JP2012092408A - ダイヤモンド状炭素被膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが35mJ/m2以上であることを特徴としており、ダイヤモンド状炭素被膜中におけるケイ素含有量は、3原子%以上であることが好ましく、スパッタリング法により形成することができる。
【選択図】図1
Description
本発明のダイヤモンド状炭素被膜は、ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが35mJ/m2以上であることを特徴としている。
本発明の製造方法は、ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜を基板上に形成するダイヤモンド状炭素被膜の製造方法であって、ケイ素と炭素を含むターゲットを準備する工程と、ターゲットを用い、スパッタリング法により基板上に前記ダイヤモンド状炭素被膜を形成する工程とを備えることを特徴としている。
本発明においては、ケイ素と炭素を含むターゲットを用いている。ターゲットにおけるケイ素の含有量は、1原子%〜50原子%の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは、3原子%〜20原子%の範囲である。
ケイ素粒子と炭素粒子に結着材を加えて混合し、この混合物を成形後に焼成することによりターゲットを作製することができる。ケイ素粒子の粒子径としては、0.1μmから200μm、好ましくは0.4μmから100μmの粒子径を用いる。炭素粒子の粒子径とてしは、0.1μmから200μm、好ましくは0.4μmから100μmの粒子径を用いる。結着材としては、焼成により炭素化する任意の有機物を用いる。
炭素材料又は黒鉛化した炭素材料の気孔部分にケイ素あるいは炭素ケイ素等のケイ素成分を充填させてターゲットを作製することができる。炭素材料としては、少なくとも開気孔を有するものを用いる。
前述の、二極スパッタリング、DCスパッタリング、RFスパッタリング、反応性スパッタリング等のスパッタリング法を用いて適宜の成膜条件により成膜することができるが、例えば後述するアンバランスドマグネトロンスパッタリング(UBMS)法によるスパッタリング法としては、図1に示す反応容器1内の圧力を1〜10−2Pa程度の真空に保った状態で、アルゴン等の希ガスを50〜1000ml/minで導入し、図1に示されるヒーター5または6の前面に配置されているタングステン・フィラメントを点灯してフィラメントの赤熱による熱電子の発生を用いた原料ガスの励起を行いAr+イオンを発生させる。その後、図1に示す炭素基材3上に対して1〜10kWのスパッタ電圧を印加した基材表面にプラズマを発生させ、対向した基板に向けて10〜100Vのバイアス電圧を印加した状態でスパッタリングを行った。ターゲットと基板との距離は100〜500mm程度である。スパッタリングは2〜8時間程度行う。
(実施例1)
かさ密度1.77g/cm3の炭素材料表面に金属ケイ素を塗布した後に1800℃に加熱して、溶融した金属ケイ素を炭素材料に浸透させると共に金属ケイ素と炭素材料を反応させて、炭素材料の気孔部分を炭化ケイ素で充填させたターゲットを作製した。ターゲットにおけるケイ素の含有量は6.5原子%であった。
炭化ケイ素粒子と炭素粒子に結着材としてフェノール樹脂を加えて、ターゲットにおけるケイ素含有量が14.1原子%になるように混合し、この混合物を成形後に還元雰囲気下900℃で焼成した後、1600℃で高温処理することによりターゲットを作製した。ターゲットにおけるケイ素含有量は14.1原子%である。
炭化ケイ素粒子と炭素粒子との割合を、ターゲットにおけるケイ素含有量が5原子%となる様に調整した以外は、実施例2と同様にしてターゲットを作製した。ターゲットにおけるケイ素含有量は、5原子%である。
上記で作製した実施例1〜3のターゲットを用いて、ダイヤモンド状炭素被膜を形成した。
実施例1〜3のターゲットを用いて作製したダイヤモンド状炭素被膜について、XPSスペクトルを測定した。炭素及びケイ素に該当するエネルギー帯でピークが認められたことから、膜内にこれらの元素が含まれていることが確認された。
実施例1〜3のターゲットを用いて作製したダイヤモンド状炭素被膜について、水及びヘキサデカンの接触角を測定した。接触角の測定は、自動記録型接触角計を用いた。測定用の液体を装填したシリンジを測定試料直上に設置し、試料上に液滴形成後、1000ミリ秒後の液滴像を撮影し、液体の試料界面との接触像から接触角を測定した。
実施例1及び2におけるダイヤモンド状炭素被膜について、以下のようにして摺動抵抗を測定した。
使用ボール:1/4SUS
試験荷重:5N
測定条件:300rpmで4000回転
2…基板ホルダー
3…ケイ素含有炭素ターゲット
4…タングステンターゲット
5,6…フィラメント
10…基板
11…タングステン層
12…ダイヤモンド状炭素被膜
Claims (8)
- ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが35mJ/m2以上であることを特徴とするダイヤモンド状炭素被膜。
- 被膜中におけるケイ素含有量が3原子%以上であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド状炭素被膜。
- スパッタリング法により形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載のダイヤモンド状炭素被膜。
- ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜を基板上に形成するダイヤモンド状炭素被膜の製造方法であって、
ケイ素と炭素を含むターゲットを準備する工程と、
前記ターゲットを用い、スパッタリング法により基板上に前記ダイヤモンド状炭素被膜を形成する工程とを備えることを特徴とするダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。 - 前記ターゲットが、炭素材料中に粒子状のケイ素成分を分散させて焼結することにより形成されたものであることを特徴とする請求項4に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。
- 前記粒子状のケイ素成分が、ケイ素粒子または炭化ケイ素粒子であることを特徴とする請求項5に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。
- 前記ターゲットが、炭素材料又は黒鉛化した炭素材料の気孔にケイ素を充填させたものであることを特徴とする請求項4に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。
- 前記ターゲット中のケイ素と炭素との割合を調整することにより、ダイヤモンド状炭素被膜の中のケイ素含有量を調整することを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016171247A1 (ja) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | 東洋炭素株式会社 | 炭素蒸発源 |
JP2017144613A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | イビデン株式会社 | 透光板及びその製造方法 |
