JP2002352483A - 拡散防止膜形成用ターゲット - Google Patents
拡散防止膜形成用ターゲットInfo
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- JP2002352483A JP2002352483A JP2001156922A JP2001156922A JP2002352483A JP 2002352483 A JP2002352483 A JP 2002352483A JP 2001156922 A JP2001156922 A JP 2001156922A JP 2001156922 A JP2001156922 A JP 2001156922A JP 2002352483 A JP2002352483 A JP 2002352483A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 拡散防止膜形成用ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０
原子％からなる組成を有する拡散防止膜形成用ターゲッ
トにおいて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相、Ｃｒ3Ｇ
ｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相、
またはＣｒ11Ｇｅ1 9相および目玉状複合相が混合して分
散している組織を有することを特徴とする。
原子％からなる組成を有する拡散防止膜形成用ターゲッ
トにおいて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相、Ｃｒ3Ｇ
ｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相、
またはＣｒ11Ｇｅ1 9相および目玉状複合相が混合して分
散している組織を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＤ−ＲＷ、Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤなどの光記録媒体、特にＣＤ
−ＲＷ光記録媒体における拡散防止膜を作製するための
ターゲットに関するものである。
ＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤなどの光記録媒体、特にＣＤ
−ＲＷ光記録媒体における拡散防止膜を作製するための
ターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ビームを用いて情報の記録お
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体の膜構造
は、図５の断面図に示されるように、基板１の表面に下
部誘電体膜２を形成し、この下部誘電体膜２の上に拡散
防止膜６を形成し、この拡散防止膜６の上に光記録膜３
を形成し、この光記録膜３の上に拡散防止膜６を形成
し、この拡散防止膜６の上に上部誘電体膜４を形成し、
この上部誘電体膜４の上に反射膜５を形成した構造とな
っており、実用の光記録媒体は前記反射膜５を保護する
ために反射膜５の上にさらに保護膜（図示せず）を形成
した構造となっている。かかる膜構造の光記録媒体は、
レーザー光の照射により光記録膜３を結晶状態と非晶質
状態との間で相変化させ、情報の記録・消去による書き
換えを行う。
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体の膜構造
は、図５の断面図に示されるように、基板１の表面に下
部誘電体膜２を形成し、この下部誘電体膜２の上に拡散
防止膜６を形成し、この拡散防止膜６の上に光記録膜３
を形成し、この光記録膜３の上に拡散防止膜６を形成
し、この拡散防止膜６の上に上部誘電体膜４を形成し、
この上部誘電体膜４の上に反射膜５を形成した構造とな
っており、実用の光記録媒体は前記反射膜５を保護する
ために反射膜５の上にさらに保護膜（図示せず）を形成
した構造となっている。かかる膜構造の光記録媒体は、
レーザー光の照射により光記録膜３を結晶状態と非晶質
状態との間で相変化させ、情報の記録・消去による書き
換えを行う。
【０００３】前記光記録媒体を構成する基板１は厚さ：
０．５〜３ｍｍ程度の透明な樹脂やガラスなどからなる
円板で構成されており、基板を構成する樹脂としては、
アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）樹脂、ポリイミド樹脂などが使用されている。
０．５〜３ｍｍ程度の透明な樹脂やガラスなどからなる
円板で構成されており、基板を構成する樹脂としては、
アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）樹脂、ポリイミド樹脂などが使用されている。
【０００４】また、前記光記録膜３は、Ｉｎ−Ｓｅ系組
成を有する光記録膜、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系組成を有する
光記録膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｎｉ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成を有する光記録膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を
