JP2002353371A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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semiconductor device
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wire
connection terminal
wiring pattern
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Eiji Takaike
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置を容易に製造することができて生
産効率を向上させることができ、製造コストを低減し
て、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子の電極形成面に、配線パター
ン５２を介して半導体素子の電極１２と電気的に接続す
る外部接続端子５０が形成された半導体装置において、
前記外部接続端子５０が、導電材からなるワイヤにより
形成され、該ワイヤのボンディング部側が前記配線パタ
ーン５０を形成する金属層に埋没して設けられているこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に関し、より詳細には半導体ウエハを被加工品
とし半導体ウエハの電極形成面上に外部接続端子を形成
して製造する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、半導体ウエハを被加工品とし
半導体ウエハの電極形成面上に外部接続端子として金属
のポストを形成した半導体装置の製造方法を示す。この
製造方法においては、まず、電極形成面が電極１２を露
出させてパッシベーション膜１４により被覆された半導
体ウエハ１０（図１２(a)）に、導電層１６をスパッタ
リングにより形成する（図１２(b)）。次いで、導電層
１６の表面を感光性レジスト１８によって被覆し（図１
２(c)）、感光性レジスト１８を露光及び現像して導電
層１６の表面に配線パターンを形成する部位を露出させ
る（図１２(d)）。
【０００３】電極１２は半導体ウエハ１０の電極形成面
のたとえば周縁部にきわめて高密度に配置されている。
配線パターンは外部接続端子を配置する空間を確保する
ため電極１２から引き出して形成するものである。図１
２(e)は、電解銅めっきを施して導電層１６の露出面に
配線パターン２０を形成した状態である。次に、感光性
レジスト１８を除去し、配線パターン２０および導電層
１６の表面をドライフィルム２２によって被覆する（図
１２(f)）。このドライフィルム２２は外部接続端子と
しての銅ポスト２４を形成するためのものである。ドラ
イフィルム２２に露光及び現像を施し、配線パターン２
０上で銅ポスト２４を形成する部位にめっき用の穴を形
成し、電解銅めっきを施すことによりめっき用の穴に銅
を盛り上げて高さ１００μｍ程度の銅ポスト２４を形成
する（図１２(g)）。次いで、銅ポスト２４の表面にニ
ッケル、パラジウム等のめっきを順次施してバリア層２
６を形成する。
【０００４】図１２(h)は、ドライフィルム２２を除去
した後、電極形成面上で露出している導電層１６をエッ
チングして除去した状態である。こうして、半導体ウエ
ハ１０の電極形成面に、各々の電極１２と配線パターン
２０を介して電気的に接続された銅ポスト２４が形成さ
れる。図１２(i)は、半導体ウエハ１０の電極形成面を
樹脂モールドし、樹脂２８によって被覆した状態であ
る。樹脂２８は銅ポスト２４と略同厚に形成され、銅ポ
スト２４の端面が樹脂２８の表面で露出する。樹脂モー
ルドした後、バリア層２６の表面にはんだボールを搭載
し、リフローしてはんだバンプを形成する。最後に樹脂
２８とともに半導体ウエハ１０を個片に切断することに
よって、チップサイズの半導体装置を得ることができ
る。
【０００５】図１３は、チップサイズの半導体装置を製
造する他の製造方法を示す。この製造方法によって得ら
れる半導体装置は、金ワイヤをＬ字形に折曲して外部接
続端子としたものである。図１３(a)〜(e)に示す工程
は、上述した図１２に示す工程と基本的に変わらない。
ただし、本方法では、配線パターン２０が樹脂によって
封止されず、半導体装置の外面にそのまま露出する構成
とすることも可能とするために、金めっきによって配線
パターン２０を形成している。図１３(f)は、感光性レ
ジスト１８を除去した状態である。これによって半導体
ウエハ１０の電極形成面に配線パターン２０が形成され
る。
【０００６】図１３(g)は、電極形成面をレジスト３０
によって被覆し、配線パターン２０上で金ワイヤをボン
ディングする部位に開口穴３０ａを形成した状態であ
