JP2002368414A - 高導電性配線基板の製造方法および製造装置ならびに配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 限られた面積内に高密度配線を形成する場合
でも、極めて高い接続信頼性を得ることができる配線基
板および配線基板の製造方法、ならびに製造装置を提供
する。 【解決手段】 本発明の高導電性配線基板の製造方法
は、底面に基材保持材が設けられた絶縁基材に、前記基
材保持材を底とするブラインドビアホールを設ける工程
と、前記絶縁基材の表面に載せた導電性粒子およびバイ
ンダ成分を含有するペーストを、スキージを用いて前記
ブラインドビアホールに充填する工程と、前記絶縁基材
の表面に吸収シートを配置して、前記ペーストの前記バ
インダ成分の一部を前記吸収シートに吸収させることに
より、前記ペースト内の前記導電性粒子の含有率を増大
させる工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高導電性配線基板
の製造方法および製造装置ならびに配線基板に関し、特
に、両面あるいは多層基板等に設けられた微小なブライ
ンドビアホールへのペースト充填に使用される方法およ
び装置、ならびにそれらを使用して作製された配線基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化に伴
い、産業用にとどまらず広く民生用機器の分野において
も、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装できる多層
配線回路基板を、安価に供給することが強く要望されて
いる。このような多層配線回路基板では、微細な配線ピ
ッチで形成された複数層の配線パターン間を、高い信頼
性で電気的に接続することが重要である。

【０００３】このような市場の要望に対して、従来多層
配線基板の層間接続の主流となっていたスルーホール内
壁の金属めっき導体に代えて、多層プリント配線基板の
任意の電極を任意の配線パターン位置において層間接続
できるインナービアホール接続法を用いた全層ＩＶＨ構
造樹脂多層基板と呼ばれるものがある（例えば特開平０
６−２６８３４５号公報参照）。このような基板による
と、多層プリント配線基板のビアホール内に導電性ペー
ストを充填して必要な各層間のみを電気的に接続し、ま
た、部品ランド直下にインナービアホールを設けること
ができるために、基板サイズの小型化や高密度実装を実
現することができる。また、インナービアホールにおけ
る電気的接続に導電性ペーストを用いているので、ビア
ホールに印加される応力を緩和することができ、熱衝撃
等による寸法変化に対しても安定な電気的接続を実現す
ることができる。

【０００４】この全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板におい
て、インナービアホールのサイズを小さくすることによ
り高密度な層間接続を高い生産性で実現すると共に、高
い信頼性を実現することを目的として、図９に示すよう
なペースト充填方法が従来から提案されている。以下に
従来のペースト充填方法を説明する。

【０００５】まず、図９（ａ）に示すように、電気絶縁
性基材８０の一方の主面にカバーフィルム８２を形成
し、これと対向するもう一方の主面に配線材料８４を形
成する。次に、図９（ｂ）に示すように、電気絶縁性基
材８０およびカバーフィルム８２を貫通するようにビア
ホール８６を形成する。ビアホール８６の内部において
配線材料８４は露出しており、配線材料８４はビアホー
ル８６の穴底となる。以下、上記のように穴底が閉塞し
たビアホールをブラインドビアホールと称する。

【０００６】次に、図９（ｃ）に示すように、スキージ
８８を用いて、印刷によってブラインドビアホール８６
に導電性ペースト９０を充填する。図９（ｄ）は、印刷
工程後の状態を示しており、導電性ペースト９０の表面
とカバーフィルム８２の表面とは、ほぼ同じ高さになっ
ている。

【０００７】次に図９（ｅ）に示すように、絶縁基材８
０の表面のカバーフィルム８２を剥離する。このとき、
ブラインドビアホール８６の導電性ペースト９０は、カ
バーフィルム８２の厚み分だけ絶縁基材８０の表面８０
ａから突出している。

【０００８】続いて、カバーフィルム８２を剥離した絶
縁基材８０の表面に、図９（ｆ）に示すように、配線材
料９２を積層し、加熱加圧することによって、図９
（ｇ）に示すように絶縁基材８０に配線材料９２を接着
させる。

【０００９】最後に、絶縁基材８０の両面の配線材料８
４および９２をエッチングによってパターニングし、図
９（ｈ）に示すような両面配線基板を完成させる。

【００１０】上記の製造工程で使用される導電性ペース
ト９０には、導電性粒子（銅粉、銀粉など）、樹脂成分
および溶剤が含まれており、これらの含有率は、導電性
ペーストの充填工程、および、最終的に得られる基板の
電気的特性に大きな影響を与える。導電性ペーストにお
いて、印刷特性と層間接続における導電性とは、その構
成材料面から見て相反するものである。すなわち、ペー
ストの体積当たりのフィラ量（導電性粒子量）を多くす
るほど、導電性粒子同士の接触面積が大きくなるので、
抵抗値が低くなり、高い電気的接続信頼性を得ることが
できるが、ペーストの流動性が低下するので、ペースト
量に対する耐刷数や生産性（タクト時間）などの印刷特
性は低下してしまう。従って、導電性粒子の含有率が比
較的低い導電性ペーストを使用する必要があった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の配
線基板は、ビアホールに充填された導電性ペーストの導
電性粒子の含有率が低いので、抵抗値が高くなったり、
接続信頼性に問題が生じるなどの課題があった。また、
図９（ｆ）および（ｇ）で示したように、導電性ペース
ト９０が表面８０ａから突出した絶縁基材８０の上に配
線材料９２を配置すると、図１０に示すように導電性ペ
ースト９０がブラインドビアホールから絶縁基材８０の
表面８０ａに流出し、これにより、近接するブラインド
ビアホールとの短絡不良をもたらすという課題があっ
た。

【００１２】本発明は上記課題を解決するものであり、
プリント配線基板などの限られた面積内に高密度配線を
形成する場合であっても、極めて高い電気的な接続信頼
性を得ることができる配線基板の製造方法および製造装
置、ならびに、これらを使用して得られる配線基板を提
供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の高導電性配線基
板の製造方法は、底面に基材保持材が設けられた絶縁基
材に、基材保持材を底とするブラインドビアホールを設
ける工程と、絶縁基材の表面に載せた導電性粒子および
バインダ成分を含有するペーストを、スキージを用いて
ブラインドビアホールに充填する工程と、絶縁基材の表
面に吸収シートを配置して、ペーストのバインダ成分の
一部を吸収シートに吸収させることにより、ペースト内
の導電性粒子の含有率を増大させる工程とを有する。こ
のような方法によると、ブラインドビアホールにペース
トを充填する際に、充填の容易さのために導電性粒子の
含有率が比較的低いペーストを使用しても、充填後、吸
収シートをブラインドビアホールに充填されたペースト
に接触させて、ペーストのバインダ成分を吸収シートに
選択的に吸収させるので、最終的にペーストにおける導
電粒子の含有率を上昇させることができる。これによ
り、導電性粒子同士の接触面積が大きくなるので、抵抗
値が低くなり、高い電気的接続信頼性を得ることができ
る。以上のように、本発明の配線基板の製造方法による
と、製造工程を複雑にすることなしに、高い電気的接続
信頼性を有する配線基板を製造することができる。

