐ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−ビフェニ
リル）アミノ基、ビス［４−（４−メチル）ビフェニリ
ル］アミノ基、Ｎ−ｐ−ビフェニリル−Ｎ−フェニルア
ミノ基、Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ
−β−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェナン
トリル−Ｎ−フェニルアミノ基等の炭素数２〜３０の置
換アミノ基があげられる。

【００２４】Ｚは、一般式［１］中のシアノ基と結合し
ている不飽和二重結合とは共役しない脂肪族炭化水素基
であることが好ましい。この理由としては、Ｘ．Ｔ．Ｔ
ａｏら著，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第７８
号，第３号，２７９〜２８１頁，２００１年発行にも記
述されているように、発光材料として用いる場合には、
Ｚが一般式［１］中のシアノ基に結合している不飽和二
重結合と共役すると、Ｚが、シアノ基に結合している不
飽和二重結合に対する電子供与基として働くため、一つ
の分子内に二つの電荷移動経路が生じることになり、発
光波長領域の広帯域化を招く懸念があるためである。

【００２５】特に、Ｚは、下記一般式［３］で表される
脂肪族炭化水素基であることが好ましい。一般式［３］

【００２６】

【化５】

【００２７】［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水
素原子または炭素数１〜３０の置換または未置換の１価
の脂肪族炭化水素基を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵
とＲ⁶は、互いに結合して環を形成していても良い。］
ここでここでいう置換基とは、Ｚにおける置換基と同義
である。また、炭素数１〜３０の未置換の１価の脂肪族
炭化水素基とは、飽和もしくは不飽和の直鎖状、分岐鎖
状、環状の脂肪族炭化水素基があげられる。そのような
ものとしては、前述の炭素数１〜２０のアルキル基の
他、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、
アルキレン基等があげられる。

【００２８】ここで、アルケニル基としては、ビニル
基、１−プロペニル基、アリル基、１−ブテニル基、２
−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ペンテニル基、２
−ヘキセニル基、７−オクテニル基といった炭素数２〜
３０のアルケニル基があげられる。

【００２９】また、アルキニル基としては、エチニル
基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニ
ル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、２−ペンチニ
ル基、７−オクチニル基といった炭素数２〜３０のアル
キニル基があげられる。

【００３０】また、シクロアルキル基としては、シクロ
ブチル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−
ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、２−ペ
ンチニル基、７−オクチニル基といった炭素数２〜３０
のアルキニル基があげられる。以下に、一般式［３］の
具体例を示す。

【００３１】

【化６】

【００３２】

【化７】

【００３３】

【化８】

【００３４】次に、一般式［１］中のＡｒ¹について説
明する。Ａｒ¹は、炭素数４〜３０の置換または未置換
の２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表
す。ここでいう置換基とは、Ｚにおける置換基と同義で
あり、また、２つ以上の置換基同士が互いに結合して環
を形成していても構わない。

【００３５】ここで２価の芳香族炭化水素基とは、２価
の単環もしくは縮合環、環集合芳香族炭化水素基を意味
する。ここで、２価の単環芳香族炭化水素基としては、
１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４
−フェニレン基、２−メチル−１，４−フェニレン基、
２，５−ジメチル−１，４−フェニレン基等の炭素数６
〜３０の２価の単環芳香族炭化水素基があげられる。ま
た、２価の縮合環芳香族炭化水素基としては、１，４−
ナフチレン基、９，１０−アンスリレン基等の炭素数１
０〜３０の２価の芳香族炭化水素基があげられる。ま
た、２価の環集合芳香族炭化水素基としては、４，４’
−ビフェニレン基等の炭素数１２〜３０の２価の芳香族
炭化水素基があげられる。

【００３６】また２価の芳香族複素環基とは、２価の単
環もしくは縮合環、環集合芳香族複素環基を意味する。
ここで、２価の単環芳香族複素環基としては、２，５−
フリレン基、２，５−チエニレン基、２，４−ピリジレ
ン基基等の炭素数４〜３０の２価の単環芳香族複素環基
があげられる。また、２価の縮合環芳香族複素環基とし
ては、４，７−ベンゾ［ｂ］チオニレン基、２，６−キ
ノリレン基、５，８−キノキサリレン基等の炭素数７〜
３０の２価の単環芳香族複素環基があげられる。また、
２価の環集合芳香族複素環基としては、２，２’−ビフ
ラン−５，５’−ニレン基等の炭素数８〜３０の２価の
環集合芳香族複素環基があげられる。

