JP2002359528A - 高感度化光レシーバ - Google Patents
高感度化光レシーバInfo
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- JP2002359528A JP2002359528A JP2001204051A JP2001204051A JP2002359528A JP 2002359528 A JP2002359528 A JP 2002359528A JP 2001204051 A JP2001204051 A JP 2001204051A JP 2001204051 A JP2001204051 A JP 2001204051A JP 2002359528 A JP2002359528 A JP 2002359528A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 今後のディジタルマルチメディアサービスを
可能とするために光通信の光レシーバの従来にない格段
の高感度化を実現する。 【解決手段】 光レシーバを構成する入力段の入力回路
に用いるホトダイオードＰ．Ｄの１端に抵抗２ＲＰＤと
インダクタンス２ＬＰＤ１の直列接続回路の１端を接続
し，またこの直列接続回路の他端は交流アースし，また
順方向増幅部の初段のアクティブ素子ＦＥＴ１の入力に
は抵抗ＲＳ１とインダクタンスＬＳ１の直列接続回路の
１端を接続し，この直列接続回路の他端は交流アースし
て入力回路を構成して，この入力回路のキャパシタンス
を大幅に減少し，あるいはこの入力回路の伝達インピー
ダンスを誘導系として格段の高感度化を図る。
可能とするために光通信の光レシーバの従来にない格段
の高感度化を実現する。 【解決手段】 光レシーバを構成する入力段の入力回路
に用いるホトダイオードＰ．Ｄの１端に抵抗２ＲＰＤと
インダクタンス２ＬＰＤ１の直列接続回路の１端を接続
し，またこの直列接続回路の他端は交流アースし，また
順方向増幅部の初段のアクティブ素子ＦＥＴ１の入力に
は抵抗ＲＳ１とインダクタンスＬＳ１の直列接続回路の
１端を接続し，この直列接続回路の他端は交流アースし
て入力回路を構成して，この入力回路のキャパシタンス
を大幅に減少し，あるいはこの入力回路の伝達インピー
ダンスを誘導系として格段の高感度化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，光通信の受信部を
構成する，光信号を電気信号に変換し，この電気信号を
増幅して電気信号の出力を得る光レシーバの高感度化の
ための光レシーバに関するものである。光レシーバを構
成する回路はホトダイオードと前置増幅器で構成される
回路（一般にフロントエンド回路とも呼ばれる）を有し
ている。このフロントエンド回路の性能が光レシーバの
全体の性能を決定するからフロントエンド回路の高感度
化の実現は重要な問題である。本発明は，このフロント
エンド回路を含む高感度化光レシーバに関するものであ
る。
構成する，光信号を電気信号に変換し，この電気信号を
増幅して電気信号の出力を得る光レシーバの高感度化の
ための光レシーバに関するものである。光レシーバを構
成する回路はホトダイオードと前置増幅器で構成される
回路（一般にフロントエンド回路とも呼ばれる）を有し
ている。このフロントエンド回路の性能が光レシーバの
全体の性能を決定するからフロントエンド回路の高感度
化の実現は重要な問題である。本発明は，このフロント
エンド回路を含む高感度化光レシーバに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光レシーバの入力に換算した２乗
平均雑音電流は，ホトダイオードから順方向増幅部の電
気信号を増幅するための光ディバイスに至る入力段を構
成する入力段の回路のキャパシタンスＣＴの２乗と伝達
しようとするディジタルパルスのビットレートＢの３乗
の積に比例して増大するという欠点があった。このため
高速化のためにビットレートＢを大きくすると雑音電流
が急激に増加し感度が急激に劣化し，伝送距離が急激に
短くなるという欠点があった。今後のマルチメデイアサ
ービスではこの問題をどうしても解決しなければならな
