JP2002367830A - インダクタンス素子及びその製造方法 - Google Patents
インダクタンス素子及びその製造方法Info
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- JP2002367830A JP2002367830A JP2001168591A JP2001168591A JP2002367830A JP 2002367830 A JP2002367830 A JP 2002367830A JP 2001168591 A JP2001168591 A JP 2001168591A JP 2001168591 A JP2001168591 A JP 2001168591A JP 2002367830 A JP2002367830 A JP 2002367830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で容易に基板実装でき、更にインダクタン
ス値変更容易なインダクタンス素子を提供すること。 【解決手段】配線基板２にコアを固定し、配線基板２上
に形成された導体パターン３〜５と、導体パターン３〜
５を直列に接続するボンディングワイヤ９〜１１により
コイルＬ１を形成する。
ス値変更容易なインダクタンス素子を提供すること。 【解決手段】配線基板２にコアを固定し、配線基板２上
に形成された導体パターン３〜５と、導体パターン３〜
５を直列に接続するボンディングワイヤ９〜１１により
コイルＬ１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子及びその製造方法に関し、特に配線基板に高密度実装
可能なインダクタンス素子及びその製造方法に関する。
子及びその製造方法に関し、特に配線基板に高密度実装
可能なインダクタンス素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
チョークコイルやトランスなどのインダクタンス素子
は、フェライトコアなどの磁路部材にコイルを巻線機な
どでコイルを巻装して製造されている。この種のインダ
クタンス素子を含む回路部品は、高密度実装のために小
型化を要求されているが、インダクタンス素子の小型化
は、巻線機などを用いたコイル巻装作業の困難化のため
に容易ではなかった。また、回路には、種々のインダク
タンス値や許容電流値をもつチョークコイルやトランス
が望まれるが、小型で種々のインダクタンス値をもつイ
ンダクタンス素子を安価に製造することは容易ではなか
った。
チョークコイルやトランスなどのインダクタンス素子
は、フェライトコアなどの磁路部材にコイルを巻線機な
どでコイルを巻装して製造されている。この種のインダ
クタンス素子を含む回路部品は、高密度実装のために小
型化を要求されているが、インダクタンス素子の小型化
は、巻線機などを用いたコイル巻装作業の困難化のため
に容易ではなかった。また、回路には、種々のインダク
タンス値や許容電流値をもつチョークコイルやトランス
が望まれるが、小型で種々のインダクタンス値をもつイ
ンダクタンス素子を安価に製造することは容易ではなか
った。
【０００３】このため、従来、アナログ回路基板やアナ
ログハイブリッドＩＣ、ＤＣーＤＣコンバータなどに用
いるフィルタ、発振回路、共振回路などにおいて、イン
ダクタンス素子を抵抗素子で代用するなどしていたが、
その結果として特性低下を招いていた。
ログハイブリッドＩＣ、ＤＣーＤＣコンバータなどに用
いるフィルタ、発振回路、共振回路などにおいて、イン
ダクタンス素子を抵抗素子で代用するなどしていたが、
その結果として特性低下を招いていた。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、小型で容易に基板実装でき、更にインダクタンス
値変更容易なインダクタンス素子及びその製造方法を提
供することをその目的としている。
あり、小型で容易に基板実装でき、更にインダクタンス
値変更容易なインダクタンス素子及びその製造方法を提
供することをその目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の発明は、配線基板に実装されたコアにコイル
を巻装してなるインダクタンス素子において、前記コイ
ルが、前記配線基板に形成された導体パターンと、前記
導体パターンにワイヤボンディング接続されたボンディ
ングワイヤとからなることを特徴としている。
項１記載の発明は、配線基板に実装されたコアにコイル
