JP2002335039A - 波長可変モード同期レーザ - Google Patents
波長可変モード同期レーザInfo
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- JP2002335039A JP2002335039A JP2001140571A JP2001140571A JP2002335039A JP 2002335039 A JP2002335039 A JP 2002335039A JP 2001140571 A JP2001140571 A JP 2001140571A JP 2001140571 A JP2001140571 A JP 2001140571A JP 2002335039 A JP2002335039 A JP 2002335039A
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の表面反射によるファブリーペロ
ー効果が存在する場合であっても、ＲＦ周波数のみを変
化させることによって全ての波長で発振を実現できる波
長可変モード同期レーザを提供する。 【解決手段】 共振器４０１２内に用いられている半導
体光増幅器４０３および電界吸収型光変調器４０２は、
半導体素子４０１７に集積化されている。電源４０１４
から得た注入電流で光増幅器４０３の利得が設定され、
ＲＦシンセサイザー４０１０から得たクロック信号によ
りモード同期発振が実現される。電界吸収型光変調器４
０２の裏側にＨＲコーティング４０１が施されており、
レーザ共振器の片側を終端している。半導体光増幅器４
０３の出力側はＡＲコーティング４０１５が施されてお
り、出力された光は先球ファイバ４０９によりアレイ導
波路格子４０１６に接続されている。
ー効果が存在する場合であっても、ＲＦ周波数のみを変
化させることによって全ての波長で発振を実現できる波
長可変モード同期レーザを提供する。 【解決手段】 共振器４０１２内に用いられている半導
体光増幅器４０３および電界吸収型光変調器４０２は、
半導体素子４０１７に集積化されている。電源４０１４
から得た注入電流で光増幅器４０３の利得が設定され、
ＲＦシンセサイザー４０１０から得たクロック信号によ
りモード同期発振が実現される。電界吸収型光変調器４
０２の裏側にＨＲコーティング４０１が施されており、
レーザ共振器の片側を終端している。半導体光増幅器４
０３の出力側はＡＲコーティング４０１５が施されてお
り、出力された光は先球ファイバ４０９によりアレイ導
波路格子４０１６に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は波長可変モード同期
レーザに関し、より詳細には、高速波長変換および波長
ルーティングを利用した光通信ネットワークに利用可能
な波長可変モード同期レーザに関する。
レーザに関し、より詳細には、高速波長変換および波長
ルーティングを利用した光通信ネットワークに利用可能
な波長可変モード同期レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】波長可変モード同期レーザは、モード同
期用のクロック信号の周波数（すなわちレーザの繰り返
し）を変化させることによって発振波長を変化させるこ
とができ、構成が単純で、高速な波長可変が可能で、ま
た容易に波長選択ができる等の利点を有する。図１は、
従来のレーザの一般構成を示す図で、共振器１００は、
半導体光増幅器１０４、光変調器１０３、出力手段１０
７、および光路長が波長により異なる遅延回路１０６か
らなる。共振器の片側は高反射コーティング１０２によ
り終端されており、反対側は光を反射する遅延回路１０
６に終端されている。ここで、遅延回路１０６に含まれ
る複数のブロックは、それぞれ互いに異なる波長の光を
反射するフィルタを概念的に表している。これらのフィ
ルタの各々は反射する波長毎に位置が異なり、フィルタ
アレイを形成している。
期用のクロック信号の周波数（すなわちレーザの繰り返
し）を変化させることによって発振波長を変化させるこ
とができ、構成が単純で、高速な波長可変が可能で、ま
た容易に波長選択ができる等の利点を有する。図１は、
従来のレーザの一般構成を示す図で、共振器１００は、
半導体光増幅器１０４、光変調器１０３、出力手段１０
７、および光路長が波長により異なる遅延回路１０６か
らなる。共振器の片側は高反射コーティング１０２によ
り終端されており、反対側は光を反射する遅延回路１０
６に終端されている。ここで、遅延回路１０６に含まれ
る複数のブロックは、それぞれ互いに異なる波長の光を
反射するフィルタを概念的に表している。これらのフィ
ルタの各々は反射する波長毎に位置が異なり、フィルタ
アレイを形成している。
【０００３】また、共振器１００は、ＲＦシンセサイザ
ー１０８を用いてモード同期をとるための変調信号を得
ている。更に、ＤＣ電源１０９により半導体光増幅器の
利得が設定されている。光変調器１０３をレーザの基本
繰り返し周波数ｆの整数ｋ倍（ｋ＞０）で変調すること
によって、モード同期発振が実現され、繰り返しｋｆで
パルス列が出力手段１０７から出力される。
ー１０８を用いてモード同期をとるための変調信号を得
ている。更に、ＤＣ電源１０９により半導体光増幅器の
利得が設定されている。光変調器１０３をレーザの基本
繰り返し周波数ｆの整数ｋ倍（ｋ＞０）で変調すること
によって、モード同期発振が実現され、繰り返しｋｆで
パルス列が出力手段１０７から出力される。
【０００４】ここで、本レーザに遅延回路１０６が用い
られているため、繰り返し周波数ｆが波長により異な
る。この場合、所望の波長に対応する周波数で光変調器
１０３を変調した際、その波長のみでモード同期発振が
実現されるが、他の波長では発振が起きない。すなわ
ち、クロック周波数を変化させることによって、発振波
長を選択することができる。
られているため、繰り返し周波数ｆが波長により異な
る。この場合、所望の波長に対応する周波数で光変調器
１０３を変調した際、その波長のみでモード同期発振が
実現されるが、他の波長では発振が起きない。すなわ