る。電極形成面をレジスト３０によって被覆しているの
は、金ワイヤをボンディングした後、金ワイヤの外表面
にのみ補強めっきを被着するためである。図１３(h)
は、開口穴３０ａに合わせて金ワイヤをボンディングし
た状態を示す。金ワイヤを配線パターン２０の表面にボ
ンディングした後、Ｌ字形に折曲させ端部を切断して外
部接続端子３２とする。図１３(i)は、金ワイヤの外表
面にワイヤ補強めっきを施した後、レジスト３０を除去
し、導電層１６の露出部分をエッチングにより除去した
状態である。こうして、半導体ウエハ１０の電極形成面
に、各々の電極１２と配線パターン２０を介して電気的
に接続された外部接続端子３２が形成される。最後に半
導体ウエハ１０を個片に切断することによって、ワイヤ
がＬ字形に折曲した形状の外部接続端子３２を備えた半
導体装置が得られる。なお、上述した図１２、１３に示
す例では、パッシベーション膜１４に導電層１６を形成
したが、パッシベーション膜１４をポリイミド膜によっ
て被覆し、ポリイミド膜の表面に導電層１６を形成して
もよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した銅ポストを外
部接続端子とする半導体装置の製造工程と、Ｌ字形に折
曲した金ワイヤを外部接続端子とする半導体装置の製造
工程を各々図１４、１５に示す。このように、半導体ウ
エハを被加工品として電極端子に電気的に接続して外部
接続端子を形成し、半導体ウエハを個片に切断してチッ
プサイズの半導体装置を製造する従来方法は複雑な工程
によっているため、生産効率を低下させ、製造コストが
かかるという問題があった。
【０００８】また、従来の製造方法によって製造した半
導体装置を実装基板に実装する際の問題として、銅ポス
トを外部接続端子とする半導体装置をはんだにより実装
した際に、はんだがメニスカス状にならず、外部接続端
子と実装基板との接合が確実になされないといった問題
や、金ワイヤをＬ字形に折曲して形成した外部接続端子
を備えた半導体装置を実装する際には、外部接続端子の
高さが７００〜８００μｍ程度もあって、半導体装置と
実装基板とが離間して実装されるという問題がある。
【０００９】本発明は、半導体ウエハを被加工品として
半導体装置を製造する従来の製造方法についての課題を
解決すべくなされたものであり、その目的とするところ
は、より簡便な方法によって半導体装置を製造すること
ができて生産効率を向上させることができるとともに、
一層高密度に外部接続端子を配置することを可能として
多ピン化に対応することができ、信頼性の高い半導体装
置及びその製造方法を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、半導体素子
の電極形成面に、配線パターンを介して半導体素子の電
極と電気的に接続する外部接続端子が形成された半導体
装置において、前記外部接続端子が、導電材からなるワ
イヤにより形成され、該ワイヤのボンディング部側が前
記配線パターンを形成する金属層に埋没して設けられて
いることを特徴とする。前記金属層は配線パターンを形
成するためのものであり、銅めっきあるいは金めっき等
によって形成される。また、ワイヤは外部接続端子を形
成するためのものであり、金ワイヤあるいは銅ワイヤ等
の導電材からなるワイヤが使用できる。また、前記金属
層が金めっきによって形成され、ワイヤが金からなるこ
と、また、前記金属層が銅めっきによって形成され、ワ
イヤが銅からなることを特徴とする。また、前記半導体
素子の電極形成面が外部接続端子が露出するように樹脂
封止されていることを特徴とし、前記外部接続端子の表
面がめっきにより被覆されていることを特徴とする。
【００１１】また、半導体素子の電極形成面に、配線パ
ターンを介して半導体素子の電極と電気的に接続する外
部接続端子が形成された半導体装置の製造方法におい
て、前記電極形成面の全面に導電層を形成し、該導電層
の表面をレジストにより被覆した後、レジストをパター
ニングして外部接続端子を接続するパッド部と配線パタ
ーンとが形成される部位の導電層を露出させ、導電材か
らなるワイヤを前記パッド部が形成される部位の導電層
にボンディングして外部接続端子を形成し、前記導電層
の露出部分に前記配線パターン及びパッド部となる金属
層を形成し、前記レジストを除去し、次いで電極形成面
に露出する導電層を除去して配線パターン及びパッド部
を形成することを特徴とする。また、前記ワイヤとして
金ワイヤを使用し、金めっきを施して金属層を形成する
こと、前記ワイヤとして銅ワイヤを使用し、銅めっきを
施して金属層を形成すること、また、前記配線パターン
を形成した後、外部接続端子が露出するように電極形成
面を樹脂封止することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装
置の製造方法についての第１の実施形態を示す説明図で
