JP2002344818A - 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置Info
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Abstract
完全を図り、不要電荷を原因とする画面不良を防止する
ことができる固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置を提
供すること。 【解決手段】 露光期間Dが所定以上に長い場合に、シ
ャッタトリガTRGが入力されてから所定期間PT1、
電子シャッタを作動させる。これにより、露光期間Dが
開始されるまでの間に、電子シャッタの作動回数を増加
させることができるので、フォトセンサ内の不要電荷を
完全に掃き捨てることが可能となる。
Description
って露光期間の制御を行う固体撮像素子の駆動方法及
び、電子シャッタ機能を有する固体撮像素子で撮像する
撮像手段を備えた撮像装置に関する。
型の固体撮像素子は、家庭用ビデオカメラ、デジタルス
チルカメラなどの分野に広く使用されているが、現在、
電気的に露光期間を調整する電子シャッタ機能を有する
CCD固体撮像素子が広く採用されている。
N型シリコン基板上にP型ウェル領域を形成すると共
に、このP型ウェル内にフォトセンサ、垂直転送レジス
タ、水平転送レジスタ及び出力部が設けられており、水
平ブランキング期間(水平転送レジスタにおける電荷転
送を停止し、垂直転送レジスタにて電荷転送を行う期
間)に、N型シリコン基板に高電圧を印加してフォトセ
ンサに蓄積された信号電荷を基板側へ掃き捨て、信号電
荷の蓄積期間すなわち露光期間を制御するようにしてい
る。
捨て方法としては、露光開始時までの間、垂直同期信号
と同じ周期で基板にシャッタパルスを印加して、信号電
荷の掃き捨てを繰り返し行う方法がある。図19は、
(a)読出しパルスVt及び(b)シャッタパルスVs
ubのタイミングチャートの一例を示している。読出し
パルスVt1により信号電荷を読み出した後の1フィー
ルド期間T1におけるシャッタ期間T2では、シャッタ
パルスVsubがLレベルからHレベルに繰り返し切り
換わることによりフォトセンサ内の信号電荷が基板側へ
掃き捨てられる。シャッタ期間T2後のシャッタパルス
VsubがLレベルに維持される期間T3が、フォトセ
ンサ内に信号電荷を蓄積する電荷蓄積期間、すなわち露
光期間となる。そして、露光期間T3内に蓄積された信
号電荷は、1フィールド期間終了後の読出しパルスVt
2によって垂直転送レジスタに読み出される。
露光期間T3はシャッタ期間T2によって制御され、シ
ャッタ期間T2は電子シャッタの回数(シャッタパルス
Vsubの本数)によって決定される。この電子シャッ
タの回数は、被写体像の明暗によって制御される。
素サイズが益々小型化し、チップサイズの縮小化、多画
素化が図られている。それに伴い、画素に入射する光量
が減少するため感度が低下したり、フォトセンサ領域が
縮小するため飽和信号量が低下するなどの問題が発生す
る。入射光感度の低下抑制策の1つとしてフォトセンサ
領域にマイクロレンズを配して集光性を高める技術が公
知となっている。また、飽和信号量の低下抑制策として
は、フォトセンサ領域下のポテンシャル井戸を深くして
多くの電荷を蓄積できるようにしている。
子シャッタ機能に必要なシャッタパルス電圧(以下、シ
ャッターマージンという。)が高くなる傾向にある。フ
ォトセンサ領域下のポテンシャル井戸の深長化と、電子
シャッタ時に潰すべきオーバーフローバリアの電位の上
昇が、その理由である。このため、1回の電子シャッタ
操作でフォトセンサ領域内の信号電荷を確実に掃き捨て
ることが困難になってきている。
デジタルスチルカメラ等の撮像装置に関しては、被写体
像が暗い場合、被写体光束の受光量を高めるために、1
フィールド期間T1内における露光期間T3を長くする
ことになるが、相対的にシャッタ期間T2が短縮され、
電子シャッタの回数が低減されることになる。
低減によって問題となるのは、例えば最大露光期間ある
いは最大露光期間近くにまで露光期間T3が設定される
と、電子シャッタの回数が1回あるいはそれに近い回数
となるが、電子シャッタの作動回数が少ないと、それま
でに蓄積された不要電荷を完全に掃き捨てることが困難
となり、残った電荷が信号電荷として出力され、再生画
像に影響を与えるということである。
信号を用いて画面を構築する高速ドラフトモードと、撮
影時にのみ全画素からの出力信号を用いて撮像画面を構
築するフレーム読出しモードの2つのモードを備えたデ
ジタルスチルカメラにあっては、高速ドラフトモードか
らフレーム読出しモードへの移行時に、高速ドラフトモ
ード時に出力されない画素に蓄積された電荷が電子シャ
