JP2002372786A - 自己難燃性レジスト材料及び絶縁材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低誘電率でかつ自己難燃性を有するレジスト
材料及び絶縁材料を得る。 【解決手段】 （Ａ）有機溶剤に可溶な重量平均分子量
１００００以上のポリシランと、（Ｂ）光ラジカル発生
剤及び酸化剤と、（Ｃ）以下の一般式（１）等で示され
る構造のシリコーン化合物と、 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、炭素数１
〜１０のハロゲンまたはグリシジル基で置換されていて
もよい脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２のハロゲンで
置換されていてもよい芳香族炭化水素基、炭素数１〜８
のアルコキシ基からなる群から選択される基であり、互
いに同一でも異なっていてもよいが、一分子中には少な
くとも２つの上記アルコキシ基が含まれている。ｍ及び
ｎは整数であり、ｍ＋ｎ≧１を満たすものである。）
（Ｄ）有機溶剤とを含む感光性樹脂組成物からなること
を特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
のソルダーレジスト膜の形成に用いることができる自己
難燃性レジスト材料及び絶縁材料並びにこれらを用いた
プリント配線基板または絶縁膜の形成方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】プリン
ト配線基板の配線部分の所定箇所にはんだを付着させる
方法として、プリント配線基板の上にソルダーレジスト
パターンを形成する方法が一般に採用されている。ソル
ダーレジストは、そのパターンが形成されていない箇所
にのみはんだを付着させ、そのパターンが形成されてい
る箇所へのはんだの付着を防止するとともに、パターン
が形成されている箇所の回路を保護するためのものであ
る。

【０００３】電気部品の難燃化対策として、ソルダーレ
ジストにハロゲン系の難燃化剤が使用されている。この
難燃化剤は、ハロゲンを含むためダイオキシンの原因物
質となる可能性が高い。また、従来のソルダーレジスト
は、エポキシ樹脂を主成分とするものであるため、環境
ホルモンの原因物質とされるビスフェノールＡを含んで
おり、将来使用規制の対象になる可能性がある。また、
ポリイミド等の耐熱性樹脂をソルダーレジストとして使
用することも検討されている。しかしながら、ソルダー
レジストにおいては、導体部間のクロストークが問題と
なるため、誘電率の低いものが求められており、この点
においてポリイミドは満足し得る材料ではない。

【０００４】一方、半導体の分野では、従来のアルミ配
線から銅配線に移行し、そこで使用される層間絶縁膜も
従来のＣＶＤで作製するシリカ膜から、さらに誘電率が
低い材料へと移行してきている。しかしながら、簡易な
工程でパターニングできる低誘電率の層間絶縁膜は現在
のところ見い出されていない。

【０００５】本発明の目的は、低誘電率で、かつ自己難
燃性を有するレジスト材料及び絶縁材料を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の自己難燃性レジ
スト材料は、（Ａ）有機溶剤に可溶な重量平均分子量１
００００以上のポリシランと、（Ｂ）光ラジカル発生剤
及び酸化剤と、（Ｃ）以下の一般式（１）または（２）
で示される構造のシリコーン化合物と、

【０００７】

【化５】

【０００８】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶
は、炭素数１〜１０のハロゲンまたはグリシジル基で置
換されていてもよい脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２
のハロゲンで置換されていてもよい芳香族炭化水素基、
炭素数１〜８のアルコキシ基からなる群から選択される
基であり、互いに同一でも異なっていてもよいが、一分
子中には少なくとも２つの上記アルコキシ基が含まれて
いる。ｍ及びｎは整数であり、ｍ＋ｎ≧１を満たすもの
である。）

【０００９】

【化６】

【００１０】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₂は、炭素数１〜１０の
ハロゲンまたはグリシジル基で置換されていてもよい脂
肪族炭化水素基、炭素数６〜１２のハロゲンで置換され
ていてもよい芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコ
キシ基からなる群から選択される基であり、互いに同一
でも異なっていてもよいが、一分子中には少なくとも２
つの上記アルコキシ基が含まれている。ａ、ｂ、ｃ及び
ｄは０を含む整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たす
ものである。）（Ｄ）有機溶剤とを含む感光性樹脂組成
物からなることを特徴としている。

