JP2002329805A - 電子部品装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基体の実装面積が増大することにより、装置
の小型化・高密度化・低コスト化・高機能化が可能であ
り、かつ装置の放熱性が著しく向上した電子部品装置を
提供する。 【解決手段】 底面に電子部品素子収納用キャビティ７
及び端子電極４２を有する絶縁基体１に、該キャビティ
７内に収容される電子部品素子５を配置するとともに、
絶縁基体１の表面に表面配線導体膜４及びそれに接続す
る回路構成部品６を搭載して成る電子部品装置１０にお
いて、キャビティ７の底面には、電子部品素子５が搭載
されるダイアタッチ導体膜４１を有するとともに、キャ
ビティ７内壁から露出するように、電子部品素子５の動
作による熱を基体１の底面側に放熱するために、キャビ
ティ７内壁に露出し、基体１厚み方向に延びるサーマル
ビアホール８を設け、該サーマルビアホール８の一端部
は、ダイアタッチ導体膜４１に接合し、且つ他端は基体
１の底面に露出している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各種の電子機器、電
子装置等の電子回路モジュールとして用いられる電子部
品搭載装置の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の電子機器や電子装置等に対
して小型化、薄型化、高機能化等の要求が高まってお
り、それに伴ってそれら機器や装置の電子回路モジュー
ルに用いられる電子部品装置にも、小型化、薄型、高密
度化ならびに高速信号処理に対応した高機能化が強く要
求されている。

【０００３】そのような電子部品装置において、回路動
作の高速化に対応して信号処理を行う基体は、ガラスフ
リットにアルミナ等の無機フィラーを添加した低温焼結
可能なガラス−セラミック材料を基体材料に用いてい
る。８５０〜１０５０℃で焼成可能な低温焼成基体で
は、内部配線パターンの形成には金（Ａｕ）系、銀（Ａ
ｇ）系、銅（Ｃｕ）系等の低融点で比抵抗の小さい金属
材料を用いることができ、それにより高速信号処理を行
う電子部品装置を実現できることから、民生機器分野で
の実用化を図るべく、小型化・高密度化・低コスト化に
向けての開発が進められている。

【０００４】そして、このような電子部品装置に搭載さ
れるＩＣチップなどの電子部品素子は、増幅用ＩＣであ
ったり、また、集積度の高いＩＣであったりするため、
発熱量が増加増大する傾向にある。

【０００５】従来、電子部品装置６０は、図６に示すよ
うに、複数の絶縁層が積層した絶縁性基体６１の表面の
電子部品収容用キャビティ６７を形成し、このキャビテ
ィ６７内に電子部品素子６５を収容していた。また、こ
の電子部品素子６５の動作によって発生する熱は、キャ
ビティ６７の直下に形成した複数のビアホール導体６８
を介して基体６１の一方主面に放出されるようになって
いた。尚、このビアホール導体は、基体６１に形成した
貫通穴内に、熱伝導性の金属材料が充填されて成り、そ
の主たる目的が熱の伝導を意図しているため、サーマル
ビアホールという。このようなサーマルビアホール６８
が多数設けられているので、効率よく電子部品素子６５
の発熱を伝達することができ、電子部品素子６５の熱的
破壊や信頼性劣化の防止していた。

【０００６】このサーマルビアホール６８の一端（基体
内部側の一端）は、電子部品素子６５が実装されるダイ
アタッチ導体膜７１に接合し、その他端は、絶縁基体６
１の一方主面、例えば、底面に延出されている。尚、サ
ーマルビアホール６８の他端は、そのまま露出されてい
たり、また、図のようにサーマルビアホール６８の他端
に接合するダミーの放熱用端子電極７２を形成してい
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の電子
部品装置を組み込んだ電子回路モジュールは、小型化・
高密度化・低コスト化・高機能化の要求がますます高ま
ってきつつある。このため、電子部品装置６０に、キャ
ビティ６７内に搭載した電子部品素子６５以外の回路構
成部品を実装する必要がある。