ッタ操作で完全に掃き捨てられずにフレーム読出しモー
ド時に信号電荷と共に出力されることによって、図20
に示したように撮像画面10上に信号量の相違による周
期的な明暗の横筋が発生し、画面不良となる問題があ
る。
るための様々な施策が試みられ、効果のある方法も見つ
かってはいるが、工程数増加による製造コスト上昇の問
題や、今後更に単位画素サイズを縮小した場合にそれだ
けでは不十分になるという問題を有している。したがっ
て製造コストを増加させることなく、今後更に単位画素
サイズを縮小した場合でも効果が得られるような技術が
現在、強く望まれている。
期間が長い場合でも電子シャッタ機能の完全を図り、不
要電荷を原因とする画面不良を防止することができる固
体撮像素子の駆動方法及び撮像装置を提供することを課
題とする。
当たり、本発明の固体撮像素子の駆動方法は、露光期間
が所定以上の時、シャッタパルスの印加回数を増加させ
ることによって、電子シャッタ機能の完全を図るように
している。なお、増加させるシャッタパルスの印加回数
としては、シャッターマージンの大きさに応じて適宜設
定されるが、少なくとも、フォトセンサ内の飽和した蓄
積電荷を完全に掃き捨てることができる回数であればよ
い。
定以上の時、電子シャッタの回数を増設する電子シャッ
タ制御手段を有することを特徴とする。これにより、露
光期間が長い場合でも電子シャッタ機能の完全を図るこ
とができ、不要電荷を原因とする画面不良を防止するこ
とが可能となる。
て図面を参照して説明する。本実施の形態では、撮像装
置としてCCD固体撮像素子を用いたデジタルスチルカ
メラに本発明を適用した例について説明する。
置の構成を示すブロック図である。撮像装置1は、撮影
光学系2と、撮影光学系2を通過した被写体光束による
被写体像を固体撮像素子3で撮像する撮像手段としての
撮像部4と、固体撮像素子3の電子シャッタ機能を制御
する電子シャッタ制御部5とを備えている。
シャッタ制御手段として構成され、垂直同期信号VD及
び水平同期信号HD等の同期信号を発生する同期信号発
生器6と、同期信号発生器6から出力される垂直同期信
号VD及び水平同期信号HD等が入力され、固体撮像素
子3の駆動用の各種のタイミング信号を発生するタイミ
ング発生器7と、タイミング発生器7から出力されるタ
イミング信号が入力され、垂直転送パルス、水平転送パ
ルス及び露光期間制御用のシャッタパルス等を与えて固
体撮像素子3を駆動するドライバ8とから構成されてい
る。
うに、二次元的に配列されたフォトセンサからなる受光
部11と、それぞれ一列分の受光部11に対し読出しゲ
ート12を介して接続される垂直転送レジスタ13と、
垂直転送レジスタ13の下端に共通に接続される水平転
送レジスタ14と、水平転送レジスタ14の一端に接続
される出力部15とを備えた、いわゆるインターライン
転送方式のCCD固体撮像素子として構成される。
3に示す。第1導電型の半導体基板であるN型シリコン
基板21には、オーバーフロー層となる第2導電型の領
域としてのP型ウェル領域22が形成されている。この
P型ウェル領域22の表面には、受光部11を形成する
ためのN型の不純物拡散領域からなる電荷蓄積部24
と、垂直転送レジスタ13を構成するN型の転送領域3
1と、P+ 型のチャネルストッパ領域34とが形成され
ている。更に、上記N型の電荷蓄積領域24の表面には
P++型の正電荷蓄積領域25が形成され、N型の転送領
域31の直下にスミアの低減を目的としたP+ 型ウェル
領域30が形成されている。N型の電荷蓄積領域24と
転送領域31との間のP型領域は、読出しゲート部35
を構成している。
域34及び読出しゲート部35上に、例えばSiO2 か
らなるゲート絶縁膜23を介して多結晶シリコン層から
なる転送電極32が形成され、これら転送領域31、ゲ
ート絶縁膜23及び転送電極32によって、垂直転送レ
ジスタ13が構成される。なお、転送電極32は1層目
の多結晶シリコン層及び2層目の多結晶シリコン層から
構成されるが、図では1層目の多結晶シリコン層のみを
示している。
コン酸化膜26が形成され、その上に金属遮光膜33が
形成されている。金属遮光膜33は受光部11の形成領
域において選択的にエッチング除去されており、光は、
このエッチング除去によって形成された開口を通じて受
光部11内に入射される。金属遮光膜33及び受光部1
1の全面には層間絶縁膜27を介してカラーフィルタ
(R,G,Bの三原色フィルタやY,M,C,Gの補色
フィルタ)28が形成されており、更にカラーフィルタ
28の上にはマイクロレンズ29が形成されている。
面にP型ウェル領域22を形成すると共に、このP型ウ
ェル領域22内に受光部11を構成するN型の蓄積領域
24を形成することで、いわゆる電子シャッタ機能付き
のCCD固体撮像素子が構成される。シリコン基板21