有する光記録膜などが知られており、この光記録膜３は
通常１０〜４５ｎｍの厚さを有し、スパッタにより形成
される。これら光記録膜の内でも特にＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ
−Ｓｂ系組成を有する光記録膜を積層した光記録媒体は
オーバーライト可能回数が大で寿命が長く、さらに信頼
性が高いところから広く使用されている。そして前記Ｉ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成を有する光記録膜は、原子
％で、０＜Ｉｎ≦３０，０＜Ａｇ≦３０，１０≦Ｔｅ≦
５０，１０≦Ｓｂ≦８０の組成を有し、この組成を有す
る光記録膜は３≦Ｉｎ≦３０，２≦Ａｇ≦３０，１０≦
Ｔｅ≦５０，１５≦Ｓｂ≦８３の組成を有するターゲッ
トを用いてスパッタすることにより形成されることが知
られている（特開平８−２２６４４号公報参照）。
成を有する光記録膜、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系組成を有する
光記録膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、
Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｎｉ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系組成を有する光記録膜、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成を有する光記録膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を
有する光記録膜などが知られており、この光記録膜３は
通常１０〜４５ｎｍの厚さを有し、スパッタにより形成
される。これら光記録膜の内でも特にＩｎ−Ａｇ−Ｔｅ
−Ｓｂ系組成を有する光記録膜を積層した光記録媒体は
オーバーライト可能回数が大で寿命が長く、さらに信頼
性が高いところから広く使用されている。そして前記Ｉ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成を有する光記録膜は、原子
％で、０＜Ｉｎ≦３０，０＜Ａｇ≦３０，１０≦Ｔｅ≦
５０，１０≦Ｓｂ≦８０の組成を有し、この組成を有す
る光記録膜は３≦Ｉｎ≦３０，２≦Ａｇ≦３０，１０≦
Ｔｅ≦５０，１５≦Ｓｂ≦８３の組成を有するターゲッ
トを用いてスパッタすることにより形成されることが知
られている（特開平８−２２６４４号公報参照）。
【０００５】前記基板１の上に形成される下部誘電体膜
２は記録時に光記録膜３から基体１に伝わる熱を遮断し
て基体１を保護する作用をなし、一方、光記録膜３の上
に形成される上部誘電体膜４は光記録膜３を保護すると
共に、記録後、光記録膜に残った熱を熱伝導により放出
する作用を有する。前記下部誘電体膜２および上部誘電
体膜４は、通常、二酸化ケイ素を１０〜３０原子％含有
し、残部が硫化亜鉛からなる硫化亜鉛−二酸化ケイ素系
誘電体膜で構成されている。そして前記下部誘電体膜２
および上部誘電体膜４はいずれも純度：９９．９９９重
量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０原子％を含有し、
残部が純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体で構成されたタ
ーゲットをスパッタすることにより形成される。
２は記録時に光記録膜３から基体１に伝わる熱を遮断し
て基体１を保護する作用をなし、一方、光記録膜３の上
に形成される上部誘電体膜４は光記録膜３を保護すると
共に、記録後、光記録膜に残った熱を熱伝導により放出
する作用を有する。前記下部誘電体膜２および上部誘電
体膜４は、通常、二酸化ケイ素を１０〜３０原子％含有
し、残部が硫化亜鉛からなる硫化亜鉛−二酸化ケイ素系
誘電体膜で構成されている。そして前記下部誘電体膜２
および上部誘電体膜４はいずれも純度：９９．９９９重
量％以上の二酸化ケイ素：１０〜３０原子％を含有し、
残部が純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からな
り、相対密度が９０％以上有する焼結体で構成されたタ
ーゲットをスパッタすることにより形成される。
【０００６】さらに、前記反射膜５は、通常、Ａｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｐｔなど単
体あるいはこれら１種以上の合金など高反射率金属から
なる厚さ１〜２００ｎｍのスパッタ膜で構成されてい
る。また実用に際して反射膜５の上に形成する保護膜
（図示せず）が形成される。この保護膜（図示せず）は
耐摩耗性および耐食性を有する種々の有機化合物をスピ
ンコート、スプレーコート、ディピングすることにより
形成してもよく、さらに光を透過する酸化物、窒化物、
炭化物などの膜を使用しても良い。
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｐｔなど単
体あるいはこれら１種以上の合金など高反射率金属から
なる厚さ１〜２００ｎｍのスパッタ膜で構成されてい
る。また実用に際して反射膜５の上に形成する保護膜
（図示せず）が形成される。この保護膜（図示せず）は
耐摩耗性および耐食性を有する種々の有機化合物をスピ