ある。図１(a)は、半導体ウエハ１０の電極形成面が電
極１２を露出させてパッシベーション膜１４によって被
覆されている状態である。本実施形態の半導体装置の製
造方法では、まず、半導体ウエハ１０の電極形成面に導
電層１６を形成する（図１(b)）。本実施形態ではクロ
ム層をスパッタリングにより形成し、次いで銅層をスパ
ッタリングにより形成して導電層１６としている。な
お、パッシベーション膜１４の表面に保護膜としてポリ
イミド等の電気的絶縁層を形成した後に導電層１６を形
成してもよい。
【００１３】次に、半導体ウエハ１０の電極形成面の全
体に感光性レジスト１８を塗布し、導電層１６の表面を
感光性レジスト１８によって被覆する（図１(c)）。図
１(d)は、感光性レジスト１８を露光及び現像し、導電
層１６の表面で再配線用の配線パターンを形成する部位
のみを露出させた状態である。図５に、感光性レジスト
１８を露光及び現像した状態の平面図（半導体ウエハの
１チップ区画分）を示す。１８は半導体ウエハ１０の電
極形成面を被覆する感光性レジスト、１６ａは配線パタ
ーンの配置にしたがって導電層１６を露出させた部位、
１６ｂは配線パターンの端部に形成したパッド部となる
部位、１６ｃは配線パターンの基端で電極１２に接続す
る部位である。
【００１４】本実施形態の半導体装置の製造方法は、感
光性レジスト１８を露光及び現像した後、銅ワイヤをワ
イヤボンディングする方法によってパッド部となる部位
１６ｂに外部接続端子５０を形成することが特徴であ
る。図１(e)にワイヤボンディングによって外部接続端
子５０を形成した状態を示す。ワイヤボンディングする
際に銅ワイヤの先端部をボール状に溶融し、ボール状と
なった部分をパッド部となる部位１６ｂに接合した後、
ワイヤを引き上げて切断することにより、ボール状の部
分からワイヤが突出して突起部５０ａを有する外部接続
端子５０が形成される。こうして、電極形成面上に形成
されているすべてのパッド部となる部位１６ｂに外部接
続端子５０を形成する。
【００１５】本方法では、ワイヤボンディングによって
外部接続端子５０を形成するから、作業がきわめて効率
的であり、従来のボンディングツールを用いて外部接続
端子５０を形成することができる。また、銅ワイヤをボ
ール状に形成して導電層１６に接合し、銅ワイヤを引き
上げながら切断して外部接続端子５０を形成する方法に
よるから、従来のようにワイヤをＬ字形に折曲するとい
った成形操作が不要であり、外部接続端子５０の寸法及
び形状を整えやすく、効率的に作業することができる。
【００１６】図１(f)は、次に、導電層１６の表面に電
解銅めっきを施した状態を示す。電極形成面上で露出し
ている導電層１６の表面に銅めっきが被着し、配線パタ
ーン５２が形成される。なお、この際に外部接続端子５
０の表面にも銅めっきが被着する。電解銅めっきを施し
た後、実装時のはんだの拡散を防止するためのめっきを
外部接続端子５０の表面および配線パターン５２の表面
に施す。本実施形態では、ニッケルめっき、パラジウム
めっき、金めっきをこの順に施した。
【００１７】図１(g)は、次に、半導体ウエハ１０の電
極形成面上から感光性レジスト１８を除去した状態を示
す。図１(h)は、感光性レジスト１８を除去して露出し
ている導電層１６をエッチングして除去した状態であ
る。導電層１６は配線パターン５２を形成する銅めっき
とくらべるとはるかに薄く形成されているからエッチン
グによって簡単に除去することができ、配線パターン５
２をレジスト等で被覆することなく、電極形成面に露出
している導電層１６を除去することができる。これによ
って、パッシベーション膜１４が露出し、配線パターン
５２が独立したパターンとなる。
【００１８】次に、半導体ウエハ１０の電極形成面を樹
脂封止し、配線パターン５２およびパッシベーション膜
１４を樹脂２８によって封止する（図１(i)）。樹脂封
止工程では、封止金型を用いたトランスファーモールド
法やポッティング法が用いられる。この樹脂封止工程に
より、樹脂封止面に外部接続端子５０が突出した半導体
ウエハ１０が得られる。こうして得られた半導体ウエハ
１０を個片に分割することによって半導体装置が得られ
る。図６は、半導体ウエハ１０を個片に分割する例を示
す。個々に分割された個片が半導体装置５４となる。
【００１９】図２は本発明に係る半導体装置の製造方法
についての第２の実施形態を示す説明図である。本実施
形態の製造方法は、上述した実施形態の製造方法と基本
的に同様であるが、本実施形態では、半導体ウエハの電
極形成面に再配線用の配線パターンを形成した後、電極
形成面を樹脂によって封止せずに製品とする。このた
め、上述した実施形態とは製造方法が異なっている。図
２(b)は、半導体ウエハ１０の電極形成面に導電層１６
を形成した状態を示す。本実施形態では電極形成面にク
ロム、チタン−タングステン合金、金をこの順にスパッ
