JP2002343910A - ヒートシンク並びにその製造方法 - Google Patents

ヒートシンク並びにその製造方法

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heat
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哲児 片岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱効率を向上することのできる新規なヒー
トシンク並びにその製造方法の開発を技術課題とした。 【解決手段】 電子部品３等の被冷却部材に対して直接
接するベース部１０と、このベース部１０から突出する
放熱突起１２とを具えて成る放熱部材において、ベース
部１０には、被冷却部材と接触しない表面側に標準放熱
突起１２ａを具えるものであり、更に裏面側に増設放熱
突起１２ｂを具えることを特徴として成り、電子部品３
等で発生した熱をいったんベース部１０全域に分散させ
て、ここから表面側に具えた標準放熱突起１２ａに伝導
するとともに、裏面側に具えた増設放熱突起１２ｂにも
伝導するため、これら標準放熱突起１２ａ及び増設放熱
突起１２ｂから空気への放熱がなされ、ヒートシンク１
の放熱効率の向上が図られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は大規模集積回路等の
放熱を促すヒートシンクに関するものであって、特にベ
ース部の被冷却部材と接触する側の面に放熱突起を増設
することにより冷却効率の向上を図ったヒートシンク並
びにその製造方法に係るものである。
【０００２】
【発明の背景】本出願人は、大規模集積回路等の放熱を
促すヒートシンクの研究開発を行っており、すでに多く
の特許出願に関与している。これらはいずれも例えばア
ルミニウム素材を塑性加工し、ベース部から放熱突起を
多数立ち上がるように形成したものであるが、この放熱
突起の高さ等、直接冷却性能にかかわる形状設定等は従
来の斯界の常識を超えた仕様を得ている。
【０００３】このようなヒートシンクは主としてパソコ
ンのＣＰＵ等の放熱部材として用いられるものである
が、市場においてはより一層の処理速度の向上が求めら
れる傾向にあり、クロック周波数の上昇及びゲート数の
増加に伴うＣＰＵ等の発熱量の増大は避けられない状況
にある。
【０００４】そこで更なる放熱効率の向上を図るべく種
々の工夫、開発がなされており、この場合、放熱突起に
よる放熱効率をより向上させるという着眼はもとより基
本的なテーマとなるが、前記パソコン等は、熱源となる
素子を具えたいくつかのユニットが筐体内に組み込まれ
ることから、筐体内ではユニットの配設状況に応じて冷
却風の流れが生起されているため、場合によってはこれ
ら冷却風の流れを更に有効利用する余地が残されてい
た。
【０００５】
【解決を試みた技術課題】本発明はこのような背景を認
識してなされたものであって、ベース部における被冷却
部材と接触しない表面側に標準放熱突起を具えるととも
に、裏面側に増設放熱突起を具えることにより放熱効率
を向上することのできる新規なヒートシンク並びにその
製造方法を開発することを技術課題としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち請求項１記載の
ヒートシンクは、金属素材を塑性変形させることにより
形成されるとともに、作動時に放熱を必要とする電子部
品等の被冷却部材に対して直接接するベース部と、この
ベース部から突出する放熱突起とを具えて成る放熱部材
において、前記ベース部には、被冷却部材と接触しない
表面側に標準放熱突起を具えるものであり、更に裏面側
に増設放熱突起を具えることを特徴として成るものであ
る。この発明によれば、電子部品等で発生した熱をいっ
たんベース部全域に分散させて、ここから表面側に具え
た標準放熱突起に伝導するとともに、裏面側に具えた増
設放熱突起にも伝導するため、これら標準放熱突起及び
増設放熱突起から空気への放熱がなされるため、ヒート
シンクの放熱効率の向上が図られる。
【０００７】また請求項２記載のヒートシンクは、前記
要件に加え、前記ベース部における被冷却部材との接触
部は、ノッククランプ部を利用して構成したものであ
り、この接触部の周囲に前記増設放熱突起が形成される
ことを特徴として成るものである。この発明によれば、
ヒートシンクを製造する上で不可欠且つ放熱突起を形成
することができないノッククランプ部を接触部とするこ
とにより、被冷却部材との接触部以外の部分全域に増設
放熱突起を形成することが可能となるため、より一層の
ヒートシンクの放熱効率の向上が図られる。
【０００８】更にまた請求項３記載のヒートシンクは、
前記要件に加え、前記増設放熱突起は、標準放熱突起よ
りも先に塑性変形したものであることを特徴として成る