【０００８】しかしながら、図６に示した電子部品装置
６０は、基体６１の表面側にキャビティ６７の開口が存
在しているため、開口面積が回路構成部品を実装するた
めのデッドスペースとなり、電子部品装置６１の小型で
且つ高機能化には限界があった。

【０００９】また、電子部品素子６５、例えば、ＩＣヂ
ップの高集積化、高速化に伴い、動作にともなう熱の発
生量も多くなり、良好な放熱性が必要とされるようにな
っている。このため、図６のサーマルビアホール８で
は、放熱能力が不十分であるという問題点があった。

【００１０】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、基体の回路構成部品の実装
効率を増大することができ、しかも放熱性が著しく向上
した電子部品装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品装置
は、底面にキャビティを有し、表面に表面配線導体膜を
有する絶縁基体と、前記キャビティ内に収容される電子
部品素子と、前記絶縁基体の表面に搭載され、表面配線
導体膜に接続している回路構成部品とから成る電子部品
装置において、前記キャビティ内壁に沿って、前記電子
部品素子の動作による熱を前記絶縁基体の底面側に放熱
する放熱手段を設けたことを特徴とする。

【００１２】また、前記放熱手段が、前記キャビティ内
壁に露出し、基体厚み方向に延びるビアホール導体で形
成されている。

【００１３】さらに、前記キャビティ内の実装底面に
は、前記電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜
を有するとともに、前記ビアホール導体の一端部は、該
ダイアタッチ導体膜に接合し、且つ他端は基体の底面に
実質的に露出している。

【００１４】さらに、ビアホール導体は、横断面形状が
長円形状の一部が前記キャビティの内壁で除去されて成
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品装置を図
面に基づいて説明する。

【００１６】図１は、本発明の電子部品装置の一実施形
態を示す電子部品素子搭載部での断面図である。図２
は、図１の電子部品装置のキャビティ部の平面図であ
る。図３は、本発明のビアホール導体（サーマルビアホ
ール）の実施形態を示す拡大平面図である。

【００１７】これらの図において、１０は電子部品装
置、１は複数の絶縁体層１ａ〜１ｆが積層されて成る絶
縁性基体（以下、単に基体という）、２は内部配線導
体、３は回路形成用ビアホール導体、４は表面配線導体
膜、４１はダイアタッチ導体膜、４２は端子電極、４３
は電極パッド、５は電子部品素子、５１はワイヤボンデ
ィング、６は回路構成部品、７はキャビティ、８はサー
マルビアホールである。

【００１８】上述の電子部品装置１０の基体１は、底面
側から複数の絶縁層１ａ〜１ｆが積層してなり、各絶縁
層１ａ〜１ｆの層間には、内部配線導体２が形成されて
いる。また、絶縁層１ａ〜１ｆには、各層の厚み方向に
貫くビアホール導体３、８が形成されている。具体的に
は、ビアホール導体は、２つの機能を有するものが存在
している。通常、所定回路を構成するビアホールは、回
路形成用ビアホール導体３であり、主に電子部品素子５
の動作による発生熱を外部に放出するためにビアホール
導体をサーマルビアホール（放熱手段）８という。

【００１９】基体１の裏面には、電子部品素子５を収容
するキャビテイ７が形成されている。キャビティ７は、
一方向に段差を有しており、キャビティ７の実装底面に
は、ＩＣチップなとの電子部品素子５を載置するダイア
タッチ導体膜４１が形成されている。また、キャビティ
７の段差面には、電極パッド４３が形成されている。
尚、段差は、絶縁体層１ａに外側のキャビティの形状
を、絶縁体層１ｂにより内側のキャビティの形状を規定
している。

【００２０】このダイアタッチ導体膜４１は、キャビテ
ィ７の底面から、この底面と同一平面でキャビティ７の
周囲に広がるように形成される。

【００２１】また、基体１の裏面で、キャビティ７の開
口周囲には、端子電極４２が形成されている。この端子
電極４２は、実際に信号等の入力を行なう端子電極、電
源電圧が供給される端子電極、グランド電位となる端子
電極などが例示できる。