【００３７】以上述べたＡｒ¹における２価の芳香族炭
化水素基または芳香族複素環基の内、好ましいものとし
ては、炭素数６〜３０の２価の単環芳香族炭化水素基お
よび炭素数６〜３０の２価の単環芳香族複素環基があげ
られ、より好ましくは、炭素数６〜１０の２価の単環芳
香族炭化水素基および炭素数６〜１０の２価の単環芳香
族複素環基があげられる。この理由として、炭素数があ
まり多くなると、素子作成時の蒸着性が悪くなること
や、融点の低下に伴う耐熱性の低下の懸念があげられ
る。

【００３８】以下、表１に、本発明の有機ＥＬ素子に用
いられる一般式［１］で表される化合物の代表例を示す
が、本発明は、なんらこれらに限定されるものではない
（ただし、表１中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル
基を表す）。尚、一般式［１］で表される化合物は、
Ｒ．Ｌｅｍｋｅ著、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、３５９〜３６
１頁、１９７４年発行に記載の方法により容易に合成す
ることができる。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【００４７】ところで、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間
に一層または多層の有機層を形成した素子であるが、こ
こで、一層型有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光
材料からなる発光層を有する。一方、多層型有機ＥＬ素
子は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／
発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発
光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層した有機
ＥＬ素子である。本明細書に記載した一般式［１］で表
される化合物は、前記の内、（陽極／発光層／電子注入
層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層
／陰極）等の電子注入層を設けた多層構成で積層した有
機ＥＬ素子の発光層に含有することで従来の技術で達成
できなかった輝度や寿命を得られることが本発明の特徴
である。特に、（陽極／第一正孔注入層／第二正孔注入
層／発光層／電子注入層／陰極）と、正孔注入層を二層
構成にした場合、輝度の向上が図れる。一方、本明細書
に記載する一般式［１］で表される化合物を用いた場
合、一層型有機ＥＬ素子や電子注入層を設けない多層構
成で積層した有機ＥＬ素子としても十分な輝度や寿命が
得られない。

【００４８】ここで、正孔注入層に用いられる正孔注入
材料とは、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を示し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に
優れた化合物を意味する。そのような正孔注入材料の例
としては、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン
系化合物、ポルフィリン系化合物、オキサジアゾール、
トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾ
ールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイ
ミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラ
ゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチ
ルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミ
ン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型
トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリ
ビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性ポリマー等が
あげられるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。

【００４９】上記正孔注入材料の中でも特に好ましい正
孔注入材料としては、芳香族三級アミン誘導体またはフ
タロシアニン誘導体があげられる。芳香族三級アミン誘
導体としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミ
ン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェ
ニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４
−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−
ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−
（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェ
ニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ
−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フ
ェニル−シクロヘキサン、またはこれらの芳香族三級ア
ミン骨格を有するオリゴマーまたはポリマーがあげられ
る。また、フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、Ｈ
₂Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ 、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、Ｐ
ｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａ
Ｐｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ₂ＳｉＰｃ、
（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、Ｔｉ
ＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタ
ロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体があげ
られる。以上述べた正孔注入材料は、更に電子受容材料
を添加して増感させることもできる。

【００５０】一方、電子注入層に用いられる電子注入材
料とは、発光層または発光材料に対して優れた電子注入
効果を示し、発光層で生成した励起子の正孔注入層また
は正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優
れた化合物を意味する。そのような電子注入材料の例と
しては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベンゾ
チアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯体、ベ
ンゾイミダゾール金属錯体、フルオレノン、アントラキ
ノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、
オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペ
リレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、ア
ントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が
あげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナント
ロリンにドープした無機／有機複合材料（例えば、高分
子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年
発行）も電子注入材料の例としてあげられるが、本発明
はこれらに限定されるものではない。

