JP2002338389A - シリコン単結晶酸素濃度の制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶の軸方向に関する酸素濃度分布を望ま
しい範囲内に納めるとともに、単結晶の径方向に関する
酸素濃度分布の均一化を図ることができるシリコン単結
晶酸素濃度の制御方法を提供すること。 【解決手段】 予め酸素濃度の軸方向分布と操業時の制
御因子との関係式、及び酸素濃度の径方向分布と坩堝回
転速度との関係式を求めておき、所望の酸素濃度の径方
向分布を得るための坩堝回転速度に対する制限条件を算
出し、操業中の坩堝回転速度がこの制限条件を超えない
範囲で、他の前記制御因子を制御することにより、所望
の酸素濃度の径方向分布及び軸方向分布を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシリコン単結晶酸素
濃度の制御方法に関し、より詳細には、チョクラルスキ
ー法（以下、ＣＺ法と記す）等によりシリコン溶融液か
らシリコン単結晶（以下、単に単結晶と記す）を引き上
げる際のシリコン単結晶酸素濃度の制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の材料となる単結晶を引き上げる
には種々の方法があるが、その一つにＣＺ法がある。図
１はこのＣＺ法により単結晶を引き上げる際に用いられ
る単結晶成長装置を模式的に示した断面図であり、図中
１１は炉本体を示している。炉本体１１内がチャンバ１
０になっており、チャンバ１０の上部は円柱状の上部チ
ャンバ１０ａとなっている。チャンバ１０の中央部には
有底円筒形状をした石英坩堝１２ａが配設され、石英坩
堝１２ａ内にはシリコンの溶融液１３が充填されるよう
になっている。また石英坩堝１２ａの外周には有底円筒
形状をした黒鉛坩堝１２ｂが配設されており、これら石
英坩堝１２ａと黒鉛坩堝１２ｂとにより坩堝１２が構成
されている。また坩堝１２下部には回転軸１４を介して
駆動装置（図示せず）が接続されており、この駆動装置
を駆動させると坩堝１２が所定速度で回転・上下動する
ようになっている。

【０００３】また坩堝１２の外側にはこれと同心円状に
ヒータ１５ａ及び断熱材１５ｃが配設されており、ヒー
タ１５ａにより石英坩堝１２ａ内に充填されたシリコン
原料が溶融されて溶融液１３が形成されるようになって
いる。また坩堝１２の中心軸上には引上軸１６が吊設さ
れ、引上軸１６の先端には種結晶保持具１６ａを介して
種結晶１６ｂが取り付けられ、引上軸１６は上方に引き
上げられるようになっている。

【０００４】またチャンバ１０の下部は開口部（図示せ
ず）を介して真空ポンプ（図示せず）に接続されてお
り、この真空ポンプを駆動させてチャンバ１０内の圧力
を所定圧力に設定するようになっている。また上部チャ
ンバ１０ａにはガス供給装置（図示せず）が接続されて
おり、このガス供給装置を駆動させてＡｒ等の不活性ガ
スを所定流量、チャンバ１０内に供給するようになって
いる。

【０００５】このように構成された結晶成長装置を用
い、ＣＺ法により単結晶を引き上げる場合、まず石英坩
堝１２ａ内にシリコン原料を充填し、真空ポンプを駆動
させてチャンバ１０内を所定圧力に設定すると共に、ガ
ス供給装置を駆動させてチャンバ１０内に所定流量の不
活性ガスを導入する。次にヒータ１５ａに電流を供給し
て坩堝１２を加熱し、溶融液１３を形成する。次に引上
軸１６先端に取り付けられた種結晶１６ｂを溶融液１３
表面に接触させた後、坩堝１２を所定速度で回転させな
がら引上軸１６を引き上げ、溶融液１３を凝固させて単
結晶２０を成長させる。

【０００６】ところで、単結晶２０に関する品質評価項
目の一つとしてシリコン単結晶酸素濃度が挙げられる。
単結晶中の酸素は、製品としてのシリコンウェ−ハの機
械的強度を高める働きをするのみならず、シリコンウェ
−ハ内の不純物を捕獲する作用（イントリンシックゲッ
タリング作用）を有し、単結晶２０内に所定濃度の酸素
が固溶していると半導体素子の性能を向上させ得るた
め、シリコン単結晶酸素濃度を所望の範囲内に納めるこ
とは単結晶製造における重要な管理項目となっている。