【００２２】本発明では、さらに、これらの以外の機能
として、ヒートシンク（放熱機能）をもつダミー用の端
子電極としても構わない。尚、放熱機能のみを有するダ
ミー用の端子電極としては、図１の基体１の裏面左側の
ように、複数のサーマルビアホール８の他端に接合する
ように被着形成される（符号４２ａ）。また、図１の基
体１の裏面右側のように、グランド電位となる端子電極
と共用させることもできる（符号４２ｂ）。尚、端子電
極４２ｃは、放熱機能を有さない信号の入出力端子電
極、電源電圧端子電極、グランド電位端子電極などであ
る。

【００２３】また、このような基体１の表面側には、裏
面側にキャビティ７が存在する、存在しないに関わら
ず、表面配線導体膜４が形成され、この表面配線導体膜
４上には、回路構成部品６が実装されている。これによ
り、電子部品装置１０全体で回路構成部品６の実装効率
を上げ、小型化に寄与できる。

【００２４】キャビティ７の底面を構成する絶縁体層１
ｂと１ｃとの層間（絶縁体層１ｃの裏面側の表面）に
は、上述のダイアタッチ導体膜４１が被着形成されてい
る。キャビティ７の実装底面に露出したダイアタッチ導
体膜４１上には、電子部品素子５が搭載されている。

【００２５】また、キャビティ７の段差を構成する絶縁
体層１ａと１ｂとの層間（絶縁体層１ｂの裏面側の表
面）には、電極パッド部４３が被着形成されている。こ
の電極パッド部４３は、絶縁体層１ａと１ｂとの層間に
引き回し配線２１（内部配線導体２の一部とみなす）と
して基体１内部の内部配線導体２と接続する。

【００２６】このダイアタッチ導体膜４１上に実装され
た電子部品素子５は、この電極パッド４３にボンディン
グワイヤ５１を介して電気的に接続されている。

【００２７】ここで、ダイアタッチ導体膜４１は、絶縁
体層１ｃの裏面側の主面でキャビティ７の領域以外に広
がるように形成され、絶縁体層１ａ、１ｂの厚み方向に
形成されたサーマルビアホール８の一端と接合してい
る。

【００２８】即ち、電子部品素子５の動作によって発せ
られた熱は、ダイアタッチ導体膜４１、複数のサーマル
ビアホール８を介して、放熱機能を有する端子電極４２
ａ、４２ｂに伝導することになる。ここで、放熱機能を
有する端子電極４２ｂは、上述のように、グランド電位
の端子電極としても動作する。即ち、ダイアタッチ導体
膜４１もグランド電位となる。尚、電子部品素子５、例
えば、ＩＣチップにおいてそのダイアタッチ面をグラン
ド電位とするものは上述の構造で構わないが、駆動駆動
電位、または浮き電位で動作させるものは、それに応じ
て、端子電極４２を端子電極４２ａのように、ダミー端
子電極として機能させるようにする。

【００２９】電子部品素子５は、動作によって熱の放出
を伴うＩＣチップが例示できる。図では、放熱作用を考
慮して、電子部品素子５はダイアタッチ導体膜４１に直
接接合し、信号等の入出力は、電極パッド部４３との間
でボンディングワイヤ５１を用いている。尚、電子部品
素子５１の動作による熱の放熱作用は、若干低下するも
のの、接続方法がバンプなどを利用したフリップチップ
型の電子部品素子であっても構わない。この場合、ダイ
アタッチ導体膜４１は、単なる熱の伝導のみを行なう機
能となる。

【００３０】本発明の特徴的なことは、サーマルビアホ
ール８の一部は、キャビティ７内壁に露出するように形
成されていることである。

【００３１】ここで、図２に示すキャビティ７は一対の
辺に段差が形成されているので、、サーマルビアホール
８ａは、内側のキャビティの内壁７ａに露出する。ま
た、サーマルビアホール８ｂは、一方はダイアタッチ導
体膜４１に接続され、絶縁層１ｂを貫通し、外側のキャ
ビティの内壁７ｂ、すなわち絶縁層１ｂに露出する。ま
た、キャビティ７の段差が形成されていない内壁７ｃで
は、サーマルビアホール８ｃがその内壁７ｃに露出す
る。