を巻装してなるインダクタンス素子において、前記コイ
ルが、前記配線基板に形成された導体パターンと、前記
導体パターンにワイヤボンディング接続されたボンディ
ングワイヤとからなることを特徴としている。
【０００６】本構成によれば、超小型コアに対して専用
のコイル巻線機を用いることなく、かつ、微細な作業を
要する手巻き工程を用いることなく、高速に高密度巻線
を行うことができ、その上、ボンディングワイヤの並列
本数又は直列本数を変更することで、極めて簡単にイン
ダクタンス値や許容電流値を変更することができる。特
に、既存のＩＣ製造技術や実装技術を用いることができ
るので、製造装置、製造工程の改変を必要とせず、実用
性に優れる。
のコイル巻線機を用いることなく、かつ、微細な作業を
要する手巻き工程を用いることなく、高速に高密度巻線
を行うことができ、その上、ボンディングワイヤの並列
本数又は直列本数を変更することで、極めて簡単にイン
ダクタンス値や許容電流値を変更することができる。特
に、既存のＩＣ製造技術や実装技術を用いることができ
るので、製造装置、製造工程の改変を必要とせず、実用
性に優れる。
【０００７】請求項２記載の構成は請求項１記載のイン
ダクタンス素子において更に、前記コアが、前記配線基
板表面に接着されることを特徴としているので、コア固
定が容易となる。特に好適には、コアは、配線基板に実
装する他のチップ回路部品、たとえばチップコンデンサ
やチップ抵抗などと同じ工程、たとえばはんだや導電性
接着剤やバンプなどを用いて配線基板に固定される。こ
の製造工程の共通化により、製造工数の短縮、製造コス
トの低減を実現することができる。
ダクタンス素子において更に、前記コアが、前記配線基
板表面に接着されることを特徴としているので、コア固
定が容易となる。特に好適には、コアは、配線基板に実
装する他のチップ回路部品、たとえばチップコンデンサ
やチップ抵抗などと同じ工程、たとえばはんだや導電性
接着剤やバンプなどを用いて配線基板に固定される。こ
の製造工程の共通化により、製造工数の短縮、製造コス
トの低減を実現することができる。
【０００８】請求項３記載の構成は請求項１又は２記載
のインダクタンス素子において更に、前記コアの前記配
線基板側の接着面が、接着剤を塗布されない溝部を有す
ることを特徴としているので、接着剤の使用量を削減す
ることができる。なお、接着剤やはんだなどは、コア側
に塗布してもよく、基板表面に塗布しておいてもよい。
のインダクタンス素子において更に、前記コアの前記配
線基板側の接着面が、接着剤を塗布されない溝部を有す
ることを特徴としているので、接着剤の使用量を削減す
ることができる。なお、接着剤やはんだなどは、コア側
に塗布してもよく、基板表面に塗布しておいてもよい。
【０００９】請求項４記載の構成は請求項１乃至３のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの巻数比は、前記一
次コイルの直列接続ボンディングワイヤ本数Ｎ１又はＮ
１ー０．５又はＮ１＋０．５と、前記二次コイルの直列
接続ボンディングワイヤ本数Ｎ２又はＮ２ー０．５又は
Ｎ２＋０．５との比に等しい値に設定されるので、容易
かつ確実に巻数比を実現することができる。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの巻数比は、前記一
次コイルの直列接続ボンディングワイヤ本数Ｎ１又はＮ
１ー０．５又はＮ１＋０．５と、前記二次コイルの直列
接続ボンディングワイヤ本数Ｎ２又はＮ２ー０．５又は
Ｎ２＋０．５との比に等しい値に設定されるので、容易
かつ確実に巻数比を実現することができる。
【００１０】すなわち、コイルの半ターンをなすボンデ
ィングワイヤに対して、このボンディングワイヤと直列
接続されてコイルの残りの半ターンを構成する導体パタ
ーンを追加するか否かにより、コイルの巻数を、所定値
又はそれより半ターン増減した値とすることができる。
ィングワイヤに対して、このボンディングワイヤと直列
接続されてコイルの残りの半ターンを構成する導体パタ
ーンを追加するか否かにより、コイルの巻数を、所定値
又はそれより半ターン増減した値とすることができる。
【００１１】請求項５記載の構成は請求項１乃至４のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの各１ターン当たり
の並列接続ボンディングワイヤ本数の比率は、前記一次
コイル及び二次コイルの巻数比の逆数に略等しいことを