ものである。この発明によれば、出発素材は、まず増設
側において塑性変形された後、引き続いて標準側におい
て塑性変形されるため、素材の流れが均質になされる。
このため、ヒートシンクを構成する金属分子が規則正し
く配列され、熱伝導が効率的に行われる。
【０００９】更にまた請求項４記載のヒートシンクは、
前記要件に加え、前記ベース部は、その側面から冷却促
進用の穴空け加工を施したものであることを特徴として
成るものである。この発明によれば、ヒートシンクを冷
媒による冷却が可能なものとして構成し、冷却能力をよ
り一層高めたものとすることができる。
【００１０】また請求項５記載のヒートシンクの製造方
法は、ワークを所定金型内において加圧鍛造し、ベース
部と、このベース部から突出する放熱突起とを形成して
ヒートシンクを鍛造する方法において、前記金型におけ
る上型及び下型の双方に成形孔を形成して、これら型に
よって金属素材を塑性変形させることにより、ベース部
の表面側に標準放熱突起を形成するとともに、裏面側に
増設放熱突起を形成することを特徴として成るものであ
る。この発明によれば、電子部品等で発生した熱をいっ
たんベース部全域に分散させて、ここから表面側に具え
た標準放熱突起に伝導するとともに、裏面側に具えた増
設放熱突起にも伝導することにより、これら標準放熱突
起及び増設放熱突起から空気への放熱がなされる放熱効
率の良好なヒートシンクを製造することができる。
【００１１】更にまた請求項６記載のヒートシンクの製
造方法は、前記請求項５記載の要件に加え、前記ベース
部には被冷却部材との接触部が形成されるものであり、
この接触部は金型による成形時においてノッククランプ
部として機能することを特徴として成るものである。こ
の発明によれば、ヒートシンクを製造する上で不可欠且
つ放熱突起を形成することができないノッククランプ部
を接触部とすることにより、被冷却部材との接触部以外
の部分全域に増設放熱突起を形成することが可能となる
ため、より一層の放熱効率の向上が図られたヒートシン
クを製造することができる。
【００１２】更にまた請求項７記載のヒートシンクは、
前記請求項５または６記載の要件に加え、前記増設放熱
突起を形成するための形成孔の断面面積を、標準放熱突
起を形成するための形成孔の断面面積よりも大きく設定
することにより、増設放熱突起が標準放熱突起よりも先
に形成されるようにすることを特徴として成るものであ
る。この発明によれば、出発素材が、まず増設側におい
て塑性変形された後、引き続いて標準側において塑性変
形されることにより、素材の流れが均質になされ、ヒー
トシンクを構成する金属分子が規則正しく配列されたヒ
ートシンクを製造することができる。そしてこれら各請
求項記載の発明の構成を手段として前記課題の解決が図
られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図示の実施
の形態に基づいて説明する。なおこの説明にあたって
は、まず本発明のヒートシンクについてその構造を説明
した後、その製造工程を説明しながら併せて本発明のヒ
ートシンクの製造方法について説明する。また本明細書
中においては、加工を全く施していない状態の金属製の
材料を出発素材Ｗ0 、成形途中のものを中間素材Ｗ1 、
成形が終了し離型したものを製品素材Ｗ2 と定義し、こ
れらすべてを金属素材Ｗとして総称する。また前記製品
素材Ｗ2 に対し、適宜必要に応じて全体にアルマイト加
工またはメッキ処理等の表面処理もしくはネジ切り加工
等を施したものが製品状態のヒートシンク１となるもの
である。
【００１４】図１はヒートシンク１の使用状態を示すも
のであり、このものは、一例として配線用基板２に実装
された電子部品３に対して、適宜スリーブ５、ビス６等
を用いて組み付けた状態で供されるものである。ヒート
シンク１におけるベース部１０の底面には接触部１１が
形成されるものであり、この接触部１１が前記電子部品
３の上面に密着され、電子部品３で発生する熱をベース
部１０に受けるとともに、このベース部１０のに多数形
成した放熱突起１２からその周辺の雰囲気に熱を放出し
て電子部品３の冷却を図るものである。
【００１５】前記図１、２に示すヒートシンク１は出発
素材Ｗ0 を塑性変形することにより、一例として平面視
方形状のベース部１０の表裏面に多数の放熱突起１２が
ほぼ垂直に立ち上がるように成形されたものである。な
おここでベース部１０における表裏面について言及して
おくと、前記使用状態において、被冷却部材たる電子部
品３と接触しない側の面を表面と定義し、一方、その反
対側の面を裏面と定義するものである。因みにこのヒー
トシンク１は主成分を熱伝導率の高いアルミニウム、銅
合金等とした金属材料から成るものであって、前記放熱
突起１２が形成されるベース部１０の面積に対し、放熱