ンコート、スプレーコート、ディピングすることにより
形成してもよく、さらに光を透過する酸化物、窒化物、
炭化物などの膜を使用しても良い。
【０００７】下部誘電体膜２および上部誘電体膜４はい
ずれも硫化亜鉛を主成分としており、硫化亜鉛を主成分
とする下部誘電体膜２および上部誘電体膜４が光記録膜
３に直接接すると、誘電体膜の硫黄成分が光記録膜３に
拡散し、そのために光記録膜３の性能の劣化が早くな
る。そこで拡散防止膜６を下部誘電体膜２と光記録膜３
の間および上部誘電体膜４と光記録膜３の間にそれぞれ
挟んで下部誘電体膜２および上部誘電体膜４の硫黄成分
が光記録膜３に拡散するのを防止している。この拡散防
止膜６は、Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原
子％からなる組成を有するターゲットを用い、スパッタ
リングにより形成することも知られている。
ずれも硫化亜鉛を主成分としており、硫化亜鉛を主成分
とする下部誘電体膜２および上部誘電体膜４が光記録膜
３に直接接すると、誘電体膜の硫黄成分が光記録膜３に
拡散し、そのために光記録膜３の性能の劣化が早くな
る。そこで拡散防止膜６を下部誘電体膜２と光記録膜３
の間および上部誘電体膜４と光記録膜３の間にそれぞれ
挟んで下部誘電体膜２および上部誘電体膜４の硫黄成分
が光記録膜３に拡散するのを防止している。この拡散防
止膜６は、Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原
子％からなる組成を有するターゲットを用い、スパッタ
リングにより形成することも知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、市販の拡散防
止膜形成用ターゲットは、密度および強度が低く、割れ
が発生しやすいために取り扱いに注意が必要であり、さ
らにスパッタリング中に冷却水圧力によるバッキングプ
レートの湾曲などによりターゲットに割れが頻発するな
どの欠点があった。
止膜形成用ターゲットは、密度および強度が低く、割れ
が発生しやすいために取り扱いに注意が必要であり、さ
らにスパッタリング中に冷却水圧力によるバッキングプ
レートの湾曲などによりターゲットに割れが頻発するな
どの欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
市販の拡散防止膜形成用ターゲットよりも一層高密度お
よび高強度を有する拡散防止膜形成用ターゲットを得る
べく研究を行った。その結果、（イ）市販の拡散防止膜
形成用ターゲットは、金属Ｃｒ相がＧｅ−Ｃｒ金属間化
合物相に囲まれた状態で金属Ｃｒ相がＧｅ素地中に分散
した組織を有していたが、Ｃｒ相を消滅させてＧｅ素地
中にＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相のみが分散している組織
を有する拡散防止膜形成用ターゲットを作製したとこ
ろ、密度および強度が格段に向上し、（ロ）前記Ｇｅ−
Ｃｒ金属間化合物相のみが分散している組織は、Ｇｅ素
地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相、Ｃｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19
相により包囲された目玉状複合相、またはこれらＣｒ11
Ｇｅ19相および目玉状複合相が混合して分散している混
合相である、という研究結果が得たのである。
市販の拡散防止膜形成用ターゲットよりも一層高密度お
よび高強度を有する拡散防止膜形成用ターゲットを得る
べく研究を行った。その結果、（イ）市販の拡散防止膜
形成用ターゲットは、金属Ｃｒ相がＧｅ−Ｃｒ金属間化
合物相に囲まれた状態で金属Ｃｒ相がＧｅ素地中に分散
した組織を有していたが、Ｃｒ相を消滅させてＧｅ素地
中にＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相のみが分散している組織
を有する拡散防止膜形成用ターゲットを作製したとこ
ろ、密度および強度が格段に向上し、（ロ）前記Ｇｅ−
Ｃｒ金属間化合物相のみが分散している組織は、Ｇｅ素
地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相、Ｃｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19
相により包囲された目玉状複合相、またはこれらＣｒ11
Ｇｅ19相および目玉状複合相が混合して分散している混
合相である、という研究結果が得たのである。
【００１０】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ｇｅ：５０〜９５原子％、
Ｃｒ：５〜５０原子％からなる組成を有する拡散防止膜
形成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素地中にＧｅ−Ｃｒ金
属間化合物相が分散している組織を有する拡散防止膜形
成用ターゲット、（２）Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃ
ｒ：５〜５０原子％からなる組成を有する拡散防止膜形
成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19
相からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分散している組