いという問題があった。
平均雑音電流は，ホトダイオードから順方向増幅部の電
気信号を増幅するための光ディバイスに至る入力段を構
成する入力段の回路のキャパシタンスＣＴの２乗と伝達
しようとするディジタルパルスのビットレートＢの３乗
の積に比例して増大するという欠点があった。このため
高速化のためにビットレートＢを大きくすると雑音電流
が急激に増加し感度が急激に劣化し，伝送距離が急激に
短くなるという欠点があった。今後のマルチメデイアサ
ービスではこの問題をどうしても解決しなければならな
いという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，従来の光レ
シーバの入力に換算した２乗平均雑音電流が，伝送ビッ
トレートのＢの３乗に比例して増大するという問題を解
決することを目的としている。
シーバの入力に換算した２乗平均雑音電流が，伝送ビッ
トレートのＢの３乗に比例して増大するという問題を解
決することを目的としている。
【０００４】
【本発明の説明】本発明の光レシーバでは入力段を構成
するホトダイオードの検出電流ｉＰＤから順方向増幅部
を構成する初段の増幅用ディバイスに至る入力回路にイ
ンダクタンスを用いて，この入力回路のキャパシタンス
を極力小さくしあるいはある周波数以上で誘導系にし
て，雑音電流がビットレートＢの３乗に比例して増大す
るという問題を解決し，高感度化を達成したものであ
る。
するホトダイオードの検出電流ｉＰＤから順方向増幅部
を構成する初段の増幅用ディバイスに至る入力回路にイ
ンダクタンスを用いて，この入力回路のキャパシタンス
を極力小さくしあるいはある周波数以上で誘導系にし
て，雑音電流がビットレートＢの３乗に比例して増大す
るという問題を解決し，高感度化を達成したものであ
る。
【０００５】
【図１】に従来の光レシーバの代表的な回路構成を示
す。
す。
【図１】でＰ．Ｄ．はＰＩＮホトダイオードまたはＡＰ
Ｄ（アバランシェホトダイオード）である。この検出電
流ｉＰＤがＰ．Ｄ．の負荷抵抗ＲＢを通して流れる。Ｖ
ｂｉａｓはＰ．Ｄ．へのバイアス電圧である。この検出
電圧ＲＢｉＰＤがこの光レシーバの順方向増幅部の初段
のアクティブ素子である電界効果トランジスタＦＥＴ１
のゲートに印加される。（該アクティブ素子はバイポー
ラトランジスタでも良い。）ＲＤはＦＥＴ１の増幅用抵
抗であり＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバイアス電
圧である。Ａは順方向増幅部を構成する増幅回路であ
る。Ｖ０は交流の出力電圧である。
Ｄ（アバランシェホトダイオード）である。この検出電
流ｉＰＤがＰ．Ｄ．の負荷抵抗ＲＢを通して流れる。Ｖ
ｂｉａｓはＰ．Ｄ．へのバイアス電圧である。この検出
電圧ＲＢｉＰＤがこの光レシーバの順方向増幅部の初段
のアクティブ素子である電界効果トランジスタＦＥＴ１
のゲートに印加される。（該アクティブ素子はバイポー
ラトランジスタでも良い。）ＲＤはＦＥＴ１の増幅用抵
抗であり＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバイアス電
圧である。Ａは順方向増幅部を構成する増幅回路であ
る。Ｖ０は交流の出力電圧である。
【図２】は
【図１】のホトダイオードＰ．Ｄ．の検出電流ｉＰＤか
ら初段の増幅用光ディバイス，ＦＥＴ１のゲートに至る
入力段の小信号等価回路である。ＣＰＤはホトダイオー
ドのアノード−カソード間のキャパシタンス，ＣａはＦ
ＥＴ１のゲート−ソース間のキャパシタンスであり，こ
れにはゲート−ソース間のストレイキャパシタンスを含
ませている。
ら初段の増幅用光ディバイス，ＦＥＴ１のゲートに至る
入力段の小信号等価回路である。ＣＰＤはホトダイオー
ドのアノード−カソード間のキャパシタンス，ＣａはＦ
ＥＴ１のゲート−ソース間のキャパシタンスであり，こ
れにはゲート−ソース間のストレイキャパシタンスを含
ませている。
【図２】（ｂ）のＣＴはＣＰＤとＣａの和である。 ある。
【数１】でｋはボルツマンの定数，Ｔは絶対温度，ｇｍ
はＦＥＴ１の相互コンダクタンス，ΓはＦＥＴ１の短チ
ャネル効果を考慮した雑音指数，ＩｇａｔｅはＦＥＴ１