特徴としている。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの各１ターン当たり
の並列接続ボンディングワイヤ本数の比率は、前記一次
コイル及び二次コイルの巻数比の逆数に略等しいことを
特徴としている。
【００１２】本構成によれば、両コイルのボンディング
ワイヤ間の電流密度を等しくすることができ、損失を低
減するコイル用ボンディングワイヤとができる。
ワイヤ間の電流密度を等しくすることができ、損失を低
減するコイル用ボンディングワイヤとができる。
【００１３】ここで、「略略等しい」という用語を用い
たのは、コイルの両末端がボンディングワイヤで終わる
か、導体パターンで終わるかにより＋／ー半ターン変更
できるため、この半ターンのばらつきを含んで略等しい
と記載したものである。
たのは、コイルの両末端がボンディングワイヤで終わる
か、導体パターンで終わるかにより＋／ー半ターン変更
できるため、この半ターンのばらつきを含んで略等しい
と記載したものである。
【００１４】請求項６記載の構成は請求項１乃至５のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの各ターンを構成す
る前記導体パターンの断面積の比率、特に通電方向と直
角かつ、基板の主面に平行な幅は、前記一次コイル及び
二次コイルの巻数比の逆数に等しいことを特徴としてい
る。本構成によれば、両コイルを構成する導体パターン
の電流密度を等しくすることができ、抵抗損失を低減す
ることができる。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす一次コイル及び二次コイルの各ターンを構成す
る前記導体パターンの断面積の比率、特に通電方向と直
角かつ、基板の主面に平行な幅は、前記一次コイル及び
二次コイルの巻数比の逆数に等しいことを特徴としてい
る。本構成によれば、両コイルを構成する導体パターン
の電流密度を等しくすることができ、抵抗損失を低減す
ることができる。
【００１５】請求項７記載の構成は請求項１乃至６のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす前記一次コイル及び二次コイルの各ターンは、
前記コアの周方向に交互に配設されることを特徴として
いるので、両コイルの電磁結合度を向上することができ
る。なお、両コイルの電磁結合度を低下するには、両コ
イルを離れて配置すればよい。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、トラン
スをなす前記一次コイル及び二次コイルの各ターンは、
前記コアの周方向に交互に配設されることを特徴として
いるので、両コイルの電磁結合度を向上することができ
る。なお、両コイルの電磁結合度を低下するには、両コ
イルを離れて配置すればよい。
【００１６】請求項８記載の構成は請求項１乃至７のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、前記コ
アの表面は前記ボンディングワイヤに沿って湾曲する曲
面を有することを特徴としている。このようにすれば、
ボンディングワイヤ使用量の増加を抑止しつつ、コア断
面積の増大によりインダクタンス値を増加することがで
きる。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、前記コ
アの表面は前記ボンディングワイヤに沿って湾曲する曲
面を有することを特徴としている。このようにすれば、
ボンディングワイヤ使用量の増加を抑止しつつ、コア断
面積の増大によりインダクタンス値を増加することがで
きる。
【００１７】請求項９記載の構成は請求項１乃至８のい
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、前記ボ
ンディングワイヤは、前記コアを前記配線基板に固定す
ることを特徴としているので、接着やはんだ付けなどの
コア固定作業を省略あるいは簡略化することができる。
ずれか記載のインダクタンス素子において更に、前記ボ
ンディングワイヤは、前記コアを前記配線基板に固定す
ることを特徴としているので、接着やはんだ付けなどの
コア固定作業を省略あるいは簡略化することができる。
【００１８】請求項１０記載の構成は請求項９記載のイ
ンダクタンス素子において更に、前記コアは、前記コイ
ルをなさないコア固定専用ボンディングワイヤにより前
記配線基板に固定されているので、コイル巻数が小さい
場合でもコア固定強度を向上することができる。