【００５１】上記電子注入材料の中でも特に効果的な電
子注入材料としては、金属錯体化合物または含窒素五員
環誘導体があげられる。ここで、金属錯体化合物の中で
も、下記一般式［２］で示される化合物は特に好適に使
用することができる。一般式［２］

【００５２】

【化９】

【００５３】［式中、Ｑ¹およびＱ²は、それぞれ独立
に、置換もしくは未置換のヒドロキシキノリン誘導体ま
たは置換もしくは未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘
導体を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換の芳香族複素環基、−ＯＲ（Ｒは水素原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシク
ロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、また
は、置換もしくは未置換の芳香族複素環基を表す。）、
または、−Ｏ−Ｇａ−Ｑ³（Ｑ⁴）（Ｑ³およびＱ⁴は、Ｑ
¹ およびＱ²と同じ意味を表す。）で表される配位子を
表す。］ここで一般式［２］について説明する。一般式
［２］で示される化合物のＱ¹〜Ｑ⁴は、置換もしくは未
置換のヒドロキシキノリン誘導体または置換もしくは未
置換のヒドロキシベンゾキノリン誘導体である。ここで
いう置換基とは、一般式［１］中のＺにおける置換基と
同義である。

【００５４】また、Ｌは、ハロゲン原子、置換または未
置換のアルキル基、置換または未置換のシクロアルキル
基、置換または未置換のアリール基、置換または未置換
の芳香族複素環基を表す。ここでいう置換基とは、一般
式［１］中のＺにおける置換基と同義である。また、置
換または未置換のシクロアルキル基としては、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シク
ロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基等を
あげることができる。

【００５５】したがって、一般式［２］で示される化合
物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−ヒドロキ
シキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、
ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２
−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８
−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム
錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナー
ト）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム錯体、
ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナー
ト）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２、５
−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフ
トラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−フェ
ニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）
ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒ
ドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラー
ト）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシ
キノリナート）クロロガリウム錯体、ビス（２−メチル
−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）
ガリウム錯体等があげられるが、本発明はこれらに限定
されるものではない。尚、これら一般式［３］で示され
る化合物は、特開平１０−８８，１２１号公報記載の方
法により合成することが可能である。

【００５６】その他、本発明に使用可能な電子注入材料
の内、好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキ
シキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリ
ナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）
銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、ト
リス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ト
リス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アル
ミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリ
ウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナー
ト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
キノリナート）亜鉛等のキノリナート金属錯体化合物が
あげられる。

【００５７】また、本発明に使用可能な電子注入材料の
内、好ましい含窒素五員誘導体としては、オキサゾー
ル、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールま
たはトリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，
５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾー
ル、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニ
ル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニ
ル)１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１
−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４
−ビス［２−(５ −フェニルオキサジアゾリル)］ベン
ゼン、１，４−ビス［２−(５−フェニルオキサジアゾ
リル)−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’
−ｔｅｒｔ− ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニ
ル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１
−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−
ビス［２−(５−フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、
２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”
−ビフェニル)−１，３，４−トリアゾール、２，５−
ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、
１，４−ビス［２−(５−フェ ニルトリアゾリル)］ベ
ンゼン等があげられる。以上述べた電子注入材料は、更
に電子供与性材料を添加して増感させることもできる。

【００５８】また、本明細書に記載の一般式［１］で表
される化合物は、発光層中にドーピングして使用するこ
とも可能である。この場合、一般式［１］で表される化
合物は、以下に説明するホスト材料に対して０．００１
〜５０重量％の範囲で含有されることが好ましく、更に
は０．０１〜１０重量％の範囲で含有されることがより
好ましい。

【００５９】一般式［１］で表される化合物をドーピン
グ材料として用いた時に共に使用できるホスト材料とし
ては、キノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ベ
ンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯
体、ベンゾイミダゾール金属錯体、ベンゾトリアゾール
金属錯体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導
体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等の電
子輸送性材料。または、スチルベン誘導体、ブタジエン
誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン誘導体、スチ
リルアミン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノアン
トラセン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノフェナ
ントレン型トリフェニルアミン誘導体等の正孔輸送性材
料、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導
電性高分子の高分子材料等があげられる。