【００１１】本発明の絶縁材料は、上記本発明の自己難
燃性レジスト材料と同様に、上記感光性樹脂組成物から
なることを特徴としている。上記感光性樹脂組成物にお
いては、紫外線等の光が照射されると、ポリシラン中に
存在するＳｉ−Ｓｉ結合が切断されて、Ｓｉ−ＯＨ（シ
ラノール基）が生成する。このシラノール基は、弱酸性
であるため、アルカリ性の水溶液等により溶解させるこ
とができるので、露光した部分を除去し現像することが
できる。従って、レジスト材料として用いることができ
る。

【００１２】また、上記感光性樹脂組成物から形成した
薄膜を加熱すると、薄膜内に含まれるシリコーン化合物
中のアルコキシ基が分解してシラノール基が生成し、こ
のシラノール基がポリシランと反応するため、ポリシラ
ンを架橋することができ、硬化させることができる。従
って、耐熱性を有する薄膜にすることができる。

【００１３】また、上記感光性樹脂組成物の主成分はポ
リシランであるため、自己難燃性を有しており、また、
誘電率が低い。このため、低誘電率で、かつ自己難燃性
を有するレジスト材料及び絶縁材料とすることができ
る。

【００１４】本発明のプリント配線基板の製造方法は、
表面にソルダーレジスト膜が形成されたプリント配線基
板を製造する方法であり、上記本発明のレジスト材料を
プリント配線基板上に塗布してソルダーレジスト膜を形
成する工程と、ソルダーレジスト膜を選択的に露光して
現像し、はんだを付着させる配線部を露出させる工程
と、現像後のソルダーレジスト膜を加熱して硬化させる
工程とを備えている。

【００１５】本発明の絶縁膜の形成方法は、上記本発明
の絶縁材料を基板の上に塗布して乾燥させた後、加熱し
て硬化させることを特徴としている。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明においてレジスト材料及び
絶縁材料として用いる感光性樹脂組成物について、以下
詳細に説明する。

【００１７】＜感光性樹脂組成物＞本発明においてレジ
スト材料及び絶縁材料として用いる感光性樹脂組成物
は、有機溶剤に可溶な重量平均分子量１００００以上の
ポリシラン、光ラジカル発生剤、酸化剤、シリコーン化
合物、及び有機溶剤を含んでいる。以下、これらについ
て説明する。

【００１８】（ポリシラン）本発明において用いるポリ
シランとしては、ネットワーク状及び直鎖状のものが挙
げられる。感光性材料としての機械的強度を考慮する
と、ネットワーク状ポリシランが好ましい。ネットワー
ク状と鎖状は、ポリシラン中に含まれるＳｉ原子の結合
状態によって区別される。ネットワーク状ポリシランと
は、隣接するＳｉ原子と結合している数(結合数)が、３
または４であるＳｉ原子を含むポリシランである。これ
に対して、直鎖状のポリシランでは、Ｓｉ原子の、隣接
するＳｉ原子との結合数は２である。通常Ｓｉ原子の原
子価は４であるので、ポリシラン中に存在するＳｉ原子
の中で結合数が３以下のものは、Ｓｉ原子以外に、炭化
水素基、アルコキシ基または水素原子と結合している。
このような炭化水素基としては、炭素数１〜１０の、ハ
ロゲンで置換されていてもよい脂肪族炭化水素基、炭素
数６〜１４の芳香族炭化水素基が好ましい。

【００１９】脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル
基、デシル基、トリフルオロプロピル基及びノナフルオ
ロヘキシル基などの鎖状のもの、及びシクロヘキシル
基、メチルシクロヘキシル基のような脂環式のものなど
が挙げられる。

【００２０】また、芳香族炭化水素基の具体例として
は、フェニル基、ｐ−トリル基、ビフェニル基及びアン
トラシル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、
炭素数１〜８のものが挙げられる。具体例としては、メ
トキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ
基などが挙げられる。合成の容易さを考慮すると、これ
らの中でメチル基及びフェニル基が特に好ましい。

【００２１】ネットワーク状ポリシランの場合には、隣
接するＳｉ原子との結合数が３または４であるＳｉ原子
は、ネットワーク状ポリシラン中の全体のＳｉ原子数の
２〜５０％であることが好ましい。この値は、硅素の核
磁気共鳴スペクトル測定により決定することができる。