【０００７】この酸素の供給源は石英坩堝１２ａであ
り、石英坩堝１２ａから溶融液１３に溶け出した酸素の
一部が固液界面を通して単結晶２０中に取り込まれてゆ
く。しかし、単結晶２０が引き上げられて溶融液１３面
の高さが低くなるにつれ、溶融液１３と石英坩堝１２ａ
との接触面積が減少し、これに伴い石英坩堝１２ａから
溶融液１３への酸素の溶け込み量が減少して単結晶中の
酸素濃度が減少し、その結果、単結晶２０の軸方向（引
き上げ方向）に関する酸素濃度が不均一になり易いとい
う問題があった。この問題に対処するため、単結晶引き
上げの際の単結晶の回転速度を坩堝の回転速度よりも次
第に速くしてゆくとともに、坩堝の回転速度を単結晶の
引き上げに伴って速くしてゆくといったシリコン単結晶
酸素濃度の制御方法が提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】単結晶の回転速度及び
坩堝の回転速度は、坩堝内における溶融液の流動状態に
直接的に影響を及ぼす因子であるため、単結晶中の酸素
濃度を制御するうえで重要な制御因子である。単結晶が
引き上げられて溶融液面の高さが低くなるにつれ、溶融
液と石英坩堝との接触面積が減少し、石英坩堝から溶融
液への酸素の溶け込み量が減少して単結晶中の酸素濃度
が減少してゆくことから、単結晶の回転速度及び坩堝の
回転速度を単結晶の引き上げに伴い大きくすることは、
単結晶の軸方向に関する酸素濃度の均一化を図るうえで
有効であることは確かである。

【０００９】しかしながら、単結晶の回転速度及び坩堝
の回転速度を大きくすることにより、単結晶直下の溶融
液の流動状態は複雑なものとなり、単結晶の径方向に関
する酸素濃度を均一に維持することは非常に困難とな
る。すなわち、坩堝の回転速度を大きくするに従い、単
結晶中の径方向に関する酸素濃度分布の均一性は悪化す
ることとなる。また、単結晶の回転速度を大きくしてい
った場合には、単結晶が変形し易くなり、円柱形状の望
ましい形状をした単結晶を引き上げることが困難にな
る。

【００１０】最近では、シリコンウェ−ハの大口径化に
伴い、同一のシリコンウェ−ハからは同じ品質を有した
デバイスを作製するといった観点より、単結晶の径方向
に関する酸素濃度分布を制御することがますます重要に
なってきている。

【００１１】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、単結晶の軸方向に関する酸素濃度分布を望ましい
範囲内に納めるとともに、単結晶の径方向に関する酸素
濃度分布の均一化を図ることができるシリコン単結晶酸
素濃度の制御方法を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係るシリコン単結晶酸素濃度
の制御方法（１）は、石英坩堝内のシリコン溶融液より
シリコン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶酸素濃
度の制御方法において、予め酸素濃度の軸方向分布と操
業時の制御因子との関係式、及び酸素濃度の径方向分布
と坩堝回転速度との関係式を求めておき、所望の酸素濃
度の径方向分布を得るための坩堝回転速度に対する制限
条件を算出し、操業中の坩堝回転速度がこの制限条件を
超えない範囲で、他の前記制御因子を制御することによ
り、所望の酸素濃度の径方向分布及び軸方向分布を得る
ことを特徴としている。上記シリコン単結晶酸素濃度の
制御方法（１）によれば、単結晶の軸方向に関する酸素
濃度分布の均一化を図りながら、しかも単結晶の径方向
に関する酸素濃度分布の均一化をも図ることが可能とな
る。