【００１４】上記のような製造方法において、ペースト
のバインダ成分を吸収シートに吸収させることによって
ブラインドビアホール上部に形成された空間に、ペース
トをさらに充填させることが好ましい。これにより、ペ
ーストにおける導電粒子の含有率をさらに上昇させるこ
とができるので、より高い電気的接続信頼性を有する配
線基板を製造することができる。

【００１５】さらに、ペーストのバインダ成分を吸収さ
せる工程を、絶縁基材表面に配置された吸収シートをプ
レスして行っても良い。このプレスは、回転しながら、
吸収シートの表面を基材に対して相対的に移動する加圧
ローラを用いて行うことができる。この方法によると、
吸収シートをプレスすることにより、吸収シートをブラ
インドビアホール内のペーストに密着させることができ
るので、ペーストのバインダ成分の吸収をより促進させ
ることができる。従って、短時間で高い電気的接続信頼
性を有する配線基板を製造することができる。また、回
転移動する加圧ローラの直下においてのみ吸収シートが
基材と接触するように、吸収シートの両端をそれぞれ供
給ローラと巻き取りローラとで支持し、供給ローラおよ
び巻き取りローラを回転させることによって、供給ロー
ラから加圧ローラに吸収シートを供給し、加圧ローラに
供給された吸収シートを巻き取りローラで巻き取りなが
ら、加圧ローラによって吸収シートのプレスを行うこと
がより好ましい。この方法によれば、供給ローラおよび
巻き取りローラの回転によって吸収シートが移動するの
で、吸収シートとペーストとの接触部分において、吸収
シートとペ−ストとの間に剪断力が生じ、吸収シートに
ペーストが余分に取られることを防止できる。

【００１６】また、ペーストのバインダ成分を吸収させ
る工程は、吸収シートの表面に密封空間を形成し、この
密封空間を減圧させて行っても良い。また、吸収シート
の表面に多孔性板を設けて、この多孔性板の孔空間を減
圧させて行っても良い。上記のような方法によれば、吸
収シート上の密封空間または、吸収シート上に設けられ
た多孔性板の孔空間を減圧させることにより、ペースト
のバインダ成分が吸引されるので、ペーストのバインダ
成分の吸収をより促進させることができる。従って、短
時間で高い電気的接続信頼性を有する配線基板を製造す
ることができる。

【００１７】ペーストのバインダ成分を吸収させる工程
の前に、絶縁基材を振動させることにより、ペーストの
導電性粒子とバインダ成分とを分離させても良い。振動
により、ペーストの導電性粒子がブラインドビアホール
の下部に、バインダ成分がブラインドビアホールの上部
に分離される。この場合にペーストが吸収シートに接触
すると、ブラインドビアホールの上部にあるバインダ成
分が吸収シートによって効率的に吸収される。

【００１８】ペーストのバインダ成分を吸収させる工程
の前に、ペーストを、ペーストが硬化しない温度まで加
熱させることが好ましい。加熱によってペーストの粘度
が低下して、流動性が増し、吸収シートに吸収され易く
なるからである。

【００１９】また、ペーストのバインダ成分を吸収させ
る工程の後に、吸収シートを絶縁基材表面から剥離する
際には、絶縁基材の表面に対して吸収シートを実質的に
平行に移動させながら剥離させることが好ましい。これ
により、吸収シートとペーストとの間に剪断力が生じ、
吸収シートにペーストが余分に取られることが防止でき
る。

【００２０】本発明の高導電性配線基板は、導電性粒子
およびバインダ成分を含有するペーストで充填されたビ
アホールを有する絶縁基材と、絶縁基材の両主面にそれ
ぞれ設けられた導電層とを有しており、ビアホールのペ
ーストによって導電層同士が導通されており、ペースト
のバインダ成分の一部が吸収シートによって吸収される
ことにより、ペースト内の導電性粒子の含有率が増大さ
れていることを特徴とする。

【００２１】次に本発明の高導電性配線基板の製造装置
について説明する。本発明の高導電性配線基板の製造装
置は、導電性粒子およびバインダ成分を含むペースト
を、スキージによって絶縁基材のブラインドビアホ−ル
に充填するペースト充填装置と、ペーストのバインダ成
分の一部を吸収シートに吸収させる吸収装置とを有す
る。以下、本発明の高導電性配線基板の製造装置に設け
られた様々な吸収装置を説明する。下記に説明するいず
れの吸収装置によっても、簡単な装置で、ブラインドビ
アホールに充填されたペーストのバインダ成分を吸収シ
ートに効率的に吸収させることにより、ブラインドビア
ホールに導電性粒子を高密度に充填させることができ
る。

【００２２】本発明の一実施形態の吸収装置は、絶縁基
材を保持する基台と、加圧ローラとを有する。基台に保
持された絶縁基材は、ペーストが充填されたブラインド
ビアホールを有し、表面に吸収シートが設けられてお
り、この吸収シートの上で加圧ローラが回転しながら絶
縁基材に対して相対移動し、吸収シートをプレスして吸
収シートをペーストに密着させる。プレスによって吸収
シートがペーストに密着され、吸収シートにペーストの
バインダ成分を吸収させることができる。

【００２３】上記加圧ローラは、表面に弾力性材料がコ
ートされてなることが好ましい。このような加圧用ロー
ラを用いて吸収シートをプレスすれば、ペーストが充填
されたブラインドビアホールに、吸収シートがより押し
込められ、吸収シートが導電性ペーストにより密着する
ので、吸収シートにペーストのバインダ成分をさらに効
果的に吸収させることができるからである。

【００２４】また上記吸収装置は、吸収シートの両端を
それぞれ支持する供給ローラおよび巻き取りローラをさ
らに有し、この供給ローラおよび巻き取りローラが、回
転移動する加圧ローラの直下においてのみ吸収シートが
前記基材と接触するように、前記加圧ローラの両側に配
置されていることが好ましい。このような吸収装置にお
いて、供給ローラおよび巻き取りローラを回転させるこ
とによって、供給ローラから加圧ローラに吸収シートを
供給し、加圧ローラに供給された吸収シートを巻き取り
ローラで巻き取ることによって吸収シートが移動するの
で、吸収シートとペーストとの接触部分において、吸収
シートとペーストとの間に剪断力が生じ、吸収シートに
ペーストが余分に取られることが防止できる。