ち、クロック周波数を変化させることによって、発振波
長を選択することができる。
【０００５】発振波長の範囲は、遅延回路１０６に設計
されているフィルタアレイによって決まっている。本フ
ィルタアレイには複数の中心波長λｉのバンドパスフィ
ルタが用いられており、フィルタの波長間隔がΔλ
ＬＡＳ（周波数ではｆＬＡＳ）である。
されているフィルタアレイによって決まっている。本フ
ィルタアレイには複数の中心波長λｉのバンドパスフィ
ルタが用いられており、フィルタの波長間隔がΔλ
ＬＡＳ（周波数ではｆＬＡＳ）である。
【０００６】上記のようなレーザを作成する際、通常は
複数の異なる材料の部品が用いられる。例えば、１５５
０ｎｍ帯で動作するレーザをハイブリッドＰＬＣ技術に
より実現した場合、半導体光増幅器１０４はＩｎＧａＡ
ｓＰであるが遅延回路１０６は石英である。また、電界
吸収型の変調器を用いた場合、光変調器１０３がＩｎＧ
ａＡｓＰであり、半導体光増幅器と集積化して一つの半
導体素子１０１として実現できる。
複数の異なる材料の部品が用いられる。例えば、１５５
０ｎｍ帯で動作するレーザをハイブリッドＰＬＣ技術に
より実現した場合、半導体光増幅器１０４はＩｎＧａＡ
ｓＰであるが遅延回路１０６は石英である。また、電界
吸収型の変調器を用いた場合、光変調器１０３がＩｎＧ
ａＡｓＰであり、半導体光増幅器と集積化して一つの半
導体素子１０１として実現できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
共振器内では、異なる材料の接合面で生じる表面反射に
より、レーザの発振が異常になる場合がある。表面反射
は異なる材料の屈折率差により生じており、屈折率がｎ
１とｎ２の材料の接合面の場合、反射率ｒ（電界に関す
る反射率）を式（１）で表せる。
共振器内では、異なる材料の接合面で生じる表面反射に
より、レーザの発振が異常になる場合がある。表面反射
は異なる材料の屈折率差により生じており、屈折率がｎ
１とｎ２の材料の接合面の場合、反射率ｒ（電界に関す
る反射率）を式（１）で表せる。
【０００８】
【数１】
【０００９】例えば、ＩｎＧａＡｓＰの屈折率３．３お
よび石英ガラスの屈折率１．５を式（１）に挿入した場
合、強度に関する反射率はｒ２＝０．１４となり、極め
て高い反射が生じる。このような表面反射が半導体素子
の両側に存在した場合、透過特性に波長（周波数）によ
る周期的な変化が生じる。この現象はファブリーペロー
（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ）効果と呼ばれており、各表
面の反射率がｒ１およびｒ２である場合、透過特性を式
（２）で表せる。式（２）において、ｆＦＰはファブリ
ーペロー効果の自由スペクトル範囲であり、半導体素子
の屈折率ｎおよび長さＬと式（３）で表す関係を持つ
（ｃは光速）。
よび石英ガラスの屈折率１．５を式（１）に挿入した場
合、強度に関する反射率はｒ２＝０．１４となり、極め
て高い反射が生じる。このような表面反射が半導体素子
の両側に存在した場合、透過特性に波長（周波数）によ
る周期的な変化が生じる。この現象はファブリーペロー
（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ）効果と呼ばれており、各表
面の反射率がｒ１およびｒ２である場合、透過特性を式
（２）で表せる。式（２）において、ｆＦＰはファブリ
ーペロー効果の自由スペクトル範囲であり、半導体素子
の屈折率ｎおよび長さＬと式（３）で表す関係を持つ
（ｃは光速）。
【００１０】
【数２】
【００１１】
【数３】
【００１２】半導体素子に光増幅器が含まれている場
合、式（２）で表すような特性が利得に現れ、波長によ
って利得が例えば３ｄＢ以上変化する場合がある。
合、式（２）で表すような特性が利得に現れ、波長によ
って利得が例えば３ｄＢ以上変化する場合がある。
【００１３】図２は、フィルタアレイの波長間隔と周期
的な透過および利得特性の重ね具合から生じる問題を説
明するための図で、（ａ）は遅延回路１０６のフィルタ
アレイの反射特性を、（ｂ）は半導体素子１０１におけ
る透過および利得特性を示す。本図に示すように、波長
により変化する透過特性および利得特性とレーザの発振
波長を設定するフィルタアレイの重ね具合により、発振
が起きない波長が生じる場合がある。すなわち、発振波
長が透過率および利得率が最大になる波長λ１と一致す
る場合は発振が起きるが、透過率および利得率が低くな
っているλ2およびλ３では発振が不安定または不可能
になることがある。この不具合を回避するため、半導体
光増幅器の温度および注入電流を調整することにより透
過および利得特性を波長軸上にシフトさせ、全波長で発
振を実現することは可能である。しかし、この場合はＲ
Ｆ周波数変化のみで単純に波長選択を行うことができな
くなり、波長制御が複雑になると共に波長可変速度が大
きく低減されてしまう。
的な透過および利得特性の重ね具合から生じる問題を説
明するための図で、（ａ）は遅延回路１０６のフィルタ
アレイの反射特性を、（ｂ）は半導体素子１０１におけ
る透過および利得特性を示す。本図に示すように、波長
により変化する透過特性および利得特性とレーザの発振
波長を設定するフィルタアレイの重ね具合により、発振
が起きない波長が生じる場合がある。すなわち、発振波
長が透過率および利得率が最大になる波長λ１と一致す
る場合は発振が起きるが、透過率および利得率が低くな
っているλ2およびλ３では発振が不安定または不可能
になることがある。この不具合を回避するため、半導体
光増幅器の温度および注入電流を調整することにより透
過および利得特性を波長軸上にシフトさせ、全波長で発
振を実現することは可能である。しかし、この場合はＲ
Ｆ周波数変化のみで単純に波長選択を行うことができな
くなり、波長制御が複雑になると共に波長可変速度が大
きく低減されてしまう。
【００１４】表面反射を低減させる方法として、図１に
示すように、表面に低反射コーティング（ＡＲ−ａｎｔ
ｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ）１０５を施
