JP2002372029A - Ｄｌｃを施したコネクティングロッド - Google Patents
Ｄｌｃを施したコネクティングロッドInfo
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エンジンのコネクティングロッドの軸孔と枢
軸（ピストンピンまたはクランクの偏心軸）の間の摺動
摩耗を減少すること。 【解決手段】 エンジンのコネクティングロッドの軸孔
の表面に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第
６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより
選択された少なくとも一種を主成分とする珪化物または
硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より
選択された少なくとも一種を主成分とする金属膜とその
上に形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成分とする金属
膜、または（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第
６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより
選択された少なくとも一種の金属膜とその上に形成され
た炭化硅素膜、よりなる中間層と、少なくとも１層のダ
イヤモンド状炭素膜をこの順に形成し、または少なくと
もＨとＳｉとＯを含有するダイヤモンド状炭素膜を形成
する。
軸（ピストンピンまたはクランクの偏心軸）の間の摺動
摩耗を減少すること。 【解決手段】 エンジンのコネクティングロッドの軸孔
の表面に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第
６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより
選択された少なくとも一種を主成分とする珪化物または
硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より
選択された少なくとも一種を主成分とする金属膜とその
上に形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成分とする金属
膜、または（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第
６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより
選択された少なくとも一種の金属膜とその上に形成され
た炭化硅素膜、よりなる中間層と、少なくとも１層のダ
イヤモンド状炭素膜をこの順に形成し、または少なくと
もＨとＳｉとＯを含有するダイヤモンド状炭素膜を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は自動車等の内燃機関
において、ピストン・シリンダにおけるピストンの往復
運動による駆動力を、回転運動に変換する動力伝達系に
使用されるコネクティングロッドに関し、特に、コネク
ティングロッドにおけると軸孔の表面に耐摩耗被覆膜を
設けたコネクティングロッドに関する。
において、ピストン・シリンダにおけるピストンの往復
運動による駆動力を、回転運動に変換する動力伝達系に
使用されるコネクティングロッドに関し、特に、コネク
ティングロッドにおけると軸孔の表面に耐摩耗被覆膜を
設けたコネクティングロッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車エンジン等の内燃機関において、
燃焼室のシリンダ内を往復運動するピストンに爆発荷重
が印加されるとピストンに付属しているピストンピン
（枢軸）と、ピストンピンが挿入されているコネクティ
ングロッド小端部側の軸孔に、往復運動による摺動摩擦
が生じる。また相手材であるピストンピンの側にも摩耗
やそれに伴う焼き付きが生じる。更に、ピストンピンと
接触する小端部側のみならず、大端部の軸受け（面接触
型の枢軸の場合）と接触して回転運動する軸孔において
も同様な摩耗や焼き付きを生じる。こうした摺動摩擦損
失はエンジン馬力の低下を引き起こし、燃費の低下を招
くおそれがあった。さらに相手材とのかじりが発生して
使用不可能になってしまうおそれがあった。
燃焼室のシリンダ内を往復運動するピストンに爆発荷重
が印加されるとピストンに付属しているピストンピン
（枢軸）と、ピストンピンが挿入されているコネクティ
ングロッド小端部側の軸孔に、往復運動による摺動摩擦
が生じる。また相手材であるピストンピンの側にも摩耗
やそれに伴う焼き付きが生じる。更に、ピストンピンと
接触する小端部側のみならず、大端部の軸受け（面接触
型の枢軸の場合）と接触して回転運動する軸孔において
も同様な摩耗や焼き付きを生じる。こうした摺動摩擦損
失はエンジン馬力の低下を引き起こし、燃費の低下を招
くおそれがあった。さらに相手材とのかじりが発生して
使用不可能になってしまうおそれがあった。
【０００３】例えば車輪を駆動したり、燃料バルブを開
閉したりするための動力伝達系の若干の例を示すと、図
１はエンジンの出力をクランクを介して車輪や動弁機構
に伝導するための機構の一例を示す。図１において、エ
ンジン１のシリンダー３内を往復運動するピストン５に
はピストンピン１１が固定され、コネクティングロッド
７の小端部９に形成された軸孔に枢動嵌合している。コ
ネクティングロッド７の大端部１３には軸受け孔が形成
されており、そこにクランクシャフトの偏心軸１５が摺
動嵌合している。コネクティングロッド７の往復運動は
クランクシャフトの軸を回転させて、動力を必要な箇所
に伝達する。エンジン出力を伝動するクランクシャフト
から駆動されるクランクシャフトはクランクギヤ１７を
介してカムギヤ１９を駆動し、カムギヤ１９はカム２１
を回転させる。カム２１は、タペット２５の下面のシム
２３に摺接しながら回転する。これにより往復運動する
タペット２５は燃料弁２９をエンジンの動作に同期して
開閉し、燃料をシリンダー３に噴射させる。コネクティ
ングロッド７の小端部９でピストンピン１１とそれを受
ける軸孔、および大端部１３でクランクシャフトの偏心
軸１５とそれを受ける軸受け孔の形式には、ころまたは
玉軸受け型や摺動型の他、これらの枢軸を軸孔が摺動接
触するものとが知られている。後者の形式は特に摩耗が
問題になる。本発明は摺動接触する軸孔を有するコネク
ティングロッドに関する。
閉したりするための動力伝達系の若干の例を示すと、図
１はエンジンの出力をクランクを介して車輪や動弁機構
に伝導するための機構の一例を示す。図１において、エ
ンジン１のシリンダー３内を往復運動するピストン５に
はピストンピン１１が固定され、コネクティングロッド
７の小端部９に形成された軸孔に枢動嵌合している。コ
ネクティングロッド７の大端部１３には軸受け孔が形成
されており、そこにクランクシャフトの偏心軸１５が摺
動嵌合している。コネクティングロッド７の往復運動は
クランクシャフトの軸を回転させて、動力を必要な箇所
に伝達する。エンジン出力を伝動するクランクシャフト
から駆動されるクランクシャフトはクランクギヤ１７を
介してカムギヤ１９を駆動し、カムギヤ１９はカム２１
を回転させる。カム２１は、タペット２５の下面のシム
２３に摺接しながら回転する。これにより往復運動する
タペット２５は燃料弁２９をエンジンの動作に同期して
開閉し、燃料をシリンダー３に噴射させる。コネクティ
ングロッド７の小端部９でピストンピン１１とそれを受
ける軸孔、および大端部１３でクランクシャフトの偏心
軸１５とそれを受ける軸受け孔の形式には、ころまたは
玉軸受け型や摺動型の他、これらの枢軸を軸孔が摺動接
触するものとが知られている。後者の形式は特に摩耗が
問題になる。本発明は摺動接触する軸孔を有するコネク
ティングロッドに関する。
【０００４】コネクティングロッドの枢軸と軸孔の当接
面は、十分な低摩擦性と耐摩耗性を付与する必要があ
る。この問題を解決するために、特開平１１−１５２５
６０号は、図２に示すように、ピストンピン１１のコネ
クティングロッド７の軸孔１２に当接する面に表面硬度
Ｈｖ３００以上のダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を
被覆することを提案している。特開２０００−２７４３
５２は、ピストンピンのクランクシャフト側の面に厚さ
０．１〜１０μｍのＤＬＣ膜を被覆することを記載して
いる。
面は、十分な低摩擦性と耐摩耗性を付与する必要があ
る。この問題を解決するために、特開平１１−１５２５
６０号は、図２に示すように、ピストンピン１１のコネ
クティングロッド７の軸孔１２に当接する面に表面硬度