【００６０】また、本有機ＥＬ素子における発光層中に
は、一般式［１］で表される化合物の他に、他の発光材
料やドーピング材料を二種類以上組み合わせて使用する
こともできる。この場合、一般式［１］で表される化合
物ははホスト材料として機能する場合もある。一般式
［１］で表される化合物と共に使用できる他の発光材料
やドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレ
ン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、
クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレ
ン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナ
フタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニ
ルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジ
ン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、
シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリ
ン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアン
トラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート
化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およ
びそれらの誘導体があげられる。

【００６１】本有機ＥＬ素子における発光層中には、一
般式［１］で表される化合物の他に、必要に応じて、他
の発光材料やドーピング材料のみならず、先に述べた正
孔注入材料や電子注入材料を二種類以上組み合わせて使
用することもできる。また、正孔注入層、発光層、電子
注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されて
も良い。

【００６２】さらに、本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使
用される導電性材料は、４ｅＶより大きな仕事関数を持
つものが適しており、そのようなものとしては、炭素、
アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、
タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれ
らの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板と称される酸化ス
ズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフ
ェンやポリピロール等の有機導電性ポリマーがあげられ
る。

【００６３】また、本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用
される導電性材料は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つ
ものが適しており、そのようなものとしては、マグネシ
ウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウ
ム、リチウム、フッ化リチウム、ルテニウム、マンガン
等およびそれらの合金があげられる。ここで、合金とし
ては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、
リチウム／アルミニウム等が代表例としてあげられる
が、これらに限定されるものではない。合金の比率は、
調製時の加熱温度、雰囲気、真空度により制御可能なた
め、適切な比率からなる合金が調製可能である。これら
陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成によ
り形成されていても良い。

【００６４】本発明の有機ＥＬ素子を効率良く発光させ
るためには、素子を構成する材料は素子の発光波長領域
において充分透明であることが望ましく、同時に基板も
透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性
材料を使用して蒸着やスパッタリング等の方法で作成す
ることができる。特に、発光面の電極は、光透過率が１
０％以上であることが望ましい。基板は、機械的、熱的
強度を有し、透明であれば特に限定されるものではない
が、例えば、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエーテル
サルフォン、ポリプロピレン等の透明性ポリマーが推奨
される。

【００６５】また、本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成
方法としては、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、
イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピン
コーティング、ディッピング、フローコーティング等の
湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜
厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光
出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪
くなる。逆に膜厚が薄すぎると、ピンホール等が発生
し、電界を印加しても充分な発光輝度が得ら難くなる。
したがって、通常の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が
適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好
ましい。

【００６６】湿式成膜法の場合、各層は、それを構成す
る材料をトルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散して薄
膜を形成する。ここで用いられる溶媒は単一あるいは混
合したもののいずれでも構わない。また、いずれの湿式
成膜法においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等
のため適切なポリマーや添加剤を使用しても良い。この
ようなポリマーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性ポ
リマー、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等
の光導電性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール等
の導電性ポリマーを挙げることができる。また、添加剤
としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等をあげ
ることができる。本発明の材料を湿式で成膜する際に
は、各化合物の分子間の親和性が良いため、単独では凝
集性が高く膜が不均一になりやすい化合物でも、凝集性
の低い誘導体との混合材料にすることにより良好な膜を
得ることができる。

【００６７】また、本発明により得られた有機ＥＬ素子
の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、
さらに素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイ
ル、ポリマー等により素子全体を被覆しても良い。

【００６８】以上述べたように、本発明の有機ＥＬ素子
は、発光効率、最大発光輝度等の特性を向上させること
が可能である。また、本有機ＥＬ素子は、熱や電流に対
して非常に安定であり、さらには低い駆動電圧で実用的
に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな
問題であった劣化も大幅に低下させることが可能であ
る。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラッ
トパネルディスプレイや平面発光体として、さらには、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。