【００１３】また、本発明に係るシリコン単結晶酸素濃
度の制御方法（２）は、石英坩堝内のシリコン溶融液よ
りシリコン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶酸素
濃度の制御方法において、予め酸素濃度の軸方向分布と
操業時の制御因子との関係式、酸素濃度の径方向分布と
坩堝回転速度との関係式、及び単結晶の変形率と単結晶
の回転速度との関係式を求めておき、所望の酸素濃度の
径方向分布を得るための坩堝回転速度に対する制限条
件、及び許容される単結晶の変形率に対する単結晶の回
転速度の制限条件を算出し、操業中の坩堝回転速度及び
単結晶の回転速度が前記制限条件を超えない範囲で、他
の前記制御因子を制御することにより、所望の酸素濃度
の径方向分布及び軸方向分布を得ることを特徴としてい
る。上記シリコン単結晶酸素濃度の制御方法（２）によ
れば、単結晶の軸方向に関する酸素濃度分布の均一化を
図りながら、単結晶を変形させることなく、円柱形状を
した単結晶を引き上げることができ、しかも単結晶の径
方向に関する酸素濃度分布の均一化をも図ることが可能
となる。

【００１４】また、本発明に係るシリコン単結晶酸素濃
度の制御方法（３）は、上記シリコン単結晶酸素濃度の
制御方法（１）又は（２）において、前記制限条件が、
単結晶の引き上げ率の所定の各区間毎に設定されている
ものであることを特徴としている。上記シリコン単結晶
酸素濃度の制御方法（３）によれば、前記制限条件が、
単結晶の引き上げ率の所定の各区間毎に設定されている
ので、単結晶の軸方向に関する酸素濃度分布の均一化、
及び単結晶の径方向に関する酸素濃度分布の均一化をよ
り一層高レベルで達成することが可能となる。

【００１５】また、本発明に係るシリコン単結晶酸素濃
度の制御方法（４）は、上記シリコン単結晶酸素濃度の
制御方法（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記操業
時の制御因子が、単結晶の引き上げ率、単結晶の回転速
度、坩堝の回転速度、チャンバ−内の圧力、不活性ガス
の流量、ヒ−タ電力であることを特徴としている。上記
シリコン単結晶酸素濃度の制御方法（４）によれば、単
結晶の軸方向に関する酸素濃度分布の均一化、及び単結
晶の径方向に関する酸素濃度分布の均一化を確実に図る
ことが可能となる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るシリコン単結
晶酸素濃度の制御方法の実施の形態を図面に基づいて説
明する。なお、シリコン単結晶の引上げに使用する装置
で、上述した装置の構成部品と同一機能を有する構成部
品には同一の符号を付してその説明を省略することとす
る。図１は実施の形態に係るシリコン単結晶酸素濃度の
制御方法を実施しながら、単結晶を引き上げる際に用い
られる単結晶成長装置を模式的に示した断面図である。

【００１７】炉本体１１の上方にはワイヤ回転装置１８
を介してワイヤ引き上げ装置１９が配設されており、ワ
イヤ回転装置１８及びワイヤ引き上げ装置１９にはモ−
タ１８ａ、１９ａが装備されており、モ−タ１８ａを駆
動させると引上軸１６が回転し、モ−タ１９ａを駆動さ
せると引上軸１６が上下方向に昇降するようになってい
る。これら引上軸１６、ワイヤ回転装置１８及びワイヤ
引き上げ装置１９を含んで昇降手段１７が構成されてい
る。また上部チャンバ１０ａにはガス供給装置（図示せ
ず）が接続されており、このガス供給装置を駆動させる
とＡｒ等の不活性ガスが所定流量、チャンバ１０内に供
給されるようになっている。

【００１８】また坩堝１２の外側にはこれと同心円状に
ヒータ１５ａが配設されており、ヒータ１５ａは電力供
給装置１５ｂに接続され、これらヒータ１５ａと電力供
給装置１５ｂとを含んで加熱手段１５が構成されてい
る。ヒータ１５ａにより石英坩堝１２ａ内に充填された
シリコン原料が溶融されて溶融液１３が形成されるよう
になっている。