Ｈｖ３００以上のダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を
被覆することを提案している。特開２０００−２７４３
５２は、ピストンピンのクランクシャフト側の面に厚さ
０．１〜１０μｍのＤＬＣ膜を被覆することを記載して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の研究によると、これらの文献に記載された技術で
はＤＬＣ膜の基材金属への密着性を上げるために精密研
磨が必要であり、また相手材の面も精密研磨する必要が
ある。更に、このような対策をとってもなお耐摩耗は不
充分であることが分かった。すなわち枢軸の基材金属に
直接ＤＬＣ膜を形成すると基材との密着性が良くないた
めに剥脱を生じ、耐摩耗性を低下することが分かった。
摺動面の研磨工程は、手間と時間のかかる工程であり、
能率が悪く、コストがかさむ問題があり、また充分な耐
摩耗を得ることができない。本発明は、摺動面の精密研
磨を行う必要が無く、耐摩耗の高い摺動部を有するコネ
クティングロッドを提供することを目的とする。
者等の研究によると、これらの文献に記載された技術で
はＤＬＣ膜の基材金属への密着性を上げるために精密研
磨が必要であり、また相手材の面も精密研磨する必要が
ある。更に、このような対策をとってもなお耐摩耗は不
充分であることが分かった。すなわち枢軸の基材金属に
直接ＤＬＣ膜を形成すると基材との密着性が良くないた
めに剥脱を生じ、耐摩耗性を低下することが分かった。
摺動面の研磨工程は、手間と時間のかかる工程であり、
能率が悪く、コストがかさむ問題があり、また充分な耐
摩耗を得ることができない。本発明は、摺動面の精密研
磨を行う必要が無く、耐摩耗の高い摺動部を有するコネ
クティングロッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、コネクティン
グロッドの小端部においてピストンピン（枢軸）とそれ
を受ける軸孔、または、大端部においてクランクシャフ
ト（枢軸）とその軸孔の摺動抵抗を減じ耐摩耗と耐久性
の高いコネクティングロッドを提供する。より具体的に
は次の構成のコネクティングロッドを提供する。 （１）枢軸を受ける軸孔を有するコネクティングロッド
において、前記軸孔の前記軸に摺動する表面に、ダイヤ
モンド状炭素膜を形成したことを特徴とするコネクティ
ングロッド。 （２）前記ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水素とから
なり、その組成をＣＨｎをモル比で表したとき、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なるコネクティングロッド。 （３）上記（１）において、前記ダイヤモンド状炭素膜
は、ＣＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗ（但し０．０５≦ｘ≦
０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したのコネクティングロッド。 （４）上記（１）〜（３）において、軸孔と前記ダイヤ
モンド状炭素膜の間に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種を主成分とす
る珪化物または硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）より選択された少なくとも一種を主成分とす
る金属膜とその上に形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成
分とする金属膜、または（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種の金属膜とそ
の上に形成された炭化硅素膜、よりなる中間層を形成し
たコネクティングロッド。 （５）上記（１）〜（４）のいずれかのコネクティング
ロッドの前記軸孔の面に摺動する前記枢軸の表面に、ダ
イヤモンド状炭素膜を形成したコネクティングロッドと
枢軸の組み合わせ。 （６）上記（５）において、前記枢軸の面に施した前記
ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水素とからなり、その
組成をＣＨｎをモル比で表したとき、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なるコネクティングロッドと枢軸の組み合わせ。 （７）上記（５）において、前記枢軸の面に施した前記
ダイヤモンド状炭素膜は、ＣＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗ
（但し０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したコネクティングロッドと枢軸の組
み合わせ。 （８）上記（５）〜（７）において、前記枢軸とその面
に施した前記ダイヤモンド状炭素膜との間に、（ａ）第
５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくと
も一種を主成分とする珪化物または硅炭化物、（ｂ）第
５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択された少なくと
も一種を主成分とする金属膜とその上に形成されたＳｉ
膜またはＳｉを主成分とする金属膜、または（ｃ）第５
Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも
一種の金属膜とその上に形成された炭化硅素膜、よりな
る中間層を形成したコネクティングロッドと枢軸の組み
合わせ。
グロッドの小端部においてピストンピン（枢軸）とそれ
を受ける軸孔、または、大端部においてクランクシャフ
ト（枢軸）とその軸孔の摺動抵抗を減じ耐摩耗と耐久性
の高いコネクティングロッドを提供する。より具体的に
は次の構成のコネクティングロッドを提供する。 （１）枢軸を受ける軸孔を有するコネクティングロッド
において、前記軸孔の前記軸に摺動する表面に、ダイヤ
モンド状炭素膜を形成したことを特徴とするコネクティ
ングロッド。 （２）前記ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水素とから
なり、その組成をＣＨｎをモル比で表したとき、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なるコネクティングロッド。 （３）上記（１）において、前記ダイヤモンド状炭素膜
は、ＣＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗ（但し０．０５≦ｘ≦
０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したのコネクティングロッド。 （４）上記（１）〜（３）において、軸孔と前記ダイヤ
モンド状炭素膜の間に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種を主成分とす
る珪化物または硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）より選択された少なくとも一種を主成分とす
る金属膜とその上に形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成
分とする金属膜、または（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種の金属膜とそ
の上に形成された炭化硅素膜、よりなる中間層を形成し
たコネクティングロッド。 （５）上記（１）〜（４）のいずれかのコネクティング
ロッドの前記軸孔の面に摺動する前記枢軸の表面に、ダ
イヤモンド状炭素膜を形成したコネクティングロッドと
枢軸の組み合わせ。 （６）上記（５）において、前記枢軸の面に施した前記
ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水素とからなり、その
組成をＣＨｎをモル比で表したとき、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なるコネクティングロッドと枢軸の組み合わせ。 （７）上記（５）において、前記枢軸の面に施した前記
ダイヤモンド状炭素膜は、ＣＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗ
（但し０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したコネクティングロッドと枢軸の組