には、通常の駆動状態では低電圧電源36の電圧が印加
され、シャッタパルスに同期して高電圧電源37の電圧
が印加される。図4はシリコン基板21の深さ方向にお
けるポテンシャル分布を示すが、シリコン基板21に高
電圧電源37の電圧が印加されると、P型ウェル領域2
2におけるポテンシャル障壁(オーバーフローバリア)
が下がり、受光部11に蓄積された信号電荷(この場
合、電子)が上記ポテンシャル障壁を越えて縦方向、つ
まりシリコン基板21側に掃き捨てられる。
垂直転送レジスタ13における転送電極構造を示してい
る。転送電極32は4つ(V1,V2,V3,V4)の
電極で1組となっており、V1,V2,V3,V4には
それぞれタイミング(位相)の異なる電圧が印加され、
水平ブランキング期間に、垂直転送レジスタ13中の信
号電荷を水平転送レジスタ14の方向へ転送する。ま
た、電極V1及びV3は、受光部11に蓄積した信号電
荷を垂直転送レジスタ13へ読み出すための読出しゲー
トの役割も担っている。
の電極からなり、電極V3はV3A及びV3Bの2つの
電極からなっている。そして、後述するフレーム読出し
モード時には、V1A,V1B,V3A及びV3Bの全
ての電極に読出し電圧が印加されて全ての受光部11に
蓄積された信号電荷が読み出される一方、後述する高速
ドラフトモード時には、V1A及びV3Aの電極のみに
読出し電圧が印加され、一部の受光部11に蓄積された
信号電荷が読み出される構造となっている。
のデジタルスチルカメラの動作と、これに適用される固
体撮像素子3の駆動タイミングとの関係を示すタイミン
グチャート例である。(a)は撮像装置1の動作モード
であり、高速ドラフトモードと、露光モードと、フレー
ム読み出しモードとからなる。(b)は垂直同期信号V
Dを示す。(c)〜(h)は各電極に印加される垂直転
送パルスを示し、信号読出し時には読出しパルスが重畳
される。(i)はシャッタパルスを示し、シャッタパル
スの印加時に電子シャッタが作動する。(j)はシャッ
タトリガであり、撮像装置1の図示しないシャッタボタ
ンのON操作でトリガ信号TRGが入力される。(k)
は撮像部4内に配置されるメカニカルシャッタ9(図
1)の動作を示し、Hレベルのときが開状態、Lレベル
のときが閉状態を示している。メカニカルシャッタ9が
開状態のときは、撮影光学系2を通過した被写体光束が
固体撮像素子3の受光部11に入射し、メカニカルシャ
ッタ9が閉状態のときは上記被写体光束の受光部11へ
の入射が遮断される。(l)は基板バイアスコントロー
ル回路の駆動タイミングであるが、その詳細については
後述する。そして(m)は固体撮像素子3の出力部15
(図2)から出力される出力信号データを示している。
の液晶表示画面10(図1)に、撮像した映像を1秒間
に約30回(フレームレート=30frame/sec)表示さ
せるモードをいい、撮像したい映像を決定する際に使用
される。近年のデジタルスチルカメラ用途のCCD固体
撮像素子の総画素数は数100万画素と非常に大きいた
め、液晶表示画面10に全ての画素(受光部11)の信
号を上記のフレームレートで表示することは不可能であ
る。そのため、この高速ドラフトモードでは、上記のフ
レームレートを達成できる程度に画素を間引いて信号電
荷を読み出すようにしている。
B及びV3Bに読出し電圧を印加せず、電極V1A及び
V3Aのみに読出し電圧を印加する。そうすることで、
V1A及びV3A電極に隣接する画素の信号電荷のみを
読み出すことが可能となる。図5に示した電極構造で言
えば、3ライン中の1ラインの信号電荷を読み出し、信
号量を1/3に縮小することで、上記フレームレートを
実現している。
撮像装置1で撮影した映像の情報を固体撮像素子3の全
画素から読み出すモードのことであり、フレームレート
としては数frame/sec 程度である。このモードでは、メ
カニカルシャッタ9を閉じて固体撮像素子3に入射する
光を遮断した後、最初に電極V1A及びV1Bのみに読
出し電圧を印加し、受光部11に蓄積された信号電荷を
垂直転送レジスタ13に読み出して、全画素のうち半数
の画素の信号を1ラインおきに取り出す。続いて、電極
V3A及びV3Bのみに読出し電圧を印加して、残りの
半数の画素に蓄積された信号電荷を垂直転送レジスタ1
3に読み出して信号を取り出す。その後、2回に分けて
取り出した信号を重ね合わせることで、1つの映像を得
るようにしている。
なわち露光期間は、電子シャッタを作動させない期間で
決定される。図6(i)において矢印A〜Dで表される
露光期間の調整は、露光直前に印加するシャッタパルス
の本数すなわち電子シャッタの作動回数を変更すること
で可能となる。例えば、露光期間Dを短くしたい場合は
電子シャッタの作動回数を増やし、露光期間を長くした
い場合は電子シャッタの作動回数を減らせばよい。