のゲートからソースに流れる漏洩電流，ｑは電子の電
荷，Ｂは図１の光レシーバで伝達されるビットレート，
Ｉ２とＩ３はそれぞれＰｅｒｓｏｎｉｃｋの第２積分と
第３積分である。また
はＦＥＴ１の相互コンダクタンス，ΓはＦＥＴ１の短チ
ャネル効果を考慮した雑音指数，ＩｇａｔｅはＦＥＴ１
のゲートからソースに流れる漏洩電流，ｑは電子の電
荷，Ｂは図１の光レシーバで伝達されるビットレート，
Ｉ２とＩ３はそれぞれＰｅｒｓｏｎｉｃｋの第２積分と
第３積分である。また
【数１】では図１の光レシーバの出力側にレイズドコサ
インフィルタを使用している。 ートの３乗と総合の入力キャパシタンスＣＴの２乗の積
に比例した成分を含んで 即ち感度が非常に悪くなるという欠点があった。
インフィルタを使用している。 ートの３乗と総合の入力キャパシタンスＣＴの２乗の積
に比例した成分を含んで 即ち感度が非常に悪くなるという欠点があった。
【０００６】本発明はこの欠点を除去したものである。
本発明の光レシーバの入力段の回路構成を
本発明の光レシーバの入力段の回路構成を
【図３】に示す。
【図３】でＲＢ１はＦＥＴ１のゲートへのバイアス電圧
を供給するための抵抗，ＬＢ１は高感度化のためのイン
ダクタンス，−ＶＧ１はＦＥＴ１のゲートへのバイアス
電圧，Ｖｇ１はＦＥＴ１のゲートに生ずる交流電圧，Ｃ
Ｃは直流をカットし，交流を通過させるためのカップリ
ングコンデンサ，ＲＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．の負
荷抵抗，ＬＰＤは高感度化のためのインダクタンス，２
ＬＰＤ１と２ＲＰＤ１はそれぞれ高感度化のためのイン
ダクタンスと抵抗，＋ＶＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．
へのバイアス電圧，＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへの
バイアス電圧，ＲＤは交流増幅用抵抗である。Ｃｓは交
流アース用キャパシタンスである。
を供給するための抵抗，ＬＢ１は高感度化のためのイン
ダクタンス，−ＶＧ１はＦＥＴ１のゲートへのバイアス
電圧，Ｖｇ１はＦＥＴ１のゲートに生ずる交流電圧，Ｃ
Ｃは直流をカットし，交流を通過させるためのカップリ
ングコンデンサ，ＲＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．の負
荷抵抗，ＬＰＤは高感度化のためのインダクタンス，２
ＬＰＤ１と２ＲＰＤ１はそれぞれ高感度化のためのイン
ダクタンスと抵抗，＋ＶＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．
へのバイアス電圧，＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへの
バイアス電圧，ＲＤは交流増幅用抵抗である。Ｃｓは交
流アース用キャパシタンスである。
【図４】は
【図３】の小信号等価回路である。
【図４】でＣｍ１は図３のＦＥＴ１のミラー効果による
ゲートーソース間のキャパシタンス，Ｃｓ１はゲートー
ソース間のストレイキャパシタンス，Ｃ
ｇｓ１はＦＥＴ１の入力キャパシタンス，Ｒ ｉ１は同様
にＦＥＴ１の入力抵抗である。ＣＰＤはホトダイオード
Ｐ．Ｄ．のアノード−カソード間キャパシタンスであ
る。
ゲートーソース間のキャパシタンス，Ｃｓ１はゲートー
ソース間のストレイキャパシタンス，Ｃ
ｇｓ１はＦＥＴ１の入力キャパシタンス，Ｒ ｉ１は同様
にＦＥＴ１の入力抵抗である。ＣＰＤはホトダイオード
Ｐ．Ｄ．のアノード−カソード間キャパシタンスであ
る。
【図４】の本発明の趣旨は，入力段のホトダイオード
Ｐ．Ｄ．の検出電流ｉＰＤからＦＥＴ１のゲートに至る
伝達インピーダンスを図３または図４のように各抵抗と
直列に接続したインダクタンスにより，図２（ｂ）のキ
ャパシタンスＣＴを小として，また極力誘導系にして高
感度化を達成したものである。
Ｐ．Ｄ．の検出電流ｉＰＤからＦＥＴ１のゲートに至る
伝達インピーダンスを図３または図４のように各抵抗と
直列に接続したインダクタンスにより，図２（ｂ）のキ