み合わせ。 （８）上記（５）〜（７）において、前記枢軸とその面
に施した前記ダイヤモンド状炭素膜との間に、（ａ）第
５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくと
も一種を主成分とする珪化物または硅炭化物、（ｂ）第
５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択された少なくと
も一種を主成分とする金属膜とその上に形成されたＳｉ
膜またはＳｉを主成分とする金属膜、または（ｃ）第５
Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも
一種の金属膜とその上に形成された炭化硅素膜、よりな
る中間層を形成したコネクティングロッドと枢軸の組み
合わせ。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明者等は、従来の技術による
コネクティングロッドと組み合わされる枢軸に形成した
ダイヤモンド状薄膜（ＤＬＣ膜）が、大きい摩耗を生じ
る理由を探求した結果、枢軸とダイヤモンド状薄膜の密
着性に問題があり、そのため長期の使用が不能となるこ
とを見出した。本発明者等は、鋭意研究した結果、コネ
クティングロッドの枢軸を受ける軸孔の摺動面にダイヤ
モンド状炭素膜を被覆すること、特に被覆するダイヤモ
ンド状薄膜の材質を適正に選択することおよび／または
適正な中間層を使用することにより密着性を向上し、耐
摩耗性を格段に向上することが出来た。本発明の構成を
有する軸孔を有するコネクティングロッドを採用する
と、それに嵌合する枢軸の表面は精密研磨する必要が無
く、０．１μｍよりも粗い表面粗さでも十分な耐摩耗性
を備える。また、これに加えて、相手材である枢軸の基
材金属または合金の表面にも同様な構成を採用すると耐
摩耗性がさらに向上する。
コネクティングロッドと組み合わされる枢軸に形成した
ダイヤモンド状薄膜（ＤＬＣ膜）が、大きい摩耗を生じ
る理由を探求した結果、枢軸とダイヤモンド状薄膜の密
着性に問題があり、そのため長期の使用が不能となるこ
とを見出した。本発明者等は、鋭意研究した結果、コネ
クティングロッドの枢軸を受ける軸孔の摺動面にダイヤ
モンド状炭素膜を被覆すること、特に被覆するダイヤモ
ンド状薄膜の材質を適正に選択することおよび／または
適正な中間層を使用することにより密着性を向上し、耐
摩耗性を格段に向上することが出来た。本発明の構成を
有する軸孔を有するコネクティングロッドを採用する
と、それに嵌合する枢軸の表面は精密研磨する必要が無
く、０．１μｍよりも粗い表面粗さでも十分な耐摩耗性
を備える。また、これに加えて、相手材である枢軸の基
材金属または合金の表面にも同様な構成を採用すると耐
摩耗性がさらに向上する。
【０００８】すなわち、本発明は、コネクティングロッ
ドの少なくとも軸孔の摺動面にダイヤモンド状炭素膜を
形成し、或いは軸孔の面とダイヤモンド状炭素膜との間
に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族
金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする珪化物または硅炭化
物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする金属膜とその上に形
成されたＳｉ膜またはＳｉを主成分とする金属膜、また
は（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金
属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択され
た少なくとも一種の金属膜とその上に形成された炭化硅
素膜、よりなる中間層を設ける。
ドの少なくとも軸孔の摺動面にダイヤモンド状炭素膜を
形成し、或いは軸孔の面とダイヤモンド状炭素膜との間
に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族
金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする珪化物または硅炭化
物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択さ
れた少なくとも一種を主成分とする金属膜とその上に形
成されたＳｉ膜またはＳｉを主成分とする金属膜、また
は（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金
属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択され
た少なくとも一種の金属膜とその上に形成された炭化硅
素膜、よりなる中間層を設ける。
【０００９】中間層を使用することは最も好ましいが、
中間層を使用しなくても少なくとも軸孔の表面にダイヤ
モンド状炭素膜を形成すれば充分な耐久性が得られる
が、ＨとＳｉを含有するダイヤモンド状炭素膜を形成す
れば、基材との密着性が増し、耐摩耗性を大幅に向上す
ることが可能となる。この場合に、ＨとＳｉを含有する
ダイヤモンド状炭素膜の上に、さらにＨを含有するダイ
ヤモンド状炭素膜を形成することも可能であり、更なる
耐摩耗性の向上が期待できる。以下簡単のためにダイヤ
モンド状炭素膜をＤＬＣと略することがある。さらに好
ましくは、コネクティングロッドの軸孔に接する箇所の
ピストンピン又はクランクシャフトの偏心軸（何れも枢
軸と称する）の面にも同様なダイヤモンド状炭素膜を形
成すればさらに耐摩耗が上がる。
中間層を使用しなくても少なくとも軸孔の表面にダイヤ
モンド状炭素膜を形成すれば充分な耐久性が得られる
が、ＨとＳｉを含有するダイヤモンド状炭素膜を形成す
れば、基材との密着性が増し、耐摩耗性を大幅に向上す
ることが可能となる。この場合に、ＨとＳｉを含有する
ダイヤモンド状炭素膜の上に、さらにＨを含有するダイ
ヤモンド状炭素膜を形成することも可能であり、更なる
耐摩耗性の向上が期待できる。以下簡単のためにダイヤ
モンド状炭素膜をＤＬＣと略することがある。さらに好
ましくは、コネクティングロッドの軸孔に接する箇所の
ピストンピン又はクランクシャフトの偏心軸（何れも枢
軸と称する）の面にも同様なダイヤモンド状炭素膜を形
成すればさらに耐摩耗が上がる。
【００１０】本発明でコネクティングロッドの軸孔部
分、およびこれに嵌合摺動する枢軸の基材として使用で
きる材料は、従来から斯界で慣用されている任意の材料
が使用できる。これらの材料としては例えば各種の炭素
鋼や鋳鉄など（ねずみ鋳鉄、球状黒鉛鋳鉄、可鍛鋳鉄、
合金鋳鉄など）、鋳鋼などで、超強靱鋼（ＳＮＣＭ４２
０、ＳＣＭ４４０、ＳＣＭ４２０、ＳＣＲ４２０、Ｈ１
１など）、高速度工具鋼（ハイス鋼：ＪＩＳ規格のＳＫ
Ｈ系）、合金工具鋼（ダイス鋼：ＳＫＤ６など）、マル
エージ鋼（ＫＭＳ１８０−２０など）、オースフォーム
鋼、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ４３０、１７
−４ＰＨなど）、軸受鋼（ＳＵＪ２など）、Ａｌ合金
（ＡＣ４Ｃなど）、Ｔｉ合金等が挙げられる。
分、およびこれに嵌合摺動する枢軸の基材として使用で
きる材料は、従来から斯界で慣用されている任意の材料
が使用できる。これらの材料としては例えば各種の炭素
鋼や鋳鉄など（ねずみ鋳鉄、球状黒鉛鋳鉄、可鍛鋳鉄、
合金鋳鉄など）、鋳鋼などで、超強靱鋼（ＳＮＣＭ４２
０、ＳＣＭ４４０、ＳＣＭ４２０、ＳＣＲ４２０、Ｈ１
１など）、高速度工具鋼（ハイス鋼：ＪＩＳ規格のＳＫ
Ｈ系）、合金工具鋼（ダイス鋼：ＳＫＤ６など）、マル
エージ鋼（ＫＭＳ１８０−２０など）、オースフォーム
鋼、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ４３０、１７
−４ＰＨなど）、軸受鋼（ＳＵＪ２など）、Ａｌ合金
（ＡＣ４Ｃなど）、Ｔｉ合金等が挙げられる。
【００１１】これらの基材となる金属に対して、適当な
条件で焼き入れして材料の硬度を向上させたものを使用
しても良い。焼き入れには例えば、高周波焼き入れ、炎
焼き入れ、浸炭焼き入れなどが使用できる。またこれら
の基材上か、焼き入れ後の基材に対し、表面硬化処理を
施し、その上にダイヤモンド状炭素膜或いは中間層を介
在してダイヤモンド状炭素膜をコーティングしても良
い。表面硬化処理としては、例えば窒化、浸炭、硼化処
理がある。
条件で焼き入れして材料の硬度を向上させたものを使用
しても良い。焼き入れには例えば、高周波焼き入れ、炎
焼き入れ、浸炭焼き入れなどが使用できる。またこれら
の基材上か、焼き入れ後の基材に対し、表面硬化処理を
施し、その上にダイヤモンド状炭素膜或いは中間層を介
在してダイヤモンド状炭素膜をコーティングしても良
い。表面硬化処理としては、例えば窒化、浸炭、硼化処