突起１２の総表面積は数十倍にも形成されているため放
熱効率が極めて高いものである。
【００１６】またこの実施の形態では、前記ベース部１
０における被冷却部材との接触部１１は、後述する型部
材７との係止部分となるノッククランプ部１７を利用し
て構成されるものであり、この実施の形態ではベース部
１０の裏面中央部に方形状に形成した。またベース部１
０に対してはその側面から冷却促進用の穴空け加工を施
すものであり、一例として接触部１１の上方部に冷媒通
過穴１５を形成した。この冷媒通過穴１５には適宜パイ
プを装入するなどして、このパイプ内に冷媒を通過させ
て吸熱を図るものである。
【００１７】次に放熱突起１２について説明すると、こ
のものは前記ベース部１０に対して一体的に形成される
ものであり、表面側に標準放熱突起１２ａが突出した状
態で形成され、一方、裏面側に増設放熱突起１２ｂが突
出した状態で形成される。また前記増設放熱突起１２ｂ
は、接触部１１の周囲に形成されるものであり、詳細は
後ほど製造方法の説明において言及するが、前記標準放
熱突起１２ａよりも先に塑性変形して成るものである。
【００１８】なおこの実施の形態では、前記放熱突起１
２の形状は、図３（ａ）に示すような長方形の四隅にＲ
を付けた断面形状のものとするが、図３（ｂ）に示すよ
うな長楕円の断面形状のもの、更に図３（ｃ）に示すよ
うな円筒の外周部に対してその長手方向に沿った複数の
フィン１２ｆを形成したもの等種々の形状が採り得る。
また前記放熱突起１２の配列については、この実施の形
態では同一形状のものを縦横規則的に配列したが、異な
った形状のものをベース部１０の中心から放射状に配列
する等、適宜の形態が採り得るものである。
【００１９】そしてこのようにして構成されたヒートシ
ンク１を、配線用基板２上に実装された発熱が著しいＩ
Ｃ等の電子部品３に、前記ベース部１０の裏面に形成さ
れた接触部１１を密着させた状態で固定するものであ
る。なお電子部品３と接触部１１との接触面に対してシ
リコーングリースを塗布したり、あるいは電子部品３と
接触部１１との間にシリコーンゴム製のサーマルシート
を介在させることにより、熱伝導率の向上を図るもので
ある。
【００２０】前記ヒートシンク１を具えた配線用基板２
はパソコン本体の筐体内に配置されるものであり、電子
部品３で発生した熱はベース部１０全域に分散され、こ
こから標準放熱突起１２ａ及び増設放熱突起１２ｂに伝
導し、やがてこれら標準放熱突起１２ａ及び増設放熱突
起１２ｂの表面に接する空気へと放熱される。なお前記
個々の標準放熱突起１２ａ間においては空気の昇温によ
って自然対流が生起するものであり、標準放熱突起１２
ａ間に位置する空気は上方へと逃げ出し、ここに新たな
空気が入り込んで放熱が継続されるものである。一方、
個々の増設放熱突起１２ｂ間において昇温された空気
は、パソコン等の筐体に具えたファンＦによって筐体内
に生起された風流によって側方へと逃げ出し、ここに新
たな空気が入り込んで放熱が継続されるものである。な
お既存のヒートシンクでは、ベース部の裏面に放熱突起
が形成されていないため、ベース部の裏側において放熱
はほとんどなされていなかった。
【００２１】本発明のヒートシンク１は一例として上述
したような構造を有するものであり、以下このものの製
造方法を説明するが、この説明に先立ってヒートシンク
１の製造装置について説明する。この製造装置は図４に
示すように、出発素材Ｗ0 を押し出す上型７０と、ベー
ス部１０及び放熱突起１２を成形するための下型７５と
を具えて成る型部材７を主要部材とするものである。
【００２２】前記下型７５には出発素材Ｗ0 を内部に受
け入れる受入凹部７６を形成するものであり、この受入
凹部７６には標準放熱突起１２ａを形成するための成形
孔７７が多数穿孔されている。この成形孔７７は出発素
材Ｗ0 に最初に当接する側が、標準放熱突起１２ａの平
面寸法を設定するための絞り部７７ａとなっており、絞
り部７７ａの奥方（図４（ｃ）において下方）は絞り部
７７ａより広い拡開部７７ｂとなっている。なお前記絞
り部７７ａの形状は、標準放熱突起１２ａの形状に合わ
せて種々改変されるものである。
【００２３】また図４（ｂ）に示すように、下型７５の
成形孔７７の周縁面にはこれら成形孔７７を個別に仕切
る仕切リブ７８が形成されている。この仕切リブ７８
は、各成形孔７７内へ出発素材Ｗ0 及び中間素材Ｗ1 の
一部が均等に流れ込むようにするものである。このよう
な仕切リブ７８を設けることによって、出発素材Ｗ0 及
び中間素材Ｗ1 の抵抗の少ない方へ流れ込むという性質
が規制され、各成形孔７７に対して所望の出発素材Ｗ0
及び中間素材Ｗ1 を供給できるようになるものである。
【００２４】次に前記上型７０について説明すると、こ
の上型７０は前記下型７５の受入凹部７６に嵌挿される
凸部７１によって出発素材Ｗ0 の一部を成形孔７７内へ