【００３２】サーマルビアホール８は、電子部品素子５
の動作により発生する熱を効率よくサーマルビアホール
８の側面からキャビティ空間に放出するとともに、サー
マルビアホール８形成後、また、サーマルビアホール８
の横断面積を確保するために、横断面が長円形状の一部
がキャビティ７の内壁に除去された形状となっている。

【００３３】このような電子部品装置は、以下のように
して形成される。

【００３４】絶縁層１ａ〜１ｆは、例えば８５０〜１０
５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなる。具体的なセラミック材料とし
ては、クリストバライト、石英、コランダム（βアルミ
ナ）、ムライト、コージェライトなどの絶縁セラミック
材料、ＢａＴｉＯ₃、Ｐｂ₄Ｆｅ₂Ｎｂ₂Ｏ₁₂、ＴｉＯ₂な
どの誘電体セラミック材料、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト（広義の意味でセラミックという）
などの磁性体セラミック材料などが挙げられる。ガラス
成分のフリットは、焼成処理することによってコージェ
ライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライ
トや、その置換誘導体の結晶や、スピネル構造の結晶相
を析出するものであればよく、例えば、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ
₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物を含むガラ
スフリットが挙げられる。この絶縁層１ａ〜１ｆの厚み
は、例えば１００〜３００μｍ程度である。

【００３５】内部配線導体２、ビアホール導体３、サー
マルビアホール８は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ、
Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金）を主成分とする導体膜（導
体）からなり、内部配線導体２の厚みは８〜１５μｍ程
度である。また、ビアホール導体３、サーマルビアホー
ル８の直径は任意な値とすることができるが、大径化と
して低抵抗化するために、８０〜３５０μｍとしてい
る。特に、ビアホール導体３、サーマルビアホール８
は、Ａｇ系材料、β石英、絶縁層１ａ〜１ｆを構成する
ガラス成分と概略同一のガラス成分からなる。

【００３６】表面配線導体膜４、端子電極４２は、Ａｇ
系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合
金）を主成分とする導体膜から成り、主に基体１の表面
においては、所定回路網を構成するとともに、半田を介
して接合される回路構成部品６の接続パッドとなった
り、また、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極
となる。また、基体１の裏面においては、ビアホール導
体３、８と接続する端子電極４２ａ〜４２ｃが形成され
ている。

【００３７】まず、基体１の絶縁層１ａ〜１ｆとなる大
型のグリーンシート、内部配線導体２、ビアホール導体
３、サーマルビアホール８を形成するための例えばＡｇ
系の導電性ペースト、表面配線導体膜４を形成するため
の例えばＡｕ系、Ａｇ系の導電性ペーストを形成するた
めのガラスペーストを用意する。

【００３８】グリーンシートは、複数の電子部品装置１
０を抽出できるように、複数の基体領域を有しており、
例えば、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリッ
ト、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリー
を、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ成型
して、所定大きさに切断してシートである。

【００３９】次に、絶縁層１ａ〜１ｆとなるグリーンシ
ートの各基体領域に、ビアホール導体３、サーマルビア
ホール８となる貫通穴となる貫通穴をパンチングによっ
て形成する。

【００４０】次に、貫通穴が形成された各グリーンシー
トを、和紙、ＰＥＴフィルムなどからなる敷き紙を敷い
ておき、該貫通穴にビアホール導体３、サーマルビアホ
ール８となる貫通穴に、Ａｇ系導電性ペーストを印刷・
充填する。また、誘絶縁層１ｂ〜１ｅとなるグリーンシ
ート上には、内部配線導体２となる導体膜を、Ａｇ系導
電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。尚、この
内部配線導体２の形成時に、絶縁層1ｃの裏面側の主面
に、ダイアタッチ導体膜４１となる導体膜を、また、絶
縁層1ｂの裏面側の主面に、電極パッド部４３、引き回
し配線２１となる導体膜を形成する。また、絶縁層１f
の表面側となるグリーンシート上には表面配線導体膜４
となる導体膜を、絶縁層１ａの裏面となるグリーンシー
ト上には、各種端子電極４２ａ〜４２ｃとなる導体膜を
Ａｇ系導電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。