理がある。
【００１２】中間層 次に、本発明で使用する中間層は、（ａ）第５Ａ族金属
（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも一種
を主成分とする珪化物または硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族
金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択された少なくとも一種
を主成分とする金属膜とその上に形成されたＳｉ膜また
はＳｉを主成分とする金属膜、または（ｃ）第５Ａ族金
属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも一種
の金属膜とその上に形成された炭化硅素膜、であること
を述べたが、これらは本発明者等による特開２０００−
１７８７３６、同２０００−１７８７３７、同２０００
−１７７０４６、同２０００−１７８７３８、同２００
０−９０８４２等に記載されている。
（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも一種
を主成分とする珪化物または硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族
金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択された少なくとも一種
を主成分とする金属膜とその上に形成されたＳｉ膜また
はＳｉを主成分とする金属膜、または（ｃ）第５Ａ族金
属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択された少なくとも一種
の金属膜とその上に形成された炭化硅素膜、であること
を述べたが、これらは本発明者等による特開２０００−
１７８７３６、同２０００−１７８７３７、同２０００
−１７７０４６、同２０００−１７８７３８、同２００
０−９０８４２等に記載されている。
【００１３】上記（ａ）の中間層の場合には、組成をＭ
ＳｉaＣb（ただし、ＭはＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＴｉおよびＺｒのいずれか一種以上である）と表し
たとき、０．３≦ａ≦１０、好ましくは１≦ａ≦６、０
≦ｂ≦５、好ましくは０≦ｂ≦３、０．３≦ａ＋ｂ≦１
０、好ましくは１≦ａ＋ｂ≦６である。ａがこれより大
きくて珪素が多くなると、母材との密着力が悪くなる。
ａがこれより小さくて珪素が少なくなると、ＤＬＣ膜と
の密着力が悪くなる。ｂがこれより大きくて炭素が多く
なると、母材との密着力が悪くなる。ｂがこれより小さ
くて炭素が少なくなると、ＤＬＣ膜との密着力が悪くな
る。また、ａ＋ｂがこれより大きくても母材との密着力
が悪くなり、ａ＋ｂがこれより小さくてもＤＬＣ膜との
密着力が悪くなる。
ＳｉaＣb（ただし、ＭはＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＴｉおよびＺｒのいずれか一種以上である）と表し
たとき、０．３≦ａ≦１０、好ましくは１≦ａ≦６、０
≦ｂ≦５、好ましくは０≦ｂ≦３、０．３≦ａ＋ｂ≦１
０、好ましくは１≦ａ＋ｂ≦６である。ａがこれより大
きくて珪素が多くなると、母材との密着力が悪くなる。
ａがこれより小さくて珪素が少なくなると、ＤＬＣ膜と
の密着力が悪くなる。ｂがこれより大きくて炭素が多く
なると、母材との密着力が悪くなる。ｂがこれより小さ
くて炭素が少なくなると、ＤＬＣ膜との密着力が悪くな
る。また、ａ＋ｂがこれより大きくても母材との密着力
が悪くなり、ａ＋ｂがこれより小さくてもＤＬＣ膜との
密着力が悪くなる。
【００１４】中間層は、２ｎｍ〜５μｍの厚さであるこ
とが好ましく、さらには５ｎｍ〜１μｍの厚さであるこ
とが好ましい。このような厚さとすることで密着性が向
上する。これに対し、中間層が薄すぎると密着性向上の
効果が十分ではなくなり、厚すぎると耐衝撃性が悪くな
ってくる。
とが好ましく、さらには５ｎｍ〜１μｍの厚さであるこ
とが好ましい。このような厚さとすることで密着性が向
上する。これに対し、中間層が薄すぎると密着性向上の
効果が十分ではなくなり、厚すぎると耐衝撃性が悪くな
ってくる。
【００１５】本発明の中間層は、真空蒸着法、スパッタ
法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等のＣＶＤ法によっ
て形成することができる。また、湿式メッキ法、溶射、
クラッド接合等により形成してもよい。具体的には公知
の方法による。とくに、本発明の中間層はスパッタ法に
より形成することが好ましい。この場合、目的とする組
成に応じたターゲットを用い、高周波電力、交流電力、
直流電力のいずれかを付加し、ターゲットをスパッタ
し、これを母材（基板）上にスパッタ堆積させることに
より中間層を形成する。
法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等のＣＶＤ法によっ
て形成することができる。また、湿式メッキ法、溶射、
クラッド接合等により形成してもよい。具体的には公知
の方法による。とくに、本発明の中間層はスパッタ法に
より形成することが好ましい。この場合、目的とする組
成に応じたターゲットを用い、高周波電力、交流電力、
直流電力のいずれかを付加し、ターゲットをスパッタ
し、これを母材（基板）上にスパッタ堆積させることに
より中間層を形成する。
【００１６】ターゲットは、通常、中間層と同じ組成の
ものを用いればよいが、Ｔａ等の金属とＳｉとをターゲ
ットとする多元スパッタとしてもよいし、反応性スパッ
タでＣやＳｉを導入する場合はその成分を含まないター
ゲットを用いることができる。
ものを用いればよいが、Ｔａ等の金属とＳｉとをターゲ
ットとする多元スパッタとしてもよいし、反応性スパッ
タでＣやＳｉを導入する場合はその成分を含まないター
ゲットを用いることができる。
【００１７】スパッタガスには、通常のスパッタ装置に
使用される不活性ガスが使用できる。中でも、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅのいずれか、あるいは、これらの少なくとも１
種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好ましい。
また、反応性スパッタを行ってもよく、反応性ガスとし
ては、炭素を導入する場合には、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ
2 Ｈ4 、ＣＯ等を用い、珪素を導入する場合には、シラ
ンガス等を用いる。また、水素を導入する場合には、Ｈ
2等を用いる。これらの反応性ガスは単独で用いても、
２種以上を混合して用いてもよい。スパッタ時の動作圧
力は、０．２〜７０Ｐａの範囲が好ましい。また、成膜
中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させるこ
とにより、濃度勾配を有する中間層を容易に得ることが
できる。
使用される不活性ガスが使用できる。中でも、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅのいずれか、あるいは、これらの少なくとも１
種以上のガスを含む混合ガスを用いることが好ましい。
また、反応性スパッタを行ってもよく、反応性ガスとし
ては、炭素を導入する場合には、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ
2 Ｈ4 、ＣＯ等を用い、珪素を導入する場合には、シラ
ンガス等を用いる。また、水素を導入する場合には、Ｈ
2等を用いる。これらの反応性ガスは単独で用いても、
２種以上を混合して用いてもよい。スパッタ時の動作圧
力は、０．２〜７０Ｐａの範囲が好ましい。また、成膜
中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させるこ
とにより、濃度勾配を有する中間層を容易に得ることが
できる。
【００１８】スパッタ法としては、ＲＦ電源を用いた高
周波スパッタ法を用いても、ＤＣスパッタ法を用いても
よい。スパッタ装置の電力としては、ＤＣスパッタで
０．５〜３０Ｗ／ｃｍ2程度、高周波スパッタで周波数
１〜５０ＭＨｚ、低周波では５０kHz〜１ＭＨｚ、０．
５〜３０Ｗ／ｃｍ２程度が好ましい。成膜速度は１〜３
００ｎｍ／ｍｉｎの範囲が好ましい。また、基板温度は
１０〜１５０℃であることが好ましい。
周波スパッタ法を用いても、ＤＣスパッタ法を用いても
よい。スパッタ装置の電力としては、ＤＣスパッタで
０．５〜３０Ｗ／ｃｍ2程度、高周波スパッタで周波数
１〜５０ＭＨｚ、低周波では５０kHz〜１ＭＨｚ、０．