ンダクタンス素子において更に、前記コアは、前記コイ
ルをなさないコア固定専用ボンディングワイヤにより前
記配線基板に固定されているので、コイル巻数が小さい
場合でもコア固定強度を向上することができる。
【００１９】請求項１１記載の構成は請求項１乃至１０
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、巻線電流量変更時に前記巻線１ターン当たりの
前記ボンディングワイヤ本数を変更して前記ボンディン
グワイヤの電流密度変化を抑止することを特徴としてい
る。
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、巻線電流量変更時に前記巻線１ターン当たりの
前記ボンディングワイヤ本数を変更して前記ボンディン
グワイヤの電流密度変化を抑止することを特徴としてい
る。
【００２０】請求項１２記載の構成は請求項１乃至１０
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、交互に配置する一次コイル用ボンディングワイ
ヤと、二次コイル用ボンディングワイヤとの本数を調整
して一次コイルと二次コイルとの間の結合度を直制する
ことを特徴としている。
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、交互に配置する一次コイル用ボンディングワイ
ヤと、二次コイル用ボンディングワイヤとの本数を調整
して一次コイルと二次コイルとの間の結合度を直制する
ことを特徴としている。
【００２１】請求項１３記載の構成は請求項１乃至１０
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、コア固定用ボンディングワイヤと電流通電用ボ
ンディングワイヤとを別々に有することを特徴としてい
る。
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、コア固定用ボンディングワイヤと電流通電用ボ
ンディングワイヤとを別々に有することを特徴としてい
る。
【００２２】請求項１４記載の構成は請求項１乃至１０
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、電流通電用の前記ボンディングワイヤは、コア
固定用ボンディングワイヤを兼ねることを特徴としてい
る。
のいずれか記載のインダクタンス素子の製造方法におい
て更に、電流通電用の前記ボンディングワイヤは、コア
固定用ボンディングワイヤを兼ねることを特徴としてい
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明のインダクタンス素子及び
その製造方法の好適な態様を以下の実施例により詳細に
説明する。 （実施例）本発明のインダクタンス素子技術を適用した
降圧トランスの平面図を図１に示す。１はリング形状の
フェライトコアであり、セラミック基板２上に接着され
ている。３〜８はセラミック基板２表面に印刷、焼成さ
れた導体パターンであって、３〜５は一次コイルの半タ
ーンをなす導体パターン、６は一次コイルの一端子をな
す導体パターン、７は二次コイルの半ターンをなす導体
パターン、８は二次コイルの一端子をなす導体パターン
である。９〜１１はそれぞれ一次コイルの半ターンをな
す直列接続ボンディングワイヤ、１２はそれぞれ二次コ
イルの半ターンをなす３本の並列接続ボンディングワイ
ヤであり、これらボンディングワイヤ９〜１２は金線か
らなる。
その製造方法の好適な態様を以下の実施例により詳細に
説明する。 （実施例）本発明のインダクタンス素子技術を適用した
降圧トランスの平面図を図１に示す。１はリング形状の
フェライトコアであり、セラミック基板２上に接着され
ている。３〜８はセラミック基板２表面に印刷、焼成さ
れた導体パターンであって、３〜５は一次コイルの半タ
ーンをなす導体パターン、６は一次コイルの一端子をな
す導体パターン、７は二次コイルの半ターンをなす導体
パターン、８は二次コイルの一端子をなす導体パターン
である。９〜１１はそれぞれ一次コイルの半ターンをな
す直列接続ボンディングワイヤ、１２はそれぞれ二次コ
イルの半ターンをなす３本の並列接続ボンディングワイ
ヤであり、これらボンディングワイヤ９〜１２は金線か
らなる。
【００２４】図１に示すように、ボンディングワイヤ９
〜１１と導体パターン３〜６は交互に接続されており、
全体として３ターンの一次コイルＬ１を構成している。
互いに並列接続されたボンディングワイヤ１２は導体パ