信号電荷は出力信号A,B及びC(図6(m))として
順次出力され(高速ドラフトモード)、矢印Dの期間に
蓄積された信号電荷は、奇数(ODD)フィールドと偶
数(EVEN)フィールドの2回に分けて出力信号Dと
して出力される(フレーム読み出しモード)。また、再
び高速ドラフトモードに移行した後の露光期間Eは、同
様に出力信号Eとして出力される。
ール回路は、固体撮像素子3の外部に設けられ、シリコ
ン基板21の電位を引き下げる作用を行う。本実施の形
態では、撮像装置1のシャッタボタン(図6(j)のT
RGに相当。)を押すと同時に、基板バイアスコントロ
ール回路に電圧が印加されてシリコン基板21に印加す
る電圧が2〜3V程度低下される。その後、露光動作
(図6(i)の矢印D)を行い、メカニカルシャッタ9
を閉じてフレーム読み出しモードが開始される。
る受光部11直下のポテンシャル分布を示す。基板バイ
アスコントロール時、基板電位が2〜3V低下されて実
線で示すポテンシャルとなり、破線で示す基板バイアス
コントロールがされない時に比べて飽和信号電荷量が増
大される。このように、基板バイアスコントロール回路
にて基板21に印加する電圧を低下させるのは、以下の
理由による。
トセンサ領域が信号電荷で満たされた場合、入射光を遮
るとフォトセンサ領域に蓄積されていた電子数は時間と
共に減少し、ある量で安定化する。蓄積された電子数が
時間と共に減少するのは、ある値以上の運動エネルギを
もった電子がP型ウェル領域22で形成されるポテンシ
ャルのバリアを飛び越えてシリコン基板21側に抜けて
いくためである。その後、上記バリアを飛び越えられる
電子はなくなり、電子の数は一定となる。そこで、高い
運動エネルギをもった電子が抜けた後でも飽和信号電荷
量を保証できるように、露光動作を開始する前に基板に
印加する電圧を低下させ、見かけ上、電荷の蓄積量を高
めるようにしている。
間は、電子シャッタの作動回数(シャッタパルスの印加
回数)で決定される。電子シャッタは通常、垂直同期信
号VDと同期して作動される。このとき、被写体が暗い
ことに起因して露光期間が所定以上に長くなると、その
分、電子シャッタを作動させるシャッタ期間が浸食され
て短くなり、電子シャッタの作動回数が低減される。電
子シャッタの作動回数が少なくなると、図20に示した
ように撮像画面10上に周期的な明暗の横筋が見られ、
画面不良につながる。この横筋の発生メカニズムは、以
下のとおりである。
Cの時、全画素に信号電荷が蓄積される。高速ドラフト
モード駆動中であるため、電極V1A及びV3Aのみに
読み出し電圧が印加され、一部のフォトセンサ領域(受
光部11)から垂直転送レジスタ13へ信号電荷が読み
出される。一方、電極V1B及びV3Bに隣接するフォ
トセンサ領域に蓄積されている電荷量は、高速ドラフト
モード時には読み出されない。その後、電子シャッタが
作動し、全てのフォトセンサ領域に蓄積された信号電荷
はシリコン基板21側へ掃き捨てられる。このとき、電
極V1A及びV3Aに隣接するフォトセンサに蓄積され
ている電荷量は僅かであるが、電極V1B及びV3Bに
隣接するフォトセンサに蓄積されている電荷量は、直前
に読み出し動作が行われていないため大きくなる。
おいては、図8に示すように露光期間が長く電子シャッ
タの作動回数が少ない場合(極端な場合は1回)、電極
V1A及びV1Bに隣接するフォトセンサに蓄積されて
いる電荷は基板側に完全に引き抜けるのに対し、電極V
1B及びV3Bに隣接するフォトセンサに蓄積されてい
る電荷は完全に引き抜くことができず、一部の電荷がフ
ォトセンサに残る。
するフォトセンサに電荷の一部が残った状態で露光動作
を行うと、その後のフレーム読み出しモードの出力信号
に周期的な明暗のラインが発生する。つまり、電極V1
B及びV3Bに隣接するフォトセンサには電子シャッタ
で引き抜けなかった電荷の一部が信号電荷に加算される
ため、実際よりも信号量が多くなる。一方、電極V1A
及びV3Aに隣接するフォトセンサは電子シャッタによ
って電荷が完全に引き抜かれているため、信号電荷のみ
が蓄積されている。したがって、電極V1A及びV3A
に隣接するフォトセンサの信号は、上下の電極V1B及
びV3Bに隣接するフォトセンサの信号に対し少なくな
る。その結果、固体撮像素子全体に均一な光が入射した
場合、撮像画面上で周期的に暗いライン(横筋)が発生
してしまう。
の時(本実施の形態では電子シャッタの作動回数が4回
以下)、後述するように電子シャッタの作動回数(シャ
ッタパルスの印加回数と同義。以下、同じ。)を増設す
ることによって、シャッターマージンの大きな固体撮像
素子であっても確実なる電子シャッタ機能を確保するよ
うにしている。電子シャッタの駆動タイミングの調整
は、上述した構成の電子シャッタ制御部4によって行わ
れる。
1の実施の形態による電子シャッタの動作タイミングを