【００６９】

【実施例】以下、実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではな
い。はじめに、実施例に先立って本発明の有機ＥＬ素子
用材料の合成例を述べる。 合成例１ 化合物（１）の合成方法 ジメチルホルムアミド１００ｍｌ中に、３−メチルシク
ロペント−２−エノン９．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）、マ
ロノジニトリル５．９ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ピペリジン
１．５ｇ、酢酸０．３ｇ、無水酢酸０．２ｇを加え、室
温にて１時間攪拌した。引き続き８０℃にて１時間加熱
撹拌した後、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド１
３．４ｇ（９０ｍｍｏｌ）を加え、さらに８０℃にて１
時間加熱撹拌した。この混合物を減圧下濃縮し、残渣に
濃塩酸３ｍｌおよび水１５０ｍｌを加えて得られた析出
物をカラムクロマトグラフィーにより精製を行ない、化
合物（１）１６．７ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲ
スペクトル、元素分析により、化合物（１）の構造を確
認した。 合成例２ 化合物（１７）の合成方法 ジメチルホルムアミド１００ｍｌ中に、３−メチルシク
ロヘキサ−２−エノン１１．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、
マロノジニトリル５．９ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ピペリジ
ン１．５ｇ、酢酸０．３ｇ、無水酢酸０．２ｇを加え、
室温にて１時間攪拌した。引き続き８０℃にて１時間加
熱撹拌した後、４−メチルアミノベンズアルデヒド１
３．４ｇ（９０ｍｍｏｌ）を加え、さらに８０℃にて１
時間加熱撹拌した。この混合物を減圧下濃縮し、残渣に
濃塩酸３ｍｌおよび水１５０ｍｌを加えて得られた析出
物をカラムクロマトグラフィーにより精製を行ない、化
合物（１７）１７．８ｇを得た。マススペクトル、ＮＭ
Ｒスペクトル、元素分析により、化合物（１７）の構造
を確認した。 合成例３ 化合物（２１）の合成方法 ジメチルホルムアミド１００ｍｌ中に、イソホロン１
３．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）、マロノジニトリル５．９
ｇ（９０ｍｍｏｌ）、ピペリジン１．５ｇ、酢酸０．３
ｇ、無水酢酸０．２ｇを加え、室温にて１時間攪拌し
た。引き続き８０℃にて１時間加熱撹拌した後、４−ジ
メチルアミノベンズアルデヒド１３．４ｇ（９０ｍｍｏ
ｌ）を加え、さらに８０℃にて１時間加熱撹拌した。こ
の混合物を減圧下濃縮し、残渣に濃塩酸３ｍｌおよび水
１５０ｍｌを加えて得られた析出物をカラムクロマトグ
ラフィーにより精製を行ない、化合物（２１）１８．９
ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分
析により、化合物（２１）の構造を確認した。

【００７０】以下に本発明の化合物を用いた実施例を示
す。本例では、特に断りのない限り、混合比は全て重量
比を示す。また電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子
の特性を測定した。

【００７１】実施例１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’―（３
―メチルフェニル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―１，１’
―ビフェニル-４，４’―ジアミン（ＴＰＤ）とポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２
−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法に
より膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の
化合物（２１）を蒸着し膜厚６０ｎｍの発光層を作成し
た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ア
ルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を蒸着し膜厚６０ｎｍの電
子注入層を作成した。その上に、マグネシウムと銀を１
０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電
極を形成して有機ＥＬ素子を得た。電子注入型発光層は
２×１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下
で蒸着した。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度０．
７（ｃｄ／ｍ²）、最大発光輝度４１（ｃｄ／ｍ²）の赤
色発光が得られた。

【００７２】比較例１ 電子注入層を設けないこと以外は、実施例１と同様の方
法で有機ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧７Ｖでの
発光輝度０．４（ｃｄ／ｍ²）、最大発光輝度３２（ｃ
ｄ／ｍ²）の赤色発光が得られたが、実施例１の結果よ
りも発光輝度、発光効率が劣っていることは明らかであ
る。

【００７３】実施例２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤとポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２
−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法に
より膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の
化合物（２１）とＡｌｑ３との１：１００の重量比から
なる混合物を蒸着し膜厚６０ｎｍの発光層を作成した。
さらに、Ａｌｑ３を蒸着し膜厚６０ｎｍの電子注入層を
作成した。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重
量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成し
て有機ＥＬ素子を得た。電子注入型発光層は２×１０^-6
Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度１．８（ｃｄ
／ｍ²）、最大発光輝度７２００（ｃｄ／ｍ²）、最大発
光効率１．９（ｌｍ／Ｗ）の赤色発光が得られた。