【００２２】なお、本明細書におけるポリシランは、ネ
ットワーク状と直鎖状のポリシランを混合したものも含
んでいる。その場合における、上記のＳｉ原子の含有率
は、ネットワーク状ポリシランと直鎖状ポリシランの平
均によって計算される。

【００２３】本発明に使用されるポリシランはハロゲン
化シラン化合物をナトリウムのようなアルカリ金属の存
在下、ｎ−デカンやトルエンのような有機溶媒中におい
て８０℃以上に加熱することによる重縮合反応によって
製造することができる。

【００２４】ネットワーク状ポリシランは、例えば、オ
ルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合
物、及びジオルガノジハロシラン化合物からなり、オル
ガノトリハロシラン化合物及びテトラハロシラン化合物
が全体量の２モル％以上５０モル％未満であるハロシラ
ン混合物を加熱して重縮合することにより得ることがで
きる。ここで、オルガノトリハロシラン化合物は、隣接
するＳｉ原子との結合数が３であるＳｉ原子源となり、
テトラハロシラン化合物は、隣接するＳｉ原子との結合
数が４であるＳｉ原子源となる。なお、ネットワーク構
造の確認は、紫外線吸収スペクトルや硅素の核磁気共鳴
スペクトルの測定により確認することができる。

【００２５】直鎖状ポリシランは、複数もしくは単一の
ジオルガノジクロロシランを用いる他は、上記のネット
ワーク状ポリシランの場合と同様の反応により製造する
ことができる。

【００２６】ポリシランの原料として用いられるオルガ
ノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、及
びジオルガノジハロシラン化合物がそれぞれ有するハロ
ゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。オルガノ
トリハロシラン化合物及びジオルガノジハロシラン化合
物が有するハロゲン原子以外の置換基としては、上述の
炭化水素基、アルコキシ基または水素原子が挙げられ
る。

【００２７】これらのネットワーク状及び直鎖状のポリ
シランは、有機溶剤に可溶であり、重量平均分子量が１
００００以上のものであれば特に限定されない。感光性
材料としての利用を考慮すると、本発明で使用するポリ
シランは蒸発性を有する有機溶媒に可溶であることが好
ましい。このような有機溶媒としては、炭素数５〜１２
の炭化水素系、ハロゲン化炭化水素系、エーテル系の有
機溶剤が挙げられる。

【００２８】炭化水素系の例としては、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ド
デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベン
ゼンなどが挙げられる。ハロゲン化炭化水素系の例とし
ては、四塩化炭素、クロロホルム、１，２−ジクロロエ
タン、ジクロロメタン、クロロベンゼンなどが挙げられ
る。エーテル系の例としては、ジエチルエーテル、ジブ
チルエーテル、テトラハイドロフランなどが挙げられ
る。

【００２９】本発明において使用するポリシランは、重
量平均分子量が１００００以上のものである。重量平均
分子量が１００００未満であると、耐薬品性や耐熱性な
どの膜特性が不十分な場合がある。好ましい重量平均分
子量としては、１００００〜５００００であり、さらに
好ましくは１５０００〜３００００である。

【００３０】（光ラジカル発生剤及び酸化剤）本発明に
おいて用いる光ラジカル発生剤は、光によってハロゲン
ラジカルを発生する化合物であれば特に限定されない
が、２，４，６−トリス(トリハロメチル)−１，３，５
−トリアジン及びその２位またはその２位と４位が置換
された化合物、フタルイミドトリハロメタンスルフォネ
ート及びそのベンゼン環に置換基を有する化合物、ナフ
タルイミドトリハロメタンスルフォネート及びそのベン
ゼン環に置換基を有する化合物などを例として挙げるこ
とができる。これらの化合物が有する置換基は、置換基
を有していてもよい脂肪族及び芳香族炭化水素基であ
る。

【００３１】本発明において用いる酸化剤は、酸素供給
源となる化合物であれば特に限定されないが、例えば、
過酸化物、アミンオキシド及びホスフィンオキシドなど
を例として挙げることができる。

【００３２】光ラジカル発生剤と酸化剤の組み合わせと
しては、光ラジカル発生剤としてのトリクロロトリアジ
ン系のものと、酸化剤としての過酸化物の組み合わせが
特に好ましい。

【００３３】光ラジカル発生剤は、上記ポリシランが光
照射により分解する際、Ｓｉ−Ｓｉ結合がハロゲンラジ
カルにより効率よく切断されることを目的として添加さ
れるものである。また、酸化剤は、切断された後のＳｉ
の結合に酸素が容易に挿入されるように添加されるもの
である。