織を有する拡散防止膜形成用ターゲット、（３）Ｇｅ：
５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原子％からなる組成
を有する拡散防止膜形成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素
地中に、Ｃｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ1 9相により包囲され
た目玉状複合相からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分
散している組織を有する拡散防止膜形成用ターゲット、
（４）Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原子％
からなる組成を有する拡散防止膜形成用ターゲットにお
いて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相およびＣｒ 3Ｇｅ
相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相が混
合して分散している組織を有する拡散防止膜形成用ター
ゲット、に特徴を有するものである。
されたものであって、（１）Ｇｅ：５０〜９５原子％、
Ｃｒ：５〜５０原子％からなる組成を有する拡散防止膜
形成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素地中にＧｅ−Ｃｒ金
属間化合物相が分散している組織を有する拡散防止膜形
成用ターゲット、（２）Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃ
ｒ：５〜５０原子％からなる組成を有する拡散防止膜形
成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19
相からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分散している組
織を有する拡散防止膜形成用ターゲット、（３）Ｇｅ：
５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原子％からなる組成
を有する拡散防止膜形成用ターゲットにおいて、Ｇｅ素
地中に、Ｃｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ1 9相により包囲され
た目玉状複合相からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分
散している組織を有する拡散防止膜形成用ターゲット、
（４）Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０原子％
からなる組成を有する拡散防止膜形成用ターゲットにお
いて、Ｇｅ素地中に、Ｃｒ11Ｇｅ19相およびＣｒ 3Ｇｅ
相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相が混
合して分散している組織を有する拡散防止膜形成用ター
ゲット、に特徴を有するものである。
【００１１】この発明の拡散防止膜形成用ターゲット
は、Ｇｅ粉末：５０〜９５原子％、Ｃｒ粉末：５〜５０
原子％となるように配合し、混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末をホットプレスすることにより作製するこ
とができる。そのホットプレス条件は、原料粉末の粒
径、ホットプレスの温度、圧力などによって変化する。
しかし、いずれにしても金属Ｃｒ相が消滅してＧｅ−Ｃ
ｒ金属間化合物相となるような条件でホットプレスする
ことが必要である。
は、Ｇｅ粉末：５０〜９５原子％、Ｃｒ粉末：５〜５０
原子％となるように配合し、混合して混合粉末を作製し、
この混合粉末をホットプレスすることにより作製するこ
とができる。そのホットプレス条件は、原料粉末の粒
径、ホットプレスの温度、圧力などによって変化する。
しかし、いずれにしても金属Ｃｒ相が消滅してＧｅ−Ｃ
ｒ金属間化合物相となるような条件でホットプレスする
ことが必要である。
【００１２】このようにして得られたこの発明の拡散防
止膜形成用ターゲットは、図１の写生図に示されるＧｅ
素地７中にＣｒ11Ｇｅ19相８からなるＧｅ−Ｃｒ金属間
化合物相が分散している組織、図２の写生図および図３
の金属組織写真に示されるＧｅ素地７中にＣｒ3Ｇｅ相
９がＣｒ11Ｇｅ19相８により包囲された目玉状複合相１
０からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分散している組
織、または、図示してはいないが、図１に示される組織
と図２に示される組織が混在した組織を有しており、こ
れら組織を有するこの発明の拡散防止膜形成用ターゲッ
トは高密度および高強度を有するのである。これに対し
て、市販の拡散防止膜形成用ターゲットは、図４の写生
図に示されるように、金属Ｃｒ相１１がＣｒ3Ｇｅ相９
およびＣｒ11Ｇｅ19相８からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合
物相に囲まれた状態で金属Ｃｒ相１１が残存している組
織を有しており、この市販の拡散防止膜形成用ターゲッ
トは密度および強度が低いのである。
止膜形成用ターゲットは、図１の写生図に示されるＧｅ
素地７中にＣｒ11Ｇｅ19相８からなるＧｅ−Ｃｒ金属間