す方法、または半導体の表面と導波路の角度が垂直とな
らないように設計（曲げ導波路）する方法が存在する。
しかし、半導体と真空または石英ガラスの屈折率差が大
きいことと、場合によって半導体素子の片側には共振器
を終端させるためのＨＲコーティング１０２が必要とな
ることから、ＡＲコーティングおよび曲げ導波路を用い
た場合にでもファブリーペロー効果を十分低減させるこ
とが困難であると考えられる。
示すように、表面に低反射コーティング（ＡＲ−ａｎｔ
ｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ）１０５を施
す方法、または半導体の表面と導波路の角度が垂直とな
らないように設計（曲げ導波路）する方法が存在する。
しかし、半導体と真空または石英ガラスの屈折率差が大
きいことと、場合によって半導体素子の片側には共振器
を終端させるためのＨＲコーティング１０２が必要とな
ることから、ＡＲコーティングおよび曲げ導波路を用い
た場合にでもファブリーペロー効果を十分低減させるこ
とが困難であると考えられる。
【００１５】図３〜５は、上記で説明した問題を実際の
レーザで観察した結果を示す図である。これらの図にお
いて、遅延回路は波長間隔１００ＧＨｚの３２波長アレ
イ導波路格子により実現されており、半導体素子はＩｎ
ＧａＡｓＰの電界吸収型光変調器および光増幅器を集積
化した素子を使用した。半導体素子の表面は、それぞれ
ＨＲコーティングおよびＡＲコーティングされており、
ファブリーペロー効果の自由スペクトル範囲が４０ＧＨ
ｚ程度であったため、波長間隔とは整数倍関係を持って
いなかった。
レーザで観察した結果を示す図である。これらの図にお
いて、遅延回路は波長間隔１００ＧＨｚの３２波長アレ
イ導波路格子により実現されており、半導体素子はＩｎ
ＧａＡｓＰの電界吸収型光変調器および光増幅器を集積
化した素子を使用した。半導体素子の表面は、それぞれ
ＨＲコーティングおよびＡＲコーティングされており、
ファブリーペロー効果の自由スペクトル範囲が４０ＧＨ
ｚ程度であったため、波長間隔とは整数倍関係を持って
いなかった。
【００１６】図３は波長チャンネルとＲＦ周波数の関係
を、図４は３２波長で発振させたスペクトルを、また図
５は半導体素子の設定条件をそれぞれ示す。これらの図
に示すように、各波長チャンネルにおいて、ＲＦパワ
ー、注入電流、および温度の調整が必要であるため、Ｒ
Ｆ周波数の変化のみでは全波長での発振を実現できない
という問題があった。
を、図４は３２波長で発振させたスペクトルを、また図
５は半導体素子の設定条件をそれぞれ示す。これらの図
に示すように、各波長チャンネルにおいて、ＲＦパワ
ー、注入電流、および温度の調整が必要であるため、Ｒ
Ｆ周波数の変化のみでは全波長での発振を実現できない
という問題があった。
【００１７】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、ＲＦ周波数のみを
変化させることによって全ての波長で発振を実現できる
波長可変モード同期レーザを提供することにある。
のであり、その目的とするところは、ＲＦ周波数のみを
変化させることによって全ての波長で発振を実現できる
波長可変モード同期レーザを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の波長可変モード
同期レーザは、レーザ共振器内に用いた各半導体素子に
おいて、表面フレネル反射およびファブリーペロー効果
による周期的な透過特性および利得特性の周期ｆＦＰと
レーザの発振波長間隔ｆＬＡＳにｆＬＡＳ＝ｍｆ
ＦＰ（ｍはｍ＞０を満足する整数）の関係を持たせたも
のである。透過および利得が最大になる波長がレーザの
発振波長と一致しているため、モード同期周波数を選択
することによって各波長で安定した発振が実現される。
的を達成するために、請求項１に記載の波長可変モード
同期レーザは、レーザ共振器内に用いた各半導体素子に
おいて、表面フレネル反射およびファブリーペロー効果
による周期的な透過特性および利得特性の周期ｆＦＰと
レーザの発振波長間隔ｆＬＡＳにｆＬＡＳ＝ｍｆ
ＦＰ（ｍはｍ＞０を満足する整数）の関係を持たせたも
のである。透過および利得が最大になる波長がレーザの
発振波長と一致しているため、モード同期周波数を選択
することによって各波長で安定した発振が実現される。
【００１９】また、請求項２記載の波長可変モード同期
レーザは、請求項１に記載の波長可変モード同期レーザ
において、共振器の一部にアレイ導波路格子を用いたも
のである。アレイ導波路格子の波長チャンネルでレーザ
の発振波長が設定されており、各波長に対応する波長分
離導波路の長さを設定することによって、共振器長およ
びモード同期周波数を発振波長に応じて異ならせてい
る。アレイ導波路格子を用いることによって、狭い波長
間隔で数多くの波長で発振するレーザを実現できる。
レーザは、請求項１に記載の波長可変モード同期レーザ
において、共振器の一部にアレイ導波路格子を用いたも
のである。アレイ導波路格子の波長チャンネルでレーザ
の発振波長が設定されており、各波長に対応する波長分
離導波路の長さを設定することによって、共振器長およ
びモード同期周波数を発振波長に応じて異ならせてい
る。アレイ導波路格子を用いることによって、狭い波長
間隔で数多くの波長で発振するレーザを実現できる。
【００２０】また、請求項３記載の波長可変モード同期
レーザは、請求項１に記載の波長可変モード同期レーザ
において、共振器内に複数の異なる反射波長のブラッグ
グレーティングが用いられている。各ブラッググレーテ
ィングの反射波長によって発振波長が設定されており、
物理的な位置によって共振器長を発振波長に応じて異な
らせている。ブラッググレーティングを用いることによ
って、構造が単純で低コストの光源が容易に実現でき
る。
レーザは、請求項１に記載の波長可変モード同期レーザ
において、共振器内に複数の異なる反射波長のブラッグ
グレーティングが用いられている。各ブラッググレーテ
ィングの反射波長によって発振波長が設定されており、
物理的な位置によって共振器長を発振波長に応じて異な