絞り込むものである。そして凸部７１には図４（ａ）に
示すように断面視アリ溝形状の保持凹部７１ａが形成さ
れるものであり、成形時にはこの保持凹部７１ａ内に出
発素材Ｗ0 の一部が充填されることによりノッククラン
プ部１７が形成される。この結果、上型７０の離反時に
は成形後の製品素材Ｗ2 が把持されることとなるため、
下型７５からの製品素材Ｗ2 の離型を行うためのチャッ
キング装置等を別途必要としない。
【００２５】また前記保持凹部７１ａに把持された製品
素材Ｗ2 を上型７０から離型するために、シリンダ等に
よって保持凹部７１ａ内に向けて進退自在なノックピン
７２が設けられている。
【００２６】更に凸部７１には増設放熱突起１２ｂを形
成するための塞がり孔状の成形孔７３が多数穿孔されて
おり、この成形孔７３の断面面積は、前記下型７５にお
ける成形孔７７（絞り部７７ａ）の断面面積よりも大き
く設定される。なお成形孔７３には、形成孔７７におけ
る絞り部７７ａに相当する構造を形成していないが、こ
れは増設放熱突起１２ｂが短寸であるためその表面と形
成孔７７内面との間の抵抗が少ないからである。なお前
記成形孔７３の形状は、増設放熱突起１２ｂの形状に合
わせて種々改変されるものである。また図４（ｄ）に示
すように、上型７０の成形孔７３の周縁面にはこれら成
形孔７３を個別に仕切る仕切リブ７４が形成されてい
る。なおこの実施の形態においては、下型７５によって
標準放熱突起１２ａを形成し、上型７０によって増設放
熱突起１２ｂを形成するようにしたが、下型７５によっ
て増設放熱突起１２ｂを形成し、上型７０によって標準
放熱突起１２ａを形成するようにしてもよい。本発明の
ヒートシンクの製造方法に供する製造装置は、一例とし
て上述のような構造を有するものであり、以下このもの
を用いたヒートシンクの製造方法について説明する。
【００２７】（１）出発素材の形成及び成形準備 まずアルミニウム等の金属材料から平板状あるいはブロ
ック状の金属板を形成し、このものから受入凹部７６に
嵌まり込むようなブロック状の出発素材Ｗ0 を切り出
す。そしてこの出発素材Ｗ0 を下型７５の受入凹部７６
内に位置させる。
【００２８】（２）ノッククランプ部の形成 そして上型７０における凸部７１を下型７５の受入凹部
７６内に嵌挿させながら出発素材Ｗ0 に押し当ててこの
出発素材Ｗ0 を圧縮する。すると出発素材Ｗ0 の一部は
まず最初に図５（ａ）に示すように断面面積の最も大き
な保持凹部７１ａ内に移動してノッククランプ部１７を
形成するものであり、このノッククランプ部１７と保持
凹部７１ａとの係合によって、上型７０による製品素材
Ｗ2 のチャッキング状態が得られるようになる。
【００２９】（３）増設放熱突起の形成 続いて出発素材Ｗ0 は、下型７５における成形孔７７よ
りも断面面積の大きな成形孔７３内にその一部が絞り込
まれるようにして変形し、図５（ｂ）に示すような中間
素材Ｗ1 に成形されてゆくものであり、このとき図４
（ｄ）に示すように成形孔７３の周縁の仕切リブ７４に
より、各成形孔７３へほぼ均等な量の金属素材Ｗが流れ
込む。そして更に出発素材Ｗ0 は、絞り部７３ａの形状
に絞られながら上方に移動して増設放熱突起１２ｂが形
成されてゆく。なお上型７０における成形孔７３は塞が
り孔状であるため、出発素材Ｗ0 が充実した後は増設放
熱突起１２ｂの成長は停止する。
【００３０】（４）標準放熱突起の形成 その後更に凸部７１を受入凹部７６内に嵌挿させながら
押し当てると、図５（ｃ）に示すように中間素材Ｗ1 の
一部が下型７５の成形孔７７内に絞り込まれるようにし
て変形し、このとき図４（ｂ）に示すように成形孔７７
の周縁の仕切リブ７８により、各成形孔７７へほぼ均等
な量の金属素材Ｗが流れ込む。そして更に中間素材Ｗ1
は、絞り部７７ａの形状に絞られながら下方に移動して
標準放熱突起１２ａが形成されてゆく。なお下型７５に
おける絞り部７７ａの奥方は拡開部７７ｂとなってい
て、標準放熱突起１２ａの先端が形成されていくとき接
触しないため、加工時の抵抗は少ないものとなる。やが
て所望長の標準放熱突起１２ａが形成された時点で上型
７０による押圧を停止する。
【００３１】(５）下型からの離型 続いて図６（ａ）に示すように上型７０を上方に持ち上
げると、製品素材Ｗ2は保持凹部７１ａによってチャッ
キングされた状態となっているため、上型７０と同時に
持ち上げられ、やがて下型７５から離型される。
【００３２】（６）上型からの離型 続いて図６（ｂ）に示すように、ノックピン７２を下方
へ押し出すことにより保持凹部７１ａによる製品素材Ｗ
2 のチャッキングを解除し、このものを上型７０から離
型する。
【００３３】（７）仕上げ加工 そして適宜図示しない工程において、必要であれば放熱
突起１２の長さを切り揃えたり、製品素材Ｗ2 にビスポ
ケット１３、冷媒通過穴１５等を形成する等した後、更