示している。本実施の形態では、露光期間が所定以上の
時、撮像装置1のシャッタトリガTRGを所定の入力信
号として、当該シャッタボタンを押した直後から露光期
間Dが開始されるまでの期間PT1にわたって、電子シ
ャッタを作動させ続けるようにしている。
合でも、シャッタトリガTRGが入力されてから露光動
作に入るまでの間、電子シャッタが作動し続けるため、
電極V1B及びV3Bに隣接するフォトセンサに蓄積さ
れた信号電荷を完全に掃き捨てることが可能となり、シ
ャッターマージンの大きい固体撮像素子であっても、不
要電荷による撮像画面上の横筋の発生を防止することが
できる。一方、電子シャッタの作動回数の増大によりシ
ャッターマージンの低減が図られ、もって、撮像装置1
全体の消費電力の低減が図られる。
を垂直同期信号に同期して作動させる例を示したが、こ
れに代えて、電子シャッタを水平同期信号に同期して作
動させるようにすれば、作動周期を短くしてより多くの
電子シャッタを作動させることが可能となる。
第2の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、露光期間が所定以上
の時であって、シャッタトリガTRGが入力された後の
露光期間Dの最初の所定期間PT2に、電子シャッタを
所定回数作動させるようにしている。
合でも、露光期間Dの最初の所定期間PT2において電
子シャッタを作動させることができるため、電極V1B
及びV3Bに隣接するフォトセンサに蓄積された信号電
荷を完全に掃き捨てることが可能となり、不要電荷によ
る撮像画面上の横筋の発生を防止することができる。ま
た、本実施の形態によれば、露光期間Cで蓄積された出
力信号Cも使用することが可能となる。
マージンの大きさ等の固体撮像素子の特性に応じて適宜
変更可能であり、少なくとも、電子シャッタ機能の完全
が図れる回数の電子シャッタを作動させることができる
期間であればよい。また、所定期間PT2の設定によ
り、期間D’が実質的な露光期間とされる(後述する第
5、第8及び第9の実施の形態においても同様とす
る)。
第3の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、露光期間が所定以上
の時であって、シャッタトリガTRGが入力された後の
露光期間Dを調整するための電子シャッタの動作タイミ
ングを、水平同期信号に同期させて作動させるようにし
ている。
合でも、電子シャッタの作動回数を多くすることができ
るため、電極V1B及びV3Bに隣接するフォトセンサ
に蓄積された信号電荷を完全に掃き捨てることが可能と
なり、不要電荷による撮像画面上の横筋の発生を防止す
ることができる。また、本実施の形態によれば、露光期
間Cで蓄積された出力信号Cも使用することが可能とな
る。
第4の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、露光期間が所定以上
の時であって、シャッタトリガTRGが入力された後の
電子シャッタの動作タイミングを、露光期間Dが開始さ
れる前の所定期間PT3に電子シャッタを所定回数作動
させるようにしている。つまり、露光期間Cが終了した
後、電子シャッタを所定期間PT3(0秒<PT3<1
/30秒)作動させ、その後、露光期間Dの調整のため
の電子シャッタを作動させるような駆動タイミングとし
ている。
合でも、電子シャッタを作動させる期間を十分に確保す
ることができるため、電極V1B及びV3Bに隣接する
フォトセンサに蓄積された信号電荷を完全に掃き捨てる
ことが可能となり、不要電荷による撮像画面上の横筋の
発生を防止することができる。また、本実施の形態によ
れば、露光期間Cで蓄積された出力信号Cも使用するこ
とが可能となると共に、露光時間Dを最大1/30秒確
保することができる。
第5の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、上述の第1の実施の
形態と第2の実施の形態とを組み合わせた例を示してい
る。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、シャ
ッタトリガTRGが入力された後の電子シャッタの動作
タイミングを、当該シャッタボタンを押した直後から所
定期間PT1にわたって、電子シャッタを作動させ続け
ると共に、露光期間Dの最初の所定期間PT2に電子シ
ャッタを所定回数作動させるようにしている。
されてから所定期間PT1にわたって電子シャッタが作
動し続けると共に、露光期間Dの最初の所定期間PT2
においても電子シャッタが作動するので、露光期間が所
定以上に長い場合でも、電極V1B及びV3Bに隣接す
るフォトセンサに蓄積された信号電荷を完全に掃き捨て
ることが可能となり、不要電荷による撮像画面上の横筋