【００２５】また、本発明の他の実施形態の吸収装置
は、上記と同様の基台と、吸収シートの上に密封空間を
形成するように設けられた蓋状容器であって、真空排気
装置によって密封空間が減圧される蓋状容器とを有す
る。この装置によると、吸収シート上の蓋状容器内の密
封空間が減圧されることにより、ペーストのバインダ成
分が吸引されるので、ペーストのバインダ成分の吸収を
より促進させることができる。

【００２６】また、本発明の他の実施形態の吸収装置
は、上記と同様の基台と、吸収シートの上に設けられた
プレス板であって、吸収シートをプレスしてペーストに
密着させるプレス板とを有する。この装置によると、プ
レス板により吸収シートがプレスされてペーストに密着
されるので、ペーストのバインダ成分の吸収をより促進
させることができる。上記プレス板の吸収シートに対向
する面は、平面または、複数の凸部を有する面であって
も良い。

【００２７】また、上記プレス板は、吸収シートとの対
向面に多孔性板を有し、多孔性板に連結された真空排気
装置によって多孔性板の孔空間が減圧されても良い。こ
のような装置によると、吸収シート上の多孔性板の孔空
間が減圧されることにより、ペーストのバインダ成分が
吸引されるので、ペーストのバインダ成分の吸収をより
促進させることができる。

【００２８】上記多孔性板は、焼結金属と、多数の穴加
工が施された平板と、有機または無機材料の粒子からな
り粒子間に空隙を有する板のうちのいずれかであること
が好ましい。

【００２９】上記いずれの吸収装置もが、絶縁基材を振
動させる振動装置をさらに有することが好ましい。吸収
装置がこのような振動装置を有すれば、ブラインドビア
ホールの下部にペーストの導電性粒子を、上部にペース
トのバインダ成分を分離させることができるので、ブラ
インドビアホール上部のバインダ成分を吸収シートに効
率的に吸収させることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の第１実
施形態の配線基板の製造方法について、図１（ａ）〜
（ｈ）を参照して説明する。

【００３１】例えば、未硬化または半硬化状態の電気絶
縁性基材２（以下、絶縁基材と称する）を用意し、底面
２ｂに例えば電解銅箔からなる配線材料６を接着し、こ
の底面２ｂに対向する表面２ａにＰＥＴ（ポリエチレン
テレフタラート）フィルムまたはＰＥＮ（ポリエチレン
ナフタレート）フィルム等からなるカバーフィルム４を
接着する。さらにこの絶縁基材２に、図１（ａ）に示す
ように配線材料６を穴底とするブラインドビアホール８
を形成する。上記カバーフィルム４および配線材料６は
一般的に、ラミネート法によって絶縁基材２に接着され
る。また、配線材料６によって閉塞されたブラインドビ
アホール８は例えば、加工エネルギーを調整することに
よりレーザー加工で容易に作製することができる。本実
施形態において、絶縁基材２の底面２ｂに設けられた配
線材料６は、後の工程で、絶縁基材２を貫通するビアホ
ールに導電性ペースト１２を充填するために、絶縁基材
２のビアホールの穴底を塞ぐ保持材（基材保持材）とし
て機能する。本発明において、基材保持材は配線材料６
に限定されない。例えば、図１１に示すように、図１
（ｈ）の配線基板３０が複数積層されてなる多層配線基
板１００を作製する場合には、導電性ペーストの充填を
行う絶縁基材１０４に接して設けられた他の配線基板１
０２が基材保持材として機能する。

【００３２】なお、上記電気絶縁性基材２としては、ガ
ラス織布または不織布にエポキシ樹脂を含浸して形成さ
れるガラスエポキシ基板や、アラミド織布または不織布
にエポキシ樹脂を含浸して形成されるアラミド基材や、
ポリイミドなどからなる耐熱性フィルムの両面にイミド
系またはエポキシ系などの接着剤を塗布して形成される
フィルムなどが好適に使用される。

【００３３】次に、図１（ｂ）に示すように、カバーフ
ィルム４を密接しながら移動するスキージ１０によっ
て、導電性粒子（銅粉、銀粉など）、樹脂成分、および
溶剤が含まれている導電性ペースト１２をブラインドビ
アホール８に押し入れて充填させる。図１（ｃ）に示す
ように、ブラインドビアホール８に充填される導電性ペ
ースト１２の上面１２ａの高さが、カバーフィルム４の
上面４ａと同様の高さになるようにスキージ１０による
充填条件を最適化して、上述した印刷を繰り返し行う。
また、図１（ｃ）に示すように、図１（ｂ）で使用され
る導電性ペースト１２に含まれる導電性粒子１４の比率
は比較的小さく、導電性粒子１４の間には、樹脂成分お
よび溶剤（以下、樹脂成分および溶剤をバインダ成分１
６と称する）が多く存在する。このような組成の導電性
ペースト１２を使用するのは、ペースト１２の流動性を
高めてブラインドビアホール８への充填を容易にするた
めである。

【００３４】次に、図１（ｄ）に示すように、カバーフ
ィルム４の上面４ａに吸収シート２２を設置し、吸収シ
ート２２の上で加圧ローラ１８を加圧しながら回転移動
させる。これにより、吸収シート２２がブラインドビア
ホール８内に押されて導電性ペースト１２に密着し、ペ
ースト１２に含有されているバインダ成分１６の一部が
選択的に吸収シート２２に吸収される。なお、このよう
な吸収工程の前に、あらかじめペースト１２を、ペース
ト１２が硬化しない温度まで加熱させておくことが好ま
しい。ペースト１２を加熱させることにより粘度が低下
して流動性が高まるので、より効果的にペースト１２の
バインダ成分を選択的に吸収シート２２に吸収させるこ
とができるからである。なお、導電性ペーストのバイン
ダ成分を吸収させる方法は上記の方法に限定されず、下
記の実施形態３〜８で詳細に説明する様々な装置を用い
て行われ得る。