ターン７、８を接続して、導体パターン７とともに１タ
ーンの二次コイルＬ２を構成している。これにより、巻
数比３：１の降圧トランスが形成されている。
〜１１と導体パターン３〜６は交互に接続されており、
全体として３ターンの一次コイルＬ１を構成している。
互いに並列接続されたボンディングワイヤ１２は導体パ
ターン７、８を接続して、導体パターン７とともに１タ
ーンの二次コイルＬ２を構成している。これにより、巻
数比３：１の降圧トランスが形成されている。
【００２５】（変形態様１）変形態様１を図２に示す。
この態様では、リング状のフェライトコア１の基板側の
平坦面に溝１３〜１６が凹設されている。これにより、
フェライトコア１のこの平坦面に接着剤をローラなどで
塗布する際に、溝１３〜１６の部分に接着剤が塗布され
ることがないので、接着材使用量を低減することができ
る。なお、接着剤は基板のコア実装予定領域に塗布して
もよい。
この態様では、リング状のフェライトコア１の基板側の
平坦面に溝１３〜１６が凹設されている。これにより、
フェライトコア１のこの平坦面に接着剤をローラなどで
塗布する際に、溝１３〜１６の部分に接着剤が塗布され
ることがないので、接着材使用量を低減することができ
る。なお、接着剤は基板のコア実装予定領域に塗布して
もよい。
【００２６】また、コア１は他のチップ形状の回路部品
たとえばチップコンデンサやチップ抵抗などと同じく、
セラミック基板２上にはんだやバンプや導電性接着剤で
固定されてもよい。
たとえばチップコンデンサやチップ抵抗などと同じく、
セラミック基板２上にはんだやバンプや導電性接着剤で
固定されてもよい。
【００２７】（変形態様２）変形態様２を図３に示す。
【００２８】２１〜２３は一次コイルの半ターンをなす
導体パターン、２４は一次コイルの一端子をなす導体パ
ターン、２５は二次コイルの半ターンをなす導体パター
ン、２６は二次コイルの一端子をなす導体パターンであ
る。３１〜３３はそれぞれ一次コイルの半ターンをなす
直列接続ボンディングワイヤ、３４〜３６はそれぞれ二
次コイルの半ターンをなす３本の並列接続ボンディング
ワイヤである。
導体パターン、２４は一次コイルの一端子をなす導体パ
ターン、２５は二次コイルの半ターンをなす導体パター
ン、２６は二次コイルの一端子をなす導体パターンであ
る。３１〜３３はそれぞれ一次コイルの半ターンをなす
直列接続ボンディングワイヤ、３４〜３６はそれぞれ二
次コイルの半ターンをなす３本の並列接続ボンディング
ワイヤである。
【００２９】図１に示すように、ボンディングワイヤ３
１〜３３とボンディングワイヤ３４〜３６はコア１の周
方向において交互に配置されている。このようにすれ
ば、一次コイルと二次コイルとの電磁結合度を向上して
漏れ磁束を低減することができる。なお、一次コイルと
二次コイルとの電磁結合度を積極的に減少させるには、
図１に示すように。両者を離れて巻装すればよい。
１〜３３とボンディングワイヤ３４〜３６はコア１の周
方向において交互に配置されている。このようにすれ
ば、一次コイルと二次コイルとの電磁結合度を向上して
漏れ磁束を低減することができる。なお、一次コイルと
二次コイルとの電磁結合度を積極的に減少させるには、
図１に示すように。両者を離れて巻装すればよい。
【００３０】（変形態様３）変形態様３を図４に示す。
【００３１】１a、１bは互いに同形に形成されたリング
状のフェライトコアであり、それらの厚さ方向に積み重
ねて接着され、ボンディングワイヤ４１、４２はこれら
１a、１bを半分巻回して両端がセラミック基板２上の図
示しない導体パターンに接合されており、それぞれチョ
ークコイルの半ターンを構成している。
状のフェライトコアであり、それらの厚さ方向に積み重
ねて接着され、ボンディングワイヤ４１、４２はこれら
１a、１bを半分巻回して両端がセラミック基板２上の図
示しない導体パターンに接合されており、それぞれチョ
ークコイルの半ターンを構成している。
【００３２】このようにすれば、１種類のコア１を積み
重ねるという簡素な工程追加により、インダクタンス素
子のインダクタンス値を変更することができる。
重ねるという簡素な工程追加により、インダクタンス素
子のインダクタンス値を変更することができる。
【００３３】（変形態様４）変形態様４を図５に示す。
【００３４】この態様では、フェライトコア１はその磁
束流れる方向に対して直角の断面にて略半円形状に形成
されており、フェライトコア１の平坦な底面がセラミッ
ク基板２の表面に接着剤５０により接着されている。