【００４１】次に、このようなグリーンシートを敷き紙
上から外し、絶縁層１ａ〜１ｂとなるグリーンシートを
積層する。そして、プレスピンでキャビティ７となる貫
通穴を打ち抜く。

【００４２】次に、上述のキャビティ７となる貫通穴が
形成せされた絶縁層１ａ〜１ｂと他の絶縁層１ｃ〜１ｆ
となるグリーンシートを積層し、一体化して大型積層体
を形成する。

【００４３】次に、未焼成状態の大型積層体に、必要に
応じて、各基体領域を区画するように分割溝を形成す
る。

【００４４】次に、未焼成状態の大型積層体を、酸化性
雰囲気または大気雰囲気で同時焼成処理する。なお、こ
の焼成工程は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。

【００４５】脱バインダ過程は、絶縁層１ａ〜１ｆとな
るグリーンシート、内部配線導体２となる導体膜、ダイ
アタッチ導体膜４１となる導体、引き回し配線２１とな
る導体膜、電極パッド部４３となる導体膜、ビアホール
導体３、サーマルビアホール８となる導体、表面配線導
体膜４となる導体膜に含まれる有機成分を焼失させるた
めのものである。また、焼結過程は、ガラス−セラミッ
クのグリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時
にセラミック粉末の粒界に均一に分散させ、基体１に一
定強度を与え、上述の各種導体膜、ビアホール導体３、
サーマルビアホール８となる導体の金属粉末、Ａｇ粉末
を粒成長させ、低抵抗化させて、絶縁層１ａ〜１ｆと一
体化させるものである。

【００４６】これにより、複数の基体１が連接された大
型基板が達成されることになる。

【００４７】そして、各基体領域のキャビティ７内に、
電子部品素子５を収容（ダイアタッチ接合）させて、電
極パッド４３との間にＡｌまたはＡｕのワイヤボンディ
ング５１などにより電気的に接続する。

【００４８】この後、基体１のキャビティ７の形成面と
反対側の面である基体表面に、厚膜抵抗素子を形成した
り、各種回路構成部品６を半田などで接合・実装を行
う。

【００４９】最後に、各基体１を区画する分割溝に沿っ
て分割処理したり、切断したりして、大型基板からは、
図１に示す複数の電子部品装置１０が抽出されることに
なる。

【００５０】このうよな電子部品装置１０は、基体１の
底面に電子部品素子収納用キャビティ７及び端子電極４
２を有する絶縁基体１に、該キャビティ７内に収容され
る電子部品素子５を配置するとともに、絶縁基体１の表
面に表面配線導体膜４及びそれに接続する回路構成部品
６を搭載される。

【００５１】また、サーマルビアホール８の一部は、キ
ャビティ７内壁に露出するように形成され、基体１の裏
面側に延出している。

【００５２】このため、基体１の表面には、キャビティ
７が存在することがなく、また、サーマルビアホール８
が延出されていない。従って、基体１の表面全体に、回
路を構成する回路構成部品６を配置することができる。
これにより、基体１に搭載される電子部品素子５や回路
構成部品６を高密度に実装することができ、もって電子
部品装置の小型化が達成される。

【００５３】また、サーマルビアホール８は、キャビテ
ィ７内壁に露出するように形成されているため、基体１
の裏面側に熱伝導する他に、キャビティ７内の空間にも
熱が放出されるため、装置の放熱性が著しく向上する。

【００５４】また、本発明では、引き回し配線２１は、
複数のサーマルビアホール８の間に縫うように配置され
ている。ここで、ダイアタッチ導体膜４１をグランド電
位（これに接続するサーマルビアホール８もグランド電
位となる）とすると、引き回し配線２１がグランド電位
間を通過するために、この配線にノイズが載りにくく、
電子部品素子５の安定した動作が発生されることにな
る。