【００３４】色素の光励起によるハロゲンラジカルの発
生を高めるため、クマリン系、シアニン系、メロシアニ
ン系等の可溶性色素を加えてもよい。また、可溶性色素
を加えることにより、ポリシランの光に対する感度を向
上させることができる。

【００３５】（シリコーン化合物）本発明において使用
するシリコーン化合物は、以下の一般式（１）または
（２）で示される構造のシリコーン化合物が好ましく用
いられる。

【００３６】

【化７】

【００３７】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶
は、炭素数１〜１０のハロゲンまたはグリシジル基で置
換されていてもよい脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２
のハロゲンで置換されていてもよい芳香族炭化水素基、
炭素数１〜８のアルコキシ基からなる群から選択される
基であり、互いに同一でも異なっていてもよいが、一分
子中には少なくとも２つの上記アルコキシ基が含まれて
いる。ｍ及びｎは整数であり、ｍ＋ｎ≧１を満たすもの
である。）

【００３８】

【化８】

【００３９】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₂は、炭素数１〜１０の
ハロゲンまたはグリシジル基で置換されていてもよい脂
肪族炭化水素基、炭素数６〜１２のハロゲンで置換され
ていてもよい芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコ
キシ基からなる群から選択される基であり、互いに同一
でも異なっていてもよいが、一分子中には少なくとも２
つの上記アルコキシ基が含まれている。ａ、ｂ、ｃ及び
ｄは０を含む整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たす
ものである。）上記Ｒ¹〜Ｒ⁶及びＲ₁〜Ｒ₁₂の置換基と
なる脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル
基、トリフルオロプロピル基、グリシジルオキシプロピ
ル基などの鎖状のもの、及びシクロヘキシル基、メチル
シクロヘキシル基のような脂環式のものなどが挙げられ
る。また、芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニ
ル基、ｐ−トリル基、ビフェニル基などが挙げられる。
アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ
基、フェノキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒ−ブトキ
シ基などが挙げられる。

【００４０】上記のＲ¹〜Ｒ⁶及びＲ₁〜Ｒ₁₂の種類並び
にｍとｎ及びａ〜ｄの値は特に重要ではなく、ポリシラ
ン及び有機溶媒と相溶するようなものであれば特に限定
されない。相溶性を考慮した場合には、使用するポリシ
ランが有する炭化水素基と同じ基を有していることが好
ましい。例えば、ポリシランとして、フェニルメチル系
のものを使用する場合には、同じフェニルメチル系また
はジフェニル系のシリコーン化合物を使用することが好
ましい。

【００４１】また、本発明において用いるシリコーン化
合物では、一分子中の置換基のうち、少なくとも２つが
炭素数１〜８のアルコキシ基である。従って、一分子中
にアルコキシ基を２つ以上有しているので、ポリシラン
の架橋剤として働く。そのようなものとしては、アルコ
キシ基を１５〜３５重量％含んだメチルフェニルメトキ
シシリコーンやフェニルメトキシシリコーンなどを挙げ
ることができる。

【００４２】本発明において用いるシリコーン化合物の
重量平均分子量としては、１００００以下であることが
好ましく、さらに好ましくは３０００以下である。重量
平均分子量が高くなり過ぎると、ポリシランとの相溶性
が低下し不均一な膜になったり、感度が低下する。

【００４３】（有機溶剤）本発明における感光性樹脂組
成物に含まれる有機溶剤としては、ポリシランを溶解さ
せることができるものであれば特に限定されるものでは
なく、具体的にはポリシランの説明において例示した有
機溶剤が挙げられる。

【００４４】（感光性樹脂組成物における配合割合）本
発明において用いる感光性樹脂組成物における配合割合
は、ポリシラン１００重量部に対して、光ラジカル発生
剤１〜３０重量部、酸化剤１〜３０重量部、シリコーン
化合物５〜１００重量部であることが好ましい。さら
に、上述の可溶性色素を添加する場合には、ポリシラン
１００重量部に対して１〜２０重量部であることが好ま
しい。有機溶剤は、全体に対する濃度が２０〜６０重量
％となるように用いることが好ましい。