【００１９】また炉本体１１の中央部には観測窓１１ａ
が形成されており、観測窓１１ａを挟んで単結晶２０と
対向する箇所には二次元ＣＣＤカメラ３１が配設されて
おり、二次元ＣＣＤカメラ３１は画像処理部３２に接続
されており、この画像処理部３２は温度算出制御手段３
３及び引き上げ速度演算制御手段３４に接続されてい
る。二次元ＣＣＤカメラ３１は単結晶２０の周囲に形成
されるフュ−ジョンリング２１の近傍における輝度分布
を検出し、この輝度分布を画像処理部３２で処理するこ
とにより、単結晶２０の直径、単結晶２０の変形具合の
指標となる直径変形率を算出するようになっている。

【００２０】また、温度算出制御手段３３は加熱手段１
５に接続され、温度算出制御手段３３により加熱手段１
５が制御されるようになっている。また、引き上げ速度
演算制御手段３４はワイヤ回転装置１８及びワイヤ引き
上げ装置１９に接続され、モ−タ１８ａ、１９ａを駆動
させて引上軸１６の昇降回転を制御するように構成され
ている。また、チャンバ１０の下部は真空ポンプ（図示
せず）に接続されており、この真空ポンプを駆動させて
チャンバ１０の炉内圧を所定圧力に設定するようになっ
ている。

【００２１】このように構成された結晶成長装置を用
い、ＣＺ法により単結晶２０を引き上げる場合、まず石
英坩堝１２ａ内にシリコン原料を充填し、真空ポンプを
駆動させてチャンバ１０内を所定圧力に設定すると共
に、ガス供給装置を駆動させてチャンバ１０内に所定流
量の不活性ガスを導入する。次にヒータ１５ａに電流を
供給して坩堝１２を加熱し、溶融液１３を形成する。次
に引上軸１６先端に取り付けられた種結晶１６ｂを溶融
液１３表面に接触させた後、坩堝１２を所定速度で回転
させながら引上軸１６を引き上げ、溶融液１３を凝固さ
せて単結晶２０を成長させる。

【００２２】この単結晶２０の引き上げプロセスにおい
て、単結晶２０の酸素濃度を制御するために、坩堝内溶
融液１３を解析対象として、連続の式、ナビエ・スト−
クスの式、エネルギ−保存式、及び酸素の物質収支式の
連立方程式の収束解を数値解析法により求める。数値解
析法によるシミュレ−ション結果の一例を図２に示す。
図２に示したシミュレ−ション結果では、ウェ−ハ中心
からの距離をウェ−ハ端点までの距離で規格化し、酸素
濃度をウェ−ハ中心の酸素濃度で規格化している。この
シミュレ−ション結果によれば、坩堝回転速度の相違が
酸素濃度の径方向分布に大きく影響しており、所望の酸
素濃度の径方向分布を得るためには、坩堝の回転速度に
上限を設けておくことが必要であることが明らかであ
る。

【００２３】本実施の形態に係るシリコン単結晶酸素濃
度の制御では、予め酸素濃度の軸方向分布と坩堝回転速
度等の操業時の制御因子との関係式、及び酸素濃度の径
方向分布と坩堝回転速度との関係式を求めておくことに
より、所望の酸素濃度の径方向分布を得るための坩堝回
転速度に上限値を設定する。そして単結晶２０の引き上
げ中に、坩堝回転速度がこの上限値を超えないようにし
ながら、他の制御因子を制御することにより、所望の酸
素濃度の径方向分布を得るようにする。

【００２４】ここで、単結晶２０の軸方向の酸素濃度Ｏ
_L は下記の数１式により求めることができる。

【数１】Ｏ_L ＝ｆ（Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈ） ここで、Ｌは単結晶２０の引き上げ率を、Ｓｒは単結晶
２０の回転速度を、Ｃｒは坩堝１２の回転速度を、Ｐは
チャンバ−１０内の圧力を、Ｑは不活性ガスの流量を、
Ｈはヒ−タ電力をそれぞれ表している。

【００２５】また、単結晶２０の酸素濃度の径方向分布
Ｏｒを下記の数２式で定義する。

【数２】Ｏｒ＝（Ｏ_max −Ｏ_min ）／Ｏ_min ここで、Ｏ_max はウェ−ハ面内の酸素濃度の最大値を、
Ｏ_min はウェ−ハ面内の酸素濃度の最小値をそれぞれ表
している。