らせている。ブラッググレーティングを用いることによ
って、構造が単純で低コストの光源が容易に実現でき
る。
【００２１】また、請求項４記載の波長可変モード同期
レーザは、請求項２または３に記載の波長可変モード同
期レーザにおいて、石英回路の部分をＰＬＣ技術により
形成したものである。
レーザは、請求項２または３に記載の波長可変モード同
期レーザにおいて、石英回路の部分をＰＬＣ技術により
形成したものである。
【００２２】また、請求項５記載の波長可変モード同期
レーザは、請求項４に記載の波長可変モード同期レーザ
において、半導体素子と石英回路の部分をハイブリッド
技術により集積化したものである。
レーザは、請求項４に記載の波長可変モード同期レーザ
において、半導体素子と石英回路の部分をハイブリッド
技術により集積化したものである。
【００２３】更に、請求項６に記載の波長可変モード同
期レーザは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長
可変モード同期レーザにおいて、半導体素子として半導
体光増幅器または電界吸収型光変調器を用いている。
期レーザは、請求項１〜５のいずれか１項に記載の波長
可変モード同期レーザにおいて、半導体素子として半導
体光増幅器または電界吸収型光変調器を用いている。
【００２４】本発明では、図６に示すように、発振波長
の光周波数間隔ｆＬＡＳと半導体素子の表面反射による
ファブリーペロー効果の自由スペクトル範囲ｆＦＰをｆ
ＬＡ Ｓ＝ｍｆＦＰ（ｍはｍ＞０を満足する整数）を満足
させた構成をとる。図６は、ｍ＝１の場合におけるフィ
ルタアレイの反射特性と透過および利得特性の重ね合わ
せの例を示している。これにより、半導体素子の表面反
射によるファブリーペロー効果が存在する場合であって
も、ＲＦ周波数の変化のみにより全ての波長で発振を実
現できる。
の光周波数間隔ｆＬＡＳと半導体素子の表面反射による
ファブリーペロー効果の自由スペクトル範囲ｆＦＰをｆ
ＬＡ Ｓ＝ｍｆＦＰ（ｍはｍ＞０を満足する整数）を満足
させた構成をとる。図６は、ｍ＝１の場合におけるフィ
ルタアレイの反射特性と透過および利得特性の重ね合わ
せの例を示している。これにより、半導体素子の表面反
射によるファブリーペロー効果が存在する場合であって
も、ＲＦ周波数の変化のみにより全ての波長で発振を実
現できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）本発明の第１実
施形態は、請求項１、請求項２、および４乃至６に記載
の波長可変光源に関するものである。
施形態は、請求項１、請求項２、および４乃至６に記載
の波長可変光源に関するものである。
【００２６】図７は、本実施形態に係る波長可変モード
同期レーザの構成例を示す図である。本図において、共
振器４１２内に用いられている半導体光増幅器４０３お
よび電界吸収型光変調器４０２は、一個のＩｎＧａＡｓ
Ｐの半導体素子４１７に集積化されている。半導体素子
の長さに対応するファブリーペロー効果の自由スペクト
ル範囲は５０ＧＨｚである。電源４１４から得た注入電
流で光増幅器４０３の利得が設定されており、ＲＦシン
セサイザー４１０から得たクロック信号によりモード同
期発振が実現される。電界吸収型光変調器４０２の裏側
にＨＲコーティング４０１が施されており、レーザ共振
器の片側を終端している。
同期レーザの構成例を示す図である。本図において、共
振器４１２内に用いられている半導体光増幅器４０３お
よび電界吸収型光変調器４０２は、一個のＩｎＧａＡｓ
Ｐの半導体素子４１７に集積化されている。半導体素子
の長さに対応するファブリーペロー効果の自由スペクト
ル範囲は５０ＧＨｚである。電源４１４から得た注入電
流で光増幅器４０３の利得が設定されており、ＲＦシン
セサイザー４１０から得たクロック信号によりモード同
期発振が実現される。電界吸収型光変調器４０２の裏側
にＨＲコーティング４０１が施されており、レーザ共振
器の片側を終端している。
【００２７】半導体光増幅器４０３の出力側はＡＲコー
ティング４１５が施されており、出力された光は先球フ
ァイバ４０９によりアレイ導波路格子４１６に接続され
ている。偏波コントローラ４１８では、共振器内の偏波
が調整されると同時に偏波ビームスプリッター４１９か
ら反射される出力光４２１の割合が設定される。偏波ビ
ームスプリッター４１９を透過した光がアレイ導波路格
子４１６に入射されており、アレイ導波路格子のＴＥ偏
波軸に偏波が合わせられている。
ティング４１５が施されており、出力された光は先球フ
ァイバ４０９によりアレイ導波路格子４１６に接続され
ている。偏波コントローラ４１８では、共振器内の偏波
が調整されると同時に偏波ビームスプリッター４１９か
ら反射される出力光４２１の割合が設定される。偏波ビ
ームスプリッター４１９を透過した光がアレイ導波路格
子４１６に入射されており、アレイ導波路格子のＴＥ偏
波軸に偏波が合わせられている。
【００２８】アレイ導波路格子４１６は遅延回路の一例
であり、２個のスターカプラー４０４および４０６と、
Ｍ本の導波路からなる導波路アレイ４０５とからなり、
入力された光の波長により出力導波路４０７に波長分離
する。アレイ導波路格子の回折次数は２９であり、シリ
コン基板上の石英ＰＬＣ技術に基づいて形成されてい
る。フィルタアレイの波長数は３２、波長間隔は１００
ＧＨｚ、帯域は０．３１ｎｍ、最低損失は往復で３．６
ｄＢ、および波長範囲は１５３５．５〜１５６０．５ｎ
ｍである。ここで、波長間隔を半導体素子の自由スペク
トル範囲の整数倍（２倍）としたところが本発明の特徴
である。
であり、２個のスターカプラー４０４および４０６と、
Ｍ本の導波路からなる導波路アレイ４０５とからなり、
入力された光の波長により出力導波路４０７に波長分離
する。アレイ導波路格子の回折次数は２９であり、シリ
コン基板上の石英ＰＬＣ技術に基づいて形成されてい
る。フィルタアレイの波長数は３２、波長間隔は１００
ＧＨｚ、帯域は０．３１ｎｍ、最低損失は往復で３．６
ｄＢ、および波長範囲は１５３５．５〜１５６０．５ｎ
ｍである。ここで、波長間隔を半導体素子の自由スペク