【００５５】ここで、サーマルビアホール８の形状を制
御して、電子部品素子５の動作により発生する熱を効率
よく放出するようにする。

【００５６】例えば、サーマルビアホール８がキャビテ
ィ７の内壁に露出する部分の形状は、図３の（ａ）〜
（ｃ）がある。図３（ｂ）において、サーマルビアホー
ル８は外接する２つの円の一部と、これらの円を結ぶ直
線からなるものを例示する。尚、サーマルビアホール８
の長径方向の長さをｍ、サーマルビアホール８を構成す
る円の半径をｒ、該円の中心をｃ、サーマルビアホール
８がキャビティ内壁に露出する部分の幅をａ、絶縁層と
接触する部分の長さ（以下、外周と呼ぶ）をｓで示して
いる。

【００５７】図において、サーマルビアホール８内で導
電ペーストは、絶縁層と接触する部分によって支えられ
ているため、サーマルビアホール８の外周ｓ／面積の比
が大きくなるほど、また、露出する部分の幅ａが小さい
ほど、導電性ペーストの充填維持性が良好になり、キャ
ビティ用の貫通穴を打ち抜く際に、サーマルビアホール
８となる導電性ペーストが欠落しにくくなる。一方、サ
ーマルビアホール８がキャビティ７内に露出している部
分の面積、及び絶縁層１ａ〜１ｂと接触している部分の
面積が大きいほど、放熱性が良好になる。ここで、サー
マルビアホール８の高さを一定とすると、これらはそれ
ぞれ露出する部分の幅ａ、及び外周ｓによって支配され
る。

【００５８】図３において、サーマルビアホール８の外
周ｓ／面積の比は、（ａ）のようにサーマルビアホール
８が半円形状の場合、最も大きくなり、（ｂ）、（ｃ）
のように半長円形状になるにしたがって、小さくなる。
ここで、（ｂ）、（ｃ）は、切断方向が異なるだけなの
で、外周ｓ／面積の比は同じになるが、（ｂ）は露出す
る部分の幅ａが（ｃ）より大きくなる。

【００５９】一方、露出する部分の幅ａは、（ｃ）が最
も大きくなり、（ａ）と（ｂ）は同じである。また、外
周ｓは、（ａ）より（ｂ）の方が大きくなる。

【００６０】これらのことから、図３において、サーマ
ルビアホール８の導電性ペーストの充填維持性は（ａ）
＞（ｃ）＞（ｂ）の順になり、放熱性は（ｂ）＞（ｃ）
＞（ａ）の順になる。また、サーマルビアホール８の全
体の長さｍが大きいほど、すなわちサーマルビアホール
８に内接する２つの円の中心ｃの間隔が離れるほど、こ
れらの効果は大きくなる。しかし、これらは相対的なも
のであり、サーマルビアホール８が図３（ａ）の形状で
あっても放熱性が良好であったり、図３（ｂ）の形状で
あっても充填維持性が良好である場合があるのはいうま
でもない。したがって、実際のサーマルビアホール８の
寸法、導電性ペーストの種類、設計時の条件によって、
適当な形状を選択する必要がある。

【００６１】一般には、サーマルビアホール８の導電性
ペーストの粘度が高いほど、充填維持性は良好である
が、スクリーン印刷により導電性ペーストをサーマルビ
アホール８となる貫通穴に充填する際に、充填しにくく
なる。したがって、サーマルビアホール８の充填性を良
好にするためには、粘度が例えば５０００Ｐｏｉｓｅ以
上と高い導電性ペーストを用い、上記スクリーン印刷に
よる充填を２〜３回行うことが望ましい。

【００６２】なお、本発明は以上の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。

【００６３】図４は、本発明の電子部品装置の他の実施
形態を示す拡大断面図である。図５は、図４の電子部品
装置の裏面図である。

【００６４】同図によれば、キャビティ７底面に形成さ
れたダイアタッチ導体膜４１の一部がくりぬかれ、該く
りぬき部分の中に電極パッド４３が形成されている。そ
して、キャビティ７底面のダイアタッチ導体膜４１上に
電子部品素子５が収容され、該電子部品素子５から金属
ワイヤ５１が電極パッド４３に引き出されている。さら
に、キャビティ７の内壁から露出するように、サーマル
ビアホール８が形成されている。このようにすれば、キ
ャビティ７を２段にする必要がなくなり、基体１の強度
が向上する。なお、サーマルビアホール８は長円形状と
なっており、長軸方向に並べられている。