【００３５】この後、吸収シート２２をカバーフィルム
４の上面４ａから剥離する。このとき、吸収シート２２
を絶縁基材２の表面に対して実質的に平行移動させ（剪
断させ）ながら、吸収シート２２をカバーフィルム４の
上面４ａから剥離することが好ましい。吸収シート２２
を絶縁基材２の表面に対して垂直方向に浮かして剥離す
ると、吸収シート２２の表面に付着した導電性ペースト
が吸収シート２２の剥離に従って除去されて、電気的接
続に必要とされる導電性粒子までもが除去されてしまう
恐れがある。従って、絶縁基材２の表面に対して吸収シ
ート２２を平行移動させることにより、導電性ペースト
が必要以上に除去されるのを防止する。上述のように導
電性ペースト１２のバインダ成分１６の一部を吸収させ
ると、吸収前（図１（ｃ））よりも、ペースト１２に占
める導電性粒子１４の含有率が高くなる（図１
（ｅ））。

【００３６】続いて、カバーフィルム４を絶縁基材２か
ら剥離する。このとき、図１（ｆ）に示すように、ブラ
インドビアホール８の端部付近（ホール８の円周付近）
における導電性ペースト１２の表面１２ｂは、絶縁基材
２の表面２ａからほぼカバーフィルム４の厚み分だけ突
出している。上述の図１（ａ）〜（ｆ）に示す工程にお
いて、絶縁基材２は未硬化状態または半硬化状態であ
る。

【００３７】次に、図１（ｇ）に示すように、上記のよ
うな絶縁基材２の上面２ａに配線材料２４を配置して、
熱プレスを行う。この加熱加圧工程によって、絶縁基材
２および導電性ペースト１２は圧縮され、導電性ペース
ト１２内の導電性粒子１４同士が強固に結合する。ま
た、配線材料６および２４と、導電性ペースト１２との
界面における結合も強固になる。このような強固な結合
により、配線材料と導電性ペーストとの電気的接続の信
頼性が向上する。また、この加熱加圧工程によって、導
電性ペースト１２および絶縁基材２が硬化される。

【００３８】絶縁基材２の上面２ａに配線材料２４を配
置するときに、従来のようにブラインドビアホール８の
導電性ペースト１２がバインダ成分１６を多く含むと、
粘度が低く流動性が高いために、導電性ペースト１２が
ブラインドビアホール８から絶縁基材２の表面２ａに流
出することがあった（図１０）。これに対して、本実施
形態によると、図１（ｇ）の工程において導電性ペース
ト１２のバインダ成分１６の含有率が低いために、粘度
が大きく流動性が小さいので、導電性ペースト１２がブ
ラインドビアホール８から絶縁基材２の表面２ａに流出
しにくい。従って隣接するブラインドビアホールとの短
絡を防止することができる。

【００３９】続いて、フォトリソグラフィー法を用い
て、配線材料２４および６をパターン形成し、図１
（ｈ）に示す両面配線基板３０を得る。

【００４０】以上のような製造方法によって作製された
本実施形態の配線基板と、図９に示した従来の製造方法
によって作製された配線基板とにおいて、１ビアホール
当たりの抵抗値を測定したところ、従来の配線基板の抵
抗値は２．０ｍΩであったのに対して、本実施形態の配
線基板の抵抗値は１．６ｍΩであり、抵抗値を低下でき
ることが分かった。なお、上記測定に使用した本実施形
態および従来の配線基板は、絶縁基材がいずれも厚み約
２０μｍで、ビアホールの直径が５０μｍであり、本実
施形態の配線基板は厚み２０μｍのカバーフィルムを使
用して作製され、従来の配線基板は厚み９μｍのカバー
フィルムを使用して作製されている。

【００４１】なお、上述した本実施形態の製造方法にお
いて、２枚以上の多層カバーフィルムを用いてもよい。
以下に２枚のカバーフィルム４を使用して配線基板３０
を製造する方法を説明する。まず、２枚のカバーフィル
ムを絶縁基材２の表面２ａに積層した後、図１（ｂ）と
同様にブラインドビアホール８に導電性ペースト１２を
充填し、図１（ｄ）と同様に吸収シート２２にバインダ
成分１６に吸収させる。次に、２枚のカバーフィルムの
うち、上層の吸収シートを剥離した後、再び、図１
（ｄ）と同様に吸収シート２２に導電性ペースト１２の
バインダ成分１６に吸収させる。続いて、２枚のカバー
フィルムのうち、残った下層の吸収シートを剥離した
後、上述した図１（ｆ）〜（ｈ）と同様の工程を行う。
このように２枚以上のカバーフィルム４を使用すれば、
ブラインドビアホールに、より高い含有率で導電粒子を
充填させることができる。また、２枚以上のカバーフィ
ルムを絶縁基材２から１枚ずつ剥離することにより、カ
バーフィルムを剥離する際に、導電性ペースト１２がカ
バーフィルムと共に除去されてしまう量を低減させるこ
とができる。以上説明したように、本実施形態による
と、絶縁基材２のブラインドビアホール８に導電性ペー
スト１２を充填させた後に、導電性ペースト１２のバイ
ンダ成分１６の一部を吸収シート２２に吸収させること
によって、ブラインドビアホール８中に充填された導電
性ペースト１２における導電粒子の含有率を上昇させる
ことができるので、最終的に得られる配線基板におい
て、抵抗値を低下させ、電気的接続の信頼性を向上させ
ることができる。

【００４２】なお、本実施形態の製造方法において、カ
バーフィルム４は、導電性ペースト１２をブラインドビ
アホール８に充填する際のマスクとしての役割と、絶縁
基材２の表面２ａに付着し得る導電性ペースト１２を除
去して絶縁基材２の表面２ａが汚染されるのを防止する
役割とを果たしている。このようなカバーフィルム４の
厚みは、最終的に得られるブラインドビアホール８に充
填された導電性ペースト１２の接続抵抗（導電性粒子１
４同士の接続）に影響を与える。すなわち、導電性ペー
ストの吸収除去工程（図１（ｄ））において、カバーフ
ィルム４の厚みが小さすぎる場合には、導電性ペースト
１２が十分に圧縮されず、吸収シート２２に十分な量の
バインダ成分１６を吸収させることができないので、導
電性粒子の含有率を十分上昇させることができず、導電
性ペースト１２の抵抗値が上昇してしまう。一方、カバ
ーフィルム４の厚みを大きくすると、カバーフィルム４
を絶縁基材２から剥離する時に、カバーフィルム４の表
面に付着した導電性ペーストがカバーフィルム４の剥離
に従って除去され、これにより、電気的接続に必要とさ
れる導電性粒子までもが除去されてしまう恐れがある。