トル範囲の整数倍（２倍）としたところが本発明の特徴
である。
【００２９】各出力導波路４０７は高反射のミラー４１
３に終端されており、波長が長くなるのに応じて、対応
する導波路の長さが徐々に１７３μｍ単位で増加されて
おり、各波長に対応する共振器長が異なっている。平均
基本繰り返しは１６ＭＨｚであり、繰り返し１０ＧＨｚ
帯で発振させるために高調波次数が約６２５のところで
動作させた。
３に終端されており、波長が長くなるのに応じて、対応
する導波路の長さが徐々に１７３μｍ単位で増加されて
おり、各波長に対応する共振器長が異なっている。平均
基本繰り返しは１６ＭＨｚであり、繰り返し１０ＧＨｚ
帯で発振させるために高調波次数が約６２５のところで
動作させた。
【００３０】図８は、各チャンネルによるＲＦ周波数お
よび出力パワーを示す図である。ＲＦ周波数を変化させ
ることによって波長可変が実現されている。また、図９
は３２波長で発振させたスペクトルを示す図、図１０は
半導体素子の設定条件を示す図である。従来のレーザと
異なり、ＲＦパワーおよび光増幅器の注入電流は一定で
ある。短波長側と長波長側で僅かな温度差が存在する
が、広い波長範囲内で一定の温度での動作を実現できる
ことを示している。本実施形態では、利得帯域の中心を
移動させるために温度の調整が必要であるが、原理的に
はこの調整を不要にすることができ、ＲＦ周波数の変化
のみで波長選択を行えるようにできる。
よび出力パワーを示す図である。ＲＦ周波数を変化させ
ることによって波長可変が実現されている。また、図９
は３２波長で発振させたスペクトルを示す図、図１０は
半導体素子の設定条件を示す図である。従来のレーザと
異なり、ＲＦパワーおよび光増幅器の注入電流は一定で
ある。短波長側と長波長側で僅かな温度差が存在する
が、広い波長範囲内で一定の温度での動作を実現できる
ことを示している。本実施形態では、利得帯域の中心を
移動させるために温度の調整が必要であるが、原理的に
はこの調整を不要にすることができ、ＲＦ周波数の変化
のみで波長選択を行えるようにできる。
【００３１】ここで、レーザを正常に動作させるための
設計ルールをいくつか述べる。まず、波長λｉに対応す
る共振器全体の光路長をＬｏｐｔ（λｉ）で表す。共振
器の光路長とは、共振器を構成する各部分の物理的な長
さＬａおよび屈折率ｎａの積ｎａＬａを積分した長さを
意味しており、δＬｉにより波長依存性が実現されてい
る。レーザの基本繰り返し周波数ｆ（λｉ）とＬｏｐｔ
（λｉ）の関係がｆ（λｉ）＝ｃ／Ｌｏｐｔ（λｉ）で
あり、光変調器１０３を周波数ｆ（λｉ）またはｆ（λ
ｉ）の整数ｍ倍の周波数で変調することによって、レー
ザにモード同期がとられ、波長λｉ、繰り返し周波数ｆ
（λｉ）の光パルス列が発生する。
設計ルールをいくつか述べる。まず、波長λｉに対応す
る共振器全体の光路長をＬｏｐｔ（λｉ）で表す。共振
器の光路長とは、共振器を構成する各部分の物理的な長
さＬａおよび屈折率ｎａの積ｎａＬａを積分した長さを
意味しており、δＬｉにより波長依存性が実現されてい
る。レーザの基本繰り返し周波数ｆ（λｉ）とＬｏｐｔ
（λｉ）の関係がｆ（λｉ）＝ｃ／Ｌｏｐｔ（λｉ）で
あり、光変調器１０３を周波数ｆ（λｉ）またはｆ（λ
ｉ）の整数ｍ倍の周波数で変調することによって、レー
ザにモード同期がとられ、波長λｉ、繰り返し周波数ｆ
（λｉ）の光パルス列が発生する。
【００３２】Ｌｏｐｔ（λｉ）の設計において、クロッ
ク信号周波数ｆｉに対して、複数の波長で同時発振が起
きないように設定する必要がある。ここで、同時発振を
避けるための設計条件の一つについて述べる。まず、Ａ
ＷＧの波長特性が波長領域で周期的に繰り返されること
を考慮する。波長特性の繰り返し周期はＡＷＧの自由ス
ペクトル範囲（ｆｒｅｅ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒａｎｇ
ｅ（ＦＳＲ））であり、ＦＳＲ〜λ0／Ｐで表せる。こ
こで、ＰはＡＷＧの回折次数であり、δΛｉｊが一定
（すなわちｉ，ｊに依存しなくてもδΛで表せる）であ
る場合、Ｐ＝ｎδΛ／λ0で表せる。ここで、ｎは屈折
率である。
ク信号周波数ｆｉに対して、複数の波長で同時発振が起
きないように設定する必要がある。ここで、同時発振を
避けるための設計条件の一つについて述べる。まず、Ａ
ＷＧの波長特性が波長領域で周期的に繰り返されること
を考慮する。波長特性の繰り返し周期はＡＷＧの自由ス
ペクトル範囲（ｆｒｅｅ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒａｎｇ
ｅ（ＦＳＲ））であり、ＦＳＲ〜λ0／Ｐで表せる。こ
こで、ＰはＡＷＧの回折次数であり、δΛｉｊが一定
（すなわちｉ，ｊに依存しなくてもδΛで表せる）であ
る場合、Ｐ＝ｎδΛ／λ0で表せる。ここで、ｎは屈折
率である。
【００３３】異なる波長帯の同時発振を抑圧する一つの
方法は、ＦＳＲをレーザに用いられている光増幅器の増
幅帯域より広く設定することである。この場合、レーザ
の利得帯域内に存在する波長帯のみで発振が起きる。
方法は、ＦＳＲをレーザに用いられている光増幅器の増
幅帯域より広く設定することである。この場合、レーザ
の利得帯域内に存在する波長帯のみで発振が起きる。
【００３４】さらに別の一つの方法は、δΛｉｊをチャ
ーピングさせる方法である。チャーピングとは、δΛ
ｉｊが一定ではなく、ｉによりδΛｉｊが序々に増加ま
たは減少することを意味している。この場合、ＡＷＧが
低損失で動作する波長帯が一つしか存在しなくなり、隣
接する波長帯の損失が大きいため、その波長帯での発振
が起きなくなる。
ーピングさせる方法である。チャーピングとは、δΛ
ｉｊが一定ではなく、ｉによりδΛｉｊが序々に増加ま
たは減少することを意味している。この場合、ＡＷＧが
低損失で動作する波長帯が一つしか存在しなくなり、隣
接する波長帯の損失が大きいため、その波長帯での発振
が起きなくなる。
【００３５】続いて、同じ波長帯の中で複数の波長が同
時発振できないように設計する方法を一つ述べる。ま
ず、Ｌｏｐｔ（λｉ）≠Ｌｏｐｔ（λｊ）（ｉ≠ｊ）が