の発生を防止することができる。
第6の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、上述の第1の実施の
形態と第3の実施の形態とを組み合わせた例を示してい
る。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、シャ
ッタトリガTRGが入力された後の電子シャッタの動作
タイミングを、当該シャッタボタンを押した直後から所
定期間PT1にわたって電子シャッタを作動させ続ける
と共に、露光期間Dを調整するための電子シャッタの動
作タイミングを水平同期信号に同期させて作動させるよ
うにしている。
されてから所定期間PT1にわたって電子シャッタが作
動し続けると共に、電子シャッタの作動回数を多くする
ことができるため、露光期間が所定以上に長い場合で
も、電極V1B及びV3Bに隣接するフォトセンサに蓄
積された信号電荷を完全に掃き捨てることが可能とな
り、不要電荷による撮像画面上の横筋の発生を防止する
ことができる。
第7の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、上述の第1の実施の
形態と第4の実施の形態とを組み合わせた例を示してい
る。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、シャ
ッタトリガTRGが入力された後の電子シャッタの動作
タイミングを、当該シャッタボタンを押した直後から所
定期間PT1にわたって電子シャッタを作動させ続ける
と共に、露光期間Dが開始される前の所定期間PT3に
電子シャッタを所定回数作動させるようにしている。
されてから所定期間PT1にわたって電子シャッタが作
動し続けると共に、電子シャッタを作動させる期間を十
分に確保することができるため、露光期間が所定以上に
長い場合でも、電極V1B及びV3Bに隣接するフォト
センサに蓄積された信号電荷を完全に掃き捨てることが
可能となり、不要電荷による撮像画面上の横筋の発生を
防止することができる。また、露光期間Dを最大1/3
0秒確保することができる。
第8の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、上述の第2の実施の
形態と第3の実施の形態とを組み合わせた例を示してい
る。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、シャ
ッタトリガTRGが入力された後の露光期間Dを調整す
るための電子シャッタの動作タイミングを水平同期信号
に同期させて作動させると共に、露光期間Dの最初の所
定期間PT2に電子シャッタを所定回数作動させるよう
にしている。
くすることができると共に、露光期間Dの最初の所定期
間PT2において電子シャッタを作動させることができ
るため、露光期間が所定以上に長い場合でも、電極V1
B及びV3Bに隣接するフォトセンサに蓄積された信号
電荷を完全に掃き捨てることが可能となり、不要電荷に
よる撮像画面上の横筋の発生を防止することができる。
第9の実施の形態による電子シャッタの動作タイミング
を示している。本実施の形態では、上述の第2の実施の
形態と第4の実施の形態とを組み合わせた例を示してい
る。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、シャ
ッタトリガTRGが入力された後の電子シャッタの動作
タイミングを、露光期間Dが開始される前の所定期間P
T3に電子シャッタを所定回数作動させると共に、露光
期間Dの最初の所定期間PT2に電子シャッタを所定回
数作動させるようにしている。
間を十分に確保することができるので、露光期間が所定
以上に長い場合でも、電極V1B及びV3Bに隣接する
フォトセンサに蓄積された信号電荷を完全に掃き捨てる
ことが可能となり、不要電荷による撮像画面上の横筋の
発生を防止することができる。
の第10の実施の形態による電子シャッタの動作タイミ
ングを示している。本実施の形態では、上述の第3の実
施の形態と第4の実施の形態とを組み合わせた例を示し
ている。すなわち、露光期間が所定以上の時であって、
シャッタトリガTRGが入力された後の電子シャッタの
動作タイミングを、露光期間Dが開始される前の所定期
間PT3に電子シャッタを所定回数作動させると共に、
このときの電子シャッタの動作タイミングを水平同期信
号に同期させて作動させるようにしている。
間を十分に確保しながら、電子シャッタの作動回数を多
くすることができるため、露光期間が所定以上に長い場
合でも、電極V1B及びV3Bに隣接するフォトセンサ
に蓄積された信号電荷を完全に掃き捨てることが可能と
なり、不要電荷による撮像画面上の横筋の発生を防止す
ることができる。