にアルマイト加工またはメッキ処理等の表面処理を施し
て製品状態のヒートシンク１を得るものである。
【００３４】
【他の実施の形態】本発明は上述した実施の形態を基本
となる実施の形態とするものであるが、本発明の技術的
思想に基づいて、更に次のような改変を行うこともでき
る。図８に示すものは、ヒートシンク１における標準放
熱突起１２ａ対して強制空冷手段の一例であるファンユ
ニット８を搭載して構成されたファンヒートシンクユニ
ットＵの使用状態を示すものであって、配線用基板２に
搭載された電子部品３に、前記ヒートシンク１における
ベース部１０の底面を密着させて使用する。そしてこの
ようにファンユニット８を搭載する場合には、前記ベー
ス部１０に対して支柱１６を一例として四隅に形成する
ものであり、個々の支柱１６の上端部には雌ねじを切っ
てビスポケット１３を形成する。
【００３５】このような構成を採った場合、図８に示す
ように標準放熱突起１２ａはファンユニット８による強
制空冷が成される一方、増設放熱突起１２ｂは適宜筐体
に設けられた全体冷却用のファンＦによって生起される
風流によって冷却されることとなる。なお既存のヒート
シンクでは、ベース部の裏面に放熱突起が形成されてい
ないため、ベース部の裏側において放熱はほとんどなさ
れていなかった。
【００３６】また前記基本と成る実施の形態において
は、製品素材Ｗ2 を上型７０から離型するにあたって、
保持凹部７１ａにおいてチャッキングされている接触部
１１（ノッククランプ部１７）をノックピン７２によっ
て押し出すように構成したが、他の手法が取り得るもの
である。まず図７（ａ）に示すようにノックピン７２に
よる押圧個所を、ベース部１０の裏面における増設放熱
突起１２ｂが形成されない個所としてもよい。また図７
（ｂ）に示すように接触部１１をノッククランプ部１７
として供するのではなく、増設放熱突起１２ｂの一つを
ノッククランプ部１７として利用することもできる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ヒートシンク１におけ
るベース部１０に対して、被冷却部材と接触しない表面
側に標準放熱突起１２ａを具えるとともに、裏面側に増
設放熱突起１２ｂを具えることにより放熱効率を向上す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のヒートシンクの使用状態を一部透視し
て示す斜視図である。
【図２】同上縦断側面図である。
【図３】放熱突起の複数の形態を示す斜視図である。
【図４】ヒートシンクの製造装置を一部拡大して示す縦
断面図である。
【図５】ヒートシンクが形成されてゆく状態を段階的に
示す縦断面図である。
【図６】ヒートシンクの離型の様子を示す縦断面図であ
る。
【図７】製品素材の離型方法を異ならせた実施の形態を
示す縦断側面図である。
【図８】ファンヒートシンクユニットを示す縦断側面図
である。
【符号の説明】
１ ヒートシンク ２ 配線用基板 ３ 電子部品 ５ スリーブ ６ ビス ７ 型部材 ８ ファンユニット １０ ベース部 １１ 接触部 １２ 放熱突起 １２ａ 標準放熱突起 １２ｂ 増設放熱突起 １２ｆ フィン １３ ビスポケット １５ 冷媒通過穴 １６ 支柱 １７ ノッククランプ部 ７０ 上型 ７１ 凸部 ７１ａ 保持凹部 ７２ ノックピン ７３ 成形孔 ７４ 仕切リブ ７５ 下型 ７６ 受入凹部 ７７ 成形孔 ７７ａ 絞り部 ７７ｂ 拡開部 ７８ 仕切リブ Ｆ ファン Ｕ ファンヒートシンクユニット Ｗ 金属素材 Ｗ0 出発素材 Ｗ1 中間素材 Ｗ2 製品素材

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属素材を塑性変形させることにより形
    成されるとともに、作動時に放熱を必要とする電子部品
    等の被冷却部材に対して直接接するベース部と、このベ
    ース部から突出する放熱突起とを具えて成る放熱部材に
    おいて、前記ベース部には、被冷却部材と接触しない表
    面側に標準放熱突起を具えるものであり、更に裏面側に
    増設放熱突起を具えることを特徴とするヒートシンク。
  2. 【請求項２】 前記ベース部における被冷却部材との接
    触部は、ノッククランプ部を利用して構成したものであ
    り、この接触部の周囲に前記増設放熱突起が形成される
    ことを特徴とする請求項１記載のヒートシンク。
  3. 【請求項３】 前記増設放熱突起は、標準放熱突起より
    も先に塑性変形したものであることを特徴とする請求項
    １または２記載のヒートシンク。
  4. 【請求項４】 前記ベース部は、その側面から冷却促進
    用の穴空け加工を施したものであることを特徴とする請
    求項１、２または３記載のヒートシンク。
  5. 【請求項５】 ワークを所定金型内において加圧鍛造