一つの必要な条件である。すなわち、各波長に対応する
共振器長が異なることが必要であり、この条件は、δＬ
ｉ≠δＬｉ（ｉ≠ｊ）になるように波長マッピング遅延
回路を設計することにより実現できる。
時発振できないように設計する方法を一つ述べる。ま
ず、Ｌｏｐｔ（λｉ）≠Ｌｏｐｔ（λｊ）（ｉ≠ｊ）が
一つの必要な条件である。すなわち、各波長に対応する
共振器長が異なることが必要であり、この条件は、δＬ
ｉ≠δＬｉ（ｉ≠ｊ）になるように波長マッピング遅延
回路を設計することにより実現できる。
【００３６】但し、この条件のみでは異なる高調波次数
で複数な波長が同時発振する可能性がある。このような
同時発振を避けるためには、まずＬｏｐｔ（λｉ）の最
短値がＬｏｐｔ （ｍｉｎ）、最長値がＬｏｐｔ
（ｍａｘ）であると考える。Ｌｏｐｔ （ｍｉｎ）とＬ
ｏｐｔ （ｍａｘ）に対応する基本繰り返し周波数がｆ
（ｍｉｎ）＝ｃ／Ｌｏｐｔ （ｍｉｎ）とｆ（ｍａｘ）＝
ｃ／Ｌｏｐｔ （ｍａｘ）であり、Ｌ ｏｐｔ （ｍｉｎ）＜
Ｌｏｐｔ （ｍａｘ）であるためｆ（ｍｉｎ）＞ｆ
（ｍａｘ）である。レーザを高調波次数ｍ０でモード同
期動作をさせた場合、（ｍ０＋１）ｆ（ｍａｘ）＞ｍ０
ｆ（ｍｉｎ）および（ｍ０−１）ｆ（ｍｉｎ）＜ｍ０ｆ
（ｍ ａｘ）の条件を同時に満足させることによって、異
なる高調波次数で同時発振が起きなくなる。上記の実験
で述べたレーザは、ここで述べた設計ルールを満足して
いる。
で複数な波長が同時発振する可能性がある。このような
同時発振を避けるためには、まずＬｏｐｔ（λｉ）の最
短値がＬｏｐｔ （ｍｉｎ）、最長値がＬｏｐｔ
（ｍａｘ）であると考える。Ｌｏｐｔ （ｍｉｎ）とＬ
ｏｐｔ （ｍａｘ）に対応する基本繰り返し周波数がｆ
（ｍｉｎ）＝ｃ／Ｌｏｐｔ （ｍｉｎ）とｆ（ｍａｘ）＝
ｃ／Ｌｏｐｔ （ｍａｘ）であり、Ｌ ｏｐｔ （ｍｉｎ）＜
Ｌｏｐｔ （ｍａｘ）であるためｆ（ｍｉｎ）＞ｆ
（ｍａｘ）である。レーザを高調波次数ｍ０でモード同
期動作をさせた場合、（ｍ０＋１）ｆ（ｍａｘ）＞ｍ０
ｆ（ｍｉｎ）および（ｍ０−１）ｆ（ｍｉｎ）＜ｍ０ｆ
（ｍ ａｘ）の条件を同時に満足させることによって、異
なる高調波次数で同時発振が起きなくなる。上記の実験
で述べたレーザは、ここで述べた設計ルールを満足して
いる。
【００３７】尚、本実施形態で述べたレーザは図７に示
す構成のみに限定されるものではなく、例えば図１１の
例に示す構成とすることができる。本図において、出力
光１１０９は、図４の出力光４２１に対応する。また、
アレイ導波路格子１１１６は、半導体素子１１１７に集
積化されている。このように、ＰＬＣ技術を用いて１個
の素子に集積化することなども可能である。
す構成のみに限定されるものではなく、例えば図１１の
例に示す構成とすることができる。本図において、出力
光１１０９は、図４の出力光４２１に対応する。また、
アレイ導波路格子１１１６は、半導体素子１１１７に集
積化されている。このように、ＰＬＣ技術を用いて１個
の素子に集積化することなども可能である。
【００３８】（第２実施形態）本発明の第２実施形態
は、請求項１、および３乃至６に記載の波長可変モード
同期レーザに関するものである。
は、請求項１、および３乃至６に記載の波長可変モード
同期レーザに関するものである。
【００３９】本実施形態の構成図を図１２に示す。図１
２において、半導体素子１２０８は光変調器１２０２お
よび半導体光増幅器１２０３を集積化した素子である。
光変調器１２０２として、電界吸収型変調器または注入
電流を変調した光増幅器を用いることができる。光増幅
器の利得は電源１２０６による注入電流により設定され
ており、モード同期用の変調信号をＲＦシンセサイザー
１２０５から得ている。半導体素子１２０８の片側は共
振器を終端させるための高反射コーティング１２０１が
されており、出力側は低反射コーティング１２０４が施
されている。出射光はレンズ１２１１により光ファイバ
１２０９に入射されている。光ファイバ１２０９には、
遅延回路の一例として、Ｎ個の異なる波長のブラッググ
レーティング１２１０が形成されている。各ブラッググ
レーティングの長さはδＬ、波長間隔はΔλ（光周波数
ではΔｆ）である。また、ブラッググレーティングを透
過した光がレーザの出力光１２０７である。
２において、半導体素子１２０８は光変調器１２０２お
よび半導体光増幅器１２０３を集積化した素子である。
光変調器１２０２として、電界吸収型変調器または注入
電流を変調した光増幅器を用いることができる。光増幅
器の利得は電源１２０６による注入電流により設定され
ており、モード同期用の変調信号をＲＦシンセサイザー
１２０５から得ている。半導体素子１２０８の片側は共
振器を終端させるための高反射コーティング１２０１が
されており、出力側は低反射コーティング１２０４が施
されている。出射光はレンズ１２１１により光ファイバ
１２０９に入射されている。光ファイバ１２０９には、
遅延回路の一例として、Ｎ個の異なる波長のブラッググ
レーティング１２１０が形成されている。各ブラッググ
レーティングの長さはδＬ、波長間隔はΔλ（光周波数
ではΔｆ）である。また、ブラッググレーティングを透
過した光がレーザの出力光１２０７である。
【００４０】ここで、本実施形態においてレーザを正常
に動作させるための設計ルールをいくつか述べる。ま
ず、第１実施形態と同じように、共振器全体の平均の長
さＬａ ｖｇとブラッググレーティング全体の長さＬｂｇ
がＬａｖｇ≫Ｌｂｇの関係を満足するように設計する必
要がある。また、レーザを動作させる繰り返し領域の平
均周期がＴＲで表せた場合、Ｌｂｇ＜ｃＴＲまたはｃＴ
Ｒ／（２ｎδＬ）＝奇数にする必要がある。さらに、半
導体素子内のファブリーペロー効果の自由スペクトル範
囲ｆＦＰとブラッググレーティングの光周波数間隔ｆ
ＬＡＳにｆＬＡＳ＝ｍｆＦＰ（ｍは整数）の関係を満足
させる必要がある。
に動作させるための設計ルールをいくつか述べる。ま
ず、第１実施形態と同じように、共振器全体の平均の長
さＬａ ｖｇとブラッググレーティング全体の長さＬｂｇ
がＬａｖｇ≫Ｌｂｇの関係を満足するように設計する必
要がある。また、レーザを動作させる繰り返し領域の平