ャパシタンスＣＴを小として，また極力誘導系にして高
感度化を達成したものである。
【図４】から検出電流ｉＰＤからＦＥＴ１のゲートに至
る伝達インピーダンスＺＴ（ω）を求めることが可能で
ある。したがって伝達アドミタンスＹＴ（ω）を求める
ことができる。
る伝達インピーダンスＺＴ（ω）を求めることが可能で
ある。したがって伝達アドミタンスＹＴ（ω）を求める
ことができる。
【数１】を求める誘導過程と同様にして
【数１】の支配的な雑音，ＦＥＴ１の相互コンダクタン
スｇｍによる熱雑音，即ち第２項を求める。ｆ＝Ｂｙと
変数変換し，伝達アドミタンスの絶対値の２乗を
スｇｍによる熱雑音，即ち第２項を求める。ｆ＝Ｂｙと
変数変換し，伝達アドミタンスの絶対値の２乗を
【数２】のように正規化周波数ｙで表示する。すると
【数１】の支配的な雑音，即ち第２項は
【数３】となる。
【数３】でＨ’Ｔ（ｙ）は
【数１】を求めたときと同一で，出力にレイズドコサイ
ンフィルタを使用し，矩形波入力のときの周波数のみに
関する正規化伝達関数であ
ンフィルタを使用し，矩形波入力のときの周波数のみに
関する正規化伝達関数であ
【図５】で
【数１】の場合と
【数３】の場合に用いた諸定数は次の通りである。
【数１】の場合の諸定数： ＲＢ＝５０［Ω］，Ｉ２＝０．５，Ｉ３＝０．０５，Ｃ
Ｔ＝１．０［ｐＦ］，Ｔ＝３２３［ｋ］，Ｉｇａｔｅ＝
１０［ｎＡ］，ｇｍ＝５０［ｍｓ］，Γ＝１．２
Ｔ＝１．０［ｐＦ］，Ｔ＝３２３［ｋ］，Ｉｇａｔｅ＝
１０［ｎＡ］，ｇｍ＝５０［ｍｓ］，Γ＝１．２
【数３】の場合の諸定数： ＣＰＤ＝０．３［ｐＦ］，ＬＰＤ１＝３．０［ｎＨ］，
ＲＰＤ１＝１００［Ω］，ＲＰＤ＝５０［Ω］，ＬＰＤ
＝１．８［ｎＨ］，Ｃｃ＝５００［ｐＦ］，ＲＢ１＝１
００［Ω］，ＬＢ１＝１．０［ｎＨ］，Ｃｇｓ１＝０．
３［ｐＦ］，Ｒｉ１＝１５［Ω］，（Ｃｍ１＋Ｃｓ１）
＝（０．１＋０．３）＝０．４［ｐＦ］その他の定数は
ＲＰＤ１＝１００［Ω］，ＲＰＤ＝５０［Ω］，ＬＰＤ
＝１．８［ｎＨ］，Ｃｃ＝５００［ｐＦ］，ＲＢ１＝１
００［Ω］，ＬＢ１＝１．０［ｎＨ］，Ｃｇｓ１＝０．
３［ｐＦ］，Ｒｉ１＝１５［Ω］，（Ｃｍ１＋Ｃｓ１）
＝（０．１＋０．３）＝０．４［ｐＦ］その他の定数は
【数１】の場合と同一であり，比較のため両者の諸定数
を極力統一している。 が
を極力統一している。 が
【図３】のように入力段の回路にインダクタンスを用い
た効果である。 改善されるから，伝送距離は従来の光レシーバに比較し
て２倍に拡大できる。
た効果である。 改善されるから，伝送距離は従来の光レシーバに比較し
て２倍に拡大できる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明では２乗平均
雑音電流を従来に較べて大きく減少できるから感度を高
感度化でき，伝送距離を大きく拡大できる。このように
高感度化された光レシーバは従来存在しなかったので今
後の全光化の加入者系や，大規模ＬＡＮや，多チャンネ
ルのＣＡＴＶ網に使用して特にその効果が大きい。即
ち，今後の高速度ディジタルパルス伝送が要求されるマ
ルチメディアサービスの光通信について特にその効果が
大きい。
雑音電流を従来に較べて大きく減少できるから感度を高
感度化でき，伝送距離を大きく拡大できる。このように
高感度化された光レシーバは従来存在しなかったので今
後の全光化の加入者系や，大規模ＬＡＮや，多チャンネ
ルのＣＡＴＶ網に使用して特にその効果が大きい。即
ち，今後の高速度ディジタルパルス伝送が要求されるマ
ルチメディアサービスの光通信について特にその効果が
大きい。
【０００８】
【図３】の実施例に示す如く，ホトダイオードを用い
て，光信号を電気信号に変換し，この電気信号を増幅し
て，電気信号の出力を得る光レシーバ回路において，光
信号を電気信号に変換する入力段を構成する回路の抵抗
に直列にインダクタンスを接続して入力回路を構成して
高感度化を実現した光レシーバ。ただしＬＰＤは使用し
なくても同様の効果を実現できる。
て，光信号を電気信号に変換し，この電気信号を増幅し
て，電気信号の出力を得る光レシーバ回路において，光
信号を電気信号に変換する入力段を構成する回路の抵抗
に直列にインダクタンスを接続して入力回路を構成して