【００７４】比較例２ 電子注入層を設けないこと以外は、実施例２と同様の方
法で有機ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧７Ｖでの
発光輝度１．０（ｃｄ／ｍ²）、最大発光輝度５５００
（ｃｄ／ｍ²）、最大発光効率１．６（ｌｍ／Ｗ）の赤
色発光が得られたが、実施例２の結果よりも発光輝度、
発光効率が劣っていることは明らかである。

【００７５】実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（１９）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピン
コーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入型発光層
を得た。次いで、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体を真空
蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した
合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を
得た。電子注入層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温
度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧８Ｖ
での発光輝度１．５（ｃｄ／ｍ²） 、最大発光輝度２０
０（ｃｄ／ｍ²）、発光効率０．０４（ｌｍ／ Ｗ）の赤
色発光が得られた。

【００７６】比較例３ 電子注入層を設けないこと以外は、実施例３と同様の方
法で有機ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧８Ｖでの
発光輝度０．２（ｃｄ／ｍ²）、最大発光輝度２５（ｃ
ｄ／ｍ²）、最大発光効率０．００４（ｌｍ／Ｗ）の赤
色発光が得られたが、実施例３の結果よりも発光輝度、
発光効率が劣っていることは明らかである。

【００７７】実施例４〜２１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの正孔
注入層を形成した。次いで、表１の化合物とＡｌｑ３を
１：１００（重量比）の組成比で共蒸着し、膜厚３０ｎ
ｍの発光層を得た。さらに、ビス（２−メチル−８−ヒ
ドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体
を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合
した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素
子を得た。各層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度
室温の条件下で蒸着した。この素子の発光特性を表２に
示す。本実施例の有機ＥＬ素子は、全て最大発光輝度１
３９００（ｃｄ／ｍ²）以上の高い輝度特性を示した。

【００７８】

【表２】

【００７９】実施例２２ 発光層として、表１の化合物（１）：化合物（２１）：
Ａｌｑ３＝１：１：１００の重量比率で蒸着した膜厚３
０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例４と同様の方法で
有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖで
の発光輝度２０（ｃｄ／ｍ²）最大発光輝度１８３００
（ｃｄ／ｍ²）、発光効率２．３（ｌｍ／Ｗ）の赤色発
光が得られた。

【００８０】実施例２３ 発光層として、表１の化合物（２）とビス（２−メチル
−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリ
ウム錯体を１：５０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍ
の薄膜を設ける以外は、実施例４と同様の方法で有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光
輝度２５（ｃｄ／ｍ²）、最大発光輝度１８３００（ｃ
ｄ ／ｍ²）、発光効率２．５（ｌｍ／Ｗ）の赤色発光が
得られた。

【００８１】実施例２４ 発光層として、表１の化合物（１６）とα−ＮＰＤを
１：１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設
ける以外は、実施例４と同様の方法で有機ＥＬ素子を作
製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度２５
（ｃｄ／ｍ²）最大発光輝度１８１００（ｃｄ／ｍ²）、
発光効率２．７（ｌｍ／ Ｗ）の赤色発光が得られた。

【００８２】実施例２５ 発光層として、表１の化合物（３２）と２，３，６，
７，１０，１１−ヘキサメトキシトリフェニレンを１：
１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける
以外は、実施例４と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製し
た。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度２４（ｃｄ
／ｍ²）最大発光輝度１８２００（ｃｄ／ｍ²）、発光効
率２．６（ｌｍ／ Ｗ）の赤色発光が得られた。

【００８３】実施例２６ 発光層として、表１の化合物（１８）とＮ，Ｎ’−ジメ
チルキナクリドンを１００：１の重量比率で蒸着した膜
厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例４と同様の方
法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７
Ｖでの発光輝度１１（ｃｄ／ｍ²）最大発光輝度８２０
０（ｃｄ／ｍ²）、発光効率０．５（ｌｍ／ Ｗ）の発光
が得られた。

【００８４】実施例２７ 発光層として、表１の化合物（２５）と４，４’−ビス
（β,β−ジフェニルビニル）ビフェニルを１：５０の
重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外
は、実施例４と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度２４（ｃｄ／ｍ
²）最大発光輝度１８３００（ｃｄ／ｍ²）、発光効率
２．３（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。