【００４３】以上のことを考慮して、例えばビアホール
の直径５０μｍに対して、カバーフィルムの厚みは通常
９〜１２μｍ（カバーフィルム４を絶縁基材２から剥離
する際に、導電性ペーストがカバーフィルム４と共に除
去されてしまう量が少ないように設定された最大の厚
み）であるが、本実施形態では、約１２〜２０μｍとす
ることが好ましい。本実施形態では、図１（ｄ）に示す
工程で、導電性ペースト１２のバインダ成分の一部を除
去するので、膜厚が大きいカバーフィルム４を使用して
も、カバーフィルム４を絶縁基材２から剥離する際に、
導電性ペースト１２が多量にカバーフィルム４と共に除
去されてしまうことがない。従って、通常よりも膜厚の
大きいカバーフィルム４を使用すれば、ブラインドビア
ホール内に一度により多くの導電性ペーストを供給する
ことができ、最終的に得られる配線基板３０において、
より多くの導電粒子をブラインドビアホール１２内に充
填させることができる。ただし、上記カバーフィルム４
の厚みは、導電性ペースト１２の材料特性（特に粘度）
やビアホール側面の形状（表面粗度、テーパなど）に支
配される部分が多く、適宜最適化される。

【００４４】なお、カバーフィルム４のようなマスクは
必要に応じてを使用すれば良く、また、カバーフィルム
４に替えてスクリーンマスクを使用しても良い。吸収シ
ート２２は、樹脂成分および溶剤を吸収する材料で形成
されていれば良く、特に材料、構造は限定されないが、
コストを考慮すると紙類が好ましい。

【００４５】上記の実施形態では、配線材料を絶縁基材
に接着させた後に、配線材料をパターニングする例を示
したが、配線材料の代わりに既に配線が形成された転写
基材を用いても良い。また、配線材料の代わりに表面に
配線が形成された配線基板を積層しても良い。このよう
な製造方法によれば、配線パターンを認識しながらビア
ホールを加工することが可能となり、さらに高密度な配
線を実現することが可能となる。

【００４６】（実施の形態２）本実施形態２の配線基板
の製造方法は、吸収シート２２に導電性ペースト１２の
バインダ成分１６の一部を吸収させた後に、ブラインド
ビアホール８に導電性ペースト１２をさらに充填する工
程を有することにおいて、上述した第１の実施の形態と
異なる。以下、本発明の第２の実施形態の製造方法につ
いて、図２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。

【００４７】図２（ａ）およびその一部拡大図２（ｂ）
は、実施形態１で説明した図１（ｅ）と同様に、吸収シ
ート２２に、導電性ペースト１２のバインダ成分１６の
一部を吸収させた後の絶縁基材２等を示す図である。実
施形態１で説明したように、配線材料６を穴底とするブ
ラインドビアホール８に充填された導電性ペースト１２
のバインダ成分１６は、図１（ｄ）に示すように吸収シ
ート２２によって吸収されるために、図２（ａ）および
（ｂ）に示すように、ブラインドビアホール８の上部に
空間９が形成される。

【００４８】本実施形態２では、上記のようにブライン
ドビアホール８の上部に形成された空間９に、図２
（ｃ）に示すように導電性ペースト１２を充填させる
（第２の充填工程）。この導電性ペースト１２の第２の
充填工程は、上述の実施形態１の図１（ｂ）で説明した
第１の充填工程と同様にスキージ１０を用いて行われ
る。第２の充填工程において、導電性ペースト１２は、
ブラインドビアホール８における導電性ペースト１２の
上面１２ａの高さがカバーフィルム４の上面４ａと同様
の高さになるまで充填される。

【００４９】このようにして、導電性ペースト１２を再
度ブラインドビアホール８に充填することによって、図
２（ｄ）に示すようにブラインドビアホール８に導電性
ペースト１２が補充され、ブラインドビアホール８内の
導電性粒子を増加させることができる。なお、図２
（ｄ）において、第２の充填工程によって増加した導電
性粒子を参照番号１３で示す。

【００５０】以上説明したように、本実施形態による
と、第１の充填工程でブラインドビアホール８に充填し
た導電性ペースト１２のバインダ成分１６の一部を吸収
シートに吸収させた後、この吸収によってブラインドビ
アホール８の上部に形成された空間部分９に、さらに導
電性ペースト１２を充填させる。これにより、ブライン
ドビアホール８内により多量の導電性粒子を充填させる
ことができるので、最終的に得られる配線基板におい
て、電気的接続の信頼性をより向上させることができ
る。なお、本実施形態において、図２（ｃ）および
（ｄ）に示すようにブラインドビアホール８に導電性ペ
ースト１２を補充した後、図１（ｄ）と同様に、再び、
導電性ペースト１２のバインダ成分の一部を吸収シート
４に吸収させて除去することがより好ましい。これによ
り、ブラインドビアホール８内にさらに高い含有率で導
電性粒子を充填させることができる。

【００５１】次に本発明の配線基板の製造装置について
説明する。本発明の配線基板の製造装置は、導電性粒子
およびバインダ成分を含むペーストを、スキージによっ
て絶縁基材のブラインドビアホールに充填するペースト
充填装置に加えて、ペーストのバインダ成分の一部を吸
収シートに吸収させる吸収装置を有する。以下の実施の
形態３〜８で、本発明の様々な態様の吸収装置について
説明する。なお、これらの吸収装置は、上述した実施形
態１の製造方法の導電性ペースト吸収工程（図１の
（ｄ））において使用される。

【００５２】（実施の形態３）図３は吸収装置の一例を
示す。図３に示す本実施形態の吸収装置４０は、表面に
吸収シート２２が設けられた基板材料４６を保持する基
台４２と、基板材料４６の主面に平行な面において、基
板材料４６に対して相対移動可能な（図３の矢印４４ａ
方向）支持体４４と、支持体４４に接続され、基板材料
４６の厚み方向（図３の矢印４４ｂ）に移動可能な加圧
ローラ１８とを備える。なお、上述の基板材料４６は、
上述の実施形態１で説明した絶縁基材２と、絶縁基材２
の両主面に設けられた配線材料６およびカバーフィルム
４と、配線材料６を穴底とするブラインドビアホール８
に充填された導電性ペースト１２とからなる。

【００５３】上記加圧ローラ１８は、金属ローラ１９の
外周部にウレタンゴムなどの弾力性材料２０をコートし
てなることが好ましい。このような加圧ローラ１８によ
って吸収シート２２をプレスすると、ペースト１２で充
填されたブラインドビアホール８に、吸収シート２２が
より押し込められ、吸収シート２２が導電性ペーストに
より密着するので、吸収シート２２に導電性ペースト１
２のバインダ成分１６をさらに効果的に吸収させること
ができるからである。