    し、ベース部と、このベース部から突出する放熱突起と
    を形成してヒートシンクを鍛造する方法において、前記
    金型における上型及び下型の双方に成形孔を形成して、
    これら型によって金属素材を塑性変形させることによ
    り、ベース部の表面側に標準放熱突起を形成するととも
    に、裏面側に増設放熱突起を形成することを特徴とする
    ヒートシンクの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記ベース部には被冷却部材との接触部
    が形成されるものであり、この接触部は金型による成形
    時においてノッククランプ部として機能することを特徴
    とする請求項５記載のヒートシンクの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記増設放熱突起を形成するための形成
    孔の断面面積を、標準放熱突起を形成するための形成孔
    の断面面積よりも大きく設定することにより、増設放熱
    突起が標準放熱突起よりも先に形成されるようにするこ
    とを特徴とする請求項５または６記載のヒートシンクの
    製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011134769A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 放熱部品及び電子部品装置
JP2012077988A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Fujitsu Ltd 熱中継機構及び放熱フィン

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6416642U (ja) * 1987-07-17 1989-01-27
JPH088565A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sansha Electric Mfg Co Ltd 冷却フィン構造
JPH08306833A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Hiromi Kataoka 熱交換部品並びにその製造方法並びに製造装置
JPH10126075A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH10224068A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Cable Ltd ヒートパイプ式ヒートシンク
JP2000106414A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Daikin Ind Ltd 放熱フィンの取付構造

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6416642U (ja) * 1987-07-17 1989-01-27
JPH088565A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sansha Electric Mfg Co Ltd 冷却フィン構造
JPH08306833A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Hiromi Kataoka 熱交換部品並びにその製造方法並びに製造装置
JPH10126075A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH10224068A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Cable Ltd ヒートパイプ式ヒートシンク
JP2000106414A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Daikin Ind Ltd 放熱フィンの取付構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011134769A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Shinko Electric Ind Co Ltd 放熱部品及び電子部品装置
JP2012077988A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Fujitsu Ltd 熱中継機構及び放熱フィン

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