タリングして導電層１６とした。
【００２０】次いで、導電層１６の表面に感光性レジス
ト１８を塗布し（図２(c)）、感光性レジスト１８を露
光及び現像し、導電層１６の表面に配線パターンを形成
する部位１６ａ、パッド部となる部位１６ｂ、電極１２
と接続する部位１６ｃを露出させる（図２(d)）。図２
(e)は、金ワイヤを用いたワイヤボンディングによって
パッド部となる部位１６ｂに外部接続端子６０を形成し
た状態を示す。金ワイヤを用いて外部接続端子６０を形
成する場合も、上述した実施形態と同様に、金ワイヤの
先端部をボール状に形成し、ボール状の部分をパッド部
となる部位１６ｂに接合しワイヤを引き上げるようにし
て切断して、上部に突起部６０ａが形成された外部接続
端子６０を形成する。
【００２１】図２(f)は、配線パターン６２を形成する
ために導電層１６をめっき給電層として電解金めっきを
施した状態を示す。本実施形態では最終製品で配線パタ
ーン６２が半導体装置の外面に露出するから、金めっき
によって配線パターン６２を形成している。金めっきを
施すことにより外部接続端子６０の表面にも金めっきが
被着する。次いで、感光性レジスト１８を除去し（図２
(g)）、半導体ウエハ１０の電極形成面上で露出する導
電層１６をエッチングにより除去する（図２(h)）。こ
うして、半導体ウエハ１０の電極形成面上で配線パター
ン６２が各々独立したパターンに形成される。半導体装
置は、半導体ウエハを個片に分割することによって得ら
れる。なお、本実施形態の場合においても、半導体ウエ
ハ１０の電極形成面上で配線パターン６２を独立したパ
ターンに形成した後、半導体ウエハ１０の電極形成面を
外部接続端子６０の先端側を露出させるよう樹脂により
被覆してもよい。
【００２２】図３は本発明に係る半導体装置の製造方法
についての第１の実施形態の製造工程、図４は第２の実
施形態の製造工程を示す。図３、４に示す本発明方法
と、図１４、１５に示す従来の半導体装置の製造方法と
を比較すると、外部接続端子として銅ポストを形成して
半導体装置とする従来方法の場合（図１４）は、銅ポス
ト２４を形成するためにドライフィルムをラミネートし
たり、銅めっきにより銅ポスト２４を盛り上げるたりす
る操作が必要となるのに対して、本発明方法によれば、
銅ワイヤあるいは金ワイヤを用いたワイヤボンディング
によって外部接続端子を形成するから、製造工程が簡略
化できて容易に外部接続端子を形成することが可能とな
る。
【００２３】また、外部接続端子としてＬ字形にワイヤ
を折曲した外部接続端子を形成して半導体装置を製造す
る従来方法の場合（図１５）は、ワイヤをＬ字形に折曲
する曲げ工程が必要であり、外部接続端子に補強めっき
を施すためのレジスト塗布及びレジストの露光及び現像
といった操作が必要になるのに対して、本発明方法によ
れば、簡単なワイヤボンディング工程によって外部接続
端子を形成することができ、配線パターンとなる銅めっ
きにより外部接続端子に補強めっきが施されるから、従
来工程のように、外部接続端子を形成した後に、外部接
続端子に補強めっきを施すためにレジストを塗布し、レ
ジストを露光及び現像するといった工程が不要になると
いう利点がある。
【００２４】また、本発明方法によって製造した半導体
装置は、外部接続端子と配線パターンとの接合部分の構
成が従来の半導体装置における構成とは異なることか
ら、従来の半導体装置とは異なる作用効果を奏する。図
７、８は、本発明に係る半導体装置の製造方法と従来の
半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置につ
いて、外部接続端子と配線パターンとの接合部分を拡大
して示す断面図である。図７は、配線パターンを形成し
た後に電極形成面を樹脂封止した半導体装置の例、図８
は、配線パターンを露出させた半導体装置の例である。
【００２５】図７(a)、図８(a)に示すように、本発明に
係る半導体装置の製造方法の場合には、導電層１６を形
成した後、導電層１６にじかに銅ワイヤあるいは金ワイ
ヤをワイヤボンディングして外部接続端子５０、６０を
形成し、その後に、銅めっきあるいは金めっきにより配
線パターン５２、６２を形成するのに対して、従来方法
では図７(b)、図８(b)に示すように、配線パターン２０
を形成した後、その配線パターン２０の表面上に外部接
続端子としての銅ポスト２４あるいは金ワイヤによる外
部接続端子３２を形成する。すなわち、本発明方法によ
る場合は、外部接続端子５０、６０が導電層１６に接合
され、配線パターン５２、６２を形成する銅めっき層あ
るいは金めっき層中に外部接続端子５０、６０の基部側
（ボンディング部）が埋没して接合される形態となる。
【００２６】したがって、本発明に係る半導体装置の場
合は、従来方法にくらべて、少なくとも配線パターン５
２、６２の厚さ分程度、外部接続端子５０、６０の高さ
を低くすることができる。これによって、半導体装置を