高感度化を実現した光レシーバ。ただしＬＰＤは使用し
なくても同様の効果を実現できる。
【０００９】
【図１】従来の光レシーバの回路構成
【図２】従来の光レシーバの入力段の小信号等価回路
【図３】本発明の入力段の回路構成
【図４】本発明の入力段の小信号等価回路
【図５】従来の光レシーバと本発明の光レシーバの２乗
平均雑音電流の比較
平均雑音電流の比較
【００１０】
Ｐ．Ｄ．はＰＩＮホトダイオード又はＡＰＤ（アバラン
シェホトダイオード）。ｉＰＤはホトダイオードＰ．
Ｄ．の検出電流。ＲＢはホトダイオードＰ．Ｄ．の負荷
抵抗。＋ＶｂｉａｓはホトダイオードＰ．Ｄ．へのバイ
アス電圧。ＦＥＴ１は順方向増幅部初段の電界効果トラ
ンジスタ。Ａは順方向増幅部の増幅回路。ＲＤはＦＥＴ
１の増幅用抵抗。＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバ
イアス電圧。Ｖ０は交流の出力電圧。ＣＰＤはホトダイ
オードＰ．Ｄ．のアノード−カソード間のキャパシタン
ス。ＣａはＦＥＴ１のゲート−ソー 平均雑音電流。ｋはボルツマンの定数。Ｔは絶対温度。
ｇｍはＦＥＴ１の相互コンダクタンス。ΓはＦＥＴ１の
短チャネル効果を考慮した雑音指数。ＩｇａｔｅはＦＥ
Ｔ１のゲートからソースに流れる漏洩電流。Ｂは光レシ
ーバで伝達されるビットレート。Ｉ２とＩ３はそれぞれ
Ｐｅｒｓｏｎｉｃｋの第２積分と第３積分。ｑは電子の
電荷。ＲＢ１はＦＥＴ１のゲートへのバイアス電圧を供
給するための抵抗。ＬＢ１は高感度化のためのインダク
タンス。−ＶＧ１はＦＥＴ１のゲートへの負のバイアス
電圧。Ｖｇ１はＦＥＴ１のゲートに生ずる交流電圧。Ｃ
ｓは交流をアースするためのキャパシタンス。Ｃｃは直
流をカットし，交流を通過させるためのカップリングコ
ンデンサ。ＲＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．の負荷抵
抗。ＬＰＤは高感度化のためのインダクタンス。２Ｌ
ＰＤ１と２ＲＰＤ１はそれぞれ高感度化のためのインダ
クタンスと抵抗。＋ＶＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．へ
のバイアス電圧。＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバ
イアス電圧である。Ｃｍ１はＦＥＴ１のミラー効果によ
るゲート−ソース間のキャパシタンス。Ｃｓ１はゲート
−ソース間のストレイキャパシタンス。Ｃｇｓ１はＦＥ
Ｔ１の入力キャパシタンス。Ｒｉ１はＦＥＴ１の入力抵
抗である。ＺＴ（ω）とＹＴ（ω）はそれぞれ検出電流
ｉＰＤからＦＥＴ１のゲートに至る伝達インピーダンス
と伝達アドミタンス，Ｈ’Ｔ（ｙ）は出力にレイズドコ
サインフイルタを使用し，矩形波入力のときの周波数の
みに関する正規化伝達関数，ωは角周波
シェホトダイオード）。ｉＰＤはホトダイオードＰ．
Ｄ．の検出電流。ＲＢはホトダイオードＰ．Ｄ．の負荷
抵抗。＋ＶｂｉａｓはホトダイオードＰ．Ｄ．へのバイ
アス電圧。ＦＥＴ１は順方向増幅部初段の電界効果トラ
ンジスタ。Ａは順方向増幅部の増幅回路。ＲＤはＦＥＴ
１の増幅用抵抗。＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバ
イアス電圧。Ｖ０は交流の出力電圧。ＣＰＤはホトダイ
オードＰ．Ｄ．のアノード−カソード間のキャパシタン
ス。ＣａはＦＥＴ１のゲート−ソー 平均雑音電流。ｋはボルツマンの定数。Ｔは絶対温度。
ｇｍはＦＥＴ１の相互コンダクタンス。ΓはＦＥＴ１の
短チャネル効果を考慮した雑音指数。ＩｇａｔｅはＦＥ
Ｔ１のゲートからソースに流れる漏洩電流。Ｂは光レシ
ーバで伝達されるビットレート。Ｉ２とＩ３はそれぞれ
Ｐｅｒｓｏｎｉｃｋの第２積分と第３積分。ｑは電子の
電荷。ＲＢ１はＦＥＴ１のゲートへのバイアス電圧を供
給するための抵抗。ＬＢ１は高感度化のためのインダク
タンス。−ＶＧ１はＦＥＴ１のゲートへの負のバイアス
電圧。Ｖｇ１はＦＥＴ１のゲートに生ずる交流電圧。Ｃ
ｓは交流をアースするためのキャパシタンス。Ｃｃは直
流をカットし，交流を通過させるためのカップリングコ