【００５４】以下、この吸収装置４０の使用方法を説明
する。まず、基台４２に上記基板材料４６を吸引などの
方法によって保持する。次に、吸収シート２２を基板材
料４６の表面に配置し、この吸収シート２２に加圧ロー
ラ１８を接触させながら、ローラ１８に圧力を印加す
る。このように、加圧ローラ１８に圧力を印加させた状
態で支持体４４を移動させて（矢印４４ａ方向）、基板
材料４６の主面全体をローラ加圧し、吸収シート２２を
導電性ペースト１２に密着させて、吸収シート２２に導
電性ペースト１２のバインダ成分１６の一部を吸収させ
る。吸収後、加圧ローラ１８を上昇させて（矢印４４ｂ
方向）、吸収シート２２を基板材料４６の表面に対して
平行方向に移動させながら剥離する。本実施形態による
と、簡単な装置でブラインドビアホール８に導電性粒子
を高密度に充填させることができる。

【００５５】（実施の形態４）図４は実施の形態４の吸
収装置を示す。図４に示す本実施形態の吸収装置４８
は、加圧ローラ１８を挟んで供給ローラ５２および巻き
取りローラ５０を備えることにおいて、図３の吸収装置
４０と異なる。吸収装置４８において、供給ローラ５２
は回転しながら吸収シート２２を加圧ローラ１８に供給
し、加圧ローラ１８に供給された吸収シート２２は巻き
取りローラ５０が回転しながら巻き取る。また、吸収シ
ート２２は、加圧ローラ２２の直下においてのみ基板材
料４６に接触するように、その両端が上記の２つのロー
ラ５０、５２によって支持されている。

【００５６】以下、この吸収装置４８の使用方法を説明
する。まず、上述の吸収装置４０と同様に、基台４２に
基板材料４６を吸引などの方法によって保持する。次
に、吸収シート２２を基板材料４６の表面に接触しない
ように（吸収シート２２と基板材料４６表面との距離が
例えば１０ｍｍ）、巻き取りローラ５０および供給ロー
ラ５２によってその両端を支持する。さらに、供給ロー
ラ５２および巻き取りローラ５０を回転させながら、供
給ローラ５２から供給される吸収シート２２を、巻き取
りローラ５０で巻き取って行く。吸収シート２２の張力
は例えば供給ローラ５２によってコントロール可能であ
る。吸収シート２２を上記のように移動させた状態で、
吸収シート２２に加圧ローラ１８を降下させて、加圧ロ
ーラ１８の直下においてのみ吸収シート２２を基板材料
４６の表面に接触させる。さらに、回転する加圧ローラ
１８に圧力を加えながら支持体４４を移動させて（矢印
４４ａ方向）、基板材料４６の主面全体をローラ加圧
し、吸収シート２２に導電性ペースト１２のバインダ成
分１６の一部を吸収させる。吸収シート２２は巻き取り
ローラ５０で巻き取られて移動するので、吸収シート２
２と導電性ペースト１２との接触部分において、吸収シ
ート２２とペースト１２との間に剪断力が生じ、吸収シ
ート２２にペースト１２が余分に取られることが防止で
きる。

【００５７】基板材料４６の主面全体をローラ加圧した
後、加圧ローラ１８を上昇させて（矢印４４ｂ方向）、
吸収工程を終える。本実施形態によっても、簡単な装置
でブラインドビアホール８に導電性粒子を高密度に充填
させることができる。

【００５８】（実施の形態５）図５は実施の形態５の吸
収装置を示す。図５に示す本実施形態の吸収装置５４
は、表面に吸収シート２２が設けられた基板材料４６を
保持する基台４２と、吸収シート２２の上部に設けられ
たドーム状の容器（蓋状容器）５６を備え、容器５６は
真空排気装置（不図示）に接続されている。

【００５９】以下、この吸収装置５４の使用方法を説明
する。まず、上述の吸収装置４０と同様に、基台４２に
基板材料４６を吸引などの方法によって保持する。次
に、吸収シート２２を基板材料４６の表面に配置し、吸
収シート２２の上に密封空間５５を形成するように蓋状
容器（ドーム状容器）５６を配置する。さらに、容器５
６に接続された真空排気装置によって、容器内部５５の
空気を吸引することにより、容器５６の内部５５の圧力
を低下させる。容器５６の内部５５が減圧されることよ
り、吸収シート２２を介してペースト１２のバインダ成
分の一部が吸引される。

【００６０】本実施形態によっても、簡単な装置でブラ
インドビアホール８に導電性粒子を高密度に充填させる
ことができる。

【００６１】（実施の形態６）図６は実施の形態６の吸
収装置を示す。図６に示す本実施形態の吸収装置５８
は、表面に吸収シート２２が設けられた基板材料４６を
保持する基台４２と、吸収シート２２の上部に設けられ
たプレス板６０とを備える。また、プレス板６０は、基
板材料４６との対向面に、焼結金属などの多孔性（通気
性）材料からなる多孔性基材６２を有し、この多孔性基
材６２は真空排気装置に接続されている。

【００６２】以下、吸収装置５８の使用方法を説明す
る。まず、上述の吸収装置４０と同様に、基台４２に基
板材料４６を吸引などの方法によって保持する。次に、
吸収シート２２を基板材料４６の表面に配置し、プレス
板６０の多孔性基材６２が吸収シート２２に密着するよ
うに、吸収シート２２の上にプレス板６０を配置する。

【００６３】続いて、多孔性基材６２を真空排気装置で
吸引することによって、多孔性基材６２の孔空間を減圧
させるとともに、プレス板６０に圧力を加える。プレス
板６０によって吸収シートがプレスされることにより、
吸収シートとペーストとが密着し、さらに、多孔性基材
６２の孔空間が減圧されることより、吸収シート２２を
介してペースト１２のバインダ成分の一部が吸引され
る。

【００６４】本実施形態によっても、簡単な装置でブラ
インドビアホール８に導電性粒子を高密度に充填させる
ことができる。

【００６５】（実施の形態７）図７は実施の形態７の吸
収装置を示す。図７に示す本実施形態の吸収装置６４
は、表面に吸収シート２２が設けられた基板材料４６を
保持する基台４２と、吸収シート２２の上部に設けられ
たプレス板６６とを備える。

【００６６】以下、この吸収装置６４の使用方法を説明
する。まず、上述の吸収装置４０と同様に、基台４２に
基板材料４６を吸引などの方法によって保持する。次
に、吸収シート２２を基板材料４６の表面に配置し、プ
レス板６６に圧力を加える。これにより、吸収シート２
２がブラインドビアホール内のペースト１２に密着し、
ペースト１２のバインダ成分の一部が吸収シート２２に
吸収される。なお、このような吸収工程において、導電
性ペースト１２のバインダ成分１６が硬化しない温度ま
で基板材料４６を加温させると、導電性ペースト１２の
粘度が低下して流動性が上昇するので、吸収シート２２
に吸収されやすくなる。