化合物相が分散している組織、図２の写生図および図３
の金属組織写真に示されるＧｅ素地７中にＣｒ3Ｇｅ相
９がＣｒ11Ｇｅ19相８により包囲された目玉状複合相１
０からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分散している組
織、または、図示してはいないが、図１に示される組織
と図２に示される組織が混在した組織を有しており、こ
れら組織を有するこの発明の拡散防止膜形成用ターゲッ
トは高密度および高強度を有するのである。これに対し
て、市販の拡散防止膜形成用ターゲットは、図４の写生
図に示されるように、金属Ｃｒ相１１がＣｒ3Ｇｅ相９
およびＣｒ11Ｇｅ19相８からなるＧｅ−Ｃｒ金属間化合
物相に囲まれた状態で金属Ｃｒ相１１が残存している組
織を有しており、この市販の拡散防止膜形成用ターゲッ
トは密度および強度が低いのである。
【００１３】
【発明の実施の形態】表１に示される平均粒径のＧｅ粉
末およびＣｒ粉末を用意し、これら原料粉末を表１に示
される割合で配合し、この配合粉末をポリポットの中に
入れ、５時間湿式混合し、得られた混合粉末をホットプ
レスの金型に充填し、真空雰囲気中、表１に示される温
度および圧力の条件でホットプレスすることによりホッ
トプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工す
ることにより直径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を
有する本発明拡散防止膜形成用ターゲット１〜３を作製
した。さらに、比較のために、市販の拡散防止膜形成用
ターゲットを用意し、これを従来拡散防止膜形成用ター
ゲットとした。
末およびＣｒ粉末を用意し、これら原料粉末を表１に示
される割合で配合し、この配合粉末をポリポットの中に
入れ、５時間湿式混合し、得られた混合粉末をホットプ
レスの金型に充填し、真空雰囲気中、表１に示される温
度および圧力の条件でホットプレスすることによりホッ
トプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工す
ることにより直径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を
有する本発明拡散防止膜形成用ターゲット１〜３を作製
した。さらに、比較のために、市販の拡散防止膜形成用
ターゲットを用意し、これを従来拡散防止膜形成用ター
ゲットとした。
【００１４】これら本発明拡散防止膜形成用ターゲット
１〜３および従来拡散防止膜形成用ターゲットについ
て、断面の組織を金属顕微鏡で観察したところ、Ｇｅ素
地中にＣｒ11Ｇｅ19相が分散した組織、Ｇｅ素地中にＣ
ｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複
合相が分散した組織、Ｇｅ素地中にＣｒ11Ｇｅ19相およ
び目玉状複合相が混合分散した組織、並びに金属Ｃｒ相
をＣｒ3Ｇｅ相が包囲した状態で金属Ｃｒ相が残存して
いる組織が観察され、これら組織を表１に示した。な
お、Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により
包囲された目玉状複合相が分散した組織の金属顕微鏡組
織写真を図３に示した。表１において、Ｇｅ素地中にＣ
ｒ11Ｇｅ19相が８０％以上占めて分散している組織をＣ
ｒ11Ｇｅ19相組織、Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11
Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相が８０％以上占
めている組織を目玉状複合相組織、Ｃｒ11Ｇｅ19相およ
び目玉状複合相が混合して分散しているためにどちらに
も分類できない組織を混合相組織、金属Ｃｒ相がＣｒ3
Ｇｅ相およびＣｒ11Ｇｅ19相により包囲されて金属Ｃｒ
相が残存している組織を金属Ｃｒ残存相組織、として示
し、さらにこれら本発明拡散防止膜形成用ターゲット１
〜３および従来拡散防止膜形成用ターゲットの密度およ
び抗折強度を測定し、その結果を表１に示した。
１〜３および従来拡散防止膜形成用ターゲットについ
て、断面の組織を金属顕微鏡で観察したところ、Ｇｅ素
地中にＣｒ11Ｇｅ19相が分散した組織、Ｇｅ素地中にＣ
ｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲された目玉状複
合相が分散した組織、Ｇｅ素地中にＣｒ11Ｇｅ19相およ
び目玉状複合相が混合分散した組織、並びに金属Ｃｒ相
をＣｒ3Ｇｅ相が包囲した状態で金属Ｃｒ相が残存して
いる組織が観察され、これら組織を表１に示した。な
お、Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により
包囲された目玉状複合相が分散した組織の金属顕微鏡組
織写真を図３に示した。表１において、Ｇｅ素地中にＣ
ｒ11Ｇｅ19相が８０％以上占めて分散している組織をＣ
ｒ11Ｇｅ19相組織、Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11
Ｇｅ19相により包囲された目玉状複合相が８０％以上占
めている組織を目玉状複合相組織、Ｃｒ11Ｇｅ19相およ
び目玉状複合相が混合して分散しているためにどちらに
も分類できない組織を混合相組織、金属Ｃｒ相がＣｒ3
Ｇｅ相およびＣｒ11Ｇｅ19相により包囲されて金属Ｃｒ
相が残存している組織を金属Ｃｒ残存相組織、として示