JP2017144612A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | イビデン株式会社 | 透光板及びその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002372029A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-26 | Tdk Corp | Dlcを施したコネクティングロッド |
WO2003029685A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Element coulissant a coefficient de frottement eleve |
JP2004232068A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Japan Science & Technology Agency | 硬質炭素被膜成形体およびその製造方法 |
JP2005001972A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Kansai Tlo Kk | ダイヤモンド膜の形成方法及び形成用基材 |
JP2008038217A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Yamaguchi Prefecture | プラズマ処理装置及び基材の表面処理方法 |
JP2009052095A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Permelec Electrode Ltd | 導電性ダイヤモンド電極の賦活化方法及び賦活化された電極を使用する電解方法 |
JP2010510109A (ja) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基板ハウジングのダイヤモンド様炭素コーティング |
JP2010190309A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Jtekt Corp | 摺動部材 |
JP2011214150A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-27 | Nanotec Corp | 炭素膜の形成方法および装置 |
-
2010
- 2010-10-28 JP JP2010242267A patent/JP5636589B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002372029A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-26 | Tdk Corp | Dlcを施したコネクティングロッド |
WO2003029685A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Element coulissant a coefficient de frottement eleve |
JP2004232068A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Japan Science & Technology Agency | 硬質炭素被膜成形体およびその製造方法 |
JP2005001972A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Kansai Tlo Kk | ダイヤモンド膜の形成方法及び形成用基材 |
JP2008038217A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Yamaguchi Prefecture | プラズマ処理装置及び基材の表面処理方法 |
JP2010510109A (ja) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | 基板ハウジングのダイヤモンド様炭素コーティング |
JP2009052095A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Permelec Electrode Ltd | 導電性ダイヤモンド電極の賦活化方法及び賦活化された電極を使用する電解方法 |
JP2010190309A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Jtekt Corp | 摺動部材 |
JP2011214150A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-27 | Nanotec Corp | 炭素膜の形成方法および装置 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6013061726; G.J.Wan, et al.: 'Characteristics and surface energy of silicon-doped diamond-like carbonfilms fabricated by plasma im' Diamond and Related Materials Vol.15, 20051121, pp.1276-1281, ELSEVIER * |
JPN6013061728; Ritwik K. Roy, et al.: 'Surface energy of the plasma treated Si incorporated diamond-like carbon films' Diamond and Related Materials Vol.16, 20070621, pp.1732-1738, ELSEVIER * |
JPN6013061730; P. Zhang, et al.: 'Surface energy of metal containing amorphous carbon films deposited byfiltered cathodic vacuum arc' Diamond and Related Materials Vol.13, 2004, pp.459-464, ELSEVIER * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016171247A1 (ja) * | 2015-04-22 | 2016-10-27 | 東洋炭素株式会社 | 炭素蒸発源 |
JP2017144613A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | イビデン株式会社 | 透光板及びその製造方法 |
JP2017144612A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | イビデン株式会社 | 透光板及びその製造方法 |
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