【００６７】本実施形態によっても、簡単な装置でブラ
インドビアホール８に導電性粒子を高密度に充填させる
ことができる。

【００６８】上記吸収装置６４において、プレス板６６
の吸収シート２２に対向する面６５は図７のような平面
に限られず、複数の凸部を有する面であってもよい。こ
の場合、プレス板６６の凸部によって吸収シート２２が
ブラインドビアホール内に押し込められて、吸収シート
２２がブラインドビアホール内のペースト１２に密着
し、ペースト１２のバインダ成分の一部が吸収シート２
２に吸収される。

【００６９】（実施の形態８）図８は実施の形態８の吸
収装置を示す。図８に示す本実施形態の吸収装置６８
は、表面に吸収シート２２が設けられた基板材料４６を
保持する基台４２と、基台４２に内蔵された振動板７０
とを備える。振動板７０に振動を印加する方法として
は、例えば超音波、高周波、低周波による振動や衝撃に
よるものなどがあり、ペーストの材料特性、ブラインド
ビアホールの形状などを考慮して、最適な衝撃の印加方
式を適宜選定すればよい。

【００７０】以下、この吸収装置６８の使用方法を説明
する。まず、上述の吸収装置４０と同様に、基台４２に
基板材料４６を吸引などの方法によって保持する。次
に、吸収シート２２を基板材料４６の表面に配置して、
基台４２に内蔵される振動板７０を振動させる。

【００７１】振動板７０によって基板材料４６が振動さ
れることにより、導電性ペースト１２の導電性粒子１４
がブラインドビアホールの下部に、バインダ成分がブラ
インドビアホールの上部に分離される。このような分離
状態にあるペースト１２が吸収シート２２に接触する
と、ブラインドビアホールの上部にあるペーストのバイ
ンダ成分が吸収シート２２によって効率的に吸収され
る。

【００７２】本実施形態によっても、簡単な装置でブラ
インドビアホール８に導電性粒子を高密度に充填させる
ことができる。また、本実施形態８の装置は、他の実施
の形態の装置と組み合わせて構成することがより好まし
い。これにより、より効率的にペーストのバインダ成分
の吸収および除去を行うことができる。なお、組み合わ
せは、ペーストの材料特性、ブラインドビアホールの形
状、装置コストなどを考慮して適宜決定される。

【００７３】上述の実施形態３〜８の吸収装置を使用し
てペーストのバインダ成分の一部を吸収除去させる際、
導電性ペースト１２のバインダ成分１６が硬化しない温
度まで基板材料を加温させることが好ましい。これによ
り、導電性ペースト１２の粘度が低下して流動性が高ま
るので、ペーストのバインダ成分が効率的に吸収シート
２２に吸収される。また、実施形態３および５〜８の吸
収装置において、吸収シート２２を基板材料４６の表面
から剥離する際、吸収シート２２を基板材料４６から浮
かさないで、基板材料４６と平行に剪断剥離することが
好ましい。これは、吸収シート２２の表面に付着した導
電性ペーストが吸収シート２２の剥離に従って除去され
て、電気的接続に必要とされる導電性粒子までもが除去
されてしまうのを防止するためである。

【００７４】本発明は、配線基板のみならず、電子部品
におけるブラインドビアを有する基材にも適用可能であ
る。

【００７５】

【発明の効果】上述したように本発明によれば、ブライ
ンドビアホールに導電性ペーストの導電性粒子を高密度
に充填させることができるので、プリント配線基板など
の限られた面積内に高密度配線を形成する場合であって
も、極めて高い電気的な接続信頼性を実現させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）〜（ｈ）は本発明の実施の形態１に係
る配線基板の製造方法を説明する断面図である。

【図２】 （ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態２に係
る配線基板の製造方法を説明する断面図である。

【図３】 本発明の実施の形態３に係る吸収装置の断面
図である。

【図４】 本発明の実施の形態４に係る吸収装置の断面
図である。

【図５】 本発明の実施の形態５に係る吸収装置の断面
図である。

【図６】 本発明の実施の形態６に係る吸収装置の断面
図である。

【図７】 本発明の実施の形態７に係る吸収装置の断面
図である。

【図８】 本発明の実施の形態８に係る吸収装置の断面
図である。

【図９】 （ａ）〜（ｈ）は従来のプリント配線基板の
製造工程を示す断面図である。

【図１０】 従来のプリント配線基板を示す断面図であ
る。

【図１１】 本発明の多層配線基板を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

２ 電気絶縁性基材 ２ａ 電気絶縁性基材の表面 ２ｂ 電気絶縁性基材の底面 ４ カバーフィルム ４ａ カバーフィルムの上面 ６ 配線材料 ８ ブラインドビアホール １０ スキージ １２ 導電性ペースト １２ａ、１２ｂ 導電性ペーストの上面 １４ 導電性粒子 １６ バインダ成分 １８ 加圧ローラ １９ 金属ローラ ２０ 弾力性材料 ２２ 吸収シート ２４ 配線材料 ３０ 両面配線基板 ４０、４８、５４、５８、６４、６８ 吸収装置 ４２ 基台 ４４ 支持体 ４６ 基板材料 １００ 多層配線基板

フロントページの続き (72)発明者 小山 雅義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 禎志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC17 CC18 CC25 CD27 CD36 GG11 GG14 5E346 AA12 AA42 AA43 CC04 CC08 CC09 CC10 FF18 GG15