し、さらにこれら本発明拡散防止膜形成用ターゲット１
〜３および従来拡散防止膜形成用ターゲットの密度およ
び抗折強度を測定し、その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】表１に示される結果から、金属Ｃｒ残存
相組織を有しない本発明拡散防止膜形成用ターゲット１
〜３は、金属Ｃｒ残存相組織を有する従来拡散防止膜形
成用ターゲットに比べて、密度および抗折強度が格段に
優れていることが分かる。
相組織を有しない本発明拡散防止膜形成用ターゲット１
〜３は、金属Ｃｒ残存相組織を有する従来拡散防止膜形
成用ターゲットに比べて、密度および抗折強度が格段に
優れていることが分かる。
【図１】Ｇｅ素地中にＣｒ11Ｇｅ19相が分散した組織の
写生図である。
写生図である。
【図２】Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相に
より包囲された目玉状複合相が分散した組織の写生図で
ある。
より包囲された目玉状複合相が分散した組織の写生図で
ある。
【図３】Ｇｅ素地中にＣｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相に
より包囲された目玉状複合相が分散した組織の金属顕微
鏡組織写真である。
より包囲された目玉状複合相が分散した組織の金属顕微
鏡組織写真である。
【図４】金属Ｃｒ相をＣｒ3Ｇｅ相が包囲した状態で金
属Ｃｒ相が残存している組織の写生図である。
属Ｃｒ相が残存している組織の写生図である。
【図５】光記録媒体の膜構造断面図である。
１ 基板 ２ 下部誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 上部誘電体膜 ５ 反射膜 ６ 拡散防止膜 ７ Ｇｅ素地 ８ Ｃｒ11Ｇｅ19相 ９ Ｃｒ3Ｇｅ相 １０ 目玉状複合相 １１ 金属Ｃｒ相
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K018 AA40 BA20 BC12 EA01 KA32 4K029 BC07 BD00 DC05 5D121 EE03 EE09
Claims (4)
- 【請求項１】Ｇｅ：５０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜５０
原子％からなる組成を有する拡散防止膜形成用ターゲッ
トにおいて、 Ｇｅ素地中にＧｅ−Ｃｒ金属間化合物相が分散している
組織を有することを特徴とする拡散防止膜形成用ターゲ
ット。 - 【請求項２】前記Ｇｅ−Ｃｒ金属間化合物相は、Ｃｒ11
Ｇｅ19相であることを特徴とする請求項１記載の拡散防
止膜形成用ターゲット。 - 【請求項３】前記Ｇｅ−Ｃｒ金属間化合物相は、Ｃｒ3
Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ1 9相により包囲された目玉状複合相
であることを特徴とする請求項１記載の拡散防止膜形成
用ターゲット。 - 【請求項４】前記Ｇｅ−Ｃｒ金属間化合物相は、Ｃｒ11
Ｇｅ19相と、Ｃｒ3Ｇｅ相がＣｒ11Ｇｅ19相により包囲
された目玉状複合相とが混合して分散している混合相で
あることを特徴とする請求項１記載の拡散防止膜形成用
ターゲット。
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|---|---|---|---|
| JP2001156922A JP3978764B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 拡散防止膜形成用ターゲット |
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| JP2001156922A JP3978764B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 拡散防止膜形成用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002352483A true JP2002352483A (ja) | 2002-12-06 |
| JP3978764B2 JP3978764B2 (ja) | 2007-09-19 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001156922A Expired - Lifetime JP3978764B2 (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 拡散防止膜形成用ターゲット |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004067798A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2009187651A (ja) * | 2009-01-28 | 2009-08-20 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
2001
- 2001-05-25 JP JP2001156922A patent/JP3978764B2/ja not_active Expired - Lifetime
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