均周期がＴＲで表せた場合、Ｌｂｇ＜ｃＴＲまたはｃＴ
Ｒ／（２ｎδＬ）＝奇数にする必要がある。さらに、半
導体素子内のファブリーペロー効果の自由スペクトル範
囲ｆＦＰとブラッググレーティングの光周波数間隔ｆ
ＬＡＳにｆＬＡＳ＝ｍｆＦＰ（ｍは整数）の関係を満足
させる必要がある。
【００４１】尚、本実施形態で述べたレーザは、図１２
に示す構成のみに限定されるものではなく、例えばハイ
ブリッドＰＬＣ技術を用いて一個の素子に集積化するこ
となども考えられる。この場合、光ファイバが光導波路
と入れ替わるような違いが生じるが、基本的な原理は同
じである。
に示す構成のみに限定されるものではなく、例えばハイ
ブリッドＰＬＣ技術を用いて一個の素子に集積化するこ
となども考えられる。この場合、光ファイバが光導波路
と入れ替わるような違いが生じるが、基本的な原理は同
じである。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
モード同期用のクロック信号の周波数に基づいて設定さ
れた発振波長を有する光を出力する半導体素子と、半導
体素子から出力された光に対する共振器長を発振波長に
応じて異ならせる遅延回路とを備え、発振波長の光周波
数間隔ｆＬＡＳおよび半導体素子の表面反射によるファ
ブリーペロー効果の自由スペクトル範囲ｆＦＰは、ｍ＞
０を満足する整数ｍを用いた式ｆＬＡＳ＝ｍｆＦＰを満
足するので、半導体素子のファブリーペロー効果が無視
できない大きさであっても、波長可変モード同期レーザ
のモード同期周波数のみを変化させることによって発振
波長を選択できる。
モード同期用のクロック信号の周波数に基づいて設定さ
れた発振波長を有する光を出力する半導体素子と、半導
体素子から出力された光に対する共振器長を発振波長に
応じて異ならせる遅延回路とを備え、発振波長の光周波
数間隔ｆＬＡＳおよび半導体素子の表面反射によるファ
ブリーペロー効果の自由スペクトル範囲ｆＦＰは、ｍ＞
０を満足する整数ｍを用いた式ｆＬＡＳ＝ｍｆＦＰを満
足するので、半導体素子のファブリーペロー効果が無視
できない大きさであっても、波長可変モード同期レーザ
のモード同期周波数のみを変化させることによって発振
波長を選択できる。
【００４３】また、半導体素子の温度、バイアス電圧、
バイアス注入電流などが一定の状態でも波長可変を行う
ことができるため、高速かつ容易な波長可変が可能とな
る。
バイアス注入電流などが一定の状態でも波長可変を行う
ことができるため、高速かつ容易な波長可変が可能とな
る。
【図１】波長可変モード同期レーザの一般的な構成例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】フィルタアレイの波長間隔と周期的な透過およ
び利得特性の重ね具合から生じる問題を説明するための
図である。
び利得特性の重ね具合から生じる問題を説明するための
図である。
【図３】フィルタアレイの波長間隔と周期的な透過およ
び利得特性の間隔を一致させることを説明するための図
である。
び利得特性の間隔を一致させることを説明するための図
である。
【図４】従来の波長可変モード同期レーザにおける、波
長チャンネルによるＲＦ周波数および出力パワーの変化
を示す図である。
長チャンネルによるＲＦ周波数および出力パワーの変化
を示す図である。
【図５】従来の波長可変モード同期レーザにおける、３
２波長で発振させたスペクトルを示す図である。
２波長で発振させたスペクトルを示す図である。
【図６】従来の波長可変モード同期レーザにおける、半
導体素子の設定条件を示す図である。
導体素子の設定条件を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態による波長可変モード同
期レーザの構成図である。
期レーザの構成図である。
【図８】本発明の第１実施形態による波長可変モード同
期レーザの、波長チャンネルによるＲＦ周波数および出
力パワーの変化を示す図である。
期レーザの、波長チャンネルによるＲＦ周波数および出
力パワーの変化を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態による波長可変モード同
期レーザの、３２波長で発振させたスペクトルを示す図
である。
期レーザの、３２波長で発振させたスペクトルを示す図
である。
【図１０】本発明の第１実施形態による波長可変モード
同期レーザの、半導体素子の設定条件を示す図である。
同期レーザの、半導体素子の設定条件を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による、ＰＬＣ技術を
用いて集積化したレーザの構成図である。
用いて集積化したレーザの構成図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による、ブラッググレ
ーティングを用いたレーザの構成図である。
ーティングを用いたレーザの構成図である。
１００ 共振器 １０１ 半導体素子 １０２ 高反射コーティング １０３ 光変調器 １０４ 半導体光増幅器 １０５ 低反射コーティング １０６ 遅延回路 １０７ 出力手段 １０８ ＲＦシンセサイザー １０９ ＤＣ電源 ４０１、１１０１、１２０１ 高反射コーティング ４０２、１１０２ 電界吸収型光変調器 ４０３、１１０３、１２０３ 半導体光増幅器 ４０４、１１０４ スターカプラー ４０５、１１０５ 導波路アレイ ４０６、１１０６ スターカプラー ４０７、１１０７ 出力導波路 ４０９ 先球ファイバ ４１０、１１１０、１２０５ ＲＦシンセサイザー ４１２、１１１２、１２１２ 共振器 ４１３、１１１３ ミラー ４１４、１１１４、１２０６ 電源 ４１５、１１１５、１２０４ 低反射コーティング ４１６、１１１６ アレイ導波路格子 ４１７、１１１７、１２０８ 半導体素子 ４１８ 偏波コントローラ ４１９ 偏波ビームスプリッター ４２１、１１０９、１２０７ 出力光 １２０２ 光変調器 １２０９ 光ファイバ １２１０ ブラッググレーティング １２１１ レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 憲史 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 小向 哲郎 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 杉田 彰夫 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 中沢 正隆 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 KA12 LA03 LA19 RA00 TA05 TA11 2H079 AA02 AA13 BA01 CA05 DA16 EA03 EA07 EA08 EB04 FA04 KA18 5F073 AA65 AB21 AB25 BA02 EA04