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 底面に基材保持材が設けられた絶縁基材
   に、前記基材保持材を底とするブラインドビアホールを
   設ける工程と、 前記絶縁基材の表面に載せた、導電性粒子およびバイン
   ダ成分を含有するペーストを、スキージを用いて前記ブ
   ラインドビアホールに充填する工程と、 前記絶縁基材の表面に吸収シートを配置して、前記ペー
   ストの前記バインダ成分の一部を前記吸収シートに吸収
   させることにより、前記ペースト内の前記導電性粒子の
   含有率を増大させる工程とを有する高導電性配線基板の
   製造方法。
2. 【請求項２】 前記ペーストの前記バインダ成分を前記
   吸収シートに吸収させることによって前記ブラインドビ
   アホール上部に形成された空間に、前記ペーストをさら
   に充填する工程を有する請求項１に記載の高導電性配線
   基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸収
   させる工程は、前記絶縁基材表面に配置された前記吸収
   シートをプレスして行われる請求項１または２に記載の
   高導電性配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 回転しながら、前記吸収シートの表面を
   前記基材に対して相対的に移動する加圧ローラを用い
   て、前記吸収シートのプレスを行う請求項３に記載の高
   導電性配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 回転移動する前記加圧ローラの直下にお
   いてのみ前記吸収シートが前記基材と接触するように、
   前記吸収シートの両端をそれぞれ供給ローラと巻き取り
   ローラとで支持し、前記供給ローラおよび前記巻き取り
   ローラを回転させることによって、前記供給ローラから
   前記加圧ローラに前記吸収シートを供給し、前記加圧ロ
   ーラに供給された前記吸収シートを前記巻き取りローラ
   で巻き取りながら、前記加圧ローラによって前記吸収シ
   ートのプレスを行う請求項４に記載の高導電性配線基板
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸収
   させる工程は、前記吸収シートの表面に密封空間を形成
   し、前記密封空間を減圧させて行われる請求項１または
   ２に記載の高導電性配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸収
   させる工程は、前記吸収シートの表面に多孔性板を設け
   て、該多孔性板の孔空間を減圧させて行われる請求項１
   または２に記載の高導電性配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸収
   させる工程の前に、前記絶縁基材を振動させることによ
   り、前記ペーストの前記導電性粒子と前記バインダ成分
   とを分離させる工程を有する請求項１から７のいずれか
   に記載の高導電性配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸収
   させる工程の前に、前記ペーストを、前記ペーストが硬
   化しない温度まで加熱して粘度を低下させる工程を有す
   る請求項１から８のいずれかに記載の高導電性配線基板
   の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記ペーストの前記バインダ成分を吸
    収させる工程の後に、前記絶縁基材の表面に対して実質
    的に平行に前記吸収シートを移動させながら前記吸収シ
    ートを前記絶縁基材から除去する工程を有する請求項１
    から９のいずれかに記載の高導電性配線基板の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 導電性粒子およびバインダ成分を含有
    するペーストで充填されたビアホールを有する絶縁基材
    と、該絶縁基材の両主面にそれぞれ設けられた導電層と
    を有し、前記ビアホールの前記ペーストによって前記導
    電層同士が導通された高導電性配線基板であって、 前記ペーストの前記バインダ成分の一部が吸収シートに
    よって吸収されることにより、前記ペースト内の前記導
    電性粒子の含有率が増大された高導電性配線基板。
12. 【請求項１２】 導電性粒子およびバインダ成分を含む
    ペーストを、スキージによって絶縁基材のブラインドビ
    アホールに充填するペースト充填装置を備えた高導電性
    配線基板の製造装置が、前記ペーストの前記バインダ成
    分の一部を吸収シートに吸収させる吸収装置を有し、前
    記吸収装置は、 前記ペーストが充填された前記ブラインドビアホールを
    有する前記絶縁基材であって、表面に前記吸収シートが
    設けられた前記絶縁基材を保持する基台と、 前記吸収シートの上で回転しながら前記絶縁基材に対し
    て相対的に移動する加圧ローラであって、前記吸収シー
    トをプレスして前記吸収シートを前記ペーストに密着さ
    せる加圧ローラとを有する高導電性配線基板の製造装
    置。
13. 【請求項１３】 前記加圧ローラは、表面に弾力性材料
    がコートされてなる請求項１２に記載の高導電性配線基
    板の製造装置。
14. 【請求項１４】 前記吸収装置は、前記吸収シートの両
    端をそれぞれ支持する供給ローラおよび巻き取りローラ
    を有し、前記供給ローラおよび巻き取りローラは、回転
    移動する前記加圧ローラの直下においてのみ前記吸収シ
    ートが前記基材と接触するように、前記加圧ローラの両
    側に配置され、 前記供給ローラと前記巻き取りローラとを回転させるこ
    とによって、前記供給ローラから前記加圧ローラに前記
    吸収シートを供給し、前記加圧ローラに供給された前記
    吸収シートを前記巻き取りローラで巻き取る請求項１２
    に記載の高導電性配線基板の製造装置。
15. 【請求項１５】 導電性粒子およびバインダ成分を含む
    ペーストを、スキージによって絶縁基材のブラインドビ
    アホールに充填するペースト充填装置を備えた高導電性
    配線基板の製造装置が、前記ペーストの前記バインダ成
    分の一部を吸収シートに吸収させる吸収装置を有し、前
    記吸収装置は、 前記ペーストが充填された前記ブラインドビアホールを
    有する前記絶縁基材であって、表面に前記吸収シートが
    設けられた前記絶縁基材を保持する基台と、 前記吸収シートの上に密封空間を形成するように設けら
    れた蓋状容器であって、真空排気装置によって前記密封
    空間が減圧される蓋状容器とを有する高導電性配線基板
    の製造装置。
16. 【請求項１６】 導電性粒子およびバインダ成分を含む
    ペーストを、スキージによって絶縁基材のブラインドビ
    アホールに充填するペースト充填装置を備えた高導電性
    配線基板の製造装置が、前記ペーストの前記バインダ成
    分の一部を吸収シートに吸収させる吸収装置を有し、前
    記吸収装置は、 前記ペーストが充填された前記ブラインドビアホールを
    有する前記絶縁基材であって、表面に前記吸収シートが
    設けられた前記絶縁基材を保持する基台と、 前記吸収シートの上に設けられたプレス板であって、前
    記吸収シートをプレスして前記ペーストに密着させるプ
    レス板とを有する高導電性配線基板の製造装置。
17. 【請求項１７】 前記プレス板の前記吸収シートに対向
    する面が、平面または、複数の凸部を有する面である請
    求項１６に記載の高導電性配線基板の製造装置。
18. 【請求項１８】 前記プレス板は、前記吸収シートとの
    対向面に多孔性板を有し、前記多孔性板に連結された真
    空排気装置によって前記多孔性板の孔空間が減圧される
    請求項１６に記載の高導電性配線基板の製造装置。
19. 【請求項１９】 前記多孔性板は、焼結金属と、多数の
    穴加工が施された平板と、有機または無機材料の粒子か
    らなり粒子間に空隙を有する板のうちのいずれかである
    請求項１８に記載の高導電性配線基板の製造装置。
20. 【請求項２０】 前記絶縁基材を振動させて、前記ペー
    ストの前記導電性粒子と前記バインダ成分とを分離させ
    る振動装置をさらに有する請求項１２から１９のいずれ
    かに記載の高導電性配線基板の製造装置。