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。
の実施の形態を組み合わせる等、第1〜第4の実施の形
態を3つ以上組み合わせて電子シャッタの動作タイミン
グを調整することも可能である。
としてデジタルスチルカメラを例に挙げて説明したが、
これに限らず、デジタルビデオカメラにも本発明は適用
可能である。この場合、電子シャッタ機能の不完全によ
るデジタルビデオカメラに特有な撮像不良として、スポ
ット状の明暗不良の発生が本発明により防止されること
になる。
の効果を得ることができる。
ば、露光期間が所定以上に長い場合でも電子シャッタ機
能の完全を図ることができる。これにより、シャッター
マージンの大きい固体撮像素子であっても、不要電荷に
よる撮像画面上の横筋の発生を防止することができる。
以上に長い場合でも、所定の外部信号が入力された直後
から露光動作に入るまでの間、シャッタパルスを印加し
続けるため、電子シャッタ機能の完全を図ることができ
る。
以上に長い場合でも、露光期間の最初の所定期間におい
てシャッタパルスを印加することができるため、電子シ
ャッタ機能の完全を図ることができる。
以上に長い場合でも、シャッタパルスの印加回数を多く
することができるため、電子シャッタ機能の完全を図る
ことができる。
以上に長い場合でも、シャッタパルスを印加する期間を
十分に確保することができるため、電子シャッタ機能の
完全を図ることができる。
間が所定以上に長い場合でも電子シャッタ機能の完全を
図ることができ、不要電荷に起因する画面不良を防止す
ることができる。また、電子シャッタの作動回数の増加
により、撮像装置全体の消費電力の低減を図ることも可
能となる。
以上に長い場合でも、シャッタトリガが入力されてから
露光動作に入るまでの間、電子シャッタが作動し続ける
ため、電子シャッタ機能の完全を図ることができ、もっ
て、不要電荷に起因する画面不良を防止することができ
る。
以上に長い場合でも、露光期間の最初の所定期間におい
て電子シャッタを作動させることができるため、電子シ
ャッタ機能の完全を図ることができ、もって、不要電荷
に起因する画面不良を防止することができる。
以上に長い場合でも、電子シャッタの作動回数を多くす
ることができるため、電子シャッタ機能の完全を図るこ
とができ、もって、不要電荷に起因する画面不良を防止
することができる。
定以上に長い場合でも、電子シャッタを作動させる期間
を十分に確保することができるため、電子シャッタ機能
の完全を図ることができ、もって、不要電荷に起因する
画面不良を防止することができる。
す説明図である。
成を説明する平面図である。
素周辺の構成を示す断面図である。
光部の深さ方向のポテンシャル分布図である。
直転送レジスタの電極構成図である。
明する主要なクロックパルスのタイミングチャートであ
る。
説明する受光部の深さ方向のポテンシャル分布図であ
る。
定以上に長い場合の電子シャッタの動作タイミングを示
す図である。
の動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
タの動作タイミングを示す図である。
ッタの動作タイミングを示す図である。
示すタイミング図である。
…撮像部(撮像手段)、5…電子シャッタ制御部(電子
シャッタ制御手段)、11…受光部、12…読出しゲー
ト、13…垂直転送レジスタ、14…水平転送レジス
タ、15…出力部、21…シリコン基板(第1導電型の
半導体基板)、22…P型ウェル領域(第2導電型の領
域)、24…電荷蓄積領域、31…転送領域、32,V
1〜V4…(垂直)転送電極。
Claims (10)
- 【請求項1】 第1導電型の半導体基板に形成された第
2導電型の領域に、フォトセンサからなる電荷蓄積領域
と、前記電荷蓄積領域にて蓄積された信号電荷を転送す
る転送領域とが設けられた固体撮像素子に対し、シャッ
タパルスを印加することにより、前記電荷蓄積領域に蓄
積された信号電荷を前記半導体基板側に掃き捨てて露光
期間の制御を行う固体撮像素子の駆動方法において、 前記露光期間が所定以上の時、前記シャッタパルスの印
加回数を増加させることを特徴とする固体撮像素子の駆
動方法。 - 【請求項2】 前記露光期間が所定以上の時、所定の外
部信号が入力された直後から前記露光期間が開始される
までの間にわたって、前記シャッタパルスを印加し続け
ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の駆
動方法。 - 【請求項3】 前記露光期間が所定以上の時、前記露光
期間の最初の所定期間を前記シャッタパルスを所定回数
印加する期間とすることを特徴とする請求項1に記載の
固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項4】 前記露光期間が所定以上の時、前記シャ