Claims (6)
- 【請求項１】 モード同期用のクロック信号の周波数に
基づいて設定された発振波長を有する光を出力する、レ
ーザの共振器内に設けられた半導体素子と、該半導体素
子から出力された光に対する共振器長を前記発振波長に
応じて異ならせる遅延回路とを備え、前記発振波長の光
周波数間隔ｆＬＡＳおよび前記半導体素子の表面反射に
よるファブリーペロー効果の自由スペクトル範囲ｆＦＰ
は、ｍ＞０を満足する整数ｍを用いた式ｆＬＡＳ＝ｍｆ
ＦＰを満足することを特徴とする波長可変モード同期レ
ーザ。 - 【請求項２】 前記遅延回路は、アレイ導波路格子を含
むことを特徴とする請求項１に記載の波長可変モード同
期レーザ。 - 【請求項３】 前記遅延回路は、ブラッググレーティン
グを含むことを特徴とする請求項１に記載の波長可変モ
ード同期レーザ。 - 【請求項４】 前記遅延回路は、ＰＬＣ技術に基づいて
形成されていることを特徴とする請求項２または３に記
載の波長可変モード同期レーザ。 - 【請求項５】 前記遅延回路は、ハイブリッド技術に基
づいて前記半導体素子に集積化されていることを特徴と
する請求項４に記載の波長可変モード同期レーザ。 - 【請求項６】 前記半導体素子は、半導体光増幅器また
は電界吸収型光変調器であることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の波長可変モード同期レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001140571A JP3814495B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 波長可変モード同期レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001140571A JP3814495B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 波長可変モード同期レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002335039A true JP2002335039A (ja) | 2002-11-22 |
| JP3814495B2 JP3814495B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=18987156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001140571A Expired - Fee Related JP3814495B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 波長可変モード同期レーザ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3814495B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012018195A2 (ko) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 부산대학교 산학협력단 | 능동형 모드 잠김 레이저를 이용한 광 결맞음 단층 영상기기 |
| WO2017022142A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001140571A patent/JP3814495B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012018195A2 (ko) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 부산대학교 산학협력단 | 능동형 모드 잠김 레이저를 이용한 광 결맞음 단층 영상기기 |
| WO2012018195A3 (ko) * | 2010-08-04 | 2012-05-10 | 부산대학교 산학협력단 | 능동형 모드 잠김 레이저를 이용한 광 결맞음 단층 영상기기 |
| US9207063B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-12-08 | Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation | Optical coherence tomography using active mode-locking fiber laser |
| WO2017022142A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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|---|---|
| JP3814495B2 (ja) | 2006-08-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
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