【００８５】実施例２８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚６０
ｎｍの第一正孔注入層を得た。次いで、α−ＮＰＤを真
空蒸着して、膜厚２０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さ
らに、表１の化合物（７）を真空蒸着して、膜厚１０ｎ
ｍの発光層を作成し、さらにＡｌｑ３を真空蒸着して膜
厚３０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、ＬｉＦ
を０．２ｎｍ、次いでＡｌを１５０ｎｍ真空蒸着するこ
とで電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０
^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度３２（ｃｄ
／ｍ²）、最大発光輝度２０９００（ｃ ｄ／ｍ²）、発
光効率２．８（ｌｍ／Ｗ）の赤色発光が得られた。

【００８６】実施例２９ 発光層として、表１の化合物（２２）とＡｌｑ３を１：
１００の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設け
る以外は、実施例２８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作
製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度８０
（ｃｄ／ｍ²）、発光効率３．１（ｃｄ／Ａ）の赤色発
光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ²）で
定電流駆動したときの半減寿命は９００時間であった。

【００８７】比較例４ 電子注入層を設けないこと以外は、実施例２９と同様の
方法で有機ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧７Ｖで
の発光輝度１２（ｃｄ／ｍ²）であり、発光輝度５００
（ｃｄ／ｍ²）で定電流駆動したときの半減寿命は１０
０時間であった。

【００８８】実施例３０ ４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンの代わりに
銅フタロシアニンの膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設ける
以外は、実施例２９と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製
した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度９０（ｃ
ｄ／ｍ²）、発光効率３．２（ｃｄ／Ａ）の赤色発光が
得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ²）で定電
流駆動したときの半減寿命は１３００時間であった。

【００８９】実施例３１ 電子注入層として、Ａｌｑ３の代わりにビス（２−メチ
ル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガ
リウム錯体を用いる以外は、実施例２９と同様の方法で
有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖで
の発光輝度１２０（ｃｄ／ｍ²）、発光効率３．４（ｃ
ｄ／Ａ）の赤色発光が得られた。また、発光輝度５００
（ｃｄ／ｍ²）で定電流駆動したときの半減寿命は１０
００時間であった。

【００９０】以上述べた実施例から明らかなように、本
発明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿
命化を達成するものであり、併せて使用される発光材
料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材料、増
感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定する
ものではない。

【００９１】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子用材料に用いて作
成した有機ＥＬ素子は、赤色に発光し、従来に比べて高
い発光効率で高輝度であり、長い発光寿命を持つため、
壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発
光体として好適に使用することができ、故に、複写機や
プリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光
源、表示板、標識灯等への応用が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陽極と陰極とからなる一対の電極間に、下
   記一般式［１］で表される化合物を含有する発光層を形
   成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子におい
   て、前記発光層と陰極との間に少なくとも一層の電子注
   入層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッ
   センス素子。一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｚは、５〜７員環を形成するための炭素数２〜
   ２０の置換または未置換の２価の脂肪族炭化水素基、Ａ
   ｒ¹は、炭素数４〜３０の置換または未置換の２価の芳
   香族炭化水素基または芳香族複素環基である。］
2. 【請求項２】さらに、前記発光層と陽極との間に少なく
   とも二層の正孔注入層を形成してなる請求項１記載の有
   機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】電子注入層に、下記一般式［２］で示され
   る化合物を含有することを特徴とする請求項１または２
   記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。一般式
   ［２］ 【化２】 ［式中、Ｑ¹およびＱ²は、それぞれ独立に、置換もしく
   は未置換のヒドロキシキノリン誘導体または置換もしく
   は未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘導体を表し、Ｌ
   は、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、
   置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは
   未置換のアリール基、置換もしくは未置換の芳香族複素
   環基、−ＯＲ（Ｒは水素原子、置換もしくは未置換のア
   ルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置
   換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは
   未置換の芳香族複素環基を表す。）、または、−Ｏ−Ｇ
   ａ−Ｑ³（Ｑ⁴）（Ｑ³およびＱ⁴は、Ｑ¹ およびＱ²と同
   じ意味を表す。）で表される配位子を表す。］ 【００００】