【００４５】シリコーン化合物は、ポリシランの架橋剤
として働き、かつポリシランの有機溶剤への溶解性を高
めるとともに、ポリシランと光ラジカル発生剤と酸化剤
との相溶化剤としても機能するものである。従って、シ
リコーン化合物を用いることにより、光ラジカル発生剤
及び酸化剤を多く含むことが可能になる。

【００４６】（感光性樹脂組成物の塗布方法）感光性樹
脂組成物の塗布方法は、特に限定されるものではなく、
当業者に知られた方法によって行うことができる。スピ
ンコーター法、スクリーン印刷法、及びアプリケーター
を用いた方法などにより塗布することができる。塗布方
法は、使用する用途によって適宜選択される。

【００４７】プリント配線基板のレジスト材として用い
る場合には、一般に、スクリーン印刷やアプリケーター
を用いる方法で塗布することが好ましい。レジスト膜の
厚みは、一般に１０〜５０μｍの範囲の乾燥膜厚となる
ように塗布される。

【００４８】また、本発明の絶縁材料を半導体分野にお
いて層間絶縁膜などとして用いる場合には、一般にスピ
ンコーター法などにより塗布される。膜厚は、０．１〜
５μｍ程度の範囲であることが多い。

【００４９】＜プリント配線基板の製造工程＞図１は、
本発明のプリント配線基板の製造工程の一例を示す模式
的断面図である。

【００５０】図１（ａ）に示すように、基板１の上には
銅層をパターニングして形成した配線部２が設けられて
いる。配線部２の上に感光性樹脂組成物からなるレジス
ト材を塗布することにより、ソルダーレジスト膜３が形
成されている。

【００５１】次に、図１（ｂ）に示すように、露出すべ
き配線部２に光が照射されるようにパターニングされた
マスク４を、ソルダーレジスト膜３の上に配置し、紫外
線５を照射して露光する。

【００５２】照射する紫外線は、ポリシランのσ−σ*
吸収域である２５０〜４００ｎｍの波長を有する。この
照射は、ソルダーレジスト膜３の厚さ１μｍ当り０．０
１〜１Ｊ／ｃｍ²、好ましくは０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ²
の光量で行われる。照射光量が０．０１Ｊ／ｃｍ²を下
回ると現像性が低下し、１Ｊ／ｃｍ²を上回るとパター
ン再現性が低下する。紫外線源としては、高圧及び超高
圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ等の
他、レーザー走査の場合には、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａ
ｒレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が使
用できる。

【００５３】紫外線が照射された領域では、Ｓｉ−Ｓｉ
結合が紫外線照射により切断されて、Ｓｉ−ＯＨ（シラ
ノール基）が生成する。従って、紫外線が照射されたソ
ルダーレジスト膜３には、マスク４のパターンに応じた
シラノール基を有する潜像が形成される。シラノール基
は弱酸性であるため、アルカリ性の水溶液によって溶解
することができる。従って、図１（ｃ）に示すように、
紫外線を照射した後、アルカリ性の水溶液を用いて、露
光部分を除去し、現像することができる。アルカリ性の
水溶液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド（ＴＭＡＨ）等のアミン系や、水酸化ナトリウム等の
無機塩基等を使用することができ、特に２．４％のＴＭ
ＡＨ水溶液が好適に用いられる。これらの水溶液には、
ソルダーレジスト膜３の露光部分を膨潤させる目的で、
アルコール系の溶剤を添加してもよい。

【００５４】図１（ｃ）に示すように、ソルダーレジス
ト膜３の所定部分を除去し現像することにより、はんだ
を付着させる配線部２を露出することができる。

【００５５】＜層間絶縁膜の形成＞半導体分野などにお
いて上記感光性樹脂組成物を層間絶縁膜形成用材料とし
て用いる場合には、上述のように、スピンコーター法な
どの当業者によく知られた方法により、上記感光性樹脂
組成物を塗布する。層間絶縁膜のパターニングが必要な
場合には、上記プリント配線基板におけるレジスト材と
同様にして、紫外線を選択的に照射し、現像することに
よりパターニングすることができる。

【００５６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
く、本発明の範囲内で適宜変更して実施することが可能
なものである。