５〜３０Ｗ／ｃｍ２程度が好ましい。成膜速度は１〜３
００ｎｍ／ｍｉｎの範囲が好ましい。また、基板温度は
１０〜１５０℃であることが好ましい。
【００１９】また、本発明の中間層は蒸着法により形成
してもよい。蒸着法としては、抵抗加熱方式であっても
電子ビーム加熱方式であってもよい。蒸着源には、Ｔａ
等の金属とＳｉ等を用いる２元蒸着であっても、中間層
と同じ組成のものを用いる１元蒸着であってもよい。１
元蒸着でも、膜組成は蒸着源の組成とほぼ同じものが経
時的に安定して得られる。真空蒸着の条件は特に限定さ
れないが、真空度は１０-3Ｐａ以下、特に１０-4Ｐａ以
下が好ましい。成膜速度は、通常、１〜３００ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度が好ましい。
してもよい。蒸着法としては、抵抗加熱方式であっても
電子ビーム加熱方式であってもよい。蒸着源には、Ｔａ
等の金属とＳｉ等を用いる２元蒸着であっても、中間層
と同じ組成のものを用いる１元蒸着であってもよい。１
元蒸着でも、膜組成は蒸着源の組成とほぼ同じものが経
時的に安定して得られる。真空蒸着の条件は特に限定さ
れないが、真空度は１０-3Ｐａ以下、特に１０-4Ｐａ以
下が好ましい。成膜速度は、通常、１〜３００ｎｍ／ｍ
ｉｎ程度が好ましい。
【００２０】また、中間層は、プラズマＣＶＤ法、イオ
ン化蒸着法によっても形成でき、その場合、後述するＤ
ＬＣ膜を参考にして成膜すればよい。
ン化蒸着法によっても形成でき、その場合、後述するＤ
ＬＣ膜を参考にして成膜すればよい。
【００２１】ダイヤモンド状炭素膜 ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜は、ダイヤモンド様炭
素膜、ｉ−カーボン膜等と称されることもある。ダイヤ
モンド状炭素膜については、例えば、特開昭６２−１４
５６４６号公報、同６２−１４５６４７号公報、New Di
amond Forum,第４巻第４号（昭和６３年１０月２５日発
行）等に記載されている。
素膜、ｉ−カーボン膜等と称されることもある。ダイヤ
モンド状炭素膜については、例えば、特開昭６２−１４
５６４６号公報、同６２−１４５６４７号公報、New Di
amond Forum,第４巻第４号（昭和６３年１０月２５日発
行）等に記載されている。
【００２２】ＤＬＣ膜は、上記文献（New Diamond Foru
m）に記載されているように、ラマン分光分析におい
て、１５５０ｃｍ-1にブロードな（１５２０〜１５６０
ｃｍ-1）ラマン吸収のピークを有し、１３３３ｃｍ-1に
鋭いピークを有するダイヤモンドや、１５８１ｃｍ-1に
鋭いピークを有するグラファイトとは、明らかに異なっ
た構造を有する物質である。ＤＬＣ膜のラマン分光分析
における吸収ピークは、上記のように１５５０ｃｍ -1に
ブロード（１５２０〜１５６０ｃｍ-1）な吸収を有する
が、炭素および水素以外の上記元素を含有することによ
り、これから±１００ｃｍ-1程度変動する場合もある。
ＤＬＣ膜は、炭素と水素とを主成分とするアモルファス
状態の薄膜であって、炭素同士のｓｐ３結合がランダム
に存在することによって形成されている。ＤＬＣ膜は、
炭素と水素とからなり、その組成をＣＨｎをモル比で表
したとき、０．０５≦ｎ≦０．７である。
m）に記載されているように、ラマン分光分析におい
て、１５５０ｃｍ-1にブロードな（１５２０〜１５６０
ｃｍ-1）ラマン吸収のピークを有し、１３３３ｃｍ-1に
鋭いピークを有するダイヤモンドや、１５８１ｃｍ-1に
鋭いピークを有するグラファイトとは、明らかに異なっ
た構造を有する物質である。ＤＬＣ膜のラマン分光分析
における吸収ピークは、上記のように１５５０ｃｍ -1に
ブロード（１５２０〜１５６０ｃｍ-1）な吸収を有する
が、炭素および水素以外の上記元素を含有することによ
り、これから±１００ｃｍ-1程度変動する場合もある。
ＤＬＣ膜は、炭素と水素とを主成分とするアモルファス
状態の薄膜であって、炭素同士のｓｐ３結合がランダム
に存在することによって形成されている。ＤＬＣ膜は、
炭素と水素とからなり、その組成をＣＨｎをモル比で表
したとき、０．０５≦ｎ≦０．７である。
【００２３】本発明において、ＤＬＣ膜の厚さは、通
常、１〜１００００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３μｍ
である。
常、１〜１００００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３μｍ
である。
【００２４】ＤＬＣ膜は、炭素および水素に加え、Ｓｉ
を含み、Ｏ、Ｎ、Ｆの１種または２種以上を含有してい
てもよい。中間層を使用しない場合は、基板との密着性
を向上するために、少なくとも第１層は水素の他にＳｉ
を含有することが好ましい。この場合、ＤＬＣ膜は、Ｃ
ＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗと表したとき、ｘ、ｙ、ｚ、
ｖ、ｗがそれぞれ、０．０５≦ｘ≦０．７、０．０１≦
ｙ≦３．０、０≦ｚ≦１．０、０≦ｖ≦１．０、０≦ｗ
≦０．２であることが好ましい。また、複数の層を形成
しても良いが、その代わりに、Ｓｉを含有する部分から
Ｓｉを含有しない部分のように、組成が厚さ方向に連続
可変となっても良い。
を含み、Ｏ、Ｎ、Ｆの１種または２種以上を含有してい
てもよい。中間層を使用しない場合は、基板との密着性
を向上するために、少なくとも第１層は水素の他にＳｉ
を含有することが好ましい。この場合、ＤＬＣ膜は、Ｃ
ＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗと表したとき、ｘ、ｙ、ｚ、
ｖ、ｗがそれぞれ、０．０５≦ｘ≦０．７、０．０１≦
ｙ≦３．０、０≦ｚ≦１．０、０≦ｖ≦１．０、０≦ｗ
≦０．２であることが好ましい。また、複数の層を形成
しても良いが、その代わりに、Ｓｉを含有する部分から
Ｓｉを含有しない部分のように、組成が厚さ方向に連続
可変となっても良い。
【００２５】ＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法、イオン化
蒸着法、スパッタ法などで形成することができる。ＤＬ
Ｃ膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、例えば特
開平４−４１６７２号公報等に記載されている方法によ
り成膜することができる。プラズマＣＶＤ法におけるプ
ラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流
を用いることが好ましい。交流としては数ヘルツからマ
イクロ波まで使用可能である。また、ダイヤモンド薄膜
技術（総合技術センター発行）などに記載されているＥ
ＣＲプラズマも使用可能である。また、バイアス電圧を
印加してもよい。
蒸着法、スパッタ法などで形成することができる。ＤＬ
Ｃ膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、例えば特
開平４−４１６７２号公報等に記載されている方法によ
り成膜することができる。プラズマＣＶＤ法におけるプ
ラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流
を用いることが好ましい。交流としては数ヘルツからマ
イクロ波まで使用可能である。また、ダイヤモンド薄膜
技術（総合技術センター発行）などに記載されているＥ
ＣＲプラズマも使用可能である。また、バイアス電圧を
印加してもよい。
【００２６】ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成す
る場合、原料ガスには、下記化合物を使用することが好
ましい。ＣおよびＨを含有する化合物として、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、エチ
レン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。Ｃ、Ｈお
よびＳｉを含む化合物としては、メチルシラン、ジメチ
ルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジ
エチルシラン、テトラエチルシラン、テトラブチルシラ
ン、ジメチルジエチルシラン、テトラフェニルシラン、
メチルトリフェニルシラン、ジメチルジフェニルシラ
ン、トリメチルフェニルシラン、トリメチルシリル−ト
リメチルシラン、トリメチルシリルメチル−トリメチル
シラン等がある。これらは併用してもよく、シラン系化
合物と炭化水素を用いてもよい。Ｃ＋Ｈ＋Ｏを含む化合
物としては、ＣＨ3ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＨＣＨＯ、ＣＨ3