ンデンサ。ＲＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．の負荷抵
抗。ＬＰＤは高感度化のためのインダクタンス。２Ｌ
ＰＤ１と２ＲＰＤ１はそれぞれ高感度化のためのインダ
クタンスと抵抗。＋ＶＰＤはホトダイオードＰ．Ｄ．へ
のバイアス電圧。＋ＶＤＤはＦＥＴ１のドレインへのバ
イアス電圧である。Ｃｍ１はＦＥＴ１のミラー効果によ
るゲート−ソース間のキャパシタンス。Ｃｓ１はゲート
−ソース間のストレイキャパシタンス。Ｃｇｓ１はＦＥ
Ｔ１の入力キャパシタンス。Ｒｉ１はＦＥＴ１の入力抵
抗である。ＺＴ（ω）とＹＴ（ω）はそれぞれ検出電流
ｉＰＤからＦＥＴ１のゲートに至る伝達インピーダンス
と伝達アドミタンス，Ｈ’Ｔ（ｙ）は出力にレイズドコ
サインフイルタを使用し，矩形波入力のときの周波数の
みに関する正規化伝達関数，ωは角周波
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28
Claims (1)
- ホトダイオードを用いて，光信号を電気信号に変換し，
この電気信号を増幅して，電気信号の出力を得る光レシ
ーバ回路において，光レシーバ回路を，光信号を電気信
号に変換する入力段と，この電気信号を増幅するための
順方向増幅部を用いて構成し，該入力段のホトダイオー
ドの１端には抵抗とインダクタンスの直列接続回路の１
端を接続し，この他端は交流アースし，また該ホトダイ
オードより得られる電気信号を増幅するためのアクティ
ブ素子の入力端子に抵抗とインダクタンスの直列接続回
路の１端を接続し，その他端は交流アースして構成し，
該アクティブ素子は電界効果トランジスタまたはバイポ
ーラトランジスタを用い，該入力段の伝達インピーダン
スを極力誘導性として高感度化を図ったことを特長とす
る光レシーバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001204051A JP2002359528A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 高感度化光レシーバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001204051A JP2002359528A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 高感度化光レシーバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359528A true JP2002359528A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19040586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001204051A Pending JP2002359528A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 高感度化光レシーバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002359528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096067A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sunx Ltd | 光電変換回路 |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001204051A patent/JP2002359528A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096067A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sunx Ltd | 光電変換回路 |
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