【００６５】また、金属ワイヤのワイヤ倒れを防止し、
電子部品素子を湿気から保護するために、電子部品素子
及び金属ワイヤを樹脂で封止しても良い。このとき、樹
脂がサーマルビアホールにかからないように、チクソ性
の高い樹脂を用いると良い。

【００６６】また、絶縁層となるグリーンシートを積層
順に応じて１層ずつ積層し、ビアホール導体、サーマル
ビアホールが形成されるグリーンシートが積層された
後、貫通穴にＡｇ系導電性ペーストを印刷・充填するよ
うにしてもよい。

【００６７】また、熱伝導部材としてのサーマルビアホ
ールの形状を円形、長円の他にも、四角形や楕円形等の
種々の形状としてもよい。また、サーマルビアホール用
の貫通穴の形成方法として、プレスピンで穴をあける方
法の他、レーザーで穴をあけても良い。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品装置に
よれば、キャビティ内壁から露出するように、基体厚み
方向に延びるサーマルビアホールを設け、該サーマルビ
アホールの一端部をダイアタッチ導体膜に接合し、且つ
他端を基体の裏面に導出させている。このため、キャビ
ティ形成領域の基体表面に回路構成部品を実装すること
が可能であるため、電子部品装置の小型化、高密度化、
高機能化を実現できる。

【００６９】また、サーマルビアホールはキャビティ内
壁に露出しているため、基体の裏面側に熱伝導する他
に、キャビティ内の空間にも熱が放出されるため、装置
の放熱性が著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品装置の一実施形態を示す断面
図である。

【図２】図１の電子部品装置のキャビティ部分の平面図
である。

【図３】本発明のサーマルビアホールの各態様の拡大平
面図であり、（ａ）は横断面形状が真円を基礎としたも
のであり、（ｂ）は、横断面形状が長円形形状であり、
長径側が露出したものであり、（ｃ）は、横断面形状が
長円形形状であり、短径側が露出したものを示す。

【図４】本発明の電子部品装置の他の実施形態を示す拡
大断面図である。

【図５】図４の電子部品装置のキャビティ部分の平面図
である。

【図６】従来の電子部品装置の一実施形態を示す断面図
である。

【符号の説明】

１０、６０ 電子部品装置 １、６１ 基体 １ａ〜１ｆ 絶縁層 ２ 内部配線導体 ３ ビアホール導体 ４ 表面配線導体膜 ４１、７１ ダイアタッチ導体膜 ４２、７２ 端子電極 ４３ 電極パッド部 ５、６５ 電子部品素子 ５１ ワイヤボンディング ６ 回路構成部品 ７、６７ キャビティ ８、６８ サーマルビアホール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 底面にキャビティを有し、表面に表面配
   線導体膜を有する絶縁基体と、前記キャビティ内に収容
   される電子部品素子と、前記絶縁基体の表面に搭載さ
   れ、表面配線導体膜に接続している回路構成部品とから
   成る電子部品装置において、 前記キャビティ内壁に、前記電子部品素子の動作による
   熱を前記絶縁基体の底面側に放熱する放熱手段を設けた
   ことを特徴とする電子部品装置。
2. 【請求項２】 前記放熱手段が、前記キャビティ内壁に
   その一部が露出し、且つ基体厚み方向に延びるビアホー
   ル導体であることを特徴とする請求項１記載の電子部品
   装置。
3. 【請求項３】 前記キャビティ内の実装底面には、前記
   電子部品素子が搭載されるダイアタッチ導体膜を有する
   とともに、前記ビアホール導体の一端部は、該ダイアタ
   ッチ導体膜に接合し、且つ他端は基体の底面に実質的に
   露出していることを特徴とする請求項２記載の電子部品
   装置。
4. 【請求項４】 前記ビアホール導体は、横断面形状が長
   円形状の一部が前記キャビティの内壁で除去されて成る
   ことを特徴とする請求項２または３記載の電子部品装
   置。