薄く、コンパクトに形成する上で本発明に係る半導体装
置の製造方法は有効である。また、図８(a)に示すよう
に、本発明に係る半導体装置の製造方法による場合は、
外部接続端子６０の全体高が低くなるから、これによっ
ても半導体装置を全体としてコンパクトに形成すること
ができる。
【００２７】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
による場合は、導電層１６にじかに銅ワイヤあるいは金
ワイヤをワイヤボンディングして外部接続端子を形成す
ることから、外部接続端子５０、６０を安定に支持して
形成できるという利点もある。図９は、導電層１６に金
ワイヤをワイヤボンディングして外部接続端子６０を形
成している状態を示す。図９(a)はパッド部となる部位
１６ｂが金ワイヤのボンディング部よりも広く形成され
た場合で、金ワイヤがパッド部となる部位１６ｂの底面
に接合された状態である。これに対して、図９(b)はパ
ッド部となる部位１６ｂが図９(a)の場合よりもやや小
さく、金ワイヤのボール状の部分がパッド部となる部位
１６ｂと感光性レジスト１８の一方の側面に当接した状
態を示す。図９(c)は、パッド部となる部位１６ｂが金
ワイヤのボール状の部分と略同程度の大きさで、金ワイ
ヤのボール状部がパッド部となる部位１６ｂと感光性レ
ジスト１８の両側面に当接した状態を示す。
【００２８】このように、導電層１６にじかに金ワイヤ
あるいは銅ワイヤを接合して外部接続端子を形成する方
法によれば、金ワイヤあるいは銅ワイヤを導電層１６に
ボンディングするとともに、ボール状の部分が感光性レ
ジスト１８によって支持されることから、外部接続端子
５０、６０が傾いたりせずに保持され、確実にボンディ
ングすることが可能となる。また、外部接続端子５０、
６０を導電層１６にボンディングした後、銅めっきある
いは金めっきにより導電層１６が被覆され、同時に外部
接続端子５０、６０の基部側が銅めっきあるいは金めっ
きによる配線パターン５２、６２に埋没して支持される
ことによって、さらに確実に支持されるようになる。
【００２９】図１０、１１は本発明方法によって製造し
た半導体装置を実装基板に実装した状態を従来の半導体
装置を実装基板に実装した状態と比較して示したもので
ある。図１０は、銅ポストを外部接続端子とした半導体
装置と比較したものである。図１０(b)に示すように、
銅ポスト２４を形成した半導体装置をはんだ４２により
実装基板４０に実装した場合は、樹脂２８の表面で銅ポ
スト２４の端面のみが露出するため、はんだ４２が好適
なメニスカス状とならない場合がある。これに対して、
本発明に係る半導体装置の場合は、図１０(a)に示すよ
うに、外部接続端子５０から突起部５０ａが突出してい
ることにより、はんだ４２がメニスカス状となって実装
基板に確実に実装されるようになる。
【００３０】また、図１１は、配線パターンを露出した
半導体装置について従来の半導体装置と比較したもので
ある。図１１(b)に示すように、金ワイヤをＬ字形に折
曲して形成した外部接続端子３２を備えた半導体装置を
実装基板４０に実装した場合は、外部接続端子３２の先
端が実装基板４０に当接して接合され、半導体装置と実
装基板４０とが離間して実装されるのに対して、本発明
に係る半導体装置を実装基板４０に実装する場合は、図
１１(a)に示すように、外部接続端子６０の突起部６０
ａにメニスカス状にはんだ４２が付着し、半導体装置と
実装基板４０との接合が確実になされるとともに、半導
体装置と実装基板４０との離間距離を縮めることが可能
になる。このように、本発明に係る半導体装置は、実装
基板に確実に実装でき電気的接続等の信頼性の高い製品
として提供することが可能となる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置及びその製造方
法によれば、上述したように、ワイヤをボンディングす
ることによって容易に外部接続端子を形成することがで
き、半導体装置を製造する工程を簡素化することができ
半導体装置の生産効率を向上させて、半導体装置の製造
コストを低減することができる。また、外部接続端子を
高密度に配置することを可能とし、多ピン化に好適に対
応することが可能となる。また、外部接続端子と実装基
板とを確実に接合して信頼性の高い半導体装置として提
供することができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法についての
第１の実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法についての
第２の実施形態を示す説明図である。
【図３】半導体装置の製造方法について第１の実施形態
の製造工程を示す図である。
【図４】半導体装置の製造方法について第２の実施形態
の製造工程を示す図である。