【００２６】また、単結晶２０の酸素濃度の径方向分布
Ｏｒは下記の数３式により求めることができる。

【数３】Ｏｒ＝ｆ（Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈ） ここで、Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈの表す意味は上記
数１式の場合と同様である。

【００２７】また、単結晶２０の変形具合を変形率Ｄｅ
として下記の数４式で定義する。

【数４】Ｄｅ＝（Ｄ_max −Ｄ_min ）／Ｄ_min ここで、Ｄ_max はウェ−ハ面内の直径の最大値を、Ｄ
_min はウェ−ハ面内の直径の最小値をそれぞれ表してい
る。

【００２８】また、この変形率Ｄｅは下記の数５式によ
り求めることができる。

【数５】Ｄｅ＝ｆ（Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈ） ここで、Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈの表す意味は上記
数１式の場合と同様である。

【００２９】上記した酸素濃度の径方向分布Ｏｒに関す
る関係式（数３式）を用い、所望の酸素濃度の径方向分
布Ｏｒを得るための坩堝１２の回転速度Ｃｒの上限値を
求める。また、上記した変形率Ｄｅに関する関係式（数
５式）を用い、許容することができる変形率Ｄｅを有す
る単結晶２０を得るための単結晶２０の回転速度Ｓｒの
制限条件を求める。これら坩堝１２の回転速度Ｃｒと単
結晶２０の回転速度Ｓｒの制限条件を考慮して上記の単
結晶２０の軸方向の酸素濃度Ｏ_L に関する関係式（数１
式）から制御因子Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈの制御値
を決定してゆくことにより、シリコン単結晶２０の軸方
向のみならず単結晶２０の径方向の酸素濃度分布を制御
することができる。

【００３０】そして実際の単結晶２０の引き上げプロセ
スにおいては、酸素濃度をより高精度に制御するため
に、まず、所定の引き上げ率の区間毎に単結晶２０の軸
方向の酸素濃度Ｏ_L と坩堝１２の回転速度Ｃｒとの関係
を予め求めておき、所望の単結晶２０の酸素濃度の径方
向分布Ｏｒから単結晶２０の所定の引き上げ率の各区間
に対応した坩堝１２の回転速度Ｃｒの上限値を求める。
また、単結晶２０の所定の引き上げ率の各区間毎に予め
単結晶２０の変形率Ｄｅと単結晶２０の回転速度Ｓｒと
の相関関係を求めておき、許容できる単結晶２０の変形
率Ｄｅから単結晶２０の所定の引き上げ率の各区間に対
応した単結晶２０の回転速度Ｓｒの上限値を求める。

【００３１】このようにして求めた坩堝１２の回転速度
Ｃｒ、単結晶２０の回転速度Ｓｒの制限条件を考慮し
て、予め求めておいた単結晶２０の酸素濃度と制御因子
Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈの制御値との関係式から単
結晶２０の引き上げ率毎に制御因子Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，
Ｐ，Ｑ，Ｈの操作量を決定する。この決定された制御因
子Ｌ，Ｓｒ，Ｃｒ，Ｐ，Ｑ，Ｈの操作量に基づいて単結
晶２０の引き上げを行う。

【００３２】不活性ガスの流量Ｑ、ヒ−タ電力Ｈ、変形
率Ｄｅの値を初期条件として設定した場合における単結
晶２０の引き上げの操業条件の算出は、例えば図３に示
したフロ−チャ−トに従って実行される。

【００３３】

【実施例及び比較例】実施例に係るシリコン単結晶酸素
濃度の制御方法を実施して単結晶２０を引き上げた結果
を図４及び図５に示す。実施例では、初期条件として、
不活性ガスの流量Ｑを８０（ｌ／ｍｉｎ）、ヒ−タ電力
Ｈを６０（ｋｗ）、所望の変形率Ｄｅを０．０１４
（−）に設定し、図３に示したフロ−チャ−トに従って
操業条件の算出を行った。

【００３４】図４及び図５では、単結晶２０の酸素濃度
を規格化した値で示しているが、単結晶２０の軸方向の
酸素濃度分布及び単結晶２０の径方向の酸素濃度分布と
もに所望の範囲である単結晶２０を得ることができた。