ＣＯＣＨ3等がある。Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物として
は、シアン化アンモニウム、シアン化水素、モノメチル
アミン、ジメチルアミン、アリルアミン、アニリン、ジ
エチルアミン、アセトニトリル、アゾイソブタン、ジア
リルアミン、エチルアジド、ＭＭＨ、ＤＭＨ、トリアリ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
フェニルアミン等がある。この他、Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ、Ｓｉ
＋Ｃ＋Ｈ＋ＯあるいはＳｉ＋Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物等
と、Ｏ源あるいはＯＮ源、Ｎ源、Ｈ源等とを組み合わせ
てもよい。
る場合、原料ガスには、下記化合物を使用することが好
ましい。ＣおよびＨを含有する化合物として、メタン、
エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、エチ
レン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。Ｃ、Ｈお
よびＳｉを含む化合物としては、メチルシラン、ジメチ
ルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジ
エチルシラン、テトラエチルシラン、テトラブチルシラ
ン、ジメチルジエチルシラン、テトラフェニルシラン、
メチルトリフェニルシラン、ジメチルジフェニルシラ
ン、トリメチルフェニルシラン、トリメチルシリル−ト
リメチルシラン、トリメチルシリルメチル−トリメチル
シラン等がある。これらは併用してもよく、シラン系化
合物と炭化水素を用いてもよい。Ｃ＋Ｈ＋Ｏを含む化合
物としては、ＣＨ3ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＨＣＨＯ、ＣＨ3
ＣＯＣＨ3等がある。Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物として
は、シアン化アンモニウム、シアン化水素、モノメチル
アミン、ジメチルアミン、アリルアミン、アニリン、ジ
エチルアミン、アセトニトリル、アゾイソブタン、ジア
リルアミン、エチルアジド、ＭＭＨ、ＤＭＨ、トリアリ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
フェニルアミン等がある。この他、Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ、Ｓｉ
＋Ｃ＋Ｈ＋ＯあるいはＳｉ＋Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物等
と、Ｏ源あるいはＯＮ源、Ｎ源、Ｈ源等とを組み合わせ
てもよい。
【００２７】Ｏ源として、Ｏ2、Ｏ3等、Ｃ＋Ｏ源とし
て、ＣＯ、ＣＯ2等、Ｓｉ＋Ｈ源として、ＳｉＨ4等、Ｈ
源として、Ｈ2等、Ｈ＋Ｏ源として、Ｈ2Ｏ等、Ｎ源とし
て、Ｎ2Ｎ＋Ｈ源として、ＮＨ3等、Ｎ＋Ｏ源として、Ｎ
Ｏ、ＮＯ2、Ｎ2ＯなどＮＯxで表示できるＮとＯの化合
物等、Ｎ＋Ｃ源として、（ＣＮ）2等、Ｎ＋Ｈ＋Ｆ源と
して、ＮＨ4Ｆ等、Ｏ＋Ｆ源として、ＯＦ2、Ｏ2Ｆ2、Ｏ
3Ｆ2等を用いてもよい。
て、ＣＯ、ＣＯ2等、Ｓｉ＋Ｈ源として、ＳｉＨ4等、Ｈ
源として、Ｈ2等、Ｈ＋Ｏ源として、Ｈ2Ｏ等、Ｎ源とし
て、Ｎ2Ｎ＋Ｈ源として、ＮＨ3等、Ｎ＋Ｏ源として、Ｎ
Ｏ、ＮＯ2、Ｎ2ＯなどＮＯxで表示できるＮとＯの化合
物等、Ｎ＋Ｃ源として、（ＣＮ）2等、Ｎ＋Ｈ＋Ｆ源と
して、ＮＨ4Ｆ等、Ｏ＋Ｆ源として、ＯＦ2、Ｏ2Ｆ2、Ｏ
3Ｆ2等を用いてもよい。
【００２８】上記原料ガスの流量は原料ガスの種類に応
じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１〜７０
Ｐａ、投入電力は、通常、１０Ｗ〜５ｋＷ程度が好まし
い。
じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１〜７０
Ｐａ、投入電力は、通常、１０Ｗ〜５ｋＷ程度が好まし
い。
【００２９】ＤＬＣ膜は、イオン化蒸着法により形成し
てもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開昭５８−１７
４５０７号公報、特開昭５９−１７４５０８号公報等に
記載されている。ただし、これらに開示された方法、装
置に限られるものではなく、原料用イオン化ガスの加速
が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよ
い。この場合の装置の好ましい例としては、例えば、実
開昭５９−１７４５０７号公報に記載されたイオン直進
型またはイオン偏向型のものを用いることができる。
てもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開昭５８−１７
４５０７号公報、特開昭５９−１７４５０８号公報等に
記載されている。ただし、これらに開示された方法、装
置に限られるものではなく、原料用イオン化ガスの加速
が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよ
い。この場合の装置の好ましい例としては、例えば、実
開昭５９−１７４５０７号公報に記載されたイオン直進
型またはイオン偏向型のものを用いることができる。
【００３０】イオン化蒸着法においては、真空容器内を
１０-4Ｐａ程度までの高真空とする。この真空容器内に
は交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラ
メントが設けられ、このフィラメントを取り囲んで対電
極が配置され、フィラメントとの間に電圧Ｖｄを与え
る。また、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化
ガス閉じこめ用の磁界を発生する電磁コイルが配置され
ている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突し
て、プラスの熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイ
オンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速され
る。この、Ｖｄ、Ｖａおよびコイルの磁界を調整するこ
とにより、組成や膜質を変えることができる。また、バ
イアス電圧を印加してもよい。
１０-4Ｐａ程度までの高真空とする。この真空容器内に
は交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラ
メントが設けられ、このフィラメントを取り囲んで対電
極が配置され、フィラメントとの間に電圧Ｖｄを与え
る。また、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化
ガス閉じこめ用の磁界を発生する電磁コイルが配置され
ている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突し
て、プラスの熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイ
オンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速され
る。この、Ｖｄ、Ｖａおよびコイルの磁界を調整するこ
とにより、組成や膜質を変えることができる。また、バ
イアス電圧を印加してもよい。
【００３１】ＤＬＣ膜をイオン化蒸着法により形成する
場合、原料ガスには、プラズマＣＶＤ法と同様のものを
用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて
適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１〜７０Ｐａ
程度が好ましい。
場合、原料ガスには、プラズマＣＶＤ法と同様のものを
用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて
適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１〜７０Ｐａ
程度が好ましい。
【００３２】ＤＬＣ膜は、スパッタ法により形成するこ
ともできる。この場合、Ａｒ、Ｋｒ等のスパッタ用のス
パッタガスに加えて、Ｏ2 、Ｎ2、ＮＨ3、ＣＨ4、Ｈ2等
のガスを反応性ガスとして導入すると共に、Ｃ、Ｓｉ、
ＳｉＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4、ＳｉＣ等をターゲットとしたり、
Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣの混成組成をタ
ーゲットとしたり、場合によっては、Ｃ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ
を含む２以上のターゲットを用いてもよい。また、ポリ
マーをターゲットとして用いることも可能である。この
ようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流
電力のいずれかを印加し、ターゲットをスパッタし、こ
れを基板上にスパッタ堆積させることによりＤＬＣ膜を
形成する。高周波スパッタ電力は、通常、５０Ｗ〜２ｋ
Ｗ程度である。動作圧力は、通常、１０-3〜０．１Ｐａ
が好ましい。
ともできる。この場合、Ａｒ、Ｋｒ等のスパッタ用のス
パッタガスに加えて、Ｏ2 、Ｎ2、ＮＨ3、ＣＨ4、Ｈ2等
のガスを反応性ガスとして導入すると共に、Ｃ、Ｓｉ、
ＳｉＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4、ＳｉＣ等をターゲットとしたり、
Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣの混成組成をタ
ーゲットとしたり、場合によっては、Ｃ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ
を含む２以上のターゲットを用いてもよい。また、ポリ
マーをターゲットとして用いることも可能である。この
ようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流
電力のいずれかを印加し、ターゲットをスパッタし、こ
れを基板上にスパッタ堆積させることによりＤＬＣ膜を
形成する。高周波スパッタ電力は、通常、５０Ｗ〜２ｋ
Ｗ程度である。動作圧力は、通常、１０-3〜０．１Ｐａ
が好ましい。
【００３３】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。表１に示す
組み合わせでピストンピンとその表面に中間層およびＤ
ＬＣ膜を形成した。ピストンピンおよびコネクティング
ロッド軸孔部の素材としてはすべてＳＮＣＭ４２０を使
用した。実施例の基材の表面粗さは全てＲａ＝０．１μ
ｍとした。これらの基材を真空チャンバーの所定位置に
配置し、排気した後、次の条件で成膜した。
組み合わせでピストンピンとその表面に中間層およびＤ
ＬＣ膜を形成した。ピストンピンおよびコネクティング
ロッド軸孔部の素材としてはすべてＳＮＣＭ４２０を使
用した。実施例の基材の表面粗さは全てＲａ＝０．１μ
ｍとした。これらの基材を真空チャンバーの所定位置に
配置し、排気した後、次の条件で成膜した。
【００３４】＜中間層の成膜＞表１の中間層１をスパッ
タ法により次の条件で製造した。 使用ガス：Ａｒ（５．１×１０-2Ｐａ・ｍ3・ｓ-1）＝
３０ｓｃｃｍ スパッタ圧力：４０Ｐａ 投入電力：５００Ｗ ターゲット：Ｔａ、Ｓｉ 膜厚：Ｔａ（第１層） １０ｎｍ、Ｓｉ（第２層） ９
０ｎｍ
タ法により次の条件で製造した。 使用ガス：Ａｒ（５．１×１０-2Ｐａ・ｍ3・ｓ-1）＝
３０ｓｃｃｍ スパッタ圧力：４０Ｐａ 投入電力：５００Ｗ ターゲット：Ｔａ、Ｓｉ 膜厚：Ｔａ（第１層） １０ｎｍ、Ｓｉ（第２層） ９
０ｎｍ
【００３５】ターゲットを変え同じ成膜条件で表１に示
す中間層を成膜した。単一中間層を使用する場合の膜厚
はすべて１００ｎｍとした。
す中間層を成膜した。単一中間層を使用する場合の膜厚
はすべて１００ｎｍとした。
【００３６】
【表１】
【００３７】＜ＤＬＣの成膜＞ＤＬＣ膜は自己バイアス
ＲＦプラズマＣＶＤ法により次の条件で成膜した。ＤＬＣ１ 原料ガス：Ｃ2Ｈ4（０．０１７Ｐａ・ｍ3・ｓ-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.21 膜厚：２μｍＤＬＣ２ 原料ガス：Ｓｉ（ＯＣＨ3）4（０．０８５Ｐａ・ｍ3・
ｓ-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.2Ｓｉ0.1Ｏ0.17 膜厚：２μｍＤＬＣ３ 原料ガス：Ｓｉ（ＣＨ3）4（０．０８５Ｐａ・ｍ3・ｓ
-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.24Ｓｉ0.22 膜厚：２μｍ
ＲＦプラズマＣＶＤ法により次の条件で成膜した。ＤＬＣ１ 原料ガス：Ｃ2Ｈ4（０．０１７Ｐａ・ｍ3・ｓ-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.21 膜厚：２μｍＤＬＣ２ 原料ガス：Ｓｉ（ＯＣＨ3）4（０．０８５Ｐａ・ｍ3・
ｓ-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.2Ｓｉ0.1Ｏ0.17 膜厚：２μｍＤＬＣ３ 原料ガス：Ｓｉ（ＣＨ3）4（０．０８５Ｐａ・ｍ3・ｓ
-1） 電源：ＲＦ 動作圧：６６．５Ｐａ 投入電力：５００Ｗ 成膜レート：１００ｎｍ／ｍｉｎ 膜組成：ＣＨ0.24Ｓｉ0.22 膜厚：２μｍ
【００３８】＜評価方法＞ＤＬＣをコーティングしない
軸孔（比較例）とＤＬＣをコーティングした軸孔および
ピストンピン（実施例）に、以下の条件を付加して耐久
試験を行った。その後ピストンピンおよび軸孔の摩耗状
態を比較した。試験は、自動車エンジンにおいて、コネ
クティングロッドの軸孔にピストンピンを嵌合し、エン
ジンを駆動した。 この条件は商用自動車の通常の走行時の回転数（２００
０〜４０００ｒｐｍ）に比してはるかに過酷なＦ１レベ
ルに相当する加速試験であることに注意すべきである。
結果は表２に示すとおりであった。但し試験時間は最大
２０時間で打ち切った。
軸孔（比較例）とＤＬＣをコーティングした軸孔および
ピストンピン（実施例）に、以下の条件を付加して耐久
試験を行った。その後ピストンピンおよび軸孔の摩耗状
態を比較した。試験は、自動車エンジンにおいて、コネ
クティングロッドの軸孔にピストンピンを嵌合し、エン
ジンを駆動した。 この条件は商用自動車の通常の走行時の回転数（２００
０〜４０００ｒｐｍ）に比してはるかに過酷なＦ１レベ
ルに相当する加速試験であることに注意すべきである。
結果は表２に示すとおりであった。但し試験時間は最大
２０時間で打ち切った。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【発明の効果】表１において耐久性時間は記載の時間を
超えるとエンジンの稼働が停止することを示す。本発明
の実施例によると、比較例１に対してはもちろんのこ
と、ＤＬＣを使用した公知例に相当する比較例２に比し
ても極めて耐久性の高いコネクティングロッドが提供で
きたことが分かる。実施例１〜４から分かるように、本
発明では比較例２のような精密研磨を施していないにも
拘わらずすぐれた耐久性が得られているので、工程の短
縮とコストの低下が可能となる。なお軸孔に保護膜を形
成する場合と、枢軸に保護膜を形成する場合とでは耐久
性が異なるが、この理由はよくわからないが、軸孔に形
成する方が有利なことが分かる。本発明によると、少な
くとも軸孔に被覆するダイヤモンド状薄膜の材質を適正
に選択することおよび／または適正な中間層を使用する
ことにより密着性を向上し、耐摩耗性を格段に向上する
ことが出来た。
超えるとエンジンの稼働が停止することを示す。本発明
の実施例によると、比較例１に対してはもちろんのこ
と、ＤＬＣを使用した公知例に相当する比較例２に比し
ても極めて耐久性の高いコネクティングロッドが提供で
きたことが分かる。実施例１〜４から分かるように、本
発明では比較例２のような精密研磨を施していないにも
拘わらずすぐれた耐久性が得られているので、工程の短
縮とコストの低下が可能となる。なお軸孔に保護膜を形
成する場合と、枢軸に保護膜を形成する場合とでは耐久
性が異なるが、この理由はよくわからないが、軸孔に形
成する方が有利なことが分かる。本発明によると、少な
くとも軸孔に被覆するダイヤモンド状薄膜の材質を適正
に選択することおよび／または適正な中間層を使用する
ことにより密着性を向上し、耐摩耗性を格段に向上する
ことが出来た。
【図１】本発明が適用できるコネクティングロッドを備
えた動力伝達系の構造を示す断面図である。
えた動力伝達系の構造を示す断面図である。
【図２】 従来のＤＬＣ膜を施したピストンピンを備え
たコネクティングロッドの構造を示す断面図である。
たコネクティングロッドの構造を示す断面図である。