ッタパルスを水平同期信号に同期させて印加することを
特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項5】 前記露光期間が所定以上の時、前記露光
期間が開始される前の所定期間を前記シャッタパルスを
所定回数印加する期間とすることを特徴とする請求項1
に記載の固体撮像素子の駆動方法。 - 【請求項6】 撮影光学系を通過した被写体光束による
被写体像を、電子シャッタを有する固体撮像素子で撮像
する撮像手段を備えた撮像装置において、前記撮像手段
の露光期間が所定以上の時、前記電子シャッタの回数を
増設する電子シャッタ制御手段を有することを特徴とす
る撮像装置。 - 【請求項7】 前記電子シャッタ制御手段が、シャッタ
トリガが入力された直後から前記露光期間が開始される
までの間にわたって、前記電子シャッタを作動させ続け
ることを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。 - 【請求項8】 前記電子シャッタ制御手段が、前記露光
期間の最初の所定期間に前記電子シャッタを所定回数作
動させることを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。 - 【請求項9】 前記電子シャッタ制御手段が、前記電子
シャッタを水平同期信号に同期させて作動させることを
特徴とする請求項6に記載の撮像装置。 - 【請求項10】 前記電子シャッタ制御手段が、前記露
光期間が開始される前の所定期間に前記電子シャッタを
所定回数作動させることを特徴とする請求項6に記載の
撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001150415A JP2002344818A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001150415A JP2002344818A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002344818A true JP2002344818A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18995428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001150415A Pending JP2002344818A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002344818A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007028059A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2008193050A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01300771A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 固体撮像素子の駆動方式 |
JPH05328232A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | Ccd型固体撮像素子 |
JPH1051696A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001150415A patent/JP2002344818A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01300771A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 固体撮像素子の駆動方式 |
JPH05328232A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | Ccd型固体撮像素子 |
JPH1051696A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007028059A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP4642580B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2008193050A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
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