【００３５】比較例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制
御方法を実施して単結晶２０を引き上げた結果を図６及
び図７に示す。比較例では、初期条件としての不活性ガ
スの流量Ｑおよびヒ−タ電力Ｈは実施例と同じに設定し
たが、操業条件算出の指標は軸方向の酸素分布のみと
し、酸素濃度の目標値と実績値との偏差に基づいて操業
条件を算出した。したがって、所望の変形率あるいは所
望の径方向の酸素濃度分布による操業条件の制約は考慮
していない。

【００３６】比較例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制
御方法では、単結晶２０の軸方向の酸素濃度分布は所望
の範囲内に納めることができたが、径方向の酸素濃度分
布は所望の範囲内に納めることができなかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣＺ法により酸素濃度の制御方法を実施しなが
ら、単結晶を引き上げる際に使用される結晶成長装置を
模式的に示した断面図である。

【図２】酸素濃度の径方向分布の数値解析法によるシミ
ュレ−ション結果の一例を示すグラフである。

【図３】実施の形態に係るシリコン単結晶酸素濃度の制
御方法における操業条件の算出過程を示したフロ−チャ
−トである。

【図４】実施例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制御方
法を実施して単結晶を引き上げた場合の酸素濃度の軸方
向分布を示すグラフである。

【図５】実施例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制御方
法を実施して単結晶を引き上げた場合の酸素濃度の径方
向分布を示すグラフである。

【図６】比較例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制御方
法を実施して単結晶を引き上げた場合の酸素濃度の軸方
向分布を示すグラフである。

【図７】比較例に係るシリコン単結晶酸素濃度の制御方
法を実施して単結晶を引き上げた場合の酸素濃度の径方
向分布を示すグラフである。

【符号の説明】

１０ チャンバ １１ 炉本体 １２ 坩堝 １２ａ 石英坩堝 １３ 溶融液 ２０ 単結晶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EA10 EH05 EH08 EH10 HA12 PA04 PA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 石英坩堝内のシリコン溶融液よりシリコ
   ン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶酸素濃度の制
   御方法において、 予め酸素濃度の軸方向分布と操業時の制御因子との関係
   式、及び酸素濃度の径方向分布と坩堝回転速度との関係
   式を求めておき、所望の酸素濃度の径方向分布を得るた
   めの坩堝回転速度に対する制限条件を算出し、操業中の
   坩堝回転速度がこの制限条件を超えない範囲で、他の前
   記制御因子を制御することにより、所望の酸素濃度の径
   方向分布及び軸方向分布を得ることを特徴とするシリコ
   ン単結晶酸素濃度の制御方法。
2. 【請求項２】 石英坩堝内のシリコン溶融液よりシリコ
   ン単結晶を引き上げる際のシリコン単結晶酸素濃度の制
   御方法において、 予め酸素濃度の軸方向分布と操業時の制御因子との関係
   式、酸素濃度の径方向分布と坩堝回転速度との関係式、
   及び単結晶の変形率と単結晶の回転速度との関係式を求
   めておき、所望の酸素濃度の径方向分布を得るための坩
   堝回転速度に対する制限条件、及び許容される単結晶の
   変形率に対する単結晶の回転速度の制限条件を算出し、
   操業中の坩堝回転速度及び単結晶の回転速度が前記制限
   条件を超えない範囲で、他の前記制御因子を制御するこ
   とにより、所望の酸素濃度の径方向分布及び軸方向分布
   を得ることを特徴とするシリコン単結晶酸素濃度の制御
   方法。
3. 【請求項３】 前記制限条件が、単結晶の引き上げ率の
   所定の各区間毎に設定されているものであることを特徴
   とする請求項１又は請求項２記載のシリコン単結晶酸素
   濃度の制御方法。
4. 【請求項４】 前記操業時の制御因子が、単結晶の引き
   上げ率、単結晶の回転速度、坩堝の回転速度、チャンバ
   −内の圧力、不活性ガスの流量、ヒ−タ電力であること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のシリ
   コン単結晶酸素濃度の制御方法。