束流れる方向に対して直角の断面にて略半円形状に形成
されており、フェライトコア１の平坦な底面がセラミッ
ク基板２の表面に接着剤５０により接着されている。
【００３５】コイルの半ターンをなすボンディングワイ
ヤ１a、１bはそれぞれ、フェライトコア１の曲面形状の
表面に押しつけられるように図示しない導体パターンに
接合、配線されており、この結果、ボンディングワイヤ
１a、１bは、コイルをなすとともにフェライトコア１を
固定する機能も併せて有している。
ヤ１a、１bはそれぞれ、フェライトコア１の曲面形状の
表面に押しつけられるように図示しない導体パターンに
接合、配線されており、この結果、ボンディングワイヤ
１a、１bは、コイルをなすとともにフェライトコア１を
固定する機能も併せて有している。
【００３６】なお、場合によっては、コイルとして機能
しないボンディングワイヤでフェライトコア１をセラミ
ック基板２に押しつけ、固定するようにしてもよい。
しないボンディングワイヤでフェライトコア１をセラミ
ック基板２に押しつけ、固定するようにしてもよい。
【００３７】この態様によれば、フェライトコア１の飽
和磁束量を減らすことなく、ボンディングワイヤ使用量
の低減、コイル抵抗の低減を実現することもできる。
和磁束量を減らすことなく、ボンディングワイヤ使用量
の低減、コイル抵抗の低減を実現することもできる。
【００３８】（変形態様５）変形態様５を図６に示す。
【００３９】この態様では、フェライトコア１及びそれ
に巻装されたボンディングワイヤ８１は図示しない導体
パターンとともにコイルを構成している。また、６０は
アナログ集積回路チップ、６１はマイコンチップ、８０
はチップコンデンサであり、これらは図７に示すように
セラミック基板２にはんだ付けされ、最終的に樹脂モー
ルドされて、ハイブリッドＩＣを構成している。上記コ
イルとチップコンデンサ８０とは、アナログ集積回路チ
ップ６０の外付け部品としてＱが大きいＬＣ共振回路を
構成している。このようにすれば、小型で大きなインダ
クタンスコイルを製造工程の変更なしにハイブリッドＩ
Ｃに内蔵することができ、種々広範な用途に応用するこ
とができる。
に巻装されたボンディングワイヤ８１は図示しない導体
パターンとともにコイルを構成している。また、６０は
アナログ集積回路チップ、６１はマイコンチップ、８０
はチップコンデンサであり、これらは図７に示すように
セラミック基板２にはんだ付けされ、最終的に樹脂モー
ルドされて、ハイブリッドＩＣを構成している。上記コ
イルとチップコンデンサ８０とは、アナログ集積回路チ
ップ６０の外付け部品としてＱが大きいＬＣ共振回路を
構成している。このようにすれば、小型で大きなインダ
クタンスコイルを製造工程の変更なしにハイブリッドＩ
Ｃに内蔵することができ、種々広範な用途に応用するこ
とができる。
【００４０】（変形態様６）上記実施例において、ボン
ディングワイヤの並列接続本数又は直列接続本数を変更
することにより、ターン数や許容電流値を容易に変更す
ることができる。
ディングワイヤの並列接続本数又は直列接続本数を変更
することにより、ターン数や許容電流値を容易に変更す
ることができる。
【００４１】（変形態様７）上記実施例において、通電
電流値に応じて導体パターンの断面積（特に通電方向と
直角かつ、基板の主面に平行な幅）を変更することによ
り、発熱、損失の低減を図ることもできる。
電流値に応じて導体パターンの断面積（特に通電方向と
直角かつ、基板の主面に平行な幅）を変更することによ
り、発熱、損失の低減を図ることもできる。
【００４２】（実施例効果）上記説明したこの実施例の
インダクタンス素子は、製造、小型化、特性変更が容易
であり、実用性に優れる利点を有している。
インダクタンス素子は、製造、小型化、特性変更が容易
であり、実用性に優れる利点を有している。
【図１】実施例のトランスを示す模式平面図である。
【図２】図１の変形態様を示すコアの裏面図である。
【図３】図１の変形態様を示す模式平面図である。
【図４】図１の変形態様を示す模式縦断面図である。
【図５】図１の変形態様を示す模式縦断面図である。
【図６】図１の変形態様を示す模式平面図である。
【図７】図６の模式縦断面図である。
１ フェライトコア（コア） ２ セラミック基板（配線基板） ３〜５ 導体パターン ７ 導体パターン ９〜１２ ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB10 BB11 BB19 BB31 DD06 GG20 5E062 DD01 5E070 AA01 BA14 CA20 CC10