１ エンジン ３ シリンダー ５ ピストン ７ コネクティングロッド ９ 小端部 １１ ピストンピン １３ 大端部 １５ 偏心軸 １７ クランクギヤ １９ カムギヤ ２１ カム ２３ シム ２５ タペット ２９ 燃料弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ０２Ｆ 3/00 Ｆ０２Ｆ 3/00 Ｚ 3/10 3/10 Ｂ (72)発明者 吉野 良子 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 橋本 靖 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 松場 康浩 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 宮内 泉 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3J033 AA04 AB03 AB10 4G046 CA02 CB03 CC06 4K029 AA02 BA16 BA34 BA35 BB02 BC02 BD04 CA03 CA05 DC03 4K030 AA09 BA13 BA17 BA18 BA19 BA28 BA48 BB12 CA02 DA01 FA01 HA04 LA23 4K044 AA02 AB04 AB10 BA12 BA18 BA20 BB02 BB03 BB17 BC01 CA13 CA14
Claims (8)
- 【請求項１】 枢軸を受ける軸孔を有するコネクティン
グロッドにおいて、前記軸孔の前記軸に摺動する表面
に、ダイヤモンド状炭素膜を形成したことを特徴とする
コネクティングロッド。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、炭素と水
素とからなり、その組成をＣＨｎをモル比で表したと
き、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なる請求項１のコネクティングロッド。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンド状炭素膜は、ＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗ（但し０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したことを特徴とする請求項１のコネ
クティングロッド。 - 【請求項４】 前記軸孔と前記ダイヤモンド状炭素膜の
間に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ
族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択
された少なくとも一種を主成分とする珪化物または硅炭
化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）より選択
された少なくとも一種を主成分とする金属膜とその上に
形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成分とする金属膜、ま
たは（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ）、第６Ａ族
金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、およびＺｒより選択さ
れた少なくとも一種の金属膜とその上に形成された炭化
硅素膜、よりなる中間層を形成したことを特徴とする請
求項１、２又は３のコネクティングロッド。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかのコネクティン
グロッドの前記軸孔の面に摺動する前記枢軸の表面に、
ダイヤモンド状炭素膜を形成したことを特徴とするコネ
クティングロッドと枢軸の組み合わせ。 - 【請求項６】 前記枢軸の面に施した前記ダイヤモンド
状炭素膜は、炭素と水素とからなり、その組成をＣＨｎ
をモル比で表したとき、 ０．０５≦ｎ≦０．７ で表されるダイヤモンド状炭素膜、または珪素を含み、
酸素、窒素、フッ素が含まれても良く、組成をＣＨｘＳ
ｉｙＯｚＮｖＦｗで表したとき、 ０．０５≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２ で表されるダイヤモンド状炭素膜の少なくとも１層より
なる請求項５のコネクティングロッドと枢軸の組み合わ
せ。 - 【請求項７】 前記枢軸の面に施した前記ダイヤモンド
状炭素膜は、ＣＨｘＳｉｙＯｚＮｖＦｗ（但し０．０５
≦ｘ≦０．７ ０．０１≦ｙ≦３．０ ０≦ｚ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ ０≦ｗ≦０．２）で表されるダイヤモンド状炭素膜、及
びＣＨｎ（但し０．０５≦ｎ≦０．７）で表されるダイ
ヤモンド状炭素膜の少なくとも２層を形成するか、また
はこれらの組成の一方の組成から他方の組成に連続的に
変化した層を形成したことを特徴とする請求項６のコネ
クティングロッドと枢軸の組み合わせ。 - 【請求項８】 前記枢軸とその面に施した前記ダイヤモ
ンド状炭素膜との間に、（ａ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種を主成分とす
る珪化物または硅炭化物、（ｂ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）より選択された少なくとも一種を主成分とす
る金属膜とその上に形成されたＳｉ膜またはＳｉを主成
分とする金属膜、または（ｃ）第５Ａ族金属（Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ）、第６Ａ族金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）、Ｔｉ、
およびＺｒより選択された少なくとも一種の金属膜とそ
の上に形成された炭化硅素膜、よりなる中間層を形成し
たことを特徴とする請求項５、６又は７のコネクティン
グロッドと枢軸の組み合わせ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176862A JP2002372029A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | Ｄｌｃを施したコネクティングロッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176862A JP2002372029A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | Ｄｌｃを施したコネクティングロッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002372029A true JP2002372029A (ja) | 2002-12-26 |
Family
ID=19017794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176862A Pending JP2002372029A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | Ｄｌｃを施したコネクティングロッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002372029A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005103513A1 (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-03 | Honda Motor Co., Ltd. | コネクティングロッド及びその製造方法 |
| JP2006097759A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Taiho Kogyo Co Ltd | 軸受装置 |
| JP2007526959A (ja) * | 2003-07-17 | 2007-09-20 | ソレヴィ・ソシエテ・アノニム | 低い摩擦係数を有しているスカート付きピストン |
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-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001176862A patent/JP2002372029A/ja active Pending
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