【図５】半導体ウエハの電極形成面を被覆する感光性レ
ジストをエッチングした状態の平面図である。
【図６】半導体ウエハを個片に分割する例を示す説明図
である。
【図７】本発明に係る半導体装置と従来例の半導体装置
について、外部接続端子と配線パターンとの接合部分を
拡大して示す断面図である。
【図８】本発明に係る半導体装置と従来例の半導体装置
について、外部接続端子と配線パターンとの接合部分を
拡大して示す断面図である。
【図９】銅ワイヤあるいは金ワイヤと導電層との接合状
態を拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明に係る半導体装置と従来例の半導体装
置を実装した状態を示す説明図である。
【図１１】本発明に係る半導体装置と従来例の半導体装
置を実装した状態を示す説明図である。
【図１２】半導体装置の製造方法についての従来方法を
示す説明図である。
【図１３】半導体装置の製造方法についての他の従来方
法を示す説明図である。
【図１４】図１２に示す従来の半導体装置の製造工程を
示す図である。
【図１５】図１３に示す従来の半導体装置の製造工程を
示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ １２ 電極 １４ パッシベーション膜 １６ 導電層 １６ｂ パッド部となる部位 １８ 感光性レジスト ２０ 配線パターン ２２ ドライフィルム ２４ 銅ポスト ２６ バリア層 ２８ 樹脂 ３０ 感光性レジスト ３０ａ 開口穴 ３２ 外部接続端子 ４０ 実装基板 ４２ はんだ ５０、６０ 外部接続端子 ５０ａ、６０ａ 突起部 ５２、６２ 配線パターン ５４ 半導体装置

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子の電極形成面に、配線パター
    ンを介して半導体素子の電極と電気的に接続する外部接
    続端子が形成された半導体装置において、 前記外部接続端子が、導電材からなるワイヤにより形成
    され、該ワイヤのボンディング部側が前記配線パターン
    を形成する金属層に埋没して設けられていることを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 金属層が金めっきによって形成され、ワ
    イヤが金からなることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  3. 【請求項３】 金属層が銅めっきによって形成され、ワ
    イヤが銅からなることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 半導体素子の電極形成面が外部接続端子
    が露出するように樹脂封止されていることを特徴とする
    請求項１、２または３記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 外部接続端子の表面がめっきにより被覆
    されていることを特徴とする請求項１、２、３または４
    記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 半導体素子の電極形成面に、配線パター
    ンを介して半導体素子の電極と電気的に接続する外部接
    続端子が形成された半導体装置の製造方法において、 前記電極形成面の全面に導電層を形成し、 該導電層の表面をレジストにより被覆した後、レジスト
    をパターニングして外部接続端子を接続するパッド部と
    配線パターンとが形成される部位の導電層を露出させ、 導電材からなるワイヤを前記パッド部が形成される部位
    の導電層にボンディングして外部接続端子を形成し、 前記導電層の露出部分に前記配線パターン及びパッド部
    となる金属層を形成し、 前記レジストを除去し、次いで電極形成面に露出する導
    電層を除去して配線パターン及びパッド部を形成するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 ワイヤとして金ワイヤを使用し、金めっ
    きを施して金属層を形成することを特徴とする請求項６
    記載の半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 ワイヤとして銅ワイヤを使用し、銅めっ
    きを施して金属層を形成することを特等とする請求項６
    記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 配線パターンを形成した後、外部接続端
    子が露出するように電極形成面を樹脂封止することを特
    徴とする請求項６、７または８記載の半導体装置の製造
    方法。
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