Claims (14)
- 【請求項１】配線基板に実装されたコアにコイルを巻装
してなるインダクタンス素子において、 前記コイルは、前記配線基板に形成された導体パターン
と、 前記導体パターンにワイヤボンディング接続されたボン
ディングワイヤとからなることを特徴とするインダクタ
ンス素子。 - 【請求項２】請求項１及び２記載のインダクタンス素子
において、 前記コアは、前記配線基板表面に接着されることを特徴
とするインダクタンス素子。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のインダクタンス素子
において、 前記コアの前記配線基板側の接着面は、接着剤を塗布さ
れない溝部を有することを特徴とするインダクタンス素
子。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 トランスをなす一次コイル及び二次コイルの巻数比は、
前記一次コイルの直列接続ボンディングワイヤ本数Ｎ１
又はＮ１ー０．５又はＮ１＋０．５と、前記二次コイル
の直列接続ボンディングワイヤ本数Ｎ２又はＮ２ー０．
５又はＮ２＋０．５との比に等しい値に設定されること
を特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 トランスをなす一次コイル及び二次コイルの各１ターン
当たりの並列ボンディングワイヤ本数の比率は、前記一
次コイル及び二次コイルの巻数比の逆数に略等しいこと
を特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 トランスをなす一次コイル及び二次コイルの各ターンを
構成する前記導体パターンの断面積の比率は、前記一次
コイル及び二次コイルの巻数比の逆数に等しいことを特
徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 トランスをなす前記一次コイル及び二次コイルの各ター
ンは、前記コアの周方向に交互に配設されることを特徴
とするインダクタンス素子。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 前記コアの表面は前記ボンディングワイヤに沿って湾曲
する曲面を有することを特徴とするインダクタンス素
子。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか記載のインダク
タンス素子において、 前記ボンディングワイヤは、前記コアを前記配線基板に
固定することを特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項１０】請求項９記載のインダクタンス素子にお
いて、 前記コアは、前記コイルをなさないコア固定専用ボンデ
ィングワイヤにより前記配線基板に固定されていること
を特徴とするインダクタンス素子。 - 【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれか記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、 巻線電流量変更時に前記巻線１ターン当たりの前記ボン
ディングワイヤ本数を変更して前記ボンディングワイヤ
の電流密度変化を抑止することを特徴とするインダクタ
ンス素子の製造方法。 - 【請求項１２】請求項１乃至１０のいずれか記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、 交互に配置する一次コイル用ボンディングワイヤと、二
次コイル用ボンディングワイヤとの本数を調整して一次
コイルと二次コイルとの間の結合度を直制することを特
徴とするインダクタンス素子の製造方法。 - 【請求項１３】請求項１乃至１０のいずれか記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、 コア固定用ボンディングワイヤと電流通電用ボンディン
グワイヤとを別々に有することを特徴とするインダクタ
ンス素子。 - 【請求項１４】請求項１乃至１０のいずれか記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、 電流通電用の前記ボンディングワイヤは、コア固定用ボ
ンディングワイヤを兼ねることを特徴とするインダクタ
ンス素子。
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