【００５７】＜調製例１＞ （ポリシランの調製）攪拌機を備えた１０００ｍｌフラ
スコに、トルエン４００ｍｌ及びナトリウム１３．３ｇ
を充填した。紫外線を遮断したイエロールーム中でフラ
スコの内容物を１１１℃に昇温し、高速攪拌することに
よりナトリウムをトルエン中に微細に分散した。ここに
フェニルメチルジクロロシラン４２．１ｇ、テトラクロ
ロシラン４．１ｇを添加し、３時間攪拌することにより
重合を行った。その後、得られる反応混合物にエタノー
ルを添加することにより、過剰のナトリウムを失活させ
た。水洗後、分離した有機層をエタノール中に投入する
ことにより、ポリシランを沈澱させた。得られた粗製の
ポリシランをエタノールから３回再沈殿させることによ
り、重量平均分子量１１６００のネットワーク状ポリメ
チルフェニルシランを得た。

【００５８】＜実施例１＞調製例１で得られたネットワ
ーク状ポリシラン１００重量部、シリコーン化合物とし
てのＴＳＲ−１６５ (分子量９３０のメチルフェニルメ
トキシシリコーンレジン、メトキシ基含有量：１５重量
％、東芝シリコーン社製)１０重量部、光ラジカル発生
剤としてのＴＡＺ−１１０(２，４−ビス(トリクロロメ
チル)−６−(ｐ−メトキシフェニルビニル)−１，３，
５−トリアジン、みどり化学社製)１０重量部、及び酸
化剤としてのＢＴＴＢ(３，３′，４，４′−テトラ−
(ｔ−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、日
本油脂社製)１５重量部をトルエン１２１５重量部に溶
解して、感光性樹脂組成物（レジスト材）を得た。この
感光性樹脂組成物を、銅配線のあるエポキシ・ガラス製
プリント配線基板の上にアプリケーターを用いて２０μ
ｍの厚さに塗布して１２０℃で１０分間オーブンで乾燥
させた。

【００５９】このプリント配線基板の銅配線の露出必要
部分をプリント配線基板用の露光機（オーク製ＨＭＷ６
６１）を用いて２０００ｍＪ／ｃｍ²の露光量でマスク
露光を行なった。続いて、２０％のイソプロパノールを
含む２．４％のＴＭＡＨ溶液を用いて、２３℃５分間現
像を行なった。現像終了後、水洗しエアーブローで乾燥
させた後、１７０℃で３０分間加熱しレジスト膜を硬化
させた。

【００６０】得られたレジストパターンの解像度は、２
０μｍＬ／Ｓであった。得られたプリント配線基板につ
いてＵＬ難燃性試験を行ったところ、Ｖ−０に相当する
難燃性であることがわかった。

【００６１】また、鉛フリーのはんだである金／錫系の
はんだをレジスト材の現像部分に溶融してテストしたと
ころ、パターン形状及び膜の変質において問題はなく、
鉛フリーはんだでも使用することができるソルダーレジ
スト材料であることが確認された。

【００６２】＜実施例２＞調製例１で得られたネットワ
ーク状ポリシラン１００重量部、ＴＳＲ−１６５１０重
量部、ＴＡＺ−１１０ １０重量部、及びＢＴＴＢ １５
重量部をトルエン １２１５重量部に溶解して、感光性
樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物を、シリコン
ウエハー基板の上に、スピンコーターを用いて厚み２μ
ｍとなるように塗布した後、１２０℃で１０分間オーブ
ンで乾燥させた。

【００６３】次に、この基板に対して、半導体用のＡｒ
Ｆステッパー（ニコン社製）を用いて、２００ｍＪ／ｃ
ｍ²の露光量で露光しパターニングした。続いて、２０
％のイソプロパノールを含む２．４％のＴＭＡＨ溶液を
用いて、２３℃で２分間現像を行った。

【００６４】現像終了後、水洗しエアーブローで乾燥さ
せた後、この基板を２００℃で３０分間オーブン中で加
熱することにより、絶縁膜を硬化させた。電子顕微鏡で
絶縁膜のパターンのプロファイルを観察したところ、
０．５μｍのＬ／Ｓのパターンが再現されていた。

【００６５】上記のように作製した絶縁膜について誘電
率と誘電正接を測定したところ、１ＭＨｚで誘電率２．
８０、誘電正接０．００８であり、優れた電気特性を有
することがわかった。従って、半導体の層間絶縁膜とし
て良好な性能を有することがわかった。

【００６６】本実施例では、本発明の絶縁材料を層間絶
縁膜に用いた例を示したが、本発明の絶縁材料はこれに
限定されるものではなく、多層プリント基板やその他の
用途に用いられる絶縁膜の形成に用いることができるも
のである。

【００６７】

【発明の効果】本発明のレジスト材料は、ハロゲン系難
燃化剤を含むことなく、良好な自己難燃性を有してい
る。また、ポリシランを主成分とするため、低誘電率で
あり、絶縁材料としても良好な電気特性を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるプリント配線基板の製造工程を
説明するための模式的断面図。

【符号の説明】

１…プリント配線基板 ２…配線部 ３…ソルダーレジスト膜 ４…マスク ５…紫外線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/46 Ｈ０１Ｂ 3/46 Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB15 AC01 AD03 BE08 BF30 CB30 CB33 CC03 CC20 FA29 FA39 FA43 2H096 AA26 BA11 EA02 HA01 HA27 5E314 AA27 AA40 FF01 GG08 5G305 AA11 AB10 AB25 BA09 CA26 CB26 CD12 CD20

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）有機溶剤に可溶な重量平均分子量
   １００００以上のポリシランと、 （Ｂ）光ラジカル発生剤及び酸化剤と、 （Ｃ）以下の一般式（１）または（２）で示される構造
   のシリコーン化合物と、 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、炭素数１
   〜１０のハロゲンまたはグリシジル基で置換されていて
   もよい脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２のハロゲンで
   置換されていてもよい芳香族炭化水素基、炭素数１〜８
   のアルコキシ基からなる群から選択される基であり、互
   いに同一でも異なっていてもよいが、一分子中には少な
   くとも２つの上記アルコキシ基が含まれている。ｍ及び
   ｎは整数であり、ｍ＋ｎ≧１を満たすものである。） 【化２】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₂は、炭素数１〜１０のハロゲンまた
   はグリシジル基で置換されていてもよい脂肪族炭化水素
   基、炭素数６〜１２のハロゲンで置換されていてもよい
   芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシ基からな
   る群から選択される基であり、互いに同一でも異なって
   いてもよいが、一分子中には少なくとも２つの上記アル
   コキシ基が含まれている。ａ、ｂ、ｃ及びｄは０を含む
   整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たすものであ
   る。） （Ｄ）有機溶剤とを含む感光性樹脂組成物からなること
   を特徴とする自己難燃性レジスト材料。
2. 【請求項２】 表面にソルダーレジスト膜が形成された
   プリント配線基板を製造する方法であって、請求項１に
   記載のレジスト材料をプリント配線基板上に塗布してソ
   ルダーレジスト膜を形成する工程と、前記ソルダーレジ
   スト膜を選択的に露光して現像し、はんだを付着させる
   配線部を露出させる工程と、現像後の前記ソルダーレジ
   スト膜を加熱して硬化させる工程とを備えることを特徴
   とするプリント配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 （Ａ）有機溶剤に可溶な重量平均分子量
   １００００以上のポリシランと、 （Ｂ）光ラジカル発生剤及び酸化剤と、 （Ｃ）以下の一般式（１）または（２）で示される構造
   のシリコーン化合物と、 【化３】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、炭素数１
   〜１０のハロゲンまたはグリシジル基で置換されていて
   もよい脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２のハロゲンで
   置換されていてもよい芳香族炭化水素基、炭素数１〜８
   のアルコキシ基からなる群から選択される基であり、互
   いに同一でも異なっていてもよいが、一分子中には少な
   くとも２つの上記アルコキシ基が含まれている。ｍ及び
   ｎは整数であり、ｍ＋ｎ≧１を満たすものである。） 【化４】 （式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₂は、炭素数１〜１０のハロゲンまた
   はグリシジル基で置換されていてもよい脂肪族炭化水素
   基、炭素数６〜１２のハロゲンで置換されていてもよい
   芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシ基からな
   る群から選択される基であり、互いに同一でも異なって
   いてもよいが、一分子中には少なくとも２つの上記アル
   コキシ基が含まれている。ａ、ｂ、ｃ及びｄは０を含む
   整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たすものであ
   る。） （Ｄ）有機溶剤とを含む感光性樹脂組成物からなること
   を特徴とする絶縁材料。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の絶縁材料を基板上に塗
   布して乾燥させた後、加熱して硬化させることを特徴と
   する絶縁膜の製造方法。